JP7220275B2 - 基板型センサー、及び薬液の弾着点及び打力測定方法 - Google Patents

基板型センサー、及び薬液の弾着点及び打力測定方法 Download PDF

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Description

本発明は基板型センサー、及び薬液の弾着点及び打力測定方法に係る。
半導体素子又は液晶ディスプレーを製造するために、基板を写真、アッシング、蝕刻、イオン注入、薄膜蒸着、そして洗浄する等様々な工程が遂行される。この中で、洗浄工程は基板上に残留されるパーティクルを除去するための工程であって、各々の工程前後の段階で進行される。
このような洗浄工程は基板の表面性質に応じて異なりに適用される。特に基板の表面を疎水化処理するか、或いは疎水化された表面を洗浄する場合にはケミカル処理段階及びウェッティング処理段階が進行される。基板は回転される際にケミカルが供給され、その後にウェッティング液が供給される。また、ケミカルウェッティング液等の液体を供給して基板を処理する工程の前後に乾燥等のために基板に非活性気体等の気体を供給することができる。
このような液体及び気体等の流体を供給する工程で流体が供給される基板の上の位置は工程に影響を及ぶ。したがって、基板に供給される流体が基板の上の正位置に供給されるようにノズルを正確にセッティングすることが要求される。
また、基板上に流体が供給される地点が正位置を逸脱したか否かを判断することは容易でなく、供給される気体及び液体の供給量又は供給圧力等の異常可否を判断することもまた容易でない。
国際特許公開第WO2016032241A1号公報
本発明の目的は基板の上の流体の供給地点の正位置の可否を容易に判断することができる基板型センサー、及び薬液の弾着点及び打力測定方法を提供することにある。
本発明の目的は基板の前面と背面に供給される流体の供給地点の正位置可否を容易に判断することができる基板型センサー、及び薬液の弾着点及び打力測定方法を提供することにある。
本発明の目的は流体を吐出するノズルの位置を容易にセッティングすることができる基板型センサー、及び薬液の弾着点及び打力測定方法を提供することにある。
本発明の目的は流体の供給状態の異常可否を容易に判断することができる基板型センサー、及び薬液の弾着点及び打力測定方法を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
本発明は基板型センサーを提供する。一実施形態において、基板型センサーは、基板の形状を有する基材と、前記基材に提供され、複数の圧力センサーで提供される圧力センサーパネルと、前記圧力センサーパネルから収集されたデータを受信する受信部を含む中央モジュールと、前記圧力センサーパネル及び前記中央モジュールに電力を提供するバッテリーと、を含む。
一実施形態において、前記基材は前記基板の寸法と実質的に同一な物理的寸法を有することができる。
一実施形態において、前記受信部に受信された前記データを外部に送出する送出部をさらに含むことができる。
一実施形態において、前記送出部は無線通信モジュールで提供されることができる。
一実施形態において、前記圧力センサーパネルは、前記基材の前面に提供される前面圧力センサーパネルと、前記基材の背面に提供される背面圧力センサーパネルと、を含むことができる。
一実施形態において、前記中央モジュールと前記バッテリーは前記基材の前面に提供されることができる。
一実施形態において、前記基板型センサーは基板を薬液で液処理する装置に提供されることであり、前記圧力センサーパネルは、前記薬液が吐出される位置周囲又は前記基材の全部に設置されることができる。
一実施形態において、前記圧力センサーは複数の列と複数の行に配列されることができる。
一実施形態において、前記基板型センサーは基板を薬液で液処理する液処理装置に提供されることであり、前記圧力センサーから薬液の打力及び弾着点の中でいずれか1つ以上を測定することができる。
一実施形態において、前記液処理装置は:前記基板を支持する支持ユニットと、前記支持ユニットに置かれる基板の上面に第1薬液を吐出するノズルと、前記支持ユニットに提供されて前記基板の背面へ第2薬液を吐出するバックノズルと、を含み、前記圧力センサーパネルは、前記基材の前面に提供される前面圧力センサーパネルと、前記基材の背面に提供される背面圧力センサーパネルと、を含み、前記前面圧力センサーパネルは前記ノズルによる前記第1薬液の弾着点及び打力の中で1つ以上を測定し、前記背面圧力センサーパネルは前記バックノズルによる前記第2薬液の弾着点及び打力の中で1つ以上を測定することができる。
本発明は基板を液処理する液処理装置のノズルから吐出される薬液の弾着点及び打力を測定する方法を提供する。一実施形態において、薬液の弾着点及び打力測定方法は、前記基板型センサーを前記液処理装置に位置させる段階と、前記基板型センサーに前記薬液を吐出する段階と、を含む。
一実施形態において、前記液処理装置は、前記基板を支持する支持ユニットと、前記支持ユニットに置かれる基板の上面に第1薬液を吐出するノズルと、を含み、前記基板型センサーに前記第1薬液を吐出しながら、前記圧力センサーのセンシング値を実時間にモニターリングすることができる。
