JP2014154721A - フォトマスク、フォトマスク作成装置およびフォトマスクの作製方法 - Google Patents

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Abstract


【課題】オーバーレイの精度を高めることができるフォトマスク、フォトマスク作成装置およびフォトマスクの作製方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によるフォトマスクは、非テレセントリック光学系において被転写基板へパターンを転写するために用いられる。マスク基板は、パターンが形成された第1の面、および、第1の面とは反対側の第2の面を含む。凸部または凹部が、パターンを被転写基板へ転写したときに生じる転写パターンの位置ずれを補正するために第2の面に設けられている。凸部は、マスク基板の材料とは異なる材料で形成されている。
【選択図】図2

Description

本発明による実施形態は、フォトマスク、フォトマスク作成装置およびフォトマスクの作製方法に関する。
微細化された半導体装置を形成するために、極短紫外(EUV(Extreme Ultra Violet))光を用いた露光装置(以下、EUV露光装置ともいう)が開発されている。EUV露光装置は、フォトマスクから被転写基板である半導体基板へ露光転写を行うために複数のミラーを備えている。しかし、EUV光のミラー反射率は比較的低いので、半導体基板へ到達するEUV光の光量の低下を抑制するためにミラーの枚数に制限が設けられている。ミラーの枚数が少ないと、半導体基板の下地パターンと露光しようとする転写パターンとの位置ずれ(オーバーレイ誤差)を補正するための自由度が低くなる。実際、EUV露光装置ではオーバーレイの高次補正が困難であり、半導体装置の微細化に伴うオーバーレイの精度を高めることが難しい。
特開2012−124214号公報(米国特許公開第2012/141927号明細書)
オーバーレイの精度を高めることができるフォトマスク、フォトマスク作成装置およびフォトマスクの作製方法を提供する。
本実施形態によるフォトマスクは、非テレセントリック光学系において被転写基板へパターンを転写するために用いられる。マスク基板は、パターンが形成された第1の面、および、第1の面とは反対側の第2の面を含む。凸部または凹部が、パターンを被転写基板へ転写したときに生じる転写パターンの位置ずれを補正するために第2の面に設けられている。凸部は、マスク基板の材料とは異なる材料で形成されている。
第1の実施形態に従ったフォトマスク作成装置100の構成例を示す図。 第1の実施形態に従ったフォトマスクPMの構成を示す平面図および断面図。 第1の実施形態に従ったフォトマスクPMを用いて露光を実行しているEUV露光装置200を示す図。 第1の実施形態に従ったフォトマスクPMの作成方法を示すフロー図。 第2の実施形態に従ったフォトマスクPMの構成を示す平面図および断面図。 第2の実施形態に従ったフォトマスクPMの作成方法を示すフロー図。
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に従ったフォトマスク作成装置100の構成例を示す図である。フォトマスク作成装置100は、EUV露光装置などの非テレセントリック光学系において被転写基板としての半導体基板へパターンを転写するために用いられるフォトマスクPMを作成する。非テレセントリック光学系は、光軸と主光線とが平行でないため、光軸方向に物体(例えば、フォトマスク)が移動すると像面(例えば、被転写基板)において転写パターンの大きさが変化する。EUV露光装置ではフォトマスクが設置される物体側において非テレセントリック系が採用されている。本実施形態では、非テレセントリック光学系のこの性質を意図的に利用してオーバーレイの誤差を補正する。
フォトマスク作成装置100は、ステージ10と、段差形成部としてのスポッタ20と、固化部としてのレーザ発生部30と、コントローラ40とを備えている。ステージ10は、フォトマスクPMを搭載する。ステージ10は、回路パターンが形成されたフォトマスクPMの第1の面F1を下方に向け、第1の面F1とは反対側の第2の面F2を上方に向けた状態で第2の面F2を吸着する。ステージ10は、フォトマスクPMの第2の面F2の任意の位置に凸部を形成することができるようにフォトマスクPMを自在に移動させることができる。
段差形成部としてのスポッタ20は、凸部をフォトマスクPMに形成するためにフォトマスクPMの第2の面F2に材料を供給する。材料は、特に限定せず、液体材料、固体材料のいずれでもよい。液体材料の供給方法は、特に限定せず、滴下、塗布、吹付け等のいずれでもよい。固体材料の供給方法は、特に限定せず、射出、スパッタリング等のいずれでもよい。以下、スポッタ20は、液体材料を供給するものとして説明する。本実施形態では、スポッタ20は、液体材料を第2の面F2へ滴下する。液体材料は、例えば、塗布型カーボンまたは金属含有樹脂等が考えられ、導電性を有していることが望ましい。
固化部としてのレーザ発生部30は、フォトマスクPMに供給された液体材料を固化させるために、第2の面F2に滴下された液体材料にレーザ光を照射する。固化部は、液体材料を固化するものであればよく、特に限定しない。例えば、固化部は、IR(Infrared Radiation)光、可視光、UV(Ultraviolet)光等の光源、あるいは、熱源であってもよい。液体材料の固化方法も、特に限定せず、乾燥、焼結等でよい。
コントローラ40は、ステージ10の動作、スポッタ20から滴下される液体材料の量や滴下のタイミング、並びに、レーザ発生部30からのレーザの照射時間等を制御する。
図2(A)および図2(B)は、第1の実施形態に従ったフォトマスクPMの構成を示す平面図および断面図である。図2(A)は、第2の面F2の平面図である。図2(B)は、図2(A)のB−B線に沿った断面図である。フォトマスクPMは、上述の通り、非テレセントリック光学系において半導体基板へパターンを転写するために用いられるフォトマスク(例えば、レチクル)である。尚、図2(A)、図2(B)に示す凸部51〜54は、模式的に描かれたものであり、実際の凸部よりも誇張して表現されている。
フォトマスクPMは、マスク基板50と、凸部51〜54とを備える。マスク基板50は、第1の面F1および第1の面F1とは反対側の第2の面F2を含む。第1の面F1には、半導体基板へ露光転写される回路パターンが形成されている。第2の面F2には、回路パターンを半導体基板へ転写したときに生じる転写パターンの位置ずれ(オーバーレイ誤差)を補正するために凸部51〜54が設けられている。ここで、回路パターンは、第1の面F1に形成されたフォトマスクPM上のパターンである。転写パターンは、フォトマスクPMを用いて半導体基板へ回路パターンを露光した場合に半導体基板の表面に転写されるパターンである。オーバーレイ誤差は、半導体基板Wに形成されている下地パターンに対する転写パターンの水平方向のずれである。
凸部51〜54は、マスク基板50の材料とは異なる材料で形成されている。例えば、マスク基板50は、ガラス材料を用いて形成されており、凸部51〜54は、カーボンまたは樹脂で形成されている。
凸部51〜54は、スポッタ20から滴下される液体材料を、レーザ発生部30からのレーザ光で固化させることによって形成される。レーザ発生部30は、フォトマスクPMの第2の面F2の一部分に局所的にレーザを照射することができる。従って、レーザ発生部30は、フォトマスクPM全体を熱処理することなく、凸部51〜54を焼結することができる。
凸部51〜54の平面形状および高さ(段差の大きさ)ΔZ1、ΔZ2は、スポッタ20から滴下される液体材料の滴下速度や滴下量、並びに、スポッタ20が液体材料を供給している期間におけるステージ10の移動方向および移動速度によって或る程度決定される。凸部51〜54の平面形状および高さを調節するために、凸部51〜54は、図2(A)および図2(B)に示すように、積層構造を有していてもよい。例えば、凸部51、52の形成後、凸部51、52の高さが不足していると判断された場合には、フォトマスク作成装置100は、液体材料の供給および液体材料の固化を再度実行し、凸部53、54それぞれ凸部51、52の上に形成してもよい。
尚、凸部51〜54が大きすぎた場合、レーザ発生部30は、酸素雰囲気中において凸部51〜54にレーザを照射することによって、凸部51〜54に削って(焼き取って)もよい。あるいは、凸部51〜54が大きすぎた場合、アッシング装置を用いて、凸部51〜54をアッシングして除去してもよい。
このように、転写パターンのオーバーレイ誤差が凸部51〜54によって補正される理由を以下に説明する。
図3は、第1の実施形態に従ったフォトマスクPMを用いて露光を実行しているEUV露光装置200を示す図である。
EUV露光装置200は、真空チャンバ1と、レチクルステージ7と、ウェハステージ8と、光学系4とを備えている。真空チャンバ1の内部は真空(例えば、1×10−4Pa程度の減圧雰囲気)に維持されている。レチクルステージ7、ウェハステージ8および光学系4は、真空チャンバ1内に設けられており、EUV光による露光は真空チャンバ1内で実行される。
レチクルステージ7は、静電チャックを有し、半導体基板Wを露光するためにフォトマスク(即ち、レチクル)PMを装着する。レチクルステージ7は、露光時に走査方向に移動することができるように設けられている。レチクルステージ7の静電チャックは、フォトマスクPMをレチクルステージ7上で吸着し固定する。このとき、レチクルステージ7は、凸部51〜54が設けられているフォトマスクPMの第2の面F2(裏面)を吸着する。また、レチクルステージ7の搭載面は平坦であり、例えば、セラミック等の硬度の高い材料で形成されている。このため、レチクルステージ7がフォトマスクPMを吸着した際に、フォトマスクPMの第1の面F1が凸部51〜54によって伸縮して押し出され、第1の面F1が凹凸(段差)を有するようになる。これにともない、第1の面F1に形成された回路パターンが凹凸を有するようになる。
ウェハステージ8は、静電チャックを有し、露光対象である半導体基板Wを搭載する。ウェハステージ8は、露光時に走査方向に移動することができるように設けられている。ウェハステージ8の静電チャックは、半導体基板Wをウェハステージ8上で固定する。
光学系4は、レチクルステージ7に装着されたフォトマスクPMに形成された回路パターンを、ウェハステージ8上に搭載された半導体基板Wへ露光転写する。露光時に、光学系4はフォトマスクPMで反射した露光光で半導体基板Wを露光する。即ち、光学系4は、フォトマスクPMの第1の面F1に形成されたパターンを半導体基板Wへ投影する。半導体基板Wの表面には、感光性材料(例えば、レジスト)が予め塗布されており、露光光(EUV光)は、半導体基板W上の感光性材料を感光させる。露光は、レチクルステージ7およびウェハステージ8を走査方向に走査させながら実行される。
ここで、フォトマスクPMの凸部51〜54(高さZ1、Z2)によって押し出された第1の面F1の段差の大きさをΔZとする。フォトマスクPMの第1の面F1に対する垂直方向とフォトマスクPMに入射するEUV光の入射方向とが成す角をθとする。光学系4においてフォトマスクPMから半導体基板Wへの転写パターンの縮小率をMとする。さらに、段差の大きさΔZに応じて生じる半導体基板Wにおける転写パターンの位置の補正値(即ち、オーバーレイの補正値)をΔXとする。この場合、次の式1が成り立つ。
ΔZ=ΔX/(M×tanθ) (式1)
即ち、フォトマスクPMの第1の面F1の段差ΔZは、半導体基板W上の転写パターンの位置をΔXだけずらす(補正する)ことができる。これは、フォトマスクPMの第2の面F2に形成された凸部51〜54が半導体基板W上の転写パターンの位置を補正することができると換言することができる。
図4は、第1の実施形態に従ったフォトマスクPMの作成方法を示すフロー図である。フォトマスクPMは、次のように作成される。
まず、フォトマスクPMの第1の面F1に回路パターンを形成する(S10)。回路パターンの形成は、本実施形態におるフォトマスク作成装置100とは別の装置で実行してもよい。
次に、露光装置200においてフォトマスクPMを用いて露光を実行する(S20)。このとき、露光装置200は、半導体基板W上の転写パターンの位置ずれ(オーバーレイ誤差)を計測する(S30)。オーバーレイ誤差は、フォトマスクPMの面内の複数の位置で計測されることが好ましい。例えば、オーバーレイ誤差は、フォトマスクPMの面内において設定された複数の格子点のそれぞれにおいて測定されてもよい。これにより、オーバーレイ誤差は、フォトマスクPMの面内において均等に測定される。
各格子点におけるオーバーレイ誤差が予め設定されている規格の範囲内である場合(S40のYES)、フォトマスクPMはそのまま半導体装置の生産のために使用することが可能である。従って、フォトマスクPMの作成は終了する。
一方、或る格子点のオーバーレイ誤差が予め設定されている規格の範囲外である場合(S40のNO)、フォトマスク形成装置100がフォトマスクPMの第2の面F2に凸部を形成する(S50)。フォトマスク形成装置100は、オーバーレイ誤差が生じているフォトマスクPMの位置、オーバーレイ誤差の測定値等に応じて凸部の形成位置や液体材料の供給量等を決定する。ここで、オーバーレイ誤差をΔXとして式1を用いれば、補正に必要な段差の大きさΔZが算出され得る。また、第1の面F1における段差の大きさΔZと第2の面F2における凸部51〜54の大きさΔZ1、ΔZ2やそれらの位置との関係は、応力解析などのシミュレーションもしくは経験則等によって予め設定され得る。さらに、所望の高さの凸部51〜54を形成するために必要な液体材料の供給量は経験則等によって予め設定され得る。凸部51〜54を実際に形成する前に、形成される予定の凸部がオーバーレイ誤差を小さくすることをシミュレーションにより確認してもよい。また、凸部51〜54を実際に形成した後、形成された凸部の高さ、大きさなどの形状を計測し、凸部がオーバーレイ誤差を小さくすることをシミュレーションにより確認してもよい。
凸部を形成した後、ステップS20〜S40を再度実行する。そして、各格子点におけるオーバーレイ誤差が規格の範囲内に入るまで、ステップS20〜S40を再度実行する。このようにして、本実施形態による方法は、オーバーレイ誤差を補正することができる。ステップS20〜S40の反復回数が所定値を超えた場合には、フォトマスクPMの回路パターン自体を作成し直してもよい。
このように、第1の実施形態によるフォトマスク形成装置およびフォトマスク形成方法は、フォトマスクPMの第2の面(裏面)に凸部51〜54を形成することによって半導体基板Wにおけるオーバーレイ誤差を補正することができる。このようなフォトマスクPMを用いて露光することにより、半導体基板Wの下地パターンと露光される転写パターンとのオーバーレイ精度が向上し、その結果、歩留まりが向上する。
また、第1の実施形態は、EUV露光装置200では修正できないようなオーバーレイ誤差を補正することができる。即ち、第1の実施形態は、EUV露光装置ではできないオーバーレイの高次補正をフォトマスクPMの構成において行なうことができる。
(第2の実施形態)
図5(A)および図5(B)は、第2の実施形態に従ったフォトマスクPMの構成を示す平面図および断面図である。図5(A)は、第2の面F2の平面図である。図5(B)は、図5(A)のB−B線に沿った断面図である。第2の実施形態において、フォトマスクPMは、凸部に代えて、凹部61〜64を備えている点で第1の実施形態と異なる。第2の実施形態によるフォトマスクPMの構成は、第1の実施形態におけるフォトマスクPMの他の構成と同様でよい。
凹部61〜64は、フォトマスクPMのマスク基板50の面F2上に新たな膜を一様の厚さで形成し、さらに膜をエッチングすることによって形成され得る。面F2上に材料を供給し、固化することで一様な厚さの膜を形成する。材料は、特に限定せず、液体材料、固体材料のいずれでもよい。液体材料の供給方法は、特に限定せず滴下、塗布、吹付のいずれでもよい。液体材料は、例えば、塗布型カーボンまたは金属含有樹脂等が考えられ、導電性を有していることが望ましい。固体材料の供給方法は、特に限定せず、射出、スパッタリング等のいずれでもよい。材料の固化方法は、特に限定せず、例えば、IR(Infrared Radiation)光、可視光、UV(Ultraviolet)光等の照射、あるいは、乾燥、焼結等でよい。
従って、第2の実施形態によるフォトマスク作成装置は、面F2上に形成した膜をエッチング可能なエッチング装置でよい。また、面F2上に形成した膜を選択的にエッチングするために、リソグラフィ技術を用いて形成した膜の上にさらにレジストを形成し、そのレジストをパターニングしてもよい。
フォトマスクPMが凹部61〜64を有する場合、EUV露光装置200においてフォトマスクPMがレチクルステージ7に装着されたときに、フォトマスクPMの第1の面F1は凹む。従って、上記式1のΔZは、フォトマスクPMの第1の面F1の凹部の深さ(段差の大きさ)となる。
図6は、第2の実施形態に従ったフォトマスクPMの作成方法を示すフロー図である。ステップS10〜S40の実行後、或る格子点のオーバーレイ誤差が予め設定されている規格の範囲外である場合(S40のNO)、第2の実施形態によるフォトマスク作成装置は、フォトマスクPMの第2の面F2に凹部を形成する(S51)。
フォトマスク形成装置は、オーバーレイ誤差が生じているフォトマスクPMの位置、オーバーレイ誤差の測定値等に応じて凹部の形成位置等を決定する。ここで、オーバーレイ誤差をΔXとして式1を用いれば、補正に必要な段差の大きさΔZが算出され得る。また、第1の面F1における段差の大きさΔZと第2の面F2における凹部61〜64の大きさΔZ1、ΔZ2やそれらの位置との関係は、応力解析などのシミュレーションもしくは統計または経験則等によって予め設定され得る。凹部61〜64を実際に形成する前に、その凹部61〜64がオーバーレイ誤差を小さくすることをシミュレーションにより確認してもよい。また、凹部61〜64を実際に形成した後、形成された凹部の高さ,大きさなどの形状を計測し、凹部がオーバーレイ誤差を小さくすることをシミュレーションにより確認してもよい。
凹部の形成の際、リソグラフィ技術を用いてフォトマスクPMの第2の面F2に形成された膜上にレジストを形成し、そのレジストをパターニングする。その後、エッチング装置がフォトマスクPMの第2の面F2を選択的にエッチングする。第2の面F2のエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングのいずれでもよい。これにより、フォトマスクPMの第2の面F2に凹部が形成され得る。
凹部を形成した後、ステップS20〜S40を再度実行する。そして、各格子点におけるオーバーレイ誤差が規格の範囲内に入るまで、ステップS20〜S40を再度実行する。このようにして、第2の実施形態による方法は、オーバーレイ誤差を補正することができる。ステップS20〜S40の反復回数が所定値を超えた場合には、フォトマスクPMの回路パターン自体を作成し直すことが考えられる。
第2の実施形態のように、フォトマスクPMの第2の面(裏面)に凹部61〜64を形成しても半導体基板Wにおけるオーバーレイ誤差を補正することができる。これにより、第2の実施形態は、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
さらに、第1の実施形態と第2の実施形態とは組み合わせてもよい。即ち、フォトマスクPMは、凸部と凹部との両方を第2の面F2に備えていてもよい。これにより、オーバーレイ誤差を臨機応変に補正することができ、オーバーレイ精度をさらに向上させることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
100・・・フォトマスク作成装置、10・・・ステージ、20・・・スポッタ、30・・・レーザ発生部、40・・・コントローラ、PM・・・フォトマスク、50・・・マスク基板、51〜54・・・凸部、61〜62・・・凹部、F1・・・第1の面、F2・・・第2の面

Claims (7)

  1. 非テレセントリック光学系において被転写基板へパターンを転写するために用いられるフォトマスクであって、
    前記パターンが形成された第1の面、および、前記第1の面とは反対側の第2の面を含むマスク基板と、
    前記パターンを前記被転写基板へ転写したときに生じる転写パターンの位置ずれを補正するために前記第2の面に設けられた凸部または凹部とを備え、
    前記凸部は、前記マスク基板の材料とは異なる材料で形成されていることを特徴とするフォトマスク。
  2. 前記マスク基板はガラス基板であり、
    前記凸部はカーボンまたは樹脂で形成されていることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク。
  3. 前記凸部または前記凹部によって露光時に前記第1の面に形成される段差の大きさをΔZとし、前記ΔZに応じて生じる前記被転写基板上におけるパターンの位置の補正値をΔXとし、前記フォトマスクから前記被転写基板へ転写されるパターンの縮小率をMとし、前記フォトマスクの表面に対する垂直方向と前記フォトマスクに入射する光の入射方向との成す角をθとすると、
    ΔZ=ΔX/(tanθ×M) (式1)
    式1が成り立つことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のフォトマスク。
  4. 非テレセントリック光学系において被転写基板へパターンを転写するために用いられるフォトマスクを作成する装置であって、
    前記パターンを前記被転写基板へ転写したときに生じる転写パターンの位置ずれを補正するために、前記パターンが形成された前記フォトマスクの第1の面とは反対側の第2の面に凸部または凹部を形成する段差形成部を備えたフォトマスク作成装置。
  5. 前記段差形成部は、前記凸部を形成するために前記フォトマスクの前記第2の面に液体材料を供給することを特徴とする請求項4に記載のフォトマスク作成装置。
  6. 前記フォトマスクに供給された液体材料を固化させる固化部をさらに備えたことを特徴とする請求項5に記載のフォトマスク作成装置。
  7. 非テレセントリック光学系において被転写基板へパターンを転写するために用いられるフォトマスクを作成する装置におけるフォトマスク作成方法であって、
    前記パターンを前記被転写基板へ転写したときに生じる転写パターンの位置ずれを補正するために、前記パターンが形成された前記フォトマスクの第1の面とは反対側の第2の面にマスク基板の材料とは異なる材料で凸部または凹部を形成することを具備したフォトマスク作成方法。
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