JP7279156B2 - 静電チャックおよび反応チャンバ - Google Patents
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Description
前記加熱体の下側に、前記加熱体から間隔が開けられて配置された、冷却液を移送するべく構成された冷却パイプラインと;
前記加熱体および前記冷却パイプラインのそれぞれと接続された、前記加熱体から前記冷却パイプラインへ熱を伝達するべく構成された薄壁構造と、
を含む。
前記伝熱プレートは、リング形状であり、前記伝熱プレートの内壁および外壁は、前記冷却パイプラインおよび前記リング形状のコネクタと、それぞれ接触している。
前記冷却パイプラインと接触し、前記加熱体の前記ボトムと対向して、前記加熱体によって熱放射態様で放射された熱を吸収して前記熱を前記冷却パイプラインへ伝達するべく構成された吸熱アッセンブリ、
を含む。
図3を参照すると、この開示の実施態様によって提供される静電チャックは、断熱層(図示せず)および断熱層のボトムに配置される加熱体3を含んでおり、また、冷却パイプライン5および薄壁構造も含んでいる。冷却パイプライン5は、加熱体3の下側に配置され、加熱体3からは間隔が開けられている。すなわち、冷却パイプライン5および加熱体3は、完全に非接触である。薄壁構造は、加熱体3および冷却パイプライン5に接続されており、プロセスの間における加熱体3からの熱を消散させ、かつ冷却パイプライン5へ熱を伝達するべく構成されている。プロセスの間においては、薄壁構造が、事実上、加熱体3からの熱を冷却パイプ5へ、適時的かつ効果的に伝達し得る。それに加えて、冷却機能を実現することが可能な冷却水またはそのほかの冷却液を、冷却パイプ5内へ、最終的に加熱体3からの熱を消散させるべく導入できる。冷却パイプライン5が、加熱体3から間隔を開けて配置されていることから、(1つ以上の)高温プロセスの間における、冷却パイプライン5内へ導入された冷却液の沸騰を回避できる。したがって、プロセスの間にわたって冷却パイプライン5が正常に使用されることを保証できる。その結果、ウィスカ欠陥が効果的に低減され、製品収率を向上させ得る。
Q=λ(T1-T2)tA/δ
これにおいて、Qは、伝熱プレート6によって伝達される秒当たりの熱量を示し、かつJの単位を有し、λは、伝熱プレート6の熱伝導率を示し、かつW/(M・K)の単位を有し、T1-T2は、リング形状のコネクタ4と冷却パイプライン5の間における温度差を示し、かつKの単位を有し、tは、伝熱時間を示し、かつ秒の単位を有し、Aは、接触面積を示し、かつm2の単位を有し、δは、伝熱プレート6の厚さを示し、かつmの単位を有する。
図4を参照すると、この開示の実施態様によって提供される静電チャックが、第1の実施態様に基づいてなされた改良を含む。具体的に述べれば、この静電チャックもまた、断熱層、断熱層のボトムに配置された加熱体3、冷却パイプライン5、リング形状のコネクタ4、および伝熱プレート6を含んでいる。これらの構成要素の構造および機能は、第1の実施態様の中で詳細に説明されていることから、ここでは説明しない。
2 冷却パイプ、冷却パイプライン
3 加熱体
4 リング形状のコネクタ
5 冷却パイプ、冷却パイプライン
6 伝熱プレート
7 吸熱プレート
8 吸熱シート
9 ターゲット
10 反応チャンバ
11 ウェファ
12 断熱層
13 圧力リング
15 ベローズ
71 中心孔
Claims (11)
- 断熱層と、前記断熱層のボトムに配置された加熱体とを包含する静電チャックであって、さらに:
前記加熱体の下側に、前記加熱体から間隔が開けられて配置された、冷却液を移送するべく構成された冷却パイプラインと;
前記加熱体および前記冷却パイプラインのそれぞれと接続され、前記加熱体から前記冷却パイプラインへ熱を伝達するべく構成された壁部と、
を包含し、
ここで、前記壁部は、前記加熱体と前記冷却パイプラインとの間に配置される垂直部と、リング形状かつ前記リング形状の半径方向に延びる薄板状の伝熱プレートと、を含み、
前記伝熱プレートは、軸方向の厚さが前記半径方向の長さよりも小さく、
前記壁部は、さらに、リング形状のコネクタを含み、それにおいて、前記リング形状のコネクタは、前記加熱体のボトムに接続され、前記冷却パイプラインの周囲を囲んで配置され、
前記伝熱プレートの前記半径方向における内側端部の上面は前記冷却パイプラインと接触し、前記伝熱プレートの前記半径方向における外側端部の上面は前記リング形状の前記コネクタと接触している、静電チャック。 - 前記伝熱プレートの前記軸方向の前記厚さおよび前記半径方向の前記長さ、および/または前記伝熱プレートの前記内側端部の前記上面が前記冷却パイプラインと接触する接触面積および前記外側端部の前記上面が前記リング形状の前記コネクタと接触する接触面積が、前記伝熱プレートの熱消散効率をコントロールするべく下記式(1)を満たすように設定される、請求項1に記載の静電チャック。
式(1) Q=λ(T1-T2)tA/δ
ここで、Qは前記伝熱プレートによって伝達される1秒当たりの熱量を示し、λは前記伝熱プレートの熱伝導率を示し、T1-T2は前記リング形状の前記コネクタと前記冷却パイプラインの間における温度差を示し、tは伝熱時間を示し、Aは前記伝熱プレートの前記内側端部の前記上面と前記冷却パイプラインとが接触する接触面積および前記伝熱プレートの前記外側端部の前記上面が前記リング形状の前記コネクタと接触する接触面積を示し、δは前記伝熱プレートの前記軸方向の前記厚さを示す。 - 前記伝熱プレートの熱消散効率は、10Wから500Wまでの範囲である、請求項2に記載の静電チャック。
- 前記伝熱プレートと前記冷却パイプラインは、溶接によって接続される、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記壁部は、さらに、
前記冷却パイプラインと接触し、前記加熱体の前記ボトムと対向して、前記加熱体によって熱放射態様で放射された熱を吸収して前記熱を前記冷却パイプラインへ伝達するべく構成された吸熱アッセンブリ、を含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の静電チャック。 - 前記吸熱アッセンブリは、
前記冷却パイプラインと固定的に接続された吸熱プレートと、前記吸熱プレートの表面に配置された前記加熱体と対向する複数の吸熱シートと、を含む、請求項5に記載の静電チャック。 - 前記複数の吸熱シートは、異なる直径を伴った複数のリング構造の構造体を含み、前記複数のリング構造の構造体は、同心に配置される、請求項6に記載の静電チャック。
- 前記冷却パイプラインは、前記吸熱プレートの軸周りに配置される、請求項6に記載の静電チャック。
- 前記冷却パイプラインと前記加熱体の間の垂直距離は、2mmから30mmまでの範囲である、請求項1に記載の静電チャック。
- 前記冷却パイプラインと前記加熱体の間の前記垂直距離は、5mmである、請求項9に記載の静電チャック。
- 請求項1から10のいずれか一項に記載の静電チャックを包含する反応チャンバ。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000299288A (ja) | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US6138745A (en) | 1997-09-26 | 2000-10-31 | Cvc Products, Inc. | Two-stage sealing system for thermally conductive chuck |
JP2001068538A (ja) | 1999-06-21 | 2001-03-16 | Tokyo Electron Ltd | 電極構造、載置台構造、プラズマ処理装置及び処理装置 |
JP2006165475A (ja) | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Nippon Dennetsu Co Ltd | 被処理基板の加熱冷却構造 |
JP2009512193A (ja) | 2005-10-06 | 2009-03-19 | ラム リサーチ コーポレーション | 半径方向の温度制御能力を有する静電チャック |
JP2010199107A (ja) | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置の基板支持台 |
JP2011529272A (ja) | 2008-07-23 | 2011-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 高温静電チャック |
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Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3297771B2 (ja) * | 1993-11-05 | 2002-07-02 | ソニー株式会社 | 半導体製造装置 |
JPH09213781A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びそれを用いた処理装置 |
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US9847240B2 (en) * | 2014-02-12 | 2017-12-19 | Axcelis Technologies, Inc. | Constant mass flow multi-level coolant path electrostatic chuck |
JP2016082216A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の温度制御機構、及び多層膜から窒化膜を選択的にエッチングする方法 |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6138745A (en) | 1997-09-26 | 2000-10-31 | Cvc Products, Inc. | Two-stage sealing system for thermally conductive chuck |
JP2000299288A (ja) | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2001068538A (ja) | 1999-06-21 | 2001-03-16 | Tokyo Electron Ltd | 電極構造、載置台構造、プラズマ処理装置及び処理装置 |
JP2006165475A (ja) | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Nippon Dennetsu Co Ltd | 被処理基板の加熱冷却構造 |
JP2009512193A (ja) | 2005-10-06 | 2009-03-19 | ラム リサーチ コーポレーション | 半径方向の温度制御能力を有する静電チャック |
JP2011529272A (ja) | 2008-07-23 | 2011-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 高温静電チャック |
JP2010199107A (ja) | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理装置の基板支持台 |
JP2014534614A (ja) | 2011-09-30 | 2014-12-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 温度制御付き静電チャック |
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