JP7129995B2 - インク、インクの固化膜、及び光電変換素子 - Google Patents
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Description
また、光電変換素子は、太陽電池として機能させることができる。自然エネルギーを利用する太陽電池は、発電の際に化石燃料などの資源を消費せず、また温室効果ガスを排出しない。そのため、太陽電池は、グリーンエネルギーを利用する電力供給元として期待されており、その性能向上が求められている。したがって、光電変換素子を太陽電池として機能させる場合も同様に、光電変換素子にはより高い外部量子効率が求められている。
[2] n型半導体材料が、フラーレン誘導体である、[1]に記載のインク。
[3] 含窒素複素環式化合物が、6員環構造を含み、前記6員環構造は、ヘテロ原子を1つ又は2つ含み、前記1つ又は2つのヘテロ原子はそれぞれ窒素原子である、[1]又は[2]に記載のインク。
[4] 6員環構造が、ピリジン環構造、テトラヒドロピリジン環構造、ピペリジン環構造、又はピラジン環構造である、[3]に記載のインク。
[5] 第1の溶媒が、置換基を有していてもよいキノリン、置換基を有していてもよい1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、及び置換基を有していてもよいキノキサリンからなる群から選択される1種以上である、[1]~[4]のいずれか1つに記載のインク。
[6] 第1の溶媒の第2の溶媒に対する重量比率(第1の溶媒/第2の溶媒)が、1/99以上20/80以下である、[1]~[5]のいずれか1つに記載のインク。
[7] インクにおける第1の溶媒及び第2の溶媒の合計の重量百分率が、95重量%以上99重量%以下である、[1]~[6]のいずれか1つに記載のインク。
[8] 光電変換素子の活性層形成用である、[1]~[7]のいずれか1つに記載のインク。
[9] [1]~[8]のいずれか1つに記載のインクの固化膜。
[10] 第1の電極と、p型半導体材料及びn型半導体材料を含む活性層と、第2の電極とをこの順で含み、前記活性層が[9]に記載の固化膜である、光電変換素子。
[11] 光検出素子である、[10]に記載の光電変換素子。
[12] [10]又は[11]に記載の光電変換素子を含む、イメージセンサー。
[13] [10]又は[11]に記載の光電変換素子を含む、指紋認証装置。
[14] [1]~[8]のいずれか1つに記載のインクを塗布対象に塗布して塗膜を得る工程(i)、及び得られた塗膜から溶媒を除去する工程(ii)を含む、固化膜の製造方法。
[15] 第1の電極と、p型半導体材料及びn型半導体材料を含む活性層と、第2の電極とをこの順で含む光電変換素子の製造方法であって、
前記活性層を形成する工程を含み、前記活性層を形成する工程が、[1]~[8]のいずれか1つに記載のインクを塗布対象に塗布して塗膜を得る工程(i)、及び得られた塗膜から溶媒を除去する工程(ii)を含む、光電変換素子の製造方法。
本明細書において、「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、1×103以上1×108以下である重合体を意味する。高分子化合物に含まれる構成単位は、合計100モル%である。
置換オキシカルボニル基は、炭素原子数が通常2~60程度であり、好ましくは炭素原子数が2~48である。
本発明のインクは、p型半導体材料と、n型半導体材料と、第1の溶媒と、第2の溶媒とを含む。
(第1の溶媒)
第1の溶媒は、含窒素複素環式化合物である。本発明のインクが、第1の溶媒として含窒素複素環式化合物を含むことにより、光電変換素子の外部量子効率を向上させることができる。その理由としては、本発明を限定するものではないが、下記の機構が推定される。
含窒素複素環式化合物の環構造(例、キノリン環構造、1,2,3,4-テトラヒドロキノリン環構造、キノキサリン環構造)が有していてもよい置換基としては、例えば、炭素原子数1~5のアルキル基、炭素原子数1~5のアルコキシ基、ハロゲン基、及びアルキルチオ基が挙げられる。
好ましくは、ピリジン環構造、テトラヒドロピリジン環構造、ピペリジン環構造、又はピラジン環構造を含む含窒素複素環式化合物であり、より好ましくはピリジン環構造、テトラヒドロピリジン環、又はピラジン環構造を含む含窒素複素環式化合物であり、
更に好ましくは置換基を有していてもよいキノリン、置換基を有していてもよい1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、及び置換基を有していてもよいキノキサリンからなる群から選択される1種以上であり、
更に好ましくはアルキル基を有するキノリン、アルキル基を有する1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、及びアルキル基を有するキノキサリンからなる群から選択される1種以上であり、
