CN110419098B - 晶片几何系统中的透明膜误差校正图案 - Google Patents

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Abstract

一种系统包含一或多个晶片几何测量工具，所述一或多个晶片几何测量工具经配置以从晶片获得几何测量。所述系统还包含一或多个处理器，所述一或多个处理器与所述一或多个晶片几何测量工具通信。所述一或多个处理器经配置以应用校正模型来校正由所述一或多个晶片几何测量工具获得的所述几何测量。所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片上的透明膜引起的测量误差。

Description

晶片几何系统中的透明膜误差校正图案
相关申请案的交叉参考
本申请案根据35 U.S.C.§119(e)规定主张2017年1月9日申请的第62/443,815号美国临时申请案的权利。所述第62/443,815号美国临时申请案的全文以引用方式并入本文中。
技术领域
本发明大体上涉及检验及计量的领域，且特定来说，涉及包含透明膜的半导体装置的检验及计量的领域。
背景技术
薄抛光板(例如硅晶片等)是现代技术的非常重要部分。例如，晶片可指用于制造集成电路及其它装置中的半导体材料的薄片。薄抛光板的其它实例可包含磁盘衬底、块规等。尽管本文所描述的技术主要涉及晶片，但应了解，所述技术也适用于其它类型的抛光板。术语晶片及术语薄抛光板在本发明中可互换使用。
晶片经受缺陷检验以及计量测量以确保恰当制造良率。预期用来执行此类检验及计量过程的工具是有效且高效的。从晶片获取的关键计量包含但不限于膜厚度及晶片构形。虽然基于点对点椭偏仪的技术提供亚纳米膜厚度的准确度，但如果晶片表面含有透明膜，那么基于全晶片光学干涉测量术的几何工具可能会表现不佳。例如，图案晶片几何(PWG)系统包含双侧相移斐索(Fizeau)干涉仪及错位干涉仪。此PWG系统可用来同时测量晶片的前表面及后表面。然而，当在晶片表面上存在透明膜时(所述透明膜尤其常见于晶片的前侧上)，从晶片获得的PWG测量可能含有由于光穿透到膜中所致的误差。
一种减小这个误差的解决方案是将保形/不透明膜沉积在透明膜上以实现构形测量。这种解决方案要求用户修改工艺流程且可因此仅在工程设计阶段期间而非在大批量生产中应用。因而，期望提供一种用于透明膜误差校正的方法及系统。
发明内容
揭示一种根据本发明的一或多个实施例的方法。在一个实施例中，所述方法包含利用晶片几何测量工具来获得晶片的几何测量。在另一实施例中，所述方法包含应用校正模型来校正由所述晶片几何测量工具获得的所述几何测量，其中所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片上的透明膜引起的测量误差。
揭示一种根据本发明的一或多个替代实施例的方法。在一个实施例中，所述方法包含至少部分基于晶片的设计以及所述晶片的多个层的已知物理及光学性质来生成校正模型。在另一实施例中，所述方法包含利用晶片几何测量工具来获得所述晶片的几何测量。在另一实施例中，所述方法包含应用所述校正模型来校正由所述晶片几何测量工具获得的所述几何测量，其中所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片上的透明膜引起的测量误差。
揭示一种根据本发明的一或多个替代实施例的系统。在一个实施例中，所述系统包含一或多个晶片几何测量工具，所述一或多个晶片几何测量工具经配置以获得晶片的几何测量。在另一实施例中，所述系统包含一或多个处理器，所述一或多个处理器与所述一或多个晶片几何测量工具通信。在另一实施例中，所述一或多个处理器经配置以应用校正模型来校正由所述一或多个晶片几何测量工具获得的所述几何测量。在另一实施例中，所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片上的透明膜引起的测量误差。
应了解，前文发明内容及下文具体实施方式两者仅为实例性及解释性的且不一定限制本发明。并入说明书中且构成说明书的部分的附图说明本发明的标的物。所述描述及附图一起用来解释本发明的原理。
附图说明
所属领域技术人员可参考附图更好地了解本发明的众多优点，其中：
图1是描绘根据本发明的一或多个实施例的由电介质光传播引起的透明膜误差的说明。
图2是描绘根据本发明的一或多个实施例的具有沉积在晶片衬底上的非均匀厚度的膜的说明。
图3是描绘根据本发明的一或多个实施例的使用晶片几何系统获得的晶片厚度测量的说明。
图4是描绘根据本发明的一或多个实施例的使用参考测量工具获得的真实晶片厚度测量的说明。
图5是描绘根据本发明的一或多个实施例配置的校正模型的说明。
图6是描绘根据本发明的一或多个实施例的使用晶片几何系统获得的另一晶片厚度测量的说明。
图7是描绘根据本发明的一或多个实施例的利用校正模型校正的晶片厚度测量的说明。
图8是描绘根据本发明的一或多个实施例的作为利用校正模型校正的晶片厚度测量的参考的真实晶片厚度测量的说明。
图9A到9B说明根据本发明的一或多个实施例的从膜堆叠获得的反射率信息。
图10是描绘根据本发明的一或多个实施例的晶片测量校正方法的流程图。
图11是描绘根据本发明的一或多个实施例配置的检验系统的框图。
具体实施方式
现将详细参考附图中所说明的所揭示标的物。
本发明的实施例涉及提供用于基于光学干涉测量术的晶片几何测量系统的透明膜误差校正的方法及系统。此类基于光学干涉测量术的晶片几何测量系统可包含图案晶片几何(PWG)系统。出于本发明的目的，可互换地使用术语“图案晶片几何”(PWG)及“基于光学干涉测量术的晶片几何测量系统”。可利用从透明膜堆叠上的反射收集的相位及反射率改变信息来校正构形测量误差。在一些实施例中，利用多层堆叠模型来估计三维膜堆叠(例如，3D NAND膜堆叠)上的构形测量误差。模型可经配置以组合每一层的可能厚度变化及少许已知位置处的厚度规(例如，参考厚度工具(例如椭偏仪))测量，以匹配实际测量的整个晶片厚度图。
现参考图1，展示根据本发明的一或多个实施例的由电介质光传播引起的透明膜误差的说明。应注意，由于电介质光传播，所得总体反射是所有底部层的界面之间来回反弹的多个反射的叠加。还应注意，由于反射的相位变化φ取决于晶片的层结构。更特定来说，反射光束中的相位变化依据膜厚度、复折射率及衬底性质而变化。如果膜是均匀的，那么相位变化φ是恒定的且不会引发构形测量误差。如果膜是非均匀的(如图2上所展示)，那么相位变化φ将使构形变形，从而导致测量误差。在另一实施例中，此膜堆叠的反射率还可经模型化为依据膜n、k及厚度而变化。
图3及4是描绘根据本发明的一或多个实施例的可被称为反转误差的类型的测量误差的说明。例如，图4展示具有比边缘区域膜厚的中心区域膜的晶片的真实膜厚度。预期可利用各种类型的测量工具来协助测量真实膜厚度。例如，在不脱离本发明的精神及范围的情况下，可利用宽带椭偏测量术膜工具、工具型宽带反射计厚度探针、电容式量规、光学厚度量规等。另一方面，图3展示使用干涉测量术数据测量(例如，使用PWG测量工具测量)而无透明膜误差校正的晶片厚度。应注意，使用光学干涉测量术数据测量的晶片厚度由于透明膜的反转误差而与真实厚度相反。图5中说明这种关系。
预期可通过膜的光学特性来模型化真实厚度与PWG测量厚度之间的数量关系。在一些实施例中，校正模型可包含校正曲线，如图5中所说明。例如，可从模拟生成校正曲线504。在图5中，x轴指示以纳米(nm)为单位测量的真实厚度，所述真实厚度是经由点对点厚度测量参考来确定。y轴显示经测量或表观的厚度，所述厚度包含由透明膜引入的误差且经由光学干涉仪来测量。可收集表示真实厚度及PWG测量厚度两者的实验数据502以验证校正曲线504。一旦获得校正曲线504，即可使用校正曲线504来校正后续PWG测量厚度，以产生非常类似于真实厚度的厚度测量。
图6到8中进一步说明这个校正过程。图6描绘在校正之前获得的PWG测量。接着，可通过将校正曲线应用到PWG测量来校正PWG测量。所得测量可被称为经校正PWG测量，如图7中所展示。应注意，经校正PWG测量可准确地反映真实厚度数据，如图8中所表示。利用此校正方法，经校正PWG厚度测量与参考工具(例如，椭偏仪)厚度测量之间的相关性可接近97％。
预期可利用直接用于厚度测量的反射率信息(r)及相位数据
Figure BDA0002164493830000042
进一步协助上述校正过程，如关系式中提及：
Figure BDA0002164493830000041
所述关系式源自如上文所使用的相同干涉仪强度数据。在一些实施例中，可使用单个波长干涉仪以从多个晶片表面位置收集空间信息。接着，可处理经收集信息以生成具有反射率信息的晶片图，所述晶片图可用来进一步改进经校正PWG测量的准确度。图9A及9B说明从膜堆叠获得的反射率信息。图9A说明使用PWG系统跨样本测量的反射率。图9B说明关于膜厚度变化的经测量反射率与经模型化反射率之间的类似性。应注意，因为仅将干涉测量术信息膜后沉积用于反射率测量，所以可在单个过程步骤中完成这个过程，其比使用两个步骤以在膜沉积/蚀刻之前/之后测量表面构形来导出膜厚度更有效。
还预期在不脱离本发明的精神及范围的情况下，上述校正过程可经配置以适应更大厚度范围。例如，可将相位展开技术应用于上述校正曲线以扩展其厚度覆盖来匹配具体需求。可通过但不限于以下算法中的一或多者来实行上述校正过程：干涉仪强度数据拟合、反射率、相位误差对模型结果、去噪/滤波技术集、预测算法、统计优化算法及利用来自干涉仪的输入的神经网络算法。
图10是描绘根据本发明配置的校正过程1000的实施例的流程图。如图10中所展示，在步骤1002中，利用晶片几何系统来获得晶片的几何测量。经获得几何测量可包含由位于晶片上的透明膜引起的误差，例如构形测量误差等。接着，在步骤1004中，可利用校正模型来帮助减小几何测量中获得的误差。如前所述，校正模型可帮助校正由位于晶片上的透明膜引起的测量误差。在一些实施例中，可基于真实厚度与经测量晶片厚度数据之间的相关性来先验地获得校正模型。在一些实施例中，校正模型可涉及使用如前所述的校正曲线。在其它实施例中，校正模型可涉及使用上述先验方法及校正曲线方法两者。
预期在一些实施例中，可动态地更新校正模型。例如，可比对一些参考数据来检查步骤1004的输出以确定校正模型的有效性。在一些实施例中，可提供反馈回路来调整校正模型，前提是如此做可进一步减小测量误差。在一些实施例中，可基于晶片的设计以及晶片的各个层的已知物理(及光学)性质来生成校正模型。预期在不脱离本发明的精神及范围的情况下，可利用各种其它类型的技术来帮助生成/更新校正模型。
现参考图11，展示描绘根据本发明的一或多个实施例配置的检验系统1100的框图。在一个实施例中，检验系统1100包含一或多个晶片几何工具1102。晶片几何工具1102可经配置以从晶片1106获得晶片几何测量。例如，晶片几何工具1102可包含但不限于双腔斐索干涉仪。2005年1月25日发布的第6,847,458号美国专利中提供适于本发明的一或多个实施例中的实施方案的双干涉仪的描述，所述专利的全文以引用方式并入本文中。2011年11月29日发布的第8,068,234号美国专利中提供适于本发明的一或多个实施例中的实施方案的双干涉仪的描述，所述专利的全文以引用方式并入本文中。2014年10月2日发表的第2014/0293291号美国专利公开案中提供适于本发明的一或多个实施例中的实施方案的双干涉仪的描述，所述案的全文以引用方式并入本文中。
在另一实施例中，检验系统1100包含一或多个处理器1104(例如，一或多个计算机处理器)。一或多个处理器1104可通信地耦合到晶片几何工具1102且经配置以从晶片几何工具1102接收一或多个测量。在一个实施例中，可在控制器中体现一或多个处理器1104。处理器1104可经配置以将校正模型应用于经获得的晶片几何测量。可先验地获得校正模型。校正模型还可如上述那样可动态调整。
从上文将明白，上述校正系统及过程能够准确地测量沉积在透明膜堆叠上的不透明厚膜，所述测量是3D NAND生产中的关键潜在应用。上述校正系统及过程将显著减小透明膜引入的构形测量误差，而无需在制造工艺中添加不透明膜。基于经校正构形测量，系统1100可用来提供反馈及/或前馈控制以便调整半导体制造设备(例如，3D NAND设备)中的上游或下游工艺工具。
一或多个处理器1104可包含所属领域中已知的任一或多个处理元件。应了解，本文中所描述的(若干)处理器中的每一者可采取各种形式，包含个人计算机系统、图像计算机、主计算机系统、工作站、网络器具、因特网器具或其它装置。一般来说，术语“计算机系统”可广义地被定义为涵盖具有执行来自存储器媒体的指令的一或多个处理器的任何装置。(若干)计算机子系统或(若干)系统还可包含所属领域中已知的任何适合处理器，例如并行处理器。此外，(若干)计算机子系统或(若干)系统可包含具有高速处理及软件的计算机平台，作为单机或联网工具。
如果计算机系统包含一个以上计算机子系统，那么不同计算机子系统可彼此耦合使得可在如本文中进一步描述的计算机子系统之间发送图像、数据、信息、指令等。例如，一个计算机子系统可通过任何适合传输媒体(其可包含所属领域中已知的任何适合有线及/或无线传输媒体)耦合到(若干)额外计算机子系统。还可通过共享计算机可读存储媒体有效地耦合两个或两个以上此类计算机子系统。一般来说，术语“处理器”可广义地被定义为涵盖具有执行来自非暂时性存储器媒体(即，存储器)的程序指令的一或多个处理元件的任何装置。此外，系统1100的不同子系统(例如，晶片几何工具1102、用户接口等)可包含适于实行贯穿本发明所描述的步骤的至少部分的处理器或逻辑元件。
预期本发明的额外实施例涉及一种非暂时性计算机可读媒体，其存储可在计算机系统上执行以执行用于如上所述的目标放置的计算机实施方法的程序指令。计算机可读媒体可为存储媒体(例如磁盘或光盘、磁带或所属领域中已知的任何其它适合非暂时性计算机可读媒体)。可以各种方式中的任一者实施程序指令，包含基于过程的技术、基于组件的技术及/或面向对象技术等等。例如，可视需要使用ActiveX控件、C++对象、JavaBeans、微软基础类别(“MFC”)、SSE(流式SIMD扩展)或其它技术或方法论来实施程序指令。
还应了解，虽然上述实例已参考晶片，但在不脱离本发明的精神及范围的情况下，根据本发明的系统及方法也可适用于其它类型的抛光板。用于本发明中的术语晶片可包含用于制造集成电路及其它装置以及其它薄抛光板(例如磁盘衬底、块规等)的薄片半导体材料。
预期本发明中描述的方法及系统可经实施为独立产品或各种晶片测量、检验及/或热点发现工具的组件。应了解，所揭示方法中的步骤的具体顺序及阶层是实例性方法的实例。基于设计偏好，应了解所述方法中的步骤的具体顺序及阶层可经重新布置同时保持在本发明的精神及范围内。还应了解，出于说明性目的，单独呈现附图中描绘的各种块。预期虽然附图中描绘的各种块可经实施为单独(及通信耦合)装置及/或处理单元，但其还可在不脱离本发明的精神及范围的情况下集成在一起。
本文中描述的所有方法可包含将方法实施例的一或多个步骤的结果存储在存储器媒体中。结果可包含本文中描述的结果中的任一者且可以所属领域中已知的任何方式存储。存储器媒体可包含本文中描述的任何存储器媒体或所属领域中已知的任何其它适合存储器媒体。在已存储结果之后，结果可在存储器媒体中存取且由本文中描述的任何方法或系统实施例使用，经格式化以向用户显示，由另一软件模块、方法或系统使用等。此外，可“永久地”、“半永久地”、“暂时地”或在一定时间段内存储结果。例如，存储器媒体可为随机存取存储器(RAM)，且结果未必无限期地保存在存储器媒体中。
进一步预期上述方法的实施例中的每一者可包含本文中描述的任何(若干)其它方法的任何(若干)其它步骤。此外，可通过本文中描述的系统中的任一者执行上述方法的实施例中的每一者。
所属领域技术人员将认识到，以本文中阐述的方式描述装置及/或过程且随后使用工程设计实践以将此类所描述装置及/或过程集成到数据处理系统中在所属领域中是常见的。即，本文中描述的装置及/或处理过程的至少部分可经由合理量的实验集成到数据处理系统中。所属领域一般技术人员将认识到，典型数据处理系统通常包含以下中的一或多者：系统单元外壳、视频显示装置、存储器(例如易失性或非易失性存储器)、处理器(例如微处理器及数字信号处理器)、计算实体(例如操作系统、驱动器、图形用户接口、应用程序)、一或多个交互装置(例如触垫或触屏，及/或包含反馈回路及控制电机(例如，用于感测位置及/或速度的反馈；及用于移动及/或调整组件及/或数量的控制电机)的控制系统)。可利用任何适合市售组件(例如通常在数据计算/通信及/或网络计算/通信系统中发现的组件)来实施典型数据处理系统。
本文中描述的标的物有时说明不同其它组件内所含的或与不同其它组件连接的不同组件。应了解，此类所描绘架构仅为实例性的且事实上可实施实现相同功能性的许多其它架构。就概念意义来说，实现相同功能性的组件的任何布置有效“相关联”使得实现所期望功能性。因此，在本文中组合以实现特定功能性的任何两个组件可被视为彼此“相关联”使得实现所期望功能性，而与架构或中间组件无关。同样地，如此相关联的任何两个组件还可被视为彼此“可操作地连接”或“可操作地耦合”以实现所期望功能性，且能够如此相关联的任何两个组件还可被视为彼此“可操作地可耦合”以实现所期望功能性。可操作地可耦合的具体实例包含但不限于可物理配对及/或物理交互组件、及/或可无线交互及/或无线交互组件、及/或逻辑交互及/或可逻辑交互组件。
所属领域技术人员将了解，一般来说，在本文中且尤其在所附权利要求书(例如，所附权利要求书的主文)中所使用的术语通常意为“开放式”术语(例如，术语“包含”应被解译为“包含但不限于”，术语“具有”应被解译为“至少具有”，术语“包括”应被解译为“包括但不限于”等)。所属领域技术人员将进一步了解，如果预期具体编号的导入权利要求书叙述，那么将在权利要求书中明确叙述此意图，且在缺乏此叙述的情况下不存在此意图。例如，作为理解的协助，下文所附权利要求书可含有使用导入性短语“至少一个”及“一或多个”来导入权利要求书叙述。然而，此类短语的使用不应被解释为暗示通过不定冠词“一(a或an)”导入请求项叙述将含有如此导入的请求项叙述的任何特定请求项限于仅含有一个此类叙述的发明，即使在相同请求项包含导入性短语“一或多个”或“至少一个”及例如“一(a或an)”的不定冠词(例如，“一(a或an)”通常应被解译为表示“至少一个”或“一或多个”)时也如此；用来导入请求项叙述的定冠词的使用也如此。另外，即使明确地叙述特定数目的导入请求项叙述，所属领域技术人员还将认识到，此叙述通常应被解译为表示至少所叙述数目(例如，在无其它修饰语情况下裸露叙述“两个叙述”通常表示至少两个叙述，或两个或两个以上叙述)。此外，在其中使用类似于“A、B与C等中的至少一者”的惯例的情况下，通常以所属领域技术人员将了解惯例的意义预期此构造(例如，“具有A、B与C中的至少一者的系统”将包含但不限于单独具有A、单独具有B、单独具有C、同时具有A及B、同时具有A及C、同时具有B及C及/或同时具有A、B及C等的系统)。在其中使用类似于“A、B或C等中的至少一者”的惯例的情况下，通常以所属领域技术人员将了解惯例的意义预期此构造(例如，“具有A、B或C中的至少一者的系统”将包含但不限于单独具有A、单独具有B、单独具有C、同时具有A及B、同时具有A及C、同时具有B及C及/或同时具有A、B及C等的系统)。所属领域技术人员将进一步了解，无论在描述、权利要求书或附图中呈现两个或两个以上替代术语的实际上任何反意字词及/或短语应被理解为涵盖包含术语中的一者、术语中的任一者或两个术语的可能性。例如，短语“A或B”将被理解为包含“A”或“B”或“A及B”的可能性。
尽管已展示及描述本文中描述的本发明标的物的特定方面，但所属领域技术人员将明白，基于本文中的教示，可在不脱离本文中描述的标的物及其更广方面情况下作出改变及修改且因此，所附权利要求书旨在将如落在本文中描述的标的物的真实精神及范围内的所有此类改变及修改涵盖在其范围内。此外，应了解，本发明是由所附权利要求书界定。

Claims (17)

1.一种晶片几何测量方法，其包括：
利用晶片几何测量工具来获得三维NAND结构的几何测量；及