一実施形態において、前記液処理装置は、前記支持ユニットに提供されて前記基板の背面へ第2薬液を吐出するバックノズルを含み、前記圧力センサーパネルは、前記基材の前面に提供されて前記ノズルによる前記第1薬液の弾着点及び打力の中で1つ以上を測定する前面圧力センサーパネルと、前記基材の背面に提供されて前記バックノズルによる前記第2薬液の弾着点及び打力の中で1つ以上を測定する背面圧力センサーパネルと、を含み、前記基板型センサーに前記第1薬液及び前記第2薬液の中でいずれか1つ以上を吐出しながら、前記圧力センサーのセンシング値を実時間にモニターリングすることができる。
一実施形態において、前記圧力センサーパネルは、前記第1薬液が吐出される位置周囲又は前記基材の全部に設置されることができる。
一実施形態において、前記支持ユニットは前記基板を回転可能するように提供し、前記基板型センサーに対する前記第1薬液は前記基板型センサーが停止された状態で吐出されることができる。
一実施形態において、前記支持ユニットは前記基板を回転可能するように提供し、前記基板型センサーに対する前記第2薬液は前記基板型センサーが停止された状態で吐出されることができる。
一実施形態において、前記圧力センサーのセンシング値を受信してディスプレーに表示する段階を含み、前記ディスプレーは前記圧力センサーの中で打撃された圧力センサーの位置を座標で表示することができる。
一実施形態において、前記圧力センサーのセンシング値を受信してディスプレーに表示する段階を含み、前記ディスプレーは前記圧力センサーの中で打撃された圧力センサーから測定された打力を色の明暗で表示することができる。
一実施形態において、前記圧力センサーのセンシング値を受信してディスプレーに表示する段階を含み、前記ディスプレーは前記圧力センサーの中で打撃された圧力センサーの位置を座標で表示し、前記打撃された圧力センサーから測定された打力を色の明暗で表示することができる。
本発明の他の観点にしたがう実施形態の基板型センサーは、基板の形状を有し、前記基板の寸法と実質的に同一な物理的寸法を有する基材と、前記基材の前面に提供され、複数の圧力センサーで提供される前面圧力センサーパネルと、前記基材の背面に提供され、複数の圧力センサーで提供される背面圧力センサーパネルと、前記基材の前面に提供され、前記圧力センサーパネルから収集されたデータを受信する受信部と前記受信部に受信された前記データを外部に送出する無線通信モジュールで提供される送出部を含む中央モジュールと、前記基材の前面に提供され、前記圧力センサーパネル及び前記中央モジュールに電力を提供するバッテリーと、を含む。
本発明の実施形態によれば、基板の上の流体の供給地点の正位置可否を容易に判断することができる。
本発明の実施形態によれば、基板の前面と背面に供給される流体の供給地点の正位置可否を容易に判断することができる。
本発明の実施形態によれば、流体を吐出するノズルの位置を容易にセッティングすることができる。
本発明の実施形態によれば、流体の供給状態の異常可否を容易に判断することができる。
本発明の効果は上述した効果に限定されることではなく、本発明の詳細な説明又は特許請求の範囲に記載された発明の構成から推論可能なすべての効果を含むことと理解されなければならない。
本発明の実施形態に係る基板処理設備を示す平面図である。 図1の基板処理装置を示す平面図である。 図1の基板処理装置を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る基板型センサーを上部から見た平面図である。 本発明の一実施形態に係る基板型センサーを下部から見た底面図である。 本発明の一実施形態に係る基板型センサーによって測定された薬液の弾着点と打力をモニターリングする画面の例示である。
以下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面の全体に亘って同一な符号を使用する。
ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、1つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。
単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。
第1、第2等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されることができるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は1つの構成要素を他の構成要素から区別する目的として使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま、第1構成要素は第2構成要素と称されることができ、類似に第2構成要素とも第1構成要素と称されることができる。
ある構成要素が他の構成要素に“連結されて”あるか、或いは“接続されて”いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、又は接続されているが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されるべきである。反面に、ある構成要素が他の構成要素に“直接連結されて”いるか、或いは“直接接続されて”いると言及された時には、中間に他の構成要素が存在しないことと理解されるべきである。構成要素間の関係を説明する他の表現、即ち“~間に”と“すぐ~間に”又は“~に隣接する”と“~に直接隣接する“等も同様に解析されなければならない。
異なりに定義されない限り、技術的であるか、或いは科学的な用語を含んで、ここで使用されるすべての用語は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されることと同一な意味である。一般的に使用される事前に定義されていることと同一の用語は関連技術の文脈の上に有する意味と一致する意味であることと解析されるべきであり、本出願で明確に定義しない限り、理想的であるか、或いは過度に形式的な意味として解釈されない。
本実施形態には基板を洗浄処理する工程に提供される装置に適用されることを一例として説明する。しかし、本発明はこれに限定されなく、液体及び気体等の流体を供給して基板を処理する多様な種類の装置に適用可能である。
図1は本発明の実施形態に係る基板処理設備を示す平面図である。図1を参照すれば、基板処理設備1はインデックスモジュール10と工程処理モジュール20を有する。インデックスモジュール10はロードポート30及び移送フレーム40を有する。ロードポート30、移送フレーム40、そして工程処理モジュール20は順次的に一列に配列される。以下、ロードポート30、移送フレーム40、そして工程処理モジュール20が配列された方向を第1方向12とし、第1方向12と第2方向14を含む平面に垂直である方向を第3方向16と称する。
ロードポート30には基板Wが収納されたキャリヤー18が安着される。ロードポート30は複数が提供され、これらは第2方向14に沿って一列に配置される。ロードポート30の数は工程処理モジュール20の工程効率及びフットプリント条件等に応じて増加するか、又は減少してもよい。キャリヤー18には基板Wを地面に対して水平に配置した状態に収納するための多数のスロット(図示せず)が形成される。キャリヤー18としては前面開放一体型ポッド(Front Opening Unifed Pod;FOUP)が使用されることができる。
工程処理モジュール20はバッファユニット220、移送チャンバー240、そして工程チャンバー260を有する。移送チャンバー240はその長さ方向が第1方向12と平行に配置される。移送チャンバー240の両側には各々工程チャンバー260が配置される。移送チャンバー240の両側には工程チャンバー260が移送チャンバー240を基準として互いに対称されるように位置される。工程チャンバー260の中で一部は移送チャンバー240の長さ方向に沿って配置される。また、工程チャンバー260の中で一部は互いに積層されるように配置される。即ち、移送チャンバー240の一側には工程チャンバー260がAXBの配列に配置されることができる。ここで、Aは第1方向12に沿って一列に提供された工程チャンバー260の数であり、Bは第3方向16に沿って一列に提供された工程チャンバー260の数である。移送チャンバー240の一側に工程チャンバー260が4つ又は6つ提供される場合、工程チャンバー260は2X2又は3X2の配列に配置されることができる。工程チャンバー260の数は増加するか、或いは減少してもよい。
選択的に、工程チャンバー260は移送チャンバー240の一側のみに提供されることができる。また、工程チャンバー260は移送チャンバー240の一側又は両側に単層に提供されることができる。
バッファユニット220は移送フレーム40と移送チャンバー240との間に配置される。バッファユニット220は移送チャンバー240と移送フレーム40との間に基板Wが搬送される前に基板Wが留まる空間を提供する。バッファユニット220の内部には基板Wが置かれるスロット(図示せず)が提供される。スロット(図示せず)は相互間に第3方向16に沿って離隔されるように複数が提供される。バッファユニット220は移送フレーム40と対向する面及び移送チャンバー240と対向する面が開放される。
移送フレーム40はロードポート30に安着されたキャリヤー18とバッファユニット220との間に基板Wを搬送する。移送フレーム40にはインデックスレール42とインデックスロボット44が提供される。インデックスレール42はその長さ方向が第2方向14と並んで提供される。インデックスロボット44はインデックスレール42上に設置され、インデックスレール42に沿って第2方向14に直線移動される。インデックスロボット44はベース44a、本体44a、そしてインデックスアーム44cを有する。ベース44aはインデックスレール42に沿って移動可能するように設置される。本体44aはベース44aに結合される。本体44aはベース44a上で第3方向16に沿って移動可能するように提供される。また、本体44aはベース44a上で回転可能するように提供される。インデックスアーム44cは本体44aに結合され、本体44aに対して前進及び後進移動可能するように提供される。インデックスアーム44cは複数が提供されて各々個別駆動されるように提供される。インデックスアーム44cは第3方向16に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。インデックスアーム44cの中で一部は工程処理モジュール20からキャリヤー18に基板Wを搬送する時に使用され、その他の一部はキャリヤー18から工程処理モジュール20に基板Wを搬送する時に使用されることができる。これはインデックスロボット44が基板Wを搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板Wから発生されたパーティクルが工程処理後の基板Wに付着されることを防止することができる。
移送チャンバー240はバッファユニット220と工程チャンバー260との間に、そして工程チャンバー260の間に基板Wを搬送する。移送チャンバー240にはガイドレール242とメーンロボット244が提供される。ガイドレール242はその長さ方向が第1方向12と並んで配置される。メーンロボット244はガイドレール242上に設置され、ガイドレール242上で第1方向12に沿って直線移動される。メーンロボット244はベース244a、本体244b、及びメーンアーム244cを有する。ベース244aはガイドレール242に沿って移動可能するように設置される。本体244bはベース244aに結合される。本体244bはベース244a上で第3方向16に沿って移動可能するように提供される。また、本体244bはベース244a上で回転可能するように提供される。メーンアーム244cは本体244bに結合され、これは本体244bに対して前進及び後進移動可能するように提供される。メーンアーム244cは複数に提供されて各々個別駆動されるように提供される。メーンアーム244cは第3方向16に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。
工程チャンバー260には基板Wに対して洗浄工程を遂行する基板処理装置(図2及び図3の300)が提供される。各々の工程チャンバーに提供される基板処理装置300は遂行する洗浄工程の種類に応じて互いに異なる構造を有することができる。これと異なりに、各々の工程チャンバー260内の基板処理装置300は同一な構造を有することができる。選択的に、工程チャンバー260は複数のグループに区分されて、同一なグループに属する工程チャンバー260内に基板処理装置300は互いに同一であり、互いに異なるグループに属する工程チャンバー260内に基板処理装置300の構造は互いに異なりに提供されることができる。
基板処理装置300は基板を洗浄処理する工程を遂行する。図2は図1の基板処理装置を示す平面図である。図3は図1の基板処理装置を示す断面図である。図2及び図3を参照すれば、基板処理装置300は処理容器320、スピンヘッド340、昇降ユニット360、流体供給ユニット380、420を含む。
処理容器320は上部が開放された筒形状を有する。処理容器320は内部回収筒322及び外部回収筒326を有する。各々の回収筒322、326は工程に使用された処理液の中で互いに異なる処理液を回収する。内部回収筒322はスピンヘッド340を囲む環状のリング形状に提供され、外部回収筒326は内部回収筒326を囲む環状のリング形状に提供される。内部回収筒322の内側空間322a及び内部回収筒322は内部回収筒322に処理液が流入される第1流入口322aとして機能する。内部回収筒322と外部回収筒326との間の空間326aは外部回収筒326に処理液が流入される第2流入口326aとして機能する。一例によれば、各々の流入口322a、326aは互いに異なる高さに位置されることができる。各々の回収筒322、326の底面の下には回収ライン322b、326bが連結される。各々の回収筒322、326に流入された処理液は回収ライン322b、326bを通じて外部の処理液再生システム(図示せず)に提供されて再使用されることができる。
スピンヘッド340は工程進行の中で基板Wを支持及び回転させる支持ユニット340に提供される。スピンヘッド340は本体342、支持ピン344、チャックピン346、そして支持軸348を有する。本体342は、上部から見る時、大体に円形に提供される上部面を有する。本体342の底面には駆動部349によって回転可能な支持軸348が固定結合される。スピンヘッド340にはバックノズル345がさらに提供される。バックノズル345は基板Wの背面に薬液を噴射するためのことである。バックノズル345は基板の底面に純水及び窒素ガス等の流体を噴射する。バックノズル345はスピンヘッド340の中央部に位置される。
支持ピン344は複数が提供される。支持ピン344は本体342の上部面の縁部に所定の間隔に離隔されるように配置し、本体342から上部に突出される。支持ピン344は相互間の組み合わせによって全体的に環状のリング形状を有するように配置される。支持ピン344は本体342の上部面から基板Wが一定距離離隔されるように基板Wの背面縁を支持する。
チャックピン346は複数が提供される。チャックピン346は本体342の中心で支持ピン344より遠く離れるように配置される。チャックピン346は本体342から上部に突出されるように提供される。チャックピン346はスピンヘッド340が回転される時、基板Wが正位置から側方向に離脱されないように基板Wの側部を支持する。チャックピン346は本体342の半径方向に沿って待機位置と支持位置との間に直線移動可能するように提供される。待機位置は支持位置に比べて本体342の中心から遠く離れた位置である。基板Wがスピンヘッド340にローディング又はアンローディングされる時、チャックピン346は待機位置に位置され、基板Wに対して工程を遂行する時、チャックピン346は支持位置に位置される。支持位置でチャックピン346は基板Wの側部と接触される。
昇降ユニット300は処理容器320を上下方向に直線移動させる。処理容器320が上下に移動されることによって、スピンヘッド340に対する処理容器320の相対高さが変更される。昇降ユニット360はブラケット362、移動軸364、そして駆動器366を有する。ブラケット362は処理容器320の外壁に固定設置され、ブラケット362には駆動器366によって上下方向に移動される移動軸364が固定結合される。基板Wがスピンヘッド340に置かれるか、或いはスピンヘッド340から持ち上げられる時、スピンヘッド340が処理容器320の上部に突出されるように処理容器320は下降される。また、工程が進行される時には基板Wに供給された処理液の種類に応じて処理液が既設定された回収筒322、326に流入されるように処理容器320の高さが調節する。選択的に、昇降ユニット360はスピンヘッド340を上下方向に移動させることができる。
流体供給ユニット380、420は基板W上に多様な種類の流体を供給する。一例によれば、流体供給ユニット380、420はケミカル、リンス液、有機溶剤、及び乾燥ガス等を供給することができる。流体供給ユニット380、420は移動ノズルユニット380及び固定ノズルユニット420を含む。
移動ノズルユニット380は第1移動ノズル389、第2移動ノズル371、置換ノズル372、そして複数のノズル移動部材381を含む。第1移動ノズル389は第1処理液を吐出し、第2移動ノズル371は第2処理液を吐出し、置換ノズル372は有機溶剤を吐出する。第1移動ノズル389、第2移動ノズル371、そして置換ノズル372は支持ユニット340に支持された基板Wの処理位置に液を供給する。ここで、処理位置は基板Wの中心を含む位置であり得る。第1移動ノズル389、第2移動ノズル371、そして置換ノズル372の各々はノズル移動部材381によって工程位置及び待機位置に移動可能である。ここで、工程位置は各ノズルが支持ユニット340に支持された基板Wと対向される位置であり、待機位置は各ノズル389、371、372が工程位置を逸脱した位置である。一例によれば、工程位置は各ノズル389、371、372が基板Wの中心に液を供給することができる位置であり得る。第1処理液及び第2処理液は互いに異なる性質のケミカルであり得る。第1処理液は希釈されたフッ酸(HF)を含むケミカルであり、第2処理液はアンモニア(NH)を含むケミカルであり得る。有機溶剤はイソプロピルアルコール(IPA)を含む液であり得る。
ノズル移動部材381は支持軸386、支持アーム382、そして駆動部材388を含む。支持軸386は処理容器320の一側に位置される。支持軸386はその長さ方向が第3方向に向かうロード形状を有する。支持軸386は駆動部材388によって回転可能するように提供される。アーム382は支持軸386の上端に結合される。アーム382は支持軸386から垂直に延長される。支持アーム382の終端には各ノズルが固定結合される。支持軸386が回転されることによって、各ノズル389、371、372は支持アーム382と共にスイング移動可能である。各ノズル389、371、372はスイング移動されて工程位置及び待機位置に移動されることができる。上部から見る時、各ノズル389、371、372は工程位置で吐出口が基板Wの中心と一致されるように位置されることができる。
選択的に、支持軸386は昇降移動が可能するように提供されることができる。また、支持アーム382はその長さ方向に向かって前進及び後進移動が可能するように提供されることができる。
固定ノズルユニット420は支持ユニット340に置かれる基板W上に乾燥ガス及びウェッティング液等の流体を吐出する1つ又は複数の固定ノズルを含む。例えば、固定ノズルユニット420は第1ノズル421、第2ノズル422及び第3ノズル423を含む。第1ノズル421、第2ノズル422、及び第3ノズル423は支持ユニット340の上部の支持ユニット340に置かれる基板Wに対向される領域を逸脱した位置から流体を吐出する固定ノズルとして提供されることができる。
第1ノズル421は支持ユニット340上に置かれる基板W上に気体を吐出し、第2ノズル422は支持ユニット340に置かれる基板W上に第1液体を吐出し、第3ノズル423は支持ユニット340に置かれる基板W上に第2液体を吐出することができる。第1液体及び第2液体は互いに同一又は異なる液体を吐出することができる。例えば、第1ノズル421は乾燥ガスを吐出し、第2ノズル422及び第3ノズル423はウェッティング液を吐出する。例えば、ウェッティング液は基板Wの表面を濡れ状態に維持させるウェッティング液であり得る。ウェッティング液は純水であり得る。
流体供給ユニット380、420は制御器(図示せず)によって制御されることができる。制御器(図示せず)は工程の各段階に応じて各流体を供給するように移動ノズルユニット380及び固定ノズルユニット420を制御する。
図4は本発明の一実施形態に係る基板型センサーを上部から見た平面図である。図5は本発明の一実施形態に係る基板型センサーを下部から見た底面図である。図4及び図5を参照して、本発明の一実施形態に係る基板型センサー100は基材110を含む。基材110は処理される基板の寸法と実質的に同一であるか、或いは類似な物理的寸法を有するように提供される。例えば、基板がウエハで提供される場合、基材110はウエハの寸法と実質的に同一であるか、或いは類似な物理的寸法を有するように提供される。実質的に同一であるか、或いは類似であるということは処理される基板の寸法と完全に同一でなくとも、基板型センサー100が基板と同一な環境に与えられた時、通常の技術者が基板型センサー100によって形成される条件が基板が処理される時の条件と同一であると看做す程度を意味する。
基板型センサー600は中央モジュール120、バッテリー130、前面圧力センサーパネル140、及び背面圧力センサーパネル150を含む。
中央モジュール120は前面圧力センサーパネル140及び背面圧力センサーパネル150からデータを受信する通信部、データを格納する格納部、データを送出する送信部を含むことができる。中央モジュール120は前面圧力センサーパネル140、背面圧力センサーパネル150、及びバッテリー130と電気的に連結される。送信部は無線通信モジュールで提供されることができる。送信部で送出されたデータを通じて外部に提供された装置は後述するディスプレー画面を提供することができる。前面圧力センサーパネル140と中央モジュール120は前面圧力センサーパネル140が取得したデータを中央モジュール120が受信が可能に連結されることができる。背面圧力センサーパネル150と中央モジュール120は背面圧力センサーパネル150が取得したデータを中央モジュール120が受信が可能に連結されることができる。
バッテリー130は中央モジュール120、前面圧力センサーパネル140、背面圧力センサーパネル150、及び各構成に電力を提供する。
前面圧力センサーパネル140は複数の圧力センサー141で構成される。複数の圧力センサー141は1つのモジュール化されたパネルを成して前面圧力センサーパネル140をなす。複数の圧力センサー141は複数の列と複数の行を成す。背面圧力センサーパネル150は複数の圧力センサー151で構成される。複数の圧力センサー151は1つのモジュール化されたパネルを成して背面圧力センサーパネル150をなす。複数の圧力センサー151は複数の列と複数の行を成す。前面圧力センサーパネル140と背面圧力センサーパネル150は薬液が吐出される位置周囲に設置されるか、或いは基板の全部に設置されることができる。
基板型センサー100は支持ユニット340の基板Wが支持される位置に支持されて各ノズル389、371、372、421、422、423とバックノズル345から吐出される薬液の弾着点及び打力を測定することができる。
薬液が第1移動ノズル389、第2移動ノズル371、置換ノズル372、第1ノズル421、第2ノズル422、又は第3ノズル423から基板型センサー100に吐出されれば、吐出された薬液は基板型センサー100の前面圧力センサーパネル140に提供されたいずれか1つ以上の圧力センサー141にぶつかる。薬液が圧力センサー141に吐出されれば、届くところに打力が表示され、打力値が上がるところが薬液が吐出される位置になる。
薬液がバックノズル345から基板型センサー100に吐出されれば、吐出された薬液は基板型センサー100の背面圧力センサーパネル150に提供されたいずれか1つ以上の圧力センサー151にぶつかる。薬液が圧力センサー151に吐出されれば、届くところに打力が表示され、打力値が上がるところが薬液が吐出される位置になる。
本発明の実施形態によれば、基板型センサー600の前面と背面に吐出する薬液の弾着点及び打力を測定することができる。
図6は本発明の一実施形態に係る基板型センサーによって測定された薬液の弾着点と打力をモニターリングする画面の例示である。図6を参照すれば、打撃された圧力センサー141、151の位置の座標に基づいて弾着点を判断する。打撃された圧力センサー141、151の打力に基づいて各位置別の座標に圧力を表示する。打力の表示は打力が大きいほど、濃い色で、打力が低いほど、薄い色で表示されることができる。
一実施形態に係る薬液の弾着点及び打力測定方法において、基板型センサー100に薬液が吐出される時、圧力センサー141、151のセンシング値を実時間に基板型センサー100の外部装置に送出しながら、薬液の弾着点及び打力を実時間にモニターリングすることができる。
上述した、本発明はノズルから吐出される流体の吐出方向を容易に判断することができる光を照射する構成を提供することによって、基板上の流体の供給地点の正位置可否を容易に判断することができる。したがって、本発明は流体を吐出するノズルの位置を容易にセッティングすることができる。また、前記セッティング方法によってセッティングが完了された状態で吐出される液体の弾着地点が変更される場合、流量の異常及び吐出圧力の異常等の流体の供給状態の異常可否を容易に判断することができる。
制御器(図示せず)は基板処理装置を制御することができる。制御器(図示せず)は上述したように基板を設定工程に応じて処理されるように基板処理装置300の構成要素を制御することができる。制御器(図示せず)は基板処理装置の制御を実行するマイクロプロセッサー(コンピュータ)から成されるプロセスコントローラと、オペレータが基板処理装置を管理するためにコマンド入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置の稼動状況を可視化して表示するディスプレー等で成されるユーザインターフェイスと、基板処理装置で実行される処理をプロセスコントローラの制御によって実行するための制御プログラムや、各種データ及び処理条件に応じて各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ち処理レシピが格納された格納部を具備することができる。また、ユーザインターフェイス及び格納部はプロセスコントローラに接続されていることができる。処理レシピは記憶部の中で記憶媒体に記憶されていることができ、記憶媒体は、ハードディスクであってもよく、CD-ROM、DVD等の可搬性ディスクや、フラッシュメモリ等の半導体メモリであってもよい。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び/又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。
300 基板処理装置
340 支持ユニット
421 第1ノズル
422 第2ノズル
423 第3ノズル
100 基板型センサー

Claims (20)

  1. 基板型センサーであって、
    基板の形状を有する基材と、
    前記基材に提供され、複数の圧力センサーで提供される圧力センサーパネルと、
    前記圧力センサーパネルから収集されたデータを受信する受信部を含む中央モジュールと、
    前記圧力センサーパネル及び前記中央モジュールに電力を提供するバッテリーと、を含む基板型センサー。
  2. 前記基材は、前記基板の寸法と実質的に同一な物理的寸法を有する請求項1に記載の基板型センサー。
  3. 前記受信部に受信された前記データを外部に送出する送出部をさらに含む請求項1に記載の基板型センサー。
  4. 前記送出部は、無線通信モジュールで提供される請求項3に記載の基板型センサー。
  5. 前記圧力センサーパネルは、
    前記基材の前面に提供される前面圧力センサーパネルと、
    前記基材の背面に提供される背面圧力センサーパネルと、を含む請求項1に記載の基板型センサー。
  6. 前記中央モジュールと前記バッテリーは、前記基材の前面に提供される請求項1に記載の基板型センサー。
  7. 前記基板型センサーは、基板を薬液で液処理する装置に提供されることであり、
    前記圧力センサーパネルは、
    前記薬液が吐出される位置周囲又は前記基材の全部に設置される請求項1に記載の基板型センサー。
  8. 前記圧力センサーは、複数の列と複数の行に配列される請求項1に記載の基板型センサー。
  9. 前記基板型センサーは、基板を薬液で液処理する液処理装置に提供されることであり、 、
    前記圧力センサーから薬液の打力及び弾着点の中でいずれか1つ以上を測定する請求項1に記載の基板型センサー。
  10. 前記液処理装置は、
    前記基板を支持する支持ユニットと、
    前記支持ユニットに置かれる基板の上面に第1薬液を吐出するノズルと、
    前記支持ユニットに提供されて前記基板の背面へ第2薬液を吐出するバックノズルと、を含み、
    前記圧力センサーパネルは、
    前記基材の前面に提供される前面圧力センサーパネルと、
    前記基材の背面に提供される背面圧力センサーパネルと、を含み、
    前記前面圧力センサーパネルは、前記ノズルによる前記第1薬液の弾着点及び打力の中で1つ以上を測定し、
    前記背面圧力センサーパネルは、前記バックノズルによる前記第2薬液の弾着点及び打力の中で1つ以上を測定する請求項9に記載の基板型センサー。
  11. 基板を液処理する液処理装置のノズルから吐出される薬液の弾着点及び打力を測定する方法において、
    請求項1に記載の基板型センサーを前記液処理装置に位置させる段階と、
    前記基板型センサーに前記薬液を吐出する段階と、を含む薬液の弾着点及び打力測定方法。
  12. 前記液処理装置は、
    前記基板を支持する支持ユニットと、
    前記支持ユニットに置かれる基板の上面に第1薬液を吐出するノズルと、を含み、
    前記基板型センサーに前記第1薬液を吐出しながら、前記圧力センサーのセンシング値を実時間にモニターリングする請求項11に記載の薬液の弾着点及び打力測定方法。
  13. 前記液処理装置は、
    前記支持ユニットに提供されて前記基板の背面へ第2薬液を吐出するバックノズルを含み、
    前記圧力センサーパネルは、
    前記基材の前面に提供されて前記ノズルによる前記第1薬液の弾着点及び打力の中で1つ以上を測定する前面圧力センサーパネルと、
    前記基材の背面に提供されて前記バックノズルによる前記第2薬液の弾着点及び打力の中で1つ以上を測定する背面圧力センサーパネルと、を含み、
    前記基板型センサーに前記第1薬液及び前記第2薬液の中でいずれか1つ以上を吐出しながら、前記圧力センサーのセンシング値を実時間にモニターリングする請求項12に記載の薬液の弾着点及び打力測定方法。
  14. 前記圧力センサーパネルは、
    前記第1薬液が吐出される位置周囲又は前記基材の全部に設置される請求項12に記載の薬液の弾着点及び打力測定方法。
  15. 前記支持ユニットは、前記基板を回転可能するように提供し、
    前記基板型センサーに対する前記第1薬液は、前記基板型センサーが停止された状態で吐出される請求項12に基材の薬液の弾着点及び打力測定方法。
  16. 前記支持ユニットは、前記基板を回転可能するように提供し、
    前記基板型センサーに対する前記第2薬液は、前記基板型センサーが停止された状態で吐出される請求項13に記載の薬液の弾着点及び打力測定方法。
  17. 前記圧力センサーのセンシング値を受信してディスプレーに表示する段階を含み、
