JP7208953B2 - Euvマイクロリソグラフィのための投影レンズ、投影露光装置、及び投影露光方法 - Google Patents
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Description
Δz’=β2Δz
Δz1=βy 2*Δz
Δz2=βx 2*Δz
M マスク
M1 ミラー
OS 物体平面
PO 投影レンズ
Claims (35)
- ミラー面を有する多数のミラー(M1-M6)であって、該ミラーが、物体平面に配置されたマスク(M)のパターンが該ミラーを用いて像平面内に結像可能であるように該物体平面と該像平面の間の投影ビーム経路に配置される前記多数のミラー(M1-M6)を含む、
投影レンズの物体平面(OS)に配置されたパターンを投影レンズの像平面(IS)内に極紫外範囲(EUV)からの動作波長λを有する電磁放射線を用いて結像するための投影レンズ(PO)であって、
前記投影レンズはアナモルフィック投影レンズであり、
前記アナモルフィック投影レンズは、前記物体平面から前記像平面に通過する投影放射線の波面に動的に影響を及ぼすための動的波面操作系を含み、
前記動的波面操作系は、前記投影ビーム経路に配置されて前記アナモルフィック投影レンズの非点収差を補正するために前記投影放射線の波面を変更するよう構成された構成要素を含み、
前記非点収差は、前記物体平面に垂直な方向におけるレチクル変位成分によって引き起こされる第1の非点収差部分を含む、
ことを特徴とする投影レンズ(PO)。 - 走査方向と平行に延びる第1の方向の第1の結像スケールが、該第1の方向に対して垂直な第2の方向の第2の結像スケールよりも絶対値に関して小さいことを特徴とする請求項1に記載の投影レンズ。
- ミラー面を有する多数のミラー(M1-M6)であって、該ミラーが、物体平面に配置されたマスク(M)のパターンが該ミラーを用いて像平面内に結像可能であるように該物体平面と該像平面の間の投影ビーム経路に配置される前記多数のミラー(M1-M6)を含む、
投影レンズの物体平面(OS)に配置されたパターンを投影レンズの像平面(IS)内に極紫外範囲(EUV)からの動作波長λを有する電磁放射線を用いて結像するための投影レンズ(PO)であって、
走査方向と平行に延びる第1の方向の第1の結像スケールが、該第1の方向に対して垂直な第2の方向の第2の結像スケールよりも絶対値に関して小さく、
前記投影レンズは物体側で非テレセントリックであり、
前記投影レンズは、該投影レンズの非点収差を補正するためのマニピュレータを含む動的波面操作系を含み、
前記非点収差は、前記物体平面に垂直な方向におけるレチクル変位成分によって引き起こされる第1の非点収差部分を含む、
ことを特徴とする投影レンズ(PO)。 - ミラー面を有する多数のミラー(M1-M6)であって、該ミラーが、物体平面に配置されたマスク(M)のパターンが該ミラーを用いて像平面内に結像可能であるように該物体平面と該像平面の間の投影ビーム経路に配置される前記多数のミラー(M1-M6)を含む、
投影レンズの物体平面(OS)に配置されたパターンを投影レンズの像平面(IS)内に極紫外範囲(EUV)からの動作波長λを有する電磁放射線を用いて結像するための投影レンズ(PO)であって、
前記投影レンズは、前記物体平面から前記像平面に通過する投影放射線の波面に動的に影響を及ぼすための動的波面操作系を含み、
前記動的波面操作系は、前記投影ビーム経路に配置されて前記投影レンズの非点収差を補正するために前記投影放射線の波面を変更するよう構成された構成要素を含み、
前記投影レンズにおいて、第1の方向の第1の結像スケールが、該第1の方向に対して垂直な第2の方向の第2の結像スケールとは絶対値に関して異なり、
前記非点収差は、前記物体平面に垂直な方向におけるレチクル変位成分によって引き起こされる第1の非点収差部分を含む、
ことを特徴とする投影レンズ(PO)。 - 前記非点収差は、前記第1の非点収差部分とは異なる第2の非点収差部分をさらに含む、請求項1、請求項3又は請求項4に記載の投影レンズ。
- 前記第2の非点収差部分は、二重極照明とともに使用される前記投影レンズ内の加熱効果によって引き起こされる、請求項5に記載の投影レンズ。
- 前記多数のミラーは、自由曲面として具現化される反射面を有することを特徴とする、請求項1、請求項3又は請求項4に記載の投影レンズ。
- 前記多数のミラーのうち少なくとも2つは、異なる方向において異なる曲率半径を各々が有する非点結像ミラーである、請求項1、請求項3又は請求項4に記載の投影レンズ。
- 前記投影レンズは、中間像面を含み、該投影レンズは、該中間像面の上流に配置された第1の部分レンズ(OBJ1)と、該中間像面の下流に配置された第2の部分レンズ(OBJ2)とを含み、該第1の部分レンズ及び/又は該第2の部分レンズはアナモルフィックレンズである、請求項1、請求項3又は請求項4に記載の投影レンズ。
- 前記多数のミラーは、3つの凹ミラーと3つの凸ミラーとを含む、請求項1、請求項3又は請求項4に記載の投影レンズ。
- 物体視野から続くビーム経路の方向において、前記多数のミラーにおける第1のミラー、第4のミラー及び第6のミラーは凹ミラーであり、前記多数のミラーにおける第2のミラー、第3のミラー及び第5のミラーは凸ミラーである、請求項10に記載の投影レンズ。
- 前記動的波面操作系は、前記投影ビーム経路に配置された変位可能ミラー(M1からM6)と該変位可能ミラーの位置を基準位置に対して可逆に変更するための第1の起動デバイス(DR1からDR6)とを有する第1のマニピュレータを有することを特徴とする請求項1、請求項3又は請求項4に記載の投影レンズ。
- 前記動的波面操作系は、前記投影ビーム経路に配置されてミラー面(MS6)を有する変形可能ミラー(M6)と該ミラー面の面形状を基準面形状に対して可逆に非点収差的に変更するための起動デバイス(DR6’)とを有する第2のマニピュレータを有することを特徴とする請求項1、請求項3又は請求項4に記載の投影レンズ。
- 前記動的波面操作系は、前記投影ビーム経路に配置されてミラー面(MS6)を有する変形可能ミラー(M6)と該ミラー面の面形状を基準面形状に対して可逆に非点収差的に変更するための起動デバイス(DR6’)とを有する第2のマニピュレータを有することを特徴とする請求項12に記載の投影レンズ。
- 前記動的波面操作系は、前記第1の非点収差部分が走査作動中に補正可能であるように動的に構成される、請求項1、請求項3又は請求項4に記載の投影レンズ。
- 前記変位可能ミラーの変位は、以下の群:
前記物体平面に対して直交方向に向く基準軸(AX)と平行な前記変位可能ミラーの軸線変位、
前記物体平面に対して直交方向に向く基準軸(AX)に対して垂直な横方向の前記変位可能ミラーの横変位、
前記変位可能ミラーの傾斜、
回転軸の周りの反射自由曲面を有するミラーの回転、
から選択された少なくとも1つの変位を含む、
ことを特徴とする請求項12に記載の投影レンズ。 - 前記第1のマニピュレータは、前記変位可能ミラーの変位が、開始位置から少なくとも1つの中間位置を経て該開始位置に戻る事前定義可能な移動プロファイルに従って1つの方向に実行される走査作動の開始と終了の間の時間間隔に実施されるように動的に設計されることを特徴とする請求項12に記載の投影レンズ。
- 前記ミラーの複数のもの又は全ての該ミラー(M1からM6)は、該ミラーの前記位置を基準位置に対して可逆に変更するための起動デバイス(DR1からDR6)を各場合に有することを特徴とする請求項12に記載の投影レンズ。
- 前記物体平面と前記像平面の間に少なくとも1つの瞳面(PF2)を有し、
前記瞳面に光学的に近接して変形可能ミラー(M6)が配置され、非点収差的に変形可能なミラー面を有する該変形可能ミラーは、該非点収差的に変形可能なミラー面で部分口径比SARが0.5と1の間にあるように配置される、
ことを特徴とする請求項13に記載の投影レンズ。 - 前記非点収差的に変形可能なミラー面で前記部分口径比SARが0.7と1の間の範囲にある、
ことを特徴とする請求項19に記載の投影レンズ。 - 第1のマニピュレータ及び/又は第2のマニピュレータは、前記ミラーの光学効果の前記変更に関連する起動移動が1秒よりも短い短時間スケール内で発生可能であるように動的に設計されることを特徴とする請求項14に記載の投影レンズ。
- 大きい方の絶対値を有する前記結像スケールと小さい方の絶対値を有する該結像スケールとの間のスケール比が、1.1から2.5の範囲にあることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の投影レンズ。
- 前記スケール比が、1.5から2の範囲にあることを特徴とする請求項22に記載の投影レンズ。
- 前記第2の方向の投影レンズの前側焦点距離が、絶対値に関して3mよりも短く、又は2mよりも短く、又は1mよりも短いことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の投影レンズ。
- 前記走査方向に湾曲したリング視野(RF)を結像するように設計されることを特徴とする請求項3に記載の投影レンズ。
- 前記リング視野の曲率が、前記像平面内で前記走査方向に遅れる視野縁部での中央視野点と該視野縁部の周辺部での周辺視野点との間で該走査方向に測定した距離が該走査方向に対して垂直に測定した視野幅の5%超に対応するように寸法決めされることを特徴とする請求項25に記載の投影レンズ。
- 前記距離が前記走査方向に対して垂直に測定した視野幅の15%超に対応することを特徴とする請求項26に記載の投影レンズ。
- 前記距離が前記走査方向に対して垂直に測定した視野幅の25%超に対応することを特徴とする請求項26に記載の投影レンズ。
- 1次放射線源(RS)から1次放射線を受光し、かつマスク(M)の上に向けられる照明放射線を発生させるための照明系(ILL)と、
投影レンズの像平面(IS)の領域にパターンの像を発生させるための投影レンズ(PO)と、
前記パターンが、前記投影レンズの物体平面(OS)の領域に配置され、かつ該投影レンズの基準軸(AX)に対して垂直な走査方向に移動可能であるように、前記照明系と該投影レンズの間に前記マスクを保持するためのマスク保持デバイス(RST)と、
基板の感放射線面が、前記物体平面に対して光学的に共役であって前記投影レンズの前記基準軸と垂直に前記マスクと同期して移動可能である該投影レンズの前記像平面(IS)の前記領域に配置されるように該基板を保持するための基板保持デバイス(WST)と、
を含む、感放射線基板(W)をマスク(M)のパターンの少なくとも1つの像を用いて露光するための投影露光装置(WSC)であって、
前記投影レンズは、請求項1から請求項28のいずれか1項に従って設計される、
ことを特徴とする投影露光装置(WSC)。 - 前記マスク保持デバイス(RST)は、前記物体平面(OS)に対して直交方向に延びるz方向に平行な前記マスクの制御式変位のためのz変位デバイスを有することを特徴とする請求項29に記載の投影露光装置。
- 前記z変位デバイスは、前記マスクの変位が事前定義可能な移動プロファイルに従って1つの方向に実行される走査作動の開始と終了の間の時間間隔内に実施されるように動的に設計されることを特徴とする請求項30に記載の投影露光装置。
- 前記投影露光装置は制御ユニットを含み、前記動的波面操作系は、該制御ユニットの制御信号に依存して投影放射線の波面を変更することを特徴とする請求項29に記載の投影露光装置。
- 前記動的波面操作系の構成要素の効果は、前記制御ユニットの制御信号に依存して可変的に設定されることを特徴とする請求項32に記載の投影露光装置。
- 投影露光装置の作動方法であって、該投影露光装置が請求項29から請求項33のいずれか一項に従って設計されていることを特徴とし、
前記動的波面操作系は、前記投影ビーム経路に配置された変位可能ミラー(M1からM6)と該変位可能ミラーの位置を基準位置に対して可逆に変更するための第1の起動デバイス(DR1からDR6)とを有する第1のマニピュレータを有し、
前記動的波面操作系は、前記投影ビーム経路に配置されてミラー面(MS6)を有する変形可能ミラー(M6)と該ミラー面の面形状を基準面形状に対して可逆に非点収差的に変更するための起動デバイス(DR6’)とを有する第2のマニピュレータを有し、
前記作動方法が、以下の段階:
制御ユニットに組み込まれた最適化アルゴリズムを有する該制御ユニットによって、予想非点収差に基づいて、対応する動的補正レシピを計算する段階と、
前記動的補正レシピに基づいて、前記制御ユニットにより、前記第1のマニピュレータの第1の起動デバイス(DR1からDR6)及び/又は前記第2のマニピュレータの起動デバイス(DR6’)の動的駆動を走査作動中に制御する段階と、
を含む、方法。 - 投影露光装置の作動方法であって、該投影露光装置が請求項29から請求項33のいずれか一項に従って設計されていることを特徴とし、
前記動的波面操作系は、前記投影レンズの非点収差を補正するためのマニピュレータを含み、
前記作動方法が、以下の段階:
第1のマスクを前記投影露光装置のマスク保持デバイス内に装着する段階と、
前記第1のマスクを用いることにより第1の露光過程を実行する段階と、
前記マスク保持デバイスから前記第1のマスクを装脱する段階と、
第2のマスクを前記投影露光装置の前記マスク保持デバイス内に装着する段階と、
前記マスクに対応するマスクデータを制御ユニット内に読み込む段階と、
前記動的波面操作系の前記マニピュレータを望ましい状態へと調節する段階と、
前記第2のマスクを用いることにより第2の露光過程を実行する段階と、
を含む、方法。
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Families Citing this family (13)
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DE102016219330A1 (de) | 2016-10-06 | 2018-04-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Verringerung aus dynamischen Beschleunigungen herrührenden Deformationen von Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage |
NL2020103A (en) * | 2017-01-17 | 2018-07-23 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method |
DE102017216679A1 (de) * | 2017-09-20 | 2019-03-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
US11137690B2 (en) * | 2017-10-11 | 2021-10-05 | Asml Netherlands B.V. | Flows of optimization for patterning processes |
KR102374206B1 (ko) | 2017-12-05 | 2022-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 제조 방법 |
JP2019124796A (ja) * | 2018-01-16 | 2019-07-25 | キヤノン株式会社 | 結像光学系、画像投射装置およびカメラシステム |
DE102019200696B4 (de) * | 2019-01-21 | 2022-02-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung, Verfahren und Computerprogram zum Bestimmen einer Position eines Elements auf einer fotolithographischen Maske |
JP7357488B2 (ja) * | 2019-09-04 | 2023-10-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品製造方法 |
CN111381431B (zh) * | 2020-05-11 | 2021-04-13 | 江苏舜合物联网科技有限公司 | 投影画面跟随可卷曲屏幕同步升降或同步平移的实现方法 |
CN113031201B (zh) * | 2021-03-15 | 2022-02-11 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种在轨补偿主镜曲率半径误差影响的调整方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009124139A (ja) | 2007-11-09 | 2009-06-04 | Asml Netherlands Bv | デバイス製造方法およびリソグラフィ装置、ならびに、コンピュータプログラム製品 |
JP2010245331A (ja) | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Canon Inc | 制御装置を備える光学素子駆動装置 |
JP2013541729A (ja) | 2010-09-15 | 2013-11-14 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
JP2014103171A (ja) | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Canon Inc | 投影光学系、露光装置および物品の製造方法 |
JP2014154721A (ja) | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Toshiba Corp | フォトマスク、フォトマスク作成装置およびフォトマスクの作製方法 |
JP2013545267A5 (ja) | 2011-09-22 | 2016-05-12 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU1053199A (en) | 1997-11-14 | 1999-06-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method of manufacturing the same, and exposure method |
DE19908526A1 (de) * | 1999-02-26 | 2000-08-31 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem mit Feldspiegeln zur Erzielung einer gleichförmigen Scanenergie |
JP2000100685A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 露光装置及び該装置を用いた露光方法 |
JP2004023020A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 投影光学系及び縮小投影露光装置 |
US6897940B2 (en) * | 2002-06-21 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | System for correcting aberrations and distortions in EUV lithography |
DE102004014766A1 (de) | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Verzeichnungskorrektur in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US6853440B1 (en) * | 2003-04-04 | 2005-02-08 | Asml Netherlands B.V. | Position correction in Y of mask object shift due to Z offset and non-perpendicular illumination |
JP2005166778A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Canon Inc | 露光装置、デバイスの製造方法 |
US7522260B1 (en) * | 2004-09-29 | 2009-04-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Method for correcting astigmatism in a microlithography projection exposure apparatus, a projection objective of such a projection exposure apparatus, and a fabrication method for micropatterned components |
JP5069232B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2012-11-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ |
KR101127346B1 (ko) | 2005-09-13 | 2012-03-29 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법 |
CN100474115C (zh) | 2006-04-04 | 2009-04-01 | 上海微电子装备有限公司 | 光刻机成像光学系统像差现场测量方法 |
US7894038B2 (en) * | 2007-03-14 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, lithographic apparatus, and a computer program |
EP2048540A1 (en) * | 2007-10-09 | 2009-04-15 | Carl Zeiss SMT AG | Microlithographic projection exposure apparatus |
JP2009266886A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Nikon Corp | マスク、マスク保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2009302149A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Nikon Corp | 露光装置およびデバイスの製造方法 |
DE102010029651A1 (de) | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern |
DE102011080437A1 (de) | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildendes optisches System für die Mikrolithographie |
JP6013930B2 (ja) * | 2013-01-22 | 2016-10-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE102014218474A1 (de) * | 2014-09-15 | 2016-03-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage und Projektionsbelichtungsverfahren für die EUV-Mikrolithographie |
-
2014
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Patent Citations (6)
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JP2009124139A (ja) | 2007-11-09 | 2009-06-04 | Asml Netherlands Bv | デバイス製造方法およびリソグラフィ装置、ならびに、コンピュータプログラム製品 |
JP2010245331A (ja) | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Canon Inc | 制御装置を備える光学素子駆動装置 |
JP2013541729A (ja) | 2010-09-15 | 2013-11-14 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
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JP2014103171A (ja) | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Canon Inc | 投影光学系、露光装置および物品の製造方法 |
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