JP7266555B2 - アライメント方法および蒸着方法 - Google Patents
アライメント方法および蒸着方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7266555B2 JP7266555B2 JP2020103964A JP2020103964A JP7266555B2 JP 7266555 B2 JP7266555 B2 JP 7266555B2 JP 2020103964 A JP2020103964 A JP 2020103964A JP 2020103964 A JP2020103964 A JP 2020103964A JP 7266555 B2 JP7266555 B2 JP 7266555B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- alignment
- moving
- actuator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
アライメントの対象とする物体としてマスクと基板を例に図1及び図2により、本発明についての概略を説明する。またここでは、蒸発源から蒸発した材料を、マスクを介して基板上に成膜する成膜装置を例に説明をする。成膜装置に備えられた蒸着室には基板を支持する支持機構(不図示)とマスクを支持する支持機構(不図示)と、支持機構を移動制御するアクチュエータ(不図示)を備えたアライメント機構が配置されている。また基板に成膜するための蒸発源なども備えられている。
本例は、基板100とマスク200が離隔後のマスクの移動距離を750μmに変更する例である。それ以外に構成例1との変更点はない。この例では2回目の移動後に測定した基板100とマスク200のずれ量は750μmになる。ずれ量がアクチュエータによる物体の可動範囲内となる。その後基板100とマスク200のアライメントを実施することができる。
本例は、基板100とマスク200が離隔後の、マスクの2回目の移動距離を1000μmに変更する例である。それ以外に構成例1との変更点はない。2回目の移動後に測定される基板100とマスク200のずれ量は500μmになるので、基板100とマスク200のアライメントを実施することができる。
本例は、基板100とマスク200とを離隔した後の2回目のマスクの移動距離を1000μmとし、移動方向を構成例1の移動方向(X軸の負方向)から20°ずれた方向に変更する例である。それ以外に構成例1との変更点はない。2回目の移動後に測定される基板100とマスク200のずれ量は約600μmになる。その後、基板100とマスク200のアライメントを実施する。
本構成例について図5、6を用いて説明する。この例も説明を簡単にするために基板100とマスク200とが水平方向でX軸に沿ってずれているものとする。この例では構成例1と同様にアクチュエータはマスク200を移動するように構成されており、アクチュエータにより移動されるマスク200の水平方向の可動範囲は構成例1と同様に1000μmとする。
構成例1及び構成例2では、水平方向の移動はマスク200を移動させるアクチュエータを用いて行ったが、どちらの物体をアクチュエータで動かしてプレアライメントを行ってもよい。基板100をアクチュエータで移動させる例について図7により説明する。この例では基板100がマスク200に載置された状態での水平方向の移動工程(図7(C))は、基板100を移動するためのアクチュエータ(不図示)で行う。この例では、基板100とマスク200の離隔後の水平方向の移動工程(図7(E))も基板を移動させるアクチュエータにより基板100を移動させて行う。
基板は、例えば半導体ウエハもしくはガラスである。例えば有機電界発光ディスプレイ装置を製造するときの蒸着工程においては、蒸発源から蒸発した有機材料を、マスク200を介して基板100に製膜する。蒸着室には基板を支持する機構とマスクを支持する機構と各々の支持機構をアクチュエータにより移動制御するアライメント機構と蒸発源が設けられている。基板100とマスク200とのアライメントに上記構成例1~3に係るアライメント工程を行う。基板100とマスク200をアライメントした後に、蒸着装置において基板上に蒸発源から蒸発した材料を、マスクを介して成膜する。
Claims (11)
- 第1物体に設けられた第1マークの位置と第2物体に設けられた第2マークの位置を検出する検出工程と、
前記第1マークの位置と前記第2マークの位置との相対位置を計測する計測工程と、
アクチュエータを使用して前記第1物体を移動させる移動工程と、を含み、
前記移動工程は、前記アクチュエータにより移動される前記第1物体の可動範囲と前記相対位置とを比較する比較工程と、前記比較工程により前記相対位置が、前記アクチュエータによる前記可動範囲を越えると判断された場合に、前記アクチュエータを使用して前記第1物体を前記第2物体と共に移動させる第1移動工程と、前記アクチュエータを使用して前記第1物体を前記第2物体と離隔して移動させる第2移動工程と、を含み、
前記第1移動工程において前記第1物体と前記第2物体とを共に移動させる第1移動方向は、前記第2物体の前記第1物体に対する前記相対位置の方向と略逆方向とすることを特徴とするアライメント方法。 - 前記第1移動工程および前記第2移動工程では、それぞれ前記第1物体をあらかじめ決められた量だけ移動することを特徴とする請求項1に記載のアライメント方法。
- 前記第1移動方向と、前記第2移動工程において前記第1物体を移動させる第2移動方向とのなす角度は90度より大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載のアライメント方法。
- 前記第1移動工程は前記第2移動工程の前に行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のアライメント方法。
- 前記第1移動工程は前記第2移動工程の後に行うことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のアライメント方法。
- 前記検出工程はカメラによる撮影に基づいて行われることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のアライメント方法。
- 前記検出工程、前記計測工程、前記移動工程を繰り返し行うことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のアライメント方法。
- 前記第1物体はマスクであり、前記第2物体は基板であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のアライメント方法。
- 前記第1物体は基板であり、前記第2物体はマスクであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のアライメント方法。
- 前記基板が半導体ウエハまたはガラスであることを特徴とする請求項8又は9に記載のアライメント方法。
- 請求項8乃至10のいずれか1項に記載のアライメント方法により前記基板と前記マスクとのアライメントを行う工程と、
前記アライメントの後に前記基板に蒸着を行う工程と、を含むことを特徴とする蒸着方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020103964A JP7266555B2 (ja) | 2020-06-16 | 2020-06-16 | アライメント方法および蒸着方法 |
KR1020210063893A KR20210155753A (ko) | 2020-06-16 | 2021-05-18 | 얼라인먼트 방법 및 증착 방법 |
CN202110664969.9A CN113802091A (zh) | 2020-06-16 | 2021-06-16 | 对准方法和蒸镀方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020103964A JP7266555B2 (ja) | 2020-06-16 | 2020-06-16 | アライメント方法および蒸着方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021195601A JP2021195601A (ja) | 2021-12-27 |
JP7266555B2 true JP7266555B2 (ja) | 2023-04-28 |
Family
ID=78942454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020103964A Active JP7266555B2 (ja) | 2020-06-16 | 2020-06-16 | アライメント方法および蒸着方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7266555B2 (ja) |
KR (1) | KR20210155753A (ja) |
CN (1) | CN113802091A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006112933A (ja) | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | アライメントマーク検査方法およびプログラム |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0943861A (ja) * | 1995-08-02 | 1997-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 対向プレートの位置合わせ方法と位置合わせ装置 |
JPH1116806A (ja) * | 1997-06-20 | 1999-01-22 | Toshiba Corp | プリアライメントサーチを含む位置合わせ方法 |
ATE437248T1 (de) * | 2005-04-20 | 2009-08-15 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Verfahren und vorrichtung zur maskenpositionierung |
JP2012092397A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Canon Inc | アライメント方法、アライメント装置、有機el表示装置の製造方法及び製造装置 |
CN103695846A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种真空镀膜装置及方法 |
CN103866238A (zh) * | 2014-03-07 | 2014-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种真空蒸镀装置 |
KR20200049034A (ko) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 얼라인먼트 시스템, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
-
2020
- 2020-06-16 JP JP2020103964A patent/JP7266555B2/ja active Active
-
2021
- 2021-05-18 KR KR1020210063893A patent/KR20210155753A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-06-16 CN CN202110664969.9A patent/CN113802091A/zh active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006112933A (ja) | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | アライメントマーク検査方法およびプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210155753A (ko) | 2021-12-23 |
CN113802091A (zh) | 2021-12-17 |
JP2021195601A (ja) | 2021-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101739672B1 (ko) | 얼라이먼트 장치 및 얼라이먼트 방법 | |
KR102331829B1 (ko) | 도포 장치 및 도포 방법 | |
CN107587103B (zh) | 对准标记的检测方法、对准方法及蒸镀方法 | |
JP6927475B2 (ja) | ボンディング位置合わせのためのデバイスおよび方法 | |
KR20120097995A (ko) | 기판 정렬 방법 및 그를 이용한 증착 시스템 | |
JP2020183546A (ja) | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法および電子デバイスの製造方法 | |
JPH06342747A (ja) | 半導体製造方法 | |
US10120294B2 (en) | Lithography apparatus and article manufacturing method | |
JP7266555B2 (ja) | アライメント方法および蒸着方法 | |
JP2005101455A (ja) | 位置決め装置 | |
KR102508236B1 (ko) | 마크 검출 장치, 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 마크 검출 방법, 및, 성막 방법 | |
JP2000012455A (ja) | 荷電粒子線転写露光装置及び荷電粒子線転写露光装置におけるマスクと感応基板の位置合わせ方法 | |
KR102375197B1 (ko) | 노광 장치 및 노광 방법 | |
US10522794B2 (en) | Method of active alignment for direct patterning high resolution micro-display | |
US7782441B2 (en) | Alignment method and apparatus of mask pattern | |
JP7428684B2 (ja) | アライメント装置 | |
US10036967B2 (en) | Lithography apparatus, lithography method, and article manufacturing method | |
JP2014160780A (ja) | 露光装置および物品の製造方法 | |
JP7472095B2 (ja) | 動作設定装置、動作設定方法及び電子デバイスの製造方法 | |
JPH10177942A (ja) | 露光装置および露光装置における感光基板の受け渡し方法 | |
WO2023210096A1 (ja) | 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 | |
US20220223451A1 (en) | Systems and methods for transferring devices or patterns to a substrate | |
KR20040016067A (ko) | 감광막 노광 방법 및 이를 이용한 노광 설비 | |
JP2013205678A (ja) | プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の基板位置決め方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
CN115831840A (zh) | 对准装置、对准方法、成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20210103 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210113 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210625 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230320 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230418 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7266555 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |