JP7114630B2 - 基板及び膜厚分布計測システム及び方法 - Google Patents

Description

本件開示は基板及び膜厚の計測に関し、具体的には質量ゲージとデュアルインタフェロメータ（干渉計）での計測結果との利用により基板又は膜厚分布を求めることに関する。

（関連出願への相互参照）
本願は、「ウェハ及び膜厚分布計測のためＷＳＰＷＧにて質量ゲージを用いる方法」(METHOD TO USE MASS GAUGE IN WSPWG FOR WAFER AND FILM THICKNESS DISTRIBUTION MEASUREMENT)と題しＤｅｎｇｐｅｎｇ Ｃｈｅｎ及びＡｎｄｒｅｗ Ｚｅｎｇを発明者とする２０１７年２月８日付米国仮特許出願第６２／４５６，６５１号に基づき米国特許法第１１９条（ｅ）の規定による利益を主張する出願であるので、この参照を以てその全容を本願に繰り入れることにする。

インタフェロメトリ（干渉法）は標本に備わる一通り又は複数通りの空間特性を計測するのに役立つ技術であり、例えば半導体ウェハを初めあらゆる半導体又は非半導体基板の空間特性を、その標本の試験面で反射された照明に係る情報に基づき計測することができる。半導体製造で求められる正確性及び精度の水準は高まり続けており、インタフェロメトリ技術を改良することが、昨今の製造テクノロジでの要請を満たす上で必要とされている。ウェハ又は薄膜の絶対厚み分布ｔ（ｘ，ｙ）の計測が望まれることも多い。現状では、ベアウェハの絶対厚み分布ｔ（ｘ，ｙ）の計測が、デュアルインタフェロメトリ計測と静電容量ゲージ（ＣＧ）又は光学厚ゲージ（ＯＴＧ）計測との組合せを、そのウェハ上で実行することで成し遂げられている。

米国特許第６，８４７，４５８号明細書 米国特許第８，０６８，２３４号明細書 米国特許出願公開第２０１４／０２９３２９１号明細書 米国特許第７，８４７，９５４号明細書

Klaus Freischlad et al., "Interferometry for Wafer Dimensional Metrology",Proc. SPIE 6672, 1(2007)

ＣＧ計測は静電容量性変位センサの使用を伴うので、概ね接地可能な基板を計測する場合でしか用いえない。ＯＴＧ計測はレーザ変位センサの使用を伴うので、入射レーザビームに対し反射性を呈する素材表面しか感知できない。これらの手法はどちらも多大な制約に煩わされている。従って、上述した従来手法の短所が克服されるシステム及び方法を提供することが望ましい。

本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い基板及び／又は膜厚計測システムが開示される。ある実施形態のシステムは、基板横断的に平坦度を計測するよう構成されたデュアルインタフェロメータサブシステムを有する。また、ある実施形態のシステムは、その基板の質量を計測するよう構成された質量センサを有する。また、ある実施形態のシステムは、それらデュアルインタフェロメータサブシステム及び質量センサに可通信結合されたコントローラを有する。また、ある実施形態では、そのコントローラが１個又は複数個のプロセッサを有するものとされ、その１個又は複数個のプロセッサが、メモリ内に格納された一組のプログラム命令を実行するよう構成される。また、ある実施形態では、その一組のプログラム命令が、当該１個又は複数個のプロセッサに、デュアルインタフェロメータサブシステムでの一通り又は複数通りの平坦度計測結果と、質量センサでの一通り又は複数通りの質量計測結果と、に基づき、その基板及びその基板上に堆積された膜のうち少なくとも一方の厚み分布を、その基板上での位置の関数として求めさせるよう、構成される。

本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い基板厚計測方法が開示される。ある実施形態の方法では、基板についての一通り又は複数通りの平坦度計測結果でありその基板上での位置の関数であるものを獲得する。また、ある実施形態の方法では、その基板についての一通り又は複数通りの質量計測結果を獲得する。また、ある実施形態の方法では、当該一通り又は複数通りの質量計測結果に基づきその基板の平均厚を求める。また、ある実施形態の方法では、当該一通り又は複数通りの平坦度計測結果と、その基板の平均厚と、に基づき、その基板の一通り又は複数通りの厚み分布でありその基板上での位置の関数であるものを求める。また、ある実施形態の方法では、その基板について求めた一通り又は複数通りの厚み分布に基づき、１個又は複数個の処理ツールを調整する。

本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い膜厚計測方法が開示される。ある実施形態の方法では、基板上への膜堆積前における、基板についての第１平坦度計測結果及び第１質量計測結果を、獲得する。また、ある実施形態の方法では、その基板上への膜堆積前の当該一通り又は複数通りの質量計測結果に基づき、その基板の平均厚を求める。また、ある実施形態の方法では、基板上への膜堆積後における、その基板についての第２平坦度計測結果及び第２質量計測結果を獲得する。また、ある実施形態の方法では、その基板上への膜堆積後の当該一通り又は複数通りの質量計測結果に基づき、その基板の平均厚を求める。また、ある実施形態の方法では、膜堆積前の第１平坦度計測結果及び第１平均厚と、その基板上への膜堆積後の第２平坦度計測結果及びその基板の第２平均厚と、に基づき、その基板上での位置の関数たるその膜の厚み分布を求める。また、ある実施形態の方法では、その膜について求めた厚み分布に基づき、１個又は複数個の処理ツールを調整する。

本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い、１個又は複数個のプレ層上に堆積された膜に関し膜厚を計測する方法が開示される。ある実施形態の方法では、基板上への膜堆積前且つその基板上への１個又は複数個のプレ層の堆積後における、基板についての第１平坦度計測結果及び第１質量計測結果を受け取る。また、ある実施形態の方法では、その基板のプレ層上への膜堆積後における、その基板についての第２平坦度計測結果及び第２質量計測結果を受け取る。また、ある実施形態の方法では、その膜の密度、第１平坦度計測結果、その基板の第１質量、第２平坦度計測結果、並びにその基板の第２質量に基づき、その基板上での位置の関数たるその膜の厚みを求める。

本件技術分野に習熟した者（いわゆる当業者）であれば、以下の如き添付図面を参照することで、本件開示の多数の長所をより良好に理解できよう。

本件開示の１個又は複数個の実施形態に係る基板又は膜厚分布計測システムのブロック図である。 本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るデュアルインタフェロメータサブシステムの概略模式図である。 本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るデュアルインタフェロメータサブシステムのキャビティの概略模式図である。 本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り、基板上における膜／被覆堆積プロセスの概念図である。 本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り、１個又は複数個のプレ層を有する基板上における膜堆積プロセスの概念図である。 本件開示の１個又は複数個の実施形態に係る基板厚分布計測方法を記した処理フロー図である。 本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り、基板上に堆積された膜についての厚み分布計測方法を記した処理フロー図である。 本件開示の１個又は複数個の実施形態に係り、１個又は複数個のプレ層を有する基板上に堆積された膜についての厚み分布計測方法を記した処理フロー図である。

以下、添付図面に描かれている被開示主題を詳細に参照する。

図１～図６には、本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い、基板又は膜の厚み分布を計測するシステム及び方法が描かれている。本件開示の諸実施形態では、ある基板についての一通り又は複数通りの質量計測結果の利用により、その基板に係る厚み分布を求めることを、目指している。本件開示の諸実施形態では、ある基板についての一通り又は複数通りの質量計測結果の利用により、その基板上に堆積された膜（例．金属膜又は誘電体膜）に係る厚み分布を求めることも、目指している。この計測プロセスに適する膜には、これに限られるものではないが、シリコン膜（例．エピタキシャル成長シリコン膜）、炭素膜（例．炭素ハードマスク）、タングステン膜、フォトレジスト、酸化物膜、窒化物膜及びポリ層（例．ポリシリコン層）がある。本件開示の諸実施形態では、その上に１個又は複数個のプレ層（例．金属又は誘電体プレ層）が形成された基板についての一通り又は複数通りの質量計測結果の利用により、その基板上に堆積された膜に係る厚み分布を求めることも、目指している。

本件開示の１個又は複数個の実施形態は、これに限られるものではないが膜透明度、導電率等々を初め、その膜及び基板に備わるある種の素材特性についての知識が必要ない点で、ひときわ優れている。更に、本件開示の１個又は複数個の実施形態は、金属及び誘電体膜（例．透明又は不透明膜）に対する適用に適している。

図１には、本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い、基板横断的に基板又は膜の厚み分布を計測するシステム１００の概念図が描かれている。

実施形態のシステム１００は、デュアルインタフェロメータサブシステム１０２（或いはデュアルインタフェロメータツール）、質量センサ１０４及びコントローラ１０６を有している。実施形態のデュアルインタフェロメータサブシステム１０２は、基板１０１横断的に平坦度を計測するよう構成されている。また、実施形態の質量センサ１０４は、基板１０１の質量を計測するよう構成されている。基板１０１には、これに限られるものではないが半導体ウェハ（例．シリコンウェハ）を初め、本件技術分野で既知なあらゆる基板が含まれうる。本願中で更に詳細に論ぜられる通り、その基板が１個又は複数個の膜で以て被覆されていてもよいし、１個又は複数個のプレ層を有していてもよい。

また、実施形態のコントローラ１０６は１個又は複数個のプロセッサ１０８及びメモリ１１０を有している。例えば、本件開示の随所に記載されている１個又は複数個の処理ステップのいずれかを１個又は複数個のプロセッサ１０８に実行させるようプログラム命令を構成し、それをメモリ１１０に保持させるとよい。

実施形態のコントローラ１０６に備わる１個又は複数個のプロセッサ１０８は、デュアルインタフェロメータサブシステム１０２及び質量センサ１０４に可通信結合されている。この構成では、その１個又は複数個のプロセッサ１０８が、デュアルインタフェロメータサブシステム１０２及び質量センサ１０４から計測結果を受け取るよう、構成される。実施形態に備わる１個又は複数個のプロセッサは、デュアルインタフェロメータサブシステムから受け取った一通り又は複数通りの平坦度計測結果と、質量センサ１０４から受け取った一通り又は複数通りの質量計測結果とに基づき、基板１０１上での位置の関数たる基板１０１の厚み分布を求めるよう、構成される。注記されることに、このシステム１００を用いることで、本願中で更に詳述する通り、プレ層の有無を問わず、基板の厚み分布及び／又は基板上に堆積された薄膜の厚み分布を計測することができる。

質量センサ１０４には、これに限られるものではないが半導体ウェハ等、基板の質量を計測することが可能で本件技術分野で既知なあらゆる質量／重量センサが含まれうる。例えば、これに限られるものではないが０．１～０．３ｍｇの精度を呈する高精度秤量センサが、質量センサ１０４に含まれうる。

デュアルインタフェロメータサブシステム１０２には、基板１０１横断的に平坦度を計測することが可能で本件技術分野で既知なあらゆるデュアルインタフェロメータツールが含まれうる。例えば、これに限られるものではないがデュアル波長デュアルフィゾーインタフェロメータ（ＤＷＤＦＩ）が、デュアルインタフェロメータサブシステム１０２に含まれうる。デュアルインタフェロメータサブシステム１０２は、これに限られるものではないがその標本の形状ばらつき、厚みばらつき及び／又はその他の空間パラメタばらつき等、基板１０１の空間特性のうち何個を計測するように構成してもよい。また、実施形態のデュアルインタフェロメータサブシステム１０２を、標本に対するパターン化ウェハ幾何（ＰＷＧ）計測を実行するよう適合化し、デュアルインタフェロメータサブシステム１０２により計測される標本スロープ（例．ウェハスロープ）のダイナミックレンジが、標本（例．ウェハ）計測結果の別々の領域同士を縫い合わせることで拡張されるようにしてもよい。

デュアル波長デュアルインタフェロメータについての説明が２００５年１月２５日付特許文献１に記述されているので、この参照を以てその全容を本願に繰り入れることにする。デュアル波長デュアルインタフェロメータについての説明が２０１１年１１月２９日付特許文献２に記述されているので、この参照を以てその全容を本願に繰り入れることにする。デュアル波長デュアルインタフェロメータについての説明が２０１４年１０月２日付特許文献３に記述されているので、この参照を以てその全容を本願に繰り入れることにする。高スロープ標本の形状及び厚みを計測するのに用いられるデュアル波長デュアルインタフェロメータについての説明が２０１０年１２月７日付特許文献４に記述されているので、この参照を以てその全容を本願に繰り入れることにする。本願での認識によれば、波長可調照明源を位相シフトに利用するよう構成されたあらゆる位相シフト型インタフェロメトリシステムに、本件開示を敷衍することができる。従って、デュアルインタフェロメータサブシステム１０２についての以下の記述は、如何様にであれ本件開示を限定する趣旨のものではない。

図２Ａには、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るデュアルインタフェロメータサブシステム１０２の概略模式図が描かれている。

実施形態のシステム１００のサブシステム１０２は、２個のインタフェロメータ２５０及び２５１を有している。実施形態のサブシステム１０２は照明源即ちイルミネータ２０１を有しており、これは、チャネル１及びチャネル２に沿いインタフェロメータ２５０及び２５１に光を供給するよう構成されている。

また、実施形態のサブシステム１０２の光学チャネル１及び２は光ファイバ２２８及び２２９を有しており、これは、照明源２０１からインタフェロメータ入力２５２及び２５３へと光を伝送するよう構成されている。実施形態のインタフェロメータ入力２５２及び２５３は、１本又は複数本の光ファイバ２２８及び２２９に縦続接続された１個又は複数個の光学素子を有している。また、実施形態のインタフェロメータ入力２５２及び２５３内に光ファイバ２２８及び２２９が入っていてもよい。インタフェロメータ入力２５２及び２５３により、イルミネータ２０１からの光のうち少なくとも一部分を、位相シフト型インタフェロメータ２５０及び２５１へと向かわせればよい。

