JP7119308B2 - マイクロ流路デバイス及び画像形成装置 - Google Patents

マイクロ流路デバイス及び画像形成装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7119308B2
JP7119308B2 JP2017153882A JP2017153882A JP7119308B2 JP 7119308 B2 JP7119308 B2 JP 7119308B2 JP 2017153882 A JP2017153882 A JP 2017153882A JP 2017153882 A JP2017153882 A JP 2017153882A JP 7119308 B2 JP7119308 B2 JP 7119308B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
fluid
contact angle
microfluidic device
flow path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017153882A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019030849A (ja
Inventor
誠 大木
英生 植村
和樹 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2017153882A priority Critical patent/JP7119308B2/ja
Publication of JP2019030849A publication Critical patent/JP2019030849A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7119308B2 publication Critical patent/JP7119308B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
  • Electrophotography Configuration And Component (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

本開示は、マイクロ流路デバイス及び画像形成装置に関する。
近年、微細加工技術により物理的に加工される流路を含むマイクロチップが、化学、バイオ、又は医療分野における分析技術用のデバイスとして提案されている(例えば、特許文献1~3参照)。
特開2005-007529号公報 特開2005-000744号公報 特表2006-523533号公報
しかし、特許文献1~3に記載のような従来技術は、数百μmサイズの高精度な流路パターンが物理的に加工されるマイクロチップが要求される。よって、加工時間に非常に長い時間を要するだけでなく、チップ単位の流路パターンの変更が高コストなものとなっている。さらに、流路を流れる流体が有機溶剤のように表面自由エネルギーが小さいものであれば、流体と流路表面との接触角が小さくなる。したがって、上記に記載のような従来技術では、表面自由エネルギーが小さい流体の場合には、低コストでありつつ、接触角の差を利用する流路パターンを迅速に形成可能なマイクロ流路デバイスを提供することができない恐れがある。
本開示はこのような状況に鑑みてなされたものであり、表面自由エネルギーが小さい流体であっても、低コストでありつつ、接触角の差を利用する流路パターンを迅速に形成させることができるようにするものである。
本開示の第1の側面であるマイクロ流路デバイスは、基材を含むマイクロ流路デバイスであって、前記基材の上に配置される層の表面は、流体が流れる流路を含む第1の領域と、前記第1の領域に隣接する第2の領域との間が面一となっており、前記第1の領域と流体との接触角をθaとし、前記第2の領域と流体との接触角をθa’とした場合に、全体境界条件式を満足するものであって、前記全体境界条件式は、θa’-θa>40°を満たし、前記第2の領域は、微細な凹凸形状となっており、前記流路の断面方向に沿った前記流路の幅の最小値をD(μm)とし、前記微細な凹凸形状のピッチの最大値をPmax(μm)とし、前記流路を流れる流体の幅の上限値を1000(μm)とした場合に、10×Pmax<D<1000を満たす
また、前記流路を流れる流体は、表面自由エネルギーが水よりも小さい、ことが好ましい。
また、前記第1の領域は、平面となっている、ことが好ましい。
また、前記第1の領域と流体との接触角であるθaは第1の境界条件式を満足するものであって、前記第1の境界条件式は、θa<90°で表されるものであり、前記第2の領域と流体との接触角であるθa’は第2の境界条件式を満足するものであって、前記第2の境界条件式は、θa’>90°で表されるものである、ことが好ましい。
また、前記層は、前記基材の表面上に形成される光触媒の薄膜である、ことが好ましい。
また、前記薄膜は、金属ナノ粒子を含む、ことが好ましい。
また、前記金属ナノ粒子は、金のナノ粒子を含む、ことが好ましい。
また、前記金属ナノ粒子は、アルミニウムのナノ粒子を含む、ことが好ましい。
また、本開示の第2の側面である画像形成装置は、露光装置を備える画像形成装置であって、前記露光装置は、照射光を照射自在であって、前記照射光により上記に記載のマイクロ流路デバイスに形成される前記流路を形成する。
本開示の第2の側面である画像形成装置は、表面自由エネルギーが小さい流体であっても、低コストでありつつ、接触角の差を利用する流路パターンを迅速に形成させることができるようにするものである。
本開示の第1及び第2の側面によれば、表面自由エネルギーが小さい流体であっても、低コストでありつつ、接触角の差を利用する流路パターンを迅速に形成させることができる。
本開示を適用した実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1の概略図である。 実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1の断面図である。 実施形態1に係る層5の表面と液体との接触角θを説明する図である。 実施形態1に係る第2の領域Jの一部を拡大した図である。 実施形態1に係る流路の断面に沿って、微細な凹凸形状の一例を示す図である。 実施形態1に係る流路の進行方向に沿って、微細な凹凸形状の一例を示す図である。 実施形態1に係る凸部J_1のピッチが狭い場合の流体Fと層5の表面との接触状態の一例を示す図である。 実施形態1に係る凸部J_1のピッチが広い場合の流体Fと層5の表面との接触状態の一例を示す図である。 実施形態1に係る金属ナノ粒子9を含むマイクロ流路デバイス1の断面図の一例である。 本開示を適用した実施形態2に係る画像形成装置50の構成例を示す図である。
以下、図面に基づいて本開示の実施形態を説明するが、本開示は以下の実施形態に限られるものではない。なお、本開示の実施形態の説明で使用されているように、「構成する」、「より成る」、「含む」、「含んでいる」、「有する」、「備える」又はそれらの他の何らかの同義語は、非排他的な包含関係を含むように意図される。例えば、要素の列挙を含むプロセス、方法、物品又は装置は、それらの要素だけに限定されることは必須でなく、明示的には列挙されていない又は本来備わっているはずの他の要素が、そのようなプロセス、方法、物品又は装置に含まれてもよい。さらに、明示的に言及しない限り、「又は」は包括的なものであり、排他的な和ではない。例えば、「条件A又はB」は、Aが存在し且つBが存在しない場合、Aが存在せず且つBが存在する場合、AもBも両方とも存在する場合の何れの場合でも満たされるものである。
実施形態1.
図1は、本開示を適用した実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1の概略図である。 図2は、実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1の断面図である。図1,2に示すように、マイクロ流路デバイス1は、基材3を含むものであって、基材3の上に層5が形成されるものである。基材3は、特に限定されるものではなく、例えば、ガラス、金属、樹脂、又はセラミックス等のようなものを使用することができる。層5の表面は、第1の領域Kと、第2の領域Jとを含む。第1の領域Kは、流体Fが流れる流路を含む。第2の領域Jは、第1の領域Kに隣接する。図1のA-A線に沿った断面図である図2に示すように、第1の領域Kと、第2の領域Jとの間は面一となっている。なお、流路の断面方向に沿った流路の幅の最小値を最小幅Dとする。
図3は、実施形態1に係る層5の表面と液体との接触角θを説明する図である。図3に示すように、ぬれとは気体である蒸気と固体である層5との界面が、液体と固体である層5との界面に置換される現象のことであって、接触角θが小さい場合にはぬれやすい状態を表し、接触角θが大きい場合にはぬれにくい状態を表す。第1の領域Kと、第2の領域Jとにより流路を形成するためには、第1の領域Kと流体Fとの接触角θaと、第2の領域Jと流体Fとの接触角θa’とで差異を生じさせるのが好ましい。例えば、接触角θaと接触角θa’との差異が小さければ、第1の領域Kと、第2の領域Jとはほぼ同じぬれ性を示すことになる。この場合、流路としての境界が曖昧になる。また、接触角θaと接触角θa’との差異が大きく、且つ接触角θa’と比べて接触角θaの方が小さい場合、液体はぬれやすい方に留まるため、流路を含む第1の領域Kに流体Fが留まる。よって、第1の領域Kに流路を形成するためには、接触角θaと接触角θa’との差異が大きく、且つ接触角θa’と比べて接触角θaの方が小さい方が好ましい。
具体的には、基材3と液体とのぬれ性、すなわち親水性及び疎水性を利用することにより、物理的な境界を設けることなく流路としての機能を発現させている。より具体的には、基材3に特殊な表面加工等がされていない場合、水溶液の液滴を滴下すると液体の表面張力と基材3の表面自由エネルギーから接触角θは約55°以上となり、液滴の状態で安定する。一方、基材3の表面の一部に親水加工を施すことにより基材3の表面自由エネルギーを低下させ、液体が抵抗無く流れていくときの接触角θは10°以下である。よって、本発明者等が鋭意検討した結果、流路を含む第1の領域Kは、接触角θaが10°以下であって、且つ流路を含まない第2の領域Jは、接触角θa’が約55°以上であれば、液体が第2の領域Jにもれることなく第1の領域K内を流れていくことができるとの知見を得て、その知見に基づき本開示を適用した実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1を完成させた。
つまり、接触角θa及び接触角θa’において、全体境界条件式を満足するものであって、全体境界条件式は、接触角θa’-接触角θa>40°で表されるものである。さらに、接触角θaは、第1の境界条件式を満足するものであって、第1の境界条件式は、接触角θa<90°で表されるものである。接触角θa’は、第2の境界条件式を満足するものであって、第2の境界条件式は、接触角θa’>90°で表されるものである。具体的には、ぬれは、接触角θを用いて3種類に分類することができる。接触角θは、液体を基材3のような固体表面に滴下したときの、液体の接線と、固体表面とのなす角度を表すものとする。接触角θ≒0°の場合、拡張ぬれと呼び、液体が固体表面をどこまでも広がっていく状態を表す。接触角θ=0°~90°の場合、浸漬ぬれと呼び、液体の広がりが0°<接触角θ≦90°のどこかで安定になる状態を表す。接触角θ>90°である場合、付着ぬれと呼び、ぬれが進行しない状態を表す。よって、第1の領域Kは、流路を含むものであるため、液体のぬれが進行することが求められる。そこで接触角θa≒0°又は0°<接触角θa≦90°が望ましい。一方、第2の領域Jは、流路外であって、第1の領域Kからのぬれの進行を食い止めることが求められるため、接触角θa’>90°であることが望ましい。したがって、第1の領域Kと第2の領域Jとにおいて、接触角θを90°を境に区分することで、ぬれの進行特性を明確に分けることが可能となる。
