JP7246038B2 - 窒化物半導体レーザダイオード - Google Patents
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基板11を形成する材料の具体例としては、Si、SiC、MgO、Ga2O3、Al2O3、ZnO、GaN、InN、AlN、あるいはこれらの混晶等が挙げられる。これらの材料うち、GaNおよびAlNおよびAlGaN等の窒化物半導体で形成された基板を用いると、基板11と基部12との間の格子定数差および熱膨張係数差が小さく、欠陥の少ない窒化物半導体層を成長できる。さらに、AlN基板も用いた場合、圧縮応力下で基部12を成長させることができ、基部12にクラックの発生を抑制することができる。また、基板11を形成する上記材料には不純物が混入していてもよい。
基部12を形成する材料は、AlN、GaN、およびその混晶である。つまり、基部12は、AlNを含んでいてもよい。具体例としてはAlN、AlxGa(1-x)N(0≦x<1)が挙げられる。また、これらの材料には、P、As、SbといったN以外のV族元素や、C、H、F、O、Mg、Siなどの不純物が含まれていてもよい。また、基部12の上部領域121のうちの少なくとも上面12aは、第一半導体層311が形成されていない領域がAlGaNで形成されている。基部12は、III族元素としてAl、Ga以外の例えばBやInを含んでいてもよいが、BやInを含む箇所において欠陥の形成や耐久性の変化が生まれることから、Al、Ga以外のIII族元素を含まないことが好ましい。基部12は、導電性を有していても絶縁体であっても良い。基部12をn型半導体にする場合、例えばSiをドープ(例えば1×1019cm-3)することで基部12をn型化させる。基部12をp型半導体にする場合、例えばMgをドープする(例えば3×1019cm-3)ことで基部12をp型化させる。
2×exp(7×(x1))<t<10000 ・・・(1)
メサ部半導体層312は、第一半導体層311の上であって第一半導体層311の一部に形成されている。メサ部半導体層312が第一半導体層311の一部に形成されることにより、第一半導体層311の上面に第一電極14を配置する領域を確保することができる。メサ部半導体層312は、発光部32へ電子あるいは正孔を供給するために、導電性を有していてもよい。メサ部半導体層312を形成する材料として、AlN、GaN、およびその混晶が挙げられる。メサ部半導体層312を形成する材料の具体例は、AlxGa(1-x)N(0≦x≦1)である。メサ部半導体層312のAlxGa(1-x)NのAl組成比xは、第一半導体層311のAlxGa(1-x)NのAl組成比xと同じであってもよいし、第一半導体層311の上面よりも小さくてもよい。ここで、第一半導体層311の上面は、メサ部半導体層312が形成される面である。これにより、メサ部半導体層312と第一半導体層311との積層界面での欠陥の発生を抑制することが可能となる。また、メサ部半導体層312を形成する材料には、P、As又はSbといったN以外のV族元素や、In又はBといったIII族元素、C、H、F、O、Si、Cd、Zn又はBeなどの不純物が含まれていてもよい。
下部ガイド層321は、メサ部半導体層312の上に形成されている。下部ガイド層321は、発光層322で発光した光を発光部32に閉じ込めるために、メサ部半導体層312と屈折率差をつけている。下部ガイド層321を形成する材料として、AlN、GaN、およびその混晶が挙げられる。下部ガイド層321を形成する材料の具体例は、AlxGa(1-x)N(0≦x≦1)である。下部ガイド層321を形成するAlxGa(1-x)NのAl組成比xは、メサ部半導体層312を形成するAlxGa(1-x)NのAl組成比xよりも小さくてもよい。これにより、下部ガイド層321は、メサ部半導体層312よりも屈折率が大きくなり、発光層322で発光した光を発光部32に閉じ込めることが可能となる。また、下部ガイド層321を形成する材料には、P、As又はSbといったN以外のV族元素や、In又はBといったIII族元素、C、H、F、O、Si、Cd、Zn又はBeなどの不純物が含まれていてもよい。
発光層322は、レーザダイオード1の発光が得られる層である。発光層322を形成する材料として、AlN、GaN、およびその混晶が挙げられる。発光層322を形成する材料の具体例は、AlxGa(1-x)N(0≦x≦1)である。発光層322のAlxGa(1-x)NのAl組成比xは、第一電極14および第二電極15から注入したキャリアを効率よく発光部32に閉じ込めるために、下部ガイド層321のAlxGa(1-x)NのAl組成比xよりも小さくてもよい。また、発光層322を形成する材料には、P、As又はSbといったN以外のV族元素や、In又はBといったIII族元素、C、H、F、O、Si、Cd、Zn又はBeなどの不純物が含まれていてもよい。
