JP7266344B1 - 剥離装置及び剥離方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表面に傷がつくのを防止して、複合基板を剥離及び分離させる剥離装置及び剥離方法を提供する。【解決手段】複合基板Ｗを境界部において剥離して、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２とに分離する剥離装置２００であって、開口モジュール３０と、分離モジュール４０と、を具備しており、前記分離モジュール４０は、一端側が開口された前記複合基板Ｗの両側方から第２方向に向けて前記境界部に食い込み、前記複合基板Ｗを固定された前記第１の基板Ｗ１と、前記第２の基板Ｗ２と、に分離する一対の第２くさび４４を有することを要件とする。【選択図】図２

Description

本発明は、複合基板の剥離装置及び剥離方法に関し、さらに具体的には、複合基板を境界部において剥離して２つの基板に分離する剥離装置及び剥離方法に関する。

半導体素子用の基板の１つとして、窒化ガリウム（ＧａＮ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）等からなり、上側の基板と下側の基板とに分離可能な複合基板が知られている。特許文献１（特開２０２１－１７０５９４号公報）には、上部にエピタキシャル膜が形成された窒化ガリウムウェハにおいて、所定の深さのウェハ用変質層を境界として、下側の基板から上側の基板を剥離及び分離する方法が開示されている。なお、特許文献１に開示される当該方法では、エピタキシャル膜上のチップ形成領域には素子構成部分も形成される。当該方法について略述すると次の通りである。

先ず、バルクウェハ状の窒化ガリウムウェハを用意する。続いて、当該ウェハの一面にエピタキシャル膜を形成する。続いて、一般的な半導体プロセスによって、エピタキシャル膜上のチップ構成領域に素子構成部分を形成する。続いて、レーザ光によって、各チップ構成領域に分割可能なウェハ用変質層と、所定の深さにおいて下側の基板と上側の基板とに分離可能なウェハ用変質層を形成する。そして、下側の基板を補助部材で固定して、上側の基板の素子構成部分に保持部材を付着させて、当該保持部材を引上げることによって、下側の基板から上側の基板を剥離及び分離させている。

なお、特許文献２（特開２００９－２１４４８５号公報）によれば、複合基板を剥離するために、当該複合基板の隙間に高圧エアを流入させている。また、特許文献３（２０１４－１１０３８７号公報）では、複合基板の境界部に鋭利部材を挿入して開口させて、複数の吸着パッドによって開口部側から順次吸着することによって一方の基板を徐々に引上げる（引剥がす）方法が開示されている。

特開２０２１－１７０５９４号公報 特開２００９－２１４４８５号公報 特開２０１４－１１０３８７号公報

しかしながら、特許文献１及び特許文献３に開示される方法では、引上げのみによって複合基板の剥離及び分離をすると、吸着等による振動によって基板同士が擦れ合ってしまい、基板の表面を傷つけてしまうという課題があった。また、特許文献２に開示される方法では、剥離時に発生する複合基板の微細な破片が、高圧エア流入時に当該複合基板の表面を傷つけてしまうという課題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされ、複合基板を境界部において剥離して２つの基板（第１の基板と第２の基板）に分離する剥離装置及び剥離方法であって、複合基板を無理なく、第１の基板及び第２の基板の表面に傷を生じさせることなく分離することができる剥離装置及び剥離方法を提供することを目的とする。

本発明は、一実施形態として以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。

複合基板を境界部において剥離して、第１の基板と第２の基板とに分離する剥離装置であって、開口モジュールと、分離モジュールと、を具備しており、前記開口モジュールは、前記第２の基板において前記第１の基板に対向する第１表面を押上げて、前記複合基板の一端側を開口する押上げ部材、及び、前記第２の基板において前記第１の基板と反対側の第２表面を引上げて、前記複合基板の一端側を開口する引上げ部材のうち少なくとも一方を有しており、前記分離モジュールは、前記複合基板の前記一端側から前記一端側とは反対側の他端側の方向である第１方向から開口された前記複合基板の両側方から、前記第２基板に平行な面内で前記第１方向と直交する第２方向に向けて前記境界部に食い込み、前記複合基板を固定された前記第１の基板と、前記第２の基板と、に分離する一対の第２くさびを有しており、各前記第２くさびは、前記第２方向に向けて突出するくさび片を有しており、前記くさび片は、基部と傾斜部とを有しており、前記基部は、一定の厚さに形成されており、前記傾斜部は、前記第２方向に向けて２°～３５°の角度で徐々に薄くなるように傾斜形状に形成されており、且つ前記第１方向に向けて徐々に幅狭となる形状に形成されていることを要件とする。

これによれば、押上げ部材及び引上げ部材のうち少なくとも一方により、複合基板の一端を開口して、それ以降の剥離及び分離において、複合基板の両側方から第２くさびを進入させることによって、従来の剥離装置と比べて、剥離時に複合基板が損傷するのを防止することができる。

また、複合基板の剥離方法であって、第２の基板において第１の基板に対向する第１表面を押上げて、前記複合基板の一端側を開口する工程、及び、第２の基板において第１の基板と反対側の第２表面を引上げて、前記複合基板の一端側を開口する工程のうち少なくとも一方を有する第１剥離工程と、次いで、前記複合基板の両側方から第２方向に向けて前記複合基板の境界部に一対の第２くさびを食い込ませて、前記複合基板を前記第１の基板と前記第２の基板とに分離する第２剥離工程と、を具備することを要件とする。

これによれば、押上げ及び引上げのうち少なくとも一方を有する第１剥離工程により、複合基板の一端を開口して、それ以降の剥離及び分離において、複合基板の両側方から第２くさびを進入させる第２剥離工程により、従来の剥離装置と比べて、剥離時に複合基板が損傷するのを防止することができる。

前記第２剥離工程の次工程として、前記第２くさびの一定の厚さを有する基部に前記第２の基板を載置することによって、前記第２の基板を水平状態に整列する整列工程を具備していてもよい。

一端が開口された状態の複合基板の両側方から第２くさびを進入させることによって、従来の剥離装置及び剥離方法と比べて、剥離時に複合基板が損傷するのを防止することができる。

本発明の実施形態に係る剥離装置全体の平面図（略図）である。 図２Ａは、図１の剥離装置の開口モジュール及び分離モジュール（一部）の側面図であり、図２Ｂは、図１の剥離装置の開口モジュール及び分離モジュール（一部）の斜視図である。 図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図（略図）である。 図４Ａは、図１の分離モジュールの側面図であり、図４Ｂは、図１の分離モジュールの他の側面図であり、図４Ｃは、図１の分離モジュールの上部斜視図であり、図４Ｄは、図１の分離モジュールの他の上部斜視図であり、図４Ｅは、図１の分離モジュールの下部斜視図である。 本発明の実施形態に係る制御部のブロック図である。 図６Ａは、図３の第２くさびの正面の拡大図であり、図６Ｂは、図３の第２くさびの斜視の拡大図であり、図６Ｃは、図３の第２くさびの他の斜視の拡大図である。 図７Ａは、図３のロータリーチャックの上部斜視図であり、図７Ｂは、図３のロータリーチャックの他の上部斜視図であり、図７Ｃは、図３のロータリーチャックの下部斜視図である。 本発明の実施形態に係る仮置台の上部斜視図である。 図９Ａは、本発明の第１実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（平面図）であり、図９Ｂは、本発明の第１実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（側面図）である。 図１０Ａは、本発明の第２実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（平面図）であり、図１０Ｂは、本発明の第２実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（側面図）である。 図１１Ａは、本発明の第３実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（平面図）であり、図１１Ｂは、本発明の第３実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（側面図）である。 図１２Ａは、本発明の第４実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（平面図）であり、図１２Ｂは、本発明の第４実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（側面図）である。 図１３Ａは、本発明の第５実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（平面図）であり、図１３Ｂは、本発明の第５実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（側面図）である。 図１４Ａは、本発明の第６実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（平面図）であり、図１４Ｂは、本発明の第６実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（側面図）である。 図１５Ａは、本発明の第７実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（平面図）であり、図１５Ｂは、本発明の第７実施形態に係る開口モジュールを示す説明図（側面図）である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について詳しく説明する。図１は本発明の実施形態に係る剥離装置２００の平面図（略図）である。図２Ａは、図１の剥離装置２００の開口モジュール３０及び分離モジュール４０（一部）の側面図であり、図２Ｂは、図１の剥離装置２００の開口モジュール３０及び分離モジュール４０（一部）の斜視図である。特に、図２は、第１実施形態において、複合基板Ｗが剥離されて、且つ分離されていない状態の、開口モジュール３０及び分離モジュール４０（一部）の配置の場合を示している。図３は、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図であり、分離モジュール４０、ロータリーチャック６１、及び仮置台６９を示した断面図（略図）である。図４Ａは、図１の分離モジュール４０の側面図であり、図４Ｂは、図１の分離モジュール４０の他の側面図であり、図４Ｃは、図１の分離モジュール４０の上部斜視図であり、図４Ｄは、図１の分離モジュール４０の他の上部斜視図であり、図４Ｅは、図１の分離モジュール４０の下部斜視図である。図５は、本発明の実施形態に係る制御部１０２のブロック図である。図６Ａは、図２の第２くさび４４の正面の拡大図であり、図６Ｂは、図２の第２くさび４４の斜視の拡大図であり、図６Ｃは、図２の第２くさび４４の他の斜視の拡大図である。図７Ａは、図３のロータリーチャック６１の上部斜視図であり、図７Ｂは、図３のロータリーチャック６１の他の上部斜視図であり、図７Ｃは、図３のロータリーチャック６１の下部斜視図である。図８は、本発明の実施形態に係る仮置台６９、７０の上部斜視図である。図５以外の各図において、Ｘ、Ｙ、Ｚ各方向を図示している。なお、各実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

（第１実施形態）
（剥離装置）
先ず、本実施形態に係る剥離装置２００の全体構成について説明する。図１及び図３に示すように、剥離装置２００は、複合基板Ｗが収納された基板載置部１０、先端部に開口モジュール３０が設けられた第１ロボットハンド２０、分離モジュール４０、ロータリーチャック６１、仮置台６９、７０、エアブロー機構８０、第２ロボットハンド９０、及びカセット１００を備えている。複合基板Ｗは、第１ロボットハンド２０によって、基板載置部１０から分離モジュール４０内へ搬送される際に、複合基板Ｗの一端が開口される（すなわち、剥離される）構成である。次に、一端が開口された複合基板Ｗは、分離モジュール４０内で第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２とに剥離及び分離される構成である。次に、第１の基板Ｗ１は、第１ロボットハンド２０によって、仮置台７０に移載される構成である。次に、第１の基板Ｗ１又は第２の基板Ｗ２を保持しない状態で、開口モジュール３０は、第１ロボットハンド２０によってエアブロー機構８０まで搬送されて、開口モジュール３０及び第１ロボットハンド２０に付着した微細な破片が捕集される構成である。また、第２の基板Ｗ２は、ロータリーチャック６１に保持されて製品面を鉛直上向きにするため上下反転されて、仮置台６９への仮置きを経て、第２ロボットハンド９０によってカセット１００まで搬送される構成である。さらに、仮置台７０上の第１の基板Ｗ１も、第２の基板Ｗ２と同様に、第２ロボットハンド９０によって、カセット１００に搬送される構成である。なお、第１の基板Ｗ１又は第２の基板Ｗ２も第１ロボットハンド２０によってエアブロー機構８０に搬送されて、微細な破片が捕集される構成としてもよい。

また、本実施形態に係る複合基板Ｗは、一例として、窒化ガリウム（ＧａＮ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）等による化合物基板である。より具体的には、窒化ガリウム基板の一面にエピタキシャル膜が形成されており、一例としてレーザ光によって、所定の深さ位置に境界部が形成されている。分離された基板同士の位置関係を明確にするために、一例として、第１の基板Ｗ１を下側の基板Ｗ１、第２の基板Ｗ２を上側の基板Ｗ２とする。また、第２の基板Ｗ２において第１の基板Ｗ１と対向する面を第１表面とし、第１表面の裏面を第２表面とする。なお、境界部の所定の深さは特に限定されるものではなく、上側の基板Ｗ２は、エピタキシャル膜のみによって形成された基板であってもよく、エピタキシャル膜及び窒化ガリウムによって形成された基板であってもよい。また、複合基板Ｗは、直径が数十ｍｍ～数百ｍｍ程度であり、一例として、φ１５０ｍｍの円板状の基板である。さらに、複合基板Ｗには、所定の箇所にオリエンテーションフラットを有していてもよい。

本実施形態に係る基板載置部１０は、複数の複合基板Ｗが垂直載置されて、並列されている。また、基板載置部１０は、一例として、Ｙ軸方向に向けて徐々に高さが低くなるように傾斜している構成である。基板載置部１０には、一例としてカセットを用いてもよい。

