JP7181210B2 - 下地基板、機能素子および下地基板の製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献3では、下地基板の結晶育成面に、+c面の平坦部と、非+c面が露出した平坦な傾斜面とを形成している。特許文献3では、下地基板の結晶育成面に矩形の凹凸を形成している。
前記支持基板の主面上に設けられ、13族元素窒化物結晶からなり、結晶育成面を有する下地結晶層を備えている下地基板に係るものである。
前記支持基板の前記主面と反対側の底面の表面粗さRaが0.1μm以上、2μm以下であり、
前記下地結晶層の厚さが0.5μm以上、15μm以下であり、
前記下地結晶層と前記支持基板との間に、前記支持基板の材質と前記13族元素窒化物結晶との反応物が存在しており、
前記下地結晶層が隆起部を備えており、
前記隆起部を前記支持基板の前記主面に垂直な断面で見たときに、前記結晶育成面が湾曲線を形成しており、
この湾曲線において前記結晶育成面の前記主面からの高さが滑らかに変化しており、
前記隆起部を前記支持基板の前記主面に垂直な断面で見たときに、前記主面の法線に対する前記13族元素窒化物結晶のc軸の角度が滑らかに変化している。
前記下地結晶層上に設けられた機能層
を備えていることを特徴とする、機能素子に係るものである。
まず、図1(a)に示すように、支持基板1の主面1a上に下地結晶層2を成膜する。1bは支持基板1の底面である。次いで、支持基板1の底面1b側から、矢印Aのようにレーザ光を照射する。このレーザ光は支持基板1を透過し、下地結晶層2と支持基板1との界面に到達する。
なお、反応物の代わりに13族金属が生成していてよく、あるいは反応物と13族金属との両方が生成していてよい。
あるいは、図2(b)に示すように、下地結晶層3の育成面3aに、13族元素窒化物結晶8(厚膜)を育成できる。20は、機能素子の育成面である。この時点で、13族元素窒化物結晶8を支持基板1から剥離せずにテンプレート(template)基板として使用することも可能である。しかし、13族元素窒化物結晶8を支持基板から分離して自立基板とし、この自立基板をテンプレート基板として使用できる。
本発明の製法では、支持基板上に13族元素窒化物からなる下地結晶層を設ける。
ここで、支持基板の材質は、下地結晶層上に形成する13族元素窒化物の有するバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する材料を選択する。下地結晶層上に形成する13族元素窒化物材料が窒化ガリウムの場合、バンドギャップが約3.4evであるため、支持基板の材質としては、サファイア、結晶配向性アルミナ、酸化ガリウム、AlxGa1-xN(0<x≦1)を例示できる。好ましくは、支持基板の材質の組成がAl2O3である。
下地結晶層を形成する際には、まず支持基板上にバッファ層を設け、続けて下地結晶層を育成することが好ましい。
A(AがAl以外の単一13族元素、またはAlを含む複数の13族元素):0.1~99.5mol%(好ましくは0.1~40mol%、特に好ましくは0.5~40mol%)
Al:0.5~99mol%(好ましくは29~54mol%、特に好ましくは29~50.5mol%)
O:0~50mol%(好ましくは31~50mol%、特に好ましくは31~49mol%)
支持基板が酸化アルミニウムであり、AがAlである場合には、反応物の組成は、反応物全体として以下のものが好ましい。
Al: 50~100mol%(好ましくは50~72mol%、特に好ましくは51~69mol%)
O:0~50mol%(好ましくは28~50mol%、特に好ましくは31~49mol%)
(反応物A)
A:87~97.5mol%
Al:0.5~3mol%
O:2~10mol%
(反応物B)
A:95~99.5mol%
Al:0.5~5mol%
第一層: 反応物A、反応物Bまたは13族元素A(AはAl以外の13族元素)からなる金属
第二層:
A:0.5~40mol%
Al:29~50.5mol%
O:31~49mol%
第三層:
A:0.1~0.4mol%
Al:50~54mol%
O:45~50mol%
測定装置:
元素分析装置(日本電子製JED-2300T)を用いて元素分析を行う。
測定条件:
FIB(集束イオンビーム)法にて薄片化したサンプルに対して、加速電圧200kV、X線取出角21.9°、立体角0.98sr、取込時間30秒にて分析する。
ボイドの面積(支持基板主面に垂直な断面における面積)は、1μm2~0.8mm2であることが好ましい。また、ボイドの高さ(前記主面と垂直な法線Pの方向の寸法)は、1000nm以下であることが好ましく、500nm以下であることが更に好ましい。この高さの下限は特にないが、1nm以上であってよい。
測定装置:
電子顕微鏡(日立ハイテクノロジー製 SU8240)を用いて微構造観察する。
測定条件:
FIB(集束イオンビーム)法にて断面を形成したサンプルに対して、加速電圧3kVにて観察する。
ボイドの平面(2次元)的形状および面積は、サンプルの裏面から光を照射し、微分干渉顕微鏡で透過像を観察することで視認できる。
エネルギー(単位:eV)と波長(単位:nm)の変換は、エネルギーをE、波長をλとすると、
λ≒1240/E
からなる近似式で計算出来る。
レーザプロファイルは、ビームプロファイラーを通して整形しても良い。レーザプロファイルは、ガウシアン、ガウシアンライク、ドーナツ、シルクハットでも良い。ガウシアン、シルクハットが望ましい。
レーザの照射サイズやエネルギー密度を調整するために、レンズやスリット、アパーチャーを通した後に、レーザを基板に照射しても良い。
フラックス法における13族元素窒化物結晶の育成温度や育成時の保持時間は特に限定されず、フラックスの組成に応じて適宜変更する。一例では、ナトリウムまたはリチウム含有フラックスを用いて窒化ガリウム結晶を育成する場合には、育成温度を800~950℃とすることが好ましく、850~900℃とすることが更に好ましい。
実施例A1では、図1に示す方法によって、図2(a)に示すような構造体(1)(表1参照)を得た。
具体的には、直径4インチ、厚さ1.3mmの単結晶サファイアc面基板1をMOCVD炉(有機金属気相成長炉)内に入れ、水素雰囲気中で1150℃にて10分間加熱し、表面のクリーニングを行った。次いで、基板温度を500℃まで下げ、TMG(トリメチルガリウム)、アンモニアを原料として窒化ガリウム層を20nmの厚さに成長させて、下地結晶層を形成した。次いで、基板温度を1100℃まで上げ、TMGとアンモニアとを原料として、窒化ガリウムからなる下地結晶層2を5μmの厚さに成長させた。
レーザ光源としては、YVO4レーザの第3高調波(波長355nm)を使用し、パルスレーザとした。出力を10wとし、繰り返し周波数は100kHzとし、パルス幅は20nsとし、焦点距離200mmのレンズで集光した。ワーキングディスタンス(レンズ-サンプル間距離)=150mmとした。ガルバノスキャナーを用いてレーザをラスタースキャンし、レーザ照射のショットピッチと行間を変え、表1に示すようなボイド、反応物および隆起部が形成された下地結晶層を得た。
次いで、Naフラックス法によって、各下地結晶層上に窒化ガリウム結晶8を育成した。
下地基板を、内径190mm、高さ45mmの円筒平底のアルミナ坩堝の底部分に設置し、次いで融液組成物をグローブボックス内で坩堝内に充填した。融液組成物の組成は以下のとおりである。
・金属Ga:200g
・金属Na:200g
実施例A1と同様にして構造体(1)を得た。ただし、実施例A1とは異なり、レーザ光の照射を行わず、また隆起部を形成しなかった。得られた窒化ガリウム結晶層の転位密度、反りおよびクラックを測定し、結果を表1に示す。
図2(b)に示すような構造体(2)(表2参照)を得た。
ただし、実施例A1と同様にして下地基板を作製した。この際、隆起部の高さ、寸法、ボイド、反応物の有無は表2に示すように変更した。
下地基板を、内径190mm、高さ45mmの円筒平底のアルミナ坩堝の底部分に設置し、次いで融液組成物をグローブボックス内で坩堝内に充填した。融液組成物の組成は以下のとおりである。
・金属Ga:200g
・金属Na:200g
