JP7152537B2 - 連続的およびパルスモード動作のための一体化されたrf電力供給単一入力複数出力制御 - Google Patents
連続的およびパルスモード動作のための一体化されたrf電力供給単一入力複数出力制御 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7152537B2 JP7152537B2 JP2021015691A JP2021015691A JP7152537B2 JP 7152537 B2 JP7152537 B2 JP 7152537B2 JP 2021015691 A JP2021015691 A JP 2021015691A JP 2021015691 A JP2021015691 A JP 2021015691A JP 7152537 B2 JP7152537 B2 JP 7152537B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- edge
- pulse
- matching network
- controller
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32146—Amplitude modulation, includes pulsing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/3299—Feedback systems
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2242/00—Auxiliary systems
- H05H2242/20—Power circuits
- H05H2242/26—Matching networks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
Pd=|V||I|cos(Θ)=PFWD-PREV (1)
Pd=|V||I|cos(Θ) (2)
PMAX=max(|V||I|cos(Θ))=max(PFWD)-min(PREV) (3)
e(i)=xr-σr(i) (6)
ここで、xrおよびσr(i)は、上述した通りである。様々な実施形態では、電力制御モジュール40は、アクチュエータ位置λを決定するために比例的な制御アプローチを実施する。アクチュエータ位置λの計算のための比例的制御は、式(7)に図示されるように説明され得る。
λ(i+1)=λ(i)+Ge(i) (7)
ここで、λ(i+1)は、新たに計算されたλの値であり、λ(i)は、前に計算されたλの値であり、Gは、比例的または利得制御式のための変数または定数パラメータである。増加される制御は、式(8)に説明されるような高次の比例積分微分制御アプローチを使用して達成され得る。
λ(i+1)=λ(i)+G[αe(i)+βe(i-1)+γe(i-2)] (8)
ここで、λ(i+1)、λ(i)、およびGは、上述した通りであり、e(i-1)およびe(i-2)は、第1および第2の各々の前の誤り項でありα、β、およびγは、制御式のための変数または定数項である。
tm(n)=mod(ts(n),tp)、tsからなるn個のサンプルすべてについて (9)
tm(n)をソートすることは、受信バッファRxにおける受信データを、再構築バッファRconの適切な時間ベースのビンへ割り当てるためのインデクスを提供する。あるいは、tmへts-1を適用することによって、時間ベースのビンが、インデクスビン表現の観点から構築される。獲得されたパルスレートおよびN個のサンプルの数に基づいて、再構築バッファRconにおけるビンは既にデータ値を含み得る。再構築バッファRconにおけるビンが既にデータ値を含んでいる場合、データは、各々のビン内に蓄積される。すべてのデータが受信された後、制御は状態76へ進み、ここでは、再構築バッファRconの各ビンにおけるデータが、各ビンに蓄積されたサンプルの数によって規格化される。規格化は、各ビンのための平均を計算することによって生じ得る。N個全体のサンプルの獲得が完了した後、制御は、再構築状態74へ戻り、ここでは、波形が再構築される。図8は、図6の状態図に従って再構築された波形88を描写する。再構築バッファRconが埋められると、制御は状態78へ進み得、再構築処理の結果がレポートされる。
素との間に1つまたは複数の介在要素が(空間的または機能的いずれかによって)存在する間接的な関係でもあり得る。本明細書で使用されるように、A、B、およびCのうちの少なくとも1つというフレーズは、非排他的な論理的ORを使用して、論理的な(A OR B OR C)を意味するように解釈されるべきであり、「Aのうちの少なくとも1つ、Bのうちの少なくとも1つ、および、Cのうちの少なくとも1つ」を意味するように解釈されるべきではない。
12 無線周波数(RF)生成器
14 マッチングネットワーク
16a 負荷
16b 負荷
16n 負荷
18 RF電力信号
20 電力増幅器
22a 内部フィードバックループ
22b 外部フィードバックループ
23 通信リンク
26 RFセンサ
28 コントローラ
30 センサ信号
32 スケーリングモジュール
34 電力フィードバック信号
36 加算器
38 電力設定点
40 電力制御モジュール
48 調整ネットワークおよび比アクチュエータ
50 マッチコントローラ
52a 伝送路
52b 伝送路
52n 伝送路
54a センサ
54b センサ
54c センサ
56 調整要素
58 調整要素
59 比調整要素
60 パルス波形
62 エイリアスされた表現
66 状態図
68 設定
70 トリガ待機
72 Rxバッファを埋める
74 再構築
76 共有ビンのためのビン値平均の計算
78 結果をレポート
80 ξ個のビンが埋められる
82 y個のビンが埋められる
88 波形
90 拡張ブロック図
92 パルス制御モジュール
94 比制御モジュール
96 エッジ制御モジュール
98 通信リンク
100 通信リンク
102 通信リンク
106 マルチレベルパルス波形
108 立ち上がり部分
110 第1のレベル
112 立ち下がり部分
114 第2のレベル
116 立ち下り部分
Claims (24)
- 無線周波数(RF)制御システムのためのコントローラであって、前記RF制御システムは、パルスRF信号を出力するように構成された電力増幅器を有するRF生成器を含み、前記RF生成器は、マッチングネットワークへの出力信号を生成するように構成され、前記マッチングネットワークは、負荷へのパルスRF出力信号を提供するように構成され、前記マッチングネットワークは、前記パルスRF信号のパルスエッジを変動させるように構成されたインピーダンス調整要素を含み、前記コントローラは、前記マッチングネットワークへパルスエッジ制御信号を通信するように構成され、前記マッチングネットワークは、前記パルスエッジ制御信号に従って、前記インピーダンス調整要素を制御し、