図4は、実施形態1に係る第2の領域Jの一部を拡大した図である。図1のB部を拡大した図4に示すように、第2の領域Jは、微細な凹凸形状となっている。凹凸形状は、微細構造であって、エッチング又は結晶成長等により、凸部J_1又は凹部J_2が形成される。凸部J_1は、四角柱、円柱、又は円錐等のさまざまな形状であってもよい。凹凸形状の規則性については、1方向のみに周期性を有する場合であっても疎水性の効果は発現するが、この場合には流抵抗が異方性を持つことになるため、用途に応じて流路パターン又は凹凸形状の種類を選択することが望ましい。
図5は、実施形態1に係る流路の断面に沿って、微細な凹凸形状の一例を示す図である。図6は、実施形態1に係る流路の進行方向に沿って、微細な凹凸形状の一例を示す図である。図5,6に示すように、流路の断面方向に沿った流路の幅の最小値を最小幅D(μm)とし、微細な凹凸形状のピッチの最大値を最大ピッチPmax(μm)とし、流路を流れる流体Fの上限値を上限幅Fmax(μm)とし、第1の領域Kと第2の領域Jとの界面における流抵抗の調整値をパラメーターRとすると、流抵抗条件は、パラメーターR×最大ピッチPmax<最小幅D<上限幅Fmaxで表される。例えば、パラメーターRを10とし、上限幅Fmaxを1000とすると、10×最大ピッチPmax<最小幅D<1000となる。この場合、最小幅Dに対して凸部J_1のピッチが1/10であれば、流体Fの一部からはみ出た凸部J_1が許容できることになる。
図7は、実施形態1に係る凸部J_1のピッチが狭い場合の流体Fと層5の表面との接触状態の一例を示す図である。図8は、実施形態1に係る凸部J_1のピッチが広い場合の流体Fと層5の表面との接触状態の一例を示す図である。図7,8に示すように、基材3の断面方向に沿った微細な凹凸形状の高さの最大値を最大高さHmaxとし、パラメーターR’とすると、高さ条件式は、最大高さHmax>最大ピッチPmax/パラメーターR’で表される。例えば、パラメーターR’を10とすると、最大高さHmax>最大ピッチPmax/10となる。この場合、図7に示すように、凹部J_2に空気Tが溜まり、流体Fと凸部J_1との接触面積が小さくなる。すなわち、流体Fと基材3の表面にある層5との接触面積が小さくなる。なお、図8の場合は、最大高さHmax<最大ピッチPmax/パラメーターR’となっており、凹部J_2と、凸部J_1との間に流体Fが入り、流体Fと基材3の表面にある層5との接触面積が小さくならない。なお、パラメーターR’は数字が大きくなるにつれ、最大ピッチPmaxが大きくなる又は最大高さHmaxが低くなるため、微細加工の精度は下がる。
図9は、実施形態1に係る金属ナノ粒子9を含むマイクロ流路デバイス1の断面図の一例である。図9に示すように、層5は、基材3の表面上に形成される光触媒の薄膜であって、金属ナノ粒子9を含む。金属ナノ粒子9は、金のナノ粒子又はアルミニウム等のようなナノ粒子を含む。流路は、光触媒の薄膜に紫外光が照射されて形成されるものである。光触媒の薄膜は、特に限定はないが、例えば、酸化チタン、窒素ドープ酸化チタン、炭素ドープ酸化チタン、硫黄ドーム酸化チタン、又は酸化亜鉛等を用いることができる。特に、コスト、ハンドリング性、及び安全性等のように触媒効率向上の観点からは、酸化チタンが望ましい。光触媒の薄膜は、スパッタ又は蒸着等により作成されるものであり、成膜した状態では疎水性を示し、紫外光を照射することで触媒効果が発現し超親水性を示す。紫外光は、UVレーザーによる照射、マスクパターンを作成してUVランプを照射する等のような各種照射方法がある。
光触媒は紫外光が照射されることにより触媒機能が発現するものであるが、そのままでは照射された光に対して利用効率は低い。そこで、光触媒に金属ナノ粒子9を含ませる。金属ナノ粒子9は、特に限定はないが、プラズモン光をより効果的に利用する観点からは、プラズモンを起こす物質のナノ粒子を含ませるのが望ましい。金属ナノ粒子9は、銀、金、銅、若しくはアルミニウム、又はこれらを含むあらゆる合金を含むことが望ましく、特に、金のナノ粒子又はアルミニウムのナノ粒子が望ましい。なお、アルミニウムのナノ粒子の粒径は、プラズモン光の吸収効率を考慮すると100nm以下が望ましい。また、図9に示すように、金属ナノ粒子9は、光触媒の薄膜である層5の上に析出させるのが望ましい。このような構成により、紫外光を照射された照射領域に含まれる金属ナノ粒子9近傍で発生したプラズモン光が光触媒に作用し、層5の一部は親水性に変化する。一方、紫外光が照射されない非照射領域は疎水性の状態を維持するため、紫外光の照射領域が第1の領域Kとして形成され、紫外光の非照射領域が第2の領域Jとして形成される。
次に、従来例について具体的に説明する。近年、微小な流路又はバルブ若しくはポンプ等をシリコン又はガラスの基板上に集積したマイクロチップは、化学、バイオ、又は医療分野における分析技術に応用する研究として盛んに検討されている。また、マイクロチップの市場は、年率20%で拡大成長しており、分析用途以外にも体外診断、医薬品の研究、又はドラッグデリバリー等への応用展開も期待されている。従来において、射出成形又はリソグラフィー等で流路を形成したマイクロチップが提供されている。従来技術においては、特定の型を作成してそれを流路形成の基材3に転写して形成されるものがある。このような従来技術においては、最初に流路パターンの型を作成し、それを複製するための同一仕様のマイクロチップを大量に生成するには理にかなうものである。しかし、流路パターンの型を転写するものであるため、個々に流路パターンに変化を持たせることは高コストであり、且つ製造工程が多いことからマイクロチップの完成までには非常に長い時間を要するものである。
