JP7144146B2 - タングステンのための化学機械研磨法 - Google Patents
タングステンのための化学機械研磨法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7144146B2 JP7144146B2 JP2018012178A JP2018012178A JP7144146B2 JP 7144146 B2 JP7144146 B2 JP 7144146B2 JP 2018012178 A JP2018012178 A JP 2018012178A JP 2018012178 A JP2018012178 A JP 2018012178A JP 7144146 B2 JP7144146 B2 JP 7144146B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mechanical polishing
- chemical mechanical
- chemical
- ppm
- polishing composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 214
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims description 48
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 47
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims description 47
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 84
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- -1 iron(III) ions Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 16
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 16
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 16
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- UHVSEJSJPNIFSJ-UHFFFAOYSA-N [H]OS([H])O Chemical compound [H]OS([H])O UHVSEJSJPNIFSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 13
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 11
- SZQUEWJRBJDHSM-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate;nonahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O SZQUEWJRBJDHSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 claims description 5
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 18
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 18
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 18
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 13
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 12
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- PDHFSBXFZGYBIP-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxyethylsulfanyl)ethylsulfanyl]ethanol Chemical compound OCCSCCSCCO PDHFSBXFZGYBIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical compound [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 5
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- TVJMNKFRSJHLBL-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-hydroxypropylsulfanyl)ethylsulfanyl]propan-2-ol Chemical compound CC(O)CSCCSCC(C)O TVJMNKFRSJHLBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYIMNUUCUIRRBX-UHFFFAOYSA-N 2-(hydroxymethylsulfanyl)ethylsulfanylmethanol Chemical compound OCSCCSCO LYIMNUUCUIRRBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RFQANQVYZJBFKL-UHFFFAOYSA-N 3-(hydroxymethylsulfanyl)propylsulfanylmethanol Chemical class OCSCCCSCO RFQANQVYZJBFKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- VMYAHWLKMIFKAL-UHFFFAOYSA-N hydroxymethylsulfanylmethylsulfanylmethanol Chemical compound OCSCSCO VMYAHWLKMIFKAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 3
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GAECBAMNQFGJIM-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethylsulfanylmethylsulfanyl)ethanol Chemical compound OCCSCSCCO GAECBAMNQFGJIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FORJWQPDKXQQOG-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(2-hydroxyethylsulfanyl)butylsulfanyl]ethanol Chemical compound OCCSCCCCSCCO FORJWQPDKXQQOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTXRPFGDTYMYDS-UHFFFAOYSA-N 3-(3-hydroxypropylsulfanylmethylsulfanyl)propan-1-ol Chemical compound OCCCSCSCCCO LTXRPFGDTYMYDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GBZDOXLAUOJYPB-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(3-hydroxypropylsulfanyl)ethylsulfanyl]propan-1-ol