更に好ましくは、2-メチルキノリン、3-メチルキノリン、6-メチルキノリン、8-メチルキノリン、1,2,3,4-テトラヒドロキナルジン、及び2-メチルキノキサリンからなる群から選択される1種以上である。
好ましくは、置換基を有していてもよいキノリン、置換基を有していてもよい1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、又は置換基を有していてもよいキノキサリンであり、
より好ましくは、アルキル基を有するキノリン、アルキル基を有する1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、又はアルキル基を有するキノキサリンであり、
更に好ましくは、2-メチルキノリン、3-メチルキノリン、6-メチルキノリン、8-メチルキノリン、1,2,3,4-テトラヒドロキナルジン、又は2-メチルキノキサリンである。
第2の溶媒は、芳香族炭化水素である。第2の溶媒としては、p型半導体材料を溶解可能な溶媒が好ましい。
より好ましくはトルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、メシチレン、1,2,4-トリメチルベンゼン、n-ブチルベンゼン、sec-ブチルベンゼン、tert-ブチルベンゼン、メチルナフタレン、テトラリン、又はインダンである。
第1の溶媒及び第2の溶媒の組み合わせとしては、例えば下記の表に示す組み合わせが挙げられる。
第1の溶媒の第2の溶媒に対する重量比率(第1の溶媒/第2の溶媒)は、p型半導体材料及びn型半導体材料の溶解性をより良好とする観点から、好ましくは1/99以上、より好ましくは3/97以上、更に好ましくは5/95以上であり、好ましくは20/80以下、より好ましくは15/85以下、更に好ましくは10/90以下であり、好ましくは1/99以上20/80以下、より好ましくは3/97以上15/85以下、更に好ましくは5/95以上10/90以下である。
インクに含まれる第1の溶媒及び第2の溶媒の総重量は、インクの全重量100重量%に対して、p型半導体材料及びn型半導体材料の溶解性をより良好とする観点から、好ましくは90重量%以上、より好ましくは92重量%以上、更に好ましくは95重量%以上であり、一定の厚み以上の膜を形成し易くする観点から、好ましくは99重量%以下、より好ましくは98重量%以下、更に好ましくは97.5重量%以下である。
インクは、第1の溶媒及び第2の溶媒以外の任意の溶媒を含んでいてもよい。インクに含まれる全溶媒の合計重量100重量%に対して、任意の溶媒の含有率は、好ましくは5重量%以下であり、より好ましくは3重量%以下であり、更に好ましくは1重量%以下であり、特に好ましくは0重量%である。
p型半導体材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
n型半導体材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
Raは、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、又はエステル構造を有する基を表す。複数あるRaは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Rbは、アルキル基、又はアリール基を表す。複数あるRbは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
インク中のp型半導体材料及びn型半導体材料の重量比(p型半導体材料:n型半導体材料)は、1:9以上9:1以下であることが好ましく、1:9以上2:1以下であることがより好ましく、1:9以上1:1以下であることが更に好ましく、1:5以上1:1以下であることが特に好ましい。
インクには、上記第1の溶媒、第2の溶媒、p型半導体材料、及びn型半導体材料の他に、本発明の効果を阻害しない限度において、任意の成分が含まれていてもよい。
任意の成分としては、例えば、上述したような第1の溶媒及び第2の溶媒以外の溶媒、プロピオフェノン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、及び安息香酸ベンジルが挙げられる。
インクにおける、p型半導体材料及びn型半導体材料の合計の濃度は、0.01重量%以上20重量%以下であることが好ましく、0.01重量%以上10重量%以下であることがより好ましく、0.01重量%以上5重量%以下であることが更に好ましく、0.1重量%以上5重量%以下であることが特に好ましい。インク中、p型半導体材料及びn型半導体材料は溶解していても分散していてもよいが、好ましくは少なくとも一部が溶解しており、より好ましくは全部が溶解している。
インクは、公知の方法により製造することができる。例えば、第1の溶媒及び第2の溶媒を混合して混合溶媒を調製し、混合溶媒にp型半導体材料及びn型半導体材料を添加して製造する方法;第1の溶媒にp型半導体材料を添加し、第2の溶媒にn型半導体材料を添加してから、各材料が添加された第1の溶媒及び第2の溶媒を混合して製造する方法;などにより、製造することができる。
本発明のインクの用途は任意である。本発明のインクは、p型半導体材料及びn型半導体材料を含む膜を形成するために用いることができる。
本発明のインクは、光電変換素子に含まれる活性層を形成するために好適に用いられる。特に、本発明のインクを用いて形成された活性層を含む光検出素子は、逆バイアスの電圧を印加したときのEQEが向上している。したがって、本発明のインクは、光検出素子に含まれる活性層を形成するために特に好適に用いられる。
インクにより膜を形成した後、膜から溶媒を除去して膜を固化させると、インクの固化膜が得られる。
インクの固化膜は、任意の製造方法により製造することができる。インクの固化膜の製造方法の一実施形態は、インクを塗布対象に塗布して塗膜を得る工程(i)、及び得られた塗膜から溶媒を除去する工程(ii)を含む。
インクを塗布対象に塗布する方法としては、任意の塗布法を用いることができる。塗布法としては、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、インクジェットコート法、ノズルコート法、又はキャピラリーコート法が好ましく、スリットコート法、スピンコート法、キャピラリーコート法、又はバーコート法がより好ましく、スリットコート法又はスピンコート法が更に好ましい。
塗膜から、溶媒を除去する方法としては、任意の方法を用いることができる。溶媒を除去する方法の例としては、熱風乾燥法、赤外線加熱乾燥法、フラッシュランプアニール乾燥法、減圧乾燥法などの乾燥法が挙げられる。
本発明の光電変換素子は、第1の電極と、p型半導体材料及びn型半導体材料を含む活性層と、第2の電極とをこの順で含み、前記活性層がインクの固化膜である。
(活性層)
活性層は、p型半導体材料及びn型半導体材料を含む。また、活性層は、上記インクの固化膜である。p型半導体材料、n型半導体材料、インクの例及び好ましい例は、前記[2.インク]の項で説明した例と同様である。
第1の電極及び第2の電極は、少なくともいずれかが透明又は半透明の電極であることが好ましい。基板が、不透明である場合、第1の電極及び第2の電極のうち、基板から遠い方の電極が透明又は半透明であることが好ましい。
光電変換素子は、第1の電極、活性層、及び第2の電極以外の要素を含んでいてもよい。任意の要素としては、例えば、基板、正孔輸送層、電子輸送層、及び封止層が挙げられる。
光電変換素子は、通常、基板(支持基板)上に形成される。基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に化学的に変化しない材料で形成されていることが好ましい。基板の材料の例としては、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、及びシリコンが挙げられる。
光電変換素子は、陽極である電極と活性層との間に、正孔輸送層が設けられていてもよい。正孔輸送層は、活性層から電極へ正孔を輸送する機能を有する。
光電変換素子は、陰極である電極と活性層との間に、電子輸送層が設けられていてもよい。電子輸送層は、活性層から電極へ電子を輸送する機能を有する。電子輸送層は、電極に接していてもよい。電子輸送層は活性層に接していてもよい。
光電変換素子は、封止層を含んでいてもよい。封止層は、例えば、基板から遠い方の電極側に設けられる。封止層は、水分を遮断する性質(水蒸気バリア性)又は酸素を遮断する性質(酸素バリア性)を有する材料により形成することができる。
図1は、本発明の光電変換素子の一実施形態を示す模式図である。
本実施形態の光電変換素子10は、支持基板11の上に設けられており、陽極としての第1の電極12と、正孔輸送層13と、活性層14と、電子輸送層15と、第2の電極16とをこの順で含む。支持基板10が有する2つの主面のうちの1つの面に接するように、第1の電極12が設けられている。第1の電極12に接するように、正孔輸送層13が設けられている。正孔輸送層13に接するように、活性層14が設けられている。活性層14に接するように、電子輸送層15が設けられている。電子輸送層15に接するように、陰極としての第2の電極16が設けられている。支持基板11を構成する材料及び光電変換素子10が有する各要素(第1の電極12、正孔輸送層13、活性層14、電子輸送層15、第2の電極16)を構成する材料は、上記それぞれの要素を構成する材料として例に挙げた材料であり得る。
本発明の光電変換素子は、太陽光等の光が照射されることにより、電極間に光起電力が発生し、太陽電池として動作させることができる。また太陽電池を複数集積することにより薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。
既に説明した本発明の実施形態にかかる光電変換素子は、ワークステーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、入退室管理システム、デジタルカメラ、および医療機器などの種々の電子装置が備える検出部に好適に適用することができる。
図2は、固体撮像装置用のイメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。
このような機能素子、配線などにより、CMOSトランジスタ基板20には、信号読み出し回路などが、作り込まれている。
図3は、表示装置に一体的に構成される指紋検出部の構成例を模式的に示す図である。
指紋認証の実行時には、表示パネル部200の有機EL素子220から放射される光を用いて指紋検出部100が指紋を検出する。具体的には、有機EL素子220から放射された光は、有機EL素子220と指紋検出部100の光電変換素子10との間に存在する構成要素を透過して、表示領域200a内である表示パネル部200の表面に接するように載置された手指の指先の皮膚(指表面)によって反射される。指表面によって反射された光のうちの少なくとも一部は、間に存在する構成要素を透過して光電変換素子10によって受光され、光電変換素子10の受光量に応じた電気信号に変換される。そして、変換された電気信号から、指表面の指紋についての画像情報が構成される。
本発明の光電変換素子の製造方法は、第1の電極と、p型半導体材料及びn型半導体材料を含む活性層と、第2の電極とをこの順で含む光電変換素子の製造方法であって、前記活性層を形成する工程を含み、前記活性層を形成する工程が、上記インクを塗布対象に塗布して塗膜を得る工程(i)、及び得られた塗膜から溶媒を除去する工程(ii)を含む。
(外部量子効率(EQE)の測定方法)
光電変換素子に3Vの逆バイアス電圧を印加した状態で、ソーラーシミュレーター(分光計器製、商品名:CEP-2000型)を用いて、300nmから1200nmの波長範囲において10nmごとに一定の光子数(1.0×1016)の光を光電変換素子に照射し、発生する電流の電流値を測定し、公知の手法により波長300nmから1200nmにおけるEQEスペクトルを求めた。
本実施例では、下表に記載したp型半導体材料及びn型半導体材料を使用する。
材料P-2として、1-material社製、商品名:PCE10を使用する。
材料P-3として、1-material社製、商品名:PDTSTPDを使用する。
材料P-4として、Lumtec社製、商品名:PDPP3Tを使用する。
材料P-5として、特開2010-74127号公報に記載の方法を参考に合成された材料を使用する。
材料P-6として、WO2011/052709に記載の方法を参考に合成された材料を使用した。
材料N-1として、フロンティアカーボン社製、商品名:E100を使用した。
材料N-2として、アメリカンダイソース社製、商品名:ADS71BFAを使用する。
[A.インクの調製]
第1の溶媒として2-メチルキノリン、第2の溶媒としてプソイドクメンを用い、第1の溶媒と第2の溶媒との重量比を10:90として混合溶媒を調製した。前記混合溶媒に、p型半導体材料として材料P-1を組成物全体重量に対し2重量%、及びn型半導体材料として材料N-1を組成物全体重量に対し3重量%を混合し、80℃で12時間撹拌を行った後、孔径5μmのPTFEフィルターにて濾過を行い、インクとしての組成物(I-1)を得た。
スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を形成したガラス基板を用意した。ITO膜が形成されたガラス基板に対してオゾンUV処理による表面処理を行った。
ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸を水に溶解させた懸濁液(ヘレウス社製、Clevios P VP AI4083)を孔径0.45μmのフィルターで濾過した。濾過後の懸濁液を、表面処理された基板のITO側の表面にスピンコートして、40nmの厚みの膜を形成した。次いで、大気中において、膜が形成された基板をホットプレート上に載せ、200℃で10分間の条件で膜を乾燥させ、正孔輸送層を形成した。
次に、組成物(I-1)を、該正孔輸送層上にスピンコートした後、真空乾燥機中(0.1mbar)で乾燥を行い、活性層を形成した。乾燥後の活性層の厚みは、約400nmであった。
次いで、酸化亜鉛ナノ粒子(粒径20~30nm)の45重量%イソプロパノール分散液(テイカ社製,HTD-711Z)を、当該分散液の10倍重量部の3-ペンタノールで希釈し、塗布液を調製した。この塗布液を、スピンコートにより該活性層上に40nmの膜厚で塗布し、窒素ガス雰囲気下で乾燥させることにより電子輸送層を形成した。
その後、抵抗加熱蒸着装置内にて、電子輸送層の上にAg膜を約80nmの厚みで形成し、電極を形成した。次いで、UV硬化性封止剤を、電極が形成された基板の周囲に塗布し、ガラス板を張り合わせた後、UV光を照射することで封止し、光電変換素子を得た。得られた光電変換素子の形状は1cm×1cmの正方形であった。
得られた素子について、上記のとおりの方法で外部量子効率を測定した。300nmから1200nmの波長範囲において、最大の外部量子効率(EQE)は68%であった。結果を表6に示す。
第1の溶媒及び第2の溶媒として表5に示した溶媒を使用した以外は、実施例1の[A.インクの調製]に記載された手順と同様にして、組成物(I-2)~(I-6)及び(C-1)~(C-3)を調製した。
第1の溶媒および第2の溶媒として下表に記載した溶媒を使用し、p型半導体材料として材料P-1の代わりに材料P-6を使用した以外は、実施例1の[A.インクの調製]に記載された手順と同様にして、インクとしての組成物(I-7)~(I-11)及び(C-4)~(C-6)を調製した。
2 表示装置
10 光電変換素子
11、210 支持基板
12 第1の電極
13 正孔輸送層
14 活性層
15 電子輸送層
16 第2の電極
20 CMOSトランジスタ基板
30 層間絶縁膜
32 層間配線部
40 封止層
50 カラーフィルター
100 指紋検出部
200 表示パネル部
200a 表示領域
220 有機EL素子
230 タッチセンサーパネル
240 封止基板
Claims (11)
- p型半導体材料と、n型半導体材料と、含窒素複素環式化合物である第1の溶媒と、芳香族炭化水素である第2の溶媒とを含み、
前記n型半導体材料が、フラーレン及びフラーレン誘導体から選ばれる1種以上であり、
前記p型半導体材料が、下記式(I)で表される構成単位を含む高分子化合物である、インク。
Ar1及びAr2は、3価の芳香族複素環基を表し、Zは下記式(Z-1)~式(Z-7)のいずれか1つで表される基を表す。
Rは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、1価の複素環基、置換アミノ基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、置換オキシカルボニル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、又はニトロ基を表す。式(Z-1)~式(Z-7)のそれぞれにおいて、Rが2つ存在する場合、2つのRは互いに同一でも異なっていてもよい。)) - n型半導体材料が、フラーレン誘導体である、請求項1又は2に記載のインク。
- 含窒素複素環式化合物が、6員環構造を含み、前記6員環構造は、ヘテロ原子を1つ又は2つ含み、前記1つ又は2つのヘテロ原子はそれぞれ窒素原子である、請求項1~3のいずれか一項に記載のインク。
- 6員環構造が、ピリジン環構造、テトラヒドロピリジン環構造、ピペリジン環構造、又はピラジン環構造である、請求項4に記載のインク。
- 第1の溶媒が、置換基を有していてもよいキノリン、置換基を有していてもよい1,2,3,4-テトラヒドロキノリン、及び置換基を有していてもよいキノキサリンからなる群から選択される1種以上である、請求項1~5のいずれか1項に記載のインク。
- 第1の溶媒の第2の溶媒に対する重量比率(第1の溶媒/第2の溶媒)が、1/99以上20/80以下である、請求項1~6のいずれか1項に記載のインク。
- インクにおける第1の溶媒及び第2の溶媒の合計の重量百分率が、95重量%以上99重量%以下である、請求項1~7のいずれか1項に記載のインク。
- 光電変換素子の活性層形成用である、請求項1~8のいずれか1項に記載のインク。
- 請求項1~9のいずれか1項に記載のインクを塗布対象に塗布して塗膜を得る工程(i)、及び得られた塗膜から溶媒を除去する工程(ii)を含む、固化膜の製造方法。
- 第1の電極と、p型半導体材料及びn型半導体材料を含む活性層と、第2の電極とをこの順で含む光電変換素子の製造方法であって、
前記活性層を形成する工程を含み、前記活性層を形成する工程が、請求項1~9のいずれか1項に記載のインクを塗布対象に塗布して塗膜を得る工程(i)、及び得られた塗膜から溶媒を除去する工程(ii)を含む、光電変換素子の製造方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013504210A (ja) | 2009-09-04 | 2013-02-04 | プレックストロニクス インコーポレーティッド | 光電池ならびにジケトンベースおよびジケトピロロピロールベースのポリマーを含む、有機電子素子ならびにポリマー |
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WO2016059972A1 (ja) | 2014-10-14 | 2016-04-21 | 東レ株式会社 | 有機半導体組成物、光起電力素子、光電変換デバイスおよび光起電力素子の製造方法 |
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Family Cites Families (2)
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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