JP7173869B2 - 熱電変換材料及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、熱と電気との相互エネルギー変換を行う熱電変換材料に関し、特に、微粒子化した熱電半導体、耐熱性樹脂、及び無機イオン性化合物を含む熱電半導体組成物を用い、熱電性能及び屈曲性を向上させた熱電変換材料及びその製造方法に関する。
近年、システムが単純でしかも小型化が可能な熱電発電技術が、ビル、工場等で使用される化石燃料資源等から発生する未利用の廃熱エネルギーに対する回収発電技術として注目されている。しかしながら、熱電発電は一般に発電効率が悪いこともあり、さまざまな企業、研究機関で発電効率の向上のための研究開発が活発になされている。発電効率の向上には、熱電変換材料の高効率化が必須となるが、これらを実現するために、金属並みの高い電気伝導率とガラス並みの低い熱伝導率を備えた材料の開発が望まれている。
熱電変換特性は、熱電性能指数Ｚ（Ｚ＝σＳ２／λ）によって評価することができる。ここで、Ｓはゼーベック係数、σは電気伝導率（抵抗率の逆数）、λは熱伝導率である。上記、熱電性能指数Ｚの値を大きくすれば、発電効率が向上するため、発電の高効率化にあたっては、ゼーベック係数Ｓ及び電気伝導率σが大きく、熱伝導率λが小さい熱電変換材料を見出すことが重要である。
上記のように、発電効率を向上させる検討が必要とされる一方、現在製造されている熱電変換素子は量産性に乏しく、発電ユニットが高価であるため、建築物の壁面へ設置する場合など大面積な用途へのさらなる普及には製造コストの削減が必要不可欠であった。また、現在製造されている熱電変換素子は屈曲性が悪く、フレキシブルな熱電変換素子が望まれていた。
このような中で、特許文献１では、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機熱電材料と、無機熱電材料とが分散状態で一体化されている熱電材料、特許文献２では、無機熱電材料として、平均粒子径が１～１００ｎｍであり、キャリアの受け渡しの阻害要因となりうる保護剤が実質的に存在しない無機粒子と、有機熱電材料とからなることを特徴とする有機－無機ハイブリッド熱電材料が検討されている。また、非特許文献１には、熱電変換材料として、ビスマステルライドをエポキシ樹脂に分散した組成物とし、それらを塗布により成膜することで、薄膜型熱電変換素子を作製する検討がされている。さらに、特許文献３では、熱電半導体微粒子、耐熱性樹脂及びイオン液体を含む熱電半導体組成物からなる薄膜を有する熱電変換材料が検討されている。
このような中で、特許文献１では、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機熱電材料と、無機熱電材料とが分散状態で一体化されている熱電材料、特許文献２では、無機熱電材料として、平均粒子径が１～１００ｎｍであり、キャリアの受け渡しの阻害要因となりうる保護剤が実質的に存在しない無機粒子と、有機熱電材料とからなることを特徴とする有機－無機ハイブリッド熱電材料が検討されている。また、非特許文献１には、熱電変換材料として、ビスマステルライドをエポキシ樹脂に分散した組成物とし、それらを塗布により成膜することで、薄膜型熱電変換素子を作製する検討がされている。さらに、特許文献３では、熱電半導体微粒子、耐熱性樹脂及びイオン液体を含む熱電半導体組成物からなる薄膜を有する熱電変換材料が検討されている。
Ｄ．Ｍａｄａｎ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ２０１１，１０９，０３４９０４．
しかしながら、特許文献１、２の熱電材料は、熱電変換特性が十分ではなく、熱電材料の薄膜を形成した後に、熱電変換特性をより向上させるために、有機熱電材料の分解温度以上の高温で加熱処理を行った場合、有機熱電材料が消失してしまい、電気伝導率及び屈曲性が低下するおそれがある。
また、非特許文献１の薄膜型熱電変換素子でも、熱電変換特性が十分ではなく、バインダー樹脂の分解温度以上の高温で加熱処理を行うため、ビスマステルライドのみを成膜した場合と同程度の屈曲性しか得られていない。
さらに、特許文献３では、導電補助剤としてイオン液体を用いることにより、熱電性能が向上しているが、本発明者らが、イオン液体にかえ、無機イオン性化合物についてさらに検討を行ったところ、無機イオン性化合物の含有が、意外にもより低コストで熱電性能及び屈曲性が優れる熱電変換材料になりうることを見出した。
また、非特許文献１の薄膜型熱電変換素子でも、熱電変換特性が十分ではなく、バインダー樹脂の分解温度以上の高温で加熱処理を行うため、ビスマステルライドのみを成膜した場合と同程度の屈曲性しか得られていない。
さらに、特許文献３では、導電補助剤としてイオン液体を用いることにより、熱電性能が向上しているが、本発明者らが、イオン液体にかえ、無機イオン性化合物についてさらに検討を行ったところ、無機イオン性化合物の含有が、意外にもより低コストで熱電性能及び屈曲性が優れる熱電変換材料になりうることを見出した。
本発明は、上記を鑑み、熱電性能及び屈曲性に優れ、簡便により低コストで製造可能である熱電変換材料及びその製造方法を提供することを課題とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、支持体上に、熱伝導率の低下に寄与する微粒子化した熱電半導体、耐熱性樹脂及び微粒子間の空隙部での電気伝導率の低下を抑制する無機イオン性化合物を含む熱電半導体組成物からなる薄膜を形成することにより、無機イオン性化合物を含まない熱電変換材料の熱電性能に比べ、より高い値が得られ、又屈曲性に優れることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、以下の（１）～（１１）を提供するものである。
（１）支持体上に、熱電半導体微粒子、耐熱性樹脂及び無機イオン性化合物を含む熱電半導体組成物からなる薄膜を有する、熱電変換材料。
（２）前記無機イオン性化合物の配合量が、前記熱電半導体組成物中０．０１～５０質量％である、上記（１）に記載の熱電変換材料。
（３）前記無機イオン性化合物のカチオン成分が、カリウムカチオン、ナトリウムカチオン、及びリチウムカチオンから選ばれる少なくとも１種を含む、上記（１）又は（２）に記載の熱電変換材料。
（４）前記無機イオン性化合物のアニオン成分が、ハロゲン化物アニオンを含む、上記（１）又は（２）に記載の熱電変換材料。
（５）前記ハロゲン化物アニオンが、Ｃｌ－、Ｂｒ－、及びＩ－から選ばれる少なくとも１種を含む上記（４）に記載の熱電変換材料。
（６）前記無機イオン性化合物が、ＫＢｒ又はＫＩである、上記（１）～（５）のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
（７）前記耐熱性樹脂が、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、及びエポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種である、上記（１）に記載の熱電変換材料。
（８）前記熱電半導体微粒子が、ビスマス－テルル系熱電半導体材料の微粒子である、上記（１）～（７）のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
（９）前記支持体が、プラスチックフィルムである、上記（１）～（８）のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
（１０）支持体上に、熱電半導体微粒子、耐熱性樹脂及び無機イオン性化合物を含む熱電半導体組成物からなる薄膜を有する熱電変換材料の製造方法であって、支持体上に、熱電半導体微粒子、耐熱性樹脂及び無機イオン性化合物を含む熱電半導体組成物を塗布し、乾燥し、薄膜を形成する工程、さらに該薄膜をアニール処理する工程を含む、熱電変換材料の製造方法。
（１１）前記支持体が、プラスチックフィルムである、上記（１０）に記載の熱電変換材料の製造方法。
すなわち、本発明は、以下の（１）～（１１）を提供するものである。
（１）支持体上に、熱電半導体微粒子、耐熱性樹脂及び無機イオン性化合物を含む熱電半導体組成物からなる薄膜を有する、熱電変換材料。
（２）前記無機イオン性化合物の配合量が、前記熱電半導体組成物中０．０１～５０質量％である、上記（１）に記載の熱電変換材料。
（３）前記無機イオン性化合物のカチオン成分が、カリウムカチオン、ナトリウムカチオン、及びリチウムカチオンから選ばれる少なくとも１種を含む、上記（１）又は（２）に記載の熱電変換材料。
（４）前記無機イオン性化合物のアニオン成分が、ハロゲン化物アニオンを含む、上記（１）又は（２）に記載の熱電変換材料。
（５）前記ハロゲン化物アニオンが、Ｃｌ－、Ｂｒ－、及びＩ－から選ばれる少なくとも１種を含む上記（４）に記載の熱電変換材料。
（６）前記無機イオン性化合物が、ＫＢｒ又はＫＩである、上記（１）～（５）のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
（７）前記耐熱性樹脂が、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、及びエポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種である、上記（１）に記載の熱電変換材料。
（８）前記熱電半導体微粒子が、ビスマス－テルル系熱電半導体材料の微粒子である、上記（１）～（７）のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
（９）前記支持体が、プラスチックフィルムである、上記（１）～（８）のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
（１０）支持体上に、熱電半導体微粒子、耐熱性樹脂及び無機イオン性化合物を含む熱電半導体組成物からなる薄膜を有する熱電変換材料の製造方法であって、支持体上に、熱電半導体微粒子、耐熱性樹脂及び無機イオン性化合物を含む熱電半導体組成物を塗布し、乾燥し、薄膜を形成する工程、さらに該薄膜をアニール処理する工程を含む、熱電変換材料の製造方法。
（１１）前記支持体が、プラスチックフィルムである、上記（１０）に記載の熱電変換材料の製造方法。
本発明によれば、熱電性能及び屈曲性に優れ、簡便により低コストで製造可能である熱電変換材料及びその製造方法を提供することができる。
［熱電変換材料］
本発明の熱電変換材料は、支持体上に、熱電半導体微粒子、耐熱性樹脂及び無機イオン性化合物を含む、熱電半導体組成物からなる薄膜を有することを特徴とする。
本発明の熱電変換材料は、支持体上に、熱電半導体微粒子、耐熱性樹脂及び無機イオン性化合物を含む、熱電半導体組成物からなる薄膜を有することを特徴とする。
（支持体）
本発明の熱電変換材料に用いる支持体は、熱電変換材料の電気伝導率の低下、熱伝導率の増加に影響を及ぼさないものであれば、特に制限されない。支持体としては、例えば、ガラス、シリコン、プラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、屈曲性に優れるという点から、プラスチックフィルムが好ましい。
プラスチックフィルムとしては、具体的には、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリアラミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリエーテル・エーテルケトンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリ（４－メチルペンテン－１）フィルム等が挙げられる。また、これらフィルムの積層体であってもよい。
これらの中でも、熱電半導体組成物からなる薄膜をアニール処理した場合でも、支持体が熱変形することなく、熱電変換材料の性能を維持することができ、耐熱性及び寸法安定性が高いという点から、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリアラミドフィルム、ポリアミドイミドフィルムが好ましく、さらに、汎用性が高いという点から、ポリイミドフィルムが特に好ましい。
本発明の熱電変換材料に用いる支持体は、熱電変換材料の電気伝導率の低下、熱伝導率の増加に影響を及ぼさないものであれば、特に制限されない。支持体としては、例えば、ガラス、シリコン、プラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、屈曲性に優れるという点から、プラスチックフィルムが好ましい。