Chemical compound OCCCSCCSCCCO GBZDOXLAUOJYPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSTBMDGOGXVOSP-UHFFFAOYSA-N 4-(hydroxymethylsulfanyl)butylsulfanylmethanol Chemical compound OCSCCCCSCO LSTBMDGOGXVOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLDCZGXDCMSZSY-UHFFFAOYSA-N 5-(hydroxymethylsulfanyl)pentylsulfanylmethanol Chemical compound OCSCCCCCSCO ZLDCZGXDCMSZSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPMPXINPTWTIOI-UHFFFAOYSA-N 6-(hydroxymethylsulfanyl)hexylsulfanylmethanol Chemical compound OCSCCCCCCSCO JPMPXINPTWTIOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000608 Fe(NO3)3.9H2O Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- LLYCMZGLHLKPPU-UHFFFAOYSA-N perbromic acid Chemical class OBr(=O)(=O)=O LLYCMZGLHLKPPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical class OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LUOIEXVCCJQBDI-UHFFFAOYSA-N 1-ethylsulfanyl-6-(2-hydroxyethylsulfanyl)hexan-2-ol Chemical compound CCSCC(O)CCCCSCCO LUOIEXVCCJQBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRQHBCDQKOSIKT-UHFFFAOYSA-N 2-[14-(2-hydroxyethylsulfanyl)tetradecylsulfanyl]ethanol Chemical compound OCCSCCCCCCCCCCCCCCSCCO IRQHBCDQKOSIKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLVYLTSKTCWWJR-UHFFFAOYSA-N 2-carbonoperoxoylbenzoic acid Chemical compound OOC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O GLVYLTSKTCWWJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSLRXAXIPBSNQO-UHFFFAOYSA-N 3-[6-(3-hydroxypropylsulfanyl)hexylsulfanyl]propan-1-ol Chemical compound OCCCSCCCCCCSCCCO NSLRXAXIPBSNQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRNYSQCOCKMMAM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxybutylsulfanylmethylsulfanyl)butan-1-ol Chemical compound OCCCCSCSCCCCO SRNYSQCOCKMMAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAGMQPBIRYIAQZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxybutylsulfanyl)ethylsulfanyl]butan-1-ol Chemical compound OCCCCSCCSCCCCO RAGMQPBIRYIAQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFDGLFSVMAMZSZ-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-hydroxybutylsulfanyl)propylsulfanyl]butan-1-ol Chemical compound OCCCCSCCCSCCCCO MFDGLFSVMAMZSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSWKGOSVHPWAEX-UHFFFAOYSA-N 4-[7-(4-hydroxybutylsulfanyl)heptylsulfanyl]butan-1-ol Chemical compound OCCCCSCCCCCCCSCCCCO NSWKGOSVHPWAEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YARQVXGXJGYNGD-UHFFFAOYSA-N 8-(hydroxymethylsulfanyl)octylsulfanylmethanol Chemical compound OCSCCCCCCCCSCO YARQVXGXJGYNGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000703 Cerium Chemical class 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical group O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M bromate Chemical class [O-]Br(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical class Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N iodic acid Chemical class OI(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000014 iron salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- MMIPFLVOWGHZQD-UHFFFAOYSA-N manganese(3+) Chemical compound [Mn+3] MMIPFLVOWGHZQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical group 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 1
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F3/00—Brightening metals by chemical means
- C23F3/04—Heavy metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F3/00—Brightening metals by chemical means
- C23F3/04—Heavy metals