次に、本実施形態に係る第１ロボットハンド２０は、先端部に開口モジュール３０が設けられた公知の第１ロボットハンド２０である。第１ロボットハンド２０は、一例として、垂直多関節型ロボット（６軸）である。第１ロボットハンド２０によって、基板載置部１０に垂直に載置された複合基板Ｗを垂直に引き上げて、分離モジュール４０、仮置台６９、エアブロー機構８０の各部まで搬送することができる。

次に、本実施形態に係る開口モジュール３０は、図２に示すように、載置台３６を有している。載置台３６には、押上げ部材３２及び二箇所の固定部３４が設けられており、複合基板Ｗを載置台３６上に載置して、押上げ部材３２及び固定部３４によって保持することができる。なお、本実施形態に係る載置台３６への載置とは、複合基板Ｗが水平状態の載置のみならず、複合基板Ｗ及び載置台３６が傾斜した状態及び鉛直状態での載置も含むものである。

また、本実施形態に係る押上げ部材３２は、一例として、第１くさび３２である。第１くさび３２は、図２及び図９に示すように、複合基板Ｗの境界部に食い込めるように、側面視で複合基板Ｗに対向する鋭利部材である。また、第１くさび３２は、スライド部３８が連結されており、スライド機構（不図示。一例として、エアスライド）によって、複合基板Ｗ側を向く方向（Ｘ軸方向であり、以降、「第１方向」と称する場合がある。）に向けてスライド駆動される構成である。より具体的には、第１くさび３２は、複合基板Ｗを保持しない初期状態から、複合基板Ｗを保持する位置までスライド駆動されて、複合基板Ｗを剥離及び分離するために、第１方向に向けてさらにスライド駆動される構成である。第１くさび３２によって、第２の基板Ｗ２の第１表面を押上げて、第１の基板Ｗ１から第２の基板Ｗ２を剥離することができる。すなわち、複合基板Ｗの一端を開口することができる。なお、第１くさび３２は、複合基板Ｗに接触するため、摩擦係数の低い部材を用いることが好ましい。一例として、テフロン（登録商標）、ポリアセタール、ＰＥＥＫ、ＰＰＳ、セラミック等が挙げられる。

次に、固定部３４は、図２Ｂに示すように、載置台３６の二箇所に設けられており、複合基板Ｗに点又は線で当接することで保持する構成である。また、第１くさび３２がスライド駆動されるのに対して、固定部３４の位置は不変である。一例として、一方の固定部３４の側面は、複合基板Ｗの円周に沿った形状に形成されており、他方の固定部３４は複合基板Ｗのオリエンテーションフラットに沿った形状に形成されている。固定部３４は、複合基板Ｗに接触するため、摩擦係数の低い部材を用いることが好ましい。一例として、テフロン（登録商標）、ポリアセタール、ＰＥＥＫ、ＰＰＳ、セラミック等が挙げられる。固定部３４によって、複合基板Ｗを開口モジュール３０の正確な位置に載置することができる。

次に、本実施形態に係る分離モジュール４０について説明する。分離モジュール４０は、図３及び図４に示すように、第２くさび４４と、防塵天板５０と、防塵天板５０の下部に設けられた吸着機構５１と、防塵天板５０の下部に設けられた可動ストッパ５３と、防塵天板５０の所定の各位置に設けられた各センサ５５～６０と、を備えている。また、分離モジュール４０の下方には、ロータリーチャック６１と、仮置台６９と、が順に設けられている。さらに、防塵天板５０の下方であって、一対の第２くさび４４と、吸着機構５１とによって囲まれた位置には、複合基板Ｗが固定及び載置された開口モジュール３０が搬入されるための所定の空間が存在している。また、図２は、第１ロボットハンド２０によって複合基板Ｗが分離モジュール４０の枠体４１内の所定の空間まで搬送されて、押上げ部材（第１くさび）３２によって、第１の基板Ｗ１から第２の基板Ｗ２を剥離した状態を示している。なお、図２において、説明の都合上、第２くさび４４は、片側にのみ図示しているが、実際には、複合基板Ｗの両側方に配置されている構成である。また、防塵天板５０、吸着機構５１、各センサ５５～６０、ロータリーチャック６１等の図示を省略している。第２くさび４４は、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間に進入（食い込み）する際に、第１の基板Ｗ１には接触しない高さに配置されている。換言すると、第１ロボットハンド２０は、第１の基板Ｗ１が第２くさび４４と接触しない高さまで開口モジュール３０を搬送する。

本実施形態に係る分離モジュール４０には、第１センサ５５、第２センサ５６、第３センサ５７、第４センサ５８、第５センサ５９、及び第６センサ６０が設けられている。各センサ５５～６０は、単独では、開口モジュール３０の各位置までの距離を、一例として、レーザ光によって測定する構成である。また、複数の各センサ５５～６０の測定値を組み合わせることによって、開口モジュール３０の姿勢（各軸に対する回転角ロール、ピッチ、ヨー）を測定することができる。さらに、各センサ５５～６０は、それぞれ制御部１０２に接続されている（ただし、説明の都合上、図３においては、第１センサ５５のみ図示している）。具体的には、第１センサ５５によって、開口モジュール３０の先端側（可動ストッパ５３側）までの距離（Ｘ軸方向距離）を測定することができる。第２センサ５６及び第３センサ５７によって、開口モジュール３０の側面（第２くさび４４側）までの距離（Ｙ軸方向距離）を測定することができる。第４センサ５８、第５センサ５９、及び第６センサ６０によって、開口モジュール３０の載置台３６までの距離（Ｚ軸方向距離）を測定することができる。なお、各センサ５５～６０が距離を測定する開口モジュール３０の各位置は、これらに限定されるものではない。

各測定値は、図５に示すように、制御部１０２の入力部１０３に入力される。次に、演算部１０６のうち回転演算部１０７は、第２センサ５６の測定値と第３センサ５７の測定値とに基づいて、開口モジュール３０のＺ軸方向周りの回転角（ヨー）を演算する。また、回転演算部１０７は、第４センサ５８の測定値と第５センサ５９の測定値とに基づいて、開口モジュール３０のＹ軸方向周りの回転角（ピッチ）を演算する。さらに、回転演算部１０７は、第５センサ５９の測定値と第６センサ６０の測定値に基づいて、Ｘ軸方向周りの回転角（ロール）を演算する。

記憶部１０５には、各測定値、各演算値に対する閾値ＸＴＳ、ＹＴＳ、ＺＴＳ、ＲＴＳ、ＰＴＳ、ＹＷＴＳが記憶されている。判断部１０８は、各測定値及び各演算値と、各閾値ＸＹＳ、ＹＴＳ、ＺＴＳ、ＲＴＳ、ＰＴＳ、ＹＷＴＳと、を比較して、当該閾値を超えた測定値又は演算値がある場合には、第２くさび制御部１０９は、出力部１０４から後述するスライド駆動部４８を停止させる信号を出力する構成である。

演算部１０６は、各測定値及び各演算値が、各閾値を超えた場合に、第１ロボットハンド２０の姿勢をフィードバック制御する第１ロボットハンド制御部（不図示）を備えていてもよい。

また、各センサ５５～６０は、開口モジュール３０までの各距離を測定する代わりに、複合基板（すなわち、第１の基板Ｗ１、第２の基板Ｗ２）Ｗまでの距離を直接測定して、回転演算部１０７は、複合基板Ｗの各回転を演算する構成としてもよい。

なお、制御部１０２は、ＣＰＵ及びメモリから構成され、予め設定された動作プログラム及び操作部から入力される設定信号に基づいて動作する。また、演算部１０６（回転演算部１０７、判断部１０８、第２くさび制御部１０９）はＣＰＵに相当し、記憶部１０５はメモリに相当する。

本実施形態に係る一対の第２くさび４４は、吸着機構５１を間に挟むようにしてＺ軸方向に向けて延在するスライド部４２を介して、防塵天板５０上部に設けられたスライド駆動部（一例として、エアシリンダ）４８の各ロッド４８ａに連結されている。スライド駆動部４８によって、各ロッド４８ａが直線往復駆動されることによって、スライド部４２及び第２くさび４４は、Ｙ軸方向に直線往復駆動される。すなわち、第２の基板Ｗ２が第１の基板Ｗ１から剥離（すなわち、複合基板Ｗの一端が開口）された後に、第２くさび４４は、複合基板Ｗの両側方から、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間に第１方向と直交する方向（Ｙ軸方向であり、以降「第２方向」と称する場合がある）に向けて進入（食い込み）する構成である。

なお、図４において、一のスライド部４２は、防塵天板５０の貫通孔に貫入されており、他のスライド部４２は、防塵天板５０を外側から囲むようにして設けられているが、これに限定されるものではない。

また、スライド駆動部４８は、エアシリンダ以外に、ねじ駆動やラック＆ピニオンにより構成されていてもよい。また、スライド駆動部４８は、一対の第２くさび４４に対して、一つ（共通）としているが、各第２くさび４４に対して設けられていてもよい。

また、本実施形態に係る分離モジュール４０の下側には、可動ストッパ５３が設けられている。可動ストッパ５３は、防塵天板５０の上部に設けられたスライド駆動部５４に連結されており、第１方向に向けて直線往復動可能に構成されている。また、可動ストッパ５３の当接部５３ａの側面は、一例として、複合基板Ｗの周形状と同形状である。さらに、当接部５３ａは、第２くさび４４が複合基板Ｗの両側方の隙間に進入（食い込み）する際に、複合基板Ｗの開口される側と反対側の一端に当接する。第１の基板Ｗ１から第２の基板Ｗ２が剥離及び分離される際に、各基板Ｗ１、Ｗ２が開口モジュール３０に対して、位置ズレするため、当接部５３ａは、各基板Ｗ１、Ｗ２と当接し、且つ位置ズレに連動して第１方向に直線往復駆動される構成である。これにより、第２の基板Ｗ２を第１の基板Ｗ１から徐々に剥離及び分離することができる。なお、可動ストッパ５３は、複合基板Ｗに接触するため、摩擦係数の低い部材を用いることが好ましい。一例として、テフロン（登録商標）、ポリアセタール、ＰＥＥＫ、ＰＰＳ、セラミック等が挙げられる。

次に、本実施形態に係る第２くさび４４について詳しく説明する。図６は、図２に示す第２くさび４４の拡大図である。図６Ｂ、図６Ｃに示すように、第２くさび４４は、第２方向に向けて突出するくさび片４５を有している。くさび片４５が第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間に進入（食い込み）することによって、第１の基板Ｗ１から第２の基板Ｗ２を徐々に分離することができる。

くさび片４５の寸法は特に限定されないが、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間への進入割合が小さいほど好ましく、一例として、突出長さ（Ｙ軸方向長さ）Ｄ１が５ｍｍ～５０ｍｍ程度であり、幅（Ｘ軸方向長さ）Ｄ２が３０ｍｍ～１００ｍｍ程度である。より好適には、突出長さＤ１が１０ｍｍ～１５ｍｍ程度であり、幅Ｄ２が４０ｍｍ～６０ｍｍ程度である。ただし、複合基板Ｗの直径はφ１５０ｍｍに限定されるものではない。

また、一例として、突出長さＤ１が複合基板Ｗの半径の５％～５０％程度であり、幅Ｄ２が複合基板Ｗの半径の３０％～１００％程度である。より好適には、突出長さＤ１が複合基板Ｗの半径の１０％～１５％程度であり、幅Ｄ２が複合基板Ｗの半径の４０％～６０％程度である。ただし、複合基板Ｗの直径はφ１５０ｍｍに限定されるものではない。

くさび片４５は、基部４７を有しており、基部４７は一定の厚さｄ３に形成されていてもよい。これによれば、第２の基板Ｗ２を第１の基板Ｗ１から完全に分離した際に、第２の基板Ｗ２を基部４７と平行に載置することができ、例えば、第２の基板Ｗ２を第１の基板Ｗ１に対して平行、又は地面に対して水平に分離することができる。すなわち、後述のように、分離後、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２とを別々に搬送する際に、各基板Ｗ１、Ｗ２同士が接触して、傷がつくのを防止することができる。

基部４７の寸法は特に限定されないが、第２の基板Ｗ２との接触面積が小さいほど好ましく、一例として、ｄ１が２０ｍｍ～８０ｍｍ程度であり、ｄ２が０．５ｍｍ～８ｍｍ程度であり、基部４７の厚さｄ３は、一例として、２ｍｍ～２０ｍｍ程度である。より好適には、ｄ１が３０ｍｍ～４０ｍｍ程度であり、ｄ２が１ｍｍ～２ｍｍ程度であり、基部４７の厚さｄ３が４ｍｍ～６ｍｍ程度である。ただし、複合基板Ｗの直径はφ１５０ｍｍに限定されるものではない。

また、一例として、ｄ１が複合基板Ｗの半径の２０％～８０％程度であり、ｄ２が複合基板Ｗの半径の０．５％～８％程度であり、基部の厚さｄ３が複合基板Ｗの半径の２％～２０％程度である。より好適には、ｄ１が複合基板Ｗの半径の３０％～４０％程度であり、ｄ２が複合基板Ｗの半径の１％～２％程度であり、ｄ３が複合基板Ｗの半径の４％～６％程度である。ただし、複合基板Ｗの直径はφ１５０ｍｍに限定されるものではない。

さらに、本実施形態に係る基部４７の周形状は、一例として、複合基板Ｗと同程度の形状の円弧形状（円弧面）であるが、直線形状（平面）や曲線形状（曲面）であってもよい。また、本実施形態に係る基部４７は、第２くさび４４のＸ軸方向における中心に位置しているが、一方側に偏った箇所に位置していてもよい。

また、くさび片４５は、傾斜部４６を有しており、傾斜部４６は、第２方向に向けて徐々に薄くなるように形成されていてもよい。これによれば、第２くさび４４が第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間に進入するにしたがって、第２の基板Ｗ２を第１の基板Ｗ１から離反させることができる。また、第２の基板Ｗ２は傾斜部４６に対して、点接触又は線接触となるため、第２の基板Ｗ２の剥離面（第１表面）に傷がつくのを防止することができる。

なお、傾斜部４６の傾斜角度θ１は、一例として、２°～３５°である。より好適には、傾斜角度θ１は、１０°～２０°である。ただし、複合基板Ｗの直径はφ１５０ｍｍに限定されるものではない。

さらに、傾斜部４６は、第１方向に向けて徐々に幅狭となる形状に形成されていてもよい。すなわち、傾斜部４６は、第１方向に向けて、第２の基板Ｗ２に対して、所謂“逃げ”形状に形成されていてもよい。図２Ａに示すように、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間は、分離段階において、第１方向に向けて徐々に狭くなっている。すなわち、第１方向に向かうにしたがって、第２くさび４４と第２の基板Ｗ２とは接触しやすくなる。上記のような幅狭形状を採用することによって、第１方向に向かうにしたがって、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間に対する、第２くさび４４の進入割合を小さくすることができ、複合基板Ｗに傷がつくのをさらに防止することができる。

なお、第２くさび４４は、複合基板Ｗと接触するため、摩擦係数の低い部材を用いることが好ましい。例えば、テフロン（登録商標）、ポリアセタール、ＰＥＥＫ、ＰＰＳ、セラミック等が挙げられる。

次に、本実施形態に係る吸着機構５１について説明する。防塵天板５０の下部には、吸着機構５１が設けられている。吸着機構５１は、一例として、吸着パッド５１であり、真空吸着によって第２の基板Ｗ２を吸着保持する構成である。また、吸着パッド５１は、流路５２を介して、圧力調整機構１０１に接続されている。制御部１０２が圧力調整機構１０１を制御することによって、圧力調整機構１０１は流路５２内を真空引きする構成である。これにより、吸着パッド５１は、第２の基板Ｗ２を吸着保持することができる。さらに、吸着パッド５１は、一例として、蛇腹構造を有しており、全方向に傾動可能に防塵天板５０に設けられている。これにより、第２の基板Ｗ２が水平状態ではない場合でも、第２の基板Ｗ２を確実に吸着することができる。第２の基板Ｗ２は、第１の基板Ｗ１から完全に分離された後、吸着機構５１によって、吸着保持される。

次に、本実施形態に係るロータリーチャック６１について説明する。図３及び図７に示すように、ロータリーチャック６１は、反転台６２と、一対の軸受６３と、昇降台６５と、連結部６６と、ボールねじ６７と、上下動駆動装置６８と、を有している。反転台６２が各軸受６３に嵌入された反転軸（不図示）を介して昇降台６５に連結されており、一の反転軸には、反転機構（一例として、サーボモータ）６４が連結されている。反転台６２は、反転機構６４によって反転軸を軸心として上下反転される構成である。また、昇降台６５は、連結部６６を介して、ボールねじ６７に連結されており、上下動駆動装置６８によってボールねじ６７が回動駆動されることにより枠体４１内を上下動駆動される構成である。なお、図３は、反転台６２が上向きの状態を示しており、図７は、反転台６２が下向きの状態を示している。

反転台６２の一面には、複合基板Ｗを把持可能な二つの把持部（一例として、把持爪）６２ａと複合基板Ｗを載置可能な四つのワークガイド６２ｂが設けられている。また、各把持爪６２ａは、反転台６２の他面に設けられたスライド駆動部６２ｃに対して、反転台６２に貫設された貫通孔を通じて連結されている。スライド駆動部６２ｃによって、各把持爪６２ａが複合基板Ｗの径方向に向けてスライド駆動される構成である。また、ワークガイド６２ｂは、第２の基板Ｗ２の外周に点接触又は線接触可能に曲面形状を有している。各把持爪６２ａによって、各ワークガイド６２ｂに載置された複合基板Ｗを把持することができる。

すなわち、ロータリーチャック６１は、上下反転可能な反転台６２と、上下動可能な昇降台６５を有している。昇降台６５が最上位まで上昇され、且つ反転台６２の一面が第２の基板Ｗ２と対向する位置（上向き）の状態で、吸着機構５１に吸着保持された第２の基板Ｗ２を把持爪６２ａ及びワークガイド６２ｂによって、保持することができる。また、第２の基板Ｗ２保持後、昇降台６５は最下位まで下降されて、また、反転台６２は、上下反転される。そして、把持爪６２ａによる把持を解除して、後述する仮置台６９上に第２の基板Ｗ２を載置することができる。

なお、昇降台６５は、連結部６６がボールねじ６７に係合して、枠体４１内を上下動駆動される構成に限定されない。他の例として、昇降台６５は、電動シリンダ又はエアシリンダ（いずれも不図示）によって、上下動駆動される構成としてもよい。

本実施形態に係る仮置台６９は、図３及び図８に示すように、上部にワークガイド６９ｂを有する四つの支柱６９ａが台座上に設けられている。ワークガイド６９ｂは、一例として、第２の基板Ｗ２の外周に点接触又は線接触可能に曲面形状を有している。

次に、符号７０は仮置台である。仮置台７０は、仮置台６９の構成と同様であるため、説明を省略する。

次に、符号８０はエアブロー機構である。エアブロー機構８０は、開口モジュール３０が第１ロボットハンド２０によって搬送される所定の空間を有する筐体として形成されている。また、エアブロー機構８０は、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２とのいずれの基板も保持しない状態の開口モジュール３０をエアブロー機構８０内に搬送した後、エアブローノズル８２によって、開口モジュール３０及び第１ロボットハンド２０の表面の微細な破片等を除去して、吸引口８４によって、微細な破片を捕集する構成である。なお、エアブロー機構８０によって、第１の基板Ｗ１又は第２の基板Ｗ２の表面の微細な破片等を除去する構成としてもよい。

次に、符号９０は第２ロボットハンドである。第２ロボットハンド９０は、一例として、スカラ型ロボット（３軸又は４軸）である。第２ロボットハンド９０によって、仮置台７０に載置された第１の基板Ｗ１をカセット１００に搬送することができる。また、第２ロボットハンド９０によって、仮置台６９に載置された第２の基板Ｗ２もカセット１００に搬送することができる。

（剥離方法）
以上、本実施形態に係る剥離装置２００の構成について説明した。一方、本実施形態に係る剥離方法についても剥離装置２００を用いて実施することができる。以下、剥離方法について説明する。

先ず、第１ロボットハンド２０を作動させて、基板載置部１０に垂直に載置された複合基板Ｗを開口モジュール３０の第１くさび３２と２つの固定部３４によって保持し、且つ載置台３６に載置する。

次に、第１くさび３２によって、第２の基板Ｗ２の第１表面を押上げて、複合基板Ｗの一端側を開口する。すなわち、スライド部３８によって、第１方向に向けて複合基板Ｗの境界部に第１くさび３２を食い込ませて、複合基板Ｗの一端側を剥離（開口）する（第１剥離工程）。これにより、第２の基板Ｗ２は第１の基板Ｗ１から剥離される。なお、第１剥離工程において、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間が、第２くさび４４が進入できる程度（すなわち、くさび片４５の先端部の厚さ以上）に開口された時に、スライド部３８を停止させればよい。

次に、第１ロボットハンド２０によって、開口モジュール３０（すなわち、複合基板Ｗ）を水平に姿勢変更させながら、分離モジュール４０内の所定の空間に搬送する（第１搬送工程）。より具体的には、第１ロボットハンド２０によって、複合基板Ｗを第２くさび４４のくさび片４５の高さまで搬送する。

次に、防塵天板５０に設けられたスライド駆動部４８によって、複合基板Ｗの両側方から第２方向に向けて、複合基板Ｗの境界部から一対の第２くさび４４のくさび片４５を進入（食い込み）させる（第２剥離工程）。これにより、第２の基板Ｗ２を第１の基板Ｗ１から分離することができる。

次に、複合基板Ｗの境界部にくさび片４５をさらに進入（食い込み）させて、第２くさび４４の一定の厚さを有する基部４７に第２の基板Ｗ２を載置して、第２の基板Ｗ２を水平状態に整列する（整列工程）。これにより、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２とが平行となり、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２とを別々に搬送する際に、各基板Ｗ１、Ｗ２同士が接触しないため、各基板Ｗ１、Ｗ２の表面に傷がつくのを防止することができる。なお、分離後の第２の基板Ｗ２は、吸着パッド５１によって吸着保持される。

次に、第１ロボットハンド２０によって、第１の基板Ｗ１を仮置台７０まで搬送して、仮置台７０に設けられた四つのワークガイド７０ｂ上に載置する（第２搬送工程）。

次に、第２ロボットハンド９０によって、仮置台７０に載置された第１の基板Ｗ１をカセット１００まで搬送する（第３搬送工程）。

第２搬送工程の後、又は第２搬送工程と同時に、昇降台６５を所定の位置まで上昇させて、反転台６２を上下１８０°反転させた後、基板受取り位置までさらに上昇させて、吸着機構５１による第２の基板Ｗ２の吸着保持を解除して、第２の基板Ｗ２をワークガイド６２ｂ上に載置する。そして、把持爪６２ａ及びワークガイド６２ｂによって、第２の基板Ｗ２を反転台６２上に保持し、次に、昇降台６５を所定の位置まで下降させる（第４搬送工程）。

次に、反転台６２を上下に１８０°反転させた後、昇降台６５を基板受渡し位置まで下降させ、第２の基板Ｗ２の把持を解除して、反転された第２の基板Ｗ２を仮置台６９に設けられた四つのワークガイド６９ｂ上に載置する（反転工程）。

次に、第２ロボットハンド９０によって、仮置台６９に載置された第２の基板Ｗ２をカセット１００まで搬送する（第５搬送工程）。

また、第２搬送工程以降、エアブロー機構８０によって、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２とのいずれの基板も保持しない状態の開口モジュール３０、及び第１ロボットハンド２０の表面の微細な破片を捕集する（第１エアブロー工程）。

なお、第１エアブロー工程よりも前工程として、第１ロボットハンド２０によって、第１の基板Ｗ１をエアブロー機構８０内の所定の空間まで搬送して、エアブロー機構８０によって、第１の基板Ｗ１の表面の微細な破片を捕集する工程を有していてもよい（第２エアブロー工程）。また、反転工程よりも後工程として、第１ロボットハンド２０によって、第２の基板Ｗ２をエアブロー機構８０内の所定の空間まで搬送して、エアブロー機構８０によって、第２の基板Ｗ２の表面の微細な破片を捕集する工程を有していてもよい（第３エアブロー工程）。

以上の各工程を含む剥離方法によって、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との表面に傷がつくのを防止して、複合基板Ｗを第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２とに分離することができる。

以降、第２実施形態～第７実施形態について、第１実施形態の開口モジュール３０の構成及び第１実施形態の第１剥離工程の構成との違いを中心に説明する。なお、開口モジュール３０及び第１剥離工程以外の構成は、第１実施形態と同様の構成である。

（第２実施形態）
（剥離装置）
第２実施形態に係る開口モジュール３０は、図１０に示すように、複数の引上げ部材（本実施形態においては、吸着部材）１１０を有している。吸着部材１１０は、一例として、真空吸着によって、複合基板Ｗの上面（すなわち、第２の基板Ｗ２の第２表面）を二つの吸着パッド１１０ａにより吸着保持する構成である。圧力調整機構（不図示）によって流路１１０ｂ内が真空引きされて、流路１１０ｂに連通する吸着パッド１１０ａによって、第２の基板Ｗ２の上面を吸着することができる。また、吸着パッド１１０ａは、引上げ機構（不図示。一例として、電動シリンダ）に連結されている。電動シリンダによって、複合基板Ｗの一端側（開口側）に吸着された一の吸着パッド１１０ａを引上げて、複合基板Ｗの一端を開口することができる。

（剥離方法）
第２実施形態に係る第１剥離工程は、吸着部材１１０によって第２の基板Ｗ２の第２表面を引上げて、複合基板Ｗの一端を開口する工程である。より具体的には、吸着パッド１１０ａを第２の基板Ｗ２の第２表面に当接し、圧力調整機構（不図示）によって流路１１０ｂ内を真空引きして、吸着パッド１１０ａに第２表面を吸着させる。そして、電動シリンダ（不図示）によって、吸着パッド１１０ａを引上げることにより、複合基板Ｗの一端を開口する。なお、第１剥離工程において、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間が、第２くさび４４が進入できる程度に開口された時又はそれ以降において、上下動駆動装置及び圧力調整機構による作動（すなわち、引上げ及び吸着）を解除すればよい。

（第３実施形態）
（剥離装置）
第３実施形態に係る開口モジュール３０は、図１１に示すように、流体（本実施形態においては液流）を噴出可能なノズル１２０を有している。ノズル１２０は、ポンプ及び液源（いずれも不図示）に接続されており、ノズル１２０から液流を複合基板Ｗの境界部に噴出して、さらに第２の基板Ｗ２の第１表面を押上げることにより、複合基板Ｗの一端を開口することができる。

（剥離方法）
第３実施形態に係る第１剥離工程は、ノズル１２０を有する開口モジュール３０によって、第２の基板Ｗ２の第１表面を押上げて、複合基板Ｗの一端を開口する工程である。より具体的には、ポンプ（不図示）を作動させることによって、液源（不図示）の液流をノズルから噴出させて、当該液流を複合基板Ｗの境界部に衝突させることにより、複合基板Ｗの一端を開口する。なお、第１剥離工程において、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間が、第２くさび４４が進入できる程度に開口された時又はそれ以降において、ノズル１２０からの液流の噴出を停止させればよい。

（第４実施形態）
（剥離装置）
第４実施形態に係る開口モジュール３０は、図１２に示すように、押上げ部材（本実施形態においては曲げ部材）１３０を有している。また、複合基板Ｗの表裏面には、保持部材１３２、１３４が付着（一例として、粘着）されている。さらに、保持部材１３２、１３４は、複合基板Ｗの開口する一端側から延在している構成である。すなわち、保持部材１３２、１３４間には、一端側において所定の隙間を有している。曲げ部材１３０は、所定の隙間に挿入されて、回転駆動機構（不図示）によって、曲げ部材１３０と保持部材１３２との当接箇所を支点とした曲げモーメントを負荷して、保持部材１３４（すなわち、第２の基板Ｗ２の第１表面）を押上げることにより、複合基板Ｗの一端を開口することができる。

（剥離方法）
第４実施形態に係る第１剥離工程は、曲げ部材１３０を有する開口モジュール３０によって、保持部材１３４（すなわち、第２の基板Ｗ２の第１表面）を押上げて、複合基板Ｗの一端を開口する工程である。また、本実施形態に係る剥離方法は、第１剥離工程の前工程として、複合基板Ｗの表面に保持部材１３２、１３４を付着（粘着）させる工程（保持部材付着工程）を有する。より具体的には、曲げ部材１３０を保持部材１３２、１３４の隙間に挿入させ、さらに曲げ部材１３０の先端部を保持部材１３２の所定の位置に当接させる。そして、回転駆動機構（不図示）によって、当該所定の位置を支点として、曲げ部材１３０を回転駆動させることにより、曲げモーメントを負荷して、複合基板Ｗの一端を開口する。なお、第１剥離工程において、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間が、第２くさび４４が進入できる程度に開口された時又はそれ以降において、曲げ部材１３０の曲げモーメントの負荷を解除すればよい。

（第５実施形態）
（剥離装置）
第５実施形態に係る開口モジュール３０は、図１３に示すように、押上げ部材（本実施形態においては第１くさび）３２及び引上げ部材（本実施形態においては吸着部材）１１０を有している。第１くさび３２及び吸着部材１１０の構成は、それぞれ第１実施形態及び第２実施形態において説明した開口モジュール３０の構成と同様である。すなわち、第１実施形態に示した開口モジュール３０が、圧力調整機構（不図示）によって吸着可能であり、且つ上下動駆動装置（不図示）によって引上げ可能である吸着部材１１０を有する構成である。本実施形態に係る開口モジュール３０は、第１くさび３２による第２の基板Ｗ２の第１表面の押上げと、吸着部材１１０による第２の基板Ｗ２の第２表面の引上げと、を組み合わせることにより、複合基板Ｗの一端を開口することができる。

（剥離工程）
第５実施形態に係る第１剥離工程は、第１くさび３２及び吸着部材１１０によって、第２の基板Ｗ２の第１表面の押上げと第２表面の引上げとを組み合わせて、複合基板Ｗの一端を開口する工程である。より具体的には、吸着パッド１１０ａを第２の基板Ｗ２の第２表面に当接し、圧力調整機構（不図示）によって流路１１０ｂ内を真空引きして、吸着パッド１１０ａに第２表面を吸着させる。そして、電動シリンダ（不図示）によって、吸着パッド１１０ａを引上げる。同時に、第１くさび３２を複合基板Ｗの境界部に進入（食い込み）させることによって、複合基板Ｗの一端を開口する。なお、第１剥離工程において、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間が、第２くさび４４が進入できる程度に開口された時又はそれ以降において、スライド部３８、圧力調整機構、及び引上げ機構を停止させればよい。

（第６実施形態）
（剥離装置）
第６実施形態に係る開口モジュール３０は、図１４に示すように、押上げ部材（本実施形態においてはノズル）１２０及び引上げ部材（本実施形態において吸着部材）１１０を有している。ノズル１２０及び吸着部材１１０の構成は、それぞれ第３実施形態及び第２実施形態において説明した開口モジュール３０の構成と同様である。すなわち、本実施形態に係る開口モジュール３０は、ポンプ及び液源に接続されたノズル１２０と、圧力調整機構及び引上げ機構に連結された吸着部材１１０と、を有する構成である。本実施形態に係る開口モジュール３０は、ノズル１２０（すなわち、液流）による第２の基板Ｗ２の第１表面の押上げと、吸着部材１１０による第２の基板Ｗ２の第２表面の引上げと、を組み合わせることにより、複合基板Ｗの一端を開口することができる。なお、本実施形態に係る開口モジュール３０は、吸着部材１１０による第２の基板Ｗ２の引上げが可能であるため、ノズル１２０からエアを噴出させる構成としてもよい。

（剥離方法）
第６実施形態に係る第１剥離工程は、ノズル１２０及び吸着部材１１０によって、第２の基板Ｗ２の第１表面の押上げと第２表面の引上げとを組み合わせて、複合基板Ｗの一端を開口する工程である。より具体的には、吸着パッド１１０ａを第２の基板Ｗ２の第２表面に当接し、圧力調整機構（不図示）によって流路１１０ｂ内を真空引きして、吸着パッド１１０ａに第２表面を吸着させる。そして、電動シリンダ（不図示）によって、吸着パッド１１０ａを引上げる。同時に、ポンプ（不図示）を作動させて、液源（不図示）の液流をノズルから噴出させて、当該液流を複合基板Ｗの境界部に衝突させることにより、複合基板Ｗの一端を開口する。なお、第１剥離工程において、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間が、第２くさび４４が進入できる程度に開口された時又はそれ以降において、ポンプ、圧力調整機構、及び引上げ機構を停止させればよい。

（第７実施形態）
（剥離装置）
第７実施形態に係る開口モジュール３０は、図１５に示すように、押上げ部材（本実施形態においては曲げ部材）１３０及び引上げ部材（本実施形態においては吸着部材）１１０を有している。なお、複合基板Ｗの表裏面には、保持部材１３２、１３４が付着（粘着）されている。曲げ部材１３０及び吸着部材１１０の構成は、それぞれ第４実施形態及び第２実施形態において説明した開口モジュール３０の構成と同様である。すなわち、本実施形態に係る開口モジュール３０は、回転駆動装置（不図示）に連結された曲げ部材１３０と、圧力調整機構及び引上げ機構に連結された吸着部材１１０と、を有する構成である。本実施形態に係る開口モジュール３０は、曲げ部材１３０による保持部材１３４（すなわち、第２の基板Ｗ２の第１表面）の押上げと、吸着部材１１０による保持部材１３４（すなわち、第２の基板Ｗ２の第２表面）の引上げと、を組み合わせることにより、複合基板Ｗの一端を開口することができる。

（剥離方法）
第７実施形態に係る第１剥離工程は、曲げ部材１３０及び吸着部材１１０によって、第２の基板Ｗ２の第１表面の押上げと第２表面の引上げとを組み合わせて、複合基板Ｗの一端を開口する工程である。また、本実施形態の剥離方法は、第４実施形態と同様に、第１剥離工程の前工程として、保持部材付着工程を有する。さらに、本実施形態に係る剥離方法は、第１剥離工程の後工程として、各基板Ｗ１、Ｗ２から保持部材１３２、１３４を除去する除去工程を有する。より具体的には、吸着パッド１１０ａを保持部材１３４の表面に当接させ、圧力調整機構（不図示）によって流路１１０ｂ内を真空引きして、吸着パッド１１０ａに保持部材１３４の表面を吸着させる。そして、電動シリンダ（不図示）によって、吸着パッド１１０ａを引上げる。曲げ部材１３０を保持部材１３２、１３４の隙間に挿入させ、さらに曲げ部材１３０の先端部を保持部材１３２の所定の位置に当接させる。そして、回転駆動機構（不図示）によって、当該所定の位置を支点として、曲げ部材１３０を回転駆動させることにより、曲げモーメントを負荷して、複合基板Ｗの一端を開口する。なお、第１剥離工程において、第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２との隙間が、第２くさび４４が進入できる程度に開口された時に、回転駆動機構、圧力調整機構、及び引上げ機構を停止させればよい。

以上、説明した通り、本発明に係る剥離装置２００によれば、開口モジュール３０において、押上げ部材３２及び引上げ部材１１０のうち少なくとも一方によって複合基板Ｗの一端側を開口して、開口された状態の当該複合基板Ｗに対して両側方から第２くさび４４を進入（食い込み）させることができるため、従来の剥離装置と比べて、剥離時及び分離時に複合基板Ｗ（第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２）が損傷するのを防止することができる。また、本発明に係る剥離方法においても、押上げ部材３２及び引上げ部材１１０のうち少なくとも一方によって複合基板Ｗの一端側を開口して、開口された状態の当該複合基板Ｗに対して両側方から第２くさび４４を進入（食い込み）させることができるため、従来の剥離方法と比べて、剥離時及び分離時に複合基板Ｗ（第１の基板Ｗ１と第２の基板Ｗ２）が損傷するのを防止することができる。

なお、本発明は、以上説明した実施形態に限定されず、本発明を逸脱しない範囲において種々変更可能である。第５実施形態～第７実施形態において、押上げ部材と引上げ部材とを組み合わせた場合の剥離装置２００及び剥離方法について説明しているが、第１実施形態～第４実施形態のうち、他の組み合わせによる剥離装置２００及び剥離方法であってもよい。また、二種の押上げ部材（一例として、第１くさび３２及びノズル１２０）によって複合基板Ｗの一端を開口する剥離装置２００及び剥離方法であってもよい。さらに、他の例として、剥離装置２００における第２くさび４４は、第２方向のみならず、第１方向や複合基板Ｗに対して垂直な方向にも駆動される構成としてもよい。

３０ 開口モジュール
３２ 押上げ部材（第１くさび）
４０ 分離モジュール
４４ 第２くさび
４５ くさび片
４６ 傾斜部
４７ 基部
１１０ 引上げ部材（吸着部材）
１２０ 押上げ部材（ノズル）
１３０ 押上げ部材（曲げ部材）
２００ 剥離装置
Ｗ 複合基板
Ｗ１ 第１の基板
Ｗ２ 第２の基板

Claims (2)

1. 複合基板を境界部において剥離して、第１の基板と第２の基板とに分離する剥離装置であって、
   開口モジュールと、分離モジュールと、を具備しており、
   前記開口モジュールは、
   前記第２の基板において前記第１の基板に対向する第１表面を押上げて、前記複合基板の一端側を開口する押上げ部材、
   及び、前記第２の基板において前記第１の基板と反対側の第２表面を引上げて、前記複合基板の一端側を開口する引上げ部材のうち少なくとも一方を有しており、
   前記分離モジュールは、前記複合基板の前記一端側から前記一端側とは反対側の他端側の方向である第１方向から開口された前記複合基板の両側方から、前記第２基板に平行な面内で前記第１方向と直交する第２方向に向けて前記境界部に食い込み、前記複合基板を固定された前記第１の基板と、前記第２の基板と、に分離する一対の第２くさびを有しており、
   各前記第２くさびは、前記第２方向に向けて突出するくさび片を有しており、
   前記くさび片は、基部と傾斜部とを有しており、
   前記基部は、一定の厚さに形成されており、
   前記傾斜部は、前記第２方向に向けて２°～３５°の角度で徐々に薄くなるように傾斜形状に形成されており、且つ前記第１方向に向けて徐々に幅狭となる形状に形成されていることを特徴とする剥離装置。
2. 前記分離モジュールは、複数のセンサを有しており、
   複数の前記センサによって、前記複合基板の位置及び角度を検出する構成であること
   を特徴とする請求項１記載の剥離装置。

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