JP7189996B2 - 検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、検出装置に関する。

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、表示装置として用いられている（例えば、特許文献１から特許文献３参照）。このような表示装置において、操作者の手指の画面への接触を検出するタッチ検出機能に加え、画面に手指が触れていない状態でその手指の近接状態やジェスチャ等を検出するホバー検出（近接検出）の機能が知られている。

米国特許出願公開第２０１４／００４９４８６号明細書 米国特許出願公開第２０１３／０３４２４９８号明細書 米国特許出願公開第２０１４／００４９５０８号明細書

タッチ検出とホバー検出とでは検出対象となる手指等の被検出体と検出電極との距離や、検出の要求解像度が大きく異なる。このため、タッチ検出用の電極や駆動構成をそのままホバー検出に採用すると、良好にホバー検出を行うことが困難となる可能性がある。また、ホバー検出の検出感度を上げるためには、検出電極の面積を大きくすることが有効である。しかし、この場合、タッチ検出の検出精度が低下する可能性がある。

本発明は、タッチ検出とホバー検出とで電極を共用しつつ、良好にホバー検出を行うことが可能な検出装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る検出装置は、複数の第１電極と、前記第１電極と対向又は近接して配置された複数の第２電極と、第１駆動信号を前記第１電極に供給する第１駆動回路と、第２駆動信号を前記第２電極に供給する第２駆動回路と、前記第１電極から出力される検出信号を検出する検出部と、を備え、前記第２駆動信号が前記第２電極に供給されて前記第１電極から出力される第１検出信号を前記検出部で検出する第１期間を有しており、前記第１期間に検出された前記第１検出信号が所定の閾値以上である場合、前記検出部は、前記第１検出信号に基づいて生成されたパネル座標を含む出力信号を出力し、前記第１期間に検出された前記第１検出信号が所定の閾値未満である場合、前記第１駆動信号が前記第１電極に供給され、且つ、前記第１駆動信号と同期したガード信号が前記第２電極に供給されて前記第１電極から出力される第２検出信号を前記検出部で検出する第２期間に移行し、前記検出部は、前記第２検出信号に基づいて生成されたパネル座標を含む出力信号を出力する。

本発明の一態様に係る検出装置は、複数の前記第１電極は、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とにそれぞれ並んで配置され、複数の前記第２電極は、前記第２方向に延設され、前記第１期間においては、前記複数の第１電極の各々を前記第１方向で互いに接続させて第１電極ブロックを構成し、前記第２期間においては、少なくとも２つ以上の前記第１電極の各々を少なくとも前記第２方向で互いに接続させて、第２電極ブロックを構成する接続回路を備える。

図１は、実施形態１に係る表示装置の構成例を示すブロック図である。 図２は、実施形態１に係る表示装置の検出部の構成例を示すブロック図である。 図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指がタッチしていない状態を表す説明図である。 図４は、図３に示す指がタッチしていない状態の等価回路の例を示す説明図である。 図５は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指がタッチした状態を表す説明図である。 図６は、図５に示す指がタッチした状態の等価回路の例を示す説明図である。 図７は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。 図８は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指がタッチしていない状態を表す説明図である。 図９は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指がタッチした状態を表す説明図である。 図１０は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。 図１１は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。 図１２は、表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図１３は、実施形態１に係る表示装置を構成するＴＦＴ基板を模式的に示す平面図である。 図１４は、実施形態１に係る表示装置を構成する対向基板を模式的に示す平面図である。 図１５は、実施形態１に係る表示部の画素配列を表す回路図である。 図１６は、副画素の構成例を示す平面図である。 図１７は、図１６のＡ１－Ａ２線に沿う断面図である。 図１８は、実施形態１に係る表示パネルの駆動電極及びタッチ検出電極の構成例を表す斜視図である。 図１９は、１フレーム期間における表示動作期間と検出動作期間の配置の一例を表す模式図である。 図２０は、表示装置が検出するホバーの一例を示す模式図である。 図２１は、表示装置が検出するホバーの一例を示す模式図である。 図２２は、タッチ検出電極と配線との接続の一例を示す図である。 図２３は、ライン状のタッチ検出電極ブロックの構成例を示す図である。 図２４は、正方形状のタッチ検出電極ブロックの構成例を示す図である。 図２５は、実施形態１に係る接続回路の構成例を示す図である。 図２６は、実施形態１に係る表示装置の基本的な動作の第１例を示すタイミング波形図である。 図２７は、実施形態１に係る表示装置の基本的な動作の第２例を示すタイミング波形図である。 図２８は、実施形態１に係る表示装置の基本的な動作の第３例を示すタイミング波形図である。 図２９は、実施形態１に係る表示装置の基本的な動作の第４例を示すタイミング波形図である。 図３０は、実施形態１に係る表示装置のホバー検出要否判定期間において、被検出体が接触状態であることを検出した場合の図２６に示す第１例及び図２８に示す第３例における動作例を示すタイミング波形図である。 図３１は、実施形態１に係る表示装置のホバー検出要否判定期間において、被検出体が接触状態であることを検出した場合の図２７に示す第２例及び図２９に示す第４例における動作例を示すタイミング波形図である。 図３２は、ホバー検出を行う際の検出回路の等価回路を示す図である。 図３３は、ホバー検出を行う際のタッチセンサと被検出体との位置関係を示す図である。 図３４は、信号処理部の内部ブロック構成の一例を示す図である。 図３５は、補正値検出において温度補正係数の導出を行う際の検出回路の等価回路を示す図である。 図３６は、検出電極毎の基準検出値を含む基準検出値情報の一例を示す図である。 図３７は、検出電極毎の温度補正係数を含む温度補正係数情報の一例を示す図である。 図３８は、ホバー検出の際の検出値と補正後検出値とを示す図である。 図３９は、実施形態１に係る検出処理手順の一例を示すフローチャートである。 図４０は、実施形態１の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第１例を示すタイミング波形図である。 図４１は、実施形態１の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第２例を示すタイミング波形図である。 図４２は、実施形態１の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第３例を示すタイミング波形図である。 図４３は、実施形態１の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第４例を示すタイミング波形図である。 図４４は、実施形態１の変形例に係る検出処理手順の一例を示すフローチャートである。 図４５は、実施形態２に係る表示装置の構成例を示すブロック図である。 図４６は、実施形態２に係る表示装置の検出部の構成例を示すブロック図である。 図４７は、実施形態２に係る表示装置を構成するＴＦＴ基板を模式的に示す平面図である。 図４８は、実施形態２に係る表示装置を構成する対向基板を模式的に示す平面図である。 図４９は、実施形態２に係る表示パネルの駆動電極及びタッチ検出電極の構成例を表す斜視図である。 図５０は、駆動電極と配線との接続の一例を示す図である。 図５１は、ライン状の駆動電極ブロックの構成例を示す図である。 図５２は、正方形状の駆動電極ブロックの構成例を示す図である。 図５３は、実施形態２に係る接続回路の構成例を示す図である。 図５４は、実施形態２に係る表示装置の基本的な動作の第１例を示すタイミング波形図である。 図５５は、実施形態２に係る表示装置の基本的な動作の第２例を示すタイミング波形図である。 図５６は、実施形態２に係る表示装置の基本的な動作の第３例を示すタイミング波形図である。 図５７は、実施形態２に係る表示装置の基本的な動作の第４例を示すタイミング波形図である。 図５８は、実施形態２に係る表示装置の基本的な動作の第５例を示すタイミング波形図である。 図５９は、実施形態２に係る表示装置の基本的な動作の第６例を示すタイミング波形図である。 図６０は、実施形態２に係る表示装置のホバー検出要否判定期間において、被検出体が接触状態であることを検出した場合の図５４に示す第１例、図５６に示す第３例、及び図５８に示す第５例における動作例を示すタイミング波形図である。 図６１は、実施形態２に係る表示装置のホバー検出要否判定期間において、被検出体が接触状態であることを検出した場合の図５５に示す第２例、図５７に示す第４例、及び図５９に示す第６例における動作例を示すタイミング波形図である。 図６２は、実施形態２の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第１例を示すタイミング波形図である。 図６３は、実施形態２の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第２例を示すタイミング波形図である。 図６４は、実施形態２の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第３例を示すタイミング波形図である。 図６５は、実施形態２の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第４例を示すタイミング波形図である。 図６６は、実施形態２の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第５例を示すタイミング波形図である。 図６７は、実施形態２の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第６例を示すタイミング波形図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る表示装置の構成例を示すブロック図である。図２は、実施形態１に係る表示装置の検出部の構成例を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、制御部１１と、検出部４０とを備えている。表示パネル１０は、画像を表示する表示部２０と、表示部２０の表示面において操作者の指等の被検出体を検出する検出装置であるタッチセンサ３０とを含む。

表示パネル１０は、表示部２０とタッチセンサ３０とが一体化された表示装置である。具体的には、表示パネル１０は、表示部２０に静電容量型のタッチセンサ３０を内蔵して一体化した、いわゆるインセルタイプあるいはハイブリッドタイプの装置である。表示部２０に静電容量型のタッチセンサ３０を内蔵して一体化するとは、例えば、表示部２０として使用される基板や電極などの一部の部材と、タッチセンサ３０として使用される基板や電極などの一部の部材とを兼用することを含む。なお、表示パネル１０は、表示部２０の上にタッチセンサ３０を装着した、いわゆるオンセルタイプの装置であってもよい。オンセルタイプの装置の場合、表示部２０の直上にタッチセンサ３０が設けられていてもよいし、表示部２０の直上ではなく他の層を介して上方にタッチセンサ３０が設けられていてもよい。

また、本構成例では、表示部２０として液晶表示素子を用いた液晶表示デバイスが採用されているが、表示部２０は有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）素子を用いた構成であってもよい。この場合、有機ＥＬ素子を形成するアノード及びカソードのうち一方を、後述する駆動電極ＣＯＭＬとしてもよい。

表示部２０は、表示素子を有する複数の画素を備えるとともに、複数の画素に対向する表示面を有している。表示部２０は、後述するように、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行う。

制御部１１は、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３及び駆動電極ドライバ１４を備える。制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、接続回路１８及び検出部４０に制御信号を供給して、表示動作と検出動作を制御する回路である。

制御部１１は、タッチセンサ３０による検出モードとして、タッチ検出とホバー検出の２つの検出モードを有する。本明細書において、タッチ検出は、被検出体が表示面に接触した状態又は接触と同視し得るほど近接した状態（以下、「接触状態」と表す）において、被検出体の位置や動きを検出することを表す。また、ホバー検出は、被検出体が表示面に接触していない状態又は接触と同視し得るほどには近接していない状態（以下、「非接触状態」と表す）において、被検出体の位置や動きを検出することを表す。また、表示面に対向する位置に被検出体が存在しない場合、又はホバー検出において被検出体を検出できない程度に被検出体が表示面から離れている状態を「非存在状態」と表す。

また、制御部１１は、タッチセンサ３０によるホバー検出の際の検出値を補正するための補正値検出モードを有する。本明細書において、補正値検出は、非接触状態又は非存在状態において実施する。

ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示部２０の、後述するゲート線ＧＣＬ（図１５参照）に走査信号Ｖｓｃａｎを供給し、表示パネル１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有する回路である。また、ゲートドライバ１２は、タッチ検出、ホバー検出、補正値検出の際に、ゲート線ＧＣＬを固定電位（ＧＮＤ）又はハイインピーダンスとするか、あるいは後述するガード信号Ｖｇｄを供給する機能を有している。

ソースドライバ１３は、表示部２０の、後述するデータ線ＳＧＬ（図１５参照）を介して、各副画素ＳＰｉｘに画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。また、ソースドライバ１３は、タッチ検出、ホバー検出、補正値検出の際に、データ線ＳＧＬを固定電位（ＧＮＤ）又はハイインピーダンスとするか、あるいはガード信号Ｖｇｄを供給する機能を有している。ソースドライバ１３の機能の一部は、表示パネル１０に搭載されていてもよい。この場合、制御部１１が画素信号Ｖｐｉｘ、ガード信号Ｖｇｄを生成し、これら画素信号Ｖｐｉｘ、ガード信号Ｖｇｄをソースドライバ１３に供給してもよい。

駆動電極ドライバ１４は、表示部２０の、後述する駆動電極ＣＯＭＬに表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃ又はタッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。また、駆動電極ドライバ１４は、ホバー検出及び補正値検出の際に、駆動電極ＣＯＭＬを固定電位（ＧＮＤ）又はハイインピーダンスとするか、あるいはガード信号Ｖｇｄを供給する機能を有している。なお、本実施形態において、タッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍとガード信号Ｖｇｄとは、実質的に同一の信号であっても良い。

タッチセンサ３０は、相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理に基づいて、表示パネル１０の表示面にタッチした被検出体の位置を検出するタッチ検出機能を有する。タッチセンサ３０は、相互静電容量方式のタッチ検出において、被検出体のタッチを検出した場合、検出信号Ｖｄｅｔ１を検出部４０に出力する。また、タッチセンサ３０は、自己静電容量方式によるタッチ検出の基本原理に基づいて、表示パネル１０の表示面にホバーした被検出体の位置を検出するホバー検出機能を有する。タッチセンサ３０は、自己静電容量方式のホバー検出において、被検出体のホバーを検出した場合、検出信号Ｖｄｅｔ２を検出部４０に出力する。

また、タッチセンサ３０は、自己静電容量方式又は相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理に基づいて、ホバー検出の際の検出値を補正するための補正値を検出する補正値検出機能を有する。タッチセンサ３０は、補正値検出において検出した検出信号Ｖｄｅｔ３を検出部４０に出力する。

接続回路１８は、複数のタッチ検出電極ＴＤＬの各々を、配線５１（後述の図１４参照）を介して互いに接続させる。これにより、タッチ検出では、後述するタッチ検出電極ブロックＴＤＬＡが検出電極として形成され、ホバー検出及び補正値検出では、後述するタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢが検出電極として形成される。また、タッチ検出電極ＴＤＬＡから出力される検出信号Ｖｄｅｔ１、タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢから出力される検出信号Ｖｄｅｔ２，Ｖｄｅｔ３は、接続回路１８を介して検出部４０に供給される。

検出部４０は、相互静電容量方式のタッチ検出において、制御部１１から供給される制御信号と、表示パネル１０から出力される検出信号Ｖｄｅｔ１とに基づいて、表示パネル１０の表示面への被検出体のタッチの有無を検出する回路である。また、検出部４０は、自己静電容量方式のホバー検出において駆動信号Ｖｔｄを供給すると共に、制御部１１から供給される制御信号と、表示パネル１０から出力される検出信号Ｖｄｅｔ２，Ｖｄｅｔ３とに基づいて、表示パネル１０の表示面への被検出体のホバーの有無を検出する回路でもある。また、検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。また、検出部４０は、ホバー検出で被検出体が検出された場合において、ホバー入力が行われた座標などを求める。

図２に示すように、検出部４０は、タッチ検出電極ドライバ４１と、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６と、を備える。検出タイミング制御部４６は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出電極ドライバ４１と、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。

タッチ検出電極ドライバ４１は、自己静電容量方式によるホバー検出用又は補正値検出用の駆動信号Ｖｔｄを表示パネル１０に供給する。

検出信号増幅部４２は、表示パネル１０から供給される検出信号Ｖｄｅｔ１，Ｖｄｅｔ２，Ｖｄｅｔ３を増幅する。Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍ，Ｖｔｄに同期したタイミングで、検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。

信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、表示パネル１０に対するタッチの有無や、ホバーの有無を検出する論理回路である。例えば、信号処理部４４は、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出し、例えば所定期間内における平均値処理や最大値処理等の所定の検出値算出処理を行い、当該検出値算出処理結果である検出値を所定の閾値と比較することで、被検出体の接触状態、非接触状態、非存在状態の判定を行う。このようにして、検出部４０はタッチ検出やホバー検出が可能となる。なお、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）から検出値を算出する検出値算出処理の手法は、平均値処理や最大値処理に限るものではなく、この検出値算出処理の手法により本発明が限定されるものではない。

また、本実施形態において、信号処理部４４は、ホバー検出における検出値を補正する機能を有している。このホバー検出における検出値の補正機能については後述する。

座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチ検出又はホバー検出で被検出体が検出されたときに、その検出された位置のパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部４５は、求めたパネル座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。座標抽出部４５は、出力信号Ｖｏｕｔを制御部１１に出力してもよい。制御部１１は出力信号Ｖｏｕｔに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。

なお、検出部４０のタッチ検出電極ドライバ４１と、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とは、表示装置１に搭載される。ただし、これに限定されず、検出部４０の全部又は一部の機能は外部のプロセッサ等に搭載されてもよい。例えば、座標抽出部４５は、表示装置１とは別の外部プロセッサに搭載されており、検出部４０は、信号処理部４４が信号処理した信号を出力信号Ｖｏｕｔとして出力してもよい。

ここで、図３から図７を参照して、本実施形態の表示装置１の相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指がタッチしていない状態を表す説明図である。図４は、図３に示す指がタッチしていない状態の等価回路の例を示す説明図である。図５は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指がタッチした状態を表す説明図である。図６は、図５に示す指がタッチした状態の等価回路の例を示す説明図である。図７は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、図６は、検出回路を併せて示している。また、以下の説明では、被検出体として指がタッチする場合を説明するが、被検出体は指に限られず、例えばスタイラスペン等の導体を含む物体であってもよい。

例えば、図３に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の電極、駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２を備えている。図４に示すように、容量素子Ｃ１は、その一端が交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図２に示す検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。

交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚから数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加されると、検出電極Ｅ２（容量素子Ｃ１の他端）側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、図７に示すような出力波形（検出信号Ｖｄｅｔ１’）が現れる。なお、この交流矩形波Ｓｇは、駆動電極ドライバ１４から入力される駆動信号Ｖｃｏｍに相当するものである。

表示面に対向する位置に指が存在しない場合、又はホバー検出において指を検出できない程度に指が表示面から離れている状態（非存在状態）では、図３及び図４に示すように、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ_０が流れる。図４に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ_０の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ_０（図７参照））に変換する。

一方、指が接触又は近接した状態（接触状態）では、図５に示すように、指によって形成される静電容量Ｃ２が、検出電極Ｅ２と接触している又は近傍にあることにより、駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２の間にあるフリンジ分の静電容量が遮られる。このため、容量素子Ｃ１は、図６に示すように、非存在状態での容量値よりも容量値の小さい容量素子Ｃ１１として作用する。そして、図６に示す等価回路でみると、容量素子Ｃ１１に電流Ｉ_１が流れる。

図７に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ_１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ_１）に変換する。この場合、波形Ｖ_１は、上述した波形Ｖ_０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ_０と波形Ｖ_１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から接触又は近接する導体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ_０と波形Ｖ_１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜を精度よく検出するため、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする期間Ｒｅｓｅｔを設けた動作とすることがより好ましい。

図１に示すタッチセンサ３０は、上述した相互静電容量方式によるタッチ検出を行う。このとき、タッチセンサ３０は、後述する複数のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＡから、検出ブロック毎に検出信号Ｖｄｅｔ１を出力する。検出信号Ｖｄｅｔ１は、検出部４０の検出信号増幅部４２に供給され、例えば検出信号増幅部４２に含まれる電圧検出器ＤＥＴによって積分され、検出信号Ｖｄｅｔ１’が出力される。

次に、図８から図１１を参照して、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。図８は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指がタッチしていない状態を表す説明図である。図９は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、指がタッチした状態を表す説明図である。図１０は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。図１１は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。

自己静電容量方式では、上述の駆動電極Ｅ１が検出電極となる。図８左図は、指がタッチしていない状態において、スイッチング素子ＳＷ１により電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ１とが接続され、スイッチング素子ＳＷ２により検出電極Ｅ１がコンデンサＣｃｒに接続されていない状態を示している。この状態では、検出電極Ｅ１が有する静電容量Ｃｘ１が充電される。図８右図は、スイッチング素子ＳＷ１により、電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ１との接続がオフされ、スイッチング素子ＳＷ２により、検出電極Ｅ１とコンデンサＣｃｒとが接続された状態を示している。この状態では、静電容量Ｃｘ１の電荷はコンデンサＣｃｒを介して放電される。静電容量Ｃｘ１の値は、検出電極Ｅ１に対向又は近接する周辺導体との間の容量値で決まる。

図９左図は、指がタッチした状態において、スイッチング素子ＳＷ１により電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ１とが接続され、スイッチング素子ＳＷ２により検出電極Ｅ１がコンデンサＣｃｒに接続されていない状態を示している。この状態では、検出電極Ｅ１が有する静電容量Ｃｘ１に加え、検出電極Ｅ１に近接している指により生じる静電容量Ｃｘ２も充電される。図９右図は、スイッチング素子ＳＷ１により、電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ１との接続がオフされ、スイッチング素子ＳＷ２により検出電極Ｅ１とコンデンサＣｃｒとが接続された状態を示している。この状態では、静電容量Ｃｘ１の電荷と静電容量Ｃｘ２の電荷とがコンデンサＣｃｒを介して放電される。

ここで、図８右図に示す放電時（指がタッチしていない状態）におけるコンデンサＣｃｒの電圧変化特性に対して、図９右図に示す放電時（指がタッチした状態）におけるコンデンサＣｃｒの電圧変化特性は、静電容量Ｃｘ２が存在するために、明らかに異なる。したがって、自己静電容量方式では、コンデンサＣｃｒの電圧変化特性が、静電容量Ｃｘ２の有無により、異なることを利用して、指などの操作入力の有無を判断している。

具体的には、検出電極Ｅ１に所定の周波数（例えば数ｋＨｚから数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇ（図１１参照）が印加される。図１０に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（波形Ｖ_４、Ｖ_５）に変換する。

上述のように、検出電極Ｅ１はスイッチング素子ＳＷ１及びスイッチング素子ＳＷ２によって電源Ｖｄｄ及びコンデンサＣｃｒから切り離すことが可能な構成となっている。図１１において、時刻Ｔ_０１のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖ_０に相当する電圧レベルに上昇させる。このときスイッチング素子ＳＷ１はオンしておりスイッチング素子ＳＷ２はオフしている。このため検出電極Ｅ１の電圧も電圧Ｖ_０に上昇する。次に時刻Ｔ_１１のタイミングの前にスイッチング素子ＳＷ１をオフとする。このとき検出電極Ｅ１は、電気的にどことも接続されていない状態であるが、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃｘ１（図８参照）、あるいは検出電極Ｅ１の静電容量Ｃｘ１に指等のタッチによる静電容量Ｃｘ２を加えた容量（Ｃｘ１＋Ｃｘ２、図９参照）によって、検出電極Ｅ１の電位はＶ_０が維持される。さらに、時刻Ｔ_１１のタイミングの前にスイッチング素子ＳＷ３をオンさせ所定の時間経過後にオフさせ電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。このリセット動作により出力電圧は基準電圧Ｖｒｅｆと略等しい電圧となる。

続いて、時刻Ｔ_１１のタイミングでスイッチング素子ＳＷ２をオンさせると、電圧検出器ＤＥＴの反転入力部が検出電極Ｅ１の電圧Ｖ_０となり、その後、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃｘ１（または、Ｃｘ１＋Ｃｘ２）と電圧検出器ＤＥＴ内の静電容量Ｃ５の時定数に従って電圧検出器ＤＥＴの反転入力部は基準電圧Ｖｒｅｆまで低下する。このとき、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃｘ１（または、Ｃｘ１＋Ｃｘ２）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴ内の静電容量Ｃ５に移動するため、電圧検出器ＤＥＴの出力が上昇する（Ｖｄｅｔ２’）。電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ２’）は、検出電極Ｅ１に指等がタッチしていないときは、実線で示す波形Ｖ_４となり、Ｖｄｅｔ２’＝Ｃｘ１×Ｖ_０／Ｃ５となる。指等の影響による容量が付加されたときは、点線で示す波形Ｖ_５となり、Ｖｄｅｔ２’＝（Ｃｘ１＋Ｃｘ２）×Ｖ_０／Ｃ５となる。

その後、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃｘ１（または、Ｃｘ１＋Ｃｘ２）の電荷が静電容量Ｃ５に十分移動した後の時刻Ｔ_３１のタイミングでスイッチング素子ＳＷ２をオフさせ、スイッチング素子ＳＷ１及びスイッチング素子ＳＷ３をオンさせることにより、検出電極Ｅ１の電位を交流矩形波Ｓｇと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。なお、このとき、スイッチング素子ＳＷ１をオンさせるタイミングは、スイッチング素子ＳＷ２をオフさせた後、時刻Ｔ_０２以前であればいずれのタイミングでもよい。また、電圧検出器ＤＥＴをリセットさせるタイミングは、スイッチング素子ＳＷ２をオフさせた後、時刻Ｔ_１２以前であればいずれのタイミングとしてもよい。以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚから数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。波形Ｖ_４と波形Ｖ_５との差分の絶対値｜ΔＶ｜に基づいて、外部近接物体の有無（タッチの有無）を測定することができる。なお、検出電極Ｅ１の電位は、図１１に示すように、指等がタッチしていないときはＶ_２の波形となり、指等の影響による静電容量Ｃｘ２が付加されるときはＶ_３の波形となる。波形Ｖ_１と波形Ｖ_２とが、それぞれ所定の閾値電圧Ｖ_ＴＨまで下がる時間を測定することにより外部近接物体の有無（タッチの有無）を測定することも可能である。

図１に示すタッチセンサ３０は、上述した自己静電容量方式によるホバー検出を行う。このとき、タッチセンサ３０は、後述するタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢから、検出信号Ｖｄｅｔ２を出力する。検出信号Ｖｄｅｔ２は、検出部４０の検出信号増幅部４２に供給され、例えば検出信号増幅部４２に含まれる電圧検出器ＤＥＴによって積分され、検出信号Ｖｄｅｔ２’が出力される。なお、本実施形態のホバー検出において、交流矩形波Ｓｇは、検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）、及び、検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）に対向又は近接する周辺導体（本実施形態では、駆動電極ＣＯＭＬ）に対して印加される。

また、図１に示すタッチセンサ３０は、上述した自己静電容量方式又は相互静電容量方式による補正値検出を行う。このとき、タッチセンサ３０は、後述するタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢから、検出信号Ｖｄｅｔ３を出力する。検出信号Ｖｄｅｔ３は、検出部４０の検出信号増幅部４２に供給され、例えば検出信号増幅部４２に含まれる電圧検出器ＤＥＴによって積分され、検出信号Ｖｄｅｔ３’が出力される。なお、本実施形態の補正値検出において、交流矩形波Ｓｇは、検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）に対向又は近接する周辺導体（本実施形態では、駆動電極ＣＯＭＬ）に対して印加される。

次に、表示装置１の構成例を詳細に説明する。図１２は、表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図１３は、実施形態１に係る表示装置を構成するＴＦＴ基板を模式的に示す平面図である。図１４は、実施形態１に係る表示装置を構成する対向基板を模式的に示す平面図である。

図１２に示すように、表示装置１は、画素基板２と、画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板３と、画素基板２と対向基板３との間に挿設された液晶層６とを備える。

図１２に示すように、画素基板２は、回路基板としてのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板２１と、ＴＦＴ基板２１の上方に行列状（マトリクス状）に配設された複数の画素電極２２と、ＴＦＴ基板２１と画素電極２２との間に設けられた複数の駆動電極ＣＯＭＬと、画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとを絶縁する絶縁層２４と、を含む。ＴＦＴ基板２１の下側には、接着層（図示しない）を介して偏光板３５Ｂが設けられている。なお、本明細書において、ＴＦＴ基板２１に垂直な方向において、ＴＦＴ基板２１から対向基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、対向基板３１からＴＦＴ基板２１に向かう方向を「下側」とする。

図１３及び図１４に示すように、ＴＦＴ基板２１及び対向基板３１は、画像を表示させるための表示領域１０ａと、表示領域１０ａの周囲に設けられた額縁領域１０ｂとを有する。表示領域１０ａは、一対の長辺と短辺とを有する矩形状である。額縁領域１０ｂは、表示領域１０ａの４辺を囲む枠状となっている。

図１３に示すように、複数の駆動電極ＣＯＭＬは、ＴＦＴ基板２１の表示領域１０ａに設けられている。より具体的には、表示領域１０ａの短辺に沿った方向（Ｘ方向）に延びる駆動電極ＣＯＭＬが、表示領域１０ａの長辺に沿った方向（Ｙ方向）に並び複数配列されている。それぞれの駆動電極ＣＯＭＬは、平面視で矩形状である。駆動電極ＣＯＭＬは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料で構成されている。１つの駆動電極ＣＯＭＬに対応する位置に、複数の画素電極２２が行列状に配置される。画素電極２２は、駆動電極ＣＯＭＬよりも小さい面積を有している。なお、図１３では一部の駆動電極ＣＯＭＬ及び画素電極２２について示しているが、駆動電極ＣＯＭＬ及び画素電極２２は表示領域１０ａの全域に亘って配置される。

ＴＦＴ基板２１の額縁領域１０ｂには、表示用ＩＣ１９が配置されている。表示用ＩＣ１９は、ＴＦＴ基板２１にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）実装されたチップである。表示用ＩＣ１９は、例えば、制御部１１（図１参照）を内蔵している。表示用ＩＣ１９は、外部のホストＩＣ（図示しない）から供給された映像信号Ｖｄｉｓｐ（図１参照）に基づいて、後述するゲート線ＧＣＬ及びデータ線ＳＧＬ等に制御信号を出力する。

また、ＴＦＴ基板２１の額縁領域１０ｂには、検出用ＩＣ４９が配置されたフレキシブル基板４７が接続されている。検出用ＩＣ４９は、フレキシブル基板４７に実装されたチップである。検出用ＩＣ４９は、例えば、検出部４０（図１参照）を内蔵し、フレキシブル基板４７を介して表示用ＩＣ１９と接続されている。

図１３に示すように、表示用ＩＣ１９は、例えば、額縁領域１０ｂの短辺側に配置されていてもよい。これによれば、額縁領域１０ｂの長辺側に表示用ＩＣ１９を設ける必要がなく、額縁領域１０ｂの長辺側の幅を小さくすることができる。

図１２に示すように、対向基板３は、対向基板３１と、この対向基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２とを含む。対向基板３１の他方の面には、タッチセンサ３０のタッチ検出電極ＴＤＬが設けられている。さらに、タッチ検出電極ＴＤＬの上方には、接着層（図示しない）を介して偏光板３５Ａが設けられている。また、対向基板３１には図示しないフレキシブル基板が接続されている。フレキシブル基板は額縁配線を介してタッチ検出電極ＴＤＬと接続される。

図１２に示すように、ＴＦＴ基板２１と対向基板３１とは、所定の間隔を設けて対向して配置される。ＴＦＴ基板２１と対向基板３１との間の空間に、表示機能層として液晶層６が設けられる。液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図１２に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。

図１４に示すように、複数のタッチ検出電極ＴＤＬは、対向基板３１の表示領域１０ａに設けられており、行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）に並び、行列状に複数配列されている。それぞれのタッチ検出電極ＴＤＬは、平面視で矩形状、又は正方形状である。タッチ検出電極ＴＤＬは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料で構成されている。なお、タッチ検出電極ＴＤＬは、ＩＴＯに限定されず、例えば、金属材料を用いた金属細線等により構成されていてもよい。本実施形態では、相互静電容量方式によるタッチ検出の際に、行方向に複数配列されたタッチ検出電極ＴＤＬが接続回路１８により互いに接続されて、ライン状のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＡが構成される。なお、図１４では一部のタッチ検出電極ＴＤＬについて示しているが、タッチ検出電極ＴＤＬは表示領域１０ａの全域に亘って配置される。

配線５１は、表示領域１０ａに配置されたタッチ検出電極ＴＤＬのそれぞれに接続され、額縁領域１０ｂまで引き出されている。タッチ検出電極ＴＤＬの端部は、ＴＦＴ基板２１の額縁領域１０ｂの短辺側に設けられたフレキシブル基板４７（図１３参照）に接続されている。例えば、検出用ＩＣ４９（図１３参照）に内蔵された検出部４０（図１参照）は、フレキシブル基板４７と、ＴＦＴ基板２１と、対向基板３１の額縁領域１０ｂに配置された接続回路１８と、配線５１とを介して、複数のタッチ検出電極ＴＤＬにそれぞれ接続される。

図１２に示すように、ＴＦＴ基板２１と対向基板３１とは、所定の間隔を設けて対向して配置される。ＴＦＴ基板２１と対向基板３１との間の空間に、表示機能層として液晶層６が設けられる。液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図１２に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。

図１５は、実施形態１に係る表示部の画素配列を表す回路図である。図１６は、副画素の構成例を示す平面図である。図１７は、図１６のＡ１－Ａ２線に沿う断面図である。

図１２に示すＴＦＴ基板２１には、図１５に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子ＴｒＤ、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するデータ線ＳＧＬ、各スイッチング素子ＴｒＤを駆動する駆動信号を供給するゲート線ＧＣＬ等の配線が形成されている。データ線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬは、ＴＦＴ基板２１の表面と平行な平面に延在する。

図１５に示す表示部２０は、行列状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれスイッチング素子ＴｒＤ及び液晶素子ＬＣを備えている。スイッチング素子ＴｒＤは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。スイッチング素子ＴｒＤのソースはデータ線ＳＧＬに接続され、ゲートはゲート線ＧＣＬに接続され、ドレインは液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣの他端は、駆動電極ブロックＣＯＭＬＡに含まれる駆動電極ＣＯＭＬに接続されている。また、画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとの間に絶縁層２４（図１２参照）が設けられ、これによって図１５に示す保持容量Ｃｓが形成される。

副画素ＳＰｉｘは、ゲート線ＧＣＬにより、表示部２０の同じ行に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。ゲート線ＧＣＬは、ゲートドライバ１２（図１参照）と接続され、ゲートドライバ１２より走査信号Ｖｓｃａｎが供給される。また、副画素ＳＰｉｘは、データ線ＳＧＬにより、表示部２０の同じ列に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。データ線ＳＧＬは、ソースドライバ１３（図１参照）と接続され、ソースドライバ１３より画素信号Ｖｐｉｘが供給される。駆動電極ブロックＣＯＭＬＡに含まれる各駆動電極ＣＯＭＬは、駆動電極ドライバ１４（図１参照）と接続され、駆動電極ドライバ１４より駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。

図１６に示すように、ゲート線ＧＣＬとデータ線ＳＧＬとで囲まれた領域が副画素ＳＰｉｘである。副画素ＳＰｉｘは、画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとが重なる領域を含んで設けられる。複数の画素電極２２は、それぞれスイッチング素子ＴｒＤを介してデータ線ＳＧＬと接続される。

図１６に示すように、画素電極２２は、複数の帯状電極２２ａと、連結部２２ｂとを有する。帯状電極２２ａは、データ線ＳＧＬに沿って設けられ、ゲート線ＧＣＬに沿った方向に複数配列されている。連結部２２ｂは帯状電極２２ａの端部同士を連結する。なお、画素電極２２は、５本の帯状電極２２ａを有しているが、これに限定されず、４本以下又は６本以上の帯状電極２２ａを有していてもよい。例えば、画素電極２２は、２本の帯状電極２２ａを有していてもよい。

図１６に示すように、スイッチング素子ＴｒＤは、半導体層６１、ソース電極６２、ドレイン電極６３及びゲート電極６４を含む。また、半導体層６１の下側に遮光層６５が設けられている。

図１７に示すように、遮光層６５は基板１２１の上に設けられている。絶縁層５８ａは、遮光層６５を覆って基板１２１の上に設けられている。絶縁層５８ａの上には半導体層６１が設けられている。半導体層６１の上側に絶縁層５８ｂを介して、ゲート電極６４（ゲート線ＧＣＬ）が設けられている。ゲート電極６４（ゲート線ＧＣＬ）の上側に絶縁層５８ｃを介してドレイン電極６３及びソース電極６２（データ線ＳＧＬ）が設けられる。ドレイン電極６３及びソース電極６２（データ線ＳＧＬ）の上側に絶縁層５８ｄを介して配線５１（図１４参照）が設けられる。配線５１の上側に絶縁層５８ｅを介して、駆動電極ＣＯＭＬが設けられる。上述のように駆動電極ＣＯＭＬの上側に絶縁層２４を介して画素電極２２が設けられる。画素電極２２の上には配向膜３４が設けられる。また、配向膜３３は、液晶層６を挟んで配向膜３４と対向する。

図１６及び図１７に示すように、画素電極２２は、コンタクトホールＨ１１を介してスイッチング素子ＴｒＤのドレイン電極６３と接続されている。半導体層６１は、コンタクトホールＨ１２を介してドレイン電極６３に接続される。半導体層６１は、平面視でゲート電極６４と交差する。ゲート電極６４はゲート線ＧＣＬに接続され、ゲート線ＧＣＬの一辺から突出して設けられている。半導体層６１は、ソース電極６２と重畳する位置まで延びて、コンタクトホールＨ１３を介してソース電極６２と電気的に接続される。ソース電極６２は、データ線ＳＧＬに接続され、データ線ＳＧＬの一辺から突出している。なお、配線５１は、データ線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬと異なる層に設けられ、スイッチング素子ＴｒＤと電気的に接続されていない。

半導体層６１の材料としては、ポリシリコンや酸化物半導体などの公知の材料を用いることができる。例えばＴＡＯＳ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ、透明アモルファス酸化物半導体）を用いることで、映像表示用の電圧を長時間保持する能力（保持率）が良く、表示品位を向上させることができる。

半導体層６１において、ゲート電極６４と重畳する部分にチャネル部（図示しない）が設けられている。遮光層６５は、チャネル部と重なる位置に設けられ、チャネル部よりも大きい面積を有していることが好ましい。遮光層６５を設けているので、例えばバックライトから半導体層６１に入射する光が遮光される。

図１に示すゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを順次走査するように駆動する。ゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎ（図１参照）を副画素ＳＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに印加することにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）を表示駆動の対象として順次選択する。また、ソースドライバ１３は、ゲートドライバ１２によって選択された１水平ラインに属する副画素ＳＰｉｘに対して、図１５に示すデータ線ＳＧＬを介して、画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバ１４は、駆動電極ＣＯＭＬに表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。これにより、各駆動電極ＣＯＭＬは、表示時には画素電極２２に対する共通電極として機能する。

図１２に示すカラーフィルタ３２は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域が周期的に配列されている。上述した図１５に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられ、３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。図１２に示すように、カラーフィルタ３２は、ＴＦＴ基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。なお、カラーフィルタ３２は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。また、カラーフィルタ３２は、３色の組み合わせに限定されず、４色以上の組み合わせであってもよい。

図１５に示すように、本実施形態では、複数の駆動電極ＣＯＭＬがゲート線ＧＣＬの延在方向と平行な方向に延在し、データ線ＳＧＬの延在方向と交差する方向に延びている。なお、駆動電極ＣＯＭＬはこれに限定されず、例えばデータ線ＳＧＬと平行な方向に延びていてもよい。

図１２及び図１３に示す駆動電極ＣＯＭＬは、表示部２０の複数の画素電極２２に対し共通の電位（基準電位）を与える共通電極として機能する。また、駆動電極ＣＯＭＬは、タッチセンサ３０の相互静電容量方式によるタッチ検出を行う際の駆動電極としても機能する。また、駆動電極ＣＯＭＬは、タッチセンサ３０の自己静電容量方式によるホバー検出又は補正値検出を行う際の駆動電極としても機能する。また、駆動電極ＣＯＭＬは、タッチセンサ３０の相互静電容量方式による補正値検出を行う際の駆動電極としても機能する。

図１８は、実施形態１に係る表示パネルの駆動電極及びタッチ検出電極の構成例を表す斜視図である。タッチセンサ３０は、画素基板２に設けられた駆動電極ＣＯＭＬと、対向基板３に設けられたタッチ検出電極ＴＤＬにより構成されている。複数の駆動電極ＣＯＭＬは、図１８の左右方向に延在する複数のストライプ状の電極パターンを含む。複数のタッチ検出電極ＴＤＬを含むタッチ検出電極ブロックＴＤＬＡは、駆動電極ＣＯＭＬの延在方向と交差する方向に延びる複数の電極パターンとして機能する。そして、タッチ検出電極ブロックＴＤＬＡは、ＴＦＴ基板２１（図１２参照）の表面に対する垂直な方向において、駆動電極ＣＯＭＬと対向している。タッチ検出電極ブロックＴＤＬＡの各電極パターンは、検出部４０の検出信号増幅部４２の入力にそれぞれ接続される（図２参照）。駆動電極ＣＯＭＬとタッチ検出電極ブロックＴＤＬＡの各電極パターンとの交差部分に、それぞれ静電容量が形成される。

タッチ検出電極ブロックＴＤＬＡ及び駆動電極ＣＯＭＬは、ストライプ状に複数に分割される形状に限られない。例えば、駆動電極ＣＯＭＬは櫛歯形状等であってもよい。あるいは駆動電極ＣＯＭＬは、複数に分割されていればよく、タッチ検出電極ＴＤＬを分割するスリットの形状は直線であっても、曲線であってもよい。

タッチセンサ３０では、相互静電容量方式のタッチ検出を行う際、駆動電極ドライバ１４が駆動電極ＣＯＭＬごとに時分割的に順次走査するように駆動することにより、駆動電極ＣＯＭＬが順次選択される。そして、タッチ検出電極ブロックＴＤＬＡから検出信号Ｖｄｅｔ１が出力されることにより、駆動電極ＣＯＭＬのタッチ検出が行われる。つまり、駆動電極ＣＯＭＬは、上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理における駆動電極Ｅ１に対応し、タッチ検出電極ブロックＴＤＬＡは検出電極Ｅ２に対応する。タッチセンサ３０は、この基本原理に従ってタッチ検出を行う。図１８に示すように、互いに交差したタッチ検出電極ブロックＴＤＬＡ及び駆動電極ＣＯＭＬは、タッチ検出面を行列状に構成している。タッチセンサ３０では、行列状に構成されたタッチ検出面が全体に亘って走査されることにより、外部からの導体の接触又は近接が生じた位置の検出が可能である。

表示装置１の動作方法の一例として、表示装置１は、検出動作（検出動作期間）と表示動作（表示動作期間）とを時分割に行う。表示装置１は、検出動作と表示動作とをどのように分けて行ってもよい。以下では、表示装置１が、表示部２０の１フレーム期間（１Ｆ期間）、すなわち、一画面分の映像情報が表示されるのに要する時間の中において、検出動作と表示動作とをそれぞれ複数回に分割して行う方法について説明する。

図１９は、１フレーム期間における表示動作期間と検出動作期間の配置の一例を表す模式図である。１フレーム期間は、複数の表示動作期間Ｐｄ及び複数の検出動作期間Ｐｔを含む。これらの各期間は、時間軸上において、表示動作期間Ｐｄ、検出動作期間Ｐｔ、表示動作期間Ｐｄ、検出動作期間Ｐｔ、・・・のように交互に配置されている。

制御部１１（図１参照）は、ゲートドライバ１２とソースドライバ１３とを介して、各表示動作期間Ｐｄに選択される複数行の画素Ｐｉｘ（図１５参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する。なお、本実施形態において、駆動電極ＣＯＭＬは表示部２０の共通電極を兼用する。このため、制御部１１は、各表示動作期間Ｐｄにおいては、駆動電極ドライバ１４を介して選択される駆動電極ＣＯＭＬに、表示用の共通電極電位である表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。

また、各検出動作期間Ｐｔには、相互静電容量方式によるタッチ検出動作、自己静電容量方式によるホバー検出動作、又は、ホバー検出の際に検出値を補正するための補正値を検出する補正値検出動作の何れかが行われる。

なお、図１９に示す例では、表示装置１は、１フレーム期間において１画面分の映像表示を複数回に分けて行うが、１フレーム期間内の表示動作期間Ｐｄと検出動作期間Ｐｔとは、それぞれ１回ずつ設けても良い。この場合には、検出動作期間Ｐｔにおいて、タッチ検出動作、ホバー検出動作、及び補正値検出動作をそれぞれ時系列で行うようにすれば良い。また、１フレーム期間において、タッチ検出動作、ホバー検出動作、及び補正値検出動作を行う回数は、それぞれ１回以上であれば良いが、各動作における検出精度を高めるためには、それぞれ複数回行うことが好ましい。

図２０及び図２１は、表示装置が検出するホバーの一例を示す模式図である。図２０及び図２１では、被検出体ＣＱとして、ユーザの手を例示している。表示装置１は、検出動作期間Ｐｔ１、Ｐｔ２のホバー検出期間において、表示面４の上方に位置する被検出体ＣＱの位置や高さを検出することが可能である。図２０及び図２１において、被検出体ＣＱは、表示装置１の表示面４に対して非存在状態又は非接触状態である。被検出体ＣＱと表示面４との間は距離（高さ）Ｄ１離れている。また、表示面４側に配置された駆動電極ＣＯＭＬ（図示しない）と被検出体ＣＱとの間には静電容量Ｃ２が形成される。検出部４０（図１参照）は、静電容量Ｃ２が形成されるタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢにホバー検出用の駆動信号Ｖｔｄを供給する。そして、検出部４０は、タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢから出力される検出信号Ｖｄｅｔ２に基づいて、被検出体ＣＱの有無を検出する。

非接触状態では、被検出体ＣＱと表示面４との距離Ｄ１が小さいほど、静電容量Ｃ２は大きくなる。そして、静電容量Ｃ２が大きいほど、検出信号Ｖｄｅｔ２の差分の絶対値｜ΔＶ｜は大きくなる。このため、検出部４０は、絶対値｜ΔＶ｜の大きさから距離Ｄ１を検出することができる。また、検出部４０は、絶対値｜ΔＶ｜が所定の閾値以上である駆動電極ＣＯＭＬを特定することで、表示面４において、被検出体ＣＱと対向する位置Ｒ１を検出することができる。これにより、表示装置１は、図２１に示すように、表示面４に沿って手を移動させるスワイプや、手によるジェスチャ等を検出することができる。

図２２は、タッチ検出電極と配線との接続の一例を示す図である。図２３は、ライン状のタッチ検出電極ブロックの構成例を示す図である。図２４は、正方形状のタッチ検出電極ブロックの構成例を示す図である。図２２に示すように、複数のタッチ検出電極ＴＤＬは、行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）にそれぞれ並んで配置されており、複数の行と、複数の列とを構成している。図２２は、複数のタッチ検出電極ＴＤＬが、８行８列を構成するように配置されている場合を例示している。

複数の配線５１の各々は、行方向（Ｘ方向）に並ぶ複数のタッチ検出電極ＴＤＬにそれぞれ接続されている。例えば、１本の配線５１は、列方向（Ｙ方向）に延設された４本の配線５１ａから５１ｄを含む。具体的には、図２２中の最左行の各タッチ検出電極ＴＤＬでは、接続回路１８側から見て、１番目と２番目のタッチ検出電極ＴＤＬは配線５１ａにそれぞれ接続され、３番目と４番目のタッチ検出電極ＴＤＬは配線５１ｂにそれぞれ接続され、５番目と６番目のタッチ検出電極ＴＤＬは配線５１ｃにそれぞれ接続され、７番目と８番目のタッチ検出電極ＴＤＬは配線５１ｄに接続されている。図２２中の最左行より右の各タッチ検出電極ＴＤＬでも、配線５１ａから５１ｄは図２２中の最左行の各タッチ検出電極ＴＤＬと同様に接続されている。

図２２に示すように、複数の配線５１は接続回路１８にそれぞれ接続されている。接続回路１８は、例えば、入出力可能なチャネル数が１６以上であるマルチプレクサを含む。接続回路１８は、複数の検出用データ線ＳＬを介して検出部４０に接続されている。接続回路１８は、対向基板３１の額縁領域１０ｂ（図１４参照）に形成されている。または、接続回路１８は、検出用ＩＣ４９（図１３参照）に内蔵されていてもよい。

接続回路１８は、制御部１１から送信される制御信号に基づいて、タッチ検出電極ＴＤＬと配線５１との接続を切り替える。これにより、接続回路１８は、図２３に示すように、複数のタッチ検出電極ＴＤＬを列方向（Ｙ方向）に接続してタッチ検出電極ブロックＴＤＬＡを構成したり、図２４に示すように、複数のタッチ検出電極ＴＤＬを行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）に接続してタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢを構成したりすることができる。なお、図２４では複数のタッチ検出電極ＴＤＬを行方向及び列方向の両方で接続してタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢを構成したが、これに限定されない。例えば、複数のタッチ検出電極ＴＤＬを列方向に接続してタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢを構成してもよい。タッチ検出電極ブロックＴＤＬＡを構成する際は、行方向に複数のタッチ検出電極ＴＤＬを接続し、タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢを構成する際は、列方向に複数のタッチ検出電極ＴＤＬを接続してもよい。

図２５は、実施形態１に係る接続回路の構成例を示す図である。図２５に示すように、接続回路１８は、複数のスイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８、ＳＷ２１からＳＷ２４を備える。スイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８、ＳＷ２１からＳＷ２４は、複数の配線５１にそれぞれ接続されており、複数の配線５１のうちの一方の配線と他方の配線との間を接続し、又は遮断する。タッチ検出電極ＴＤＬ間の接続は、スイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８、ＳＷ２１からＳＷ２４により、接続又は非接続のいずれかに切り替え可能になっている。

スイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８がオンで、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４がオフのとき、複数のタッチ検出電極ＴＤＬは行方向（Ｘ方向）で互いに接続されて、タッチ検出電極ブロックＴＤＬＡ（図２３参照）が構成される。例えば、隣り合う８個のタッチ検出電極ＴＤＬが行方向（Ｘ方向）に接続されて、１本のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＡが構成される。

図２３は、本実施形態の一例として、行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）にそれぞれ等間隔で並ぶ６４個のタッチ検出電極ＴＤＬから、８本のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＡ（Ａ１からＡ８）が構成される場合を示している。８本のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＡは、行方向（Ｘ方向）に等間隔で並んでいる。８本のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＡは、スイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８を介して、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ８にそれぞれ接続される。

一方、スイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８がオフで、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４がオンのとき、複数のタッチ検出電極ＴＤＬは行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）で互いに接続されて、タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ（図２４参照）が構成される。例えば、行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）で隣り合うタッチ検出電極ＴＤＬが互いに接続されて、４個のタッチ検出電極ＴＤＬから１個のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢが構成される。

図２４は、本実施形態の一例として、６４個のタッチ検出電極ＴＤＬから、１６個のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）が構成される場合を示している。タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢの平面視による形状は、略正方形である。１６個のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢは、行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）にそれぞれ等間隔で並んでいる。１６個のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢは、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４を介して、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６にそれぞれ接続される。

本実施形態では、図２３に示す各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＡ（Ａ１からＡ８）を検出電極（図３に示す検出電極Ｅ２）として、相互静電容量方式の基本原理を用いたタッチ検出を行う。また、本実施形態では、図２４に示す各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を検出電極（図８から図１０に示す検出電極Ｅ１）として、自己静電容量方式の基本原理を用いたホバー検出を行う。

なお、図２３から図２５に示す例では、自己静電容量方式の基本原理を用いたホバー検出及び相互静電容量方式の基本原理を用いた補正値検出を行う際に、４個のタッチ検出電極ＴＤＬから略正方形の１個のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢが構成される例を示したが、タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢを構成するタッチ検出電極ＴＤＬの数や平面視による形状はこれに限るものではなく、例えば、９個のタッチ検出電極ＴＤＬから略正方形の１個のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢが構成される態様であっても良いし、タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢの平面視による形状が略矩形であっても良い。タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢを構成するタッチ検出電極ＴＤＬの数や平面視による形状によって本発明が限定されるものではない。

図２６は、実施形態１に係る表示装置の基本的な動作の第１例を示すタイミング波形図である。図２７は、実施形態１に係る表示装置の基本的な動作の第２例を示すタイミング波形図である。図２６及び図２７に示す例では、図２４に示す各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を検出電極（図５に示す検出電極Ｅ２）として、相互静電容量方式の基本原理を用いた補正値検出を行う。

図２６及び図２７に示すように、本実施形態では、基本的に、１フレーム期間内において、相互容量方式によるタッチ検出動作を行うタッチ検出期間ＰＴと、自己静電容量方式によるホバー検出動作を行うホバー検出期間ＰＨと、ホバー検出の際に検出値を補正するための補正値を検出する補正値検出動作を行う補正値検出期間ＰＣとを含む。タッチ検出期間ＰＴ、ホバー検出期間ＰＨ、補正値検出期間ＰＣでは、それぞれ、表示動作期間Ｐｄと検出動作期間Ｐｔとが交互に配置されている。

各表示動作期間Ｐｄにおいては、駆動電極ドライバ１４から駆動電極ＣＯＭＬに対して表示用の共通電極電位である表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが供給される。これにより、駆動電極ＣＯＭＬの電位は、表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃに固定される。この状態で、ゲートドライバ１２からゲート線ＧＣＬ１、ＧＣＬ２、ＧＣＬ３、…に制御信号が順次出力され、ソースドライバ１３からデータ線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３、…に画素信号Ｖｐｉｘが順次出力される。このようにして、表示動作期間Ｐｄに選択される複数行の画素Ｐｉｘ（図１５参照）に画素信号Ｖｐｉｘが順次供給され、表示データの書き込みが行われる。

タッチ検出期間ＰＴの各検出動作期間Ｐｔにおいては、接続回路１８（図２５参照）のスイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８がオンに制御され、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４がオフに制御される。これにより、図２３に示したように、複数のタッチ検出電極ＴＤＬは、複数のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＡ（Ａ１からＡ８）を構成する。この状態で、駆動電極ドライバ１４から各検出動作期間Ｐｔに選択される駆動電極ＣＯＭＬにタッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。また、図２６に示すように、ゲートドライバ１２からゲート線ＧＣＬに対して、タッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｃｏｍに同期したガード信号Ｖｇｄが供給される。また、図２６に示すように、ソースドライバ１３からソース線ＳＧＬに対して、タッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｃｏｍに同期したガード信号Ｖｇｄが供給される。これにより、各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＡから検出信号Ｖｄｅｔ１が順次出力される。なお、図２６に示す第１例では、タッチ検出期間ＰＴの各検出動作期間Ｐｔにおいて、ゲート線ＧＣＬ及びソース線ＳＧＬに対してガード信号Ｖｇｄが供給される例を示したが、図２７に示すように、ゲート線ＧＣＬ及びソース線ＳＧＬをハイインピーダンス（Ｈｉ－Ｚ）とする態様であっても良い。

検出部４０は、各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＡからそれぞれ出力される検出信号Ｖｄｅｔ１を、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ８を介して取得する。そして、検出部４０は、取得した検出信号Ｖｄｅｔ１に基づく演算処理を行い、演算処理の結果から、被検出体が接触状態であるか、非接触状態又は被存在状態であるかを判定する。

ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおいては、接続回路１８（図２５参照）のスイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８がオフに制御され、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４がオンに制御される。これにより、図２４に示したように、複数のタッチ検出電極ＴＤＬは、複数のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を構成する。この状態で、検出部４０のタッチ検出電極ドライバ４１から接続回路１８の検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６を介して、ホバー検出用の駆動信号Ｖｔｄが各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢに供給される。例えば、タッチ検出電極ドライバ４１は、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６に、ホバー検出用の駆動信号Ｖｔｄを同じ波形で且つ同期して供給する。また、駆動電極ドライバ１４から駆動電極ＣＯＭＬに対して、ホバー検出用の駆動信号Ｖｔｄと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｔｄに同期したガード信号Ｖｇｄが供給される。また、図２６に示すように、ゲートドライバ１２からゲート線ＧＣＬに対して、ホバー検出用の駆動信号Ｖｔｄと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｔｄに同期したガード信号Ｖｇｄが供給される。また、図２６に示すように、ソースドライバ１３からソース線ＳＧＬに対して、ホバー検出用の駆動信号Ｖｔｄと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｔｄに同期したガード信号Ｖｇｄが供給される。これにより、各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢから検出信号Ｖｄｅｔ２が同時に出力される。なお、図２６に示す第１例では、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおいて、ゲート線ＧＣＬ及びソース線ＳＧＬに対してガード信号Ｖｇｄが供給される例を示したが、図２７に示すように、ゲート線ＧＣＬ及びソース線ＳＧＬをハイインピーダンス（Ｈｉ－Ｚ）とする態様であっても良い。

なお、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおけるホバー検出用の駆動信号Ｖｔｄは、タッチ検出期間ＰＴの各検出動作期間Ｐｔにおけるタッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｃｏｍに同期した信号であっても良い。この場合には、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおけるガード信号Ｖｇｄと、タッチ検出期間ＰＴの各検出動作期間Ｐｔにおけるガード信号Ｖｇｄとは、実質的に同一の信号となる。

検出部４０は、各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢからそれぞれ出力される検出信号Ｖｄｅｔ２を、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６を介してそれぞれ取得する。そして、検出部４０は、取得した検出信号Ｖｄｅｔ２に基づく演算処理を行い、演算処理の結果から、被検出体が非接触状態であるか非存在状態であるかを判定する。

補正値検出期間ＰＣの各検出動作期間Ｐｔにおいては、接続回路１８（図２５参照）のスイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８がオフに制御され、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４がオンに制御される。これにより、図２４に示したように、複数のタッチ検出電極ＴＤＬは、複数のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を構成する。この状態で、駆動電極ドライバ１４から駆動電極ＣＯＭＬに対してガード信号Ｖｇｄが供給される。また、図２６に示すように、ゲートドライバ１２からゲート線ＧＣＬに対して、ガード信号Ｖｇｄが供給され、ソースドライバ１３からソース線ＳＧＬに対して、ガード信号Ｖｇｄが供給される。これにより、各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢから検出信号Ｖｄｅｔ３が同時に出力される。

なお、補正値検出期間ＰＣの各検出動作期間Ｐｔにおけるガード信号Ｖｇｄは、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおけるガード信号Ｖｇｄと実質的に同一の信号である。

検出部４０は、各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢからそれぞれ出力される検出信号Ｖｄｅｔ３を、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６を介してそれぞれ取得する。そして、検出部４０は、取得した検出信号Ｖｄｅｔ３に基づく演算処理を行い、ホバー検出の際に検出値を補正するための補正値を求める。

図２８は、実施形態１に係る表示装置の基本的な動作の第３例を示すタイミング波形図である。図２９は、実施形態１に係る表示装置の基本的な動作の第４例を示すタイミング波形図である。図２８及び図２９に示す例では、図２４に示す各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を検出電極（図８から図１０に示す検出電極Ｅ１）として、自己静電容量方式の基本原理を用いた補正値検出を行う。

図２８及び図２９に示す例において、補正値検出期間ＰＣの各検出動作期間Ｐｔでは、接続回路１８（図２５参照）のスイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８がオフに制御され、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４がオンに制御される。これにより、図２４に示したように、複数のタッチ検出電極ＴＤＬは、複数のタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を構成する。この状態で、検出部４０のタッチ検出電極ドライバ４１から接続回路１８の検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６を介して、補正値検出用の駆動信号Ｖｔｄが各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢに供給される。例えば、タッチ検出電極ドライバ４１は、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６に、補正値検出用の駆動信号Ｖｔｄを同じ波形で且つ同期して供給する。これにより、各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢから検出信号Ｖｄｅｔ３が同時に出力される。また、図２８及び図２９に示す例において、駆動電極ＣＯＭＬと、ソース線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬとは、少なくとも一方が固定電位（ＧＮＤ）とされる。固定電位（ＧＮＤ）とされていない他方は、ハイインピーダンス（Ｈｉ－Ｚ）とされる。

なお、図２８及び図２９に示す例において、補正値検出期間ＰＣの各検出動作期間Ｐｔにおけるガード信号Ｖｇｄは、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおけるガード信号Ｖｇｄと実質的に同一の信号である。

検出部４０は、各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢからそれぞれ出力される検出信号Ｖｄｅｔ３を、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６を介してそれぞれ取得する。そして、検出部４０は、取得した検出信号Ｖｄｅｔ３に基づく演算処理を行い、ホバー検出の際に検出値を補正するための補正値を求める。

ここで、タッチ検出動作において被検出体が接触状態であることを検出した場合には、ホバー検出において被検出体が非接触状態であるか非存在状態であるかを判定する必要がない。このため、本実施形態では、タッチ検出期間ＰＴの全期間又はタッチ検出期間ＰＴ内の所定期間（図２６から図２９に示す例では、タッチ検出期間ＰＴの全期間）を、ホバー検出において被検出体が非接触状態であるか非存在状態であるかを判定する必要があるか否かを判定するホバー検出要否判定期間ＰＪとしている。

図３０は、実施形態１に係る表示装置のホバー検出要否判定期間において、被検出体が接触状態であることを検出した場合の図２６に示す第１例及び図２８に示す第３例における動作例を示すタイミング波形図である。図３１は、実施形態１に係る表示装置のホバー検出要否判定期間において、被検出体が接触状態であることを検出した場合の図２７に示す第２例及び図２９に示す第４例における動作例を示すタイミング波形図である。図３０及び図３１に示すように、ホバー検出要否判定期間ＰＪにおいて被検出体が接触状態であることを検出した場合には、ホバー検出期間ＰＨ及び補正値検出期間ＰＣを設けず、１フレーム期間の全期間をタッチ検出期間ＰＴとする。

一方、ホバー検出要否判定期間ＰＪにおいて被検出体が接触状態であることを検出しなかった場合には、図２６から図２９に示すように、ホバー検出期間ＰＨ及び補正値検出期間ＰＣを設ける。

ここで、本実施形態に係るホバー検出の概念について説明する。図３２は、ホバー検出を行う際の検出回路の等価回路を示す図である。図３３は、ホバー検出を行う際のタッチセンサと被検出体との位置関係を示す図である。

図３２及び図３３において、Ｅ１はホバー検出及び補正値検出の際の検出電極を示し、Ｅは検出電極Ｅ１に対向又は近接する周辺導体を示し、Ｆは指等の被検出体を示し、Ｃｐは検出電極Ｅ１と周辺導体Ｅとの間の容量値を示し、Ｃｆは検出電極Ｅ１と被検出体Ｆとの間の容量値を示し、ＯＰは電圧検出器ＤＥＴに含まれるオペアンプを示し、ＣｏｐはオペアンプＯＰの入出力端間に設けられた容量値を示している。

図３２に示すように、検出部４０（検出信号増幅部４２）は、図４、図６、及び図１０に示す電圧検出器ＤＥＴを含んでいる。なお、検出部４０（検出信号増幅部４２）は、タッチセンサ３０に設けられた複数の検出電極Ｅ１に対応する複数の電圧検出器ＤＥＴを有している。

本実施形態において、検出電極Ｅ１はタッチ検出電極ブロックＴＤＬＢであり、周辺導体Ｅとしては、駆動電極ＣＯＭＬが例示される。図３３に示すように、ホバー検出を行う際の検出電極Ｅ１と被検出体Ｆとの間の距離は、検出電極Ｅ１と周辺導体Ｅとの間の距離に比べて極めて大きい。このため、ホバー検出を行う際の検出電極Ｅ１と被検出体Ｆとの間の容量値Ｃｆは、検出電極Ｅ１と周辺導体Ｅとの間の容量値Ｃｐに対して極めて小さい値となる（Ｃｆ＜＜Ｃｐ）。従って、非接触状態における電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ２’）と、非存在状態における電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ２’）との差が相対的に小さくなり、非接触状態の検出が困難となる。

このため、本実施形態において、ホバー検出の際には、第１駆動回路（タッチ検出電極ドライバ４１に対応）から、第１駆動信号（駆動信号Ｖｔｄに対応）を検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢに対応）に供給し、第２駆動回路（駆動電極ドライバ１４に対応）から、第１駆動信号と同じ波形で、且つ第１駆動信号に同期した第２駆動信号（ガード信号Ｖｇｄに対応）を周辺電極Ｅ（駆動電極ＣＯＭＬに対応）に供給する。このとき、電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ２’）は、検出電極Ｅ１に供給される第１駆動信号及び周辺電極Ｅに供給される第２駆動信号の波高値をＶｏとしたとき、以下の（１）式で表される。

Ｖｄｅｔ２’＝Ｃｆ×Ｖｏ／Ｃｏｐ・・・（１）

これにより、非存在状態における電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ２’）が略０となり、非接触状態の検出が容易となる。

一方、電圧検出器ＤＥＴを構成するオペアンプＯＰは、温度によって出力特性が変化する温度特性を有している。すなわち、電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ２’）は、温度に応じて変動する。

ホバー検出においては、上述したように、検出電極Ｅ１と被検出体Ｆとの間の容量値Ｃｆが小さいため、オペアンプＯＰの温度特性の影響を受け易い。このため、非接触状態の検出精度が低下し、高精度なホバー検出ができない可能性がある。

従って、本実施形態では、非接触状態の検出精度（すなわち、ホバー検出精度）を高めるために、ホバー検出における検出値を補正する。

また、図３３に示すように、被検出体Ｆから近い位置にある検出電極Ｅ１と被検出体Ｆとの間の容量値Ｃｆ１は、被検出体Ｆから遠い位置にある検出電極Ｅ１と被検出体Ｆとの間の容量値Ｃｆ２よりも大きくなる。電圧検出器ＤＥＴは、検出電極Ｅ１毎に設けられており、検出電極Ｅ１と被検出体Ｆとの間の容量値Ｃｆの大きさによってオペアンプＯＰに流れる電流値が変化する。すなわち、被検出体Ｆから近い位置にある検出電極Ｅ１に対応する電圧検出器ＤＥＴを構成するオペアンプＯＰと、被検出体Ｆから遠い位置にある検出電極Ｅ１に対応する電圧検出器ＤＥＴを構成するオペアンプＯＰとでは温度が異なる可能性がある。このため、電圧検出器ＤＥＴ毎に、ホバー検出における検出値を補正する必要がある。

図３４は、信号処理部の内部ブロック構成の一例を示す図である。図３４に示すように、検出部４０の信号処理部４４は、内部ブロックとして、検出値算出処理部４４１と、補正処理部４４２と、判定処理部４４３と、記憶部４４４とを備える。

検出値算出処理部４４１は、検出信号増幅部４２の電圧検出器ＤＥＴから出力され、Ａ／Ｄ変換部４３においてデジタル信号に変換された検出信号Ｖｄｅｔ１’，Ｖｄｅｔ２’，Ｖｄｅｔ３’が入力される。検出値算出処理部４４１は、検出信号Ｖｄｅｔ１’，Ｖｄｅｔ２’，Ｖｄｅｔ３’に対し、例えば所定期間内における平均値処理や最大値処理等の所定の検出値算出処理を行い、検出値Ｄｅｔ１，Ｄｅｔ２，Ｄｅｔ３を補正処理部４４２に出力する。

補正値検出において、補正処理部４４２は、ホバー検出における検出値Ｄｅｔ２に対して乗じる温度補正係数ｋを求める。以下、温度補正係数ｋの導出手法について説明する。

図３５は、補正値検出において温度補正係数の導出を行う際の検出回路の等価回路を示す図である。

本実施形態において、補正値検出における温度補正係数ｋの導出は、被検出体Ｆの非接触状態又は非存在状態において行う。

補正値検出の際には、第２駆動回路（駆動電極ドライバ１４に対応）から、上述した第２駆動信号（ガード信号Ｖｇｄに対応）を周辺電極Ｅ（駆動電極ＣＯＭＬに対応）に供給する。このとき、電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ３’）は、周辺電極Ｅに供給される第２駆動信号の波高値をＶｏとしたとき、以下の（２）式で表される。

Ｖｄｅｔ３’＝（Ｃｐ＋Ｃｆ）×Ｖｏ／Ｃｏｐ・・・（２）

上述したように、検出電極Ｅ１と周辺導体Ｅとの間の容量値Ｃｐは、ホバー検出を行う際の検出電極Ｅ１と被検出体Ｆとの間の容量値Ｃｆに対して極めて大きい値となる（Ｃｐ＞＞Ｃｆ）。従って、被検出体Ｆの非接触状態又は非存在状態では、以下の（３）式に示すように、検出電極Ｅ１と被検出体Ｆとの間の容量値Ｃｆを略０と見做すことができる。

Ｖｄｅｔ３’≒Ｃｐ×Ｖｏ／Ｃｏｐ・・・（３）

また、検出電極Ｅ１と周辺導体Ｅとの間の容量値Ｃｐは、表示パネル１０の構造によって決まる値であるため、温度特性による変化量は略０と見做すことができる。従って、電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ３’）の変動は、電圧検出器ＤＥＴを構成するオペアンプＯＰの温度特性によるものと見做すことができる。

温度Ｔ１における電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ３’）をＶＴ１、温度Ｔ２における電圧検出器ＤＥＴの出力（Ｖｄｅｔ３’）をＶＴ２としたとき、温度Ｔ１における検出値Ｄｅｔ３Ｔ１と温度Ｔ２における検出値Ｄｅｔ３Ｔ２とは、以下の（４）式に示す比例関係にある。

ＶＴ２／ＶＴ１＝Ｄｅｔ３Ｔ２／Ｄｅｔ３Ｔ１・・・（４）

本実施形態では、検出電極Ｅ１毎に設けられる電圧検出器ＤＥＴのオペアンプＯＰ毎の基準温度（例えば、室温２５℃環境下）における基準検出値をＤｒｅｆとし、以下の（５）式を用いて温度補正係数ｋを導出する。

ｋ＝Ｄｒｅｆ／Ｄｅｔ３・・・（５）

上記（５）式に示されるように、温度補正係数ｋは、環境温度に応じた検出値Ｄｅｔ３によって変動する変動値である。本実施形態における補正値検出は、検出値Ｄｅｔ３を用いて温度補正係数ｋを導出することを示す。記憶部４４４には、検出電極Ｅ１毎に設けられる電圧検出器ＤＥＴのオペアンプＯＰ毎の基準温度（例えば、室温２５℃環境下）における基準検出値Ｄｒｅｆが格納されている。検出電極Ｅ１と、電圧検出器ＤＥＴのオペアンプＯＰとは、互いに１対１で対応する。従って、以下の説明では、検出電極Ｅ１毎に設けられる電圧検出器ＤＥＴのオペアンプＯＰ毎の基準検出値Ｄｒｅｆを、検出電極Ｅ１毎の基準検出値Ｄｒｅｆとも称する。図３６は、検出電極毎の基準検出値を含む基準検出値情報の一例を示す図である。図３６に示す例では、検出電極Ｅ１１，Ｅ１２，Ｅ１３，・・・，Ｅ１ｎ（ｎは、自然数）毎の基準検出値Ｄｒｅｆ１，Ｄｒｅｆ２，Ｄｒｅｆ３，・・・Ｄｒｅｆｎが格納されている例を示している。

本実施形態において、基準検出値Ｄｒｅｆは、予め表示装置１の出荷時において被検出体の非存在状態で検出された値が設定されているものとする。

タッチ検出において、補正処理部４４２は、入力された検出値Ｄｅｔ１を判定処理部４４３に出力する。

補正値検出において、補正処理部４４２は、記憶部４４４に格納された基準検出値情報（図３６）から、検出電極Ｅ１毎の基準検出値Ｄｒｅｆを読み出し、上記（５）式を用いて温度補正係数ｋを求め、求めた検出電極Ｅ１毎の温度補正係数ｋを、図３７に示す温度補正係数情報として記憶部４４４に格納する。図３７は、検出電極毎の温度補正係数を含む温度補正係数情報の一例を示す図である。図３７に示す例では、検出電極Ｅ１１，Ｅ１２，Ｅ１３，・・・，Ｅ１ｎ（ｎは、自然数）毎の温度補正係数ｋ１，ｋ２，ｋ３，・・・ｋｎが格納されている例を示している。なお、温度補正係数ｋ１，ｋ２，ｋ３，・・・ｋｎは、検出電極Ｅ１毎に設けられる電圧検出器ＤＥＴのオペアンプＯＰ毎の基準温度（例えば、室温２５℃環境下）における初期値「１」が、予め表示装置１の出荷時において記憶部４４４に記憶されている。この場合、後述する検出処理手順において、補正値検出期間ＰＣで検出される温度補正係数ｋ１，ｋ２，ｋ３，・・・ｋｎの検出値が格納されるまでの間、ホバー検出期間ＰＨで適用される温度補正係数ｋ１，ｋ２，ｋ３，・・・ｋｎとして、上述した初期値「１」を適用する。

ホバー検出において、補正処理部４４２は、記憶部４４４に格納された温度補正係数情報（図３７）から、検出電極Ｅ１毎の温度補正係数ｋを読み出し、以下の（６）式を用いて検出値Ｄｅｔ２を補正した補正後検出値Ｄｃｏｒを判定処理部４４３に出力する。

Ｄｃｏｒ＝ｋ×Ｄｅｔ２・・・（６）

タッチ検出において、判定処理部４４３は、入力された検出値Ｄｅｔ１に基づき、被検出体が接触状態であるか、非接触状態又は非存在状態であるかを判定する。具体的には、例えば、１フレーム期間毎に検出される各検出値Ｄｅｔ１を所定の第１閾値Ｄｔｈ１と比較し、各検出値Ｄｅｔ１の１つ以上が第１閾値Ｄｔｈ１以上であれば（Ｄｅｔ１≧Ｄｔｈ１）、被検出体が接触状態であると判定し、制御部１１に出力する。また、検出値Ｄｅｔ１が第１閾値Ｄｔｈ１以上となった位置の情報を、後段の座標抽出部４５に出力する。また、例えば、１フレーム期間毎の各検出値Ｄｅｔ１を記憶部４４４に記憶し、所定フレーム毎に、記憶部４４４に記憶された各検出値Ｄｅｔ１を第１閾値Ｄｔｈ１と比較する態様であっても良い。なお、本実施形態において、基準検出値Ｄｒｅｆは、上述したように、予め表示装置１の出荷時において被検出体の非存在状態で検出された値が設定されている。この基準検出値Ｄｒｅｆの設定手法としては、例えば、基準温度環境下において、検出値Ｄｅｔ１が第１閾値未満（Ｄｅｔ１＜Ｄｔｈ１）であるときの検出値Ｄｅｔ３を基準検出値Ｄｒｅｆとすれば良い。

ホバー検出において、判定処理部４４３は、検出電極Ｅ１毎の補正後検出値Ｄｃｏｒに基づき、被検出体が非接触状態であるか非存在状態であるかを判定する。具体的には、例えば、検出電極Ｅ１毎の補正後検出値Ｄｃｏｒを所定の第２閾値Ｄｔｈ２と比較し、検出電極Ｅ１毎の補正後検出値Ｄｃｏｒの１つ以上が第２閾値Ｄｔｈ２以上であれば（Ｄｃｏｒ≧Ｄｔｈ２）、被検出体が非接触状態であると判定し、補正後検出値Ｄｃｏｒが第２閾値Ｄｔｈ２以上となった検出電極Ｅ１の位置の情報を、後段の座標抽出部４５に出力する。また、例えば、１フレーム期間毎の各補正後検出値Ｄｃｏｒを記憶部４４４に記憶し、所定フレーム毎に、記憶部４４４に記憶された各補正後検出値Ｄｃｏｒを第２閾値Ｄｔｈ２と比較する態様であっても良い。

図３８は、ホバー検出の際の検出値と補正後検出値とを示す図である。図３８において、縦軸はホバー検出における補正処理部４４２の入出力値を示し、横軸は時間を示している。図３８に示す破線はホバー検出における補正処理部４４２の入力値である検出値Ｄｅｔ２を示し、実線はホバー検出における補正処理部４４２の出力値である補正後検出値Ｄｃｏｒを示している。なお、図３８に示す例では、非接触状態において検出電極Ｅ１と被検出体Ｆとの間の距離が一定であるものとする。

図３８に示すように、非接触状態において電圧検出器ＤＥＴを構成するオペアンプＯＰに流れる電荷量が増加するため、時間の経過と共にオペアンプＯＰの温度が上昇し、これに伴いホバー検出における補正処理部４４２の入力値である検出値Ｄｅｔ２も上昇する。また、非存在状態となった後は、時間の経過と共にオペアンプＯＰの温度が低下し、これに伴いホバー検出における補正処理部４４２の入力値である検出値Ｄｅｔ２も低下する。

一方、ホバー検出における補正処理部４４２の出力値である補正後検出値Ｄｃｏｒは、補正処理部４４２によって温度補正されることで、非存在状態及び非接触状態においてそれぞれ一定の値となる。

このように、ホバー検出の際の検出値を補正することで、ホバー検出精度を高めることが可能となる。

次に、実施形態１に係る検出処理手順について説明する。図３９は、実施形態１に係る検出処理手順の一例を示すフローチャートである。図３９に示すフローチャートでは、タッチ検出、ホバー検出、及び補正値検出をそれぞれ１回以上行う例を示している。また、記憶部４４４には、タッチ検出における検出回数ｎＰＴ（ｎＰＴは、自然数）と、ホバー検出における検出回数ｎＰＨ（ｎＰＨは、自然数）と、補正値検出における検出回数ｎＰＣ（ｎＰＣは、自然数）とが記憶されるものとする。なお、タッチ検出における検出回数ｎＰＴは、例えば、タッチ検出期間ＰＴにおける検出動作期間Ｐｔの回数であっても良いし、１フレーム期間の繰り返し回数であっても良い。また、ホバー検出における検出回数ｎＰＨは、例えば、ホバー検出期間ＰＨにおける検出動作期間Ｐｔの回数であっても良いし、１フレーム期間の繰り返し回数であっても良い。また、補正値検出における検出回数ｎＰＣは、例えば、補正値検出期間ＰＣにおける検出動作期間Ｐｔの回数であっても良いし、１フレーム期間の繰り返し回数であっても良い。

まず、制御部１１は、タッチ検出期間ＰＴにおいてタッチ検出動作を行うように制御する。検出部４０は、タッチ検出における検出回数ｎＰＴをリセットし（ステップＳ１０１）、タッチ検出期間ＰＴにおいて判定処理部４４３に入力された検出値Ｄｅｔ１を記憶部４４４に記憶し（ステップＳ１０２）、タッチ検出における検出回数ｎＰＴを加算し（ステップＳ１０３）、タッチ検出における検出回数ｎＰＴが所定回数ｍＰＴとなったか否かを判定する（ステップＳ１０４）。

タッチ検出における検出回数ｎＰＴが所定回数ｍＰＴに満たない場合（ステップＳ１０４；Ｎｏ）、タッチ検出における検出回数ｎＰＴが所定回数ｍＰＴとなるまで（ステップＳ１０４；Ｙｅｓ）、ステップＳ１０２からステップＳ１０４までの処理を繰り返す。

タッチ検出における検出回数ｎＰＴが所定回数ｍＰＴとなると（ステップＳ１０４；Ｙｅｓ）、検出部４０の判定処理部４４３は、記憶部４４４に記憶された検出値Ｄｅｔ１に基づき、被検出体が接触状態であるか否かを判定する（ステップＳ１０５）。

検出部４０の判定処理部４４３は、被検出体が接触状態であると判定した場合（ステップＳ１０５；Ｙｅｓ）、当該タッチ判定結果を出力する（ステップＳ１０６）。具体的に、検出部４０の判定処理部４４３は、例えば、１フレーム期間毎に検出される各検出値Ｄｅｔ１を所定の第１閾値Ｄｔｈ１と比較し、各検出値Ｄｅｔ１の１つ以上が第１閾値Ｄｔｈ１以上であれば（Ｄｅｔ１≧Ｄｔｈ１）、被検出体が接触状態であると判定し、制御部１１に出力する。また、検出値Ｄｅｔ１が第１閾値Ｄｔｈ１以上となった位置の情報を、後段の座標抽出部４５に出力する。そして、制御部１１は、１フレーム期間の全期間をタッチ検出期間ＰＴとしてタッチ検出動作を行うように制御し、ステップＳ１０１の処理に戻る。

一方、被検出体が接触状態でない、すなわち、被検出体が非接触状態又は非存在状態であると検出部４０の判定処理部４４３が判定した場合（ステップＳ１０５；Ｎｏ）、制御部１１は、１フレーム期間内にホバー検出期間ＰＨ及び補正値検出期間ＰＣを設け、ホバー検出期間ＰＨにおいてホバー検出動作を行い、補正値検出期間ＰＣにおいて補正値検出動作を行うように制御する。

検出部４０は、ホバー検出における検出回数ｎＰＨをリセットする（ステップＳ１０７）。そして、検出部４０の補正処理部４４２は、記憶部４４４に記憶された温度補正係数情報（図３７）から、検出電極Ｅ１毎の温度補正係数ｋを読み出し（ステップＳ１０８）、上記（６）式を用いて、補正後検出値Ｄｃｏｒを算出する（ステップＳ１０９）。具体的に、検出部４０の補正処理部４４２は、入力された検出電極Ｅ１毎の検出値Ｄｅｔ２に対し、検出電極Ｅ１毎の温度補正係数ｋを乗じて、検出電極Ｅ１毎の検出値Ｄｅｔ２を補正した補正後検出値Ｄｃｏｒを求める。

そして、検出部４０の判定処理部４４３は、補正処理部４４２によって算出された補正後検出値Ｄｃｏｒを記憶部４４４に記憶し（ステップＳ１１０）、ホバー検出における検出回数ｎＰＨを加算し（ステップＳ１１１）、ホバー検出における検出回数ｎＰＨが所定回数ｍＰＨとなったか否かを判定する（ステップＳ１１２）。

ホバー検出における検出回数ｎＰＨが所定回数ｍＰＨに満たない場合（ステップＳ１１２；Ｎｏ）、ホバー検出における検出回数ｎＰＨが所定回数ｍＰＨとなるまで（ステップＳ１１２；Ｙｅｓ）、ステップＳ１０８からステップＳ１１２までの処理を繰り返す。

ホバー検出における検出回数ｎＰＨが所定回数ｍＰＨとなると（ステップＳ１１２；Ｙｅｓ）、検出部４０の判定処理部４４３は、記憶部４４４に記憶された補正後検出値Ｄｃｏｒに基づき、被検出体が非接触状態であるか否かを判定する（ステップＳ１１３）。

検出部４０の判定処理部４４３は、被検出体が非接触状態であると判定した場合（ステップＳ１１３；Ｙｅｓ）、当該ホバー判定結果を後段の座標抽出部４５に出力する（ステップＳ１１４）。具体的に、検出部４０の判定処理部４４３は、例えば、１フレーム期間毎に検出される検出電極Ｅ１毎の補正後検出値Ｄｃｏｒを所定の第２閾値Ｄｔｈ２と比較し、検出電極Ｅ１毎の補正後検出値Ｄｃｏｒの１つ以上が第２閾値Ｄｔｈ２以上であれば（Ｄｃｏｒ≧Ｄｔｈ２）、被検出体が非接触状態であると判定し、補正後検出値Ｄｃｏｒが第２閾値Ｄｔｈ２以上となった検出電極Ｅ１の位置の情報を、後段の座標抽出部４５に出力する。

ステップＳ１１４においてホバー判定結果を後段の座標抽出部４５に出力した後、又は、被検出体が非接触状態でない、すなわち、被検出体が非存在状態であると検出部４０の判定処理部４４３が判定した場合（ステップＳ１１３；Ｎｏ）、検出部４０は、補正値出における検出回数ｎＰＣをリセットし（ステップＳ１１５）、補正値検出期間ＰＣにおいて補正処理部４４２に入力された検出値Ｄｅｔ３を記憶部４４４に記憶し（ステップＳ１１６）、補正値検出における検出回数ｎＰＣを加算し（ステップＳ１１７）、補正値検出における検出回数ｎＰＣが所定回数ｍＰＣとなったか否かを判定する（ステップＳ１１８）。

補正値検出における検出回数ｎＰＣが所定回数ｍＰＣに満たない場合（ステップＳ１１８；Ｎｏ）、補正値検出における検出回数ｎＰＣが所定回数ｍＰＣとなるまで（ステップＳ１１８；Ｙｅｓ）、ステップＳ１１６からステップＳ１１８までの処理を繰り返す。

補正値検出における検出回数ｎＰＣが所定回数ｍＰＣとなると（ステップＳ１１８；Ｙｅｓ）、検出部４０の補正処理部４４２は、記憶部４４４に記憶された基準検出値情報（図３６）から、検出電極Ｅ１毎の基準検出値Ｄｒｅｆを読み出し（ステップＳ１１９）、上記（５）式を用いて、検出電極Ｅ１毎の温度補正係数ｋを算出する（ステップＳ１２０）。具体的に、検出部４０の補正処理部４４２は、検出電極Ｅ１毎の基準検出値Ｄｒｅｆを、入力された検出電極Ｅ１毎の検出値Ｄｅｔ３で除して、検出電極Ｅ１毎の温度補正係数ｋを求める。

そして、補正処理部４４２は、求めた検出電極Ｅ１毎の温度補正係数ｋを、温度補正係数情報として記憶部４４４に記憶し（ステップＳ１２１）、ステップＳ１０１の処理に戻る。

上述した処理を実行することにより、ホバー検出の際に、検出電極Ｅ１毎に設けられる電圧検出器ＤＥＴのオペアンプＯＰ毎の温度特性の影響を抑制することができ、ホバー検出精度を高めることができる。

図４０は、実施形態１の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第１例を示すタイミング波形図である。図４１は、実施形態１の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第２例を示すタイミング波形図である。図４０及び図４１に示す例では、図２４に示す各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を検出電極（図５に示す検出電極Ｅ２）として、相互静電容量方式の基本原理を用いた補正値検出を行う。図４２は、実施形態１の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第３例を示すタイミング波形図である。図４３は、実施形態１の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第４例を示すタイミング波形図である。図４２及び図４３に示す例では、図２４に示す各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を検出電極（図８から図１０に示す検出電極Ｅ１）として、自己静電容量方式の基本原理を用いた補正値検出を行う。

図４４は、実施形態１の変形例に係る検出処理手順の一例を示すフローチャートである。

上述した例（図２６から図２９、及び図３９）では、１フレーム期間における各検出期間を、タッチ検出期間ＰＴ、ホバー検出期間ＰＨ、補正値検出期間ＰＣの順に設けたが、ここでは、図４０から図４３に示すように、１フレーム期間における各検出期間を、タッチ検出期間ＰＴ、補正値検出期間ＰＣ、ホバー検出期間ＰＨの順に設けた例について説明する。

図４４に示す例では、検出部４０の判定処理部４４３が、ステップＳ１０５において、被検出体が接触状態でない、すなわち、被検出体が非接触状態又は非存在状態であると判定した場合（ステップＳ１０５；Ｎｏ）、検出部４０は、補正値検出における検出回数ｎＰＣをリセットし（ステップＳ１１５）、以降のステップＳ１２１までの処理を行う。また、検出部４０の補正処理部４４２が、ステップＳ１２１において、検出電極Ｅ１毎の温度補正係数ｋを、温度補正係数情報として記憶部４４４に記憶した後、検出部４０は、ホバー検出における検出回数ｎＰＨをリセットし（ステップＳ１０７）、以降のステップＳ１１４までの処理を行う。そして、検出部４０の判定処理部４４３が、ステップＳ１１３において、被検出体が非接触状態でない、すなわち、被検出体が非存在状態であると判定するか（ステップＳ１１３；Ｎｏ）、又は、ステップＳ１１４において、ホバー判定結果を後段の座標抽出部４５に出力した後、ステップＳ１０１の処理に戻る。

これにより、ホバー検出を行う直前の補正値検出において算出された温度補正係数ｋを用いて、ホバー検出を行うことができるので、ホバー検出精度をより高めることができる。

以上説明したように、実施形態１に係る表示装置１は、複数の検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）と、検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）と対向又は近接して配置された複数の周辺導体Ｅ（駆動電極ＣＯＭＬ）と、第１駆動信号（駆動信号Ｖｔｄ）を検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）に供給する第１駆動回路（タッチ検出電極ドライバ４１）と、第１駆動信号（駆動信号Ｖｔｄ）と同じ波形で、且つ第１駆動信号（駆動信号Ｖｔｄ）に同期した第２駆動信号（駆動信号Ｖｃｏｍ又はガード信号Ｖｇｄ）を周辺導体Ｅ（駆動電極ＣＯＭＬ）に供給する第２駆動回路（駆動電極ドライバ１４）と、第２駆動信号（駆動信号Ｖｃｏｍ）が周辺導体Ｅ（駆動電極ＣＯＭＬ）に供給されて検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＡ）から出力される第１検出信号Ｖｄｅｔ１、第１駆動信号（駆動信号Ｖｔｄ）が検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）に供給され、且つ第２駆動信号（ガード信号Ｖｇｄ）が周辺導体Ｅ（駆動電極ＣＯＭＬ）に供給されて検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）から出力される第２検出信号Ｖｄｅｔ２、及び、第２駆動信号（ガード信号Ｖｇｄ）が周辺導体Ｅ（駆動電極ＣＯＭＬ）に供給されて検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）から出力される第３検出信号Ｖｄｅｔ３を検出する検出部４０と、を備える。

または、実施形態１に係る表示装置１は、複数の検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）と、検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）と対向又は近接して配置された複数の周辺導体Ｅ（駆動電極ＣＯＭＬ）と、第１駆動信号（駆動信号Ｖｔｄ）を検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）に供給する第１駆動回路（タッチ検出電極ドライバ４１）と、第１駆動信号（駆動信号Ｖｔｄ）と同じ波形で、且つ第１駆動信号（駆動信号Ｖｔｄ）に同期した第２駆動信号（駆動信号Ｖｃｏｍ又はガード信号Ｖｇｄ）を周辺導体Ｅ（駆動電極ＣＯＭＬ）に供給する第２駆動回路（駆動電極ドライバ１４）と、第２駆動信号（駆動信号Ｖｃｏｍ）が周辺導体Ｅ（駆動電極ＣＯＭＬ）に供給されて検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＡ）から出力される第１検出信号Ｖｄｅｔ１、第１駆動信号（駆動信号Ｖｔｄ）が検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）に供給され、且つ第２駆動信号（ガード信号Ｖｇｄ）が周辺導体Ｅ（駆動電極ＣＯＭＬ）に供給されて検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）から出力される第２検出信号Ｖｄｅｔ２、及び、第１駆動信号（駆動信号Ｖｔｄ）が検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）に供給されて検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）から出力される第３検出信号Ｖｄｅｔ３を検出する検出部４０と、を備える。

上記構成において、検出部４０は、第１検出信号Ｖｄｅｔ１の検出値Ｄｅｔ１が所定の閾値（第１閾値Ｄｔｈ１）未満である場合に、第２検出信号Ｖｄｅｔ２及び第３検出信号Ｖｄｅｔ３を検出し、第２検出信号Ｖｄｅｔ２の検出値Ｄｅｔ２を、第３検出信号Ｖｄｅｔ３の検出値Ｄｅｔ３によって補正する。

具体的に、検出部４０は、第１検出信号Ｖｄｅｔ１の検出値Ｄｅｔ１が閾値（第１閾値Ｄｔｈ１）未満であるときに所定の基準温度において予め検出された第３検出信号Ｖｄｅｔ３の基準検出値Ｄｒｅｆを保持し、この基準検出値Ｄｒｅｆと第３検出信号Ｖｄｅｔ３の検出値Ｄｅｔ３との比率（Ｄｒｅｆ／Ｄｅｔ３）である温度補正係数ｋを、第２検出信号Ｖｄｅｔ２の検出値Ｄｅｔ２に乗じて、補正後検出値Ｄｃｏｒとする。

これによれば、ホバー検出の際に、検出電極Ｅ１（タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ）毎に設けられる電圧検出器ＤＥＴのオペアンプＯＰ毎の温度特性の影響を抑制することができ、ホバー検出精度を高めることができる。

本実施形態により、表示装置１は、タッチ検出とホバー検出とで電極を共用しつつ、精度よくタッチ検出を行うとともに、良好にホバー検出を行うことができる。

実施形態１では、タッチ検出電極ＴＤＬが「第１電極」に対応し、駆動電極ＣＯＭＬ（周辺導体Ｅ）が「第２電極」に対応している。また、タッチ検出電極ドライバ４１が「第１駆動回路」に対応し、駆動電極ドライバ１４が「第２駆動回路」に対応している。また、駆動信号Ｖｔｄが「第１駆動信号」に対応し、駆動信号Ｖｃｏｍ又はガード信号Ｖｇｄが「第２駆動信号」に対応している。また、検出信号Ｖｄｅｔ１が「第１検出信号」に対応し、検出信号Ｖｄｅｔ２が「第２検出信号」に対応し、検出信号Ｖｄｅｔ３が「第３検出信号」に対応している。また、基準検出値Ｄｒｅｆが「基準検出値」に対応し、第１閾値Ｄｔｈ１が「閾値」に対応する。また、行方向が「第１方向」に対応し、列方向が「第２方向」に対応している。また、タッチ検出電極ブロックＴＤＬＡが「第１電極ブロック」に対応し、タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢが「第２電極ブロック」に対応している。また、画素基板２が「基板」に対応している。また、駆動電極ＣＯＭＬと、タッチ検出電極ＴＤＬと、検出部４０とを備える装置が「検出装置」に対応している。また、タッチ検出期間ＰＴが「第１期間」に対応し、ホバー検出期間ＰＨが「第２期間」に対応し、補正値検出期間ＰＣが「第３期間」に対応する。また、「表示装置」は、検出装置と、表示領域１０ａを有する画素基板２と、表示領域１０ａに画像を表示するための液晶層６と、制御部１１と、を備えている。

（実施形態２）
図４５は、実施形態２に係る表示装置の構成例を示すブロック図である。図４６は、実施形態２に係る表示装置の検出部の構成例を示すブロック図である。なお、実施形態１と同等あるいは同一の構成部については、重複する説明を省略する。

実施形態２に係る表示装置１ａにおいて、制御部１１ａのゲートドライバ１２ａは、制御部１１ａから供給される制御信号に基づいて、表示部２０のゲート線ＧＣＬに走査信号Ｖｓｃａｎを供給し、表示パネル１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有する回路である。また、ゲートドライバ１２ａは、タッチ検出、ホバー検出、補正値検出の際に、ゲート線ＧＣＬを固定電位（ＧＮＤ）又はハイインピーダンスとするか、あるいはガード信号Ｖｇｄを供給する機能を有している。

ソースドライバ１３ａは、表示部２０の、データ線ＳＧＬを介して、各副画素ＳＰｉｘに画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。また、ソースドライバ１３ａは、タッチ検出、ホバー検出、補正値検出の際に、データ線ＳＧＬを固定電位（ＧＮＤ）又はハイインピーダンスとするか、あるいはガード信号Ｖｇｄを供給する機能を有している。ソースドライバ１３ａの機能の一部は、表示パネル１０に搭載されていてもよい。この場合、制御部１１ａが画素信号Ｖｐｉｘ、ガード信号Ｖｇｄを生成し、これら画素信号Ｖｐｉｘ、ガード信号Ｖｇｄをソースドライバ１３ａに供給してもよい。

駆動電極ドライバ１４ａは、表示パネル１０の表示部２０に表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃ又はタッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。また、駆動電極ドライバ１４ａは、ホバー検出、補正値検出の際に、ホバー検出用又は補正値検出用の駆動信号Ｖｔｄを供給する機能を有している。なお、本実施形態において、タッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍとホバー検出用又は補正値検出用の駆動信号Ｖｔｄとは、実質的に同一の信号であっても良い。

接続回路１８ａは、複数の駆動電極の各々を配線５１（後述の図４７参照）を介して互いに接続させる。これにより、タッチ検出では、後述する駆動電極ブロックＣＯＭＬＡが駆動電極として形成され、ホバー検出及び補正値検出では、後述する駆動電極ブロックＣＯＭＬＢが検出電極として形成される。また、タッチ検出電極ＴＤＬから出力される検出信号Ｖｄｅｔ１、駆動電極ブロックＣＯＭＬＢから出力される検出信号Ｖｄｅｔ２，Ｖｄｅｔ３は、接続回路１８ａを介して検出部４０に供給される。

図４６に示すように、検出部４０ａは、タッチ検出電極ドライバ４１ａと、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６と、を備える。検出タイミング制御部４６は、制御部１１ａから供給される制御信号に基づいて、タッチ検出電極ドライバ４１ａと、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。

タッチ検出電極ドライバ４１ａは、ホバー検出及び補正値検出の際に、タッチ検出電極ＴＤＬを固定電位（ＧＮＤ）又はハイインピーダンスとするか、あるいは自己静電容量方式による補正値検出用のガード信号Ｖｇｄを表示パネル１０に供給する回路である。

タッチセンサ３０ａは、実施形態１において説明した相互静電容量方式によるタッチ検出を行う。このとき、タッチセンサ３０ａは、複数のタッチ検出電極ＴＤＬから、検出ブロック毎に検出信号Ｖｄｅｔ１を出力する。検出信号Ｖｄｅｔ１は、検出部４０ａの検出信号増幅部４２に供給され、例えば検出信号増幅部４２に含まれる電圧検出器ＤＥＴによって積分され、検出信号Ｖｄｅｔ１’が出力される。

また、タッチセンサ３０ａは、実施形態１において説明した自己静電容量方式によるホバー検出を行う。このとき、タッチセンサ３０ａは、後述する駆動電極ブロックＣＯＭＬＢから、検出信号Ｖｄｅｔ２を出力する。検出信号Ｖｄｅｔ２は、検出部４０ａの検出信号増幅部４２に供給され、例えば検出信号増幅部４２に含まれる電圧検出器ＤＥＴによって積分され、検出信号Ｖｄｅｔ２’が出力される。なお、本実施形態のホバー検出において、交流矩形波Ｓｇ（図１１参照）は、検出電極Ｅ１（駆動電極ブロックＣＯＭＬＢ）、及び、検出電極Ｅ１（駆動電極ブロックＣＯＭＬＢ）に対向又は近接する周辺導体（本実施形態では、ゲート線ＧＣＬ、ゲート電極６４、データ線ＳＧＬ、画素電極２２（図１７参照））に対して印加される。

また、タッチセンサ３０ａは、実施形態１において説明した自己静電容量方式による補正値検出を行う。このとき、タッチセンサ３０ａは、後述する駆動電極ブロックＣＯＭＬＢから、検出信号Ｖｄｅｔ３を出力する。検出信号Ｖｄｅｔ３は、検出部４０ａの検出信号増幅部４２に供給され、例えば検出信号増幅部４２に含まれる電圧検出器ＤＥＴによって積分され、検出信号Ｖｄｅｔ３’が出力される。なお、本実施形態の補正値検出において、交流矩形波Ｓｇ（図１１参照）は、検出電極Ｅ１（駆動電極ブロックＣＯＭＬＢ）に対向又は近接する周辺導体（本実施形態では、ゲート線ＧＣＬ、ゲート電極６４、データ線ＳＧＬ、画素電極２２（図１７参照））に対して印加される。

次に、表示装置１の構成例を詳細に説明する。図４７は、実施形態２に係る表示装置を構成するＴＦＴ基板を模式的に示す平面図である。図４８は、実施形態２に係る表示装置を構成する対向基板を模式的に示す平面図である。

図４７及び図４８に示すように、ＴＦＴ基板２１及び対向基板３１は、画像を表示させるための表示領域１０ａと、表示領域１０ａの周囲に設けられた額縁領域１０ｂとを有する。表示領域１０ａは、一対の長辺と短辺とを有する矩形状である。額縁領域１０ｂは、表示領域１０ａの４辺を囲む枠状となっている。

図４７に示すように、複数の駆動電極ＣＯＭＬは、ＴＦＴ基板２１の表示領域１０ａに設けられており、行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）に並び、行列状に複数配列されている。それぞれの駆動電極ＣＯＭＬは、平面視で矩形状、又は正方形状である。駆動電極ＣＯＭＬは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料で構成されている。１つの駆動電極ＣＯＭＬに対応する位置に、複数の画素電極２２が行列状に配置される。画素電極２２は、駆動電極ＣＯＭＬよりも小さい面積を有している。なお、図４７では一部の駆動電極ＣＯＭＬ及び画素電極２２について示しているが、駆動電極ＣＯＭＬ及び画素電極２２は表示領域１０ａの全域に亘って配置される。また、本実施形態では、相互静電容量方式によるタッチ検出の際に、行方向に複数配列された駆動電極ＣＯＭＬが接続回路１８ａにより互いに接続されて、ライン状の駆動電極ブロックＣＯＭＬＡが構成される。

ＴＦＴ基板２１の額縁領域１０ｂには、表示用ＩＣ１９が配置されている。表示用ＩＣ１９は、ＴＦＴ基板２１にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）実装されたチップである。表示用ＩＣ１９は、例えば、制御部１１ａ（図４５参照）を内蔵している。表示用ＩＣ１９は、外部のホストＩＣ（図示しない）から供給された映像信号Ｖｄｉｓｐ（図４５参照）に基づいて、後述するゲート線ＧＣＬ及びデータ線ＳＧＬ等に制御信号を出力する。

また、ＴＦＴ基板２１の額縁領域１０ｂには、検出用ＩＣ４９が配置されたフレキシブル基板４７が接続されている。検出用ＩＣ４９は、フレキシブル基板４７に実装されたチップである。検出用ＩＣ４９は、例えば、検出部４０ａ（図４５参照）を内蔵し、フレキシブル基板４７を介して表示用ＩＣ１９と接続されている。

配線５１は、表示領域１０ａに配置された駆動電極ＣＯＭＬのそれぞれに接続され、額縁領域１０ｂまで引き出されている。駆動電極ＣＯＭＬの端部は、ＴＦＴ基板２１の額縁領域１０ｂの短辺側に設けられたフレキシブル基板４７（図４７参照）に接続されている。例えば、検出用ＩＣ４９（図４７参照）に内蔵された検出部４０ａ（図４５参照）は、フレキシブル基板４７と、ＴＦＴ基板２１と、接続回路１８ａと、配線５１とを介して、複数の駆動電極ＣＯＭＬにそれぞれ接続される。

図４７に示すように、表示用ＩＣ１９は、例えば、額縁領域１０ｂの短辺側に配置されていてもよい。これによれば、額縁領域１０ｂの長辺側に表示用ＩＣ１９を設ける必要がなく、額縁領域１０ｂの長辺側の幅を小さくすることができる。

図４８に示すように、複数のタッチ検出電極ＴＤＬは、対向基板３１の表示領域１０ａに設けられている。より具体的には、表示領域１０ａの短辺に沿った方向（Ｘ方向）に延びるタッチ検出電極ＴＤＬが、表示領域１０ａの長辺に沿った方向（Ｙ方向）に並び複数配列されている。それぞれのタッチ検出電極ＴＤＬは、平面視で矩形状である。タッチ検出電極ＴＤＬは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料で構成されている。なお、タッチ検出電極ＴＤＬは、ＩＴＯに限定されず、例えば、金属材料を用いた金属細線等により構成されていてもよい。なお、図４８では一部のタッチ検出電極ＴＤＬについて示しているが、タッチ検出電極ＴＤＬは表示領域１０ａの全域に亘って配置される。

図４９は、実施形態２に係る表示パネルの駆動電極及びタッチ検出電極の構成例を表す斜視図である。タッチセンサ３０ａは、画素基板２に設けられた駆動電極ＣＯＭＬと、対向基板３に設けられたタッチ検出電極ＴＤＬにより構成されている。複数の駆動電極ＣＯＭＬを含む駆動電極ブロックＣＯＭＬＡは、図４９の左右方向に延在する複数のストライプ状の電極パターンとして機能する。複数のタッチ検出電極ＴＤＬは、駆動電極ブロックＣＯＭＬＡの延在方向と交差する方向に延びる複数の電極パターンを含む。そして、タッチ検出電極ＴＤＬは、ＴＦＴ基板２１（図１２参照）の表面に対する垂直な方向において、駆動電極ブロックＣＯＭＬＡと対向している。タッチ検出電極ＴＤＬの各電極パターンは、検出部４０ａの検出信号増幅部４２の入力にそれぞれ接続される（図４６参照）。駆動電極ブロックＣＯＭＬＡの各駆動電極ＣＯＭＬとタッチ検出電極ＴＤＬの各電極パターンとの交差部分に、それぞれ静電容量が形成される。

タッチ検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ブロックＣＯＭＬＡは、ストライプ状に複数に分割される形状に限られない。例えば、タッチ検出電極ＴＤＬは櫛歯形状等であってもよい。あるいはタッチ検出電極ＴＤＬは、複数に分割されていればよく、駆動電極ＣＯＭＬを分割するスリットの形状は直線であっても、曲線であってもよい。

タッチセンサ３０ａでは、相互静電容量方式のタッチ検出を行う際、駆動電極ドライバ１４ａが駆動電極ブロックＣＯＭＬＡごとに時分割的に順次走査するように駆動することにより、駆動電極ブロックＣＯＭＬＡが順次選択される。そして、タッチ検出電極ＴＤＬから検出信号Ｖｄｅｔ１が出力されることにより、駆動電極ブロックＣＯＭＬＡのタッチ検出が行われる。つまり、駆動電極ブロックＣＯＭＬＡは、上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理における駆動電極Ｅ１に対応し、タッチ検出電極ＴＤＬは検出電極Ｅ２に対応する。タッチセンサ３０ａは、この基本原理に従ってタッチ検出を行う。図４９に示すように、互いに交差したタッチ検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ブロックＣＯＭＬＡは、タッチ検出面を行列状に構成している。タッチセンサ３０ａでは、行列状に構成されたタッチ検出面が全体に亘って走査されることにより、外部からの導体の接触又は近接が生じた位置の検出が可能である。

図５０は、駆動電極と配線との接続の一例を示す図である。図５１は、ライン状の駆動電極ブロックの構成例を示す図である。図５２は、正方形状の駆動電極ブロックの構成例を示す図である。図５０に示すように、複数の駆動電極ＣＯＭＬは、行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）にそれぞれ並んで配置されており、複数の行と、複数の列とを構成している。図５０は、複数の駆動電極ＣＯＭＬが、８行８列を構成するように配置されている場合を例示している。

複数の配線５１の各々は、行方向（Ｘ方向）に並ぶ複数の駆動電極ＣＯＭＬにそれぞれ接続されている。例えば、１本の配線５１は、列方向（Ｙ方向）に延設された４本の配線５１ａから５１ｄを含む。具体的には、図５０中の最上段の各駆動電極ＣＯＭＬでは、接続回路１８ａ側から見て、１番目と２番目の駆動電極ＣＯＭＬは配線５１ａにそれぞれ接続され、３番目と４番目の駆動電極ＣＯＭＬは配線５１ｂにそれぞれ接続され、５番目と６番目の駆動電極ＣＯＭＬは配線５１ｃにそれぞれ接続され、７番目と８番目の駆動電極ＣＯＭＬは配線５１ｄに接続されている。図５０中の最上段より下の各駆動電極ＣＯＭＬでも、配線５１ａから５１ｄは図５０中の最上段の各駆動電極ＣＯＭＬと同様に接続されている。

図５０に示すように、複数の配線５１は接続回路１８ａにそれぞれ接続されている。接続回路１８ａは、例えば、入出力可能なチャネル数が１６以上であるマルチプレクサを含む。接続回路１８ａは、複数の検出用データ線ＳＬを介して検出部４０ａに接続されている。接続回路１８ａは、ＴＦＴ基板２１の額縁領域１０ｂ（図４７参照）に形成されている。または、接続回路１８ａは、検出用ＩＣ４９に内蔵されていてもよい。

接続回路１８ａは、制御部１１ａから送信される制御信号に基づいて、駆動電極ＣＯＭＬと配線５１との接続を切り替える。これにより、接続回路１８ａは、図５１に示すように、複数の駆動電極ＣＯＭＬを行方向（Ｘ方向）に接続して駆動電極ブロックＣＯＭＬＡを構成したり、図５２に示すように、複数の駆動電極ＣＯＭＬを行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）に接続して駆動電極ブロックＣＯＭＬＢを構成したりすることができる。なお、図５２では複数の駆動電極ＣＯＭＬを行方向及び列方向の両方で接続して駆動電極ブロックＣＯＭＬＢを構成したが、これに限定されない。例えば、複数の駆動電極ＣＯＭＬを列方向に接続して駆動電極ブロックＣＯＭＬＢを構成してもよい。駆動電極ブロックＣＯＭＬＡを構成する際は、行方向に複数の駆動電極ＣＯＭＬを接続し、駆動電極ブロックＣＯＭＬＢを構成する際は、列方向に複数の駆動電極ＣＯＭＬを接続してもよい。

図５３は、実施形態２に係る接続回路の構成例を示す図である。図５３に示すように、接続回路１８ａは、複数のスイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８、ＳＷ２１からＳＷ２４を備える。スイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８、ＳＷ２１からＳＷ２４は、複数の配線５１にそれぞれ接続されており、複数の配線５１のうちの一方の配線と他方の配線との間を接続し、又は遮断する。駆動電極ＣＯＭＬ間の接続は、スイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８、ＳＷ２１からＳＷ２４により、接続又は非接続のいずれかに切り替え可能になっている。

スイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８がオンで、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４がオフのとき、複数の駆動電極ＣＯＭＬは行方向（Ｘ方向）で互いに接続されて、駆動電極ブロックＣＯＭＬＡ（図５１参照）が構成される。例えば、隣り合う８個の駆動電極ＣＯＭＬが行方向（Ｘ方向）に接続されて、１本の駆動電極ブロックＣＯＭＬＡが構成される。

図５１は、本実施形態の一例として、行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）にそれぞれ等間隔で並ぶ６４個のタッチ検出電極ＴＤＬから、８本の駆動電極ブロックＣＯＭＬＡ（Ａ１からＡ８）が構成される場合を示している。８本の駆動電極ブロックＣＯＭＬＡは、列方向（Ｙ方向）に等間隔で並んでいる。８本の駆動電極ブロックＣＯＭＬＡは、スイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８を介して、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ８にそれぞれ接続される。

一方、スイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８がオフで、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４がオンのとき、複数の駆動電極ＣＯＭＬは行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）で互いに接続されて、駆動電極ブロックＣＯＭＬＢ（図５２参照）が構成される。例えば、行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）で隣り合う駆動電極ＣＯＭＬが互いに接続されて、４個の駆動電極ＣＯＭＬから１個の駆動電極ブロックＣＯＭＬＢが構成される。

図５２は、本実施形態の一例として、６４個の駆動電極ＣＯＭＬから、１６個の駆動電極ブロックＣＯＭＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）が構成される場合を示している。駆動電極ブロックＣＯＭＬＢの平面視による形状は、略正方形である。１６個の駆動電極ブロックＣＯＭＬＢは、行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）にそれぞれ等間隔で並んでいる。１６個の駆動電極ブロックＣＯＭＬＢは、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４を介して、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６にそれぞれ接続される。

本実施形態では、図５１に示す各駆動電極ブロックＣＯＭＬＡ（Ａ１からＡ８）を駆動電極（図３に示す駆動電極Ｅ１）として相互静電容量方式のタッチ検出を行い、図５２に示す各タッチ検出電極ブロックＴＤＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を検出電極（図８から図１０に示す検出電極Ｅ１）として自己静電容量方式のホバー検出及び補正値検出を行う。

なお、図５１から図５３に示す例では、自己静電容量方式のホバー検出及び補正値検出を行う際に、４個の駆動電極ＣＯＭＬから略正方形の１個の駆動電極ブロックＣＯＭＬＢが構成される例を示したが、駆動電極ブロックＣＯＭＬＢを構成する駆動電極ＣＯＭＬの数や平面視による形状はこれに限るものではなく、例えば、９個の駆動電極ＣＯＭＬから略正方形の１個の駆動電極ブロックＣＯＭＬＢが構成される態様であっても良いし、駆動電極ブロックＣＯＭＬＢの平面視による形状が略矩形であっても良い。駆動電極ブロックＣＯＭＬＢを構成する駆動電極ＣＯＭＬの数や平面視による形状によって本発明が限定されるものではない。

図５４は、実施形態２に係る表示装置の基本的な動作の第１例を示すタイミング波形図である。図５５は、実施形態２に係る表示装置の基本的な動作の第２例を示すタイミング波形図である。図５４及び図５５に示す例では、図５２に示す各駆動電極ブロックＣＯＭＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を検出電極（図８から図１０に示す検出電極Ｅ１）として、相互静電容量方式の基本原理を用いた補正値検出を行う。図５４及び図５５では、１フレーム期間における各検出期間を、タッチ検出期間ＰＴ、ホバー検出期間ＰＨ、補正値検出期間ＰＣの順に設けた例を示している。

図５４及び図５５に示すように、本実施形態では、実施形態１と同様に、基本的に、１フレーム期間内において、相互容量方式によるタッチ検出動作を行うタッチ検出期間ＰＴと、自己静電容量方式によるホバー検出動作を行うホバー検出期間ＰＨと、ホバー検出の際に検出値を補正するための補正値を検出する補正値検出動作を行う補正値検出期間ＰＣとを含む。タッチ検出期間ＰＴ、ホバー検出期間ＰＨ、補正値検出期間ＰＣでは、それぞれ、表示動作期間Ｐｄと検出動作期間Ｐｔとが交互に配置されている。

各表示動作期間Ｐｄにおいては、駆動電極ドライバ１４ａから駆動電極ＣＯＭＬに対して表示用の共通電極電位である表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが供給される。これにより、駆動電極ＣＯＭＬの電位は、表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃに固定される。この状態で、ゲートドライバ１２からゲート線ＧＣＬ１、ＧＣＬ２、ＧＣＬ３、…に制御信号が順次出力され、ソースドライバ１３からデータ線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３、…に画素信号Ｖｐｉｘが順次出力される。このようにして、表示動作期間Ｐｄに選択される複数行の画素Ｐｉｘ（図１５参照）に画素信号Ｖｐｉｘが順次供給され、表示データの書き込みが行われる。

タッチ検出期間ＰＴの各検出動作期間Ｐｔにおいては、接続回路１８ａ（図５３参照）のスイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８がオンに制御され、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４がオフに制御される。これにより、図５１に示したように、複数の駆動電極ＣＯＭＬは、複数の駆動電極ブロックＣＯＭＬＡ（Ａ１からＡ８）を構成する。この状態で、駆動電極ドライバ１４ａから接続回路１８ａの検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６を介して、各検出動作期間Ｐｔに選択される各駆動電極ブロックＣＯＭＬＡにタッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。また、図５４に示すように、ゲートドライバ１２ａからゲート線ＧＣＬに対して、タッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｃｏｍに同期したガード信号Ｖｇｄが供給される。また、図５４に示すように、ソースドライバ１３ａからソース線ＳＧＬに対して、タッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｃｏｍに同期したガード信号Ｖｇｄが供給される。これにより、各タッチ検出電極ＴＤＬから検出信号Ｖｄｅｔ１が順次出力される。なお、図５４に示す第１例では、タッチ検出期間ＰＴの各検出動作期間Ｐｔにおいて、ゲート線ＧＣＬ及びソース線ＳＧＬに対してガード信号Ｖｇｄが供給される例を示したが、図５５に示すように、ゲート線ＧＣＬ及びソース線ＳＧＬをハイインピーダンス（Ｈｉ－Ｚ）とする態様であっても良い。

検出部４０ａは、各タッチ検出電極ＴＤＬからそれぞれ出力される検出信号Ｖｄｅｔ１を取得する。そして、検出部４０ａは、取得した検出信号Ｖｄｅｔ１に基づく演算処理を行い、演算処理の結果から、被検出体が接触状態であるか、非接触状態又は被存在状態であるかを判定する。

ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおいては、接続回路１８ａ（図５３参照）のスイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８がオフに制御され、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４がオンに制御される。これにより、図５２に示したように、複数の駆動電極ＣＯＭＬは、複数の駆動電極ブロックＣＯＭＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を構成する。この状態で、駆動電極ドライバ１４ａから接続回路１８ａの検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６を介して、各駆動電極ブロックＣＯＭＬＢにホバー検出用の駆動信号Ｖｔｄが供給される。例えば、駆動電極ドライバ１４ａは、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６に、ホバー検出用の駆動信号Ｖｔｄを同じ波形で且つ同期して供給する。また、図５４に示すように、ゲートドライバ１２ａからゲート線ＧＣＬに対して、ホバー検出用の駆動信号Ｖｔｄと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｔｄに同期したガード信号Ｖｇｄが供給される。また、図５４に示すように、ソースドライバ１３ａからデータ線ＳＧＬに対して、ホバー検出用の駆動信号Ｖｔｄと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｔｄに同期したガード信号Ｖｇｄが供給される。また、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおいて、検出部４０ａのタッチ検出電極ドライバ４１ａによってタッチ検出電極ＴＤＬがハイインピーダンス（Ｈｉ－Ｚ）とされる。これにより、各駆動電極ブロックＣＯＭＬＢから検出信号Ｖｄｅｔ２が同時に出力される。

なお、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおけるホバー検出用の駆動信号Ｖｔｄは、タッチ検出期間ＰＴの各検出動作期間Ｐｔにおけるタッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｃｏｍに同期した信号であっても良い。この場合には、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおけるガード信号Ｖｇｄと、タッチ検出期間ＰＴの各検出動作期間Ｐｔにおけるガード信号Ｖｇｄとは、実質的に同一の信号となる。

検出部４０ａは、各駆動電極ブロックＣＯＭＬＢからそれぞれ出力される検出信号Ｖｄｅｔ２を、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６を介してそれぞれ取得する。そして、検出部４０ａは、取得した検出信号Ｖｄｅｔ２に基づく演算処理を行い、演算処理の結果から、被検出体が非接触状態であるか非存在状態であるかを判定する。

補正値検出期間ＰＣの各検出動作期間Ｐｔにおいては、接続回路１８ａ（図５３参照）のスイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８がオフに制御され、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４がオンに制御される。これにより、図５２に示したように、複数の駆動電極ＣＯＭＬは、複数の駆動電極ブロックＣＯＭＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を構成する。この状態で、ゲートドライバ１２ａからゲート線ＧＣＬに対してガード信号Ｖｇｄが供給され、ソースドライバ１３ａからデータ線ＳＧＬに対してガード信号Ｖｇｄが供給される。これにより、各駆動電極ブロックＣＯＭＬＢから検出信号Ｖｄｅｔ３が同時に出力される。

なお、補正値検出期間ＰＣの各検出動作期間Ｐｔにおけるガード信号Ｖｇｄは、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおけるガード信号Ｖｇｄと実質的に同一の信号である。

検出部４０ａは、各駆動電極ブロックＣＯＭＬＢからそれぞれ出力される検出信号Ｖｄｅｔ３を、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６を介してそれぞれ取得する。そして、検出部４０ａは、取得した検出信号Ｖｄｅｔ３に基づく演算処理を行い、ホバー検出の際に検出値を補正するための補正値を求める。

図５６は、実施形態２に係る表示装置の基本的な動作の第３例を示すタイミング波形図である。図５７は、実施形態２に係る表示装置の基本的な動作の第４例を示すタイミング波形図である。図５８は、実施形態２に係る表示装置の基本的な動作の第５例を示すタイミング波形図である。図５９は、実施形態２に係る表示装置の基本的な動作の第６例を示すタイミング波形図である。

図５６から図５９に示す例では、図５２に示す各駆動電極ブロックＣＯＭＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を検出電極（図８から図１０に示す検出電極Ｅ１）として、自己静電容量方式の基本原理を用いた補正値検出を行う。

図５６から図５９に示す例において、補正値検出期間ＰＣの各検出動作期間Ｐｔでは、接続回路１８ａ（図５３参照）のスイッチング素子ＳＷ１１からＳＷ１８がオフに制御され、スイッチング素子ＳＷ２１からＳＷ２４がオンに制御される。これにより、図５２に示したように、複数のタッチ検出電極ＴＤＬは、複数の駆動電極ブロックＣＯＭＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を構成する。この状態で、制御部１１ａの駆動電極ドライバ１４ａから接続回路１８ａの検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６を介して、補正値検出用の駆動信号Ｖｔｄが各駆動電極ブロックＣＯＭＬＢに供給される。例えば、駆動電極ドライバ１４ａは、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６に、補正値検出用の駆動信号Ｖｔｄを同じ波形で且つ同期して供給する。

また、図５６及び図５７に示す例では、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおいて、検出部４０ａのタッチ検出電極ドライバ４１ａによってタッチ検出電極ＴＤＬが固定電位（ＧＮＤ）とされる。また、図５６及び図５７に示す例では、ゲートドライバ１２ａからゲート線ＧＣＬに対して、補正値検出用の駆動信号Ｖｔｄと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｔｄに同期したガード信号Ｖｇｄが供給される。また、図５６及び図５７に示す例では、ソースドライバ１３ａからソース線ＳＧＬに対して、補正値検出用の駆動信号Ｖｔｄと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｔｄに同期したガード信号Ｖｇｄが供給される。これにより、各駆動電極ブロックＣＯＭＬＢから検出信号Ｖｄｅｔ３が同時に出力される。

また、図５８及び図５９に示す例では、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおいて、検出部４０ａのタッチ検出電極ドライバ４１ａからタッチ検出電極ＴＤＬに対して、補正値検出用の駆動信号Ｖｔｄと同じ波形で、且つ駆動信号Ｖｔｄに同期したガード信号Ｖｇｄが供給される。また、図５８及び図５９に示す例では、ゲートドライバ１２ａによってゲート線ＧＣＬが固定電位（ＧＮＤ）とされる。また、図５８及び図５９に示す例では、ソースドライバ１３ａによってソース線ＳＧＬが固定電位（ＧＮＤ）とされる。これにより、各駆動電極ブロックＣＯＭＬＢから検出信号Ｖｄｅｔ３が同時に出力される。

なお、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおいて、タッチ検出電極ＴＤＬ、ゲート線ＧＣＬ、及びソース線ＳＧＬが固定電位（ＧＮＤ）とされる態様であっても良い。

また、図５６から図５９に示す例において、補正値検出期間ＰＣの各検出動作期間Ｐｔにおける補正値検出用の駆動信号Ｖｔｄは、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおけるホバー検出用の駆動信号Ｖｔｄと同じ波形で、且つ同期した信号であり、補正値検出期間ＰＣの各検出動作期間Ｐｔにおけるガード信号Ｖｇｄは、ホバー検出期間ＰＨの各検出動作期間Ｐｔにおけるガード信号Ｖｇｄと実質的に同一の信号である。

検出部４０ａは、各駆動電極ブロックＣＯＭＬＢからそれぞれ出力される検出信号Ｖｄｅｔ３を、検出用データ線ＳＬ１からＳＬ１６を介してそれぞれ取得する。そして、検出部４０ａは、取得した検出信号Ｖｄｅｔ３に基づく演算処理を行い、ホバー検出の際に検出値を補正するための補正値を求める。

図６０は、実施形態２に係る表示装置のホバー検出要否判定期間において、被検出体が接触状態であることを検出した場合の図５４に示す第１例、図５６に示す第３例、及び図５８に示す第５例における動作例を示すタイミング波形図である。図６１は、実施形態２に係る表示装置のホバー検出要否判定期間において、被検出体が接触状態であることを検出した場合の図５５に示す第２例、図５７に示す第４例、及び図５９に示す第６例における動作例を示すタイミング波形図である。図６０及び図６１に示すように、ホバー検出要否判定期間ＰＪにおいて被検出体が接触状態であることを検出した場合には、ホバー検出期間ＰＨ及び補正値検出期間ＰＣを設けず、１フレーム期間の全期間をタッチ検出期間ＰＴとする。

一方、ホバー検出要否判定期間ＰＪにおいて被検出体が接触状態であることを検出しなかった場合には、図５６から図５９に示すように、ホバー検出期間ＰＨ及び補正値検出期間ＰＣを設ける。

図６２は、実施形態２の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第１例を示すタイミング波形図である。図６３は、実施形態２の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第２例を示すタイミング波形図である。図６２及び図６３に示す例では、図５２に示す各駆動電極ブロックＣＯＭＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を検出電極（図５に示す検出電極Ｅ２）として、相互静電容量方式の基本原理を用いた補正値検出を行う。図６４は、実施形態２の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第３例を示すタイミング波形図である。図６５は、実施形態２の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第４例を示すタイミング波形図である。図６６は、実施形態２の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第５例を示すタイミング波形図である。図６７は、実施形態２の変形例に係る表示装置の基本的な動作の第６例を示すタイミング波形図である。図６４から図６７に示す例では、図５２に示す各駆動電極ブロックＣＯＭＬＢ（Ｂ１１からＢ１４、Ｂ２１からＢ２４、Ｂ３１からＢ３４、Ｂ４１からＢ４４）を検出電極（図８から図１０に示す検出電極Ｅ１）として、自己静電容量方式の基本原理を用いた補正値検出を行う。図６０から図６３では、１フレーム期間における各検出期間を、タッチ検出期間ＰＴ、補正値検出期間ＰＣ、ホバー検出期間ＰＨの順に設けた例を示している。各検出期間の詳細については、図５６から図５９に示した例と同様であるので、ここでの詳細な説明を省略する。

本実施形態では、駆動電極ブロックＣＯＭＬＢが、実施形態１の図２８以降で説明した検出電極Ｅ１（第１駆動電極）に対応し、ゲート線ＧＣＬ、ゲート電極６４、データ線ＳＧＬ、画素電極２２（図１７参照）が、周辺導体Ｅ（第２駆動電極）に対応する。また、ホバー検出の際に検出電極Ｅ１（駆動電極ブロックＣＯＭＬＢ）に供給するホバー検出用及び補正値検出用の駆動信号Ｖｔｄが、第１駆動信号に対応し、ホバー検出及び補正値検出の際に周辺導体Ｅ（ゲート線ＧＣＬ、ゲート電極６４、データ線ＳＧＬ、画素電極２２）に供給するガード信号Ｖｇｄが、第２駆動信号に対応する。

上述した構成において、実施形態１の図３９で説明した処理を実行することにより、ホバー検出の際に、検出電極Ｅ１毎に設けられる電圧検出器ＤＥＴのオペアンプＯＰ毎の温度特性の影響を抑制することができ、ホバー検出精度を高めることができる。また、実施形態１の図４４で説明した処理を実行することにより、ホバー検出を行う直前の補正値検出において算出された温度補正係数ｋを用いて、ホバー検出を行うことができるので、ホバー検出精度をより高めることができる。

実施形態２では、駆動電極ＣＯＭＬが「第１電極」に対応し、ゲート線ＧＣＬ、ゲート電極６４、データ線ＳＧＬ、画素電極２２を含む周辺導体Ｅが「第２電極」に対応している。また、駆動電極ドライバ１４ａが「第１駆動回路」に対応し、ゲートドライバ１２ａ、ソースドライバ１３ａが「第２駆動回路」に対応している。また、駆動信号Ｖｃｏｍ及び駆動信号Ｖｔｄが「第１駆動信号」に対応し、ガード信号Ｖｇｄが「第２駆動信号」に対応している。また、駆動電極ブロックＣＯＭＬＡが「第１電極ブロック」に対応し、駆動電極ブロックＣＯＭＬＢが「第２電極ブロック」に対応している。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、実施形態１では、カラー表示可能な液晶表示装置を示したが、本発明はカラー表示対応の液晶表示装置に限定されず、モノクロ表示対応の液晶表示装置であってもよい。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。

例えば、本態様の検出装置及び表示装置は、以下の態様をとることができる。
（１）複数の第１電極と、
前記第１電極と対向又は近接して配置された複数の第２電極と、
第１駆動信号を前記第１電極に供給する第１駆動回路と、
第２駆動信号を前記第２電極に供給する第２駆動回路と、
前記第１電極から出力される検出信号を検出する検出部と、
を備え、
前記第２駆動信号が前記第２電極に供給されて前記第１電極から出力される第１検出信号を前記検出部で検出する第１期間を有しており、
前記第１期間に検出された前記第１検出信号が所定の閾値以上である場合、前記検出部は、前記第１検出信号に基づいて生成されたパネル座標を含む出力信号を出力し、
前記第１期間に検出された前記第１検出信号が所定の閾値未満である場合、前記第１駆動信号が前記第１電極に供給され、且つ、前記第１駆動信号と同期したガード信号が前記第２電極に供給されて前記第１電極から出力される第２検出信号を前記検出部で検出する第２期間に移行し、
前記検出部は、前記第２検出信号に基づいて生成されたパネル座標を含む出力信号を出力する、検出装置。
（２）前記第２検出信号は、前記ガード信号が前記第２電極に供給されて前記第１電極から出力される第３検出信号に基づいて生成された補正値によって補正される、上記（１）に記載の検出装置。
（３）前記検出部は、所定の基準温度において検出された前記第３検出信号を基準検出値として保持しており、
前記基準検出値と前記第３検出信号の検出値との比率を、前記補正値とし、前記第２検出信号の検出値に乗じる、上記（２）に記載の検出装置。
（４）複数の前記第１電極は、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とにそれぞれ並んで配置され、
複数の前記第２電極は、前記第２方向に延設され、
前記第１期間においては、前記複数の第１電極の各々を前記第１方向で互いに接続させて第１電極ブロックを構成し、前記第２期間においては、少なくとも２つ以上の前記第１電極の各々を少なくとも前記第２方向で互いに接続させて、第２電極ブロックを構成する接続回路を備える、上記（２）又は上記（３）に記載の検出装置。
（５）前記接続回路は、少なくとも２つ以上の前記第１電極の各々を前記第１方向及び前記第２方向で互いに接続させて前記第２電極ブロックを構成し、前記第２方向に並ぶ前記第１電極の数が前記第１電極ブロックよりも多い、上記（４）に記載の検出装置。
（６）前記第３検出信号が出力されるとき、前記第２期間と同じ前記第２電極ブロックを構成する、上記（４）に記載の検出装置。

１，１ａ 表示装置
１０ 表示パネル
１０ａ 表示領域
１０ｂ 額縁領域
１１，１１ａ 制御部
１２，１２ａ ゲートドライバ
１３，１３ａ ソースドライバ
１４，１４ａ 駆動電極ドライバ
１８，１８ａ 接続回路
２０ 表示部
２１ ＴＦＴ基板
２２ 画素電極
３０，３０ａ タッチセンサ
３１ 対向基板
３２ カラーフィルタ
４０，４０ａ 検出部
４１，４１ａ タッチ検出電極ドライバ
４２ 検出信号増幅部
４３ Ａ／Ｄ変換部
４４ 信号処理部
４５ 座標抽出部
４６ 検出タイミング制御部
４７ フレキシブル基板
５１，５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ 配線
４４１ 検出値算出処理部
４４２ 補正処理部
４４３ 判定処理部
４４４ 記憶部
ＣＯＭＬ 駆動電極
ＣＯＭＬＡ，ＣＯＭＬＢ 駆動電極ブロック
ＤＥＴ 電圧検出器
Ｄｅｔ１，Ｄｅｔ２，Ｄｅｔ３ 検出値
Ｄｃｏｒ 補正後検出値
Ｄｒｅｆ 基準検出値
Ｄｔｈ１ 第１閾値
Ｄｔｈ２ 第２閾値
Ｅ 周辺導体
Ｅ１ 検出電極
Ｆ 被検出体
ｋ 温度補正係数
ＯＰ オペアンプ
Ｐｄ 表示動作期間
ＰＣ 補正値検出期間
ＰＨ ホバー検出期間
ＰＪ ホバー検出要否判定期間
ＰＴ タッチ検出期間
Ｐｔ 検出動作期間
Ｓｇ 交流矩形波
ＴＤＬ タッチ検出電極
ＴＤＬＡ，ＴＤＬＢ タッチ検出電極ブロック
Ｖｃｏｍ 駆動信号（第１駆動信号）
Ｖｄｅｔ１，Ｖｄｅｔ２，Ｖｄｅｔ３ 検出信号
Ｖｇｄ ガード信号（第２駆動信号）
Ｖｔｄ 駆動信号（第１駆動信号）

Claims (5)

1. 複数の第１電極と、
   前記第１電極と対向又は近接して配置された複数の第２電極と、
   第１駆動信号を前記第１電極に供給する第１駆動回路と、
   第２駆動信号を前記第２電極に供給する第２駆動回路と、
   前記第１電極から出力される検出信号を検出する検出部と、
   を備え、
   前記第２駆動信号が前記第２電極に供給されて前記第１電極から出力される第１検出信号を前記検出部で検出する第１期間を有しており、
   前記第１期間に検出された前記第１検出信号が所定の閾値以上である場合、前記検出部は、前記第１検出信号に基づいて生成されたパネル座標を含む出力信号を出力し、
   前記第１期間に検出された前記第１検出信号が所定の閾値未満である場合、前記第１駆動信号が前記第１電極に供給され、且つ、前記第１駆動信号と同期したガード信号が前記第２電極に供給されて前記第１電極から出力される第２検出信号を前記検出部で検出する第２期間に移行し、
   前記検出部は、前記第２検出信号に基づいて生成されたパネル座標を含む出力信号を出力し、
   前記第２検出信号は、前記ガード信号が前記第２電極に供給されて前記第１電極から出力される第３検出信号に基づいて生成された補正値によって補正される、
   検出装置。
2. 前記検出部は、所定の基準温度において検出された前記第３検出信号を基準検出値として保持しており、
   前記基準検出値と前記第３検出信号の検出値との比率を、前記補正値とし、前記第２検出信号の検出値に乗じる、
   請求項１に記載の検出装置。
3. 複数の前記第１電極は、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とにそれぞれ並んで配置され、
   複数の前記第２電極は、前記第２方向に延設され、
   前記第１期間においては、前記複数の第１電極の各々を前記第１方向で互いに接続させて第１電極ブロックを構成し、前記第２期間においては、少なくとも２つ以上の前記第１電極の各々を少なくとも前記第２方向で互いに接続させて、第２電極ブロックを構成する接続回路を備える、
   請求項１又は２に記載の検出装置。
4. 前記接続回路は、少なくとも２つ以上の前記第１電極の各々を前記第１方向及び前記第２方向で互いに接続させて前記第２電極ブロックを構成し、前記第２方向に並ぶ前記第１電極の数が前記第１電極ブロックよりも多い、
   請求項３に記載の検出装置。
5. 前記第３検出信号が出力されるとき、前記第２期間と同じ前記第２電極ブロックを構成する、
   請求項３に記載の検出装置。

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