使用一或多个处理器应用多层堆叠校正模型来校正由所述晶片几何测量工具从所述三维NAND结构获得的所述几何测量，其中所述多层堆叠校正模型包括表示真实厚度与测量厚度之间的相关性的模拟校正曲线，其中所述多层堆叠校正模型经配置以基于从透明膜测量的反射率及相位变化信息来校正由位于所述三维NAND结构上的所述透明膜引起的构形数据中的一或多个测量误差；及
基于经校正的所述几何测量，将一个或多个控制信号提供给半导体制造设备中的一个或多个过程工具。
2.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分基于真实晶片厚度数据与使用所述晶片几何测量工具测量的晶片厚度数据之间的相关性来获得所述校正模型。
3.根据权利要求1所述的方法，其中至少部分基于所述晶片的设计以及所述晶片的多个层的已知物理及光学性质来获得所述校正模型。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述校正模型进一步考虑具有反射率信息的晶片图。
5.根据权利要求4所述的方法，其中利用从多个晶片表面位置收集空间信息的单个波长干涉仪来获得具有反射率信息的所述晶片图。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述校正曲线支持包绕及展开。
7.一种晶片几何测量方法，其包括：
至少部分基于晶片的设计以及所述晶片的三维NAND结构的已知物理及光学性质来生成多层堆叠校正模型，其中所述多层堆叠校正模型包括表示真实厚度与测量厚度之间的相关性的模拟校正曲线；
利用晶片几何测量工具来获得所述晶片的几何测量；
应用所述校正模型来校正由所述晶片几何测量工具获得的所述几何测量，其中所述校正模型经配置以校正由位于所述晶片的所述三维NAND结构上的透明膜引起的构形数据中的测量误差；及
基于经校正的所述几何测量，将一个或多个控制信号提供给半导体制造设备中的一个或多个过程工具。
8.根据权利要求7所述的方法，其中至少部分基于真实晶片厚度数据与使用所述晶片几何测量工具测量的晶片厚度数据之间的相关性来生成所述校正模型。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述校正模型进一步考虑具有反射率信息的晶片图。
10.根据权利要求9所述的方法，其中利用从多个晶片表面位置收集空间信息的单个波长干涉仪来获得具有反射率信息的所述晶片图。
11.根据权利要求7所述的方法，其中所述校正曲线支持包绕及展开。
12.一种晶片几何测量系统，其包括：
一或多个晶片几何测量工具，其经配置以获得晶片的三维NAND结构的几何测量；及
一或多个处理器，其与所述一或多个晶片几何测量工具通信，所述一或多个处理器经配置以：
应用多层堆叠校正模型来校正由所述晶片几何测量工具从所述三维NAND结构获得的所述几何测量，其中所述多层堆叠校正模型包括表示真实厚度与测量厚度之间的相关性的模拟校正曲线，其中所述多层堆叠校正模型经配置以基于从透明膜测量的反射率及相位变化信息来校正由位于所述三维NAND结构上的所述透明膜引起的构形数据中的一或多个测量误差；及
基于经校正的所述几何测量，将一个或多个控制信号提供给半导体制造设备中的一个或多个过程工具。
13.根据权利要求12所述的系统，其中至少部分基于真实晶片厚度数据与使用所述晶片几何测量工具测量的晶片厚度数据之间的相关性来获得所述校正模型。
14.根据权利要求12所述的系统，其中至少部分基于所述晶片的设计以及所述晶片的多个层的已知物理及光学性质来获得所述校正模型。
15.根据权利要求12所述的系统，其中所述校正模型进一步考虑具有反射率信息的晶片图。
16.根据权利要求15所述的系统，其中利用从多个晶片表面位置收集空间信息的单个波长干涉仪来获得具有反射率信息的所述晶片图。
17.根据权利要求12所述的系统，其中所述校正曲线支持包绕及展开。
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