プラスチックフィルムとしては、具体的には、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリアラミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリエーテル・エーテルケトンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリ（４－メチルペンテン－１）フィルム等が挙げられる。また、これらフィルムの積層体であってもよい。
これらの中でも、熱電半導体組成物からなる薄膜をアニール処理した場合でも、支持体が熱変形することなく、熱電変換材料の性能を維持することができ、耐熱性及び寸法安定性が高いという点から、ポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリアラミドフィルム、ポリアミドイミドフィルムが好ましく、さらに、汎用性が高いという点から、ポリイミドフィルムが特に好ましい。
前記支持体の厚さは、屈曲性、耐熱性及び寸法安定性の観点から、１～１０００μｍが好ましく、１０～５００μｍがより好ましく、２０～１００μｍがさらに好ましい。
また、上記プラスチックフィルムは、分解温度が３００℃以上であることが好ましい。
また、上記プラスチックフィルムは、分解温度が３００℃以上であることが好ましい。
（熱電半導体微粒子）
本発明の熱電変換材料に用いる熱電半導体微粒子は、熱電半導体材料を、微粉砕装置等により、所定のサイズまで粉砕することにより得られる。
本発明の熱電変換材料に用いる熱電半導体微粒子は、熱電半導体材料を、微粉砕装置等により、所定のサイズまで粉砕することにより得られる。
前記熱電半導体材料としては、温度差を付与することにより、熱起電力を発生させることができる材料であれば特に制限されず、例えば、ｐ型ビスマステルライド、ｎ型ビスマステルライド、Ｂｉ２Ｔｅ３等のビスマス－テルル系熱電半導体材料；ＧｅＴｅ、ＰｂＴｅ等のテルライド系熱電半導体材料；アンチモン－テルル系熱電半導体材料；ＺｎＳｂ、Ｚｎ３Ｓｂ２、Ｚｎ４Ｓｂ３等の亜鉛－アンチモン系熱電半導体材料；ＳｉＧｅ等のシリコン－ゲルマニウム系熱電半導体材料；Ｂｉ２Ｓｅ３等のビスマスセレナイド系熱電半導体材料；β―ＦｅＳｉ２、ＣｒＳｉ２、ＭｎＳｉ１．７３、Ｍｇ２Ｓｉ等のシリサイド系熱電半導体材料；酸化物系熱電半導体材料；ＦｅＶＡｌ、ＦｅＶＡｌＳｉ、ＦｅＶＴｉＡｌ等のホイスラー材料、ＴｉＳ２等の硫化物系熱電半導体材料等が用いられる。
これらの中でも、本発明に用いる前記熱電半導体材料は、ｐ型ビスマステルライド又はｎ型ビスマステルライド、Ｂｉ２Ｔｅ３等のビスマス－テルル系熱電半導体材料であることが好ましい。
前記ｐ型ビスマステルライドは、キャリアが正孔で、ゼーベック係数が正値であり、例えば、ＢｉＸＴｅ３Ｓｂ２－Ｘで表わされるものが好ましく用いられる。この場合、Ｘは、好ましくは０＜Ｘ≦０．８であり、より好ましくは０．４≦Ｘ≦０．６である。Ｘが０より大きく０．８以下であるとゼーベック係数と電気伝導率が大きくなり、ｐ型熱電変換材料としての特性が維持されるので好ましい。
また、前記ｎ型ビスマステルライドは、キャリアが電子で、ゼーベック係数が負値であり、例えば、Ｂｉ２Ｔｅ３－ＹＳｅＹで表わされるものが好ましく用いられる。この場合、Ｙは、好ましくは０≦Ｙ≦３（Ｙ＝０の時：Ｂｉ２Ｔｅ３）であり、より好ましくは０．１＜Ｙ≦２．７である。Ｙが０以上３以下であるとゼーベック係数と電気伝導率が大きくなり、ｎ型熱電変換材料としての特性が維持されるので好ましい。
前記ｐ型ビスマステルライドは、キャリアが正孔で、ゼーベック係数が正値であり、例えば、ＢｉＸＴｅ３Ｓｂ２－Ｘで表わされるものが好ましく用いられる。この場合、Ｘは、好ましくは０＜Ｘ≦０．８であり、より好ましくは０．４≦Ｘ≦０．６である。Ｘが０より大きく０．８以下であるとゼーベック係数と電気伝導率が大きくなり、ｐ型熱電変換材料としての特性が維持されるので好ましい。
また、前記ｎ型ビスマステルライドは、キャリアが電子で、ゼーベック係数が負値であり、例えば、Ｂｉ２Ｔｅ３－ＹＳｅＹで表わされるものが好ましく用いられる。この場合、Ｙは、好ましくは０≦Ｙ≦３（Ｙ＝０の時：Ｂｉ２Ｔｅ３）であり、より好ましくは０．１＜Ｙ≦２．７である。Ｙが０以上３以下であるとゼーベック係数と電気伝導率が大きくなり、ｎ型熱電変換材料としての特性が維持されるので好ましい。
本発明に用いる熱電半導体微粒子の前記熱電半導体組成物中の配合量は、好ましくは、３０～９９質量％である。より好ましくは、５０～９６質量％であり、さらに好ましくは、７０～９５質量％である。熱電半導体微粒子の配合量が、上記範囲内であれば、ゼーベック係数の絶対値が大きく、また電気伝導率の低下が抑制され、熱伝導率のみが低下するため高い熱電性能を示すとともに、十分な皮膜強度、屈曲性を有する膜が得られ好ましい。
本発明に用いる熱電半導体微粒子の平均粒径は、好ましくは、１０ｎｍ～２００μｍ、より好ましくは、２００ｎｍ～３０μｍ、さらに好ましくは、５００ｎｍ～１０μｍ、特に好ましくは、１～６μｍである。上記範囲内であれば、均一分散が容易になり、電気伝導率を高くすることができる。
前記熱電半導体材料を粉砕して熱電半導体微粒子を得る方法は特に限定されず、ジェットミル、ボールミル、ビーズミル、コロイドミル、コニカルミル、ディスクミル、エッジミル、製粉ミル、ハンマーミル、ペレットミル、ウィリーミル、ローラーミル等の公知の微粉砕装置等により、所定のサイズまで粉砕すればよい。
なお、熱電半導体微粒子の平均粒径は、レーザー回折式粒度分析装置（ＣＩＬＡＳ社製、１０６４型）にて測定することにより得られ、粒径分布の中央値とした。
前記熱電半導体材料を粉砕して熱電半導体微粒子を得る方法は特に限定されず、ジェットミル、ボールミル、ビーズミル、コロイドミル、コニカルミル、ディスクミル、エッジミル、製粉ミル、ハンマーミル、ペレットミル、ウィリーミル、ローラーミル等の公知の微粉砕装置等により、所定のサイズまで粉砕すればよい。
なお、熱電半導体微粒子の平均粒径は、レーザー回折式粒度分析装置（ＣＩＬＡＳ社製、１０６４型）にて測定することにより得られ、粒径分布の中央値とした。
また、本発明に用いる熱電半導体微粒子は、アニール処理（以下、アニール処理Ａということがある。）されたものであることが好ましい。アニール処理Ａを行うことにより、熱電半導体微粒子は、結晶性が向上し、さらに、熱電半導体微粒子の表面酸化膜が除去されるため、熱電変換材料のゼーベック係数が増大し、熱電性能指数をさらに向上させることができる。アニール処理Ａは、特に限定されないが、熱電半導体組成物を調製する前に、熱電半導体微粒子に悪影響を及ぼすことがないように、ガス流量が制御された、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、同じく水素等の還元ガス雰囲気下、または真空条件下で、微粒子の融点以下の温度で、数分～数十時間行うことが好ましい。具体的には、用いる熱電半導体微粒子に依存するが、通常、１００～１５００℃で、数分～数十時間行うことが好ましい。
（無機イオン性化合物）
本発明で用いる無機イオン性化合物は、少なくともカチオンとアニオンから構成される化合物である。無機イオン性化合物は４００～９００℃の幅広い温度領域において固体で存在し、イオン伝導度が高いこと等の特徴を有しているため、導電補助剤として、熱電半導体微粒子間の電気伝導率の低減を抑制することができる。
本発明で用いる無機イオン性化合物は、少なくともカチオンとアニオンから構成される化合物である。無機イオン性化合物は４００～９００℃の幅広い温度領域において固体で存在し、イオン伝導度が高いこと等の特徴を有しているため、導電補助剤として、熱電半導体微粒子間の電気伝導率の低減を抑制することができる。
カチオンとしては、金属カチオンを用いる。
金属カチオンとしては、例えば、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、典型金属カチオン及び遷移金属カチオンが挙げられ、アルカリ金属カチオン又はアルカリ土類金属カチオンがより好ましい。
アルカリ金属カチオンとしては、例えば、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｒｂ＋、Ｃｓ＋及びＦｒ＋等が挙げられる。
アルカリ土類金属カチオンとしては、例えば、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋及びＢａ２＋等が挙げられる。
金属カチオンとしては、例えば、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、典型金属カチオン及び遷移金属カチオンが挙げられ、アルカリ金属カチオン又はアルカリ土類金属カチオンがより好ましい。
アルカリ金属カチオンとしては、例えば、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｒｂ＋、Ｃｓ＋及びＦｒ＋等が挙げられる。
アルカリ土類金属カチオンとしては、例えば、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋及びＢａ２＋等が挙げられる。
アニオンとしては、例えば、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－、Ｉ－、ＯＨ－、ＣＮ－、ＮＯ３－、ＮＯ２－、ＣｌＯ－、ＣｌＯ２－、ＣｌＯ３－、ＣｌＯ４－、ＣｒＯ４
２－、ＨＳＯ４
－、ＳＣＮ－、ＢＦ４
－、ＰＦ６
－等が挙げられる。
無機イオン性化合物は、公知または市販のものが使用できる。例えば、カリウムカチオン、ナトリウムカチオン、又はリチウムカチオン等のカチオン成分と、Ｃｌ－、ＡｌＣｌ４
－、Ａｌ２Ｃｌ７
－、ＣｌＯ４
－等の塩化物イオン、Ｂｒ－等の臭化物イオン、Ｉ－等のヨウ化物イオン、ＢＦ４
－、ＰＦ６
－等のフッ化物イオン、Ｆ（ＨＦ）ｎ
－等のハロゲン化物アニオン、ＮＯ３
－、ＯＨ－、ＣＮ－等のアニオン成分とから構成されるものが挙げられる。
上記の無機イオン性化合物の中で、高温安定性、熱電半導体微粒子及び樹脂との相溶性、熱電半導体微粒子間隙の電気伝導率の低下抑制等の観点から、無機イオン性化合物のカチオン成分が、カリウム、ナトリウム、及びリチウムから選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。また、無機イオン性化合物のアニオン成分が、ハロゲン化物アニオンを含むことが好ましく、Ｃｌ－、Ｂｒ－、及びＩ－から選ばれる少なくとも１種を含むことがさらに好ましい。
カチオン成分が、カリウムカチオンを含む無機イオン性化合物の具体的な例として、ＫＢｒ、ＫＩ、ＫＣｌ、ＫＦ、ＫＯＨ、Ｋ２ＣＯ３等が挙げられる。この中で、ＫＢｒ、ＫＩが好ましい。
カチオン成分が、ナトリウムカチオンを含む無機イオン性化合物の具体的な例として、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＮａＯＨ、ＮａＦ、Ｎａ２ＣＯ３等が挙げられる。この中で、ＮａＢｒ、ＮａＩが好ましい。
カチオン成分が、リチウムカチオンを含む無機イオン性化合物の具体的な例として、ＬｉＦ、ＬｉＯＨ、ＬｉＮＯ３等が挙げられる。この中で、ＬｉＦ、ＬｉＯＨが好ましい。
カチオン成分が、ナトリウムカチオンを含む無機イオン性化合物の具体的な例として、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＮａＯＨ、ＮａＦ、Ｎａ２ＣＯ３等が挙げられる。この中で、ＮａＢｒ、ＮａＩが好ましい。
カチオン成分が、リチウムカチオンを含む無機イオン性化合物の具体的な例として、ＬｉＦ、ＬｉＯＨ、ＬｉＮＯ３等が挙げられる。この中で、ＬｉＦ、ＬｉＯＨが好ましい。
上記の無機イオン性化合物は、電気伝導率が１０－７Ｓ／ｃｍ以上であることが好ましく、１０－６Ｓ／ｃｍ以上であることがより好ましい。電気伝導率が上記範囲であれば、導電補助剤として、熱電半導体微粒子間の電気伝導率の低減を効果的に抑制することができる。
また、上記の無機イオン性化合物は、分解温度が４００℃以上であることが好ましい。分解温度が上記範囲であれば、後述するように、熱電半導体組成物からなる薄膜をアニール処理した場合でも、導電補助剤としての効果を維持することができる。
また、上記の無機イオン性化合物は、熱重量測定（ＴＧ）による４００℃における質量減少率が１０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましく、１％以下であることがさらに好ましい。質量減少率が上記範囲であれば、後述するように、熱電半導体組成物からなる薄膜をアニール処理した場合でも、導電補助剤としての効果を維持することができる。