実施例A1と同様にして構造体(2)を得た。ただし、実施例A1とは異なり、レーザ光の照射を行わず、また隆起部を形成しなかった。得られた窒化ガリウム結晶層の転位密度、反りおよびクラックを測定し、結果を表2に示す。
実施例B1と同様にして構造体(2)を得た。ただし、実施例B1とは異なり、隆起部の平均高さを表3に示すように変更した。得られた窒化ガリウム結晶層の転位密度、反りおよびクラックを測定し、結果を表3に示す。
実施例B1と同様にして構造体(2)を得た。ただし、実施例B1とは異なり、隆起部の面積比率を表4に示すように変更した。得られた窒化ガリウム結晶層の転位密度、反りおよびクラックを測定し、結果を表4に示す。
実施例B1と同様にして構造体(3)(表5参照)を得た。
ただし、実施例B1とは異なり、窒化ガリウム層をHVPE法で成膜した。
具体的には、下地基板をHVPE炉に入れ、800℃に加熱されたソースボート(source boat)上の金属ガリウム(Ga)と塩化水素(HCl)ガスとを反応させることにより、塩化ガリウム(GaCl)ガスを生成し、塩化ガリウムガスと、原料ガスとしてアンモニア(NH3)ガス、キャリアガスとしての水素(H2)とを、加熱された上記種結晶基板の主表面に供給することにより、基板上で窒化ガリウム結晶を成長させた。結晶成長は、1100℃まで昇温し窒化ガリウム結晶を5時間成長させたところ、厚さ1mmの窒化ガリウム結晶8が成膜されていた。
実施例E1と同様にして構造体を作製した。
ただし、実施例E1とは異なり、レーザ光の照射を行わず、また隆起部を形成しなかった。得られた窒化ガリウム結晶層の転位密度、反りおよびクラックを測定し、結果を表5に示す。
実施例B1と同様にして構造体(2)を得た。ただし、実施例B1とは異なり、支持基板側から照射するパルスレーザのエネルギー密度が、表6、表7に示す値となるようにレーザー出力を変更した。レーザ照射のショットピッチは20μm、行間は50μmであった。
比較例F1、F2、F3では、反応物が生成していないので、窒化ガリウムに反りが大きく、クラックが生成していた。
Claims (7)
- 支持基板、および
前記支持基板の主面上に設けられ、13族元素窒化物結晶からなり、結晶育成面を有する下地結晶層を備えている下地基板であって、
前記支持基板の厚さが0.5mm以上、3mm以下であり、
前記支持基板の前記主面と反対側の底面の表面粗さRaが0.1μm以上、2μm以下であり、
前記下地結晶層の厚さが0.5μm以上、15μm以下であり、
前記下地結晶層と前記支持基板との間に、前記支持基板の材質と前記13族元素窒化物結晶との反応物が存在しており、
前記下地結晶層が隆起部を備えており、
前記隆起部を前記支持基板の前記主面に垂直な断面で見たときに、前記結晶育成面が湾曲線を形成しており、
この湾曲線において前記結晶育成面の前記主面からの高さが滑らかに変化しており、
前記隆起部を前記支持基板の前記主面に垂直な断面で見たときに、前記主面の法線に対する前記13族元素窒化物結晶のc軸の角度が滑らかに変化していることを特徴とする、下地基板。 - 前記下地結晶層と前記支持基板との間にボイドが存在することを特徴とする、請求項1記載の下地基板。
- 前記支持基板が酸化アルミニウムからなり、前記反応物が、アルミニウム、13族元素および酸素を含むことを特徴とする、請求項1または2記載の下地基板。
- 前記隆起部と前記支持基板との間に13族金属が存在することを特徴とする、請求項1~3のいずれか一つの請求項に記載の下地基板。
- 前記隆起部に亀裂または凹部が形成されていることを特徴とする、請求項1~4のいずれか一つの請求項に記載の下地基板。
- 前記支持基板の前記底面の前記表面粗さRaが0.1μm以上、0.3μm以下であることを特徴とする、請求項1~5のいずれか一つの請求項に記載の下地基板。
- 請求項1~6のいずれか一つの請求項に記載の下地基板、および
前記下地結晶層上に設けられた機能層
を備えていることを特徴とする、機能素子。
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