JP6339117B2 - 波面マニピュレータを有する投影レンズ - Google Patents
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Description
0.25*NAM 2<SAD/PCHAR<0.48 (1)
0.012<SAD/PCHAR<0.85 (2)
条件(1)と比較して、正規化マニピュレータ距離に対する許容範囲が増大する。更に、下限は、マニピュレータ面における投影放射線の開口数にもはや依存せず、その結果、この変形は、特に投影ビーム経路の高開口領域内で有利である場合がある。
0.25*NAM 2<SAD/PCHAR<0.8 (3A)
SAD/PCHAR<1.5 (3B)
この場合に、第1のマニピュレータ面を単一マニピュレータのみが使用される場合(条件(1)を参照されたい)よりも視野平面の近くに移動すべきではないが、有利距離範囲は、依然として許容性を与えることができる大きい距離まで増大する。
0.25*NAM 2<SAD/PCHAR<0.48 (1)
0.012<SAD/PCHAR<0.85 (2)
SAR=sign CRH(MRH/(|CRH|+|MRH|))
ここでMRHは周辺光線高さを表し、CRHは主光線高さを表し、符号関数sign xはxの符号を表し、慣例に従ってsign 0=1が成り立つ。主光線高さは、物体視野の絶対値で最大の視野高さを有する視野点の主光線の光線高さを意味すると理解すべきである。本明細書では、光線高さは、符号付きであると理解すべきである。周辺光線高さは、光軸と物体平面との交点から進む、最大開口を有する光線の光線高さを意味すると理解すべきである。この視野点は、特に軸外像視野の場合に、物体平面に配置されたパターンの転写に対して寄与しなくてもよい。
M マスク
ME1 第1のマニピュレータ要素
PCHAR 特性周期
SAD 部分開口直径
Claims (11)
- 投影レンズの物体平面(OS)に配置されたパターンを投影レンズの像平面(IS)内に動作波長λ<260nmを有する電磁放射線を用いて結像するための投影レンズ(PO)であって、
前記物体平面(OS)に配置されたパターンを前記像平面(IS)内に光学要素を用いて結像することができるように、該物体平面と該像平面の間の投影ビーム経路に配置された光学面を有する複数の光学要素と、
前記物体平面から前記像平面に通過する前記電磁放射線の波面に動的に影響を及ぼすための波面操作系(WFM)と、
を含み、
前記波面操作系は、前記投影ビーム経路に配置された第1のマニピュレータ面(MS1)と、該第1のマニピュレータ面の面形状及び/又は屈折率分布を可逆に変更するための第1の作動デバイス(DR1)とを有する第1のマニピュレータ(MAN1)を有し、
前記第1のマニピュレータは、有効直径DFPを有する前記第1のマニピュレータ面の光学的使用領域にわたって特性周期PCHAR=DFP/[(NMAX+NMIN)/2]に従って前記電磁放射線の光路長変化の数値NMAX>1の最大点と数値NMIN>1の最小点とを生成することが可能であるように構成され、
前記第1のマニピュレータ面は、該第1のマニピュレータ面での視野平面の視野点から射出する各ビームが、部分開口直径SADを有する部分開口を照明し、かつ該第1のマニピュレータ面において条件SAD/DFP<0.2が成り立つように、該視野平面に対して光学近接にある投影レンズの最も近い視野平面から有限の第1の距離(D1)に配置され、前記部分開口直径SADは、個々の視野点から射出する投影光のビームの直径であり、
前記波面操作系は、前記視野平面に対して光学近接に前記第1のマニピュレータ(MAN1)のみを有し、前記有限の第1の距離(D1)は、前記第1のマニピュレータ面において該第1のマニピュレータの動作時に以下の条件:
0.25*NAM 2<SAD/PCHAR<0.48
が満たされるように寸法決定され、
NAMは、前記第1のマニピュレータ面での前記電磁放射線の開口数である、
ことを特徴とする投影レンズ。 - 前記最も近い視野平面は、投影レンズ(PO)の前記物体平面(OS)であることを特徴とする請求項1に記載の投影レンズ。
- 前記物体平面(OS)と前記第1のマニピュレータ面(MS1)の間には、屈折力を有する光学面が配置されず、その結果、該第1のマニピュレータ面での前記電磁放射線の前記開口数NAMは、物体側開口数NAOに等しいことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の投影レンズ。
- 投影レンズは、前記物体平面(OS)と前記像平面(IS)の間に、少なくとも1つの実中間像(IMI)が、中間像平面(IMIS)の領域に生成されるように構成され、
前記最も近い視野平面は、前記中間像平面である、
ことを特徴とする請求項1又は請求項3に記載の投影レンズ。 - 投影レンズは、光軸(OA)から外れて位置して長辺と短辺の間に2:1よりも大きいアスペクト比を有する有効物体視野を有し、
前記光学的使用領域は、2:1よりも大きいアスペクト比を有するほぼ矩形の形状を有し、前記第1のマニピュレータは、前記長辺と平行に該第1のマニピュレータがこの方向に前記電磁放射線の前記光路長変化の複数の最大点と複数の最小点を生成することができるように作用する、
ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の投影レンズ。 - 感放射線基板をマスクのパターンの少なくとも1つの像で露光するための投影露光方法であって、
投影露光装置の照明系と投影レンズの間にパターンを該パターンが該投影レンズの物体平面の領域に配置されるように与える段階と、
前記基板の感放射線面が前記物体平面に対して光学的に共役である前記投影レンズの像平面の領域に配置されるように該基板を保持する段階と、
前記照明系によって供給される動作波長λ<260nmを有する照明放射線で前記マスクの照明領域を照明する段階と、
前記照明領域に位置する前記パターンの一部を前記基板での像視野上に前記投影レンズを用いて投影する段階であって、該像視野内の像生成に寄与する電磁放射線の全ての光線が投影ビーム経路を形成する前記投影する段階と、
前記投影ビーム経路に配置された第1のマニピュレータ面と該第1のマニピュレータ面の面形状及び/又は屈折率分布を可逆に変更するための第1の作動デバイスとを有する第1のマニピュレータを駆動することにより、前記物体平面から前記像平面まで通過する前記電磁放射線の波面に影響を及ぼす段階と、
を含み、
前記第1のマニピュレータ面は、該第1のマニピュレータ面での物体視野の物体点から射出する各ビームが、部分開口直径SADを有する部分開口SAを照明し、かつ該第1のマニピュレータ面において条件SAD/DFP<0.2が成り立つように、前記投影レンズの最も近い視野平面から有限の第1の距離D1に配置され、
前記第1のマニピュレータは、有効直径DFPを有する前記第1のマニピュレータ面の光学的使用領域にわたって、特性周期PCHAR=DFP/[(NMAX+NMIN)/2]に従って前記電磁放射線の光路長変化の数値NMAX>1の最大点と数値NMIN>1の最小点とが生成されるように駆動され、前記部分開口直径SADは、個々の視野点から射出する投影光のビームの直径であり、
波面操作は、前記視野平面に対して光学近接にある前記第1のマニピュレータを用いるもののみであり、前記有限の第1の距離(D1)は、前記第1のマニピュレータ面において該第1のマニピュレータの動作時に以下の条件:
0.25*NAM 2<SAD/PCHAR<0.48
が満たされるように寸法決定され、
NAMは、前記第1のマニピュレータ面での前記電磁放射線の開口数である、
ことを特徴とする投影露光方法。 - 第1の露光と第2の露光が、連続して実施され、
前記第2の露光中の視野依存歪曲が、連続露光において生成される構造が前記第1のマニピュレータの起動を伴わない場合よりも高い重ね合わせ精度で互いの上に位置するように、先行する該第1の露光中に生成される構造に該第1のマニピュレータの起動によって整合される、
ことを特徴とする請求項6に記載の投影露光方法。 - 前記波面は、異なる大きさを有する歪曲値が異なる視野点に対して設定されるような影響を受けることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の投影露光方法。
- 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の投影レンズが使用されることを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の投影露光方法。
- 投影レンズの像面の領域に配置された感放射線基板を該投影レンズの物体平面の領域に配置されたマスクのパターンの少なくとも1つの像を用いて露光するための投影露光装置であって、
紫外線光を放出するための光源(LS)と、
前記光源から前記光を受光し、かつ前記マスクの前記パターン上に向けられる照明放射線を成形するための照明系(ILL)と、
前記マスクの前記構造を感光基板上に結像するための投影レンズ(PO)と、
を含み、
前記投影レンズは、請求項1から請求項5のいずれか1項に従って設計される、
ことを特徴とする投影露光装置。 - 投影露光装置は、投影露光装置の機能を制御するための中央コントローラを有し、
前記中央コントローラには、波面操作系(WFM)を駆動するための制御モジュールが割り当てられ、投影露光装置の作動中に他の制御信号と協働して該制御モジュールを用いて、1つのマニピュレータ又は複数のマニピュレータを駆動することができる、
ことを特徴とする請求項10に記載の投影露光装置。
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---|---|---|---|---|
JP3303758B2 (ja) * | 1996-12-28 | 2002-07-22 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
EP0851304B1 (en) * | 1996-12-28 | 2004-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and device manufacturing method |
CN100462844C (zh) | 2002-08-23 | 2009-02-18 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法 |
EP1668421A2 (en) * | 2003-09-12 | 2006-06-14 | Carl Zeiss SMT AG | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
WO2005069055A2 (en) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
WO2005098504A1 (en) | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
KR101455551B1 (ko) | 2005-05-12 | 2014-10-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
WO2007017089A1 (en) * | 2005-07-25 | 2007-02-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus |
CN101523294B (zh) * | 2006-08-14 | 2012-08-08 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 具有光瞳镜的反射折射投影物镜、投影曝光设备和方法 |
JP5224218B2 (ja) * | 2007-07-23 | 2013-07-03 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学システム |
DE102007055567A1 (de) | 2007-11-20 | 2009-05-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches System |
JP2009277711A (ja) | 2008-05-12 | 2009-11-26 | Canon Inc | 露光装置、補正方法及びデバイス製造方法 |
DE102010029651A1 (de) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern |
DE102011077784A1 (de) | 2011-06-20 | 2012-12-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsanordnung |
DE102015201020A1 (de) | 2015-01-22 | 2016-07-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage mit Manipulator sowie Verfahren zum Steuern einer Projektionsbelichtungsanlage |
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