JP7201502B2 - マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7201502B2
JP7201502B2 JP2019056697A JP2019056697A JP7201502B2 JP 7201502 B2 JP7201502 B2 JP 7201502B2 JP 2019056697 A JP2019056697 A JP 2019056697A JP 2019056697 A JP2019056697 A JP 2019056697A JP 7201502 B2 JP7201502 B2 JP 7201502B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phase shift
film
silicon
layer
shift film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019056697A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2019174806A5 (https=
JP2019174806A (ja
Inventor
仁 前田
順 野澤
康隆 堀込
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Publication of JP2019174806A publication Critical patent/JP2019174806A/ja
Publication of JP2019174806A5 publication Critical patent/JP2019174806A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7201502B2 publication Critical patent/JP7201502B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80Etching
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G03F1/58Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72Repair or correction of mask defects
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/40Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials
    • H10P76/408Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes
    • H10P76/4085Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials characterised by their sizes, orientations, dispositions, behaviours or shapes characterised by the processes involved to create the masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
JP2019056697A 2018-03-26 2019-03-25 マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 Active JP7201502B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018058004 2018-03-26
JP2018058004 2018-03-26

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019174806A JP2019174806A (ja) 2019-10-10
JP2019174806A5 JP2019174806A5 (https=) 2022-03-29
JP7201502B2 true JP7201502B2 (ja) 2023-01-10

Family

ID=68058151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019056697A Active JP7201502B2 (ja) 2018-03-26 2019-03-25 マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20210026235A1 (https=)
JP (1) JP7201502B2 (https=)
KR (1) KR20200133377A (https=)
CN (1) CN111902772A (https=)
SG (1) SG11202009172VA (https=)
TW (1) TWI854972B (https=)
WO (1) WO2019188397A1 (https=)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7296927B2 (ja) * 2020-09-17 2023-06-23 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び位相シフトマスク
JP7543116B2 (ja) * 2020-12-09 2024-09-02 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法
JP7640293B2 (ja) * 2021-03-09 2025-03-05 テクセンドフォトマスク株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び位相シフトマスクの修正方法
CN115202146A (zh) * 2021-04-14 2022-10-18 上海传芯半导体有限公司 移相掩膜版及其制作方法
JP7793450B2 (ja) * 2022-03-31 2026-01-05 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002535702A (ja) 1999-01-14 2002-10-22 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 減衰性位相シフト多層膜マスク
JP2014137388A (ja) 2013-01-15 2014-07-28 Hoya Corp マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
JP2015111246A (ja) 2013-11-06 2015-06-18 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法
JP2016035559A (ja) 2014-08-04 2016-03-17 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法
JP2016164683A (ja) 2014-12-26 2016-09-08 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
JP2016191872A (ja) 2015-03-31 2016-11-10 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクス、位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクスの製造方法
JP2016191877A (ja) 2015-03-31 2016-11-10 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランクス、ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクブランクスの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3115185B2 (ja) 1993-05-25 2000-12-04 株式会社東芝 露光用マスクとパターン形成方法
TWI227810B (en) * 2002-12-26 2005-02-11 Hoya Corp Lithography mask blank
JP2010217514A (ja) 2009-03-17 2010-09-30 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクの製造方法
JP5686216B1 (ja) * 2013-08-20 2015-03-18 大日本印刷株式会社 マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法
TW201537281A (zh) * 2014-03-18 2015-10-01 Hoya Corp 光罩基底、相偏移光罩及半導體裝置之製造方法
JP6341129B2 (ja) * 2015-03-31 2018-06-13 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク
JP6058757B1 (ja) * 2015-07-15 2017-01-11 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
JP6558326B2 (ja) * 2016-08-23 2019-08-14 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びフォトマスクブランク用薄膜形成装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002535702A (ja) 1999-01-14 2002-10-22 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 減衰性位相シフト多層膜マスク
JP2014137388A (ja) 2013-01-15 2014-07-28 Hoya Corp マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
JP2015111246A (ja) 2013-11-06 2015-06-18 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法
JP2016035559A (ja) 2014-08-04 2016-03-17 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法
JP2016164683A (ja) 2014-12-26 2016-09-08 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
JP2016191872A (ja) 2015-03-31 2016-11-10 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクス、位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクスの製造方法
JP2016191877A (ja) 2015-03-31 2016-11-10 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランクス、ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクブランクスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111902772A (zh) 2020-11-06
US20210026235A1 (en) 2021-01-28
SG11202009172VA (en) 2020-10-29
JP2019174806A (ja) 2019-10-10
WO2019188397A1 (ja) 2019-10-03
TW201940961A (zh) 2019-10-16
TWI854972B (zh) 2024-09-11
KR20200133377A (ko) 2020-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10942441B2 (en) Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device
JP6599281B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
JP7201502B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法
US10481485B2 (en) Mask blank, transfer mask, method of manufacturing transfer mask and method of manufacturing semiconductor device
CN116841118A (zh) 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
JP6430155B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
KR102431557B1 (ko) 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
TWI752119B (zh) 光罩基底、轉印用遮罩、轉印用遮罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
WO2017029981A1 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP2016018192A (ja) マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP7039521B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法
JP6740349B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスク、及び半導体デバイスの製造方法
JP6505891B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
JP6929656B2 (ja) マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
JP6720360B2 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
CN117769682A (zh) 掩模坯料、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220317

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220317

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221031

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221129

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221222

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7201502

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250