JP4994382B2 - 半径方向の温度制御能力を有する静電チャック - Google Patents
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Description
Claims (19)
- プラズマへの曝露時に基板の半径方向における温度プロファイルを制御するための静電チャックであって、
底面と上面とを有する支持部材であって、前記支持部材の前記上面は、前記基板を支持するよう構成されている、支持部材と、
前記支持部材の下側に、前記支持部材から離間した関係で配置されたベースプレートであって、内壁と外壁と底面とによってそれぞれ規定された複数の環状溝を備える、ベースプレートと、
前記ベースプレートの前記複数の環状溝内にそれぞれ配置された複数の断熱性の環状領域隔壁であって、前記複数の環状領域隔壁の各々は、前記支持部材の前記底面に密閉的に結合された上面と、前記環状領域隔壁が配置された前記環状溝の前記底面に密閉的に結合された底面とを有する、複数の環状領域隔壁と、
を備え、
前記ベースプレートおよび前記支持部材の間の離間した関係と、前記ベースプレートおよび前記支持部材の間に結合された前記複数の環状領域隔壁とによって、複数の独立制御可能なガス室が規定されている、静電チャック。 - 請求項1に記載の静電チャックであって、前記複数の環状領域隔壁の各々は、前記環状溝の前記内壁および前記環状溝の前記外壁のいずれにも接触することなく、それぞれの環状溝内に配置されている、静電チャック。
- 請求項1に記載の静電チャックであって、前記ベースプレートは、熱伝導率の材料から形成され、複数の冷却流路を備えることで、ヒートシンクとして機能する、静電チャック。
- 請求項1に記載の静電チャックであって、さらに、
前記複数の独立制御可能なガス室内に前記支持部材の前記底面に接触するようにそれぞれ配置された複数の薄膜ヒータを備える、静電チャック。 - 請求項4に記載の静電チャックであって、前記複数の薄膜ヒータの各々と、前記環状溝の内の1または複数を境界とする前記ベースプレートの一部との間に、ギャップが存在し、前記ギャップの垂直方向の幅は、0.001インチ(0.00254cm)のプラスマイナス10%から0.003インチ(0.00762cm)のプラスマイナス10%の範囲内である、静電チャック。
- 請求項4に記載の静電チャックであって、前記複数の薄膜ヒータの各々は、閉ループフィードバックと所定の処理レシピとのいずれかに基づいて独立制御されるよう構成されている、静電チャック。
- 請求項1に記載の静電チャックであって、さらに、
前記複数の独立制御可能なガス室のそれぞれに対して流体的に連絡するように前記ベースプレート内に設けられた複数のガス導管を備える、静電チャック。 - プラズマへの曝露時に基板の半径方向における温度プロファイルを制御するための静電チャックであって、
前記基板を支持するよう構成された上面を有する支持部材であって、前記支持部材は、平面領域と、複数の環状フィン構造とを有し、前記平面領域は、前記基板を支持するよう構成された前記上面と、底面との間に規定され、前記複数の環状フィン構造の各々は、前記平面領域の前記底面から垂直に伸びている、支持部材と、
前記支持部材の下側に、前記支持部材から離間した関係で配置されたベースプレートであって、内壁と外壁と底面とによってそれぞれ規定された複数の環状溝を備え、前記複数の環状溝の一部は、前記支持部材の前記複数の環状フィン構造を受け入れるよう構成されている、ベースプレートと、
前記複数の環状フィン構造を受け入れるよう構成されていない前記ベースプレートの前記複数の環状溝の一部内にそれぞれ配置された複数の断熱性の環状領域隔壁であって、前記複数の環状領域隔壁の各々は、前記支持部材の前記平面領域の前記底面に密閉的に結合された上面と、前記環状領域隔壁が配置された前記環状溝の前記底面に密閉的に結合された底面とを有する、複数の環状領域隔壁と、
を備え、
前記ベースプレートおよび前記支持部材の間の離間した関係と、前記ベースプレートおよび前記支持部材の間に結合された前記複数の環状領域隔壁とによって、複数の独立制御可能なガス室が規定されている、静電チャック。 - 請求項8に記載の静電チャックであって、前記複数の環状領域隔壁の各々は、前記環状溝の前記内壁および前記外壁のいずれにも接触することなく、それぞれの環状溝内に配置され、前記複数の環状フィン構造の各々は、前記環状溝の前記内壁、前記外壁、および前記底面のいずれにも接触することなく、それぞれの環状溝内に受け入れられている、静電チャック。
- 請求項8に記載の静電チャックであって、前記ベースプレートは、熱伝導性の材料から形成され、複数の冷却流路を備えることで、ヒートシンクとして機能する、静電チャック。
- 請求項8に記載の静電チャックであって、さらに、
隣接する前記環状フィン構造の間において前記支持部材の前記平面領域の前記底面に接触するように前記複数の独立制御可能なガス室内にそれぞれ配置された複数の薄膜ヒータを備え、前記複数の薄膜ヒータの各々は、前記ベースプレートと接触しないように規定されている、静電チャック。 - 請求項11に記載の静電チャックであって、前記複数の薄膜ヒータの各々は、閉ループフィードバックと所定の処理レシピとのいずれかに基づいて独立制御されるよう構成されている、静電チャック。
- 請求項8に記載の静電チャックであって、前記複数の環状フィン構造の各々は、内面と外面と底面とによって規定され、前記ベースプレートと前記支持部材との間の離間した関係は、前記環状溝の前記内壁と、前記環状溝によって受け入れられた前記環状フィン構造の前記内面との間の第1のギャップを形成し、前記ベースプレートと前記支持部材との間の前記離間した関係は、前記環状溝の前記外壁と、前記環状溝によって受け入れられた前記環状フィン構造の前記外面との間の第2のギャップを形成し、前記第1および第2のギャップの各々は、0.001インチ(0.00254cm)のプラスマイナス10%から0.003インチ(0.00762cm)のプラスマイナス10%の範囲内の幅を有する、静電チャック。
- 請求項8に記載の静電チャックであって、さらに、
前記複数の独立制御可能なガス室に対してそれぞれ流体的に連絡するように前記ベースプレート内に設けられた複数のガス導管を備える、静電チャック。 - プラズマへの曝露時に基板の半径方向における温度プロファイルを制御するためのシステムであって、
複数の独立制御可能なガス室を備えるよう構成された静電チャックであって、前記基板を支持するよう構成された上面を有する支持部材を備え、前記支持部材の下側に、前記支持部材から離間した関係で配置されたベースプレートをさらに備える静電チャックと、前記複数の独立制御可能なガス室は、前記ベースプレートと前記支持部材との間において前記基板を支持する前記静電チャックの上面に対して半径方向の配列で規定され、前記複数の独立制御可能なガス室の内の隣接するガス室は、前記支持部材および前記ベースプレートの両方に密閉的に結合された環状断熱性隔壁によって、互いに分離されていることと、
前記複数の独立制御可能なガス室の各々と流体的に連絡するガス供給システムであって、前記ガス供給システムは、前記複数の独立制御可能なガス室の各々におけるガス圧力を調節するよう構成されており、特定の独立制御可能なガス室内の前記ガス圧力は、前記特定の独立制御可能なガス室を通しての熱伝導率に影響する、ガス供給システムと、
前記複数の独立制御可能なガス室の各々におけるガス圧力を監視すると共に、前記静電チャックによって支持される前記基板にわたって所定の半径方向温度プロファイルを維持するように、前記監視されたガス圧力に応じて、前記ガス供給システムを制御するよう構成された計算プラットフォームと、を備える、システム。 - 請求項15に記載のシステムであって、さらに、
前記独立制御可能なガス室内にそれぞれ配置された複数の発熱源を備え、前記複数の発熱源の各々は、閉ループフィードバックと所定の処理レシピとのいずれかに基づいて独立制御されるよう構成されている、システム。 - 請求項15に記載のシステムであって、前記環状断熱性隔壁の各々は、前記ベースプレート内に規定されたそれぞれの環状溝を通して垂直に伸びており、前記それぞれの環状溝は、前記環状断熱性隔壁の内面および外面が前記環状溝内で前記ベースプレートに接触しないように、前記環状の断熱性隔壁よりも広い、システム。
- 請求項15に記載のシステムであって、前記ベースプレートと前記支持部材との間の前記複数の独立制御可能なガス室の各々内での最短の熱伝導ギャップは、0.001インチ(0.00254cm)のプラスマイナス10%から0.003インチ(0.00762cm)のプラスマイナス10%の範囲に維持される、システム。
- 請求項16に記載のシステムであって、前記計算プラットフォームは、前記複数の独立制御可能なガス室の内の1または複数における温度を監視すると共に、前記静電チャックによって支持される前記基板にわたって、所定の半径方向の温度プロファイルを維持するように、前記1または複数の監視された温度に応じて、前記発熱源を制御するよう構成されている、システム。
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