前記無機イオン性化合物の前記熱電半導体組成物中の配合量は、好ましくは０．０１～５０質量％、より好ましくは０．５～３０質量％、さらに好ましくは１．０～１０質量％である。前記無機イオン性化合物の配合量が、上記範囲内であれば、電気伝導率の低下を効果的に抑制でき、結果として熱電性能が向上した膜が得られる。
（耐熱性樹脂）
本発明に用いる耐熱性樹脂は、熱電半導体微粒子間のバインダーとして働き、熱電変換材料の屈曲性を高めるためのものである。該耐熱性樹脂は、特に制限されるものではないが、熱電半導体組成物からなる薄膜をアニール処理等により熱電半導体微粒子を結晶成長させる際に、樹脂としての機械的強度及び熱伝導率等の諸物性が損なわれず維持される耐熱性樹脂を用いる。
前記耐熱性樹脂としては、例えば、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、エポキシ樹脂、及びこれらの樹脂の化学構造を有する共重合体等が挙げられる。前記耐熱性樹脂は、単独でも又は２種以上組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、耐熱性がより高く、且つ薄膜中の熱電半導体微粒子の結晶成長に悪影響を及ぼさないという点から、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂が好ましく、屈曲性に優れるという点からポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂がより好ましい。前述の支持体として、ポリイミドフィルムを用いた場合、該ポリイミドフィルムとの密着性などの点から、耐熱性樹脂としては、ポリイミド樹脂がより好ましい。なお、本発明においてポリイミド樹脂とは、ポリイミド及びその前駆体を総称する。
本発明に用いる耐熱性樹脂は、熱電半導体微粒子間のバインダーとして働き、熱電変換材料の屈曲性を高めるためのものである。該耐熱性樹脂は、特に制限されるものではないが、熱電半導体組成物からなる薄膜をアニール処理等により熱電半導体微粒子を結晶成長させる際に、樹脂としての機械的強度及び熱伝導率等の諸物性が損なわれず維持される耐熱性樹脂を用いる。
前記耐熱性樹脂としては、例えば、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、エポキシ樹脂、及びこれらの樹脂の化学構造を有する共重合体等が挙げられる。前記耐熱性樹脂は、単独でも又は２種以上組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、耐熱性がより高く、且つ薄膜中の熱電半導体微粒子の結晶成長に悪影響を及ぼさないという点から、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂が好ましく、屈曲性に優れるという点からポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂がより好ましい。前述の支持体として、ポリイミドフィルムを用いた場合、該ポリイミドフィルムとの密着性などの点から、耐熱性樹脂としては、ポリイミド樹脂がより好ましい。なお、本発明においてポリイミド樹脂とは、ポリイミド及びその前駆体を総称する。
前記耐熱性樹脂は、分解温度が３００℃以上であることが好ましい。分解温度が上記範囲であれば、後述するように、熱電半導体組成物からなる薄膜をアニール処理した場合でも、バインダーとして機能が失われることなく、熱電変換材料の屈曲性を維持することができる。
また、前記耐熱性樹脂は、熱重量測定（ＴＧ）による３００℃における質量減少率が１０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましく、１％以下であることがさらに好ましい。質量減少率が上記範囲であれば、後述するように、熱電半導体組成物からなる薄膜をアニール処理した場合でも、バインダーとして機能が失われることなく、熱電変換材料の屈曲性を維持することができる。
前記耐熱性樹脂の前記熱電半導体組成物中の配合量は、好ましくは０．１～４０質量％、より好ましくは０．５～２０質量％、さらに好ましくは１～２０質量％である。前記耐熱性樹脂の配合量が、上記範囲内であれば、高い熱電性能と皮膜強度が両立した膜が得られる。
本発明で用いる熱電半導体組成物には、前記熱半導体微粒子、前記耐熱性樹脂及び前記無機イオン性化合物以外に、必要に応じて、さらに分散剤、造膜助剤、光安定剤、酸化防止剤、粘着付与剤、可塑剤、着色剤、樹脂安定剤、充てん剤、顔料、導電性フィラー、導電性高分子、硬化剤等の他の添加剤を含んでいてもよい。これらの添加剤は、１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明で用いる熱電半導体組成物の調製方法は、特に制限はなく、超音波ホモジナイザー、スパイラルミキサー、プラネタリーミキサー、ディスパーサー、ハイブリッドミキサー等の公知の方法により、前記熱電半導体微粒子と前記無機イオン性化合物及び前記耐熱性樹脂、必要に応じて前記その他の添加剤、さらに溶媒を加えて、混合分散させ、熱電半導体組成物を調製すればよい。
前記溶媒としては、例えば、トルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトン、アルコール、テトラヒドロフラン、メチルピロリドン、エチルセロソルブ等の溶媒などが挙げられる。これらの溶媒は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。熱電半導体組成物の固形分濃度としては、該組成物が塗工に適した粘度であればよく、特に制限はない。
前記溶媒としては、例えば、トルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトン、アルコール、テトラヒドロフラン、メチルピロリドン、エチルセロソルブ等の溶媒などが挙げられる。これらの溶媒は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。熱電半導体組成物の固形分濃度としては、該組成物が塗工に適した粘度であればよく、特に制限はない。
前記熱電半導体組成物からなる薄膜は、後述の本発明の熱電変換材料の製造方法で説明するように、支持体上に、前記熱電半導体組成物を塗布し、乾燥することで形成することができる。このように、形成することで、簡便に低コストで大面積の熱電変換材料を得ることができる。
前記熱電半導体組成物からなる薄膜の厚さは、特に制限はないが、熱電性能と皮膜強度の点から、好ましくは１００ｎｍ～２００μｍ、より好ましくは３００ｎｍ～１５０μｍ、さらに好ましくは５～１５０μｍである。
本発明の熱電変換材料は、単独で用いることもできるが、例えば、複数を、電気的には電極を介して直列に、熱的にはセラミックス又は絶縁性を有するフレキシブルなシート等を介して並列に接続して、熱電変換素子として、発電用及び冷却用として使用することができる。
［熱電変換材料の製造方法］
本発明の熱電変換材料の製造方法は、支持体上に、前記熱電半導体組成物を塗布し、乾燥し、薄膜を形成する工程（以下、薄膜形成工程ということがある。）、さらに該薄膜をアニール処理する工程（以下、アニール処理工程ということがある。）を含むことを特徴とする。以下、本発明に含まれる工程について、順次説明する。
本発明の熱電変換材料の製造方法は、支持体上に、前記熱電半導体組成物を塗布し、乾燥し、薄膜を形成する工程（以下、薄膜形成工程ということがある。）、さらに該薄膜をアニール処理する工程（以下、アニール処理工程ということがある。）を含むことを特徴とする。以下、本発明に含まれる工程について、順次説明する。
（薄膜形成工程）
本発明の熱電半導体組成物を、支持体上に塗布する方法としては、スクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、スピンコート、ディップコート、ダイコート、スプレーコート、バーコート、ドクターブレード等の公知の方法が挙げられ、特に制限されない。塗膜をパターン状に形成する場合は、所望のパターンを有するスクリーン版を用いて簡便にパターン形成が可能なスクリーン印刷、スロットダイコート等が好ましく用いられる。
次いで、得られた塗膜を乾燥することにより、薄膜が形成されるが、乾燥方法としては、熱風乾燥、熱ロール乾燥、赤外線照射等、従来公知の乾燥方法が採用できる。加熱温度は、通常、８０～１５０℃であり、加熱時間は、加熱方法により異なるが、通常、数秒～数十分である。
また、熱電半導体組成物の調製において溶媒を使用した場合、加熱温度は、使用した溶媒を乾燥できる温度範囲であれば、特に制限はない。
本発明の熱電半導体組成物を、支持体上に塗布する方法としては、スクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、スピンコート、ディップコート、ダイコート、スプレーコート、バーコート、ドクターブレード等の公知の方法が挙げられ、特に制限されない。塗膜をパターン状に形成する場合は、所望のパターンを有するスクリーン版を用いて簡便にパターン形成が可能なスクリーン印刷、スロットダイコート等が好ましく用いられる。
次いで、得られた塗膜を乾燥することにより、薄膜が形成されるが、乾燥方法としては、熱風乾燥、熱ロール乾燥、赤外線照射等、従来公知の乾燥方法が採用できる。加熱温度は、通常、８０～１５０℃であり、加熱時間は、加熱方法により異なるが、通常、数秒～数十分である。
また、熱電半導体組成物の調製において溶媒を使用した場合、加熱温度は、使用した溶媒を乾燥できる温度範囲であれば、特に制限はない。
（アニール処理工程）
得られた熱電変換材料は、薄膜形成後、さらにアニール処理（以下、アニール処理Ｂということがある。）を行うことが好ましい。該アニール処理Ｂを行うことで、熱電性能を安定化させるとともに、薄膜中の熱電半導体微粒子を結晶成長させることができ、熱電性能をさらに向上させることができる。アニール処理Ｂは、特に限定されないが、通常、ガス流量が制御された、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、還元ガス雰囲気下、または真空条件下で行われ、用いる樹脂及び無機イオン性化合物の耐熱温度等に依存するが、１００～５００℃で、数分～数十時間行われる。
得られた熱電変換材料は、薄膜形成後、さらにアニール処理（以下、アニール処理Ｂということがある。）を行うことが好ましい。該アニール処理Ｂを行うことで、熱電性能を安定化させるとともに、薄膜中の熱電半導体微粒子を結晶成長させることができ、熱電性能をさらに向上させることができる。アニール処理Ｂは、特に限定されないが、通常、ガス流量が制御された、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、還元ガス雰囲気下、または真空条件下で行われ、用いる樹脂及び無機イオン性化合物の耐熱温度等に依存するが、１００～５００℃で、数分～数十時間行われる。
本発明の製造方法によれば、簡便な方法で熱電性能及び屈曲性に優れ、低コストの熱電変換材料を得ることができる。
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
実施例、比較例で作製した熱電変換材料の熱電性能評価、屈曲性評価は、以下の方法で、電気伝導率、ゼーベック係数及び熱伝導率を算出することにより行った。
＜熱電性能評価＞
（ａ）電気伝導率
実施例及び比較例で作製した熱電変換材料を、表面抵抗測定装置（三菱化学社製、商品名：ロレスタＧＰ ＭＣＰ－Ｔ６００）により、四端子法で試料の表面抵抗値を測定し、電気伝導率（σ）を算出した。
（ｂ）ホール移動度
得られた薄膜をホール効果測定装置［ＮＡＮＯ ＭＥＴＲＩＣＳ社製、製品名：ＨＬ５５０］を用いてホール移動度を測定した。
ここで、ホール移動度μＨは、電気伝導率をσ、ホール定数をＲＨとした時に、μＨ＝σ・ＲＨで表される。なお、ホール定数ＲＨは、熱電変換材料のキャリア密度に直接的に関係する量である。熱電変換材料の厚さｄと流れた電流Ｉ、印加磁束密度Ｂ、発生したホール起電力ＶＨを測定することにより、ホール定数ＲＨ（ＲＨ＝ｄＶＨ／ＩＢ）が求められる。
（ｃ）ゼーベック係数
ＪＩＳ Ｃ ２５２７:１９９４に準拠して実施例及び比較例で作製した熱電変換材料の熱起電力を測定し、ゼーベック係数（Ｓ）を算出した。作製した熱変換材料の一端を加熱して、熱変換材料の両端に生じる温度差をクロメル－アルメル熱電対を使用し測定し、熱電対設置位置に隣接した電極から熱起電力を測定した。
