JP2020047635A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- 基板上に設けられた基部と、
前記基部の上面の一部に設けられた第一半導体層と、
前記第一半導体層の上面の一部に設けられた発光部と、
を備え、
前記基部は、前記第一半導体層が形成されていない領域であってＡｌx1Ｇａy1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＝１、０≦ｘ１＜１、０＜ｙ１≦１）で形成された前記上面を含む上部領域を有する
窒化物半導体レーザダイオード。 - 前記第一半導体層及び前記発光部の側面を少なくとも含み、レーザー光を外部へ出射する方向の側面に設けられた共振器面を備え、
前記上部領域の上面は前記共振器面の最下端で接するように繋がっていて、上面視で、少なくとも１つの前記共振器面が前記上部領域の端面より内側に配置されている
請求項１に記載の窒化物半導体レーザダイオード。 - 前記上部領域がＡｌx1Ｇａy1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＝１、０＜ｘ１＜１、０＜ｙ１＜１）で形成された部分の厚みをｔナノメートルとすると、
２×ｅｘｐ（７×（ｘ１））＜ｔ＜１００００
を満たす
請求項１又は２に記載の窒化物半導体レーザダイオード。 - 前記基部は、ＡｌＮを含んでいる
請求項１から３までのいずれか一項に記載の窒化物半導体レーザダイオード。 - 前記第一半導体層及び前記発光部の側面を少なくとも含み、光を外部へ出射する方向の側面に設けられた共振器面を備え、
前記共振器面は、Ａｌx2Ｇａy2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＝１、０≦ｘ２≦０．８、０．２≦ｙ２≦１）で形成されている
請求項１から４のいずれか一項に記載の窒化物半導体レーザダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018172607A JP7246038B2 (ja) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 窒化物半導体レーザダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018172607A JP7246038B2 (ja) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 窒化物半導体レーザダイオード |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020047635A JP2020047635A (ja) | 2020-03-26 |
| JP2020047635A5 true JP2020047635A5 (ja) | 2021-08-12 |
| JP7246038B2 JP7246038B2 (ja) | 2023-03-27 |
Family
ID=69901743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018172607A Active JP7246038B2 (ja) | 2018-09-14 | 2018-09-14 | 窒化物半導体レーザダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7246038B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4161603B2 (ja) | 2001-03-28 | 2008-10-08 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| JP2003124514A (ja) | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Sony Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US7750355B2 (en) | 2001-10-26 | 2010-07-06 | Ammono Sp. Z O.O. | Light emitting element structure using nitride bulk single crystal layer |
| GB2413434A (en) | 2004-01-09 | 2005-10-26 | Sharp Kk | a semiconductor light-emitting device and a method of manufacture |
| JP2008021885A (ja) | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体ウェハ、半導体素子、半導体ウェハの製造方法、半導体素子の製造方法 |
| JP5391804B2 (ja) | 2009-04-22 | 2014-01-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子及びその製造方法 |
| JP5881222B2 (ja) | 2011-08-09 | 2016-03-09 | 創光科学株式会社 | 窒化物半導体紫外線発光素子及び窒化物半導体紫外線発光素子の製造方法 |
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2018
- 2018-09-14 JP JP2018172607A patent/JP7246038B2/ja active Active