実施形態のインタフェロメータ２５０，２５１はそれぞれ１個又は複数個の偏向ビームスプリッタ２１２，２１３を有しており、これは、インタフェロメータ入力２５２，２５３から光を受け入れるよう構成されている。また、実施形態のビームスプリッタ２１２，２１３はその光のうち一部分を１／４波長板２５４，２５５へと向かわせる。光を偏向ビームスプリッタ２１２，２１３内並びに１／４波長板２５４及び２５５内に通すことで、円偏向させることができる。その後は、その円偏向光を、然るべく構成されたレンズ２１４，２１５に受光させることで、その光を平行化して基板１０１の直径より大きな直径を有するビームにすればよい。当該１個又は複数個のレンズ２１４，２１５により、それら平行化ビームを参照平板２１６，２１７（例．平行な参照平板）に向かわせればよい。基板１０１は、参照平板２１６，２１７により規定されるキャビティ２１９の中心に配置すればよい。また、実施形態によれば、それら平行化ビームを、参照平板２１６，２１７を介し基板１０１へと透過させることができる。

また、実施形態では、各透過ビームの第１部分を基板１０１の１個又は複数個の表面２２０，２２１に向かわせる。更に、各透過ビームの第２部分を、透過した１枚又は複数枚の参照平板２１６，２１７とは逆側にある参照平板２１６，２１７の参照表面に向かう。

また、実施形態のサブシステム１０２は検出器２２２，２２３を有している。検出器２２２，２２３には、これに限られるものではないが、１個又は複数個のＣＣＤ検出器、１個又は複数個のＴＤＩ－ＣＣＤ検出器、１個又は複数個のＣＭＯＳ検出器その他、本件技術分野で既知なあらゆるフォトディテクタが含まれうる。実施形態の検出器２２２，２２３は、基板１０１の１個又は複数個の表面２２０，２２１で反射された照明の諸部分を検出するよう、構成することができる。また、実施形態の検出器２２２，２２３は、対応する参照平板２１６，２１７の参照表面で反射された光の諸部分を検出するよう、構成することができる。また、実施形態のシステム１００は、検出器２２２，２２３に可通信結合された１個又は複数個のコントローラ２２６を有している。また、実施形態の１個又は複数個のコントローラ２２６は、検出器２２２，２２３での検出光に係る情報を獲得する。また、実施形態のコントローラ１２６により、メモリ上に格納されているプログラム命令に由来する計測アルゴリズムを実行することで、基板１０１での計測結果に基づき基板１０１の一通り又は複数通りの空間特性を求めることができる。標本の空間特性を位相シフト型インタフェロメトリシステムで以て求める計測アルゴリズムは本件技術分野で既知である。注記されることに、本件技術分野で既知ないずれの計測プロセスも、システム１００及び１個又は複数個のコントローラ２２６で以て実現することができる。更に、図２Ａに記した１個又は複数個のコントローラ２２６を、図１に示したコントローラ１０６内に設けてもよいし、その逆にしてもよい。

図２Ｂには、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係るデュアルフィゾーキャビティ２１９の概念図が描かれている。図２Ｂに示すように、デュアルフィゾーキャビティ２１９は、基板１０１を保持して略鉛直姿勢にするよう構成することができる。例えば、ウェハを受け入れ、略自由状態にて略直立姿勢に保持するよう構成された一組の点接触デバイス（図示せず）を、デュアルフィゾーキャビティ２１９に組み込めばよい。２枚の参照平板２１６及び２１７を利用し、それらをインタフェロメータ向け参照面として働かせることで、このデュアルフィゾーインタフェロメータにより、基板に係る様々なパラメタや、参照平板２１６及び２１７に対する基板の空間的関係に係る様々なパラメタを、分析することができる。

デュアルインタフェロメータサブシステム１０２により、基板１０１の前側表面２２０，後側表面２２１双方の厚みばらつきを同時計測することができる。そして、前側及び／又は後側表面の各計測点における形状値を、それらの点にて計測された高さばらつきを利用し計算することができる。ウェハ表面上のＸＹ位置の関数たるウェハ形状ｓ（ｘ，ｙ）を、基板１０１の表面とそれに対応する参照平板２１６，２１７との間のキャビティ距離の関数として、表すことができる。

ここでは、ｄ_Ａ（ｘ，ｙ）により、キャビティ２１９の第１参照平板２１７と基板の第１側２２１（例．前側）との間のキャビティ距離を表し、ｄ_Ｂ（ｘ，ｙ）により、第２参照平板２１６とウェハ第２側２２０（例．後側）との間のキャビティ距離を表している。そのため、キャビティ距離ｄ_Ａ（ｘ，ｙ）のばらつきが、基板の第１側の厚みｔ_Ａ（ｘ，ｙ）のばらつきと、参照平板表面ｒ_Ａ（ｘ，ｙ）のばらつきと、の差異に関係している。同様に、キャビティ距離ｄ_Ｂ（ｘ，ｙ）のばらつきが、基板の第２側の厚みｔ_Ｂ（ｘ，ｙ）のばらつきと、参照平板表面ｒ_Ｂ（ｘ，ｙ）のばらつきと、の差異に関係している。

これらの関係を利用し、基板上の複数個の位置における形状を計算することで、二次元ＸＹ形状マップを構築することができる。基板（例．半導体ウェハ）の前側及び後側トポグラフィを計測するのに適したデュアルフィゾーインタフェロメトリが非特許文献１に詳述されているので、この参照を以てその全容を本願に繰り入れることにする。加えて、両面インタフェロメトリが２００５年１月２５日付特許文献１及び２０１１年１１月２９日付特許文献２に概述されているので、この参照を以て両者の全容を本願に繰り入れることにする。

ある実施形態によれば、システム１００のコントローラ１０６に備わる１個又は複数個のプロセッサ１０８により、デュアルインタフェロメータサブシステム１０２での一通り又は複数通りの平坦度計測結果と、質量センサ１０４での一通り又は複数通りの質量計測結果とに基づき、基板１０１上での位置の関数たる基板１０１の厚み分布を求めることができる。実施形態の１個又は複数個のプロセッサ１０８は、デュアルインタフェロメータサブシステム１０２から、基板１０１上のＸＹ位置の関数たる、基板１０１についての一通り又は複数通りの平坦度計測結果ｆ（ｘ，ｙ）を受け取る。また、実施形態の１個又は複数個のプロセッサ１０８は、質量センサ１０４から、その基板についての一通り又は複数通りの質量計測結果ｍを受け取る。また、実施形態の１個又は複数個のプロセッサ１０８は、当該一通り又は複数通りの質量計測結果に基づき基板１０１の平均厚を求める。また、実施形態の１個又は複数個のプロセッサ１０８は、当該一通り又は複数通りの平坦度計測結果と、基板１０１の平均厚と、に基づき、基板１０１上の位置の関数たる基板１０１の厚み分布ｔ（ｘ，ｙ）を求める。

注記されることに、基板１０１上のＸＹ位置の関数たる厚みを得るには、厚み参照定数を実装した方がよい。インタフェロメータサブシステム１０２では、ｎλ位相曖昧性故にこの参照定数を提供することができない。基板１０１の厚み分布は、基板１０１の平坦度により

と表すことができる；但し、ｔ（ｘ，ｙ）はＸ，Ｙ位置の関数の関数たる基板厚分布を、ｆ（ｘ，ｙ）はＸＹ位置の関数たる基板平坦度を、Ｋは参照定数を表している。

注記されることに、質量センサ１０４を通じ平均厚情報がもたらされるところ、平均厚ｔ_ａｖｅは、

により与えられる；但し、ｗは質量センサ１０４を用い計測されたウェハ重量（又は質量）であり、ρは基板１０１の素材密度であり、Ａは基板１０１の面積である。この平均厚は、平坦度及び定数Ｋにより

と表される；平均厚ｔ_ａｖｅが既知である場合、Ｅｑ．３を変形し、

の如くＫに関する解を提供することができる。そして、Ｅｑ．１及びＥｑ．４に基づき、１個又は複数個のプロセッサ１０８により、ＸＹ位置の関数たる基板１０１の厚み分布ｔ（ｘ，ｙ）を求めることができる。

別の実施形態によれば、システム１００のコントローラ１０６に備わる１個又は複数個のプロセッサ１０８により、基板１０１についての二通り以上の平坦度計測結果と、基板１０１についての二通り以上の質量計測結果と、に基づき、基板１０１上での位置の関数たる膜の厚みを求めることができる。例えば、図３Ａに示すように、基板１０１の第１平坦度ｆ_ｐｒｅ（ｘ，ｙ）の計測及び第１質量ｍ_ｐｒｅの計測を、膜３０１の堆積前に実行すればよい。その上で、膜３０１の堆積後に、第２平坦度ｆ_ｐｏｓｔ（ｘ，ｙ）の計測及び第２質量ｍ_ｐｏｓｔの計測を、基板１０１を対象にして実行すればよい。それら一組の平坦度計測結果ｆ_ｐｒｅ（ｘ，ｙ），ｆ_ｐｏｓｔ（ｘ，ｙ）と、一組の質量計測結果ｍ_ｐｒｅ，ｍ_ｐｏｓｔと、に基づき、１個又は複数個のプロセッサ１０８にて、堆積された膜３０１の厚み分布を求めることができる。実施形態の１個又は複数個のプロセッサ１０８は、基板１０１上への膜３０１の堆積前における、基板１０１についての第１平坦度計測結果ｆ_ｐｒｅ（ｘ，ｙ）及び第１質量計測結果ｍ_ｐｒｅを受け取る。また、実施形態の１個又は複数個のプロセッサ１０８は、基板１０１上への膜３０１の堆積前の第１質量計測結果ｍ_ｐｒｅに基づき、基板１０１の平均厚を求める。また、実施形態の１個又は複数個のプロセッサ１０８は、基板１０１上への膜３０１の堆積後における、基板１０１（即ち基板及び膜）についての第２平坦度計測結果ｆ_ｐｏｓｔ（ｘ，ｙ）及び第２質量計測結果ｍ_ｐｏｓｔを受け取る。また、実施形態の１個又は複数個のプロセッサ１０８は、基板１０１上への膜堆積後の第２質量計測結果ｍ_ｐｏｓｔに基づき、基板１０１の第２平均厚を求める。また、実施形態の１個又は複数個のプロセッサ１０８は、膜３０１の堆積前の第１平坦度計測結果ｆ_ｐｒｅ（ｘ，ｙ）及び第１平均厚と、基板上への膜３０１の堆積後における、その基板１０１についての第２平坦度計測結果ｆ_ｐｏｓｔ（ｘ，ｙ）及び第２平均厚と、に基づき、基板１０１上の位置の関数たる膜厚ｔ_ｆｉｌｍ（ｘ，ｙ）を求める。

ＸＹ位置の関数たる膜厚分布は、

と表すことができる；但し、定数Ｋ_ｐｏｓｔ及びＫ_ｐｒｅは

により与えられる。

そして、Ｅｑ．５、Ｅｑ．６及びＥｑ．７に基づき、１個又は複数個のプロセッサ１０８により、基板１０１上のＸＹ位置の関数たる膜３０１の厚み分布ｔ_ｆｉｌｍ（ｘ，ｙ）を求めることができる。

別の実施形態によれば、膜３０１の堆積前に１個又は複数個のプレ層が基板１０１上に堆積されるケースで、システム１００のコントローラ１０６に備わる１個又は複数個のプロセッサ１０８により、基板１０１上の位置の関数たる膜厚を求めることができる。注記されることに、多くの半導体製造セッティングでは、注目薄膜／被覆の堆積前に１個又は複数個のプレ層が基板上に堆積される。実施形態のシステム１００によれば、堆積された膜３０１の厚みをその膜３０１の密度を利用し求めることができる。その際に、その膜３０１より先に堆積されている１個又は複数個のプレ層の素材や密度についての知識なしに、膜３０１の厚みを求めることができる。

注記されることに、堆積前及び堆積後の膜３０１の平均厚は、

と表すことができる；但し、ｍ_ｐｒｅ，ｍ_ｐｏｓｔは膜３０１の堆積の前，後における基板１０１の質量、ρ_ｆｉｌｍは注目膜３０１の密度、Ａは基板１０１の面積である。Ｅｑ．８は平坦度による式

に書き直すことができる。

図３Ｂに示すように、１個又は複数個のプレ層３０３を、注目膜３０１の堆積前に基板１０１の表面上に堆積させることができる。ある実施形態によれば、基板１０１の第１平坦度ｆ_ｐｒｅ（ｘ，ｙ）の計測及び第１質量ｍ_ｐｒｅの計測を、膜３０１の堆積前に実行することができる。その上で、当該１個又は複数個のプレ層３０３上への膜３０１の堆積後に、第２平坦度ｆ_ｐｏｓｔ（ｘ，ｙ）の計測及び第２質量ｍ_ｐｏｓｔの計測を、基板１０１を対象にして実行すればよい。注目膜の密度ρ_ｆｉｌｍ、一組の平坦度計測結果ｆ_ｐｒｅ（ｘ，ｙ），ｆ_ｐｏｓｔ（ｘ，ｙ）並びに一組の質量計測結果ｍ_ｐｒｅ，ｍ_ｐｏｓｔに基づき、１個又は複数個のプロセッサ１０８にて、堆積された膜３０１の厚み分布を求めることができる。

実施形態の１個又は複数個のプロセッサ１０８は、基板１０１上への膜３０１の堆積前且つ基板１０１上への１個又は複数個のプレ層３０３の堆積後における、基板１０１についての第１平坦度計測結果ｆ_ｐｒｅ（ｘ，ｙ）及び第１質量計測結果ｍ_ｐｒｅを受け取る。また、実施形態の１個又は複数個のプロセッサ１０８は、基板１０１のプレ層３０３上への膜３０１の堆積後における、基板１０１についての第２平坦度計測結果ｆ_ｐｏｓｔ（ｘ，ｙ）及び第２質量計測結果ｍ_ｐｏｓｔを受け取る。また、実施形態の１個又は複数個のプロセッサ１０８は、膜３０１の密度ρ_ｆｉｌｍ、第１平坦度計測結果ｆ_ｐｒｅ（ｘ，ｙ）、基板１０１の第１質量ｍ_ｐｒｅ、第２平坦度計測結果ｆ_ｐｏｓｔ（ｘ，ｙ）並びに基板１０１の第２質量ｍ_ｐｏｓｔに基づき、基板１０１上での位置の関数たる膜３０１の厚みを求める（例．Ｅｑ．９参照）。

ここで注記されることに、複数個の層被覆が基板に被着されるセッティングでは、ある一般的な素材密度（例．Ｓｉの密度）が想定されるため、基板全体の厚みが近似的なものとなる。これに対し、Ｅｑ．９中に見られるように、膜厚を求めるのにプレ層素材の密度についての知識が必要でないため、注目膜に係る厚み計測で、より良好な結果がもたらされることとなる。

また、実施形態のシステム１００は、コントローラ１０６に備わる１個又は複数個のプロセッサ１０８に可通信結合されたユーザインタフェースデバイス１１２を有している。コントローラ１０６は、ユーザインタフェースデバイス１１２を利用し、ユーザからの情報、指定及び／又は命令を受け付けることができる。例えば、ディスプレイを用いユーザ向けにデータ又はプロンプトを表示することができる（図示せず）。これに応じ、ユーザは、ユーザインタフェースデバイス１１２を介し、コントローラ１０６のメモリ１１０内に情報、指定及び／又は命令を入力することができる。

以上の記述では、１個又は複数個のプロセッサ１０８との通信状態に置かれた質量センサ１０４に焦点を絞ってきたが、そうした構成は本件開示の諸実施形態の技術的範囲に対する限定事項ではない。これに代わる実施形態に従い、本願中で先に論じた質量情報を、ユーザが、ユーザインタフェース１１２を介し、コントローラ１０６のメモリ１１０内に入力するようにしてもよい。この場合、本願にて前述されている様々な厚み分布計算を、ユーザインタフェース１１２を介しメモリ１１０内に入力された質量情報で以て実行することができる。

実施形態によれば、基板１０１及び／又は膜３０１に関し厚み分布が求まった後に、１個又は複数個のプロセッサ１０８により、１個又は複数個の処理ツールへと、１個又は複数個の制御／調整命令を送信することができる。例えば、基板１０１及び／又は膜３０１に関し、所望の厚み分布からずれた厚み分布が求まるのに応じ、１個又は複数個のプロセッサ１０８により、半導体製造設備沿いの処理ツールの１個又は複数個のパラメタを調整することで、その基板、膜及び／又は最終的な半導体デバイスに係る被観測欠陥を軽減することができる。その際、１個又は複数個のプロセッサ１０８により上流側処理ツールにフィードバック情報を供給することで後続基板、即ちその半導体製造ラインに沿い先頭基板よりも後にある基板に係る処理条件を、調整してもよい。更に、１個又は複数個のプロセッサ１０８により下流側処理ツールにフィードフォワード情報を供給し、問題となっている基板に関する処理条件を、それがその半導体製造ライン沿いに進むにつれ調整するようにしてもよい。

コントローラ１０６に備わる１個又は複数個のプロセッサ１０８は、本件技術分野で既知ないずれの処理素子を１個又は複数個有するものでもよい。その意味で、１個又は複数個のプロセッサ１０８には、ソフトウェアアルゴリズム及び／又は命令を実行するよう構成されたあらゆるマイクロプロセッサデバイスが含まれうる。実施形態における１個又は複数個のプロセッサ１０８は、デスクトップコンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、イメージコンピュータ、並列プロセッサその他のコンピュータシステム（例．ネットワーク接続されたコンピュータ）で構成することができ、またそれを、本件開示の随所に記載の如く本システム１００を動作させるよう構成されたプログラムを実行するよう、構成することができる。認識されるべきことに、本件開示の随所に記載の諸ステップを、単一のコンピュータシステムにより実行してもよいし、それに代え複数個のコンピュータシステムにより実行してもよい。一般に、語「プロセッサ」は、非一時的記憶媒体１１０から得たプログラム命令を実行する処理素子を１個又は複数個有するデバイス全てが包括されるよう、広義に定義することができる。更に、本システム１００の諸サブシステム（例．デュアルインタフェロメータサブシステム／ツール１０２、質量センサ１０４又はユーザインタフェース１１２）を、本件開示の随所に記載の諸ステップのうち少なくとも一部を実行するのに適した、プロセッサ又は論理素子を有するものとしてもよい。

記憶媒体１１０は、連携する１個又は複数個のプロセッサ１０８により実行可能なプログラム命令を格納するのに適し本件技術分野で既知ないずれの記憶媒体を有するものでもよい。例えば、記憶媒体１１０を、これに限られるものではないがリードオンリメモリ、ランダムアクセスメモリ、磁気又は光記憶デバイス（例．ディスク）、磁気テープ、固体ドライブ等を有するそれとしてもよい。また、実施形態における記憶媒体１１０は、デュアルインタフェロメータサブシステム１０２及び／又は質量センサ１０４からもたらされる一通り又は複数通りの結果、及び／又は、本願記載の諸データ処理ステップの出力を格納するよう、構成される。更に注記されることに、記憶媒体１１０を１個又は複数個のプロセッサ１０８と共に共通コントローラハウジング内に収容してもよい。これに代わる実施形態に従い、記憶媒体１１０を、プロセッサ及びコントローラ１０６の物理的居所に対し遠隔に所在させてもよい。一例としては、ネットワーク（例．インターネット、イントラネット等）経由でアクセス可能なリモートメモリ（例．サーバ）に、コントローラ１０６に備わる１個又は複数個のプロセッサ１０８がアクセスするのでもよい。

更に注記されることに、図１ではコントローラ１０６をデュアルインタフェロメータサブシステム１０２及び質量センサ１０４とは別体なものとして記したが、そうした構成のシステム１００が本件開示の技術的範囲に対する限定になるわけではなく、専ら例証目的で提示されているに過ぎない。例えば、コントローラ１０６を、デュアルインタフェロメータサブシステム１０２及び／又は質量センサ１０４に備わるコントローラの態で、実現してもよい。

ユーザインタフェースデバイス１１２には本件技術分野で既知なあらゆるユーザインタフェースが含まれうる。例えば、ユーザインタフェース１１２には、これに限られるものではないがキーボード、キーパッド、タッチスクリーン、レバー、ノブ、スクロールホイール、トラックボール、スイッチ、ダイアル、スライディングバー、スクロールバー、スライド、ハンドル、タッチパッド、パドル、ステアリングホイール、ジョイスティック、ベゼル入力デバイス等が含まれうる。

図４には、本件開示の１個又は複数個の実施形態に係る基板厚分布計測方法４００を記した処理フロー図が描かれている。ステップ４０２では、基板についての一通り又は複数通りの平坦度計測結果であり、その基板１０１上での位置の関数であるものが、獲得される。ステップ４０４では、基板１０１についての一通り又は複数通りの質量計測結果が獲得される。ステップ４０６では、当該一通り又は複数通りの質量計測結果に基づき基板１０１の平均厚が求められる。ステップ４０８では、当該一通り又は複数通りの平坦度計測結果と、基板１０１の平均厚と、に基づき、その基板上での位置の関数たる、その基板の一通り又は複数通りの厚み分布が求められる。ステップ４１０では、基板１０１について求まった一通り又は複数通りの厚み分布に基づき、１個又は複数個の処理ツールが調整される。

図５には、本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い、基板上に堆積された膜についての厚み分布計測方法５００を記した処理フロー図が描かれている。１個目のステップ５０２では、基板についての第１平坦度計測結果及び第１質量計測結果が、その基板１０１への膜堆積前に獲得される。２個目のステップ５０４では、その基板上への膜堆積前の当該一通り又は複数通りの質量計測結果に基づき、その基板の平均厚が求められる。ステップ５０６では、その基板についての第２平坦度計測結果及び第２質量計測結果が、その基板１０１上への膜堆積後に獲得される。ステップ５０８では、その基板上への膜堆積後の当該一通り又は複数通りの質量計測結果に基づき、その基板の平均厚が求められる。ステップ５１０では、膜堆積前の第１平坦度計測結果及び第１平均厚と、その基板上への膜３０３の堆積後の第２平坦度計測結果及びその基板の第２平均厚と、に基づき、その基板上での位置の関数たる膜厚分布が求められる。ステップ５１２では、膜３０３について求まった厚み分布に基づき、１個又は複数個の処理ツールが調整される。

図６には、本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い、１個又は複数個の予形成プレ層を有する基板上に堆積された膜についての厚み分布計測方法６００を記した処理フロー図が描かれている。ステップ６０２では、その基板上への膜堆積前且つその基板上への１個又は複数個のプレ層の堆積後に、基板についての第１平坦度計測結果及び第１質量計測結果が獲得される。ステップ６０４では、その基板のプレ層上への膜堆積後に、その基板についての第２平坦度計測結果及び第２質量計測結果が獲得される。ステップ６０６では、その膜の密度、第１平坦度計測結果、その基板の第１質量、第２平坦度計測結果、並びにその基板の第２質量に基づき、その基板上での位置の関数たる膜厚が求められる。ステップ６０８では、膜３０３について求まった厚み分布に基づき１個又は複数個の処理ツールが調整される。

本願では方法４００、５００及び６００の実施について論じたが、やはり想定されている通り、方法４００、５００及び６００の諸ステップは、本件開示の本質からの離隔なしに、多様な要領で包摂、排除、再配列及び／又は実施することができる。従って、方法４００、５００及び６００の上掲の諸実施形態及び諸実現形態は、専ら例の形態で包含されているのであり、如何様にであれ本件開示を限定することは意図されていない。

本願記載の諸方法のいずれにも、それら方法実施形態を構成する１個又は複数個のステップの結果を記憶媒体内に格納するステップが含まれうる。それら結果は、本願記載のあらゆる結果を含みうるし、本件技術分野で既知なあらゆる要領で格納されうる。その記憶媒体には本願記載のあらゆる格納記憶或いは本件技術分野で既知で好適な他のあらゆる記憶媒体が含まれうる。結果格納後は、その記憶媒体内の結果にアクセスすること、並びにそれを本願記載の何らかの方法又はシステム実施形態により用いること、ユーザに対する表示向けにフォーマットすること、別のソフトウェアモジュール、方法又はシステムで用いること等々ができる。更に、それら結果の格納は、「恒久的」なもの、「半恒久的」なもの、「一時的」なもの、或いは一定期間に亘るもののいずれでもよい。例えば、その記憶媒体がランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）であってもよいし、結果がその記憶媒体内に必ずしも永久には存在しないのでもよい。

やはり想定されている通り、上述した方法の各実施形態には本願記載のどの他方法のどの他ステップをも含めうる。加えて、更に、上述の方法の各実施形態は本願記載のどのシステムでも実行することができる。

いわゆる当業者にはご認識頂けるように、本願中で説明した形式で装置及び／又はプロセスを記述した上で、技術的手法を用いデータ処理システム内にそれら記述された装置及び／又はプロセスを統合することが、本件技術分野では常識である。即ち、本願記載の装置及び／又はプロセスの少なくとも一部分を、相応量の実験を通じデータ処理システム内に統合することができる。いわゆる当業者にはご認識頂けるように、通常のデータ処理システムは、一般に、システムユニットハウジング、動画表示装置、メモリ例えば揮発性メモリ及び不揮発性メモリ、プロセッサ例えばマイクロプロセッサ及びディジタル信号プロセッサ、情報処理エンティティ例えばオペレーティングシステム、ドライバ、グラフィカルユーザインタフェース及びアプリケーションプログラム、１個又は複数個のインタラクティブデバイス例えばタッチパッド又はスクリーン、及び／又は、フィードバックループ及び制御モータ（例．位置及び／又は速度感知用のフィードバックや諸部材及び／又は諸量を動かし及び／又は調節するための制御用モータ）を有する制御システムのうち、１個又は複数個を有している。通常のデータ処理システムは、データ処理／通信及び／又はネットワーク情報処理／通信システムによく見られるそれを初め、あらゆる適切な市販部材を利用し実現することができる。

本願記載の主題は、ときに、様々な他部材内に組み込まれ又は接続・連結された様々な部材を以て描出されている。理解し得るように、それら描写されているアーキテクチャは単なる例示であり、実のところは、他の多くのアーキテクチャを実施し同じ機能を実現することが可能である。概念的には、どのような部材配置であれ同じ機能が実現されるなら、その部材配置は、実質的に「連携」することで所望機能を実現しているのである。従って、本願中のいずれの二部材であれ、ある特定の機能を実現すべく組み合わされているものは、所望機能が実現されるよう互いに「連携」していると見なせるのであり、アーキテクチャや介在部材の如何は問われない。同様に、いずれの二部材であれそのように連携しているものは所望機能を実現すべく互いに「可作動接続・連結され」又は「可作動結合され」ているとも見ることができ、またいずれの二部材であれそのように連携させうるものは所望機能を実現すべく互いに「可作動結合可能」であるとも見ることができる。可作動結合可能、の具体例としては、これに限られるものではないが、物理的に嵌合可能な及び／又は物理的に相互作用する諸部材、及び／又は無線的に相互作用可能な及び／又は無線的に相互作用する諸部材、及び／又は論理的に相互作用する及び／又は論理的に相互作用可能な諸部材等がある。

いわゆる当業者には理解し得るように、総じて、本願特に別項の特許請求の範囲（例．別項の特許請求の範囲の本体）にて用いられている語は概ね「開放」語たる趣旨のものである（例．語「～を含んでいる」は「～を含んでいるが～に限られない」、語「～を有している」は「少なくとも～を有している」、語「～を含む」は「～を含むが～に限られない」等々と解されるべきである）。やはりいわゆる当業者には理解し得るように、ある具体的個数の構成要件の導入が目的ならその意図がその請求項に明示されるので、そうした要件の記載がなければそうした意図がないということである。例えば、後掲の請求項のなかには、理解を助けるため導入句「少なくとも１個(at least one)」及び「１個又は複数個(one or more)」を用い構成要件を導入しているものがある。そうではあるが、不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」により構成要件が導入されているのでその構成要件の導入を孕む請求項全てがその要件を１個しか含まない発明に限定される、といった含蓄があるかのように、そうした語句の使用を解釈すべきではないし、まさにその請求項に導入句「１個又は複数個」又は「少なくとも１個」と不定冠詞例えば「ａ」又は「ａｎ」が併存している場合でもそう解釈すべきではないし（例えば「ａ」及び／又は「ａｎ」は、通常、「少なくとも１個」又は「１個又は複数個」を意味するものと解すべきである）、またこれと同じことが構成要件の導入に定冠詞を使用する場合にも成り立つ。加えて、ある具体的個数の構成要件の導入が明示されている場合でも、いわゆる当業者にはご認識頂けるように、通常は、少なくとも明示した個数ある、という意味にその明示を解すべきである（例．他の修飾語句を欠く「２個の要件」なる抜き身的表現は、通常、少なくとも２個の要件或いは２個以上の要件という意味になる）。更に、「Ａ、Ｂ及びＣのうち少なくとも１個等々」に類する規約が用いられている例では、総じて、いわゆる当業者がその規約を理解するであろう意味に従いそうした構文の趣旨が定まる（例．「Ａ、Ｂ及びＣのうち少なくとも１個を有するシステム」で、これに限られるものではないが、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ・Ｂ双方、Ａ・Ｃ双方、Ｂ・Ｃ双方、及び／又は、Ａ・Ｂ・Ｃ三者を有するシステム等々が包含されることとなろう）。「Ａ、Ｂ又はＣのうち少なくとも１個等々」に類する規約が用いられている例では、総じて、いわゆる当業者がその規約を理解するであろう意味に従いそうした構文の趣旨が定まる（例．「Ａ、Ｂ又はＣのうち少なくとも１個を有するシステム」で、これに限られるものではないが、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ・Ｂ双方、Ａ・Ｃ双方、Ｂ・Ｃ双方、及び／又は、Ａ・Ｂ・Ｃ三者等々を有するシステム等々が包含されることとなろう）。やはりいわゆる当業者には理解し得るように、代替的な２個以上の語を提示する分離接続詞及び／又は分離接続句については、明細書、特許請求の範囲及び図面のいずれにあるものかを問わず原理的には全て、一方の語、いずれかの語、或いは双方の語を包含する可能性が想定されているものと理解すべきである。例えば、語句「Ａ又はＢ」は、「Ａ」又は「Ｂ」又は「Ａ及びＢ」の可能性を包含するものと解されよう。

本願記載の提示主題の特定態様について図示及び記述してきたが、いわゆる当業者には明らかな通り、本願での教示に基づき、本願記載の主題及びそのより広範な諸態様から離隔することなく変更及び修正を施すことができるので、別項の特許請求の範囲の技術的範囲内には、本願記載の主題の神髄及び技術的範囲に属するが如くそうした変更及び修正が全て包含されるものとする。更に、理解し得るように、本発明は別項の特許請求の範囲によって定義されるものである。

Claims (23)

1. 基板横断的に平坦度を計測するよう構成されたデュアルインタフェロメータサブシステムと、
   前記基板の質量を計測するよう構成された質量センサと、
   前記デュアルインタフェロメータサブシステム及び前記質量センサに可通信結合されたコントローラと、を備え、そのコントローラが１個又は複数個のプロセッサを有し、その１個又は複数個のプロセッサが、メモリ内に格納された一組のプログラム命令を実行するよう構成されており、その一組のプログラム命令が、当該１個又は複数個のプロセッサに、前記デュアルインタフェロメータサブシステムでの一通り又は複数通りの平坦度計測結果と、前記質量センサでの一通り又は複数通りの質量計測結果と、に基づき、前記基板及びその基板上に堆積された膜のうち少なくとも一方の厚み分布であり、その基板上での位置の関数であるものを求めさせるよう、構成されているシステム。
2. 請求項１に記載のシステムであって、前記１個又は複数個のプロセッサが、更に、
   前記基板上での位置の関数としてその基板及び前記膜のうち少なくとも一方について求めた厚み分布に基づき、１個又は複数個の処理ツールを調整するよう、構成されているシステム。
3. 請求項１に記載のシステムであって、前記デュアルインタフェロメータサブシステムでの一通り又は複数通りの平坦度計測結果と、前記質量センサでの一通り又は複数通りの質量計測結果と、に基づき、前記基板及びその基板上に堆積された膜のうち少なくとも一方の厚み分布であり、その基板上での位置の関数であるものを求める動作が、
   前記基板についての一通り又は複数通りの平坦度計測結果でありその基板上での位置の関数であるものを、前記デュアルインタフェロメータサブシステムから受け取る動作と、
   前記基板についての一通り又は複数通りの質量計測結果を前記質量センサから受け取る動作と、
   前記一通り又は複数通りの質量計測結果に基づき前記基板の平均厚を求める動作と、
   前記一通り又は複数通りの平坦度計測結果並びに前記基板の平均厚に基づき、その基板上での位置の関数たるその基板の厚み分布を求める動作と、
   を含むシステム。
4. 請求項１に記載のシステムであって、前記デュアルインタフェロメータサブシステムでの一通り又は複数通りの平坦度計測結果と、前記質量センサでの一通り又は複数通りの質量計測結果と、に基づき、前記基板及びその基板上に堆積された膜のうち少なくとも一方の厚み分布であり、その基板上での位置の関数であるものを求める動作が、
   前記基板についての二通り以上の平坦度計測結果と、その基板についての二通り以上の質量計測結果と、に基づき、その基板上での位置の関数たる前記膜の厚み分布を求める動作を含むシステム。
5. 請求項４に記載のシステムであって、前記基板についての二通り以上の平坦度計測結果と、その基板についての二通り以上の質量計測結果と、に基づき、その基板上での位置の関数たる前記膜の厚み分布を求める動作が、
   前記基板上への膜堆積前における、基板についての第１平坦度計測結果及び第１質量計測結果を受け取る動作と、
   前記基板上への膜堆積前の第１質量計測結果に基づきその基板の第１平均厚を求める動作と、
   前記基板上への膜堆積後における、基板についての第２平坦度計測結果及び第２質量計測結果を受け取る動作と、
   前記基板上への膜堆積後の第２質量計測結果に基づきその基板の第２平均厚を求める動作と、
   膜堆積前の第１平坦度計測結果及び前記第１平均厚と、前記基板上への膜堆積後の第２平坦度計測結果及びその基板の前記第２平均厚と、に基づき、その基板上での位置の関数たるその膜の厚みを求める動作と、
   を含むシステム。
6. 請求項４に記載のシステムであって、前記基板についての二通り以上の平坦度計測結果と、その基板についての二通り以上の質量計測結果と、に基づき、その基板上での位置の関数たる前記膜の厚み分布を求める動作が、
   前記基板上への膜堆積前且つその基板上への１個又は複数個のプレ層の堆積後における、基板についての第１平坦度計測結果及び第１質量計測結果を受け取る動作と、
   前記基板の前記プレ層上への膜堆積後における、基板についての第２平坦度計測結果及び第２質量計測結果を受け取る動作と、
   前記膜の密度、第１平坦度計測結果、前記基板の第１質量、第２平坦度計測結果、並びにその基板の第２質量に基づき、その基板上での位置の関数たるその膜の厚みを求める動作と、
   を含むシステム。
7. 請求項１に記載のシステムであって、前記デュアルインタフェロメータサブシステムが、
   デュアル波長デュアルフィゾーインタフェロメータ（ＤＷＤＦＩ）サブシステムを備えるシステム。
8. 請求項１に記載のシステムであって、前記質量センサが、
   高精度秤量センサを備えるシステム。
9. 請求項１に記載のシステムであって、前記基板が、
   半導体ウェハを備えるシステム。
10. 基板横断的に平坦度を計測するよう構成されたデュアルインタフェロメータサブシステムと、
    前記デュアルインタフェロメータサブシステムに可通信結合されたコントローラと、を備え、そのコントローラが１個又は複数個のプロセッサを有し、その１個又は複数個のプロセッサが、メモリ内に格納された一組のプログラム命令を実行するよう構成されており、その一組のプログラム命令が、当該１個又は複数個のプロセッサに、前記デュアルインタフェロメータサブシステムでの一通り又は複数通りの平坦度計測結果と、一通り又は複数通りの質量計測結果と、に基づき、前記基板及びその基板上に堆積された膜のうち少なくとも一方の厚み分布であり、その基板上での位置の関数であるものを求めさせるよう、構成されているシステム。
11. 請求項１０に記載のシステムであって、前記１個又は複数個のプロセッサが、
    前記基板についての前記一通り又は複数通りの質量計測結果を、ユーザからユーザインタフェースを介し受け取るよう、構成されているシステム。
12. 請求項１０に記載のシステムであって、前記１個又は複数個のプロセッサが、
    前記基板についての前記一通り又は複数通りの質量計測結果を前記メモリから受け取るよう構成されているシステム。
13. 請求項１０に記載のシステムであって、前記１個又は複数個のプロセッサが、更に、
    前記基板上での位置の関数としてその基板及び前記膜のうち少なくとも一方について求めた厚み分布に基づき、１個又は複数個の処理ツールを調整するよう、構成されているシステム。
14. 請求項１０に記載のシステムであって、前記デュアルインタフェロメータサブシステムでの一通り又は複数通りの平坦度計測結果と、一通り又は複数通りの質量計測結果と、に基づき、前記基板及びその基板上に堆積された膜のうち少なくとも一方の厚み分布であり、その基板上での位置の関数であるものを求める動作が、
    前記基板についての一通り又は複数通りの平坦度計測結果であり、その基板上での位置の関数であるものを、前記デュアルインタフェロメータサブシステムから受け取る動作と、
    前記基板についての一通り又は複数通りの質量計測結果を受け取る動作と、
    前記一通り又は複数通りの質量計測結果に基づき前記基板の平均厚を求める動作と、
    前記一通り又は複数通りの平坦度計測結果並びに前記基板の平均厚に基づき、その基板上での位置の関数たるその基板の厚み分布を求める動作と、
    を含むシステム。
15. 請求項１０に記載のシステムであって、前記デュアルインタフェロメータサブシステムでの一通り又は複数通りの平坦度計測結果と、一通り又は複数通りの質量計測結果と、に基づき、前記基板及びその基板上に堆積された膜のうち少なくとも一方の厚み分布であり、その基板上での位置の関数であるものを求める動作が、
    前記基板についての二通り以上の平坦度計測結果と、その基板についての二通り以上の質量計測結果と、に基づき、その基板上での位置の関数たる前記膜の厚み分布を求める動作を含むシステム。
16. 請求項１５に記載のシステムであって、前記基板についての二通り以上の平坦度計測結果と、その基板についての二通り以上の質量計測結果と、に基づき、その基板上での位置の関数たる前記膜の厚み分布を求める動作が、
    前記基板上への膜堆積前における、基板についての第１平坦度計測結果及び第１質量計測結果を受け取る動作と、
    前記基板上への膜堆積前の第１質量計測結果に基づきその基板の第１平均厚を求める動作と、
    前記基板上への膜堆積後における、基板についての第２平坦度計測結果及び第２質量計測結果を受け取る動作と、
    前記基板上への膜堆積後の第２質量計測結果に基づきその基板の第２平均厚を求める動作と、
    膜堆積前の第１平坦度計測結果及び前記第１平均厚と、前記基板上への膜堆積後の第２平坦度計測結果及びその基板の前記第２平均厚と、に基づき、その基板上での位置の関数たるその膜の厚みを求める動作と、
    を含むシステム。
17. 請求項１５に記載のシステムであって、前記基板についての二通り以上の平坦度計測結果と、その基板についての二通り以上の質量計測結果と、に基づき、その基板上での位置の関数たる前記膜の厚み分布を求める動作が、
    前記基板上への膜堆積前且つその基板上への１個又は複数個のプレ層の堆積後における、基板についての第１平坦度計測結果及び第１質量計測結果を受け取る動作と、
    前記基板の前記プレ層上への膜堆積後における、基板についての第２平坦度計測結果及び第２質量計測結果を受け取る動作と、
    前記膜の密度、第１平坦度計測結果、前記基板の第１質量、第２平坦度計測結果、並びにその基板の第２質量に基づき、その基板上での位置の関数たるその膜の厚みを求める動作と、
    を含むシステム。
18. 請求項１０に記載のシステムであって、前記デュアルインタフェロメータサブシステムが、
    デュアル波長デュアルフィゾーインタフェロメータ（ＤＷＤＦＩ）サブシステムを備えるシステム。
19. 請求項１０に記載のシステムであって、質量センサが、
    高精度秤量センサを備えるシステム。
20. 請求項１０に記載のシステムであって、前記基板が、
    半導体ウェハを備えるシステム。
21. 基板厚を計測する方法であり、
    デュアルインタフェロメータサブシステムでの基板についての一通り又は複数通りの平坦度計測結果であり、その基板上での位置の関数であるものを、獲得するステップと、
    前記基板についての一通り又は複数通りの質量計測結果を獲得するステップと、
    前記一通り又は複数通りの質量計測結果に基づき前記基板の平均厚を求めるステップと、
    前記一通り又は複数通りの平坦度計測結果並びに前記基板の平均厚に基づき、その基板の一通り又は複数通りの厚み分布であり、その基板上での位置の関数であるものを求めるステップと、
    前記基板について求めた一通り又は複数通りの厚み分布に基づき、１個又は複数個の処理ツールを調整するステップと、
    を有する方法。
22. 膜厚を計測する方法であり、
    基板上への膜堆積前における、基板についてのデュアルインタフェロメータサブシステムでの第１平坦度計測結果及び質量センサでの第１質量計測結果を獲得するステップと、
    前記基板上への膜堆積前の前記第１質量計測結果に基づき、その基板の第１平均厚を求めるステップと、
    前記基板上への膜堆積後における、基板についての前記デュアルインタフェロメータサブシステムでの第２平坦度計測結果及び前記質量センサでの第２質量計測結果を獲得するステップと、
    前記基板上への膜堆積後の前記第２質量計測結果に基づき、その基板の第２平均厚を求めるステップと、
    膜堆積前の第１平坦度計測結果及び前記第１平均厚と、前記基板上への膜堆積後の第２平坦度計測結果及びその基板の前記第２平均厚と、に基づき、その基板上での位置の関数たるその膜の厚み分布を求めるステップと、
    前記膜について求めた厚み分布に基づき、１個又は複数個の処理ツールを調整するステップと、
    を有する方法。
23. １個又は複数個のプレ層上に堆積された膜の膜厚を計測する方法であり、
    基板上への膜堆積前且つその基板上への１個又は複数個のプレ層の堆積後における、基板についてのデュアルインタフェロメータサブシステムでの第１平坦度計測結果及び質量センサでの第１質量計測結果を受け取るステップと、
    前記基板の前記プレ層上への膜堆積後における、前記基板についての前記デュアルインタフェロメータサブシステムでの第２平坦度計測結果及び前記質量センサでの第２質量計測結果を受け取るステップと、
    前記膜の密度、第１平坦度計測結果、前記基板の第１質量、第２平坦度計測結果、並びにその基板の第２質量に基づき、その基板上での位置の関数たるその膜の厚みを求めるステップと、
    を有する方法。
    
    
    
    
    
    
    
    
    

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