上部ガイド層323は、発光層322の上に形成されている。上部ガイド層323は、発光層322で発光した光を発光部32に閉じ込めるために、第二半導体層331と屈折率差をつけている。上部ガイド層323を形成する材料として、AlN、GaN、およびその混晶が挙げられる。上部ガイド層323を形成する材料の具体例は、AlxGa(1-x)N(0≦x≦1)である。上部ガイド層323のAlxGa(1-x)NのAl組成比xは、発光層322のAlxGa(1-x)NのAl組成比xよりも大きくてもよい。これにより、発光層322へキャリアを閉じ込めることが可能となる。また、上部ガイド層323を形成する材料には、P、As又はSbといったN以外のV族元素や、In又はBといったIII族元素、C、H、F、O、Si、Cd、Zn又はBeなどの不純物が含まれていてもよい。
第二半導体層331は、上部ガイド層323の上に形成されている。第二半導体層331は、発光部32へ電子あるいは正孔を供給するために、導電性を有していてもよい。第二半導体層331を形成する材料として、AlN、GaN、およびその混晶が挙げられる。第二半導体層331を形成する具体例は、AlxGa(1-x)N(0≦x≦1)である。第二半導体層331のAlxGa(1-x)NのAl組成比xは、上部ガイド層323のAlxGa(1-x)NのAl組成比xよりも大きくてもよい。これにより、上部ガイド層323と第二半導体層331との間に屈折率差が生じ、発光層322からの発光を効率よく発光部32へ閉じ込めることができる。また、第二半導体層331のAlxGa(1-x)NのAl組成比xが、上部ガイド層323のAlxGa(1-x)NのAl組成比xよりも大きいと、第二電極15から注入したキャリアを効率よく発光部32へ閉じ込めることができる。
リッジ部半導体層332は、第二半導体層331の上であって第二半導体層331の一部に形成されている。リッジ部半導体層332が第二半導体層331の一部に形成されることにより、第二電極15から注入されるキャリアがリッジ部半導体層332中で基板11の水平方向に拡散することが抑制される。これにより、発光層322での発光が、リッジ部半導体層332の下方に位置する領域に制御される。その結果、レーザダイオード1は、高電流密度を実現し、レーザ発振の閾値を低減させることが可能になる。リッジ部半導体層332は、発光部32へ電子あるいは正孔を供給するために、導電性を有していてもよい。リッジ部半導体層332を形成する材料として、AlN、GaN、およびその混晶が挙げられる。リッジ部半導体層332を形成する材料の具体例は、AlxGa(1-x)N(0≦x≦1)である。リッジ部半導体層332のAlxGa(1-x)NのAl組成比xは、第二半導体層331のAlxGa(1-x)NのAl組成比xと同じであってもよいし、大きくてもよい。これにより、第二半導体部33は、第二電極15から注入されたキャリアを効率よく発光部32へ運搬することができる。また、リッジ部半導体層332を形成する材料には、P、As又はSbといったN以外のV族元素や、In又はBといったIII族元素、C、H、F、O、Si、Cd、Zn又はBeなどの不純物が含まれていてもよい。
第一電極14は、第一半導体層311の上に形成されている。第一電極14がn型電極の場合、第一電極14を形成する材料としては、第一電極14が第一半導体層311に電子を注入する目的で用いられるのであれば、一般的な窒化物半導体発光素子のN型電極に対応する材料を使用することが可能である。例えば、第一電極14がn型電極の場合の形成材料として、Ti、Al、Ni、Au、Cr、V、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Wおよびその合金、またはITO等が適用される。
第二電極15は、リッジ部半導体層332上に形成されている。第二電極15がn型電極の場合、第二電極15を形成する材料としては、第二電極15がリッジ部半導体層332に電子を注入する目的で用いられるのであれば、一般的な窒化物半導体発光素子のn型電極に対応する材料を使用することが可能である。例えば、第二電極15がn型電極の場合の形成材料として、Ti、Al、Ni、Au、Cr、V、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Wおよびその合金、又はITO等が適用される。
共振器面16は、第一半導体部31、発光部32及び第二半導体部33のそれぞれの側面によって形成される同一平面で構成されている。共振器面16は、発光部32の発光を共振器面16で反射させることを目的として設けられている。共振器面16で反射した光を発光部32に閉じ込めるために、共振器面16は、レーザダイオード1の光の出射側と、出射側の反対の側面に、対を成して備えられていてもよい。共振器面16において、発光部32からの発光を反射させるために、共振器面16は、発光部32と上部ガイド層323との接触面に対して垂直かつ平坦であってもよい。しかしながら、共振器面16は、全体にあるいは部分的に傾斜部あるいは凹凸部を有していてもよい。
本実施形成におけるレーザダイオード1の材料特定及び組成比は、エネルギー分散型X線分析(Energy dispersive X-ray spectrometry:EDX)やオージェ電子分光法(Auger Electron Spectroscopy:AES)等の手法で分析が可能である。また、レーザダイオード1を構成する各膜の膜厚及び距離は、共振器面16と垂直な面でレーザダイオード1を分割及び研磨あるいは集束イオンビーム(Focused Ion Beam:FIB)加工し、その断面を走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)観察あるいは透過電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope:TEM)観察することによって測長することが可能である。高画質な画像を広範囲かつ簡易に得られるため、SEMを用いて観察することが好ましい。
本実施形態によるレーザダイオード1の製造方法について説明する。レーザダイオード1を形成するためには、基板11上に基部12、第一半導体層311、メサ部半導体層312、下部ガイド層321、発光層322、上部ガイド層323、第二半導体層331及びリッジ部半導体層332をそれぞれ形成するためのAlGaNをこの順で積層させる。これらのAlGaNを積層させる方法としては特に限定されないが、例えば有機金属化合物気相成長法(MOVPE法)で形成することができる。この成長方法においては、例えばトリメチルガリウム(TMG)、トリエチルガリウム(TEG)、トリメチルアルミニウム(TMA)、トリエチルアルミニウム(TEA)とアンモニア(NH3)を適当な温度に加熱された基板上に供給して、熱分解反応させることでAlGaNの混晶薄膜を成長させることが出来る。この他にも、III族原料としてGa、Alの固体金属を用い、V族原料としてNH3やN2等の気体を原料として用いた分子線エピタキシー法(MBE法)などを用いることが出来る。
次に、本実施形態の実施例による窒化物半導体レーザダイオードについて図1及び図2を参照しつつ図3から図5を用いて説明する。なお、図3から図5に示すSEM画像の右下にはそれぞれ、SEM画像のスケールを示す数値と、スケールバーとが図示されている。
c面サファイア基板上に、有機金属化合物気相成長装置(大陽日酸製、SR4338KS-HT)を用いてトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、アンモニア、シラン、シクロペンタジエニルマグネシウムを原料ガスとして、厚さが2μmのAlN層を形成し、当該AlN層の上層に当該AlN層とともに基部を構成しかつ上部領域に相当するn-Al0.6GaN層を形成し、第一半導体層として厚さが1.9μmのn-Al0.6GaN層を形成し、当該n-Al0.6GaN層の上層に下部ガイド層として厚さが150nmのu-Al0.5GaN層を形成した。次いで、当該u-Al0.5GaN層の上層に障壁層として厚さが8nmのu-Al0.5GaN層、当該障壁層の上層に第一井戸層として厚さが4nmのu-Al0.3GaN層、当該第一井戸層の上層に障壁層として厚さが8nmのu-Al0.5GaN層、当該障壁層の上層に第二井戸層として厚さが4nmのu-Al0.3GaN層、当該第二井戸層の上層に障壁層として厚さが8nmのu-Al0.5GaN層、をこの順に形成して発光層を形成した。次いで、発光層の上層に上部ガイド層として厚さが150nmのu-Al0.5GaN層を形成し、当該u-Al0.5GaN層の上に第二半導体層としてAl組成を0.8から0.3へ連続的に変化させたAlGaNを組成傾斜層として150nmの厚さに形成し、その上層に厚さが10nmのp-GaN層を形成し、AlN層からp-GaN層を積層させたウェハを用意する。
図3中に破線の楕円で囲んで示すように、基部の上部領域に相当するn-Al0.6GaN層が薄膜成長方向に沿ってエッチングされた。しかしながら、エッチング量は、125nmであり、基部の上部領域に相当するn-Al0.6GaN層が75nmの厚さで残った。このため、第一半導体層を形成するための薄膜の剥離等の不良は発生しなかった。
c面サファイア基板上に有機金属化合物気相成長装置(大陽日酸製、SR4338KS-HT)を用いてトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、アンモニアを原料ガスとして、厚さが2μmのAlN層を形成し、当該AlN層の上層に当該AlN層とともに基部を構成しかつ上部領域に相当するu-Al0.7GaN層(厚さは2μm)を形成し、AlN層とu-Al0.7GaN層とを積層させたウェハを用意する。当該ウェハに対して、電子ビーム蒸着装置を用いて100nmの膜厚のNiを蒸着し、当該Niをマスクとして誘導結合型反応性イオンエッチング装置を用いて、塩素ガスを反応ガスとしてエッチングを行うことでu-Al0.7GaN層を一部除去する。この際、基部の上部領域に相当するAlGaN層としてu-Al0.7GaN層が250nm残るようにエッチングを行った。
基部を構成するAlGaN層として、100nmのn-Al0.6GaN層が残るようにエッチングを行った点以外は、上記実施例1と同じ方法で形成したウェハを用意した。当該ウェハを洗浄するために濃度25%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液に85℃で15分浸漬させた。
c面サファイア基板上に有機金属化合物気相成長装置(大陽日酸製、SR4338KS-HT)を用いてトリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、アンモニアを原料ガスとして厚さが1.7μmのAlN層を形成し、当該AlN層の上層に厚さが100nmのu-Al0.7Ga0.3N層を形成し、当該u-Al0.7Ga0.3N層の上層に厚さが150nmのu-Al0.3Ga0.7N層を形成し、当該u-Al0.3Ga0.7N層の上層に厚さが300nmのu-Al0.1Ga0.9N層を形成し、これらの層が積層させたウェハを用意する。
以上の結果から、窒化物半導体レーザダイオードの共振器面は、Alx2Gay2N(x2+y2=1、0≦x2≦0.8、0.2≦y2≦1)で形成されていることが好ましく、またAlx2Gay2N(x2+y2=1、0≦x2<0.7、0.3<y2≦1)で形成されていることがより好ましい。
4 発光部
11 基板
12 基部
12a 上面
13 窒化物半導体素子部
14 第一電極
15 第二電極
16 共振器面
31 第一半導体部
32 発光部
33 第二半導体部
121 上部領域
311 第一半導体層
312 メサ部半導体層
321 下部ガイド層
322 発光層
323 上部ガイド層
331 第二半導体層
332 リッジ部半導体層
Claims (5)
- 基板上に設けられた基部と、
前記基部の上面の一部に設けられた第一半導体層と、
前記第一半導体層の上面の一部に設けられた発光部と、
前記第一半導体層の上面の一部に設けられた第一電極と、
前記発光部の上に設けられた第二電極と、
を備え、
前記基部は、前記第一半導体層が形成されていない領域であってAlx1Gay1N(x1+y1=1、0≦x1<1、0<y1≦1)で形成された前記上面を含む上部領域を有する
窒化物半導体レーザダイオード。 - 前記第一半導体層及び前記発光部の側面を少なくとも含み、レーザー光を外部へ出射する方向の側面に設けられた共振器面を備え、
前記上部領域の上面は前記共振器面の最下端で接するように繋がっていて、上面視で、少なくとも1つの前記共振器面が前記上部領域の端面より内側に配置されている
請求項1に記載の窒化物半導体レーザダイオード。 - 前記上部領域がAlx1Gay1N(x1+y1=1、0<x1<1、0<y1<1)で形成された部分の厚みをtナノメートルとすると、
2×exp(7×(x1))<t<10000
を満たす
請求項1又は2に記載の窒化物半導体レーザダイオード。 - 前記基部は、AlNを含んでいる
請求項1から3までのいずれか一項に記載の窒化物半導体レーザダイオード。 - 前記第一半導体層及び前記発光部の側面を少なくとも含み、光を外部へ出射する方向の側面に設けられた共振器面を備え、
前記共振器面は、Alx2Gay2N(x2+y2=1、0≦x2≦0.8、0.2≦y2
≦1)で形成されている
請求項1から4のいずれか一項に記載の窒化物半導体レーザダイオード。
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