具体的には、温度差と起電力を測定する試料の両端間距離を２５ｍｍとし、一端を２０℃に保ち、他端を２５℃から５０℃まで１℃刻みで加熱し、その際の熱起電力を測定して、傾きからゼーベック係数（Ｓ）を算出した。なお、熱電対及び電極の設置位置は、薄膜の中心線に対し、互いに対称の位置にあり、熱電対と電極の距離は１ｍｍである。
（ｄ）パワーファクター
熱電変換材料の特性を示すパワーファクターＰＦ（μＷ／ｃｍ・Ｋ２）（大きな値ほど、高い熱電性能を有することに繋がる）を、電気伝導率σ（Ｓ／ｃｍ）及びゼーベック係数Ｓ（μＶ／Ｋ）から、下記式（１）を用いて算出した。
ＰＦ＝σＳ２／１００００００ （１）
＜屈曲性評価＞
実施例及び比較例で作製した熱電変換材料について、円筒形マンドレル法によりマンドレル径φ２０ｍｍの時の薄膜の屈曲性を評価した。円筒形マンドレル試験前後で、熱電変換材料の外観評価及び熱電性能評価を行い、以下の基準で屈曲性を評価した。
試験前後で熱電変換材料の外観に異常が見られず電気伝導率が変化しない場合：◎
試験前後で熱電変換材料の外観に異常が見られず電気伝導率の減少が３０％未満であった場合：○
試験後に熱電変換材料にクラック等の割れが発生したり、電気伝導率が３０％以上減少した場合：×
＜熱電性能評価＞
（ａ）電気伝導率
実施例及び比較例で作製した熱電変換材料を、表面抵抗測定装置（三菱化学社製、商品名：ロレスタＧＰ ＭＣＰ－Ｔ６００）により、四端子法で試料の表面抵抗値を測定し、電気伝導率（σ）を算出した。
（ｂ）ホール移動度
得られた薄膜をホール効果測定装置［ＮＡＮＯ ＭＥＴＲＩＣＳ社製、製品名：ＨＬ５５０］を用いてホール移動度を測定した。
ここで、ホール移動度μＨは、電気伝導率をσ、ホール定数をＲＨとした時に、μＨ＝σ・ＲＨで表される。なお、ホール定数ＲＨは、熱電変換材料のキャリア密度に直接的に関係する量である。熱電変換材料の厚さｄと流れた電流Ｉ、印加磁束密度Ｂ、発生したホール起電力ＶＨを測定することにより、ホール定数ＲＨ（ＲＨ＝ｄＶＨ／ＩＢ）が求められる。
（ｃ）ゼーベック係数
ＪＩＳ Ｃ ２５２７:１９９４に準拠して実施例及び比較例で作製した熱電変換材料の熱起電力を測定し、ゼーベック係数（Ｓ）を算出した。作製した熱変換材料の一端を加熱して、熱変換材料の両端に生じる温度差をクロメル－アルメル熱電対を使用し測定し、熱電対設置位置に隣接した電極から熱起電力を測定した。
具体的には、温度差と起電力を測定する試料の両端間距離を２５ｍｍとし、一端を２０℃に保ち、他端を２５℃から５０℃まで１℃刻みで加熱し、その際の熱起電力を測定して、傾きからゼーベック係数（Ｓ）を算出した。なお、熱電対及び電極の設置位置は、薄膜の中心線に対し、互いに対称の位置にあり、熱電対と電極の距離は１ｍｍである。
（ｄ）パワーファクター
熱電変換材料の特性を示すパワーファクターＰＦ（μＷ／ｃｍ・Ｋ２）（大きな値ほど、高い熱電性能を有することに繋がる）を、電気伝導率σ（Ｓ／ｃｍ）及びゼーベック係数Ｓ（μＶ／Ｋ）から、下記式（１）を用いて算出した。
ＰＦ＝σＳ２／１００００００ （１）
＜屈曲性評価＞
実施例及び比較例で作製した熱電変換材料について、円筒形マンドレル法によりマンドレル径φ２０ｍｍの時の薄膜の屈曲性を評価した。円筒形マンドレル試験前後で、熱電変換材料の外観評価及び熱電性能評価を行い、以下の基準で屈曲性を評価した。
試験前後で熱電変換材料の外観に異常が見られず電気伝導率が変化しない場合：◎
試験前後で熱電変換材料の外観に異常が見られず電気伝導率の減少が３０％未満であった場合：○
試験後に熱電変換材料にクラック等の割れが発生したり、電気伝導率が３０％以上減少した場合：×
（熱電半導体微粒子の作製方法）
ビスマス－テルル系熱電半導体材料であるｐ型ビスマステルライドＢｉ０．４Ｔｅ３Ｓｂ１．６（高純度化学研究所製、粒径：１８０μｍ）を、遊星型ボールミル（フリッチュジャパン社製、Ｐｒｅｍｉｕｍ ｌｉｎｅ Ｐ－７）を使用し、窒素ガス雰囲気下で粉砕することで、平均粒径１．２μｍの熱電半導体微粒子Ｔ１を作製した。粉砕して得られた熱電半導体微粒子に関して、レーザー回折式粒度分析装置（Malvern社製、マスターサイザー３０００）により粒度分布測定を行った。
また、ビスマス－テルル系熱電半導体材料であるｎ型ビスマステルライドＢｉ２Ｔｅ３（高純度化学研究所製、粒径：１８０μｍ）を上記と同様に粉砕し、平均粒径１．４μｍの熱電半導体微粒子Ｔ２を作製した。
ビスマス－テルル系熱電半導体材料であるｐ型ビスマステルライドＢｉ０．４Ｔｅ３Ｓｂ１．６（高純度化学研究所製、粒径：１８０μｍ）を、遊星型ボールミル（フリッチュジャパン社製、Ｐｒｅｍｉｕｍ ｌｉｎｅ Ｐ－７）を使用し、窒素ガス雰囲気下で粉砕することで、平均粒径１．２μｍの熱電半導体微粒子Ｔ１を作製した。粉砕して得られた熱電半導体微粒子に関して、レーザー回折式粒度分析装置（Malvern社製、マスターサイザー３０００）により粒度分布測定を行った。
また、ビスマス－テルル系熱電半導体材料であるｎ型ビスマステルライドＢｉ２Ｔｅ３（高純度化学研究所製、粒径：１８０μｍ）を上記と同様に粉砕し、平均粒径１．４μｍの熱電半導体微粒子Ｔ２を作製した。
（実施例１）
・熱電半導体組成物の作製
表１に示す配合量になるように、得られたビスマス－テルル系熱電半導体材料の微粒子Ｔ１、耐熱性樹脂としてポリイミド前駆体であるポリアミック酸（シグマアルドリッチ社製、ポリ(ピロメリト酸二無水物－ｃｏ－４，４´－オキシジアニリン)アミド酸溶液、溶媒：Ｎ－メチルピロリドン、固形分濃度：１５質量％）、及び無機イオン性化合物としてＫＢｒ（和光純薬工業株式会社製）を混合分散した熱電半導体組成物からなる塗工液を調製した。
・熱電変換材料の製造
上記で調製した塗工液を、アプリケーターを用いて支持体であるポリイミドフィルム基板（帝人ディポン株式会社製、製品名：カプトン２００Ｈ、厚み：５０μｍ）上に塗布し、温度１５０℃で、１０分間アルゴン雰囲気下で乾燥し、厚さが２０μｍの薄膜を形成した。次いで、得られた薄膜に対し、水素とアルゴンの混合ガス（水素：アルゴン＝３体積％：９７体積％）雰囲気下で、加温速度５Ｋ／ｍｉｎで昇温し、４００℃で１時間保持し、薄膜形成後のアニール処理を行うことにより、熱電半導体材料の微粒子を結晶成長させ、熱電変換材料を作製した。
・熱電半導体組成物の作製
表１に示す配合量になるように、得られたビスマス－テルル系熱電半導体材料の微粒子Ｔ１、耐熱性樹脂としてポリイミド前駆体であるポリアミック酸（シグマアルドリッチ社製、ポリ(ピロメリト酸二無水物－ｃｏ－４，４´－オキシジアニリン)アミド酸溶液、溶媒：Ｎ－メチルピロリドン、固形分濃度：１５質量％）、及び無機イオン性化合物としてＫＢｒ（和光純薬工業株式会社製）を混合分散した熱電半導体組成物からなる塗工液を調製した。
・熱電変換材料の製造
上記で調製した塗工液を、アプリケーターを用いて支持体であるポリイミドフィルム基板（帝人ディポン株式会社製、製品名：カプトン２００Ｈ、厚み：５０μｍ）上に塗布し、温度１５０℃で、１０分間アルゴン雰囲気下で乾燥し、厚さが２０μｍの薄膜を形成した。次いで、得られた薄膜に対し、水素とアルゴンの混合ガス（水素：アルゴン＝３体積％：９７体積％）雰囲気下で、加温速度５Ｋ／ｍｉｎで昇温し、４００℃で１時間保持し、薄膜形成後のアニール処理を行うことにより、熱電半導体材料の微粒子を結晶成長させ、熱電変換材料を作製した。
（実施例２）
無機イオン性化合物をＫＩ（和光純薬工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にして、熱電変換材料を作製した。
無機イオン性化合物をＫＩ（和光純薬工業株式会社製）に変更した以外は、実施例１と同様にして、熱電変換材料を作製した。
（実施例３）
熱電半導体微粒子をＴ１からＴ２に変更した以外は、実施例１と同様にして、熱電変換材料を作製した。
熱電半導体微粒子をＴ１からＴ２に変更した以外は、実施例１と同様にして、熱電変換材料を作製した。
（実施例４）
熱電半導体微粒子をＴ１からＴ２に変更した以外は、実施例２と同様にして、熱電変換材料を作製した。
熱電半導体微粒子をＴ１からＴ２に変更した以外は、実施例２と同様にして、熱電変換材料を作製した。
（比較例１）
無機イオン性化合物を添加せず、表１に示す配合量になるようにした以外は、実施例１と同様にして熱電変換材料を作製した。
無機イオン性化合物を添加せず、表１に示す配合量になるようにした以外は、実施例１と同様にして熱電変換材料を作製した。
（比較例２）
無機イオン性化合物を添加せず、表１に示す配合量になるようにした以外は、実施例３と同様にして熱電変換材料を作製した。
無機イオン性化合物を添加せず、表１に示す配合量になるようにした以外は、実施例３と同様にして熱電変換材料を作製した。
実施例１～４及び比較例１～２で得られた熱電変換材料の熱電性能評価（電気伝導率、ホール移動度、ゼーベック係数、パワーファクター）及び屈曲性評価結果を表２に示す。
実施例１、２の熱電変換材料は、無機イオン性化合物を加えない比較例１に比べて、電気伝導率では５０～１００倍、ホール移動度では４０～５０倍程度高く、また、円筒形マンドレル試験前後で、熱電変換材料にクラック等の割れが発生することもなく、電気伝導率及びホール移動度もほとんど低下せず、屈曲性が優れていることが分かった。
同様に、実施例３、４の熱電変換材料は、無機イオン性化合物を加えない比較例２に比べて、電気伝導率では２５～５０倍、ホール移動度では１０～２０倍程度高く、また、円筒形マンドレル試験前後で、熱電変換材料にクラック等の割れが発生することもなく、電気伝導率及びホール移動度もほとんど低下せず、屈曲性が優れていることが分かった。
同様に、実施例３、４の熱電変換材料は、無機イオン性化合物を加えない比較例２に比べて、電気伝導率では２５～５０倍、ホール移動度では１０～２０倍程度高く、また、円筒形マンドレル試験前後で、熱電変換材料にクラック等の割れが発生することもなく、電気伝導率及びホール移動度もほとんど低下せず、屈曲性が優れていることが分かった。
本発明の熱電変換材料は、熱と電気の相互エネルギー変換を行う熱電変換素子にして、モジュールに組み込み、利用される。具体的には、簡便に低コストで製造可能で、熱電性能及び屈曲性に優れることから、例えば、建築物等の壁面や湾曲面等へ設置する場合等、大面積な用途等に、低コストの熱電変換材料として用いることができる。
Claims (11)
- 支持体上に、熱電半導体微粒子、耐熱性樹脂及び無機イオン性化合物を含む熱電半導体組成物からなる薄膜を有し、前記無機イオン性化合物は４００～９００℃の温度領域において固体で存在する、熱電変換材料。
- 前記無機イオン性化合物の配合量が、前記熱電半導体組成物中０．０１～５０質量％である、請求項１に記載の熱電変換材料。
- 前記無機イオン性化合物のカチオン成分が、カリウムカチオン、ナトリウムカチオン、及びリチウムカチオンから選ばれる少なくとも１種を含む、請求項１又は２に記載の熱電変換材料。
- 前記無機イオン性化合物のアニオン成分が、ハロゲン化物アニオンを含む、請求項１又は２に記載の熱電変換材料。
- 前記ハロゲン化物アニオンが、Ｃｌ－、Ｂｒ－、及びＩ－から選ばれる少なくとも１種を含む、請求項４に記載の熱電変換材料。
- 前記無機イオン性化合物が、ＫＢｒ又はＫＩである、請求項１～５のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
- 前記耐熱性樹脂が、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、及びエポキシ樹脂から選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載の熱電変換材料。
- 前記熱電半導体微粒子が、ビスマス－テルル系熱電半導体材料の微粒子である、請求項１～７のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
- 前記支持体が、プラスチックフィルムである、請求項１～８のいずれか１項に記載の熱電変換材料。
- 支持体上に、熱電半導体微粒子、耐熱性樹脂及び無機イオン性化合物を含む熱電半導体組成物からなる薄膜を有する熱電変換材料の製造方法であって、支持体上に、熱電半導体微粒子、耐熱性樹脂及び無機イオン性化合物を含む熱電半導体組成物を塗布し、乾燥し、薄膜を形成する工程、さらに該薄膜をアニール処理する工程を含み、前記無機イオン性化合物は４００～９００℃の温度領域において固体で存在する、熱電変換材料の製造方法。
- 前記支持体が、プラスチックフィルムである、請求項１０に記載の熱電変換材料の製造方法。
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