    前記ディスプレーは、前記圧力センサーの中で打撃された圧力センサーの位置を座標で表示する請求項11に記載の弾着点及び打力測定方法。
  18. 前記圧力センサーのセンシング値を受信してディスプレーに表示する段階を含み、
    前記ディスプレーは、前記圧力センサーの中で打撃された圧力センサーから測定された打力を色の明暗で表示する請求項11に記載の弾着点及び打力測定方法。
  19. 前記圧力センサーのセンシング値を受信してディスプレーに表示する段階を含み、
    前記ディスプレーは、前記圧力センサーの中で打撃された圧力センサーの位置を座標で表示し、前記打撃された圧力センサーから測定された打力を色の明暗で表示する請求項11に記載の弾着点及び打力測定方法。
  20. 基板型センサーであって、
    基板の形状を有し、前記基板の寸法と実質的に同一な物理的寸法を有する基材と、
    前記基材の前面に提供され、複数の圧力センサーで提供される前面圧力センサーパネルと、
    前記基材の背面に提供され、複数の圧力センサーで提供される背面圧力センサーパネルと、
    前記基材の前面に提供され、前記圧力センサーパネルから収集されたデータを受信する受信部と前記受信部に受信された前記データを外部に送出する無線通信モジュールで提供される送出部を含む中央モジュールと、
    前記基材の前面に提供され、前記圧力センサーパネル及び前記中央モジュールに電力を提供するバッテリーと、を含む基板型センサー。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015159973A1 (ja) 2014-04-18 2015-10-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法
WO2020117201A1 (en) 2018-12-03 2020-06-11 Lam Research Corporation Pin-lifter test substrate
CN112151416A (zh) 2019-06-27 2020-12-29 细美事有限公司 用于处理基板的装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0765943B2 (ja) * 1993-03-24 1995-07-19 イナバゴム株式会社 圧力分布状態計測装置
JP2007528558A (ja) * 2004-03-09 2007-10-11 サイバーオプティクス セミコンダクタ インコーポレイテッド ワイヤレス基板状センサ
US20060234398A1 (en) * 2005-04-15 2006-10-19 International Business Machines Corporation Single ic-chip design on wafer with an embedded sensor utilizing rf capabilities to enable real-time data transmission
US7321299B2 (en) * 2005-06-08 2008-01-22 Axcelis Technologies, Inc. Workpiece handling alignment system
KR20130110521A (ko) * 2012-03-29 2013-10-10 현대제철 주식회사 냉각수 압력 측정장치
EP3111560B1 (en) * 2014-02-27 2021-05-26 Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) Method and apparatus for pyramid vector quantization indexing and de-indexing of audio/video sample vectors
KR102347973B1 (ko) * 2014-12-30 2022-01-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11662264B2 (en) * 2019-05-22 2023-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Pressure measuring apparatus for measuring a discharge pressure of a liquid discharged onto a wafer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015159973A1 (ja) 2014-04-18 2015-10-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法
WO2020117201A1 (en) 2018-12-03 2020-06-11 Lam Research Corporation Pin-lifter test substrate
CN112151416A (zh) 2019-06-27 2020-12-29 细美事有限公司 用于处理基板的装置

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