また、機械切削で流路形成を行ったり、マスクを利用したフォトリソグラフィーによるエッチングプロセスで作成されたりするものがある。このような従来技術においては、個々に流路パターンを作成することは可能であるが、切削プロセスは非常に高い精度が要求される機械加工になるため、大型の設備が必要であり、マイクロチップを1つ作成するだけで数日の時間を要する。また、リソグラフィーによる場合も設備投資が膨大であり、且つ流路パターンを露光した後のエッチング加工プロセスで時間を膨大に要する。要するに、従来技術は、高コストであって、多大な時間を要するものである。
このようなことを引き起こす最大の要因は、従来技術では、数百μmサイズの高精度な流路パターンを物理的に加工することでマイクロチップを作成している点にある。物理的に高精度な流路パターンを前提としているため、加工方法に制約が生じ、さらには加工時間又はチップ単位での流路パターンの可変対応不可ということになる。特に、体外診断又は研究開発においては多様な解析を行う必要があるため、流路パターンも適宜最適化を行った上で迅速に入手したいという要望がある。そのような要望に対し、従来技術では対応しきれていないのが現状である。
一方、シリコン又はガラスの基板上に物理的な加工を施すことなく任意形状に流路パターンを形成するには、基材3と液体とのぬれ性、すなわち、親水性及び疎水性を利用するのが望ましい。一般的に、ぬれとは、気体と固体との界面が液体と固体との界面に置換される現象であって、接触角θが小さければぬれやすい状態となり、接触角θが大きければぬれにくい状態となる。つまり、流体Fを通したい領域を親水性、すなわち接触角θが小さい領域にし、流体Fを通したくない領域を疎水性、すなわち接触角θが大きい領域にすることで、流体Fは親水性の領域を通るため、物理的な境界を設けることなく流路を形成することが可能となる。
具体的には、物理的な境界を設けることなく流路としての機能を発現させるため、基材3と液体とのぬれ性、すなわち親水性及び疎水性を利用している。流路としての第1の領域Kと、流路外の第2の領域Jとにおいて、流路を形成するためには、第1の領域Kにおける接触角θaと、第2の領域Jにおける接触角θa’との差の大きさがある程度は必要である。例えば、第1の領域Kにおける接触角θaと、第2の領域Jにおける接触角θa’との差が小さければ、ほぼ同じぬれ性を示すため、流路としての境界が曖昧となる。一方、第1の領域Kにおける接触角θaと、第2の領域Jにおける接触角θa’との差が大きく、特に流路としての第1の領域Kにおける接触角θaの方が第2の領域Jにおける接触角θa’よりも小さければ、液体はぬれやすい方に留まるため、流路としての第1の領域Kに留まり続ける。よって、第1の領域Kにのみ親水加工を施すことで第1の領域Kにおける接触角θaが小さくなるため、第1の領域Kにおける接触角θaと第2の領域Jにおける接触角θa’との差をつけることができる。
一方、有機化合物又はエタノール若しくは界面活性剤のような薬品を流体Fとする場合、流体Fの表面自由エネルギーが小さい。流体Fの表面自由エネルギーが小さい場合、基材3に親水加工を施す前から基材3と流体Fとの接触角θが小さいため、親水加工を施したとしても、第1の領域Kにおける接触角θaと第2の領域Jにおける接触角θa’との差の大きさを必要なだけ確保することができない。よって、流体Fにおける基材3との接触角θの差異を利用して流路を形成することが難しい。
具体的には、接触角θを決める要素は、流体Fの表面自由エネルギーと、流体Fに触れている箇所における基材3の表面自由エネルギーとのギャップである。流体Fの表面自由エネルギーは物性値として固定値であるため、制御することは不可能である。一方、基材3は、基材3の表面自由エネルギー=化学表面自由エネルギー+物理表面自由エネルギーとなる関係が成立する。化学表面自由エネルギーは、流体Fと同様に物性値として固定値であるため、制御することは不可能である。しかし、物理表面自由エネルギーは基材3の表面の形状を変えることにより制御することができるものである。
そこで、本開示を適用した実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1は、第1の領域Kと第2の領域Jとの間が面一に形成されるものであるため、第1の領域Kには切削により微細加工された流路が存在しない。また、第1の領域Kと、第2の領域Jとで接触角θの差異が40°以上であるため、第2の領域Jに比べ、第1の領域Kの方が表面自由エネルギーが低下する。さらに、第2の領域Jは、微細な凹凸形状となっているため、微細構造の中に空気Tをトラップすることで流体Fと基材3との接触面積を低減させて見かけ上の表面自由エネルギーを低減させている。よって、第2の領域Jにおいて、基材3の表面が平滑な場合に比べ、物理表面自由エネルギーを低減させ、流体Fの表面自由エネルギーと流体Fに触れている箇所における基材3の表面自由エネルギーとのギャップを大きくすることができる。つまり、第2の領域Jの疎水性をより大きくすることができる。よって、流体Fは第1の領域Kには流れ、第2の領域Jには流れない。以上のことから、切削により微細加工された流路が存在せず、第1の領域Kと、第2の領域Jとで差異が40°以上となるような異なる接触角θが生じ、第2の領域Jの疎水性がより大きくなる表面にすることで流体Fを流す流路パターンが形成される。したがって、表面自由エネルギーが小さい流体Fであっても、低コストでありつつ、接触角θの差を利用する流路パターンを迅速に形成させることができる。
また、本開示を適用した実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1において、流路を流れる流体Fは、表面自由エネルギーが水よりも小さい。一般的に水の表面自由エネルギーは73mN/m程度である。一方、エタノール又はヘキサン等のような有機溶剤の表面自由エネルギーは、10~20mN/m程度であるため、水と比べて表面自由エネルギーが小さい。基材3に使用される材料は、樹脂又はゴムのように表面自由エネルギーが40mN/m程度であって、基材3の表面が平滑であり、水が基材3に滴下される場合に接触角θは60°以上が確保される。しかし、上記条件において、有機溶剤のように表面自由エネルギーが低い流体Fが基材3に滴下される場合、表面自由エネルギーは、流体Fよりも基材3の方が大きくなるため、最初から親水性を示す。よって、流路を流れる流体Fにおいて、表面自由エネルギーが水よりも小さいものは、最初から親水性を示すため、マイクロ流路デバイス1に形成される流路パターンは、特に顕著に接触角θの差を利用したものとなる。
また、本開示を適用した実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1において、流抵抗条件式は、パラメーターR×最大ピッチPmax<最小幅D<上限幅Fmaxで表される。第1の領域Kに含まれる流路と、第2の領域Jに含まれる流路外とが基材3に形成されている場合、第1の領域Kと、第2の領域Jとの境界線上には微細構造の凸部J_1が存在する。つまり、第1の領域Kと、第2の領域Jとの界面においては、微細構造の凸部J_1の一部が流体Fからはみ出して存在する。よって、流体Fからはみ出した微細構造の凸部J_1の一部は、第1の領域Kと、第2の領域Jとの界面における流抵抗となる。このような流抵抗は、流路内の速度分布を不均一にさせやすくなり、且つ乱流が生じやすくなる。したがって、微細な凹凸形状のピッチを流路の幅に対して十分に小さくすることにより、第1の領域Kと、第2の領域Jとの界面における流抵抗を減らし、且つ流路内の速度分布を均一にさせる層流を流路内に形成させることができる。
また、本開示を適用した実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1において、高さ条件式は、最大高さHmax>最大ピッチPmax/パラメーターR’で表される。高さ条件式は、微細な凹凸形状に空気Tがより留まりやすくなる条件である。具体的には、微細構造の凹部J_2に空気Tをトラップした場合、基材3と流体Fとの接触部位は微細構造の凹部J_2には進入せず、基材3と流体Fとの界面は、微細構造の凸部J_1の上面に作用する表面張力に逆らいつつ不連続に凸部J_1を移動する。よって、基材3と流体Fとの界面が不連続に移動する距離は短い。つまり、微細な凹凸形状のピッチが小さくなるにつれ、空気Tのトラップを維持しやすくなる。一方、微細な凹凸形状のピッチが大きくなるにつれ、基材3と流体Fとの界面が微細構造の凸部J_1の移動に必要なエネルギーが大きくなりすぎる。よって、基材3と流体Fとの接触部位は微細構造の凹部J_2に進入し、空気Tのトラップが失われる。よって、基材3と流体Fとの接触部位は増えるため、疎水性が失われる。例えば、微細な凹凸形状としては、径20μm且つ高さ3μmの円柱状の突起が40μmのピッチで均等に並んでいる。したがって、第2の領域Jにおいて、疎水性の維持を容易にすることができる。なお、微細構造の周期となる最大ピッチPmaxは、なるべく微細な方が望ましい。また、微細な凹凸形状のピッチは均等であることが好ましいが、必ずしも均等である必要はない。
また、本開示を適用した実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1において、第1の領域Kは、平面となっている。例えば、基材3の表面に熱可塑性樹脂で凹凸形状を形成しておき、第1の領域Kにのみレーザー光を照射し、その照射熱で凹凸形状を壊して平面を形成してもよい。また、凹凸形状を有する基材3の表面にUV硬化性樹脂を塗布し、第1の領域KにのみUV光を照射すれば凹凸形状が樹脂で埋まり、その後に未硬化のUV硬化性樹脂を除去することで第1の領域Kに平面を形成してもよい。また、形状記憶機能を有する高分子材料で凹凸形状を形成しておき、第1の領域Kにのみ光を照射することで、凹凸形状を変化させることで第1の領域Kに平面を形成してもよい。つまり、第1の領域Kが平面となっていることにより、第1の領域Kにおいて流体Fと基材3との接触面積が増えるため、親水性が高まる。よって、第1の領域Kと流体Fとの接触角θaと、第2の領域Jと流体Fとの接触角θa’とのギャップが大きくなり、流体Fが流路外に漏れるのを抑制することができる。
また、本開示を適用した実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1において、第1の領域Kと流体Fとの接触角θaは90°未満であるため、第1の領域Kは拡張ぬれ又は浸漬ぬれの状態である。よって、第1の領域Kでは液体によるぬれが進行する。一方、第2の領域Jと流体Fとの接触角θa’は90°を超えるため、第2の領域Jは付着ぬれの状態である。よって、第2の領域Jでは液体によるぬれが進行しないため、第1の領域Kからの液体によるぬれの進行を食い止めることができる。したがって、第1の領域Kと第2の領域Jとで接触角θを90°を境に区分することにより、液体ぬれの進行特性を明確に分けることができる。
また、本開示を適用した実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1において、層5は、基材3の表面上に形成される光触媒の薄膜である。流路は、光触媒の薄膜に紫外光が照射されて形成されるものである。光触媒の薄膜は、紫外光が照射されることにより触媒効果が発現して超親水性を示すようになる。よって、光触媒の薄膜が基材3の表面上に形成されていれば、流路として形成する箇所に紫外光を照射するだけで照射箇所が親水性に変化し、流路として機能させることができる。
また、本開示を適用した実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1において、薄膜は、金属ナノ粒子9を含む。つまり、金属ナノ粒子9と光触媒とを共存させることにより、金属ナノ粒子9の一部で起きるプラズモン共鳴が、光触媒における光の利用効率を飛躍的に向上させることができる。
また、本開示を適用した実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1において、金属ナノ粒子9は、金のナノ粒子を含む。金のナノ粒子は助触媒として作用するため、光触媒の活性効率を高めることができる。よって、露光時間を短縮することができ、且つ光学系をコンパクト化することができる。
また、本開示を適用した実施形態1に係るマイクロ流路デバイス1において、金属ナノ粒子9は、アルミニウムのナノ粒子を含む。アルミニウムのナノ粒子は、紫外光領域でプラズモン共鳴を起こす物質である。アルミニウムのナノ粒子に紫外光が照射されると、プラズモン共鳴が発生することにより、アルミニウムのナノ粒子の近傍に照射された紫外光は、電場として留まる。このような電場は光触媒に作用するものである。よって、光触媒の活性効率を高めることができる。したがって、露光時間を短縮することができ、且つ光学系をコンパクト化することができる。
実施形態2.
実施形態2においては、流路を形成する画像形成装置50について説明する。図10は、本開示を適用した実施形態2に係る画像形成装置50の構成例を示す図である。図10に示すように、画像形成装置50は、読取部511と、画像形成装置本体519とを備える。読取部511は、ADF511Aと、原稿読取部511Bとを備える。ADF511Aは、原稿トレイ513、通紙経路515、排紙トレイ517、密着型イメージセンサー521、及び濃度基準部材523等を備える。濃度基準部材523は、ADF511Aのシェーディング補正時に利用される。原稿読取部511Bは、原稿照明部525、反射ミラー526、集光レンズ527、センサー528、及びプラテンガラス529等を備える。読取部511は、原稿トレイ513にセットされている原稿を、1枚ずつ分離して繰り出し、密着型イメージセンサー521が配置されている通紙経路515に沿って副走査方向に搬送し、排紙トレイ517に排紙する。原稿照明部525は、ランプ525Aと、ミラー525Bとを備える。原稿は通紙経路515に沿って副走査方向に搬送されつつ、主走査方向のライン単位の読取動作が、原稿照明部525、反射ミラー526、集光レンズ527、及びセンサー528により繰り返し実行される。
画像形成装置本体519は、画像形成部541、定着部543、及び給紙部545等を備える。画像形成部541は、露光装置551と、現像装置553と、感光ドラム555と、転写ベルト557とを備える。画像形成部541は、読取部511により読み取られた原稿の画像データに基づき、露光装置551により感光ドラム555に異なる色のトナーを供給して現像する。画像形成部541は、転写ベルト557により感光ドラム555に現像されたトナー像を給紙部545から供給された用紙に転写する。画像形成部541は、用紙に転写されたトナー像のトナーを定着部543で融解させることにより、用紙にカラー画像が定着する。
つまり、画像形成装置50は、露光装置551を備えるものであって、露光装置551は、照射光を照射自在である。よって、露光装置551は、照射光によりマイクロ流路デバイス1に形成される流路を形成するものである。具体的には、露光装置551は、光触媒の薄膜に照射光を照射することにより照射領域を親水領域に形成できるので、親水領域と疎水領域とを層5上に形成できる。しかも、露光装置551は、適宜照射光の照射位置を制御することができるため、任意の流路パターンを層5の表面上に形成することができる。したがって、画像形成装置50は、表面自由エネルギーが小さい流体Fであっても、低コストでありつつ、接触角θの差を利用する流路パターンを迅速に形成することができる。
以上、本開示を適用したマイクロ流路デバイス1を実施形態に基づいて説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で、変更を加えてもよい。
例えば、本実施形態においては、層5の上が開放状態である一例について説明したが、特にこれに限定されるものではない。例えば、層5の上に、層5の縁に沿った枠を置き、さらにその枠の上に蓋として機能する部材を被せ、流路への異物の混入を防いでもよい。
1 マイクロ流路デバイス、3 基材、5 層、9 金属ナノ粒子
50 画像形成装置
511 読取部、511A ADF、511B 原稿読取部、513 原稿トレイ
515 通紙経路、517 排紙トレイ、519 画像形成装置本体
521 密着型イメージセンサー、523 濃度基準部材
525 原稿照明部、525A ランプ、525B ミラー、526 反射ミラー
527 集光レンズ、528 センサー、529 プラテンガラス
541 画像形成部、543 定着部、545 給紙部
551 露光装置、553 現像装置、555 感光ドラム、557 転写ベルト
K 第1の領域、J 第2の領域、F 流体
θ,θa,θa’ 接触角
J_1 凸部、J_2 凹部、T 空気、D 最小幅、Pmax 最大ピッチ
Hmax 最大高さ、Fmax 上限幅、R,R’ パラメーター