前記コントローラはさらに、
前記パルスRF信号を生成するように構成されたパルスモジュールと、
前記パルスモジュールと通信し、比制御信号を生成するように構成された比制御モジュールと、
前記パルスエッジ制御信号の特性を判定するように構成されたエッジ制御信号とを備える、コントローラ。 - 前記パルスエッジの立ち上がりまたは立ち下がりに従って変動する信号を受信するように構成されたエッジコントローラをさらに備え、前記エッジコントローラは、前記受信した信号に従って、前記パルスエッジの前記立ち上がりまたは前記立ち下がりを各々調節する信号を生成するように構成された、請求項1に記載のコントローラ。
- 前記パルスエッジ制御信号は、前記RF生成器と前記マッチングネットワークとの間のインピーダンスを変動させる、請求項2に記載のコントローラ。
- 前記パルスエッジの遷移に従って変動する信号を受信するように構成されたエッジコントローラをさらに備え、前記エッジコントローラは、前記受信した信号に従って、前記パルスエッジのインクリメント変化のレベルまたは持続時間を制御する信号を生成するようにさらに構成された、請求項1に記載のコントローラ。
- 前記パルスエッジの立ち上がりまたは立ち下がりに従って変動する信号を受信するように構成されたエッジコントローラをさらに備え、前記エッジコントローラは、前記受信した信号に従って、前記パルスエッジの前記立ち上がり、前記パルスエッジの前記立ち下がり、または、前記パルスエッジのインクリメント変化のレベルまたは持続時間のうちの少なくとも1つを制御する信号を生成するようにさらに構成された、請求項1に記載のコントローラ。
- 前記パルスエッジ制御信号は、パルスコントローラへ通信され、前記パルスコントローラは、前記インピーダンス調整要素を変動させるように前記マッチングネットワークへ指示するコマンドを生成するように構成された、請求項1に記載のコントローラ。
- 前記パルスエッジ制御信号は、前記RF生成器と前記マッチングネットワークとの間のインピーダンスを変動させる、請求項1に記載のコントローラ。
- 前記コントローラは、
前記パルスRF出力信号のサンプルを、受信バッファに記憶し、
前記記憶されたサンプルを、あらかじめ定義された伝達関数に従って、再構築バッファ内のあらかじめ選択されたビンへ伝達し、
前記再構築バッファにおける前記記憶されたサンプルに従って、前記RF出力信号を再構築する、請求項1に記載のRF制御システム。 - 前記再構築バッファにおける選択されたビンが、1つよりも多くのサンプルを記憶しているのであれば、前記コントローラは、前記選択されたビンにおける前記サンプルの平均を決定するように構成された、請求項8に記載のRF制御システム。
- 前記コントローラは、
第1のビンのセットに従って、前記パルスRF出力信号の立ち上がり時間、
第2のビンのセットに従って、前記パルスRF出力信号のうちの前記少なくとも1つのパルスRF出力信号の立ち下がり時間、および、
第3のビンのセットに従って、前記パルスRF出力信号の振幅のうちの少なくとも1つを判定するように構成された、請求項9に記載のRF制御システム。 - 無線周波数(RF)システムを制御するための方法であって、マッチングネットワークへのパルスRF信号の生成を制御し、前記マッチングネットワークへパルスエッジ制御信号を通信するステップを備え、前記マッチングネットワークは、前記パルスRF信号のパルスエッジを変動させるために、前記パルスエッジ制御信号に従って、インピーダンス調整要素を制御し、
前記複数のパルスRF信号のうちの少なくとも1つのパルスRF信号のサンプルを、受信バッファに記憶するステップと、
あらかじめ定義された伝達関数に従って、再構築バッファ内のあらかじめ選択されたビンへ伝達するステップと、
前記再構築バッファにおける前記記憶されたサンプルに従って、前記パルスRF信号を再構築するステップとをさらに備える、方法。 - 前記パルスエッジの立ち上がりまたは立ち下がりに従って変動する信号を受信し、前記受信した信号に従って、前記パルスエッジの前記立ち上がりまたは立ち下がり各々を調節するステップをさらに備える、請求項11に記載の方法。
- 前記パルスエッジ制御信号は、RF生成器と前記マッチングネットワークとの間のインピーダンスを変動させる、請求項12に記載の方法。
- 前記パルスエッジの遷移に従って変動する信号を受信し、前記受信した信号に従って、前記パルスエッジにおけるインクリメント変化のレベルまたは持続時間を調節するステップをさらに備える、請求項12に記載の方法。
- 前記パルスエッジの立ち上がりまたは立ち下がりに従って変動する信号を受信し、前記受信した信号に従って、前記パルスエッジの前記立ち上がり、前記パルスエッジの前記立ち下がり、または、前記パルスエッジのインクリメント変化のレベルまたは持続時間のうちの少なくとも1つを調節するステップをさらに備える、請求項11に記載の方法。
- 前記パルスエッジ制御信号は、パルスコントローラへ通信され、前記パルスコントローラは、前記インピーダンス調整要素を変動させるように前記マッチングネットワークへ指示するコマンドを生成する、請求項11に記載の方法。
- 前記パルスエッジ制御信号は、RF生成器と前記マッチングネットワークと間のインピーダンスを変動させるか、または、前記マッチングネットワークによって出力される電力を変動させる、請求項11に記載の方法。
- 前記再構築バッファにおける選択されたビンが、1つよりも多くのサンプルを記憶しているのであれば、前記選択されたビンにおける前記サンプルの平均を決定する、請求項11に記載の方法。
- 第1のビンのセットに従って、前記パルスRF信号の立ち上がり時間、
第2のビンのセットに従って、前記パルスRF信号の立ち下がり時間、および、
第3のビンのセットに従って、前記パルスRF信号の振幅のうちの少なくとも1つを判定するステップ、をさらに備える請求項18に記載の方法。 - 無線周波数(RF)制御システムを制御するための方法であって、マッチングネットワークへ比制御信号を通信するステップを備え、前記マッチングネットワークは、比制御信号に従って比調整要素を制御し、前記マッチングネットワークは、RF信号を受信し、1つまたは複数のプラズマチャンバの複数の電極のそれぞれへの複数のRF出力信号を生成し、前記マッチングネットワークは、前記比制御信号に従って、第1の前記複数のRF出力信号と、第2の前記複数のRF出力信号との電力の比を変動させ、
前記マッチングネットワークへ調整制御信号を通信することによって、RF生成器の出力におけるインピーダンスを変動させるステップをさらに備え、前記マッチングネットワークは、前記調整制御信号に従って、マッチ調整要素を制御し、
動作のためのパルスモードでRF生成器を動作させるステップと、
前記パルスモードの動作を制御するパルス波形のサンプルを、受信バッファに記憶するステップと、
前記記憶されたサンプルを、あらかじめ定義された伝達関数に従って、再構築バッファ内のあらかじめ選択されたビンへ伝達するステップと、
前記再構築バッファに記憶されたサンプルを使用して、前記パルス波形を再構築するステップとをさらに備える、方法。 - 各々のRF出力信号の特性を示す特性信号をRF生成器へ通信するステップをさらに備える、請求項20に記載の方法。
- 前記特性信号を受信し、前記特性信号に従って、前記比制御信号を生成するステップをさらに備える、請求項21に記載の方法。
- 前記再構築バッファにおける選択されたビンが、1つよりも多くのサンプルを記憶しているのであれば、前記選択されたビンにおける前記サンプルの平均を決定する、請求項20に記載の方法。
- 前記再構築バッファの第1のデータシーケンスに従って、前記複数のRF出力信号のうちの前記少なくとも1つのRF出力信号の立ち上がり時間、
前記再構築バッファの第2のデータシーケンスに従って、前記複数のRF出力信号のうちの前記少なくとも1つのRF出力信号の立ち下がり時間、および、
前記再構築バッファの第3のデータシーケンスに従って、前記複数のRF出力信号のうちの前記少なくとも1つのRF出力信号の振幅のうちの少なくとも1つを判定するステップ、をさらに備える請求項23に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/797,347 US9721758B2 (en) | 2015-07-13 | 2015-07-13 | Unified RF power delivery single input, multiple output control for continuous and pulse mode operation |
US14/797,347 | 2015-07-13 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019146463A Division JP6833930B2 (ja) | 2015-07-13 | 2019-08-08 | 連続的およびパルスモード動作のための一体化されたrf電力供給単一入力複数出力制御 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021073663A JP2021073663A (ja) | 2021-05-13 |
JP2021073663A5 JP2021073663A5 (ja) | 2021-07-29 |
JP7152537B2 true JP7152537B2 (ja) | 2022-10-12 |
Family
ID=57757926
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018501216A Active JP6935388B2 (ja) | 2015-07-13 | 2016-07-07 | 連続的およびパルスモード動作のための一体化されたrf電力供給単一入力複数出力制御 |
JP2019146463A Active JP6833930B2 (ja) | 2015-07-13 | 2019-08-08 | 連続的およびパルスモード動作のための一体化されたrf電力供給単一入力複数出力制御 |
JP2021015691A Active JP7152537B2 (ja) | 2015-07-13 | 2021-02-03 | 連続的およびパルスモード動作のための一体化されたrf電力供給単一入力複数出力制御 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018501216A Active JP6935388B2 (ja) | 2015-07-13 | 2016-07-07 | 連続的およびパルスモード動作のための一体化されたrf電力供給単一入力複数出力制御 |
JP2019146463A Active JP6833930B2 (ja) | 2015-07-13 | 2019-08-08 | 連続的およびパルスモード動作のための一体化されたrf電力供給単一入力複数出力制御 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9721758B2 (ja) |
EP (1) | EP3323140B1 (ja) |
JP (3) | JP6935388B2 (ja) |
KR (1) | KR102360425B1 (ja) |
CN (1) | CN107836031B (ja) |
TW (1) | TWI608702B (ja) |
WO (1) | WO2017011264A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9536749B2 (en) * | 2014-12-15 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Ion energy control by RF pulse shape |
EP3091559A1 (en) * | 2015-05-05 | 2016-11-09 | TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. | Plasma impedance matching unit, system for supplying rf power to a plasma load, and method of supplying rf power to a plasma load |
US20170330764A1 (en) * | 2016-05-12 | 2017-11-16 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for controlling transitions between continuous wave and pulsing plasmas |
US10566211B2 (en) | 2016-08-30 | 2020-02-18 | Lam Research Corporation | Continuous and pulsed RF plasma for etching metals |
US11251019B2 (en) * | 2016-12-15 | 2022-02-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma device |
