JP7206049B2 - カーボンナノチューブをベースにした熱界面材料ならびにそれを作製および使用する方法 - Google Patents
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Description
このように、金属基板上に長いCNTを成長させる際の上述の困難を克服すること、および良好な熱輸送特性を有する材料を作製する方法が、求められている。
(1)基板を、熱または電気ユニットヘッドに直接取着して、ヘッドの領域を完全に覆うか、または被試験デバイスのサイズを一致させるステップと;
(2)取着された基板を持つ熱または電気ユニットヘッドと、被試験デバイスとを、少なくとも10psiの圧力および150℃未満の係合温度で係合させるステップと;
(3)係合を、少なくとも10psiの圧力下で少なくとも5分間保持するか、または係合を少なくとも1から5回のサイクルで繰り返すステップであって、各係合中に、被試験デバイスの出力を上昇させ、熱または電気ユニットヘッドを加熱して、少なくとも50℃の温度に到達するまでデバイスの出力上昇をシミュレートするステップと;
(4)少なくとも1,500サイクルの出力上昇の間、熱または電気ヘッドおよび基板と被試験デバイスとの係合を解除し、そして再度係合させるステップと;
(5)サイクル後に、熱抵抗および/または相対熱抵抗を決定するよう被試験デバイスを試験するステップ
を含む方法におけるような、熱管理法で使用されるTIMとして有用である。
(項目1)
被試験デバイスと、接着表面を有する熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板との接触を行うための方法であって、
前記基板を、熱または電気ユニットヘッドに直接取着するステップであって、前記ヘッドの領域を完全に覆うか、または前記被試験デバイスのサイズを一致させるステップと、
取着された基板を持つ前記熱または電気ユニットヘッドと、前記被試験デバイスとを、少なくとも10psiの圧力および150℃未満の係合温度で係合させるステップと、
前記係合を、少なくとも10psiの圧力下で少なくとも5分間保持するか、または前記係合を少なくとも1から5回のサイクルで繰り返すステップであって、各係合中に、前記被試験デバイスの出力を上昇させ、かつ前記熱または電気ユニットヘッドを加熱して、少なくとも50℃の温度に到達するまでデバイスの出力上昇をシミュレートする、ステップと、
少なくとも1,500サイクルの出力上昇の間、前記熱または電気ヘッドおよび基板と前記被試験デバイスとの係合を解除し、そして再度係合させるステップと、
サイクル後に、熱抵抗および/または相対熱抵抗を決定するよう前記被試験デバイスを試験するステップ
を含む方法。
(項目2)
前記基板を除去することなく、または前記被試験デバイスから砕片または痕跡を取り除く必要なく、10,000から100,000回の係合サイクルが行われる、項目1に記載の方法。
(項目3)
前記被試験デバイスが、約-55℃から140℃の間の温度で試験される、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目4)
前記基板の表面が、前記ユニットヘッドと前記被試験デバイスとの間の機械的粘着を防止するように処理または改変される、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目5)
前記基板が、同時に同じ基板上の1から10個のダイと接触するために使用され、前記1から10個のダイが、異なる高さ、形状、および/またはサイズにできる、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目6)
前記基板が、前記被試験デバイスに取着され、前記熱または電気ユニットヘッドには取着されない、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目7)
前記基板が、前記被試験デバイスに取着され、前記熱または電気ユニットヘッドには取着されず、前記基板が、さらなる試験または販売用のパッケージングのためのその次の形態に前記デバイスと共にパッケージングされるように、試験ステップの終了後も前記被試験デバイスに取着されたままである、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目8)
前記基板が、前記試験ステップの後で決定される、0.05から1.5cm2K/Wの間の熱抵抗を加える、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目9)
前記基板が、前記被試験デバイス上の局所ホットスポットから熱を拡げるために、100から1,700W/mKの間にある面内熱伝導度を有する、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目10)
前記基板が、低い熱質量と、1、2、3、4、5、6、7、または8W/mKよりも大きい平面を通る熱伝導度とを有し、
前記被試験デバイスを試験するために必要な時間は最小限に抑えられ、即ち、5分未満、3分未満、1分未満、30秒未満である、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目11)
前記基板が、前記試験ステップに対し1cm2当たり0.001から10オームの間で加える、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目12)
前記基板が、自動試験装置(ATE)ピックアンドプレースハンドラ、焼付け炉、またはその他のそのような試験装置に対して台座または前記熱もしくは電気ユニットヘッドを設置する前に、前記台座にまたは熱もしくは電気ユニットヘッドに付与される、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目13)
前記基板が、電気接続の特徴付けのために電気接続ピンのアレイを短絡するのに使用される、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目14)
前記基板が、5ミクロン未満の圧縮永久歪みを有する、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目15)
前記基板が、100psi未満の印加圧力で、その当初の厚さの少なくとも5%に圧縮することができる、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目16)
前記基板が、引裂きまたは剪断破壊なしで、その当初の厚さの50%程度に圧縮することができる、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目17)
前記基板が、同じボード上にある異なるサイズ、形状、または高さを持つ1つまたは複数のダイまたはチップとの表面接触を維持しながら、前記基板の異なる領域で異なる量に圧縮することができる、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目18)
前記接着剤が、前記基板の表面層に埋め込まれた熱可塑性または感圧性接着剤であって、強力な機械的結合を維持しながら、前記基板と接触表面との間で5ミクロンよりも大きい接着剤の厚さを加えない、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目19)
前記熱ユニットが、自動試験装置(ATE)ピックアンドプレースハンドラの一部であって、前記基板が、異なるデバイス形状または幾何形状のために台座またはデバイスキットの必要性に取って代わる、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目20)
前記熱ユニットが、焼付け炉の一部であり、前記基板は、異なるデバイス形状または幾何形状のために台座またはデバイスキットの必要性に取って代わる、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目21)
前記基板が、前記台座の1つまたは両方の面上で金属台座と組み合わせて使用される、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目22)
前記機械的にコンプライアントな基板が、合わせ面を研磨するいかなる必要性も、工場ミル仕上げよりも大きい程度まで最小限にする、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目23)
前記機械的にコンプライアントな基板が、各試験係合サイクルで挿入される液体または性能を高める液体と組み合わせて使用される液体の必要性に取って代わる、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目24)
前記基板の厚さが約10から10,000マイクロメートルの間である、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目25)
前記基板が、約100ミクロン未満の厚さであり、前記被試験デバイスとのヘッド接触中に印加された剪断力から引き裂かれないか、または劣化しない、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目26)
前記基板が、前記デバイスまたはヘッドの中心から縁部への曲率が約5~200ミクロンの間であるときに、前記被試験デバイスと前記熱または電気ユニットヘッドとの間の隙間を満たすように変形することができる、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目27)
前記基板が、金属または黒鉛の箔またはシートの1つまたは両方の面上に成長させた垂直に並んだカーボンナノチューブアレイである、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目28)
前記基板が、金属または黒鉛の箔またはシートの1つまたは両方の面上に成長させた垂直に並んだカーボンナノチューブアレイの多層積層体であり、
層の数が1から20の間である、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目29)
前記基板が、可撓性ガラスまたはセラミックまたは誘電性の箔もしくはシート、あるいは電気絶縁をもたらす誘電体層でコーティングされた金属箔である、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目30)
前記基板が、前記基板に固着された触媒を使用して形成された垂直に並んだカーボンナノチューブアレイである、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目31)
前記基板が、精密に切断されて前記被試験デバイスの寸法にされるか、または前記熱もしくは電気ユニットヘッドの寸法にされ、1個または複数のセンサ、1個または複数の取付けアライメントピン、1個または複数の減圧チャッキング、またはこれらの組合せに対して前記基板内を貫通させる、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目32)
前記基板が、台座または前記熱もしくは電気ユニットヘッドに付与されたとき、いかなる残渣もまたは実質的にいかなる残渣も残さずに、前記台座、熱または電気ユニットヘッドから除去することができる、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目33)
前記基板が、熱可塑性接着剤の共形コーティングの使用を通して、熱源またはヒートシンクのいずれかに永続的にまたは半永続的に取着され、前記熱可塑性接着剤の付加は、前記基板の熱抵抗を、接着剤のない基板に比べて増加させない、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目34)
前記接着剤が、残渣を全く残さないか、または最小限の残渣を残す、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目35)
前記基板が、耐久性ある低圧縮永久歪みのポリマーを浸潤させたカーボンナノチューブアレイであって、前記ポリマーコーティングが、CNTの先端と同一平面にあるか、または1000nm以下の過剰なポリマーを前記CNTの先端の上方に有する、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目36)
前記ポリマーが、前記被試験デバイスに残渣を流さず、濡らさず、蒸発させず、またはその他の手法で移さないか、あるいは実質的に流さず、濡らさず、蒸発させず、またはその他の手法で移さない、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目37)
前記ポリマーが、高い電気抵抗率で高い誘電強度を有する、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目38)
前記CNTの先端が、結合されることが意図される表面と電気接続を行うように利用可能なままである、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目39)
前記接着剤が、前記被試験デバイスまたは熱/電気接続ヘッドとの基板界面に熱または電気抵抗を加えない、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目40)
前記接着剤が、貼って剥がせる接着剤および/または熱により活性化される接着剤である、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目41)
前記デバイスが、前記基板を除去することなく、または前記被試験デバイスから砕片または痕跡を取り除く必要なく試験される、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目42)
前記基板が、コーティングされたCNTアレイサーマルインターフェースマテリアル(TIM)である、前記項目のいずれか一項に記載の方法。
(開示の要約)
本明細書で使用される「サーマルインターフェースマテリアル」(TIM)は、熱源から熱を効率的に伝導するように、熱源とヒートシンクまたはスプレッダとの間に高い熱伝導および機械的コンプライアンスを提供する、材料または材料の組合せを指す。
II.コーティングされたカーボンナノチューブアレイまたはシート
A.カーボンナノチューブアレイ
B.カーボンナノチューブシート
C.コーティング(単数または複数)/コーティング材料
1.ポリマーコーティング材料
D.他のコーティング材料
1.金属ナノ粒子
2.流動性または相変化材料
III.多層化または重層化構造
A.熱抵抗の低減
IV.CNTアレイおよびそれから形成される多層化または重層化構造を調製するための方法
A.カーボンナノチューブ(CNT)アレイ
B.カーボンナノチューブシート
C.コーティングされたナノチューブアレイおよびシート
1. ポリマーコーティング
2.金属性ナノ粒子
3.流動性または相変化材料
D.多層化または重層化構造
他の実施形態では、多層化または重層化構造は:
(1)少なくとも2つまたはそれよりも多くのCNTアレイまたはシートを提供するステップと;
(2)少なくともCNTアレイまたはシートを積層するステップと
を含み、積層の結果、アレイまたはシートのナノ構造、CNTの少なくとも部分的な噛み合いが得られる方法によって形成された、CNTアレイまたはシートを積層することによって形成される。一部の実施形態では、多層化または重層化構造を作製する方法は、上述の、コーティング、金属性ナノ粒子のコーティング、および/または流動性もしくは相変化材料のコーティングを付与または浸潤させるステップをさらに含む。一部の実施形態では、コーティング、金属性ナノ粒子のコーティング、および/または流動性もしくは相変化材料のコーティングを付与するステップは、積層の前、あるいは積層中、あるいは積層後に行う。さらに他の実施形態では、方法は、積層ステップ中に圧力を加えることを含む。印加圧力は、約1~30psiの範囲、より好ましくは約1~20psi、最も好ましくは約1~15psiの範囲にあってもよい。一部の実施形態では、圧力は約15psiである。圧力は、接着剤または相変化材料などの結合剤として作用することができるコーティング材料(単数または複数)が使用される場合、隣接する階層が結合されるまで連続的に加えてもよい。圧力は、任意の適切な長さの時間にわたり加えてもよい。一部の実施形態では、結合剤を使用しない場合、1分未満などの短時間で使用されるだけである。
V.適用例
A.焼付けおよび熱の適用例
熱または電気ユニットヘッドを、ユニットヘッドに直接取着している基板に、少なくとも10psiの圧力および150℃未満の係合温度で係合させるステップと;
係合を、少なくとも10psiの圧力下で少なくとも5分間保持するか、または係合を少なくとも1から5回のサイクルで繰り返すステップであり、各係合中に、被試験デバイスの出力を上昇させ、熱または電気ユニットヘッドを加熱して、少なくとも50℃の温度に到達するまでデバイスの出力上昇をシミュレートするステップと;
少なくとも1,500サイクルの出力上昇の間、熱または電気ヘッドおよび基板と被試験デバイスとの係合を解除し、そして再度係合させるステップと
を含むことができる。
(1)基板を熱または電気ユニットヘッドに直接取着するステップであって、ヘッドの領域を完全に覆うか、または被試験デバイスのサイズに一致させるステップと;
(2)取着された基板を持つ熱または電気ユニットヘッドと、被試験デバイスとを、少なくとも10psiの圧力および150℃未満の係合温度で係合させるステップと;
(3)係合を、少なくとも10psiの圧力下で少なくとも5分間保持するか、または係合を少なくとも1から5回のサイクルで繰り返すステップであって、各係合中に、被試験デバイスの出力を上昇させ、熱または電気ユニットヘッドを加熱して、少なくとも50℃の温度に到達するまでデバイスの出力上昇をシミュレートするステップと;
(4)少なくとも1,500サイクルの出力上昇の間、熱または電気ヘッドおよび基板と被試験デバイスとの係合を解除し、そして再度係合させるステップと;
(5)サイクル後に、熱抵抗および/または相対熱抵抗を決定するよう被試験デバイスを試験するステップと
を含む。
B.サーマルインターフェースマテリアルキット
- 保護手袋を着用するステップであって、ピンセットを使用して、貼って剥がせるCNT-TIM複合体材料から剥離ライナを除去し、付与前に接着剤に触れないことを確実にするステップ。接着剤は長いオープンタイムを有するが、剥離ライナを除去した後は、任意の粒子またはその他の環境汚染を回避するために素早く付与するべきである;および
- 剥離した、貼って剥がせるCNT-TIM複合体を、ヒートシンクヘッドなどの基板に取着するステップであって、好ましくは基板の一端から開始して基板の反対側の端部に向かって作業するステップであって、CNT-TIM複合体が表面に対して平らになるよう確実にするステップ。圧力は、付与されたCNT-TIM複合体に対して垂直に加えられるべきであり、圧力は、付与されたCNT-TIM複合体を横断して指を滑らせることなどによって加えられるべきではない。
- 少なくとも10、20、または30psiの圧力を、好ましくは50℃よりも低い係合温度で印加するステップ。処理(seasoning)中に加えられる圧力は、200psi、150psi、100psi、または75psi程度に高くてもよい。より高い圧力を使用する結果、CNT-TIM複合体の改善された熱抵抗特性を得ることができる(図10参照)。
- 付与されたCNT-TIM複合体の面上で、ヒートシンクなどの基板を、約90°から120℃、好ましくは少なくとも約110℃の温度に加熱するステップ。
- 複合体を、適切な温度の加圧下で、約1から30分、1から20分、1から10分、5から10分、より好ましくは少なくとも約8分間保持するステップ。
- ヒートシンクなどの基板を、75℃、60℃、50℃、40℃、または30℃よりも低い温度に冷却させるステップ;および
- ヒートシンクなどの基板を、印加圧力から係合を解除するステップ。
- ピンセットおよび保護手袋を使用するステップ、
- CNT-TIM複合体を隅から把持して剥がすステップ、および
- いかなる残渣も、IPAおよび糸くずの出ない布を使用して、ヒートシンクなどの基板、表面から取り除くステップ
を含む。
- CNT-TIM複合体を剥がすステップ;
- いかなる残渣も、IPAおよび糸くずの出ない布を使用して、ヒートシンクなどの基板、表面から取り除くステップ
を含む。
多層化/重層化CNTベースのサーマルインターフェースマテリアル(TIM)
方法:
熱測定システム設計:
全ての試験片に関する熱移動特性を、ASTM D5470「熱伝導性電気絶縁材料の熱貫流特性に関する標準試験法(Standard Test Method for Thermal Transmission Properties of Thermally Conductive Electrical Insulation Materials)」に記載される方法に基づいて設計され構築された試験装置を使用して評価した。試験片を変形させるだけでなく、減圧チャンバも組み込んで伝導性および対流性熱損失を最小限にする。装置の設計の概略図を図1に示す。減圧チャンバは、アクリルドアを備えたステンレス鋼で構築され、10-5torrの範囲で減圧を維持することが可能である。減圧チャンバを、1000lbの負荷フレームの反応プレート上に据え、全てのフィードスルーをチャンバの最上部近傍に据えた。熱電対を、1対のOmega 4対フィードスルー(8つの熱電対が可能)を介して供給した。冷却管は、oリング封止材を備えたバルクヘッド継手を所有する。ヒータ用の電力は、熱電対フィードバックループを持つWatlow SD制御器を介して制御した。加熱ブロックを、FR4ガラス繊維絶縁体シェルにより取り囲み、冷却ブロックを、加熱ブロックと中心を合わせた状態が維持されるよう機械加工されたリセス部セクションを持つガラス線維絶縁性プレートの頂部に据えた。1インチ×1インチおよび4インチ×4インチの加熱ブロックおよび冷却ブロックの両方を、このプログラム用に計画された試験に適応するように製作した。
熱移動係数の評価:
Q=(λ*A/d)(δT) (1)
(式中、Qはバーを通る熱流であり、Aは断面積であり、dは熱電対間の距離であり、δTは一方の熱電対から他方の熱電対への温度差を単位ケルビンで表したものである)
から計算した。次いで高温および低温メーターブロックに関する値を平均して、QTOTALを得た。次いで熱インピーダンス(単位 m2K/W)を、方程式2:
θ=(A/QAVG)*δT (2)
(式中、δT=TH-TCは、評価した材料とメーターブロックの界面での特定の温度間の差であり、Aは材料の断面積であり、Qはメーターブロック内を通る平均熱流である)
を通して評価した。
λ=QAVG*δd/A*δT (3)
(式中、δdは試験片の厚さの変化であり、Aは試験片の断面積であり、δTは試験片を横断する温度差を単位ケルビンで表したものである)
を使用して計算した。
c=QAVG/A*δT (4)
を介して計算した。
試料製作:
・ シリーズ#1-各面上に50ミクロンのナノチューブがある50ミクロンAl基板
・ シリーズ#2-各面上に75ミクロンのナノチューブがある50ミクロンAl基板
・ シリーズ#3-各面上に150ミクロンのナノチューブがある50ミクロン銅基板
結果および考察:
乾燥積層体:
ワックスで組み立てられた積層体:
(実施例2)
ポリマーまたは接着剤を含む多層化/重層化CNTベースのサーマルインターフェースマテリアル(TIM)
(実施例3)
サーマルインターフェースマテリアル(TIM)の焼付け試験
CNT-TIM複合体の試料製作:
焼付けシステム設計:
を使用して計算した。次いで電力入力を、以下の方程式:
Q=q”Area下部バー
を使用して計算することができた。
結果:
静止試験:
焼付けおよび試験:
Claims (28)
- 被試験デバイスと、接着表面を有する熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板との接触を行うための方法であって、該方法が、
該熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板を被試験デバイスに取着するステップと;
少なくとも10psiの圧力および150℃未満の係合温度で該被試験デバイスを係合するステップと;
該被試験デバイスを少なくとも10psiの圧力下で少なくとも5分間保持するステップと;
少なくとも1から5回のサイクルの該被試験デバイスの出力上昇の間該被試験デバイスの係合を解除し、そして再度係合させるステップと
を含み、
ここで、該熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、該被試験デバイスに取着されたままであり、該被試験デバイスと共にパッケージングされることができ、そして
ここで、該熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、1、2、3、4、5、6、7、または8W/mKよりも大きい平面を通る熱伝導度を有する、方法。 - 前記係合するステップ、係合を解除し、そして再度係合させるステップが、少なくとも1回から5回繰り返される、請求項1に記載の方法。
- 前記被試験デバイスが、約-55℃から140℃の間の温度で試験される、請求項1~2のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、0.05から1.5cm2K/Wの間の熱抵抗を加える、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、前記被試験デバイス上の局所ホットスポットから熱を拡げるために、100から1,700W/mKの間にある面内熱伝導度を有する、請求項1~4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、100psi未満の印加圧力で、その当初の厚さの少なくとも5%に圧縮されることができる、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板の厚さが、約10から10,000マイクロメートルである、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、1cm2当たり0.001から10オームの間を加える、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板の厚さが、約100ミクロン未満である、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板の厚さが、約100ミクロン未満であり、そしてここで、前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、1cm 2 当たり0.001から10オームの間を加える、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、金属または黒鉛の箔またはシートの1つまたは両方の面上に成長させた垂直に並んだカーボンナノチューブアレイである、請求項1~10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、金属または黒鉛の箔またはシートの1つまたは両方の面上に成長させた垂直に並んだカーボンナノチューブアレイの多層積層体であり、層の数が1から20の間である、請求項1~11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、前記接着表面上の熱可塑性接着剤の共形コーティングの使用を通して、ヒートシンクまたはヒートスプレッダに永続的にまたは半永続的に取着され、前記熱可塑性接着剤の共形コーティングの存在は、前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板の熱抵抗を、その上に熱可塑性接着剤の存在がない熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板に比べて増加させない、請求項1~12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記接着表面が、貼って剥がせる接着剤および/または熱により活性化される接着剤を含む、請求項1~13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、コーティングされたカーボンナノチューブアレイサーマルインターフェースマテリアル(TIM)である、請求項1~14のいずれか一項に記載の方法。
- 被試験デバイスと、接着表面を有する熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板との接触を行うための方法であって、該方法が、
該熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板を、熱または電気ユニットヘッドに直接取着するステップであって、該熱または電気ユニットヘッドの領域を完全に覆うか、または該被試験デバイスのサイズを一致させるステップと;
該熱または電気ユニットヘッドと、該被試験デバイスに取着された熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板とを、少なくとも10psiの圧力および150℃未満の係合温度で係合させるステップと;
該熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板と該被試験デバイスとを、少なくとも10psiの圧力下で少なくとも5分間保持するステップと
を含み、
ここで、該取着された熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板を持つ該熱または電気ユニットヘッドが、少なくとも1,500サイクルの該被試験デバイスの出力上昇の間、該被試験デバイスとの係合を解除し、そして再度係合することができ、
ここで、該熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、1、2、3、4、5、6、7、または8W/mKよりも大きい平面を通る熱伝導度を有する、方法。 - 前記係合するステップ、係合を解除し、そして再度係合するステップが、前記取着された熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板を除去することも、前記被試験デバイスから砕片または痕跡を取り除く必要もなく、10,000から100,000回繰り返される、請求項16に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板の前記接着表面が、前記熱または電気ユニットヘッドと前記被試験デバイスとの間の機械的粘着を防止するように処理または改変される、請求項16または17に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、前記被試験デバイス上の局所ホットスポットから熱を拡げるために、100から1,700W/mKの間にある面内熱伝導度を有する、請求項16~18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、100psi未満の印加圧力で、その当初の厚さの少なくとも5%に圧縮することができる、請求項16~19のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板の厚さが、約10から10,000マイクロメートルである、請求項16~20のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、金属または黒鉛の箔またはシートの1つまたは両方の面上に成長させた垂直に並んだカーボンナノチューブアレイである、請求項16~21のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、金属または黒鉛の箔またはシートの1つまたは両方の面上に成長させた垂直に並んだカーボンナノチューブアレイの多層積層体であり、層の数が1から20の間である、請求項16~22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、前記接着表面上の熱可塑性接着剤の共形コーティングの使用を通して、ヒートシンクまたはヒートスプレッダのいずれかに永続的にまたは半永続的に取着され、前記熱可塑性接着剤の共形コーティングの存在は、前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板の熱抵抗を、その上に熱可塑性接着剤の存在がない熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板に比べて増加させない、請求項16~23のいずれか一項に記載の方法。
- 前記接着表面が、貼って剥がせる接着剤および/または熱により活性化される接着剤を含む、請求項16~24のいずれか一項に記載の方法。
- 前記接着表面が、熱可塑性接着剤の共形コーティングを含み、それが、前記被試験デバイスまたは前記熱もしくは電気ユニットヘッドとの界面において、前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板の熱または電気抵抗を増加させない、請求項16~25のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱伝導性および/または導電性の機械的にコンプライアントな基板が、コーティングされたカーボンナノチューブアレイサーマルインターフェースマテリアル(TIM)である、請求項16~26のいずれか一項に記載の方法。
- 前記熱可塑性接着剤が、5ミクロン以下の厚さを有する、請求項13、24および26のいずれか一項に記載の方法。
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