- C23F3/06—Heavy metals with acidic solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
本発明は、タングステン及び絶縁体を含む基材を提供する工程;初期成分として、水;酸化剤;ジヒドロキシビススルフィド;コロイダルシリカ砥粒;ジカルボン酸又はその塩;鉄(III)イオンの供給源;及び任意選択でpH調整剤を含む化学機械研磨組成物を提供する工程;研磨面を有する化学機械研磨パッドを提供する工程;化学機械研磨パッドと基材との間の界面で動的接触を生じさせる工程;並びに化学機械研磨パッドの研磨面上、化学機械研磨パッドと基材との間の界面又はその近くに化学機械研磨組成物を計量分配する工程を含み;タングステンのいくらかが基材から研磨除去される、タングステンを化学機械研磨する方法を提供する。
本明細書全体を通して使用される場合、文脈が別段指示しない限り、以下の略号は以下の意味を有する:℃=摂氏度;g=グラム;L=リットル;mL=ミリリットル;μ=μm=ミクロン;kPa=キロパスカル;Å=オングストローム;mV=ミリボルト;DI=脱イオン;ppm=100万分の1=mg/L;mm=ミリメートル;cm=センチメートル;min=分;rpm=毎分回転数;lb=ポンド;kg=キログラム;W=タングステン;S=硫黄原子;HO=ヒドロキシル;ICP-OES=誘導結合プラズマ発光分光分析法;wt%=重量百分率;PS=研磨スラリー;CS=対照スラリー;及びRR=除去速度。
HO-R1-S-R3-S-R2-OH (I)
を有する。式中、R1及びR2は、独立して、メチレン基及び2~4個の炭素原子を有するアルキレン基から選択され、アルキレン基は置換又は非置換であることができ、置換基は、1~16個の炭素原子を有する直鎖状又は分岐状アルキルであり;R3は、メチレン基又は2~20個の炭素原子を有するアルキレン基である。好ましくは、R1及びR2は、独立して、メチレン基及び炭素原子2~3個の置換又は非置換アルキレン基から選択され、置換基は、1~2個の炭素原子を有するもの、例えばメチル又はエチル基である。好ましくは、置換基はメチルである。好ましくは、R3は、メチレン基又は炭素原子2~6個のアルキレン基である。より好ましくは、R3は、メチレン基又は炭素原子2~5個のアルキレン基である。さらに好ましくは、R3は、メチレン基又は炭素原子2~4個のアルキレン基である。最も好ましくは、R1及びR2は、独立して、メチレン基及び炭素原子2個の置換又は非置換アルキレン基から選択され、置換基が存在する場合、置換基は好ましくはメチルであり、R3は、メチレン基又は炭素原子2~3個のアルキレン基である。ジヒドロキシビススルフィド化合物中、R1及びR2が同じ数の炭素原子を有することが特に最も好ましい。
スラリー調合
表1に記された量の成分を合わせ(残余はDI水)、組成物のpHを45重量%水酸化カリウムによって表1に記された最終pHに調整することにより、本実施例の化学機械研磨組成物を調製した。
1 The Dow Chemical Companyから市販されている、AZ Electronics Materials製のKLEBOSOL(商標)1598-B25(-)ゼータ電位砥粒スラリー;及び
2 SIGMA-ALDRICH(登録商標)から市販されている3,6-ジチア-1,8-オクタンジオール
ジヒドロキシビススルフィドCMPスラリーのコロージョン速度性能
Wブランケットウェーハ(1cm×4cm)をスラリーサンプル15g中に浸漬することによってコロージョン試験を実施した。10分後、Wウェーハを試験スラリーから取り出した。その後、溶液を9,000rpmで20分間遠心分離処理してスラリー粒子を除去した。上清をICP-OESによって分析してタングステン重量を測定した。4cm2のエッチングウェーハ表面積を仮定して、Wの質量からコロージョン速度(Å/min)を換算した。コロージョン試験の結果を表2に示す。
化学機械研磨- ジヒドロキシビススルフィドCMPスラリーのディッシング及びエロージョン性能
W、TEOS除去速度及びW、TEOS最大研磨温度
実質的に実施例3に記載されているように、同じ装置及びパラメータを使用して、W及びTEOS除去速度の研磨実験を実施した。ウェーハは、Silicon Valley Microelectronicsのものであった。結果を表4に示す。
Claims (8)
- タングステン及び絶縁体を含む基材を提供する工程;
初期成分として、
水;
酸化剤;
ジヒドロキシビススルフィド;
コロイダルシリカ砥粒;
ジカルボン酸;
鉄(III)イオンの供給源;及び
任意選択でpH調整剤
を含む化学機械研磨組成物を提供する工程;
研磨面を有する化学機械研磨パッドを提供する工程;
前記化学機械研磨パッドと前記基材との間の界面で動的接触を生じさせる工程;並びに
前記化学機械研磨パッドの前記研磨面上、前記化学機械研磨パッドと前記基材との間の前記界面又はその近くに前記化学機械研磨組成物を計量分配して前記タングステンの少なくともいくらかを除去する工程
を含む、タングステンを化学機械研磨する方法。 - 提供される前記化学機械研磨組成物が、200mm研磨機上、毎分80回転のプラテン速度、毎分81回転のキャリヤ速度、125mL/minの化学機械研磨組成物流量、21.4kPaの公称ダウンフォースで≧1,000Å/minのタングステン除去速度を有し;前記化学機械研磨パッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項1記載の方法。
- 提供される前記化学機械研磨組成物が、初期成分として、
水;
過酸化水素0.01~10重量%;
ジヒドロキシビススルフィド50~1000ppm;
コロイダルシリカ砥粒0.01~10重量%;
ジカルボン酸1~2,600ppm;
硝酸第二鉄九水和物100~1,000ppm;及び
任意選択でpH調整剤
を含み、
1~7のpHを有する、請求項1記載の方法。 - 提供される前記化学機械研磨組成物が、200mm研磨機上、毎分80回転のプラテン速度、毎分81回転のキャリヤ速度、125mL/minの化学機械研磨組成物流量、21.4kPaの公称ダウンフォースで≧1,000Å/minのタングステン除去速度を有し;前記化学機械研磨パッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項3記載の方法。
- 提供される前記化学機械研磨組成物が、初期成分として、
水;
過酸化水素0.1~5重量%;
ジヒドロキシビススルフィド50~300ppm;
コロイダルシリカ砥粒0.05~7.5重量%;
ジカルボン酸100~1,400ppm;
硝酸第二鉄九水和物150~750ppm;及び
任意選択でpH調整剤
を含み;
1.5~4.5のpHを有する、請求項1記載の方法。 - 提供される前記化学機械研磨組成物が、200mm研磨機上、毎分80回転のプラテン速度、毎分81回転のキャリヤ速度、125mL/minの化学機械研磨組成物流量、21.4kPaの公称ダウンフォースで≧1,000Å/minのタングステン除去速度を有し;前記化学機械研磨パッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項5記載の方法。
- 提供される前記化学機械研磨組成物が、初期成分として、
水;
過酸化水素0.1~3重量%;
ジヒドロキシビススルフィド150~275ppm;
コロイダルシリカ砥粒0.1~5重量%;
マロン酸120~1,350ppm;
硝酸第二鉄九水和物200~500ppm;及び
任意選択でpH調整剤
を含み;
1.5~3.5のpHを有する、請求項1記載の方法。 - 提供される前記化学機械研磨組成物が、200mm研磨機上、毎分80回転のプラテン速度、毎分81回転のキャリヤ速度、125mL/minの化学機械研磨組成物流量、21.4kPaの公称ダウンフォースで≧1,000Å/minのタングステン除去速度を有し;前記化学機械研磨パッドが、ポリマー中空コア微粒子を含有するポリウレタン研磨層及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含む、請求項7記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762452775P | 2017-01-31 | 2017-01-31 | |
US62/452,775 | 2017-01-31 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018164075A JP2018164075A (ja) | 2018-10-18 |
JP7144146B2 true JP7144146B2 (ja) | 2022-09-29 |
Family
ID=62166001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018012178A Active JP7144146B2 (ja) | 2017-01-31 | 2018-01-29 | タングステンのための化学機械研磨法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9984895B1 (ja) |
JP (1) | JP7144146B2 (ja) |
KR (1) | KR102459037B1 (ja) |
CN (1) | CN108372431B (ja) |
TW (1) | TWI753987B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10170335B1 (en) * | 2017-09-21 | 2019-01-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method for cobalt |
US10995238B2 (en) * | 2018-07-03 | 2021-05-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings | Neutral to alkaline chemical mechanical polishing compositions and methods for tungsten |
CN109269867B (zh) * | 2018-09-11 | 2020-12-11 | 大连理工大学 | 钨镍铁合金抛光液及合金表面抛光、金相制备方法 |
JP7028120B2 (ja) * | 2018-09-20 | 2022-03-02 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体及びその製造方法、並びに化学機械研磨方法 |
US10947413B2 (en) * | 2019-03-29 | 2021-03-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings | Chemical mechanical polishing method for cobalt with high cobalt removal rates and reduced cobalt corrosion |
CN113004802B (zh) * | 2019-12-20 | 2024-04-12 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
CN113802122B (zh) * | 2021-09-13 | 2024-02-27 | 万华化学集团电子材料有限公司 | 一种减少点腐蚀的钨插塞化学机械抛光液及其应用 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001148360A (ja) | 1999-10-01 | 2001-05-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 化学及び機械的研磨用スラリー及びこれを利用した化学及び機械的研磨方法 |
JP2005118982A (ja) | 2003-08-29 | 2005-05-12 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | ニッケルベースの被膜を平坦化するための粒子を含まない研磨流体 |
JP2005516384A (ja) | 2002-01-24 | 2005-06-02 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | タングステン研磨溶液 |
WO2007123235A1 (ja) | 2006-04-24 | 2007-11-01 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cmp用研磨液及び研磨方法 |
JP2011086386A (ja) | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Konica Minolta Holdings Inc | パターン電極、および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2012199531A (ja) | 2011-03-03 | 2012-10-18 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 安定した濃縮可能な水溶性セルロースフリーのケミカルメカニカル研磨組成物 |
US20150259572A1 (en) | 2014-03-11 | 2015-09-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition for tungsten cmp |
JP2016048777A (ja) | 2014-06-27 | 2016-04-07 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | ケミカルメカニカルポリッシング組成物及びタングステン研磨法 |
JP2016074979A (ja) | 2014-09-30 | 2016-05-12 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 銅(i)イオンに基づくホワイトブロンズ用のシアン化物非含有電気めっき浴 |
JP2016167580A (ja) | 2015-02-12 | 2016-09-15 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | タングステンケミカルメカニカル研磨におけるディッシング低減 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5162585A (en) * | 1991-04-08 | 1992-11-10 | Phillips Petroleum Company | Preparation of dihydroxy bis-sulfides |
US6083419A (en) * | 1997-07-28 | 2000-07-04 | Cabot Corporation | Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching |
US7071105B2 (en) | 2003-02-03 | 2006-07-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
US7247567B2 (en) * | 2004-06-16 | 2007-07-24 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a tungsten-containing substrate |
JP2008536302A (ja) * | 2005-03-25 | 2008-09-04 | デュポン エアー プロダクツ ナノマテリアルズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 金属イオン酸化剤を含む、化学的、機械的研磨組成物において使用するジヒドロキシエノール化合物 |
JP2008192930A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Fujifilm Corp | 金属研磨用組成物及びそれを用いた化学的機械的研磨方法 |
US9202709B2 (en) * | 2008-03-19 | 2015-12-01 | Fujifilm Corporation | Polishing liquid for metal and polishing method using the same |
CN102051126B (zh) * | 2009-11-06 | 2014-11-05 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种用于钨化学机械抛光的抛光液 |
CN103360953A (zh) * | 2012-04-05 | 2013-10-23 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
US9303190B2 (en) * | 2014-03-24 | 2016-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive tungsten CMP composition |
-
2017
- 2017-11-16 US US15/815,276 patent/US9984895B1/en active Active
-
2018
- 2018-01-11 TW TW107101037A patent/TWI753987B/zh active
- 2018-01-12 CN CN201810030578.XA patent/CN108372431B/zh active Active
- 2018-01-29 KR KR1020180010567A patent/KR102459037B1/ko active IP Right Grant
- 2018-01-29 JP JP2018012178A patent/JP7144146B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001148360A (ja) | 1999-10-01 | 2001-05-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 化学及び機械的研磨用スラリー及びこれを利用した化学及び機械的研磨方法 |
JP2005516384A (ja) | 2002-01-24 | 2005-06-02 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | タングステン研磨溶液 |
JP2005118982A (ja) | 2003-08-29 | 2005-05-12 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | ニッケルベースの被膜を平坦化するための粒子を含まない研磨流体 |
WO2007123235A1 (ja) | 2006-04-24 | 2007-11-01 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cmp用研磨液及び研磨方法 |
JP2011086386A (ja) | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Konica Minolta Holdings Inc | パターン電極、および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2012199531A (ja) | 2011-03-03 | 2012-10-18 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 安定した濃縮可能な水溶性セルロースフリーのケミカルメカニカル研磨組成物 |
US20150259572A1 (en) | 2014-03-11 | 2015-09-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition for tungsten cmp |
JP2016048777A (ja) | 2014-06-27 | 2016-04-07 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | ケミカルメカニカルポリッシング組成物及びタングステン研磨法 |
JP2016074979A (ja) | 2014-09-30 | 2016-05-12 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 銅(i)イオンに基づくホワイトブロンズ用のシアン化物非含有電気めっき浴 |
JP2016167580A (ja) | 2015-02-12 | 2016-09-15 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | タングステンケミカルメカニカル研磨におけるディッシング低減 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201833262A (zh) | 2018-09-16 |
TWI753987B (zh) | 2022-02-01 |
US9984895B1 (en) | 2018-05-29 |
JP2018164075A (ja) | 2018-10-18 |
CN108372431A (zh) | 2018-08-07 |
KR102459037B1 (ko) | 2022-10-25 |
KR20180089307A (ko) | 2018-08-08 |
CN108372431B (zh) | 2020-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7144146B2 (ja) | タングステンのための化学機械研磨法 | |
EP2539411B1 (en) | Chemical-mechanical planarization of substrates containing copper, ruthenium, and tantalum layers | |
JP7103794B2 (ja) | タングステンのための化学機械研磨法 | |
TWI712664B (zh) | 鎢之化學機械研磨方法 | |
JP7144147B2 (ja) | ポリグリコール及びポリグリコール誘導体を使用する、タングステンのための化学機械研磨法 | |
WO2018058395A1 (en) | Chemical mechanical polishing method for tungsten | |
TWI733755B (zh) | 鎢之化學機械研磨方法 | |
KR102600276B1 (ko) | 화학적 기계적 연마 방법 | |
JP6955014B2 (ja) | 第四級ホスホニウム化合物を含有する方法及び組成物を使用したタングステンの化学機械研磨 | |
TW201947002A (zh) | 用於鎢的化學機械拋光方法 | |
JP6721704B2 (ja) | 半導体基材をケミカルメカニカル研磨する方法 | |
JP2019513297A (ja) | 基板を化学機械研磨する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220509 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220823 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220915 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7144146 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |