JP7248589B2 - 硬化性シリコーンゴム化合物 - Google Patents

Description

低温硬化シリコーンゴム化合物、いわゆるＲＴＣ（室温架橋）シリコーンゴム化合物は、弾性特性を有する目的に合わせた材料として、かなり以前から知られている。それらは、通常、ガラス、アルミニウムなどの金属、ＰＶＣなどのプラスチック、処理された（されていない）形態の木材、セラミックス、石材または磁器のためのシーリング化合物または接着材として使用される。この場合、それらは、例えば、建築および衛生部門などにおいてシーリング化合物および接合部充填化合物として、例えば、電気事業におけるコーティング材として使用される（Ｒｏｅｍｐｐ Ｃｈｅｍｉｅ，ＣＤ－ＲＯＭ，ｖｅｒｓｉｏｎ ２．０，ｅｄ．Ｅ．Ｂａｒｔｈｏｌｏｍｅ，Ｖｅｒｌａｇ Ｃｈｅｍｉｅ，Ｗｅｉｎｈｅｉｍ １９８２，ｖｏｌｕｍｅ ２１，ｐ．５１１ ｆｆ．）。特に、ＲＴＣ－１シリコーンゴム化合物が使用される。それらは、一成分ＲＴＣシリコーンゴム化合物、例えば、α，ω－ジヒドロキシポリオルガノシロキサンとそれぞれ適切な硬化剤または架橋剤との塑性成形可能な混合物である。大気中の水分または水の影響下では、それらは通常、室温で重合する。

好ましくは、２つまたはそれを超える官能基を有するポリオルガノシロキサンは、重合生成物の所望の化学的特性および物理的特性ならびに所望の重合速度に応じて、様々な多官能性硬化剤とともに使用される。この場合、α，ω－ジヒドロキシポリオルガノシロキサンは、二官能性ポリオルガノシロキサンとして非常に重要である。架橋剤または硬化剤はそれぞれ、加水分解脱離基によって放出される加水分解性のＳｉＸ基を特徴とし、それらは、中性、酸性または塩基性の系において硬化剤の分類を可能にする。公知の脱離基は、例えば、カルボン酸、アルコールおよびオキシムである。ＥＰ２０３０９７６Ｂ１には、架橋の際にα－ヒドロキシカルボン酸エステルを放出するシラン化合物が記載されている。

ＤＥ２０２０１５００９１２２Ｕ１には、脱離基としてα－ヒドロキシカルボン酸アミドを有するシランが開示されている。

大気中の水分の存在下での室温におけるＲＴＣ－１シリコーンゴム化合物の重合は、好適な硬化触媒を添加することによって加速され得る。

この場合、特に、スズ化合物が非常に重要である。ＤＥ６９５０１０６３Ｔ２には、周囲温度で硬化するシリコーンエラストマー組成物中でのジブチルスズ－ビス（アセチルアセトネート）およびオクチル酸スズの使用が記載されている。ＥＰ０２９８８７７Ｂ１には、シリコーンエラストマー組成物用の、酸化スズおよびβ－ジカルボニル化合物を含むスズ触媒が記載されている。ＤＥ４３３２０３７Ａ１では、縮合架橋シリコーンにおいてジラウリン酸ジブチル二スズが触媒として使用されている。

スズ化合物は、通常、非常に高い触媒活性を特徴とする。しかしながら、その有毒な特性のせいで、ＲＴＣシリコーンゴム化合物において、スズを含まない硬化触媒の使用は回避されることが多い。

スズを含まない好適な触媒としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ジルコニウムおよびチタン化合物が挙げられる。ＤＥ４２１０３４９Ａ１には、縮合反応によって室温で架橋するシリコーンゴムの調製における、チタン酸テトラブチル、ジブチル－ビス（メチルアセトアセタト）チタネート、ジイソプロピル－ビス（メチルアセトアセタト）チタネートおよびジイソブチル－ビス（エチルアセトアセタト）チタネートの使用が記載されてい
る。ＥＰ０１０２２６８Ａ１には、例えば、有機ジルコニウム化合物を触媒として含む、単一成分のシリコーン樹脂化合物が開示されている。

現在までのところ、スズを含まない触媒の使用の主な欠点は、触媒活性が比較的低いこと、および特にシリコーンゴム化合物の引裂強度が低いことに基づいて、関連する力学的特性が不十分であることである。

欧州特許第０２９８８７７号明細書 欧州特許出願公開第０１０２２６８号明細書

ゆえに、本発明の目的は、スズ含有量が少ない触媒の使用またはスズを含まない触媒の使用が、改善された力学的特性を特徴とするシリコーンゴム化合物をもたらす組成物を提供することである。

ゆえに、本発明の本質は、少なくとも１つの金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物を含む硬化性シリコーンゴム化合物の組成物、少なくとも１つの金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物を含む硬化性シリコーンゴム化合物を調製するための方法、ならびにシーラント、接着材、ポッティング化合物および／またはコーティング剤としての、少なくとも１つの金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物を含む硬化性シリコーンゴム化合物の使用である。この場合、金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物は、好ましくは、触媒的に活性な量でシリコーンゴム化合物において使用される。

したがって、本発明の目的は、請求項１に記載の組成物、請求項１６に明記された方法、請求項１４および１９に明記された使用、ならびに請求項１７に明記されたシーリング材によって達成される。好都合な実施形態が、それぞれの従属請求項の主題である。

１つの好都合な実施形態において、本発明の目的は、金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物を硬化性シリコーン組成物中で触媒として使用することによって達成され、ここで、その金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物のモル濃度は、シーリング材１ｋｇあたり０．００００１ｍｏｌ～０．０１ｍｏｌの範囲内、好ましくは、シーリング材１ｋｇあたり０．００００５ｍｏｌ～０．００５ｍｏｌの範囲内、より好ましくは、シーリング材１ｋｇあたり０．００００７ｍｏｌ～０．００１９ｍｏｌの範囲内である。

好ましい実施形態において、金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物は、硬化性シリコーン組成物中で触媒として使用され、ここで、その金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物のモル濃度は、組成物１ｋｇあたり０．００００１ｍｏｌ～０．０１ｍｏｌの範囲内、好ましくは、組成物１ｋｇあたり０．００００５ｍｏｌ～０．００５ｍｏｌの範囲内、より好ましくは、組成物１ｋｇあたり０．００００７ｍｏｌ～０．００１９ｍｏｌの範囲内である。

本発明の目的は、有益なことに、少なくとも１つの金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物を硬化性シリコーン組成物中で触媒として使用することによって達成される。金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物は、例えば、ＷＯ２００５／０６０６７１Ａ２およびＥＰ２７９６４９３Ａ１から、原則として当業者に公知である。

さらに、本発明の目的は、少なくとも１つの金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物を硬化性シリコーン組成物中で触媒として使用することによって達成され、ここで、その金属シロキサン－シラノール化合物の重量基準の割合は、０．００１～０．５％の範囲内、好ましくは、０．００６～０．１７％の範囲内である。

本発明の目的として、「シリコーンゴム化合物」は、シリコーンを含有する合成ゴム化合物であり、本発明の範囲において、ゴムポリマー、ポリ縮合物およびポリ付加物を含む用語である硬化性シリコーン組成物と交換可能に称される。前記化合物または組成物はそれぞれ、好適な架橋剤による架橋によって、高度に弾性の硬化状態に変換され得る。さらに、それらは、塑性成形可能な混合物であり、その混合物は、例えば、α，ω－ジヒドロキシポリオルガノシロキサンおよび好適な硬化剤または架橋剤をそれぞれ含み、水分の非存在下において保存され得るが、しかしながら、これらのシリコーンゴム化合物は、水または大気中の水分の影響下では室温で重合する。

本発明の目的として、「シラノール」は、少なくとも１つのヒドロキシル基（ＯＨ）がケイ素原子に結合された有機ケイ素化合物（≡Ｓｉ－ＯＨ）である。

本発明の目的として、「シラノレート」は、少なくとも１つの脱プロトン化ヒドロキシ官能基（Ｒ－Ｏ ^－ ）がケイ素原子に結合した有機ケイ素化合物（≡Ｓｉ－Ｏ ^－ ）であり、ここで、この負に帯電した酸素原子は、例えば金属などの他の化合物にも結合され得、かつ／または配位結合され得る。

用語「金属シロキサン－シラノール（シラノレート）」とは、１つまたはそれを超えるシラノールおよび／またはシラノレート基を含むあらゆる金属シロキサン化合物を指す。本発明の１つの実施形態において、金属シロキサン－シラノレートだけが存在することも可能である。これらの異なる立体配座の間に詳細な区別がなされない限り、すべての組み合わせが含められる。すぐ前で説明したような金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物（＝金属シロキサン－シラノール／シラノレート化合物）は、下記では「Ｍ３Ｓ」化合物とも称される。これらの用語は、下記において交換可能に使用される。

用語「触媒」とは、所与の反応の活性化エネルギーを低下させる物質であって、そのように低下させるとき、反応速度を高める物質を指す。

特に、本発明の目的物は、以下の構成要素：
ａ．一般式ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈを有する少なくとも１つのシリコーン化合物であって、式中、Ｒ ^ｌ およびＲ ^ｍ は、互いに独立して、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、ｏは、５～４，０００の整数である、シリコーン化合物、
ｂ．触媒であって、前記触媒は、特に、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群より選択される金属を含む少なくとも１つの金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物を含む、触媒、ならびに
ｃ．一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ を有する少なくとも１つの架橋剤であって、式中、各Ｒは、互いに独立して、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２～Ｃ１６アルケニル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、ｍは、０～２の整数であり、各Ｒ ^ａ は、互いに独立して、以下：
・一般構造式（Ｉ）：

を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカルであって、式中、
各Ｒ ^ｂ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ^ｃ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｄ は、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｅ は、Ｃ、または１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｎは、１～１０の整数である、
ヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
・一般構造式（ＩＩ）：

を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカルであって、式中、
各Ｒ ^ｎ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ^ｏ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｐ およびＲ ^ｑ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｒ は、Ｃ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｐは、１～１０の整数である、
ヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
・カルボン酸ラジカル－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｒ ^ｆ であって、式中、Ｒ ^ｆ は、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、カルボン酸ラジカル、
・オキシムラジカル－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ ^ｇ Ｒ ^ｈ であって、式中、Ｒ ^ｇ およびＲ ^ｈ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、オキシムラジカル、
・カルボン酸アミドラジカル－Ｎ（Ｒ ^ｉ ）－Ｃ（Ｏ）－Ｒ ^ｊ であって、式中、Ｒ ^ｉ は、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表し、Ｒ ^ｊ は、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、カルボン酸アミドラジカル、および
・アルコキシラジカル－ＯＲ ^ｋ であって、式中、Ｒ ^ｋ は、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、アルコキシラジカル
からなる群より選択される、架橋剤
を混合することによって取得され得る、組成物である。

驚くべきことに、請求項１において定義される金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物は、シリコーンゴム化合物において触媒として使用されるとき、特に高い触媒活性を示すことが見出された。特に、触媒としての金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物の高い触媒活性は、水分硬化シリコーンゴム化合物において見出された。高い触媒活性のおかげで、シリコーンゴム化合物中の触媒の量を有意に減少させることが可能である。触媒的に活性な金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物を使用することによって、スズ触媒の使用を最小限に抑えることまたは使用を止めることすら可能である。

本組成物は、一般式ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈを有するシリコーン化合物および一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ を有する架橋剤を、プレポリマーの形態で含み得る。そのプレポリマーは、それら２つの構成成分の反応産物である。これらの反応は、公知であり、エンドキャッピングとも称される（例えば、ＷＯ２０１６／１４６６４８Ａ１を参照のこと）。

すぐ前で説明したようなプレポリマーの形成だけでなく、その後の重合または縮合も、それぞれ、水または大気中の水分の存在下および請求項１に定義される触媒の存在下において生じて、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を形成することが示された。それは、Ｍ３Ｓ化合物が、エンドキャッピングだけでなく、シリコーン化合物の硬化も促進することを意味する。さらに、好ましい実施形態では、たった１つの作業工程でシリコーンゴム化合物を得ること
が可能である。

この場合、驚くべきことに、シリコーンゴム化合物においてＭ３Ｓを使用すると、シリコーンゴム化合物の力学的特性の改善、特に、引裂強度の改善がもたらされることが見出された。

「引裂強度」は、様々な試験方法によって決定され得るポリマーの力学的特性の１つである。「引裂強度」は、供試体が引張り試験において破損した瞬間の引張り応力によって決定され得る。

「破断点伸び」は、供試体が破断した後の、最初の長さに対する長さの変化の比である。前記破断点伸びは、材料が亀裂なく形状の変化に耐える能力のことを表す。破断点伸びは、引張り試験においてＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ８３３９およびＤＩＮ５３５０４に則って決定される。

「引張り応力値」は、シーリング材の１００％の伸びにおいて、それぞれ接着面または隣接する建材に対して作用される応力を定義する。

「割線係数」とは、応力－ひずみ線図の曲線の任意の点における応力とひずみとの比を指す。それは、応力－ひずみ曲線の始まりからその曲線上の任意の点までの曲線の傾きである。

「弾性回復」は、膨張または変形を引き起こした力を解除した後、元の寸法のすべてまたは一部を取り戻す可撓性支持体の傾向を記載する。平均弾性回復は、ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ７３８９に則って決定される。

用語「架橋剤」は、特に、加水分解によって切り離され得る少なくとも２つの基を含む架橋可能なシラン化合物を意味するものとする。そのような架橋可能なシラン化合物の例は、Ｓｉ（ＯＣＨ _３ ） _４ 、Ｓｉ（ＣＨ _３ ）（ＯＣＨ _３ ） _３ およびＳｉ（ＣＨ _３ ）（Ｃ _２ Ｈ _５ ）（ＯＣＨ _３ ） _２ である。架橋剤は、硬化剤とも称されることがある。特に、「架橋剤」は、特に、１つより多い架橋可能なシラン化合物を含み得る「架橋剤系」も含む。

本発明の目的として、「ケージ」またはオリゴマーもしくはポリマーの「ケージ構造」は、鎖の形状の金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物の３次元配置を意味するものとし、ここで、その鎖の個々の原子は、当該化合物の多面体の基本構造の礎石を形成する。この場合、少なくとも２つの面が、互いに連結した原子によって定義され、その結果は、共通の交点である。その化合物の１つの実施形態において、例えば、その化合物の立方体の形状の基本構造が形成される。

「シーラント」または「シーリング化合物」とは、特に、水、気体または他の媒質に対して表面をシールするために、液体～粘性の形態または可撓性のプロファイルもしくはウェブとして適用される弾性材料を指す。

用語「接着材」とは、表面粘着（接着）および／または内部強度（凝集）によって接合部材を結合する物質を指す。この用語は、特に、にかわ、ペースト剤、分散接着材、溶媒ベースの接着材、反応接着材および接触接着材を網羅する。

「コーティング剤」は、表面をコーティングするあらゆる手段である。

本発明によると、「ポッティング化合物」または「ケーブルポッティング化合物」は、
ケーブルおよび／またはケーブル付属品をポッティングする目的で高温状態または低温状態において処理される化合物である。

用語「アルキル基」は、飽和炭化水素鎖を意味するものとする。アルキル基は、特に、一般式－Ｃ _ｎ Ｈ _２ｎ＋１ を有する。用語「Ｃ１～Ｃ１６アルキル基」とは、特に、その鎖に１～１６個の炭素原子を有する飽和炭化水素鎖を指す。Ｃ１～Ｃ１６アルキル基の例は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ－ブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ｎ－ペンチルおよびエチルヘキシルである。同様に、「Ｃ１～Ｃ８アルキル基」とは、特に、その鎖に１～８個の炭素原子を有する飽和炭化水素鎖を指す。特に、アルキル基は、置換されてもよいことが明確に示されていなくても、置換されてよい。

「直鎖アルキル基」とは、分枝を含まないアルキル基を指す。直鎖アルキル基の例は、メチル、エチル、ｎ－プロピル、ｎ－ブチル、ｎ－ペンチル、ｎ－ヘキシル、ｎ－ヘプチルおよびｎ－オクチルである。

「分枝鎖アルキル基」とは、直鎖ではないアルキル基を指し、ゆえに、特に、その炭化水素鎖は、枝分かれを有する。分枝鎖アルキル基の例は、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ－ブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ｓｅｃ－ペンチル、３－ペンチル、２－メチルブチル、イソペンチル、３－メチルブタ－２－イル、２－メチルブタ－２－イル、ネオペンチル、エチルヘキシルおよび２－エチルヘキシルである。

「アルケニル基」とは、鎖に沿って少なくとも１つの二重結合を含む炭化水素鎖を指す。例えば、二重結合を有するアルケニル基は、特に、一般式－Ｃ _ｎ Ｈ _２ｎ－１ を有する。しかしながら、アルケニル基は、１つより多い二重結合も有し得る。用語「Ｃ２～Ｃ１６アルケニル基」は、特に、その鎖に２～１６個の炭素原子を有する炭化水素鎖を指す。この場合、水素原子の数は、アルケニル基における二重結合の数に応じて変化する。アルケニル基の例は、ビニル、アリル、２－ブテニルおよび２－ヘキセニルである。

「直鎖アルケニル基」とは、分枝を含まないアルケニル基を指す。直鎖アルケニル基の例は、ビニル、アリル、ｎ－２－ブテニルおよびｎ－２－ヘキセニルである。

「分枝鎖アルケニル基」とは、直鎖ではないアルケニル基を指し、ゆえに、特に、その炭化水素鎖は、枝分かれを有する。分枝鎖アルケニル基の例は、２－メチル－２－プロペニル、２－メチル－２－ブテニルおよび２－エチル－２－ペンテニルである。

「アリール基」とは、単環式環系（例えば、フェニル）、二環式環系（例えば、インデニル、ナフタレニル、テトラヒドロナフチルまたはテトラヒドロインデニル）および三環式環系（例えば、フルオレニル、テトラヒドロフルオレニル、アントラセニルまたはテトラヒドロアントラセニル）を指し、ここで、単環式環系、または二環式もしくは三環式環系における環の少なくとも１つは、芳香族である。特に、Ｃ４～Ｃ１４アリール基とは、４～１４個の炭素原子を有するアリール基を指す。アリール基は、特に、置換されてもよいことが明確に示されていなくても、置換されてよい。

「芳香族基」とは、芳香族系を有する、環状で平面状の炭化水素を指す。４～１４個の炭素原子を有する芳香族基は、特に、４～１４個の炭素原子を含む芳香族基を指す。芳香族基は、特に、単環式、二環式または三環式であり得る。さらに、芳香族基は、Ｎ、ＯおよびＳからなる群より選択される１～５個のヘテロ原子も含み得る。芳香族基の例は、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フラン、ピロール、チオフェン、イソオキサゾール、ピリジンおよびキノリンであり、ここで、上述の例では、対応する構造式への組み込みを可能にするために、必要な数の水素原子が、各場合において除去され
る。

「シクロアルキル基」とは、芳香族ではない炭化水素環を指す。特に、４～１４個の炭素原子を有するシクロアルキル基とは、４～１４個の炭素原子を有する非芳香族炭化水素環を指す。シクロアルキル基は、飽和または部分不飽和であり得る。飽和シクロアルキル基は、芳香族ではなく、また、二重結合も三重結合も有しない。飽和シクロアルキル基とは対照的に、部分不飽和シクロアルキル基は、少なくとも１つの二重結合または三重結合を有するが、そのシクロアルキル基は、芳香族ではない。シクロアルキル基もまた、特に、置換されてもよいことが明確に示されていなくても、置換されてよい。

「アラルキル基」とは、アリール基で置換されたアルキル基を指す。「Ｃ５～Ｃ１５アラルキル基」とは、特に、５～１５個の炭素原子を有するアラルキル基を指し、ここで、そのアルキル基とアリール基の両方の炭素原子が、その炭素原子数の中に含められる。アラルキル基の例は、ベンジルおよびフェニルエチルである。アラルキル基もまた、特に、置換されてもよいことが明確に示されていなくても、置換されてよい。

「環式環系」とは、芳香族ではない炭化水素環を指す。特に、４～１４個の炭素原子を有する環式環系とは、４～１４個の炭素原子を有する非芳香族炭化水素環系を指す。環式環系は、単一の炭化水素環（単環式）、２つの炭化水素環（二環式）または３つの炭化水素環（三環式）からなり得る。特に、環式環系は、好ましくはＮ、ＯおよびＳからなる群より選択される１～５個のヘテロ原子も含み得る。

「飽和環式環系」は、芳香族ではなく、また、二重結合も三重結合も有しない。飽和環式環系の例は、シクロペンタン、シクロヘキサン、デカリン、ノルボルナンおよび４Ｈ－ピランであり、ここで、上述の例では、対応する構造式への組み込みを可能にするために、各場合において、必要な数の水素原子が除去される。例えば、構造式ＨＯ－Ｒ ^＊ －ＣＨ _３ （式中、Ｒ ^＊ は、６つの炭素原子を有する環式環系、特に、シクロヘキサンである）において、２つの水素原子が、その構造式への組み込みを可能にするために、その環式環系、特に、シクロヘキサンから除去され得る。

別段述べられない限り、Ｎは、特に窒素を表す。さらに、別段述べられない限り、Ｏは、特に酸素を表す。別段述べられない限り、Ｓは、特に硫黄を表す。

「必要に応じて置換される」は、それぞれ対応する基または対応するラジカルにおける水素原子が、置換基で置き換えられてもよいことを意味する。置換基は、特に、Ｃ１～Ｃ４アルキル、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、ベンジル、ハロゲン、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ヒドロキシ、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、Ｃ１～Ｃ４アルコキシ、フェノキシ、ベンジルオキシ、シアノ、ニトロおよびチオからなる群より選択され得る。ある基が、必要に応じて置換されると言及される場合、その基の０～５０個、特に、０～２０個の水素原子が、置換基によって置き換えられてもよい。ある基が置換される場合、少なくとも１つの水素原子が、置換基によって置き換えられる。

「アルコキシ」とは、主要な炭素鎖に酸素原子を介して連結されるアルキル基を指す。

用語「ポリシロキサン」は、少なくとも１つの有機シリコーン化合物、好ましくは、２つ、３つまたはそれを超える異なる有機シリコーン化合物を含む本発明の組成物を記載する。本組成物に含められる有機シリコーン化合物は、好ましくは、オリゴマーまたはポリマーの化合物である。ポリマーの有機シリコーン化合物は、好ましくは、二官能性ポリオルガノシロキサン化合物、より好ましくは、α，ω－ジヒドロキシル末端化ポリオルガノシロキサンである。α，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジオルガノシロキサン、特に、α
，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジアルキルシロキサン、α，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジアルケニルシロキサンまたはα，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジアリールシロキサンが、非常に強く優先される。ホモポリマーのα，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジオルガノシロキサンに加えて、

異なる有機置換基を有する、ヘテロポリマーのα，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジオルガノシロキサンを使用することも可能であり、ここで、ケイ素原子上に同一の有機置換基を有するモノマーのコポリマーだけでなく、様々な有機置換基を有するモノマーのコポリマー、例えば、混合されたアルキル、アルケニルおよび／またはアリール置換基を有するものも、ケイ素原子上に含められる。好ましい有機置換基は、１～８個の炭素原子を有する直鎖および分枝鎖のアルキル基、特に、メチル、エチル、ｎ－およびｉｓｏ－プロピル、ならびにｎ－、ｓｅｃ－およびｔｅｒｔ－ブチル、ビニルおよびフェニルを含む。この場合、個々の有機置換基における、炭素に結合した個々のまたはすべての水素原子が、従来の置換基（例えば、ハロゲン原子または官能基、例えば、ヒドロキシルおよび／またはアミノ基）によって置換され得る。結果として、部分的にフッ素置換されたもしくは全フッ素置換された有機置換基を有するα，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジオルガノシロキサン、またはケイ素原子上にヒドロキシルおよび／もしくはアミノ基で置換された有機置換基を有するα，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジオルガノシロキサンを使用することが可能である。

有機シリコーン化合物の特に好ましい例は、α，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジアルキルシロキサン（例えば、α，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジメチルシロキサン、α，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジエチルシロキサンまたはα，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジビニルシロキサン）およびα，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジアリールシロキサン（例えば、α，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジフェニルシロキサン）である。この場合、５，０００～１２０，０００ｃＳｔの動粘性率（２５℃において）を有するポリオルガノシロキサン、特に、２０，０００～１００，０００ｃＳｔの粘度を有するもの、より好ましくは、４０，０００～９０，０００ｃＳｔの粘度を有するものが優先される。異なる粘度を有するポリジオルガノシロキサンの混合物を使用することも可能である。

用語「シーリング材」は、本明細書中で使用されるとき、請求項のいずれか１項に記載の、硬化した本発明の組成物を記載する。

本発明の好都合な実施形態を、下記で詳細に説明する。

本発明の一つの実施形態は、以下の構成要素：
ａ．一般式ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈを有する少なくとも１つのシリコーン化合物であって、式中、Ｒ ^ｌ およびＲ ^ｍ は、互いに独立して、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、ｏは、５～４，０００の整数である、シリコーン化合物、
ｂ．触媒であって、前記触媒は、特に、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群より選択される金属を含む少なくとも１つの金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物を含む、触媒、ならびに
ｃ．一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ を有する少なくとも１つの架橋剤であって、式中、各Ｒは、互いに独立して、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２～Ｃ１６アルケニル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、ｍは、０～２の整数であり、各Ｒ ^ａ は、互いに独立して、以下：
・一般構造式（Ｉ）：

を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカルであって、式中、
各Ｒ ^ｂ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ^ｃ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｄ は、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｅ は、Ｃ、または１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｎは、１～１０の整数である、
ヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
・一般構造式（ＩＩ）：

を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカルであって、式中、
各Ｒ ^ｎ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ^ｏ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｐ およびＲ ^ｑ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｒ は、Ｃ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｐは、１～１０の整数である、
ヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
・カルボン酸ラジカル－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｒ ^ｆ であって、式中、Ｒ ^ｆ は、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、カルボン酸ラジカル、
・オキシムラジカル－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ ^ｇ Ｒ ^ｈ であって、式中、Ｒ ^ｇ およびＲ ^ｈ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、オキシムラジカル、
・カルボン酸アミドラジカル－Ｎ（Ｒ ^ｉ ）－Ｃ（Ｏ）－Ｒ ^ｊ であって、式中、Ｒ ^ｉ は、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表し、Ｒ ^ｊ は、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、カルボン酸アミドラジカル、および
・アルコキシラジカル－ＯＲ ^ｋ であって、式中、Ｒ ^ｋ は、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、アルコキシラジカル
からなる群より選択される、架橋剤
を含む組成物を記載する。

本発明の１つの実施形態によると、硬化性シリコーンゴム化合物の組成物は、少なくとも１つの金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物を含み、ここで、その金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物は、０．００１～０．５％の範囲内、好ましくは、０．００６～０．１７％の範囲内の重量基準の割合で存在する。特に、その金属シロキサンシラノール（シラノレート）化合物は、触媒活性を示す。様々な実施形態における本発明の組成物は、組成物１ｋｇあたり０．００００１ｍｏｌ～０．０１ｍｏｌの範囲内、好ましくは、組成物１ｋｇあたり０．００００５ｍｏｌ～０．００５ｍｏｌの範囲内、より好ましくは、組成物１ｋｇあたり０．００００７ｍｏｌ～０．００１９ｍｏｌの範囲内のモル濃度でＭ３Ｓ触媒を含む。

本発明の１つの実施形態において、Ｍ３Ｓ化合物は、モノマー、オリゴマーおよび／またはポリマーの形態であり得、ここで、オリゴマーからポリマーへの移行は、一般的な定義によると流動的である。

好ましくは、オリゴマーおよび／またはポリマーのＭ３Ｓ化合物における金属は、鎖の末端および／または内部に存在する。

１つの実施形態において、鎖の形状のＭ３Ｓ化合物は、直鎖状、分枝状および／またはケージである。

好ましい実施形態において、鎖の形状の金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物は、ケージ構造を有する。

好ましくは、本発明のＭ３Ｓ化合物は、オリゴマー金属シルセスキオキサンを含む。

特に、本発明のＭ３Ｓ化合物は、多面体金属シルセスキオキサンを含む。

一つの実施形態において、本発明の組成物の金属シルセスキオキサンは、一般式Ｒ ^＊ _ｑ Ｓｉ _ｒ Ｏ _ｓ Ｍ _ｔ を有し、式中、各Ｒ ^＊ は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニル、必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリール、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）からなる群より選択され、
各Ｍは、互いに独立して、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、
特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群
より選択され、
ｑは、４～１９の整数であり、
ｒは、４～１０の整数であり、
ｓは、８～３０の整数であり、
ｔは、１～８の整数である。

別の実施形態において、本発明に係る組成物の金属シルセスキオキサンは、一般式Ｒ ^＃ _４ Ｓｉ _４ Ｏ _１１ Ｙ _２ Ｑ _２ Ｘ _４ Ｚ _３ を有し、式中、各Ｘは、互いに独立して、Ｓｉ、Ｍ ^１ 、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ 、Ｍ ^３ または－Ｓｉ（Ｒ ^８ ）－Ｏ－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ からなる群より選択され、Ｍ ^１ およびＭ ^３ は、互いに独立して、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、Ｌ ^１ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^１ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、Ｒ ^８ は、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
各Ｚは、互いに独立して、Ｌ ^２ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ からなる群より選択され、ここで、Ｌ ^２ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^２ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され；
Ｒ ^＃ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ の各々は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリールからなる群より選択され；各Ｙは、互いに独立して、－Ｏ－Ｍ ^２ －Ｌ ^３ _Δ を表すか、または２つのＹが、一体となり、一体となって、－Ｏ－Ｍ ^２ （Ｌ ^３ _Δ ）－Ｏ－または－Ｏ－を表し
、
Ｌ ^３ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^３ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、
各Ｍ ^２ は、互いに独立して、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
各Ｑは、互いに独立して、Ｈ、Ｍ ^４ Ｌ ^４ _Δ 、－ＳｉＲ ^８ 、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ 、ＸのＭ ^３ に連結する単結合、またはラジカル－Ｓｉ（Ｒ ^８ ）－Ｏ－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、ここで、Ｍ ^３ 、Ｒ ^８ およびＬ ^１ は、Ｘについての通りに定義され、
Ｍ ^４ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、Ｌ ^４ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^４ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択されるが、
但し、少なくとも１つのＸは、Ｍ ^３ 、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ または－Ｓｉ（Ｒ ^８ ）－Ｏ－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表すことを条件とする。

Ｌ ^１ _Δ 、Ｌ ^２ _Δ 、Ｌ ^３ _Δ 、Ｌ ^４ _Δ に対して存在し得る配位子の数（Δ）は、使用される金属原子の自由原子価の数値から直接決定され、その原子価の数値は、その金属の原子価を記述していることは、当業者に公知である。

さらなる実施形態において、本発明の組成物の金属シルセスキオキサンは、一般式（Ｙ _０．２５ Ｒ ^＃ ＳｉＯ _１．２５ ） _４ （Ｚ _０．７５ Ｙ _０．２５ ＸＯ） _４ （ＯＱ） _２ を有し、式中、各Ｘは、互いに独立して、Ｓｉ、Ｍ ^１ 、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ 、Ｍ ^３ または－Ｓｉ（Ｒ ^８ ）－Ｏ－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ からなる群より選択され、Ｍ ^１ およびＭ ^３ は、互いに独立して、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、Ｌ ^１ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^１ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、Ｒ ^８ は、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ６シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ６～Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
各Ｚは、互いに独立して、Ｌ ^２ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ からなる群より選択され、ここで、Ｌ ^２ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^２
は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され；
Ｒ ^＃ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ の各々は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ６シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ６～Ｃ１０アリールからなる群より選択され；各Ｙは、互いに独立して、－Ｏ－Ｍ ^２ －Ｌ ^３ _Δ を表すか、または２つのＹが、一体となり、一体となって、－Ｏ－Ｍ ^２ （Ｌ ^３ _Δ ）－Ｏ－または－Ｏ－を表し、
Ｌ ^３ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^３ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、
各Ｍ ^２ は、互いに独立して、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
各Ｑは、互いに独立して、Ｈ、Ｍ ^４ Ｌ ^４ _Δ 、－ＳｉＲ ^８ 、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ 、ＸのＭ ^３ に連結する単結合、またはラジカル－Ｓｉ（Ｒ ^８ ）－Ｏ－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、ここで、Ｍ ^３ 、Ｒ ^８ およびＬ ^１ は、Ｘについての通りに定義され、
Ｍ ^４ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、Ｌ ^４ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^４ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択されるが、
但し、少なくとも１つのＸは、Ｍ ^３ 、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ または－Ｓｉ（Ｒ ^８ ）－Ｏ－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表すことを条件とする。

本発明の金属シルセスキオキサンは、好ましくは、一般式Ｓｉ _４ Ｏ _９ Ｒ ^１ Ｒ ^２ Ｒ ^３ Ｒ ^４ Ｘ ^１ Ｘ ^２ Ｘ ^３ Ｘ ^４ ＯＱ ^１ ＯＱ ^２ Ｙ ^１ Ｙ ^２ Ｚ ^１ Ｚ ^２ Ｚ ^３ を有し、式中、
Ｘ ^１ 、Ｘ ^２ およびＸ ^３ は、互いに独立して、ＳｉまたはＭ ^１ から選択され、ここで、Ｍ ^１ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ ^１ 、Ｚ ^２ およびＺ ^３ は、互いに独立して、Ｌ ^２ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ からなる群より選択され、ここで、Ｌ ^２ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^２ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され；
Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ は、互いに独立して、必要に応じて置換
されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
Ｙ ^１ およびＹ ^２ は、互いに独立して、－Ｏ－Ｍ ^２ －Ｌ ^３ _Δ を表すか、またはＹ ^１ およびＹ ^２ は、一体となり、一体となって－Ｏ－Ｍ ^２ （Ｌ ^３ _Δ ）－Ｏ－または－Ｏ－を表し、
ここで、Ｌ ^３ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^３ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ^２ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｘ ^４ は、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ またはＭ ^３ を表し、Ｑ ^１ およびＱ ^２ は、各場合において、ＨまたはＭ ^３ に連結する単結合を表し、ここで、Ｌ ^１ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^１ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ^３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択されるか、または
Ｘ ^４ は、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表し、Ｑ ^２ は、Ｈ、またはＭ ^３ に連結する単結合を表し、
Ｑ ^１ は、Ｈ、Ｍ ^４ Ｌ ^４ _Δ または－ＳｉＲ ^８ を表し、ここで、Ｍ ^４ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第２、第３、第４、第５および第８亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、特に、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｐｔ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｌ ^４ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、または
Ｌ ^４ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、Ｒ ^８ は、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリールからなる群より選択されるか、
または
Ｘ ^４ 、Ｑ ^１ およびＱ ^２ は、互いに独立して、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表すか、
または
Ｘ ^４ は、－Ｓｉ（Ｒ ^８ ）－Ｏ－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表し、Ｑ ^２ は、Ｘ ^４ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、Ｑ ^１ は、－Ｍ ^４ Ｌ ^４ _Δ を表すか、
または
Ｘ ^４ は、－Ｓｉ（Ｒ ^８ ）－Ｏ－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表し、Ｑ ^２ は、Ｘ ^４ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、Ｑ ^１ は、Ｘ ^４ のＭ ^３ 原子に連結する単結合を表す。

さらなる実施形態において、金属シルセスキオキサンは、一般式（Ｘ ^４ ）（Ｚ ^１ Ｙ ^１ Ｘ ^２ Ｏ）（Ｚ ^２ Ｘ ^１ Ｏ _２ ）（Ｚ ^３ Ｘ ^３ Ｏ _２ ）（Ｒ ^１ Ｙ ^２ ＳｉＯ）（Ｒ ^３ ＳｉＯ）（Ｒ ^４ Ｓｉ
Ｏ _２ ）（Ｒ ^２ ＳｉＯ _２ ）（Ｑ ^１ ）（Ｑ ^２ ）を有し、式中、
Ｘ ^１ 、Ｘ ^２ およびＸ ^３ は、互いに独立して、ＳｉまたはＭ ^１ から選択され、ここで、Ｍ ^１ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ ^１ 、Ｚ ^２ およびＺ ^３ は、互いに独立して、Ｌ ^２ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ からなる群より選択され、ここで、Ｌ ^２ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^２ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され；
Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ６シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ６～Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
Ｙ ^１ およびＹ ^２ は、互いに独立して、－Ｏ－Ｍ ^２ －Ｌ ^３ _Δ を表すか、またはＹ ^１ およびＹ ^２ は、一体となり、一体となって－Ｏ－Ｍ ^２ （Ｌ ^３ _Δ ）－Ｏ－または－Ｏ－を表し、
ここで、Ｌ ^３ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^３ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ^２ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｘ ^４ は、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ またはＭ ^３ を表し、Ｑ ^１ およびＱ ^２ は、各場合において、ＨまたはＭ ^３ に連結する単結合を表し、ここで、Ｌ ^１ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^１ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ^３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択されるか、または
Ｘ ^４ は、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表し、Ｑ ^２ は、Ｈ、またはＭ ^３ に連結する単結合を表し、
Ｑ ^１ は、Ｈ、Ｍ ^４ Ｌ ^４ _Δ または－ＳｉＲ ^８ を表し、ここで、Ｍ ^４ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第２、第３、第４、第５および第８亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、特に、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｐｔ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｌ ^４ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、または
Ｌ ^４ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－
Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、Ｒ ^８ は、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ６シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ６～Ｃ１０アリールからなる群より選択されるか、
または
Ｘ ^４ 、Ｑ ^１ およびＱ ^２ は、互いに独立して、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表すか、
または
Ｘ ^４ は、－Ｓｉ（Ｒ ^８ ）－Ｏ－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表し、Ｑ ^２ は、Ｘ ^４ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、Ｑ ^１ は、－Ｍ ^４ Ｌ ^４ _Δ を表すか、
または
Ｘ ^４ は、－Ｓｉ（Ｒ ^８ ）－Ｏ－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表し、Ｑ ^２ は、Ｘ ^４ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、Ｑ ^１ は、Ｘ ^４ のＭ ^３ 原子に連結する単結合を表す。

好ましい実施形態では、金属シルセスキオキサンは、一般式（ＩＩＩ）

を有し、式中、
Ｘ ^１ 、Ｘ ^２ およびＸ ^３ は、互いに独立して、ＳｉまたはＭ ^１ から選択され、ここで、Ｍ ^１ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ ^１ 、Ｚ ^２ およびＺ ^３ は、互いに独立して、Ｌ ^２ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ からなる群より選択され、ここで、Ｌ ^２ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^２ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され；
Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
Ｙ ^１ およびＹ ^２ は、互いに独立して、－Ｏ－Ｍ ^２ －Ｌ ^３ _Δ を表すか、またはＹ ^１ およびＹ ^２ は、一体となり、一体となって－Ｏ－Ｍ ^２ （Ｌ ^３ _Δ ）－Ｏ－または－Ｏ－を表し、
ここで、Ｌ ^３ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^３ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、
Ｍ ^２ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｂｉからなる群より選択され、
Ｘ ^４ は、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ またはＭ ^３ を表し、Ｑ ^１ およびＱ ^２ は、各場合において、ＨまたはＭ ^３ に連結する単結合を表し、ここで、Ｌ ^１ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^１ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ^３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｂｉからなる群より選択されるか、または
Ｘ ^４ は、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表し、Ｑ ^２ は、Ｈ、またはＭ ^３ に連結する単結合を表し、
Ｑ ^１ は、Ｈ、Ｍ ^４ Ｌ ^４ _Δ または－ＳｉＲ ^８ を表し、ここで、Ｍ ^４ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群、より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｌ ^４ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、または
Ｌ ^４ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、Ｒ ^８ は、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ６シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ６～Ｃ１０アリールからなる群より選択されるか、
または
Ｘ ^４ 、Ｑ ^１ およびＱ ^２ は、互いに独立して、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表すか、
または
Ｘ ^４ は、－Ｓｉ（Ｒ ^８ ）－Ｏ－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表し、Ｑ ^２ は、Ｘ ^４ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、Ｑ ^１ は、－Ｍ ^４ Ｌ ^４ _Δ を表すか、
または
Ｘ ^４ は、－Ｓｉ（Ｒ ^８ ）－Ｏ－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表し、Ｑ ^２ は、Ｘ ^４ のＳｉ原子に連結する単結合を表し、Ｑ ^１ は、Ｘ ^４ のＭ ^３ 原子に連結する単結合を表す。

追加の好ましい実施形態において、金属シルセスキオキサンは、一般式（ＩＩＩ）を有し、式中、Ｘ ^１ 、Ｘ ^２ およびＸ ^３ は、互いに独立して、Ｓｉを表し、
Ｘ ^４ は、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表し、Ｑ ^１ およびＱ ^２ は、各場合において、Ｍ ^３ に連結する単結合を表し、Ｌ ^１ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^１ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ^３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１
０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ ^１ 、Ｚ ^２ およびＺ ^３ は各々、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリールから選択され、
Ｒ ^ｌ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ は各々、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリールから選択され、
Ｙ ^１ およびＹ ^２ は、一体となり、一体となって－Ｏ－を形成する。

１つの実施形態において、式（ＩＩＩ）に記載の金属シルセスキオキサンは、存在する金属当量に応じて、モノマー、ダイマー、トリマー、マルチマーおよび／またはそれらの混合物として、本発明の金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物に存在し得、例えば、式（ＩＩＩａ）～（ＩＩＩｃ）

に記載の構造が可能であり、式中、Ｍは、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、各Ｒは、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニル、必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリール、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）からなる群より選択される。この場合、四価金属Ｍは、いくつかのケージの共通部分である。同時に、金属Ｍへの結合の数が金属Ｍの原子価に左右されることは、当業者に公知である。必要であれば、構造式（ＩＩＩａ）～（ＩＩＩｃ）は、しかるべく適合されるべきである。

本発明の組成物の１つの実施形態では、式（ＩＩＩ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）および（ＩＩＩｃ）に記載の金属シルセスキオキサンの混合物が存在する。

一つの特に好ましい実施形態では、金属シルセスキオキサンは、一般式（ＩＶ）

を有し、式中、
Ｘ ^１ 、Ｘ ^２ およびＸ ^３ は、互いに独立して、ＳｉまたはＭ ^１ から選択され、ここで、Ｍ ^１ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ ^１ 、Ｚ ^２ およびＺ ^３ は、互いに独立して、Ｌ ^２ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ からなる群より選択され、ここで、Ｌ ^２ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^２ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され；
Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
Ｘ ^４ は、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表し、ここで、Ｌ ^１ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^１ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ^３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択される。

別の特に好ましい実施形態において、金属シルセスキオキサンは、一般構造式（Ｖ）

を有し、式中、Ｘ ^４ は、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表し、Ｌ ^１ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^１ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、
Ｍ ^３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃ
ｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ ^１ 、Ｚ ^２ およびＺ ^３ は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリールからなる群より選択され；
Ｒ ^ｌ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ およびＲ ^４ は各々、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリールからなる群より選択される。

さらに、本発明は、一般構造式（Ｖ）の金属シルセスキオキサンに関し、式中、Ｘ ^４ は、－Ｍ ^３ Ｌ ^１ _Δ を表し、Ｌ ^１ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^１ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、Ｍ ^３ は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、
Ｚ ^１ 、Ｚ ^２ およびＺ ^３ は、互いに独立して、Ｌ ^２ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ からなる群より選択され、Ｌ ^２ は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）、特に、－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ８アルキル）または－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ６アルキル）からなる群より選択されるか、またはＬ ^２ は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、
Ｒ ^１ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ 、Ｒ ^４ 、Ｒ ^５ 、Ｒ ^６ およびＲ ^７ は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリールからなる群より選択される。

さらに、本発明のＭ３Ｓ化合物における式（Ｖ）に記載の金属シルセスキオキサンは、６倍の配位金属中心を含むことができ、式（Ｖａ）

に記載の構造が可能であり、式中、各Ｍは、互いに独立して、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群、特に、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群、好ましくは、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群；より好ましくは、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択され、各Ｒは、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ１～Ｃ２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ３～Ｃ８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ２～Ｃ２０アルケニル、必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１０アリール、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ１～Ｃ１０アルキル）からなる群より選択される。

本発明に係る硬化性組成物において、金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物は、構造（ＩＩＩ）、（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）、（ＩＩＩｃ）、（ＩＶ）、（Ｖ）および（Ｖａ）を含む混合物であり得る。

１つの実施形態において、Ｍ３Ｓ化合物において定義されたケージ構造が、未定義のオリゴマーおよび／もしくはポリマー構造ならびに／またはそれらの混合物に加えて、存在する。

好ましい実施形態において、Ｍ３Ｓ化合物における金属は、チタンである。

特に好ましい実施形態において、本発明のＭ３Ｓ化合物の金属シルセスキオキサンは、構造（ＶＩ）

を有し、式中、チタンは、ＯＲに連結され、Ｒは、－Ｈ、－メチル、－エチル、－プロピル、－ブチル、－オクチル、－イソプロピルおよび－イソブチルからなる群より選択され、
Ｚ ^１ 、Ｚ ^２ およびＺ ^３ は各々、互いに独立して、Ｃ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ３～Ｃ８シクロアルキル、Ｃ２～Ｃ２０アルケニルおよびＣ５～Ｃ１０アリールを表し、特に、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビニル、アリル、ブテニルおよびフェニルおよびベンジルからなる群より選択され、Ｒ ^ｌ 、Ｒ ^２ 、Ｒ ^３ およびＲ ^４ は各々、互いに独立して、Ｃ１～Ｃ２０アルキル、Ｃ３～Ｃ８シクロアルキル、Ｃ２～Ｃ２０アルケニルおよびＣ５～Ｃ１０アリールを表し、特に、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビニル、アリル、ブテニルおよびフェニルおよびベンジルからなる群より選択される。

特に好ましい実施形態において、本発明のＭ３Ｓ化合物の金属シルセスキオキサンは、構造（ＶＩＩ）

を有し、式中、各Ｓｉは、イソブチルラジカルに連結され、チタンは、エタノラート配位子を有する。構造式（ＶＩＩ）の化合物は、本明細書中でＩＢＵ－ＰＯＳＳ－ＴＩ－ＯＥｔと称される。

特に好ましい実施形態において、金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物は、ＩＢＵ－ＰＯＳＳ－Ｔｉ－ＯＥｔである。

別の特に好ましい実施形態において、Ｍ３Ｓ化合物は、オクチル－ＰＯＳＳ－Ｔｉ－Ｏ
Ｅｔであり、式中、各Ｓｉは、オクチルラジカルに連結され、チタンは、エタノラート配位子を有する。

さらに、本発明は、一般式ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈのシリコーン化合物に関し、式中、ｏは、５～４，０００の整数である。

好ましい実施形態において、シリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈにおけるｏは、特に、１００～３，０００、５００～２，５００、８００～２，０００または１，０００～１，６００の整数である。

別の実施形態において、シリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈは、４００～５，０００，０００、特に、３，０００～２，５００，０００、１５，０００～１，０００，０００、３０，０００～７５０，０００、５０，０００～５００，０００または７０，０００～１２０，０００の重量平均分子量Ｍｗを有する。

さらに、本組成物は、２５℃において２０～５００，０００ｃＳｔの動粘性率を有するシリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈに関する。

好ましい実施形態において、シリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈは、２５℃において２０～３５０，０００ｃＳｔまたは２０，０００～１００，０００ｃＳｔまたは２０，０００～９０，０００ｃＳｔまたは２０，０００～８０，０００ｃＳｔの動粘性率を有する。

追加の好ましい実施形態において、本発明は、シリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ）ｏ－Ｈに関し、式中、Ｒ ^ｌ およびＲ ^ｍ は、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１～Ｃ１２またはＣ１～Ｃ８アルキル基、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ２～Ｃ１６アルケニル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２～Ｃ１２もしくはＣ２～Ｃ８アルケニル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基、特に、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０アリール基を表す。

特に好ましい実施形態において、本発明は、シリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈに関し、式中、Ｒ ^ｌ およびＲ ^ｍ は、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群より選択される。

特に好ましい実施形態において、本発明は、シリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈに関し、式中、そのシリコーン化合物は、α，ω－ジヒドロキシ－ジメチルポリシロキサンである。

さらに、本発明の組成物は、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ の架橋剤に関し、式中、各Ｒ ^ａ は、互いに独立して、
・一般構造式（Ｉ）：

を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
・一般構造式（ＩＩ）：

を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
・カルボン酸ラジカル－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｒ ^ｆ 、
・オキシムラジカル－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ ^ｇ Ｒ ^ｈ 、
・カルボン酸アミドラジカル－Ｎ（Ｒ ^ｉ ）－Ｃ（Ｏ）－Ｒ ^ｊ 、
・アルコキシラジカル－ＯＲ ^ｋ
からなる群より選択される。

好ましい実施形態において、架橋剤は、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ のラジカルＲを含み、式中、各ラジカルＲは、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１～Ｃ１２アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ８アルキル基または必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２～Ｃ１２アルケニル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２～Ｃ８アルケニル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０アリール基を表す。

特に好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ の架橋剤の各ラジカルＲは、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ビニル、フェニルまたはアリルラジカルを表す。

１つの実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ の架橋剤は、ラジカルＲ ^ａ －ＯＲ ^ｋ を含み、式中、Ｒ ^ｋ は、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１２アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１１アラルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ８アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ８シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１１アラルキル基である。

さらなる実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ の架橋剤は、ラジカルＲ ^ａ －ＯＲ ^ｋ を含み、式中、Ｒ ^ｋ は、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ペンチル、ｎ－ペンチル、ｓｅｃ－ペンチル、３－ペンチル、２－メチルブチル、イソペンチル、３－メチルブタ－２－イル、２－メチルブタ－２－イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシルおよび２－エチルヘキシルからなる群より選択される。

好ましい実施形態において、本発明の組成物は、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ の架橋剤を含み、各Ｒ ^ａ は、互いに独立して、以下：
・一般構造式（Ｉ）：

を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
・一般構造式（ＩＩ）：

を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
・カルボン酸ラジカル－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｒ ^ｆ 、
・オキシムラジカル－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ ^ｇ Ｒ ^ｈ 、
・カルボン酸アミドラジカル－Ｎ（Ｒ ^ｉ ）－Ｃ（Ｏ）－Ｒ ^ｊ 、
からなる群より選択され、式中、
各Ｒ ^ｂ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ^ｃ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｄ は、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｅ は、Ｃ、または１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｎは、１～１０の整数である、
各Ｒ ^ｎ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ^ｏ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｐ およびＲ ^ｑ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｒ は、Ｃ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族
基を表し、
ｐは、１～１０の整数である、
Ｒ ^ｆ は、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、Ｒ ^ｇ およびＲ ^ｈ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、
Ｒ ^ｉ は、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表し、Ｒ ^ｊ は、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す。

好ましい実施形態において、架橋剤は、ラジカルＲを含み、式中、各Ｒは、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１～Ｃ１２アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ８アルキル基、または必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２～Ｃ１２アルケニル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ２～Ｃ８アルケニル基、または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０アリール基を表す。

特に好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ の架橋剤の各ラジカルＲは、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ビニル、フェニルまたはアリルラジカルである。

１つの実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカルにおけるＲ ^ｂ およびＲ ^ｃ の各々は、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１～Ｃ１２アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１～Ｃ８アルキル基である。

好ましい実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカルにおけるＲ ^ｂ およびＲ ^ｃ の各々は、互いに独立して、Ｈ、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、イソブチルおよびｔｅｒｔ－ブチルからなる群、特に、Ｈおよびメチルからなる群より選択される。

１つの実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカルにおけるＲ ^ｄ は、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１～Ｃ１２アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１～Ｃ８アルキル基、Ｃ４～Ｃ１０シクロアルキル基、Ｃ５～Ｃ１１アラルキル基またはＣ４～Ｃ１０アリール基である。

好ましい実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカルにおけるＲ ^ｄ は、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ペンチル、ｎ－ペンチル、ｓｅｃ－ペンチル、３－ペンチル、２－メチルブチル
、イソペンチル、３－メチルブタ－２－イル、２－メチルブタ－２－イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシルおよび２－エチルヘキシルからなる群より選択される。

好ましい実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカルにおけるＲ ^ｅ は、二価のベンゼンラジカルであるか、またはＲ ^ｅ は、Ｃであり、Ｒ ^ｂ およびＲ ^ｃ は、Ｈであるか、またはＲ ^ｅ は、Ｃであり、Ｒ ^ｂ は、Ｈであり、Ｒ ^ｃ は、メチルである。

１つの実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸エステルラジカルにおけるｎは、１～５、特に、１～３の整数、特に、１である。

特に好ましい実施形態において、ヒドロキシカルボン酸エステルラジカルを有する架橋剤は、メチル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シランおよび／またはプロピル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シランである。

１つの実施形態において、本発明の組成物中の架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ^ｎ およびＲ ^ｏ の各々は、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１２アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ１～Ｃ８アルキル基である。

好ましい実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ^ｎ およびＲ ^ｏ の各々は、互いに独立して、Ｈ、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、イソブチルおよびｔｅｒｔ－ブチルからなる群、特に、Ｈおよびメチルからなる群より選択される。

別の実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ^ｐ およびＲ ^ｑ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１２アルキル基、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ８アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基またはＣ５～Ｃ１１アラルキル基またはＣ４～Ｃ１０アリール基である。

好ましい実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ^ｐ およびＲ ^ｑ は、互いに独立して、Ｈ、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ペンチル、ｎ－ペンチル、ｓｅｃ－ペンチル、３－ペンチル、２－メチルブチル、ｉｓｏ－ペンチル、３－メチルブタ－２－イル、２－メチルブタ－２－イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシルおよび２－エチルヘキシルからなる群より選択される。

１つの実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ^ｒ は、二価のベンゼンラジカルであるか、またはＲ ^ｒ は、Ｃであり、Ｒ ^ｎ およびＲ ^ｏ は、Ｈであるか、またはＲ ^ｒ は、Ｃであり、Ｒ ^ｎ は、Ｈであり、Ｒ ^ｏ は、メチルである。

さらなる実施形態において、架橋剤のヒドロキシカルボン酸アミドラジカルにおけるｐは、１～５、特に、１～３の整数、特に、１である。

１つの実施形態において、本発明の組成物の架橋剤のカルボン酸ラジカルにおけるＲ ^ｆ は、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１２アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１１アラルキル基、特に
、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ８アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ８シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１１アラルキル基である。

好ましい実施形態において、架橋剤のカルボン酸ラジカルにおけるＲ ^ｆ は、Ｈ、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ペンチル、ｎ－ペンチル、ｓｅｃ－ペンチル、３－ペンチル、２－メチルブチル、イソペンチル、３－メチルブタ－２－イル、２－メチルブタ－２－イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシルおよび２－エチルヘキシルからなる群より選択される。

特に好ましい実施形態において、カルボン酸ラジカルを有する架橋剤は、エチルトリアセトキシシランおよび／またはメチルトリアセトキシシランおよび／またはプロピルトリアセトキシシランである。

別の実施形態において、本発明の架橋剤のオキシムラジカルにおけるＲ ^ｇ およびＲ ^ｈ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１２アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１１アラルキル基、特に、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ８アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ８シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１１アラルキル基である。

好ましい実施形態において、架橋剤のオキシムラジカルにおけるＲ ^ｇ およびＲ ^ｈ は、互いに独立して、Ｈ、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ペンチル、ｎ－ペンチル、ｓｅｃ－ペンチル、３－ペンチル、２－メチルブチル、イソペンチル、３－メチルブタ－２－イル、２－メチルブタ－２－イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシルおよび２－エチルヘキシルからなる群より選択される。

特に好ましい実施形態において、オキシムラジカルを有する架橋剤は、メチル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シランおよび／またはビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シランである。

１つの実施形態において、本発明の架橋剤のカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ^ｉ およびＲ ^ｊ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１２アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１１アラルキル基、特に、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ８アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ８シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１１アラルキル基である。

好ましい実施形態において、架橋剤のカルボン酸アミドラジカルにおけるＲ ^ｉ およびＲ ^ｊ は、互いに独立して、Ｈ、フェニル、トリル、ナフチル、ベンジル、シクロヘキシル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｎ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ－ブチル、ペンチル、ｎ－ペンチル、ｓｅｃ－ペンチル、３－ペンチル
、２－メチルブチル、イソペンチル、３－メチルブタ－２－イル、２－メチルブタ－２－イル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、エチルヘキシルおよび２－エチルヘキシルからなる群より選択される。

特に好ましい実施形態において、カルボン酸アミドラジカルを有する架橋剤は、メチルエトキシ－ビス（Ｎ－メチルベンズアミド）シランである。

別の特に好ましい実施形態では、記載されている架橋剤の混合物が、本発明に係る硬化性組成物のために使用される。

さらに特に好ましい実施形態において、架橋剤は、上に記載されたような様々なラジカルＲ ^ａ を有する。

さらに、本発明は、接着促進剤を含む組成物に関する。

本発明の組成物において使用するための好ましい接着促進剤は、１つもしくはそれを超える反応性アミン基を有するオルガノシラン、１つもしくはそれを超える反応性カルボン酸基を有するオルガノシラン、１つもしくはそれを超える反応性エポキシ基を有するオルガノシランまたは１つもしくはそれを超える反応性チオール基を有するオルガノシランまたは１つもしくはそれを超える第三級アミン基を有するオルガノシラン、１つもしくはそれを超える尿素基を有するオルガノシラン、１つもしくはそれを超えるアミド基を有するオルガノシラン、１つもしくはそれを超えるカルバメート基を有するオルガノシランおよび１つもしくはそれを超えるイソシアヌレート基を有するオルガノシランを含み；好ましくは、前記構成要素の混合物が使用され得る。

追加の好ましい実施形態において、本発明に係る組成物は、接着促進剤を含み、その接着促進剤は、特に、ジブトキシジアセトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ブチルアミノプロピルトリエトキシシラン、ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、プロピルアミノプロピルトリエトキシシラン、プロピルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－シクロヘキシル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－シクロヘキシル－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、ジエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジプロピルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシプロピルシリルアセトキシプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ’－ビス（トリメトキシシリルプロピル）尿素、Ｎ，Ｎ’－ビス（トリエトキシシリルプロピル）尿素、トリス（トリエトキシシリルプロピル）ジエチレン三尿素、ジメチルアミノプロピルトリメトキシシラン、１，３，５－トリス（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、Ｎ－メチル（３－トリメトキシシリル）プロピル）カルバメート、Ｎ－エチル（３－トリエトキシシリル）プロピル）カルバメートおよびそれらの混合物、ならびにＥｖｏｎｉｋからＤｙｎａｓｙｌａｎ ＤＡＭＯとして入手可能なＮ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシランからなる群より選択される。

特に好ましい実施形態において、接着促進剤と架橋剤とのある特定の組み合わせが、本発明に係る組成物のために選択される。結果として、以下の組み合わせが、好都合であると判明した：

・ヒドロキシカルボン酸エステルラジカルまたはヒドロキシカルボン酸アミドラジカルをそれぞれ有する架橋剤と、第三級アミン、尿素、アミド、カルバメートまたはイソシアヌレート基を有する「非アミン接着促進剤」（本明細書中で使用されるとき、非アミンは、第一級および第二級アミン基でないことを意味する）との組み合わせ。そのような結合
剤（接着促進剤）の具体例は、Ｎ，Ｎ’－ビス（トリエトキシシリルプロピル）尿素、トリス（トリエトキシシリルプロピル）ジエチレン三尿素、ジメチルアミノプロピルトリメトキシシラン、１，３，５－トリス（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、Ｎ－メチル（３－トリメトキシシリル）プロピル）カルバメートおよびＮ－エチル（３－トリエトキシシリル）プロピル）カルバメートである。
・カルボン酸ラジカルを有する架橋剤とジ－ｔｅｒｔブトキシジアセトキシシラン（ＢＤＡＣ、ＣＡＳ１３１７０－２３－５）との組み合わせ。
・オキシムラジカルを有する架橋剤と、３－アミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＭＥＯ）、３－アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＭＭＯ）およびアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシランを含むがこれらに限定されない、商業的に入手可能なアミノシランとの組み合わせ。
・カルボン酸アミドラジカルを有する架橋剤と、３－アミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＭＥＯ）、３－アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＭＭＯ）およびアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシランを含むがこれらに限定されない、商業的に入手可能なアミノシランとの組み合わせ。

本発明の目的として、硬化性組成物は、従来の添加物（例えば、可塑剤、充填剤、着色料、チキソトロープ剤、湿潤剤またはＵＶ安定剤）の添加によって、その特性に関して必要に応じて改変されてもよい。

好ましい実施形態において、ポリアルキルシロキサン、特に、好ましくは、ポリジメチルシロキサンが、可塑剤として使用される。

別の好ましい実施形態において、シリカ、特に、好ましくは、ヒュームドシリカとも称される発熱性二酸化ケイ素が、硬化性組成物に充填剤として加えられる。

１つの実施形態において、本発明は、少なくとも１つのＭ３Ｓ触媒、請求項１に記載の一般式ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈを有する少なくとも１つのシリコーン化合物、および請求項１に記載の一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ を有する少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる組成物に関する。

１つの実施形態において、本発明の組成物は、構造式Ｖに記載の少なくとも１つの金属シルセスキオキサン；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈ（式中、Ｒ ^ｌ およびＲ ^ｍ は、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群より選択される）；ならびにメチル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ－ビス（Ｎ－メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。

１つの実施形態において、本発明の組成物は、構造式ＶＩに記載の少なくとも１つの金属シルセスキオキサン；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈ（式中、Ｒ ^ｌ およびＲ ^ｍ は、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群より選択される）；ならびにメチル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキ
シ－ビス（Ｎ－メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。

１つの実施形態において、本発明の組成物は、構造式ＶＩＩに記載の少なくとも１つの金属シルセスキオキサン；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈ（式中、Ｒ ^ｌ およびＲ ^ｍ は、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群より選択される）；ならびにメチル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ－ビス（Ｎ－メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。

１つの実施形態において、本発明の組成物は、オクチル－ＰＯＳＳ－Ｔｉ－ＯＥｔ；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈ（式中、Ｒ ^ｌ およびＲ ^ｍ は、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチル、トリフルオロメチル、ビニル、アリル、ブテニル、フェニルおよびナフチルからなる群より選択される）；ならびにメチル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ－ビス（Ｎ－メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。

好ましい実施形態において、本発明の組成物は、構造式Ｖに記載の少なくとも１つの金属シルセスキオキサン；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈ（式中、シリコーン化合物はα，ω－ジヒドロキシ－ジメチルポリシロキサンである）；ならびにメチル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ－ビス（Ｎ－メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。

好ましい実施形態において、本発明の組成物は、構造式ＶＩに記載の少なくとも１つの金属シルセスキオキサン；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈ（式中、シリコーン化合物はα，ω－ジヒドロキシ－ジメチルポリシロキサンである）；ならびにメチル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ－ビス（Ｎ－メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。

好ましい実施形態において、本発明の組成物は、構造式ＶＩＩに記載の少なくとも１つの金属シルセスキオキサン；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈ（式中、シリコーン化合物はα，ω－ジヒドロキシ－ジメチルポリシロキサンである）；ならびにメチル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセ
トキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ－ビス（Ｎ－メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。

好ましい実施形態において、本発明の組成物は、オクチル－ＰＯＳＳ－Ｔｉ－ＯＥｔ；少なくとも１つのシリコーン化合物ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈ（式中、シリコーン化合物はα，ω－ジヒドロキシ－ジメチルポリシロキサンである）；ならびにメチル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、プロピル－トリス（エチルヘキシルサリチラト）シラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、プロピルトリアセトキシシラン、メチル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、ビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シラン、メチルエトキシ－ビス（Ｎ－メチルベンズアミド）シランおよび／またはそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１つの架橋剤を混合することによって得ることができる。

１つの実施形態において、本発明の組成物における一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ の架橋剤とＭ３Ｓ触媒とのモル比は、２０対２，０００、好ましくは、１００対２，０００、より好ましくは、１２５対２，０００である。

本発明の組成物の好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ （式中、Ｒ ^ａ は、カルボン酸ラジカルの形態である）の架橋剤と式Ｖの触媒とのモル比は、３００対１，５００、好ましくは、４００対１，３００、より好ましくは、１，０００対１，５００である。本発明の組成物の好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ （式中、Ｒ ^ａ は、カルボン酸ラジカルの形態である）の架橋剤と、式ＶＩに記載の触媒とのモル比は、３００対１，５００、好ましくは、４００対１，３００、より好ましくは、１，０００対１，５００である。

本発明に係る組成物の特に好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ （式中、Ｒ ^ａ は、カルボン酸ラジカルの形態である）の架橋剤と式ＶＩＩに記載の触媒とのモル比は、３００対１，５００、好ましくは、４００対１，３００、より好ましくは、１，０００対１，５００である。

本発明の組成物の１つの実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ （式中、Ｒ ^ａ は、オキシムラジカルの形態である）の架橋剤と式Ｖに記載の触媒とのモル比は、１００対２，０００、好ましくは、１２５対２，０００、より好ましくは、１５０対２，０００である。

本発明の組成物の好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ （式中、Ｒ ^ａ は、オキシムラジカルの形態である）の架橋剤と式ＶＩに記載の触媒とのモル比は、１００対２，０００、好ましくは、１２５対２，０００、より好ましくは、１５０対２，０００である。

本発明の組成物の特に好ましい実施形態において、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ （式中、Ｒ ^ａ は、オキシムラジカルの形態である）の架橋剤と式ＶＩＩに記載の触媒とのモル比は、１００対２，０００、好ましくは、１２５対２，０００、より好ましくは、１２５対２，０００である。

１つの実施形態において、本発明の組成物は、ＤＩＮ５３５０４に則ると、硬化後に、４５０～１，３００％、好ましくは、５００～１，３００％、より好ましくは、７００～１，３００％の破断点伸びを示す。

１つの実施形態において、本発明の組成物は、ＤＩＮ８３３９に則ると、硬化後に、２１０％～１，３００％、好ましくは、５００～１，３００％、より好ましくは、７００～１，３００％の破断点伸びを示す。

さらに、本発明は、以下：
ｉ．一般式ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈを有する少なくとも１つのシリコーン化合物であって、式中、ｏならびにラジカルＲ ^ｌ およびＲ ^ｍ は、請求項１に従って定義される、シリコーン化合物、
ｉｉ．少なくとも１つのＭ３Ｓ化合物を含む、触媒、
ｉｉｉ．一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ を有する少なくとも１つの架橋剤であって、式中、ｍならびにラジカルＲおよびＲ ^ａ は、請求項１に従って定義される、架橋剤
を含む組成物を硬化させることによって取得され得るシーリング材に関する。

さらに、本発明は、一般式ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈ（式中、ｏならびにラジカルＲ ^ｌ およびＲ ^ｍ 、それぞれのパラメータは、すでに記載されたように定義される）を有するシリコーン化合物を含む組成物を架橋するための触媒として金属シロキサン－シラノール（シラノレート）化合物を使用することに関する。

さらに、本発明は、組成物を調製するための方法であって、前記方法は、以下のプロセス工程：
ａ．以下：
ｉ．一般式ＨＯ－（ＳｉＲ ^ｌ Ｒ ^ｍ Ｏ） _ｏ －Ｈを有する少なくとも１つのシリコーン化合物であって、式中、ｏならびにラジカルＲ ^ｌ およびＲ ^ｍ は、請求項１に従って定義される、シリコーン化合物、
ｉｉ．少なくとも１つのＭ３Ｓ化合物を含む、触媒、
ｉｉｉ．一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ を有する少なくとも１つの架橋剤であって、式中、ｍならびにラジカルＲおよびＲ ^ａ は、請求項１に従って定義される、架橋剤
を含む組成物を提供する工程、
ｂ．ａ．において提供された前記組成物を、力学的エネルギーおよび／または熱エネルギーを用いて混合する工程
を含む、方法に関する。

本発明の組成物は、触媒の改善された触媒活性または触媒効率を特徴とする。

本発明の組成物は、触媒としてのＭ３Ｓ化合物の改善された触媒活性または触媒効率を特徴とする。

本発明の組成物は、触媒の改善された触媒活性または触媒効率を特徴とし、その結果として、スズ化合物の使用を回避できる。本発明の組成物は、触媒の改善された触媒活性または触媒効率を特徴とし、それは、比較的少量（シーリング材の１キログラムあたりの重量パーセントまたはモルパーセントを単位とする）の触媒の使用を可能にするという特徴である。

本発明の範囲において使用されるＭ３Ｓ化合物およびそれらの調製は、従来のシリコーン樹脂の調製方法から当業者に公知である。シリコーン樹脂は、例えば、加水分解性脱離基を有するシラン化合物の制御された加水分解およびその後の縮合反応によって形成される（例えば、Ｂ．Ｔｉｅｋｅ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ：Ａｎ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ，完全改訂第２版および増補版，２．１．８．５章のシリコーン樹脂を参照のこと）。シランの加水分解性脱離基の数および水とシランとのモル比
が、シリコーン樹脂の架橋および重合の程度を決定する。これらのシリコーン樹脂は、金属アルコラートを加えることによって、オリゴマーまたはポリマーのシリコーン化合物に組み込まれる（ＷＯ２０１５１１４０５０Ａ１を参照のこと）。（金属）シルセスキオキサンの一般的な調製方法は、文献からも公知である（例えば、Ｐ．Ｇ．Ｈａｒｒｉｓｏｎ，Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．１９９７，５４２，１４１；Ｊ．Ｄ．Ｌｉｃｈｔｅｎｈａｎ，Ｃｏｍｍｅｎｔｓ Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９５，１７，１１５；Ｒ．Ｍｕｒｕｇａｖｅｌ，Ａ．Ｖｏｉｇｔ，Ｍ．Ｇ．Ｗａｌａｗａｌｋａｒ，Ｈ．Ｗ．Ｒｏｅｓｋｙ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．１９９６，９６，２２０５；ＷＯ０１／１０８７１Ａ１；ＷＯ０７／０４１３４４Ａ８を参照のこと）。

一般的な調製方法
チタンイソプロポキシドを含むポリオール中の５重量％のマスターバッチとしての［Ｔｉ（ＰＯＳＳ）１．５］の合成
１９０ｍｌのトルエン中のイソブチルトリシラノール－ＰＯＳＳ（４７ｇ，５９ｍｍｏｌ）の溶液に、チタンイソプロポキシド（１２ｍｌ，４４ｍｍｏｌ）を加える。その反応混合物を６０～１８０分間、５０～６７℃に加熱する。次いで、Ｄａｌｔｏｃｅｌ Ｆ４２８（９５０ｇ）をその反応混合物に加える。溶媒トルエンを８０℃～１５０℃においてさらに３０～８０分間除去することにより、不溶性残渣を含まない透明の液体が、濃縮物（マスターバッチ）として得られる。

トルエンに加えて、ヘキサンなどの従来の非プロトン性溶媒を使用することも可能である。さらに、より高いＰＯＳＳおよびチタンの比を得るために、チタンプロポキシドの量を変化させてもよいという選択肢がある。溶媒交換を減圧下で行うこともできる。

実施例に与えられるデータは、別段述べられない限り、個々の構成要素の重量パーセントを単位とする。

テトラエチルオルトチタネートを含むポリオール中の５重量％のマスターバッチとしての［Ｔｉ（ＰＯＳＳ）１．５］の合成
１９０ｍｌのトルエン中のイソブチルトリシラノール－ＰＯＳＳ（４７ｇ，５９ｍｍｏｌ）の溶液に、テトラエチルオルトチタネート（４４ｍｍｏｌ）を加える。その反応混合物を６０～１８０分間、５０～６７℃に加熱する。次いで、Ｄａｌｔｏｃｅｌ Ｆ４２８（９５０ｇ）をその反応混合物に加える。溶媒トルエンを８０℃～１５０℃においてさらに３０～８０分間除去することにより、不溶性残渣を含まない透明の液体が、濃縮物（マスターバッチ）として得られる。

トルエンに加えて、ヘキサンなどの従来の非プロトン性溶媒を使用することも可能である。さらに、より高いＰＯＳＳおよびチタンの比を得るために、チタンプロポキシドの量を変化させてもよいという選択肢がある。溶媒交換を減圧下で行うこともできる。

実施例に与えられるデータは、別段述べられない限り、個々の構成要素の重量パーセントを単位とする。

実施例１
α，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジメチルシロキサン、α，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジエチルシロキサンまたはα，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジビニルシロキサン、ならびにα，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジアリールシロキサン（例えば、α，ω－ジヒドロキシル末端化ポリジフェニルシロキサン）から選択されるα，ω－ジヒドロキシポリオルガノシロキサン（３０～７０重量％）。この場合、５，０００～１２０，０００
ｃＳｔの動粘性率（２５℃において）を有するポリオルガノシロキサン、特に、２０，０００～１００，０００ｃＳｔの粘度を有するもの、より好ましくは、４０，０００～９０，０００ｃＳｔの粘度を有するものが優先される。異なる粘度を有するポリジオルガノシロキサンの混合物を使用することも可能であり、ポリジアルキルシロキサン５０～１５０ｃＳｔ（１５～４５重量％）；一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ の少なくとも１つのシラン（０．５～４．５重量％）および／または少なくとも２つのシランの混合物（０．５～９重量％）を含む架橋剤を真空下で混合した。その後、充填剤、好ましくは、シリカ（５～１５重量％）を必要に応じてその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、請求項１０に記載の０．００１～０．５重量％の金属シルセスキオキサン、および必要に応じて、上に記載されたような接着促進剤（０．５～２重量％）を、真空下で混合することによって組み込んだ。

実施例２
α，ω－ジヒドロキシジメチル－ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ（３０～７０重量％）、ポリジメチルシロキサン１００ｃＳｔ（１５～４５重量％）、一般式Ｓｉ（Ｒ） _ｍ （Ｒ ^ａ ） _４－ｍ の少なくとも１つのシラン（０．５～４．５重量％）および／または少なくとも２つのシランの混合物（０．５～９重量％）を含む架橋剤（式中、各Ｒ ^ａ は、互いに独立して、以下：
・一般構造式（Ｉ）：

を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカルであって、式中、
各Ｒ ^ｂ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ^ｃ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｄ は、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｅ は、Ｃ、または１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部
分不飽和の環式環系または４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｎは、１～１０の整数である、
ヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
・一般構造式（ＩＩ）：

を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカルであって、式中、
各Ｒ ^ｎ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
各Ｒ ^ｏ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｐ およびＲ ^ｑ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基を表し、
Ｒ ^ｒ は、Ｃ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
ｐは、１～１０の整数である、
ヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
・カルボン酸ラジカル－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｒ ^ｆ であって、式中、Ｒ ^ｆ は、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、カルボン酸ラジカル、
・オキシムラジカル－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ ^ｇ Ｒ ^ｈ であって、式中、Ｒ ^ｇ およびＲ ^ｈ は、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、オキシムラジカル、
・カルボン酸アミドラジカル－Ｎ（Ｒ ^ｉ ）－Ｃ（Ｏ）－Ｒ ^ｊ であって、式中、Ｒ ^ｉ は、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表し、Ｒ ^ｊ は、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、カルボ
ン酸アミドラジカル、および
・アルコキシラジカル－ＯＲ ^ｋ であって、式中、Ｒ ^ｋ は、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカル、特に、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ１～Ｃ１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ４～Ｃ１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ５～Ｃ１５アラルキル基を表す、アルコキシラジカル
からなる群より選択される）を真空下で混合した。その後、充填剤、好ましくは、シリカ（５～１５重量％）を必要に応じてその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、０．００６～０．１７重量％の触媒ＩＢＵ－ＰＯＳＳ－Ｔｉ－ＯＥｔおよび必要に応じて接着促進剤（０．５～２重量％）を、真空下で混合することによって組み込んだ。

上に記載されたシリコーンゴム化合物の構成成分のすべてを、１工程で共に混合することができる。

好ましい実施形態において、本発明のシリコーンゴム化合物は、ただ１つの工程において中間形成プレポリマーを経由して１工程で得られる。そのプレポリマーの形成、ならびにその後のシリコーンゴム化合物の形成は、さらなる精製工程または中間工程なしに、本発明の触媒の存在下において形成され得る。

下記に記載される実施例の場合において、パラメータのすべてを、下記に記載される試験方法によって決定した。下記に記載されるシーリング材のすべてが、無色透明であり、２４時間後に、適切な安定性および切欠き抵抗性を示した。さらに、以下の３つすべての供試体のシーリング材が、最初の長さの１００％伸長（その伸長は２４時間維持される）におけるガラス上でのコンディショニング方法ＡであるＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ８３４０に則って合格した。

本発明の触媒（実施例３および４）を用いたときと従来の触媒（参考実施例）を用いたときの引裂強度の比較：
実施例３
オキシム脱離基を有する架橋剤混合物

α，ω－ジヒドロキシジメチル－ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔおよびビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シランを真空下で混合した。次いで、メチル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シランを真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ－ＰＯＳＳ－Ｔｉ－ＯＥｔ（ＶＩＩ）、およびＮ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、８分という皮張り時間および２０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験されたすべての材料、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。

決定されたショアＡ硬度は、２３であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２１）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、１４．０ｇであった。さらに、そのシーリング材は、極めて優れた特性を示した：

実施例４
オキシム脱離基を有する架橋剤混合物

α，ω－ジヒドロキシジメチル－ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔおよびビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シランを真空下で混合した。次いで、メチル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シランを真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒オクチル－ＰＯＳＳ－Ｔｉ－ＯＥｔ、およびＮ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、８分という皮張り時間および２０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験されたすべての材料、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。

決定されたショアＡ硬度は、２４であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２１）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、１２．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、極めて優れた特性を示した：

参考実施例Ａ
オキシム脱離基を有する架橋剤混合物

α，ω－ジヒドロキシジメチル－ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔおよびビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シランを真空下で混合した。次いで、メチル－トリス（２－アセトンオキシモ）シランも、真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、オクチルスズ触媒、およびＮ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、９分という皮張り時間および２３分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験された材料のすべて、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。

決定されたショアＡ硬度は、２６であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２３）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、１８．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、以下の特性を示した：

個々のシリコーンゴム化合物の調製
実施例５
オキシム脱離基を有する架橋剤混合物

α，ω－ジヒドロキシジメチル－ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔ、エチル－トリス（アセトンオキシモ）シランおよびビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シランを真空下で混合した。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ－ＰＯＳＳ－Ｔｉ－Ｅｔ（ＶＩＩ）、およびＮ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、無色透明だった。これは、１０分という皮張り時間および４０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験された材料のすべて、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。

決定されたショアＡ硬度は、２２であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２１）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、１２．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、極めて優れた特性を示した：

実施例６
オキシム脱離基を有する架橋剤混合物

α，ω－ジヒドロキシジメチル－ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔおよびビニル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シランを真空下で混合した。次いで、メチル－トリス（２－ペンタノンオキシモ）シランを真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ－ＰＯＳＳ－Ｔｉ－ＯＥｔ（ＶＩＩ）、およびＮ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＡＭＯ）に基づくオリゴマー接着促進剤を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、無色透明だった。これは、８分という皮張り時間および３０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験された材料のすべて、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、コンクリート、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。

決定されたショアＡ硬度は、２６であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２４）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、１２．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、極めて優れた特性を示した：

実施例７
カルボン酸脱離基を有する架橋剤

ポリマー８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔおよびプロピルトリアセトキシシランを真空下で混合した。次いで、接着促進剤ＢＤＡＣも、真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ－ＰＯＳＳ－Ｔｉ－ＯＥｔ（ＶＩＩ）を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、無色透明だった。これは、８分という皮張り時間および４０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験された材料のすべて、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。

決定されたショアＡ硬度は、２３であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２３）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、２５．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、極めて優れた特性を示した：

実施例８
カルボン酸脱離基を有する架橋剤

α，ω－ジヒドロキシジメチル－ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔおよびプロピルトリアセトキシシランを真空下で混合した。次いで、接着促進剤ＢＤＡＣも、真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ－ＰＯＳＳ－Ｔｉ－ＯＥｔ（ＶＩＩ）を、真空下で混合することによって組み込んだ。生成物は、無色透明だった。これは、８分という皮張り時間および４０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験された材料のすべて、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。

決定されたショアＡ硬度は、２３であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２３）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、２５．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、極めて優れた特性を示した：

実施例９
ヒドロキシカルボン酸脱離基を有する架橋剤

α，ω－ジヒドロキシジメチル－ポリシロキサン８０，０００ｃＳｔ、ＰＤＭＳ１００ｃＳｔ、メチル－トリスサリチル酸エチルヘキシルエステルシランおよびプロピル－トリスサリチル酸エチルヘキシルエステルシランを真空下で混合した。次いで、ＡＭＥＯも、真空下でそれに混ぜ合わせた。その後、シリカをその中に分散させ、塊が滑らかになるまで、真空下で撹拌した。次いで、触媒ＩＢＵ ＰＯＳＳ－Ｔｉ－ＯＥｔ（ＶＩＩ）および接着促進剤トリス（３－トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレートおよび接着促進剤ジメチルアミノプロピルトリメトキシシラン（ＤＭＡＰＴＭＳ）を、真空下で混合することによって組み込んだ。

生成物は、７分という皮張り時間および１２０分というタックフリータイムを特徴とした。このシーリング材は、試験されたすべての材料、すなわち、ガラス、アルミニウム、ＰＶＣ、シートメタル、鋼、木材、塗装木材、ニス塗装木材、ポリアミドおよびＡｌ／Ｍｇ合金に対して良好な接着をもたらした。

決定されたショアＡ硬度は、２７であった。６０℃で４週間貯蔵した後でさえ、このシーリング材は、安定であり（ショアＡ：２４）、無色だった。直径２ｍｍのダイを５ｂａ
ｒで３０秒間用いた押し出し成形物は、１２．０ｇであった。さらに、このシーリング材は、極めて優れた特性を示した：

参考実施例Ｂ
Ｉ）出発材料：

^＊ テトラ（グリコール酸ｎ－ブチルエステル）シランの合成
１，０００ｍｌの三口フラスコを、窒素雰囲気下において、２２２ｇのトルエン、６７．６ｇのトリエチルアミンおよび９０．６ｇのグリコール酸ｎ－ブチルエステルで満たす。次いで、２６．８ｇのテトラクロロシランを、撹拌しながら計量供給する。この場合、ウォーターバスを用いて冷却することによって、反応温度を＜３５℃で維持する。計量供給の際、混合物をさらに３０分間、３０℃で撹拌し、次いで、形成した塩酸塩を濾過によって除去する。

次いで、最後に、溶媒トルエンを真空中での蒸留によって分離する。８６ｇ（理論値の９８．５％）の黄色がかった液体（主としてＳｉ（ＯＣＨ２ＣＯＯ－ｎ－Ｃ４Ｈ９）４からなる）が得られる。

ＩＩ）調製：
ポリマー８０，０００、架橋剤および触媒を真空下で混合する。次いで、得られた混合物を、大気中の水分の排除下において軽くたたく。

空気に曝露した後のシーリング材の特性

この混合物は、完全に硬化しないので、より詳しい研究を行うことができなかった。

試験方法の一般的な実施：
１．シリコーンシーリング材のタックフリータイムの決定
タックフリータイムを決定するために、シーリング材を分配する際の温度ならびに大気中の水分を、好適なデバイスを用いて決定し、適切なプロトコルで記録しなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを清潔なガラスプレートにスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。現在の時刻を読む。適切な間隔で、決定されるべきシーリング材のタックフリータイムを、清潔な指でシリコーン表面を軽く触れることによって決定する。シーリング材が粘着性ではない場合、現在の時刻を再度読む。

２．シリコーンシーリング材の押し出し成形の決定
充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用の圧縮空気ガンに挿入し、好適なカートリッジチップをねじで留める。その圧縮空気ガンを圧縮空気供給に接続し；圧力計を５ｂａｒの圧力に設定する。次いで、少量のシリコーンをシリコーンカートリッジから拭き取り紙にスプレーし、カートリッジチップをシリコーンで完全に満たす。次いで、アルミニウムボウルを上のせ式天秤の上に置き、風袋を計る。すぐに、シリコーンをそのボウルに正確に３０秒間スプレーし、次いで、最後に上のせ式天秤での重量を読む。

３．シリコーンシーリング材の安定性の決定
安定性を決定するために、シーリング材を分配する際の温度ならびに大気中の水分を、好適なデバイスを用いて決定し、適切なプロトコルで記録しなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、ウォーム形状を厚紙（直径およそ３ｃｍ）に円を描くようにスプレーする。すぐに、そのシリコーンウォームを有する厚紙を垂直に置き、現在の時刻を読む。

３０分後、そのシリコーンウォームが元の形状を有するか、またはそのウォームが下向きに流れたかを観察する。そのウォーム形状が変化しなかった場合、そのシリコーンシーリング材は、安定である。

４．シリコーンシーリング材の完全硬化の決定
完全硬化を決定するために、シーリング材を分配する際の温度ならびに大気中の水分を、好適なデバイスを用いて決定し、適切なプロトコルで記録しなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを清潔なガラスプレートにスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。適切な間隔（日数）で、小さな横材を、ナイフでそのシリコーンから慎重に切り離し、そのシーリング材の硬化を評価する。そのシーリング材の本体の内部が、まだ粘着性でゲル様である場合、そのシーリング材は、まだ完全に硬化しておらず、その決定手順を繰り返す。シーリング材が、完全に硬化した場合、硬化時間を、日数を単位として記録する。シーリング材が、分配の７日後もまだ粘着性である場合、完全硬化に関する判定基準に不備があると判断するものとする。

５．シリコーンシーリング材の接着の決定
接着を決定するために、シーリング材を分配する際の温度ならびに大気中の水分を、好適なデバイスを用いて決定し、適切なプロトコルで記録しなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、シリコーンボタンを、適切に清浄にされたキャリア材料（例えば、ガラス、アルミニウム、木材、プラスチック、コンクリート、天然石など）にスプレーする。シーリング材が、完全に硬化した後（約４８時間後）、そのシリコーンがキャリア材料から再度剥がれたか、またはそのシリコーンがそのキャリア材料と密接な結合を形成したかを判断するために、そのシリコーンボタンを指で引っ張る。シリコーンボタンが、容易に剥がれ得るか、またはキャリア材料から外すのが難しいか、もしくは全く外れない場合、接着特性は、不良、平均または良好として評定されるものとする。

６．シリコーンシーリング材の臭気の決定
充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを清潔なガラスプレートにスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。次いで、シリコーンシーリング材をその臭気に関して評価する。

７．シリコーンシーリング材の外観の決定
充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを清潔なガラスプレートにスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。次いで、そのシリコーンシーリング材を、外見、色および滑らかさについて目視検査によって評価する。

８．シリコーンシーリング材の皮張り時間の決定
皮張り時間を決定するために、シーリング材を分配する際の温度ならびに大気中の水分を、好適なデバイスを用いて決定し、適切なプロトコルで記録しなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを清潔なガラスプレートにスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。適切な間隔で、決定されるべきシーリング材の皮張りを、清潔な指でシリコーン表面にわずかな圧力を加えることによって決定する。そのシーリング材がその表面に皮張りを形成して、シリコーン残渣が指に貼り付かない場合、ストップウォッチに表示された計測時間を読む。

９．ＤＩＮ５３５０４に則ったダンベル状標本Ｓ１を用いる引張り試験
試験されるべきシリコーンを決定するために、シリコーンカートリッジの関連する試験番号および試験日をプロトコルに記録しなければならない。カートリッジにおける調合後のシーリング材の耐用寿命は、少なくとも２４時間でなければならない。モールドを洗剤で湿らせて、金属上にシリコーンが集積するのを防ぐ。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジをシリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。そのカートリッジの先端部を除去する。次いで、ダンベル状標本Ｓ１用のダイにシリコーンを、粉砕したモールドの長さおよび高さにわたってスプレーし、直ちにこてで平らにする。少なくとも２４時間後に、ダイから供試体を引き上げることによって、シリコーンの硬化を確認する。表面は、もはや粘着性ではないはずである。ダンベル状標本は、空気ポケットまたは異物混入なく、かつ亀裂なく、視覚的に完全でなければならない。ダイから取り出した後、供試体に試験番号を付ける。引張り試験機Ｔ３００では、ダンベル状標本Ｓ１のために張
力クランプを使用しなければならない。バーが、計測される２６ｍｍという初期長を正確に示すように、試験できるダンベル状標本を、上部クランプと下部クランプとの間で留める。計測されたデータ、またはより詳細には、計測マークを、弛緩状態においてゼロにリセットする。スタートボタンを押すことによって、供試体の伸長、またはより詳細には、計測値の表示が開始する。そのデバイスは、供試体が破損した後、自動的に停止する。計測値は、表示されたままであり、直接読むことができる。

１０．ＤＩＮ８３３９に則ったＨ供試体による引張り試験
試験されるべきシリコーンを決定するために、シリコーンカートリッジの関連する試験番号および試験日をプロトコルに記録しなければならない。カートリッジにおける調合後のシーリング材の耐用寿命は、少なくとも２４時間でなければならない。

充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジをシリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。そのカートリッジの先端部を除去する。次いで、ダイにシリコーンを粉砕したモールドの長さおよび高さにわたってスプレーし、直ちにこてで平らにする。その後、供試体を標準的な条件下において２８日間貯蔵する。引張り試験の前に、供試体を目視検査によって確認する。供試体は、空気ポケットも亀裂も一切示さない場合がある。

引張り試験機ＭＦＣ Ｔ３００では、Ｈ供試体のために張力クランプを使用しなければならない。距離が１２ｍｍであるように、その標本を上部クランプと下部クランプとの間で留める。計測されたデータ、またはより詳細には、計測マークを、弛緩状態においてゼロにリセットする。スタートボタンを押すことによって、供試体の伸長、またはより詳細には、計測値の表示が開始する。

そのデバイスは、供試体が破損した後、自動的に停止する。計測値は、表示されたままであり、直接読むことができる。

１１．ＤＩＮ８３４０に則ったＨ供試体による引張り試験
試験されるべきシリコーンを決定するために、シリコーンカートリッジの関連する試験番号および試験日をプロトコルに記録しなければならない。カートリッジにおける調合後のシーリング材の耐用寿命は、少なくとも２４時間でなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジをシリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。そのカートリッジの先端部を除去する。次いで、ダイにシリコーンをモールドの長さおよび高さにわたってスプレーし、直ちにこてで平らにする。その後、供試体を標準的な条件下において２８日間貯蔵する。引張り試験の前に、供試体を目視検査によって確認する。供試体は、空気ポケットも亀裂も一切示さない場合がある。

引張り試験機ＭＦＣ Ｔ３００では、Ｈ供試体のために張力クランプを使用しなければならない。距離が１２ｍｍであるように、その標本を上部クランプと下部クランプとの間で留める。計測されたデータ、またはより詳細には、計測マークを、弛緩状態においてゼロにリセットする。スタートボタンを押すことによって、供試体の伸長、またはより詳細には、計測値の表示が開始する。そのデバイスは、供試体が破損した後、自動的に停止する。計測値は、表示されたままであり、直接読むことができる。

１２．シリコーンシーリング材の貯蔵安定性の決定
充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジを、加熱した乾燥オーブンに入れる。試験方法のプロトコルに従って、その加熱した乾燥オーブン内で好適な温度において数週間という特定の期間にわたってシリコーンシーリング材を貯蔵する。貯蔵時間が経過したら、そのカートリッジをシリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを、広げられた吸収剤パッドにスプレーする。直ちにそのシリコー
ンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。次いで、そのシリコーンシーリング材をＰＡ－Ｅ０００２およびＰＡ－Ｅ００１０について評価する。

１３．シリコーンシーリング材の初期耐荷能力の決定
初期耐荷能力を決定するために、シーリング材を分配する際の温度ならびに大気中の水分を、好適なデバイスを用いて決定し、適切なプロトコルで記録しなければならない。充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、厚紙に３ｃｍ間隔で水平線を引き、次いで、切断する。次いで、適切な量のシリコーンをその厚紙にスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。現在の時刻を読む。１５分という等間隔で、第１の線から始めて、厚紙を曲げて直角を形成し、キンクポイントにおいてシリコーン表面を評価する。シリコーンが、キンクポイントにおいて完全にひびが入っているか、または部分的にだけひびが入っている場合、もう１５分後に、次の３ｃｍの線において決定手順を繰り返す。シリコーンが、キンクポイントにおいて弾性であり、かつ亀裂が検出できない場合、そのシリコーンは、初期段階における荷重に供され得る。現在時刻を再度読む。

１４．シリコーンシーリング材のショア硬度の決定
充填され、密封された、すぐに使える状態のカートリッジ（調合後のシーリング材の耐用寿命は少なくとも２４時間である）を、シリコーンカートリッジ用のガンに挿入する。次いで、適切な量のシリコーンを清潔なガラスプレートにスプレーする。直ちにそのシリコーンをこてで広げ、切れ目のないシリコーン片を形成する。完全に硬化したシーリング材の場合（ＰＡ－Ｅ０００８を参照のこと）、ショア硬度決定デバイスを両手で完全に平らにシリコーン表面の上に置き、ショア硬度の最大値を読む。その計測を、シリコーン表面上の様々な点において少なくとも５回繰り返し、個々の測定値の平均を得る。

Claims (28)

1. 以下の構成要素：
   ａ．一般式ＨＯ－（ＳｉＲ^ｌＲ^ｍＯ）_ｏ－Ｈを有する少なくとも１つのシリコーン化合物であって、式中、Ｒ^ｌおよびＲ^ｍは、互いに独立して、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、ｏは、５～４，０００の整数である、シリコーン化合物、
   ｂ．触媒であって、前記触媒は、構造式（Ｖ）
   

   

   を有し、式中、
   Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は、互いに独立して、Ｌ^２、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７からなる群より選択され、ここで、Ｌ^２は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ_１～Ｃ_１０アルキル）からなる群より選択され；
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７は、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ_１～Ｃ_２０アルキル、必要に応じて置換されるＣ_３～Ｃ_８シクロアルキル、必要に応じて置換されるＣ_２～Ｃ_２０アルケニルおよび必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１０アリールからなる群より選択され；
   Ｘ^４は、－Ｍ^３Ｌ^１ _Δまたは－Ｍ^３を表し、ここで、Ｌ^１は、－ＯＨおよび－Ｏ－（Ｃ_１～Ｃ_１０アルキル）からなる群より選択され、Ｍ^３は、ｓおよびｐブロック金属、ｄおよびｆブロック遷移金属、ランタニドおよびアクチニド金属ならびに半金属からなる群より選択され、ここで、Ｌ^１ _Δに対して存在し得る配位子の数（Δ）は、使用される金属原子の自由原子価の数値から直接決定され、その原子価の数値は、その金属の原子価を記述する、多面体金属シルセスキオキサンを含む、触媒、ならびに
   ｃ．一般式Ｓｉ（Ｒ）_ｍ（Ｒ^ａ）_４－ｍを有する少なくとも１つの架橋剤であって、式中、各Ｒは、互いに独立して、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、ｍは、０～２の整数であり、各Ｒ^ａは、互いに独立して、以下：
   ・一般構造式（Ｉ）：
   

   

   を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカルであって、式中、
   各Ｒ^ｂは、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、
   各Ｒ^ｃは、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、
   Ｒ^ｄは、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、
   Ｒ^ｅは、Ｃ、または１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、
   ｎは、１～１０の整数である、
   ヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
   ・一般構造式（ＩＩ）：
   

   

   を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカルであって、式中、
   各Ｒ^ｎは、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、
   各Ｒ^ｏは、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、
   Ｒ^ｐおよびＲ^ｑは、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、
   Ｒ^ｒは、Ｃ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、
   ｐは、１～１０の整数である、
   ヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
   ・カルボン酸ラジカル－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｒ^ｆであって、式中、Ｒ^ｆは、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表す、カルボン酸ラジカル、
   ・オキシムラジカル－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｇＲ^ｈであって、式中、Ｒ^ｇおよびＲ^ｈは、互いに独立して、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表す、オキシムラジカル、
   ・カルボン酸アミドラジカル－Ｎ（Ｒ^ｉ）－Ｃ（Ｏ）－Ｒ^ｊであって、式中、Ｒ^ｉは、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表し、Ｒ^ｊは、Ｈ、あるいは１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表す、カルボン酸アミドラジカル、および
   ・アルコキシラジカル－ＯＲ^ｋであって、式中、Ｒ^ｋは、１～２０個の炭素原子を有する必要に応じて置換される炭化水素ラジカルを表す、アルコキシラジカルからなる群より選択される、架橋剤を混合することによって取得され得る、組成物。
2. 前記金属シルセスキオキサンが、各々、前記組成物の総重量に基づいて、０．００００１～０．０１ｍｏｌ／ｋｇの範囲内のモル濃度で存在することを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
3. 前記金属シルセスキオキサンが、０．００１～０．５％という重量基準の割合で存在することを特徴とする、請求項１または２に記載の組成物。
4. 一般式Ｓｉ（Ｒ）_ｍ（Ｒ^ａ）_４－ｍの架橋剤と金属シルセスキオキサン触媒とのモル比が、２０対２，０００であり、前記架橋剤は、架橋剤混合物としても存在してよいことを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
5. 前記金属シルセスキオキサンが、構造式（ＶＩ）
   

   

   を有し、式中、
   チタンは、ＯＲに連結され、Ｒは、－Ｈ、－メチル、－エチル、－プロピル、－ブチル、－オクチル、－イソプロピルおよび－イソブチルからなる群より選択され、
   Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は各々、互いに独立して、Ｃ_１～Ｃ_２０アルキル、Ｃ_３～Ｃ_８シクロアルキル、Ｃ_２～Ｃ_２０アルケニルおよびＣ_５～Ｃ_１０アリールからなる群より選択され、
   Ｒ^ｌ、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は各々、互いに独立して、Ｃ_１～Ｃ_２０アルキル、Ｃ_３～Ｃ_８シクロアルキル、Ｃ_２～Ｃ_２０アルケニルおよびＣ_５～Ｃ_１０アリールからなる群より選択される、
   ことを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
6. 前記金属シルセスキオキサンが、構造式（ＶＩＩ）
   

   

   を有し、式中、
   各Ｓｉは、イソブチルラジカルに連結され、チタンは、エタノラート配位子を有する、
   ことを特徴とする、請求項５に記載の組成物。
7. 一般式ＨＯ－（ＳｉＲ^ｌＲ^ｍＯ）_ｏ－Ｈを有する前記シリコーン化合物において、Ｒ^ｌおよびＲ^ｍが、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１６アルキル基を表すことを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
8. 一般式Ｓｉ（Ｒ）_ｍ（Ｒ^ａ）_４－ｍを有する前記架橋剤において、各Ｒが、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１２アルキル基を表し、
   各Ｒ^ａが、互いに独立して、以下：
   ・一般構造式（Ｉ）：
   

   

   を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
   ・一般構造式（ＩＩ）：
   

   

   を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
   ・カルボン酸ラジカル－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｒ^ｆ、
   ・オキシムラジカル－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｇＲ^ｈ、
   ・カルボン酸アミドラジカル－Ｎ（Ｒ^ｉ）－Ｃ（Ｏ）－Ｒ^ｊ
   からなる群より選択され、式中、
   Ｒ^ｂおよびＲ^ｃの各々は、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１２アルキル基を表し、
   Ｒ^ｄは、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１２アルキル基を表し、
   Ｒ^ｅは、二価のベンゼンラジカルであるか、またはＲ^ｅは、Ｃを表し、Ｒ^ｂおよびＲ^ｃは、Ｈを表すか、またはＲ^ｅは、Ｃを表し、Ｒ^ｂは、Ｈを表し、Ｒ^ｃは、メチルを表し、
   ｎは、１～５であり、
   ここで、
   Ｒ^ｎおよびＲ^ｏの各々は、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１２アルキル基を表し、
   Ｒ^ｐおよびＲ^ｑは、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１２アルキル基を表し、
   Ｒ^ｒは、二価のベンゼンラジカルであるか、またはＲ^ｒは、Ｃを表し、Ｒ^ｎおよびＲ^ｏは、Ｈを表すか、またはＲ^ｒは、Ｃを表し、Ｒ^ｎは、Ｈを表し、Ｒ^ｏは、メチルを表し、
   ｐは、１～５であり、
   ここで、
   Ｒ^ｆは、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１２アルキル基、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１０シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１１アラルキル基を表し、
   ここで、
   Ｒ^ｇおよびＲ^ｈは、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１２アルキル基、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１０シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１１アラルキル基を表し、
   ここで、
   Ｒ^ｉおよびＲ^ｊは、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１２アルキル基、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１０シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１１アラルキル基を表す、
   ことを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
9. 一般式ＨＯ－（ＳｉＲ^ｌＲ^ｍＯ）_ｏ－Ｈを有するシリコーン化合物であって、式中、ｏならびにラジカルＲ^ｌおよびＲ^ｍは、請求項１に従って定義される、シリコーン化合物を、一般式Ｓｉ（Ｒ）_ｍ（Ｒ^ａ）_４－ｍを有する架橋剤であって、式中、ｍならびにラジカルＲおよびＲ^ａは、請求項１に従って定義される、架橋剤と混合することによって取得され得る組成物を架橋するための、金属シルセスキオキサンを含む触媒の使用であって、ここで、前記触媒は、請求項１に従って定義される、使用。
10. 一般式ＨＯ－（ＳｉＲ^ｌＲ^ｍＯ）_ｏ－Ｈを有する前記シリコーン化合物および一般式Ｓｉ（Ｒ）_ｍ（Ｒ^ａ）_４－ｍを有する前記架橋剤が、プレポリマーの形態で存在し、前記プレポリマーは、前記シリコーン化合物と、一般式Ｓｉ（Ｒ）_ｍ（Ｒ^ａ）_４－ｍを有する前記架橋剤とを反応させることによって取得され得ることを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
11. 組成物を調製するための方法であって、前記方法は、以下のプロセス工程：
    ａ．以下：
    ｉ．一般式ＨＯ－（ＳｉＲ^ｌＲ^ｍＯ）_ｏ－Ｈを有する少なくとも１つのシリコーン化合物であって、式中、ｏならびにラジカルＲ^ｌおよびＲ^ｍは、請求項１に従って定義される、シリコーン化合物、
    ｉｉ．請求項１に従って定義される、少なくとも１つの金属シルセスキオキサンを含む、触媒、
    ｉｉｉ．一般式Ｓｉ（Ｒ）_ｍ（Ｒ^ａ）_４－ｍを有する少なくとも１つの架橋剤であって、式中、ｍならびにラジカルＲおよびＲ^ａは、請求項１に従って定義される、架橋剤を含む組成物を提供する工程、
    ｂ．ａ．において提供された前記組成物を、力学的エネルギーおよび／または熱エネルギーを用いて混合する工程
    を含む、方法。
12. 以下：
    ｉ．一般式ＨＯ－（ＳｉＲ^ｌＲ^ｍＯ）_ｏ－Ｈを有する少なくとも１つのシリコーン化合物であって、式中、ｏならびにラジカルＲ^ｌおよびＲ^ｍは、請求項１に従って定義される、シリコーン化合物、
    ｉｉ．請求項１に従って定義される、少なくとも１つの金属シルセスキオキサンを含む、触媒、
    ｉｉｉ．一般式Ｓｉ（Ｒ）_ｍ（Ｒ^ａ）_４－ｍを有する少なくとも１つの架橋剤であって、式中、ｍならびにラジカルＲおよびＲ^ａは、請求項１に従って定義される、架橋剤を含む組成物を硬化させることによって取得され得るシーリング材。
13. 請求項１１に記載の方法によって取得され得る組成物。
14. シーラント、接着材、ポッティング化合物またはコーティング剤としての、請求項１～８、１０のいずれか１項に記載の組成物の使用。
15. ｂ．触媒であって、前記触媒は、構造式（Ｖ）を有し、式中、
    Ｌ^２は、－ＯＨ、－Ｏ－（Ｃ_１～Ｃ_８アルキル）からなる群より選択され；
    Ｌ^１は、－ＯＨ、－Ｏ－（Ｃ_１～Ｃ_８アルキル）からなる群より選択され、
    Ｍ^３は、第１、第２、第３、第４、第５、第８、第１０および第１１亜族の金属ならびに第１、第２、第３、第４および第５主族の金属からなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
16. ｂ．触媒であって、前記触媒は、構造式（Ｖ）を有し、式中、
    Ｌ^２は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され；
    Ｌ^１は、－ＯＨ、－Ｏ－メチル、－Ｏ－エチル、－Ｏ－プロピル、－Ｏ－ブチル、－Ｏ－オクチル、－Ｏ－イソプロピルおよび－Ｏ－イソブチルからなる群より選択され、
    Ｍ^３は、Ｎａ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｇａ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択される、請求項１５に記載の組成物。
17. ｂ．触媒であって、前記触媒は、構造式（Ｖ）を有し、式中、
    Ｍ^３は、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｆｅ、ＳｎおよびＢｉからなる群より選択される、請求項１６に記載の組成物。
18. ｃ．一般式Ｓｉ（Ｒ）_ｍ（Ｒ^ａ）_４－ｍを有する少なくとも１つの架橋剤であって、式中、各Ｒは、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１６アルキル基、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_２～Ｃ_１６アルケニル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４アリール基を表し、ｍは、０～２の整数であり、各Ｒ^ａは、互いに独立して、以下：
    ・一般構造式（Ｉ）を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカルであって、式中、
    各Ｒ^ｂは、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４アリール基を表し、
    各Ｒ^ｃは、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４アリール基を表し、
    Ｒ^ｄは、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４アリール基を表し、
    Ｒ^ｅは、Ｃ、または４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
    ｎは、１～１０の整数である、
    ヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
    ・一般構造式（ＩＩ）を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカルであって、式中、
    各Ｒ^ｎは、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４アリール基を表し、
    各Ｒ^ｏは、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１６アルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４アリール基を表し、
    Ｒ^ｐおよびＲ^ｑは、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４シクロアルキル基、必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１５アラルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４アリール基を表し、
    Ｒ^ｒは、Ｃ、あるいは４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される飽和もしくは部分不飽和の環式環系または４～１４個のＣ原子を有する必要に応じて置換される芳香族基を表し、
    ｐは、１～１０の整数である、
    ヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
    ・カルボン酸ラジカル－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｒ^ｆであって、式中、Ｒ^ｆは、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１５アラルキル基を表す、カルボン酸ラジカル、
    ・オキシムラジカル－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｇＲ^ｈであって、式中、Ｒ^ｇおよびＲ^ｈは、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１５アラルキル基を表す、オキシムラジカル、
    ・カルボン酸アミドラジカル－Ｎ（Ｒ^ｉ）－Ｃ（Ｏ）－Ｒ^ｊであって、式中、Ｒ^ｉは、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１５アラルキル基を表し、Ｒ^ｊは、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１５アラルキル基を表す、カルボン酸アミドラジカル、および
    ・アルコキシラジカル－ＯＲ^ｋであって、式中、Ｒ^ｋは、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１６アルキル基、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４アリール基または必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１５アラルキル基を表す、アルコキシラジカルからなる群より選択される、架橋剤を混合することによって取得され得る、請求項１に記載の組成物。
19. 前記金属シルセスキオキサンが、各々、前記組成物の総重量に基づいて、０．００００５～０．００５ｍｏｌ／ｋｇの範囲内のモル濃度で存在することを特徴とする、請求項２に記載の組成物。
20. 前記金属シルセスキオキサンが、０．００６～０．１７％という重量基準の割合で存在することを特徴とする、請求項３に記載の組成物。
21. 一般式Ｓｉ（Ｒ）_ｍ（Ｒ^ａ）_４－ｍの架橋剤と金属シルセスキオキサン触媒とのモル比が、１００対２，０００である、請求項４に記載の組成物。
22. 一般式Ｓｉ（Ｒ）_ｍ（Ｒ^ａ）_４－ｍの架橋剤と金属シルセスキオキサン触媒とのモル比が、１２５対２，０００である、請求項２１に記載の組成物。
23. 前記金属シルセスキオキサンが、構造式（ＶＩ）を有し、式中、
    Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は各々、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビニル、アリル、ブテニルおよびフェニルおよびベンジルからなる群より選択され、
    Ｒ^ｌ、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は各々、互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビニル、アリル、ブテニルおよびフェニルおよびベンジルからなる群より選択される、
    ことを特徴とする、請求項５に記載の組成物。
24. 一般式ＨＯ－（ＳｉＲ^ｌＲ^ｍＯ）_ｏ－Ｈを有する前記シリコーン化合物において、Ｒ^ｌおよびＲ^ｍが、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ_１～Ｃ_１２ アルキル基、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ_２～Ｃ_１６アルケニル基を表すことを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
25. 一般式ＨＯ－（ＳｉＲ^ｌＲ^ｍＯ）_ｏ－Ｈを有する前記シリコーン化合物において、Ｒ^ｌおよびＲ^ｍが、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_２～Ｃ_１２ アルケニル基、または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４アリール基を表すことを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
26. 一般式ＨＯ－（ＳｉＲ^ｌＲ^ｍＯ）_ｏ－Ｈを有する前記シリコーン化合物において、Ｒ^ｌおよびＲ^ｍが、互いに独立して、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１０アリール基を表すことを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
27. 一般式Ｓｉ（Ｒ）_ｍ（Ｒ^ａ）_４－ｍを有する前記架橋剤において、各Ｒが、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_８アルキル基または必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_２～Ｃ_１２アルケニル基を表し、
    各Ｒ^ａが、互いに独立して、以下：
    ・一般構造式（Ｉ）を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
    ・一般構造式（ＩＩ）を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
    ・カルボン酸ラジカル－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｒ^ｆ、
    ・オキシムラジカル－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｇＲ^ｈ、
    ・カルボン酸アミドラジカル－Ｎ（Ｒ^ｉ）－Ｃ（Ｏ）－Ｒ^ｊ
    からなる群より選択され、式中、
    Ｒ^ｂおよびＲ^ｃの各々は、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ_１～Ｃ_８アルキル基を表し、
    Ｒ^ｄは、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_８アルキル基、Ｃ_４～Ｃ_１０シクロアルキル基、Ｃ_５～Ｃ_１１アラルキル基またはＣ_４～Ｃ_１０アリール基を表し、
    Ｒ^ｅは、二価のベンゼンラジカルであるか、またはＲ^ｅは、Ｃを表し、Ｒ^ｂおよびＲ^ｃは、Ｈを表すか、またはＲ^ｅは、Ｃを表し、Ｒ^ｂは、Ｈを表し、Ｒ^ｃは、メチルを表し、
    ｎは、１～３の整数であり、
    ここで、
    Ｒ^ｎおよびＲ^ｏの各々は、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖または分枝鎖のＣ_１～Ｃ_８アルキル基を表し、
    Ｒ^ｐおよびＲ^ｑは、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_８アルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１４シクロアルキル基またはＣ_５～Ｃ_１１アラルキル基またはＣ_４～Ｃ_１０アリール基を表し、
    Ｒ^ｒは、二価のベンゼンラジカルであるか、またはＲ^ｒは、Ｃを表し、Ｒ^ｎおよびＲ^ｏは、Ｈを表すか、またはＲ^ｒは、Ｃを表し、Ｒ^ｎは、Ｈを表し、Ｒ^ｏは、メチルを表し、
    ｐは、１～３の整数であり、
    ここで、
    Ｒ^ｆは、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_８アルキル基、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_８シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１１アラルキル基を表し、
    ここで、
    Ｒ^ｇおよびＲ^ｈは、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_８アルキル基、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_８シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１１アラルキル基を表し、
    ここで、
    Ｒ^ｉおよびＲ^ｊは、互いに独立して、Ｈ、あるいは必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_１～Ｃ_８アルキル基、必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_８シクロアルキル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１０アリール基または必要に応じて置換されるＣ_５～Ｃ_１１アラルキル基を表す、
    ことを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
28. 一般式Ｓｉ（Ｒ）_ｍ（Ｒ^ａ）_４－ｍを有する前記架橋剤において、各Ｒが、互いに独立して、必要に応じて置換される直鎖もしくは分枝鎖のＣ_２～Ｃ_８アルケニル基または必要に応じて置換されるＣ_４～Ｃ_１０アリール基を表し、
    各Ｒ^ａが、互いに独立して、以下：
    ・一般構造式（Ｉ）を有するヒドロキシカルボン酸エステルラジカル、
    ・一般構造式（ＩＩ）を有するヒドロキシカルボン酸アミドラジカル、
    ・カルボン酸ラジカル－Ｏ－Ｃ（Ｏ）－Ｒ^ｆ、
    ・オキシムラジカル－Ｏ－Ｎ＝ＣＲ^ｇＲ^ｈ、
    ・カルボン酸アミドラジカル－Ｎ（Ｒ^ｉ）－Ｃ（Ｏ）－Ｒ^ｊ
    からなる群より選択され、式中、
    ｎは、１であり、
    ｐは、１である
    ことを特徴とする、請求項１に記載の組成物。