Claims (9)

  1. 基材を含むマイクロ流路デバイスであって、
    前記基材の上に配置される層の表面は、
    流体が流れる流路を含む第1の領域と、前記第1の領域に隣接する第2の領域との間が面一となっており、
    前記第1の領域と流体との接触角をθaとし、前記第2の領域と流体との接触角をθa’とした場合に
    θa’-θa>40°を満たし
    前記第2の領域は、
    微細な凹凸形状となっており、
    前記流路の断面方向に沿った前記流路の幅の最小値をD(μm)とし、前記微細な凹凸形状のピッチの最大値をPmax(μm)とし、前記流路を流れる流体の幅の上限値を1000(μm)とした場合に
    10×Pmax<D<1000を満たす
    マイクロ流路デバイス。
  2. 前記流路を流れる流体は、
    表面自由エネルギーが水よりも小さい、
    請求項1に記載のマイクロ流路デバイス。
  3. 前記第1の領域は、
    平面となっている、
    請求項1又は請求項2に記載のマイクロ流路デバイス。
  4. 前記第1の領域と流体との接触角であるθaは第1の境界条件式を満足するものであって、
    前記第1の境界条件式は、
    θa<90°で表されるものであり、
    前記第2の領域と流体との接触角であるθa’は第2の境界条件式を満足するものであって、
    前記第2の境界条件式は、
    θa’>90°で表されるものである、
    請求項1に記載のマイクロ流路デバイス。
  5. 前記層は、
    前記基材の表面上に形成される光触媒の薄膜である、
    請求項1~の何れか一項に記載のマイクロ流路デバイス。
  6. 前記薄膜は、
    金属ナノ粒子を含む、
    請求項に記載のマイクロ流路デバイス。
  7. 前記金属ナノ粒子は、
    金のナノ粒子を含む、
    請求項に記載のマイクロ流路デバイス。
  8. 前記金属ナノ粒子は、
    アルミニウムのナノ粒子を含む、
    請求項に記載のマイクロ流路デバイス。
  9. 露光装置を備える画像形成装置であって、
    前記露光装置は、
    照射光を照射自在であって、前記照射光により請求項の何れか一項に記載のマイクロ流路デバイスに形成される前記流路を形成する、
    画像形成装置。
JP2017153882A 2017-08-09 2017-08-09 マイクロ流路デバイス及び画像形成装置 Active JP7119308B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017153882A JP7119308B2 (ja) 2017-08-09 2017-08-09 マイクロ流路デバイス及び画像形成装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017153882A JP7119308B2 (ja) 2017-08-09 2017-08-09 マイクロ流路デバイス及び画像形成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019030849A JP2019030849A (ja) 2019-02-28
JP7119308B2 true JP7119308B2 (ja) 2022-08-17

Family

ID=65522804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017153882A Active JP7119308B2 (ja) 2017-08-09 2017-08-09 マイクロ流路デバイス及び画像形成装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7119308B2 (ja)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000042402A (ja) 1998-07-29 2000-02-15 Kawamura Inst Of Chem Res 液体輸送デバイス及びその製造方法
JP2006523533A (ja) 2003-04-15 2006-10-19 インテグリス・インコーポレーテッド 超撥水性表面を有するマイクロ流体装置
JP2007256237A (ja) 2006-03-27 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ化学チップおよびその製造方法
JP2008246348A (ja) 2007-03-29 2008-10-16 Fujifilm Corp マイクロ化学チップ及びその製作方法
JP2013121671A (ja) 2011-12-09 2013-06-20 Fuji Xerox Co Ltd 画像記録装置
JP2014018721A (ja) 2012-07-17 2014-02-03 Sharp Corp 光触媒、その製造方法および浄化装置
JP2015199065A (ja) 2014-03-31 2015-11-12 新日鉄住金化学株式会社 光触媒およびその製造方法
JP2016070827A (ja) 2014-09-30 2016-05-09 大日本印刷株式会社 蛋白質吸着抑制用表面構造体、マイクロ流路、及びマイクロチップ
JP2017080820A (ja) 2015-10-22 2017-05-18 学校法人立命館 流体デバイスの製造方法および流体デバイス

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000042402A (ja) 1998-07-29 2000-02-15 Kawamura Inst Of Chem Res 液体輸送デバイス及びその製造方法
JP2006523533A (ja) 2003-04-15 2006-10-19 インテグリス・インコーポレーテッド 超撥水性表面を有するマイクロ流体装置
JP2007256237A (ja) 2006-03-27 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ化学チップおよびその製造方法
JP2008246348A (ja) 2007-03-29 2008-10-16 Fujifilm Corp マイクロ化学チップ及びその製作方法
JP2013121671A (ja) 2011-12-09 2013-06-20 Fuji Xerox Co Ltd 画像記録装置
JP2014018721A (ja) 2012-07-17 2014-02-03 Sharp Corp 光触媒、その製造方法および浄化装置
JP2015199065A (ja) 2014-03-31 2015-11-12 新日鉄住金化学株式会社 光触媒およびその製造方法
JP2016070827A (ja) 2014-09-30 2016-05-09 大日本印刷株式会社 蛋白質吸着抑制用表面構造体、マイクロ流路、及びマイクロチップ
JP2017080820A (ja) 2015-10-22 2017-05-18 学校法人立命館 流体デバイスの製造方法および流体デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019030849A (ja) 2019-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI452439B (zh) 微影裝置
TWI424280B (zh) 流體處置結構、微影裝置及元件製造方法
TWI451205B (zh) 流體處理結構,微影裝置及元件製造方法
JP5361108B2 (ja) ナノストラクチャまたはマイクロストラクチャ表面の液体の移動を制御するための方法および装置
TWI394011B (zh) 微影裝置及器件製造方法
JP5270700B2 (ja) 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI431432B (zh) 流體處理結構、微影裝置及元件製造方法
TWI422988B (zh) 微影裝置、控制微影裝置的方法及器件製造方法
TWI422989B (zh) 基板台、浸潤微影裝置及器件製造方法
TWI424279B (zh) 流體處理器件、浸潤微影裝置及器件製造方法
TW201142525A (en) A lithographic apparatus and a device manufacturing method
TW201214061A (en) Lithographic apparatus, cover for use in a lithographic apparatus and method for designing a cover for use in a lithographic apparatus
TWI476542B (zh) 流體處置結構,微影裝置及元件製造方法
TWI559073B (zh) 流體處置結構,微影裝置及元件製造方法
TW201724349A (zh) 基板固持器、微影裝置及製造器件之方法
US9829798B2 (en) Flow lithography technique to form microstructures using optical arrays
JP7119308B2 (ja) マイクロ流路デバイス及び画像形成装置
JP2009300507A (ja) 回折レンズならびにその製造方法および製造装置
TWI485534B (zh) 微影裝置及其控制方法及器件製造方法
JP7031166B2 (ja) マイクロ流路デバイス及び画像形成装置
CN113253577A (zh) 衬底台、光刻设备和操作光刻设备的方法
TWI678473B (zh) 流體處置結構及微影裝置
JP2017024170A (ja) マイクロ流路装置
JP2011014901A (ja) 流体ハンドリング構造体、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
TWI624736B (zh) 微影裝置,投影系統,最終透鏡元件,液體控制部件及器件製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200721

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210625

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210824

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220125

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220316

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220705

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220718

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7119308

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150