JP7259242B2 - ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
結晶成長時において、育成開始から結晶切り離しまでの抵抗加熱ヒータの出力変化量が、所定の範囲内となるように管理して単結晶を成長させることを特徴としている。
[実施例]
[実施例1]
[実施例2]
[実施例3]
[比較例1]
[比較例2]
20 坩堝台
30 支持柱
31 昇降装置
40 上段ヒータ
50 下段ヒータ
60 架台
70 断熱材
71 上段ヒータ支持部
80 外壁
90 シード棒
91 回転昇降装置
100、101 電源
110 制御部
150 育成炉
160 種結晶
170 融液
180 LN単結晶
Claims (2)
- 育成炉内に設置した坩堝内にチャージしたニオブ酸リチウム単結晶原料を前記育成炉内の前記坩堝の周囲に設けたヒータにより加熱して融解した融液に種結晶の先端を浸漬した後、前記種結晶を引き上げることで、前記種結晶の下端から前記種結晶と同一の結晶構造を持つニオブ酸リチウム単結晶を成長させるチョクラルスキー法により、ニオブ酸リチウム単結晶を繰り返し製造するニオブ酸リチウム単結晶の製造方法であって、
前記育成炉は、炉内に前記坩堝が設置される坩堝台と、前記ヒータの外周を覆うように設けられ、前記ヒータの熱が外部に逃げないように構成された断熱材と、前記断熱材の外周を覆う外壁と、下端に前記種結晶が保持されるシード棒と、前記シード棒を回転させながら上昇又は下降させる回転昇降装置と、前記ヒータに電力供給を行う電源とを備え、
前記断熱材は、前記融液の上方の温度が前記融液の直上から10mmまでを25℃/cmになるように設定され、
前記ヒータは、前記断熱材の内側に、鉛直方向に上段ヒータ及び下段ヒータの二段構成で設けられ、鉛直方向において二段で前記融液及び前記ニオブ酸リチウム単結晶を加熱し、
結晶成長時において、育成開始から結晶切り離しまでの前記ヒータの合計の出力変化量が、所定の範囲内となるように管理して前記ニオブ酸リチウム単結晶を成長させ、
前記所定の範囲が、0.33kW~0.39kWの範囲であるニオブ酸リチウム単結晶の製造方法。 - 前記ヒータは、抵抗加熱ヒータである請求項1記載のニオブ酸リチウム単結晶の製造方法。
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