DE102018204585A1 (de) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | centrotherm international AG | Plasmagenerator, Plasma-Behandlungsvorrichtung und Verfahren zum gepulsten Bereitstellen von elektrischer Leistung |
CN108666197B (zh) * | 2017-03-31 | 2020-02-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种脉冲功率源和半导体设备 |
EP3396700A1 (en) * | 2017-04-27 | 2018-10-31 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Power converter unit, plasma processing equipment and method of controlling several plasma processes |
US10536130B2 (en) * | 2017-08-29 | 2020-01-14 | Mks Instruments, Inc. | Balancing RF circuit and control for a cross-coupled SIMO distribution network |
JP6863199B2 (ja) | 2017-09-25 | 2021-04-21 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20190108976A1 (en) * | 2017-10-11 | 2019-04-11 | Advanced Energy Industries, Inc. | Matched source impedance driving system and method of operating the same |
US10304669B1 (en) | 2018-01-21 | 2019-05-28 | Mks Instruments, Inc. | Adaptive counter measure control thwarting IMD jamming impairments for RF plasma systems |
US10224183B1 (en) * | 2018-03-21 | 2019-03-05 | Lam Research Corporation | Multi-level parameter and frequency pulsing with a low angular spread |
KR102126937B1 (ko) * | 2018-12-03 | 2020-06-25 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 역방향 전력 저감 방법 및 이를 이용한 플라즈마 전력 장치 |
US11974385B2 (en) * | 2019-04-16 | 2024-04-30 | Atmospheric Plasma Solutions, Inc. | Waveform detection of states and faults in plasma inverters |
MX2021012590A (es) * | 2019-04-16 | 2021-12-10 | Atmospheric Plasma Solutions Inc | Detección de forma de onda de estados y fallas en inversores de plasma. |
US11019714B1 (en) * | 2020-10-30 | 2021-05-25 | Atmospheric Plasma Solutions, Inc. | Waveform detection of states and faults in plasma inverters |
US11177115B2 (en) * | 2019-06-03 | 2021-11-16 | Applied Materials, Inc. | Dual-level pulse tuning |
US11158488B2 (en) * | 2019-06-26 | 2021-10-26 | Mks Instruments, Inc. | High speed synchronization of plasma source/bias power delivery |
KR20220038717A (ko) | 2019-07-29 | 2022-03-29 | 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 | 다수의 부하의 펄스 구동을 위한 채널 오프셋을 갖는 멀티플렉싱된 전력 발생기 출력 |
EP3907753B1 (en) * | 2019-09-10 | 2024-05-08 | Comet AG | Rf power generator with analogue and digital detectors and method of operating such a power generator |
US11527384B2 (en) | 2020-11-24 | 2022-12-13 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and tuning method for mitigating RF load impedance variations due to periodic disturbances |
US11328902B1 (en) | 2021-06-09 | 2022-05-10 | XP Power Limited | Radio frequency generator providing complex RF pulse pattern |
US11721523B2 (en) | 2021-09-07 | 2023-08-08 | Advanced Energy Industries, Inc. | Control of rail voltage in multi-level pulsing RF power amplifier |
US20230080707A1 (en) * | 2021-09-13 | 2023-03-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Model reference adaptive control with signum projection tensor operations |
US11972926B2 (en) | 2021-10-05 | 2024-04-30 | Advanced Energy Industries, Inc. | Dynamic control-setpoint modification |
US11990324B2 (en) | 2022-03-03 | 2024-05-21 | Advanced Energy Industries, Inc. | Adaptive predictive control system |
DE102022111529A1 (de) * | 2022-05-09 | 2023-11-09 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Stromversorgungsanordnung, Plasmaerzeugungseinrichtung und Verfahren zur Steuerung mehrerer Plasmaprozesse |
WO2024032432A1 (zh) * | 2022-08-08 | 2024-02-15 | 深圳市恒运昌真空技术有限公司 | 一种射频电源信号采集方法及装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005015884A (ja) | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Canon Inc | 真空処理装置 |
US20140118031A1 (en) | 2012-10-30 | 2014-05-01 | Mks Instruments, Inc. | RF Pulse Edge Shaping |
JP2015501518A (ja) | 2011-10-28 | 2015-01-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 位相制御による高効率トリプルコイル誘導結合プラズマ源 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2745067A (en) | 1951-06-28 | 1956-05-08 | True Virgil | Automatic impedance matching apparatus |
US3117279A (en) | 1962-06-04 | 1964-01-07 | Collins Radio Co | Automatically controlled antenna tuning and loading system |
US3443231A (en) | 1966-04-27 | 1969-05-06 | Gulf General Atomic Inc | Impedance matching system |
US3601717A (en) | 1969-11-20 | 1971-08-24 | Gen Dynamics Corp | System for automatically matching a radio frequency power output circuit to a load |
JP3183914B2 (ja) | 1991-08-29 | 2001-07-09 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス自動整合装置 |
US5808415A (en) * | 1997-03-19 | 1998-09-15 | Scientific Systems Research Limited | Apparatus for sensing RF current delivered to a plasma with two inductive loops |
JP3777040B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2006-05-24 | 三菱電機株式会社 | 増幅器 |
JPH11233285A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Aibis:Kk | 調光制御装置 |
JP2001027652A (ja) * | 1999-07-13 | 2001-01-30 | Teratec:Kk | コヒーレント・サンプリング方法と装置 |
US6887339B1 (en) | 2000-09-20 | 2005-05-03 | Applied Science And Technology, Inc. | RF power supply with integrated matching network |
US6417732B1 (en) | 2001-04-06 | 2002-07-09 | Eni Technology, Inc. | Controller for RF power generator with reduced cable length sensitivity |
US6459067B1 (en) * | 2001-04-06 | 2002-10-01 | Eni Technology, Inc. | Pulsing intelligent RF modulation controller |
JP2003073836A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-12 | Canon Inc | 真空処理方法及び真空処理装置 |
US6818562B2 (en) | 2002-04-19 | 2004-11-16 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for tuning an RF matching network in a plasma enhanced semiconductor wafer processing system |
JP4975291B2 (ja) | 2004-11-09 | 2012-07-11 | 株式会社ダイヘン | インピーダンス整合装置 |
US7695633B2 (en) * | 2005-10-18 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Independent control of ion density, ion energy distribution and ion dissociation in a plasma reactor |
US20080179948A1 (en) * | 2005-10-31 | 2008-07-31 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power delivery system |
US8369906B2 (en) * | 2006-03-31 | 2013-02-05 | Silicon Laboratories Inc. | Antenna compensation system and method in a communications device |
US20080061901A1 (en) | 2006-09-13 | 2008-03-13 | Jack Arthur Gilmore | Apparatus and Method for Switching Between Matching Impedances |
US7714676B2 (en) | 2006-11-08 | 2010-05-11 | Paratek Microwave, Inc. | Adaptive impedance matching apparatus, system and method |
US20080158076A1 (en) | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Broadcom Corporation | Dynamically adjustable narrow bandwidth antenna for wide band systems |
US7917104B2 (en) | 2007-04-23 | 2011-03-29 | Paratek Microwave, Inc. | Techniques for improved adaptive impedance matching |
US20080274706A1 (en) | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Guillaume Blin | Techniques for antenna retuning utilizing transmit power information |
JP5133750B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のフィードバック制御方法 |
US8847561B2 (en) | 2008-05-07 | 2014-09-30 | Advanced Energy Industries, Inc. | Apparatus, system, and method for controlling a matching network based on information characterizing a cable |
WO2009140371A2 (en) * | 2008-05-14 | 2009-11-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for pulsed plasma processing using a time resolved tuning scheme for rf power delivery |
US8282983B1 (en) | 2008-09-30 | 2012-10-09 | Novellus Systems, Inc. | Closed loop control system for RF power balancing of the stations in a multi-station processing tool with shared RF source |
US8040068B2 (en) | 2009-02-05 | 2011-10-18 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power control system |
US8659335B2 (en) * | 2009-06-25 | 2014-02-25 | Mks Instruments, Inc. | Method and system for controlling radio frequency power |
KR101197023B1 (ko) * | 2009-10-23 | 2012-11-06 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
US8314561B2 (en) * | 2010-04-02 | 2012-11-20 | Mks Instruments, Inc. | Multi-channel radio frequency generator |
US8492980B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for calibrating RF power applied to a plurality of RF coils in a plasma processing system |
JP5946227B2 (ja) * | 2011-01-04 | 2016-07-05 | アドバンスト・エナジー・インダストリーズ・インコーポレイテッドAdvanced Energy Industries, Inc. | 電力送達システム、電力制御システム、および、電力を送達するまたは電力制御する方法 |
US8324964B2 (en) | 2011-01-25 | 2012-12-04 | Rf Micro Devices, Inc. | High efficiency multiple power mode linear radio frequency power amplifier |
KR101272794B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2013-06-10 | (주) 이이시스 | 펄스 출력을 갖는 플라즈마용 고전압 전원장치 |
US8576013B2 (en) * | 2011-12-29 | 2013-11-05 | Mks Instruments, Inc. | Power distortion-based servo control systems for frequency tuning RF power sources |
US9408288B2 (en) | 2012-09-14 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Edge ramping |
