JP7265014B2 - 高周波アブレーションカテーテル、肺部高周波アブレーションシステム、それに対応する制御方法、制御装置およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents
高周波アブレーションカテーテル、肺部高周波アブレーションシステム、それに対応する制御方法、制御装置およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 Download PDFInfo
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Description
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップS100と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップS110と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップS120とを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップS100と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップS110と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップS120とを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップS100と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップS110と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップS120とを含む。
前記設定関係は辺縁部温度パラメーターが前記温度閾値に達した後その状態を維持することに要する時間区間を含む。
前記遠端温度パラメーターに対応する検出部位は電極の遠端端部であり、
前記第一温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はL1であり、
前記第二温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はL2であり、
前記第三温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はL3であり、
前記複数の距離において、L1<L0=L2<L3であり、前記L0は予め検出した病巣の半径である。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得する第一モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値を比較する第二モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信する第三モジュールとを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得する第一モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値を比較する第二モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信する第三モジュールとを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得する第一モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値を比較する第二モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信する第三モジュールとを含む。
本発明の前記高周波アブレーションカテーテルと、
前記高周波アブレーションカテーテルの電極の周辺部位に換熱媒体を供給する換熱媒体伝送装置と、
前記高周波アブレーションカテーテルの電極が位置している回路の抵抗情報により前記換熱媒体伝送装置を駆動する制御モジュールとを含む。
アブレーションをする過程において電極回路の抵抗情報を採集するステップS500と、
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を制御するステップS510とを含む。
アブレーションをする過程において電極回路の抵抗情報を採集するステップS500と、
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を制御するステップS510とを含む。
アブレーションをする過程において電極回路の抵抗情報を採集するステップS500と、
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を制御するステップS510とを含む。
前記抵抗情報と閾値を比較し、前記抵抗情報と閾値の関係により換熱媒体の流量の増減を確定するステップS511と、
換熱媒体の流量の増減を確定し、所定の増量または減量により所定の制御指令を予め設定するステップS512とを含む。
前記抵抗情報が閾値の上限より大きいとき、換熱媒体の流量を増加させると判断するステップと、
前記抵抗情報が閾値の下限より小さいとき、換熱媒体の流量を減少させると判断するステップと、
前記抵抗情報が閾値の範囲内に入っているとき、換熱媒体の流量を維持すると判断するステップとを含み、
ステップS511において換熱媒体の流量を増加させると判断するとき、ステップS512において第一制御指令を形成し、第一制御指令に対応することは換熱媒体の流量が現在の流量より多いものであり、
ステップS511において換熱媒体の流量を減少させると判断するとき、ステップS512において第二制御指令を形成し、第二制御指令に対応することは換熱媒体の流量が現在の流量より少ないものである。
前記抵抗情報の変化趨勢により換熱媒体の流量を調節する度合を変化させるか或いは閾値の上限または閾値の下限を選択してそれと比較する。
抵抗情報の変換趨勢が上昇する趨勢である場合、換熱媒体の流量を調節する度合を増加させ、
抵抗情報の変換趨勢が下降する趨勢である場合、現在の採集周期の抵抗情報と閾値の下限を比較する。
抵抗情報の変換趨勢が下降する趨勢である場合、換熱媒体の流量を調節する度合を増加させ、
抵抗情報の変換趨勢が上昇する趨勢である場合、現在の採集周期の抵抗情報と閾値の上限を比較する。
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信する採集モジュールと、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節する調節モジュールとを含む。
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信する採集モジュールと、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節する調節モジュールとを含む。
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信する採集モジュールと、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節する調節モジュールとを含む。
前記高周波信号形成装置は、前記制御モジュールと前記アブレーションカテーテルに接続され、制御モジュールから受信した命令により高周波信号を形成し、かつその高周波信号を前記アブレーションカテーテルに送信し、
前記アブレーションカテーテルは、前記高周波信号形成装置と前記微量注入ポンプに連結されることにより前記高周波信号形成装置が形成する高周波信号を受信するとともに前記高周波信号をアブレーション組織に送信し、かつ前記微量注入ポンプが注入する生理食塩水を受け取り、前記アブレーションカテーテルには液体流出孔が形成されることによりアブレーション組織内に生理食塩水を注入し、
前記電極基板は前記高周波信号形成装置に接続されることにより人体とアブレーションカテーテル内の電極との間に回路が形成され、
前記センサーモジュールは前記アブレーションカテーテル上に取り付けられるとともに前記制御モジュールに連結され、前記センサーモジュールは、抵抗センサーと温度センサーを含むことによりアブレーションカテーテルのアブレーション組織と接触する個所の抵抗と温度を検出し、かつその温度情報と抵抗情報を前記制御モジュールに送信し、
前記微量注入ポンプは、前記制御モジュールと前記アブレーションカテーテルに連結され、かつ制御モジュールの命令を受信することにより前記アブレーションカテーテルに生理食塩水を注入し、
前記警報モジュールは前記制御モジュールに接続されることにより前記制御モジュールが送信する警報命令を送信するとともにそれを使用者に知らせ、
前記制御モジュールは、前記高周波信号形成装置、センサーモジュール、微量注入ポンプおよび警報モジュールに連結されることにより、前記高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、前記センサーモジュールが検出した抵抗情報と温度情報を受信し、前記抵抗情報により前記微量注入ポンプが前記アブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御する。
高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信するステップと、
アブレーションカテーテルとアブレーション組織が接触する位置の抵抗情報と温度情報を獲得するステップと、
前記抵抗情報により微量注入ポンプがアブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御するステップとを含む。
高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信するステップと、
アブレーションカテーテルとアブレーション組織が接触する位置の抵抗情報と温度情報を獲得するステップと、
前記抵抗情報により微量注入ポンプがアブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御するステップとを含む。
高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信するステップと、
アブレーションカテーテルとアブレーション組織が接触する位置の抵抗情報と温度情報を獲得するステップと、
前記抵抗情報により微量注入ポンプがアブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御するステップとを含む。
挿入部分は、電極1と、電極1に連結される金属管21と、電極1および金属管21の内部に設けられる部品とを含む。電極1に近づいている挿入部分の個所には温度センサー29が設けられている。
第二温度検出装置は電極1、カテーテル2または金属管21の外壁に環状に固定され、かつ第一温度検出装置の近端に位置し、
第三温度検出装置は電極1、カテーテル2または金属管21の外壁に環状に固定され、かつ第二温度検出装置の近端に位置する。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップS100と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップS110と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップS120とを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップS100と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップS110と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップS120とを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップS100と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップS110と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップS120とを含む。
前記遠端温度パラメーターに対応する検出部位は電極の遠端端部であり、
前記第一温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はL1であり、
前記第二温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はL2であり、
前記第三温度パラメーターに対応する検出部位と電極の遠端端部との間の距離はL3であり、
複数の距離において、L1<L0=L2<L3であり、前記L0は予め検出した病巣の半径である。
点Mは電極の遠端端部であり、点Mにおいて採集することは遠端の温度パラメーターであり、
点X1と点Mとの間の距離はL1であり、点X1において採集することは第一温度パラメーターであり、
点X2と点Mとの間の距離はL2であり、点X2において採集することは第二温度パラメーターであり、
病巣部位の半径L0はL0=L2であり、
点X3と点Mとの間の距離はL3であり、点X3において採集することは第三温度パラメーターである。
第一温度パラメーターが温度閾値に達したが、第二温度パラメーターが温度閾値に達していないとき、アブレーションが実施されていると判断し、
第二温度パラメーターが温度閾値に達したが、第三温度パラメーターが温度閾値に達していないとき、アブレーションが間もなく完成されると判断し、
第三温度パラメーターが温度閾値に達し、かつ一定の時間維持しているとき、アブレーションが完成されたと判断する。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得する第一モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値を比較する第二モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信する第三モジュールとを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得する第一モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値を比較する第二モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信する第三モジュールとを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得する第一モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値を比較する第二モジュールと、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信する第三モジュールとを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップS100と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップS110と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップS120とを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップS100と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップS110と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップS120とを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップS100と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップS110と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップS120とを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップS100と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップS110と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップS120とを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップS100と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップS110と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップS120とを含む。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップS100と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップS110と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップS120とを含む。
アブレーションをする過程において電極回路の抵抗情報を採集するステップS500と、
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を制御するステップS510とを含む。
アブレーションをする過程において電極回路の抵抗情報を採集するステップS500と、
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を制御するステップS510とを含む。
アブレーションをする過程において電極回路の抵抗情報を採集するステップS500と、
前記抵抗情報によって所定の制御指令を形成することにより電極の周辺部位の換熱媒体の流量を制御するステップS510とを含む。
前記抵抗情報と閾値を比較し、前記抵抗情報と閾値の関係により換熱媒体の流量の増減を確定するステップS511と、
換熱媒体の流量の増減を確定し、所定の増量または減量により所定の制御指令を予め設定するステップS512とを含む。
前記抵抗情報が閾値の上限より大きいとき、換熱媒体の流量を増加させると判断するステップと、
前記抵抗情報が閾値の下限より小さいとき、換熱媒体の流量を減少させると判断するステップと、
前記抵抗情報が閾値の範囲内に入っているとき、換熱媒体の流量を維持すると判断するステップとを含み、
ステップS511において換熱媒体の流量を増加させると判断するとき、ステップS512において第一制御指令を形成し、第一制御指令に対応することは換熱媒体の流量が現在の流量より多いものであり、
ステップS511において換熱媒体の流量を減少させると判断するとき、ステップS512において第二制御指令を形成し、第二制御指令に対応することは換熱媒体の流量が現在の流量より少ないものである。
前の周期において制御指令を形成して出力し、次の周期において採集される抵抗情報と閾値を比較する前、採集される抵抗情報と前の周期の抵抗情報を比較することにより抵抗情報の変化趨勢を判断し、
前記抵抗情報の変化趨勢により換熱媒体の流量を調節する度合を変化させるか或いは閾値の上限または閾値の下限を選択してそれと比較する。
本実施例において、前の周期において第一制御指令を形成して出力し、次の周期において採集される抵抗情報と閾値を比較する前、採集される抵抗情報と前の周期の抵抗情報を比較することにより抵抗情報の変化趨勢を判断し、
抵抗情報の変換趨勢が上昇する趨勢である場合、換熱媒体の流量を調節する度合を増加させ、
抵抗情報の変換趨勢が下降する趨勢である場合、現在の採集周期の抵抗情報と閾値の下限を比較する。
抵抗情報の変換趨勢が下降する趨勢である場合、換熱媒体の流量を調節する度合を増加させ、
抵抗情報の変換趨勢が上昇する趨勢である場合、現在の採集周期の抵抗情報と閾値の上限を比較することもできる。
アブレーションする過程において温度パラメーターを獲得するステップS100と、
温度パラメーターと温度閾値を比較するステップS110と、
温度パラメーターと温度閾値が設定関係になるとき、アブレーションを停止させる指令を送信するステップS120とを同時に実施する。温度を検出する具体的なステップは前記実施例を参照することができる。
次の採集周期の抵抗情報と前の採集周期の抵抗情報を比較することにより抵抗が上昇したかを判断し、抵抗が上昇した場合、第一制御指令を形成して送信することにより換熱媒体の流量を更に増加させ、
抵抗が上昇せず下降し始めるとき、抵抗と下限抵抗を比較し、抵抗情報が設定される下限抵抗より小さくなると、第二制御指令を形成して送信することにより換熱媒体の流量を減少させ、
次の採集周期の抵抗情報と前の採集周期の抵抗情報を比較することにより抵抗が下降したかを判断し、抵抗が下降した場合、第二制御指令を形成して送信することにより換熱媒体の流量を更に減少させ、抵抗が上昇し始めるとそれを停止させる。
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信する採集モジュールと、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節する調節モジュールとを含む。
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信する採集モジュールと、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節する調節モジュールとを含む。
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信する採集モジュールと、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節する調節モジュールとを含む。
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信するステップS500と、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節するステップS510とを含むことができる。
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信するステップS500と、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節するステップS510とを含むことができる。
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信するステップS500と、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節するステップS510とを含むことができる。
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信するステップS500と、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節するステップS510とを含むことができる。
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信するステップS500と、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節するステップS510とを含むことができる。
アブレーションをする過程において、電極回路において採集する抵抗情報を受信するステップS500と、
前記抵抗情報により所定の制御指令を形成することにより、電極の周辺部位の換熱媒体の流量を調節するステップS510とを含むことができる。
高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信するステップと、
アブレーションカテーテルとアブレーション組織が接触する位置の抵抗情報と温度情報を獲得するステップと、
前記抵抗情報により微量注入ポンプがアブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御するステップとを含む。
高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信するステップと、
アブレーションカテーテルとアブレーション組織が接触する位置の抵抗情報と温度情報を獲得するステップと、
前記抵抗情報により微量注入ポンプがアブレーションカテーテルに生理食塩水を注入することを制御し、前記温度情報により警報モジュールが警報を発することを制御するステップとを含む。
ステップS300において、高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信する。
ステップS400において、高周波信号形成装置が高周波信号を形成することを制御し、かつ高周波信号をアブレーションカテーテルに送信する。
Claims (14)
- 電極を含む高周波アブレーションカテーテルであって、前記電極には熱交換媒体通路が形成され、前記電極上にはバランサーが設けられ、前記バランサー上には前記熱交換媒体通路と連通している複数の潤滑孔が形成され、前記熱交換媒体通路から出力される熱交換媒体は前記バランサーによって分配されて流出し、
前記バランサーと前記電極は分離可能な構造に設けられ、前記電極の外壁には前記熱交換媒体通路と連通する流出孔が形成され、
前記バランサーは前記電極上に取り付けられかつ前記流出孔の外周に位置している潤滑カバーであり、前記潤滑カバーは一体に形成され、前記複数の潤滑孔は前記潤滑カバーの軸方向に沿って前記潤滑カバー上に形成され、前記潤滑カバーの内壁と前記電極の外壁との間には隙間が形成されており、
前記熱交換媒体は、前記流出孔から出力され、前記隙間に流入し、前記複数の潤滑孔から流出し、前記潤滑カバーの外表面全体に前記熱交換媒体の薄膜を形成し、
前記潤滑カバーの少なくとも一部分は潤滑孔が形成される浸透区域であり、前記流出孔が形成されている前記電極の部位は前記浸透区域と対応し、前記流出孔が形成されている前記電極の部位と前記浸透区域の内壁との間には前記隙間が形成されており、前記潤滑孔と前記流出孔はずれるように配置されることを特徴とする高周波アブレーションカテーテル。 - 前記熱交換媒体通路は幹線通路と幹線通路に連通している複数の支線通路を含み、各支線通路の末端は電極の外表面まで延伸することを特徴とする請求項1に記載の高周波アブレーションカテーテル。
- 前記潤滑カバーは、円周方向が密閉される円筒状構造であり、電極の外周に取り付けられることを特徴とする請求項1に記載の高周波アブレーションカテーテル。
- 前記電極の外壁には凹型区域が形成され、前記流出孔は前記凹型区域に形成され、前記浸透区域は前記凹型区域の外周に位置し、前記潤滑カバーの内壁と前記凹型区域の表面との間には隙間が形成されることを特徴とする請求項1に記載の高周波アブレーションカテーテル。
- 前記流出孔は拡張形状に形成され、拡張区域は前記凹型区域になり、潤滑カバーの内壁と凹型区域の表面との間の隙間は流出孔までの距離が増加することにより小さくなることを特徴とする請求項4に記載の高周波アブレーションカテーテル。
- 潤滑カバーの内壁と凹型区域との間の隙間は流出孔までの距離が増加することにより増加することを特徴とする請求項4に記載の高周波アブレーションカテーテル。
- 凹型区域は1個であるか或いは互いに離れている複数個であり、同一の凹型区域には1個の流出孔が形成され、同一の凹型区域において、潤滑カバーの内壁と凹型区域との間の隙間は前記凹型区域内の流出孔までの距離が増加することにより増加することを特徴とする請求項6に記載の高周波アブレーションカテーテル。
- 前記凹型区域は電極の軸方向に延伸する分布溝で構成され、前記流出孔は電極の円周方向において複数組に分けられ、一組の流出孔は同一の分布溝に形成されることを特徴とする請求項4に記載の高周波アブレーションカテーテル。
- 1つの分布溝の底部には1個の前記流出孔が形成され、前記分布溝の深度は前記流出孔までの距離が増加することにより増加することを特徴とする請求項8に記載の高周波アブレーションカテーテル。
- 前記潤滑孔の内径は流出孔までの距離が増加することにより増加することを特徴とする請求項1に記載の高周波アブレーションカテーテル。
- 前記高周波アブレーションカテーテルの遠端に隣接している部位には複数個の温度検出装置が軸方向に沿って順に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波アブレーションカテーテル。
- 請求項1~10のうちいずれか一項に記載の高周波アブレーションカテーテルと、
前記高周波アブレーションカテーテルの電極の周辺部位に熱交換媒体を供給する熱交換媒体伝送装置と、
前記高周波アブレーションカテーテルの電極が位置している回路の抵抗情報により前記熱交換媒体伝送装置を駆動する制御モジュールとを含むことを特徴とする肺部高周波アブレーションシステム。 - 前記肺部高周波アブレーションシステムは電極の周辺部位の温度状況を検出する温度検出装置を更に含み、前記制御モジュールは前記温度状況によりアブレーションの進度を表すか或いは制御することにも用いられることを特徴とする請求項12に記載の肺部高周波アブレーションシステム。
- 前記温度検出装置の数量は1個または複数個であり、少なくとも1つの温度検出装置の位置から電極までの距離は0.5~3cmであることを特徴とする請求項13に記載の肺部高周波アブレーションシステム。
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