US9336995B2 (en) * | 2013-04-26 | 2016-05-10 | Mks Instruments, Inc. | Multiple radio frequency power supply control of frequency and phase |
JP6312405B2 (ja) * | 2013-11-05 | 2018-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN104243059B (zh) * | 2014-08-26 | 2016-10-05 | 北京首开世纪科技有限公司 | 一种基于无线局域网的中继传输系统及优化方法 |
US9536749B2 (en) | 2014-12-15 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Ion energy control by RF pulse shape |
-
2015
- 2015-07-13 US US14/797,347 patent/US9721758B2/en active Active
-
2016
- 2016-07-07 TW TW105121642A patent/TWI608702B/zh active
- 2016-07-07 CN CN201680041188.1A patent/CN107836031B/zh active Active
- 2016-07-07 JP JP2018501216A patent/JP6935388B2/ja active Active
- 2016-07-07 EP EP16824919.1A patent/EP3323140B1/en active Active
- 2016-07-07 WO PCT/US2016/041312 patent/WO2017011264A1/en active Application Filing
- 2016-07-07 KR KR1020187004316A patent/KR102360425B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-08-08 JP JP2019146463A patent/JP6833930B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-03 JP JP2021015691A patent/JP7152537B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005015884A (ja) | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Canon Inc | 真空処理装置 |
JP2015501518A (ja) | 2011-10-28 | 2015-01-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 位相制御による高効率トリプルコイル誘導結合プラズマ源 |
US20140118031A1 (en) | 2012-10-30 | 2014-05-01 | Mks Instruments, Inc. | RF Pulse Edge Shaping |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017011264A1 (en) | 2017-01-19 |
TWI608702B (zh) | 2017-12-11 |
CN107836031B (zh) | 2020-09-04 |
KR102360425B1 (ko) | 2022-02-10 |
US20170018926A1 (en) | 2017-01-19 |
JP2021073663A (ja) | 2021-05-13 |
KR20180019033A (ko) | 2018-02-22 |
CN107836031A (zh) | 2018-03-23 |
EP3323140A1 (en) | 2018-05-23 |
JP2020009772A (ja) | 2020-01-16 |
EP3323140B1 (en) | 2023-03-08 |
JP2018528574A (ja) | 2018-09-27 |
US9721758B2 (en) | 2017-08-01 |
TW201711387A (zh) | 2017-03-16 |
JP6833930B2 (ja) | 2021-02-24 |
JP6935388B2 (ja) | 2021-09-15 |
EP3323140A4 (en) | 2019-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7152537B2 (ja) | 連続的およびパルスモード動作のための一体化されたrf電力供給単一入力複数出力制御 | |
JP6692894B2 (ja) | 無線周波数(rf)インピーダンス調整動作の監視制御 | |
JP7393523B2 (ja) | Rf給電プラズマ用途におけるシース形成、進化、およびパルスからパルスへの安定性を強化するための方法および装置 | |
JP7171838B2 (ja) | パルス化された双方向無線周波数ソース/負荷 | |
JP7376702B2 (ja) | Rfインピーダンス整合のための自動周波数チューニングのための極値探索制御装置および方法 | |
CN108140530B (zh) | 等离子rf偏置消除系统 | |
KR102151584B1 (ko) | 적응성 주기적 파형 제어기 | |
KR102364185B1 (ko) | 발전기의 적응적 제어 | |
JP7013567B2 (ja) | 電気的スプリッタ、電気的スプリッタを備えたrfシステム、および電気的スプリッタのバランス回路 | |
US11715624B2 (en) | Adaptive pulse shaping with post match sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210616 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220823 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220929 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7152537 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |