KR20190097281A - 웨이퍼 지오메트리 시스템에서의 투명막 에러 보정 패턴 - Google Patents

웨이퍼 지오메트리 시스템에서의 투명막 에러 보정 패턴 Download PDF

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KR20190097281A
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Abstract

시스템은 웨이퍼의 지오메트리 측정치를 취득하도록 구성된 하나 이상의 웨이퍼 지오메트리 측정 툴을 포함한다. 시스템은 하나 이상의 웨이퍼 지오메트리 측정 툴과 통신하는 하나 이상의 프로세서도 포함한다. 하나 이상의 프로세서는 하나 이상의 웨이퍼 지오메트리 측정 툴에 의해 취득된 웨이퍼 측정치를 보정하기 위해 보정 모델을 적용하도록 구성된다. 보정 모델은 웨이퍼 상에 위치한 투명막에 의해 야기되는 측정 에러를 보정하도록 구성된다.

Description

웨이퍼 지오메트리 시스템에서의 투명막 에러 보정 패턴
<관련 출원과의 교차 참조>
본 출원은 35 U.S.C. § 119(e)에 의거하여 2014년 3월 19일에 출원한 미국 가출원 일련 번호 62/443,815의 이익을 주장한다. 상기 미국 가출원 일련 번호 62/443,815는 그 전체가 인용에 의해 본 명세서에 포함된다.
<기술 분야>
본 개시내용은 개괄적으로 검사 및 계측 분야에 관한 것이며, 구체적으로는 투명막을 포함하는 반도체 디바이스의 검사 및 계측에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼 등과 같은 얇은 연마판(thin polished plate)은 현대 기술의 매우 중요한 부분이다. 예를 들어 웨이퍼는 집적 회로 및 기타 디바이스의 제조에 사용되는 반도체 재료의 얇은 슬라이스를 지칭할 수 있다. 얇은 연마판의 다른 예는 자기 디스크 기판, 게이지 블록(gauge block) 등을 포함할 수 있다. 여기에 설명하는 기술은 주로 웨이퍼를 언급하지만, 이 기술이 다른 유형의 연마판에도 적용 가능한 것은 물론이다. 웨이퍼란 용어와 연마판이란 용어는 본 개시내용에서 상호교환적으로 사용될 수 있다.
적정한 제조 수율을 보장하려면 웨이퍼의 결함 검사뿐만 아니라 계측 측정도 이루어져야 한다. 이러한 검사 및 계측 공정을 수행하는데 사용되는 툴은 효율적이고 효과적인 것이 기대된다. 웨이퍼로부터 취득되는 주요 메트릭은 막 두께 및 웨이퍼 토포그래피(wafer topography)를 포함하나 이들에 국한되지는 않는다. 포인트 투 포인트 엘립소미터 기반 기술은 나노미터 이하의 막 두께 정확도를 제공하지만, 웨이퍼 표면이 투명막을 포함하고 있다면, 전체 웨이퍼 광학 간섭계 기반 지오메트리 툴이 제대로 작동하지 못할 수도 있다. 예를 들어, 패턴 웨이퍼 지오메트리(PWG, pattern wafer geometry) 시스템은 양면 위상 시프팅 피조 간섭계(Fizeau interferometer) 및 전단 간섭계(shearing interferometer)를 포함한다. 이러한 PWG 시스템은 웨이퍼의 전면 및 후면을 동시에 측정하는데 사용될 수 있다. 그러나, 웨이퍼 표면 상에, 특히 일반적으로는 웨이퍼 전면 상에 투명막이 존재할 때에, 웨이퍼로부터 취득되는 PWG 측정치는 막으로의 광 침투로 인한 에러를 포함할 수 있다.
이 에러를 줄이기 위한 한가지 해결법은 토포그래피 측정을 달성하기 위해 투명막 상에 공형의(conforming)/불투명(opaque)막을 퇴적하는 것이다. 이 해결법은 사용자가 공정 플로우를 수정해야 하기 때문에, 대용량 생산이 아닌 엔지니어링 단계에서만 적용될 수 있다. 이와 같이, 투명막 에러 보정을 위한 방법 및 시스템을 제공하려는 염원이 있다.
본 개시내용의 일 이상의 예시적인 실시형태에 따라, 방법이 개시된다. 일 실시형태에 있어서, 방법은 웨이퍼 지오메트리 측정 툴을 사용하여 웨이퍼의 지오메트리 측정치를 취득하는 단계를 포함한다. 다른 실시형태에 있어서, 방법은 웨이퍼 지오메트릭 측정 툴에 의해 취득된 지오메트리 측정치를 보정하기 위해 보정 모델을 적용하는 단계를 포함하고, 보정 모델은 웨이퍼 상에 위치한 투명막에 의해 야기되는 측정 에러를 보정하도록 구성된다.
본 개시내용의 일 이상의 다른 실시형태에 따라, 방법이 개시된다. 일 실시형태에서, 방법은 웨이퍼의 설계 및 웨이퍼의 복수의 층의 알려진 물리적 그리고 광학적 특성에 적어도 부분적으로 기초하여 보정 모델을 생성하는 단계를 포함한다. 다른 실시형태에 있어서, 방법은 웨이퍼 지오메트리 측정 툴을 사용하여 웨이퍼의 지오메트리 측정치를 취득하는 단계를 포함한다. 다른 실시형태에 있어서, 방법은 웨이퍼 지오메트릭 측정 툴에 의해 취득된 지오메트리 측정치를 보정하기 위해 보정 모델을 적용하는 단계를 포함하고, 보정 모델은 웨이퍼 상에 위치한 투명막에 의해 야기되는 측정 에러를 보정하도록 구성된다.
본 개시내용의 일 이상의 다른 실시형태에 따라, 시스템이 개시된다. 일 실시형태에서, 시스템은 웨이퍼의 지오메트리 측정치를 취득하도록 구성된 하나 이상의 웨이퍼 지오메트리 측정 툴을 포함한다. 다른 실시형태에서, 시스템은 하나 이상의 웨이퍼 지오메트리 측정 툴과 통신하는 하나 이상의 프로세서를 포함한다. 다른 실시형태에서, 하나 이상의 프로세서는 하나 이상의 웨이퍼 지오메트리 측정 툴에 의해 취득된 웨이퍼 측정치를 보정하기 위해 보정 모델을 적용하도록 구성된다. 다른 실시형태에서, 보정 모델은 웨이퍼 상에 위치한 투명막에 의해 야기되는 측정 에러를 보정하도록 구성된다.
전술한 개괄적인 설명과 이어지는 상세한 설명은 전부 예시적이며, 설명을 위한 것일뿐 본 개시내용을 반드시 제한하는 것이 아님이 이해되어야 한다. 명세서에 포함되어 일부를 구성하는 첨부 도면이 본 개시내용의 청구 대상을 도시한다. 또, 명세서 및 도면은 본 개시내용의 원리를 설명하는데 도움이 된다.
본 개시내용의 수많은 장점은 다음의 첨부 도면을 참조함으로써 당업자에게 더 잘 이해될 수 있다.
도 1은 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따른, 유전체 광 전파에 의해 야기된 투명막 에러를 도시하는 도면이다.
도 2는 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따른, 웨이퍼 기판 상에 퇴적된 불균일한 두께를 가진 막을 도시하는 도면이다.
도 3은 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따른, 웨이퍼 지오메트리 시스템을 사용하여 취득된 웨이퍼 두께 측정치를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따른, 기준 측정 툴을 사용하여 취득된 실제 웨이퍼 두께 측정치를 나타내는 도면이다.
도 5는 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따라 구성된 보정 모델을 도시하는 도면이다.
도 6은 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따른, 웨이퍼 지오메트리 시스템을 사용하여 취득된 다른 웨이퍼 두께 측정치를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따른, 보정 모델을 사용하여 보정된 웨이퍼 두께 측정치를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따른, 보정 모델을 사용하여 보정된 웨이퍼 두께 측정치에 대한 기준으로서 실제 웨이퍼 두께 측정치를 나타내는 도면이다.
도 9a 내지 도 9b는 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따른 막 스택으로부터 취득된 반사율 정보를 나타낸다.
도 10은 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따른 웨이퍼 측정 보정 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 11은 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따라 구성된 검사 시스템을 도시하는 블록도이다.
이제, 첨부 도면에 나타내는, 개시하는 청구 대상을 상세하게 검토할 것이다.
본 개시내용의 실시형태는 광학 간섭계 기반의 웨이퍼 지오메트리 측정 시스템에 투명막 에러 보정을 제공하는 방법 및 시스템에 관한 것이다. 이러한 광학 간섭계 기반 웨이퍼 지오메트리 측정 시스템은 패턴 웨이퍼 지오메트리(PWG) 시스템을 포함할 수 있다. 본 개시내용의 목적을 위해, "패턴 웨이퍼 지오메트리"(PWG) 및 "광학 간섭계 기반 웨이퍼 지오메트리 측정 시스템"이라는 용어들은 동일한 의미로 사용된다. 투명막 스택 상에서의 반사로부터 수집된 위상 및 반사율 변화 정보가 토포그래피 측정 에러를 보정하는데 사용될 수 있다. 일부 실시형태에서는, 3차원 막 스택(예컨대, 3D NAND 막 스택) 상의 토포그래피 측정 에러를 추정하는데 다층 스택 모델이 사용된다. 모델은 몇몇 알려진 위치에서 각 층 및 두께 게이지(예컨대, 엘립소미터와 같은 기준 두께 툴) 측정치의 가능한 두께 편차를 조합하여 실제 측정된 전체 웨이퍼 두께 맵과 매칭시키도록 구성될 수 있다.
이제 도 1을 참조하면, 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따른, 유전체 광 전파에 의해 야기된 투명막 에러를 도시하는 도면을 볼 수 있다. 유전체 광 전파로 인해, 모든 하부 층의 계면들 사이에서 앞뒤로 바운스된 다중 반사가 중첩된 것이 결과적인 전체 반사임을 알아야 한다. 또한, 반사로 인한 위상 변화(φ)가 웨이퍼의 층 구조에 의존하는 것도 알아야 한다. 보다 구체적으로, 반사된 빔의 위상 변화는 막 두께, 복소 굴절률, 및 기판의 특성의 함수이다. 막이 균일한 경우에는, 위상 변화(φ)가 일정하며 토포그래피 측정 에러를 유입하지 않는다. 막이 불균일한 경우, 도 2에 도시하는 바와 같이, 위상 변화(φ)가 토포그래피를 변형시켜 측정 에러를 야기할 수 있다. 다른 실시형태에서는, 또한 이러한 막 스택으로부터의 반사율이 막 n, k 및 두께의 함수로서 모델링될 수 있다.
도 3과 도 4는 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따른, 반전 에러(inversion error)라고 지칭될 수 있는 유형의 측정 에러를 도시하는 도면이다. 예를 들어, 도 4는 중심 영역의 막이 가장자리 영역의 막보다 더 두꺼운 웨이퍼의 실제 막 두께를 보여준다. 실제 막 두께의 측정을 보조하기 위해 다양한 유형의 측정 툴이 사용될 수 있는 것이 고려된다. 예를 들어, 광대역 엘립소메트리 막 툴, 온툴(on-tool) 광대역 반사계 두께 프로브, 커패시턴스 게이지, 광학 두께 게이지 등이 본 개시내용의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 이용될 수 있다. 한편, 도 3은 투명막 에러 보정없이 (예컨대, PWG 측정 툴을 사용하여 측정된)간섭계 데이터를 사용하여 측정된 웨이퍼 두께를 도시한다. 광학 간섭계 데이터를 사용하여 측정된 웨이퍼 두께는 투명막의 반전 에러(inversion error)로 인해 실제 두께와 반대이다. 이 관계가 도 5에 예시된다.
실제 두께와 PWG 측정 두께 간의 정량적 관계는 막의 광학 특성을 통해 모델링될 수 있는 것으로 고려된다. 일부 실시형태에서, 보정 모델은 도 5에 도시하는 바와 같이 보정 곡선을 포함할 수 있다. 예를 들어, 보정 곡선(504)은 시뮬레이션으로부터 생성될 수 있다. 도 5에서, x축은 포인트-투-포인트 두께 측정 기준을 통해 결정된 나노미터(nm)로 측정된 실제 두께를 나타낸다. y축은, 투명막에 의해 야기된 에러를 포함하며, 광학 간섭계를 통해 측정된 측정 두께, 즉 겉보기 두께를 나타낸다. 실제 두께 및 PWG 측정 두께 둘 다를 나타내는 실험 데이터(502)를 수집하여 보정 곡선(504)을 검증할 수 있다. 보정 곡선(504)이 취득되면, 이후의 PWG 측정 두께는 보정 곡선(504)을 사용하여 보정되어 실제 두께와 매우 유사한 두께 측정치를 생성할 수 있다.
이 보정 공정에 대해서는 도 6 내지 도 8에서 더 설명한다. 도 6은 보정 전에 취득된 PWG 측정을 나타내는 도면이다. 그런 다음 보정 곡선을 적용하여 PWG 측정을 보정할 수 있다. 그 결과의 측정은 도 7에 도시하는 보정된 PWG 측정이라고 칭해질 수 있다. 보정된 PWG 측정은 도 8에 나타내는 실제 두께 데이터를 정확하게 반영할 수 있다. 이러한 보정 방법으로, 보정된 PWG 두께 측정과 기준 툴(예컨대, 엘립소미터) 두께 측정 간의 상관 관계는 97%에 접근할 수 있다.
전술한 보정 공정은 관계식:
Figure pct00001
에서 알 수 있는 바와 같이, 두께 측정에 직접적으로 사용되는 반사율 정보(r) 및 위상 데이터(ψ)를 이용하여 더욱 지원될 수 있는 것이 고려되며, 이 식은 앞에서 사용된 동일한 간섭계 강도 데이터로부터 유래한다. 일부 실시형태에서, 단일 파장 간섭계는 다수의 웨이퍼 표면 위치로부터 공간 정보를 수집하는데 사용될 수 있다. 그 다음, 수집된 정보는 반사율 정보를 갖는 웨이퍼 맵을 생성하도록 프로세싱될 수 있으며, 반사율 정보는 보정된 PWG 측정치의 정확도를 더욱 높이는데 이용될 수 있다. 도 9a 및 9b는 막 스택으로부터 얻어진 반사율 정보를 나타낸다. 도 9a는 PWG 시스템을 사용하여 샘플 상에서 측정된 반사율을 도시한다. 도 9b는 막 두께 변화에 대해 측정된 반사율과 모델링된 반사율 사이의 유사성을 도시한다. 성막후(post-film deposition) 간섭계 정보만이 반사율 측정에 사용되기 때문에, 이 공정은 막 두께를 도출하기 위해 성막/에칭 전후에 표면 토포그래피를 측정하는 2 단계를 사용하는 것보다 더 효율적인 단일 공정 단계에서 달성될 수 있음을 알아야 한다.
전술한 보정 공정은 본 개시내용의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 더 큰 두께 범위를 수용하도록 구성될 수 있는 것도 고려된다. 예를 들어, 특정한 요구에 부합하도록 두께 커버리지를 확장하기 위해 위상 언래핑(phase unwraping) 기술이 전술한 보정 곡선에 적용될 수도 있다. 전술한 보정 공정은 제한되지 않는, 다음의 알고리즘, 즉 간섭계 강도 데이터의 피팅(fitting), 반사율, 위상 에러 대(vs.) 모델 결과, 한 세트의 노이즈제거(denoising)/필터링 기술, 예측 알고리즘, 통계 최적화 알고리즘, 및 간섭계로부터의 입력을 갖는 신경망 알고리즘 중 하나 이상에 의해 수행될 수 있다.
도 10은 본 개시내용에 따라 구성된 보정 공정(1000)의 실시형태를 나타내는 흐름도이다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 단계 1002에서 웨이퍼 지오메트리 시스템을 사용하여 웨이퍼의 지오메트리 측정치를 취득한다. 취득된 지오메트리 측정치는 웨이퍼 상에 위치한 투명막에 의해 야기되는 토포그래피 측정 에러 등과 같은 에러를 포함할 수 있다. 그런 다음 단계 1004에서, 지오메트리 측정치에서 취득된 에러의 저감을 지원하기 위해 보정 모델을 이용할 수 있다. 전술한 바와 같이, 보정 모델은 웨이퍼 상에 위치한 투명막에 의해 야기되는 측정 에러의 보정을 도울 수 있다. 일부 실시형태에서, 보정 모델은 실제 웨이퍼 두께와 측정된 웨이퍼 두께 데이터 간의 상관관계(correlation)에 기초하여 선험적으로 취득될 수 있다. 일부 실시형태에서, 보정 모델은 전술한 바와 같이 보정 곡선 사용을 포함할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 보정 모델은 전술한 보정 곡선 방법 및 선험적 방법 양쪽의 사용을 포함할 수도 있다.
일부 실시형태에서는 보정 모델이 동적으로 업데이트될 수 있는 것이 고려된다. 예를 들어, 단계 1004의 출력은 보정 모델의 유효성을 결정하기 위해 일부 기준 데이터에 대해 검사될 수도 있다. 일부 실시형태에서는, 보정 모델을 조정하기 위해 피드백 루프가 제공될 수도 있는데, 이렇게 하면 측정치 에러를 더욱 줄일 수 있다. 일부 실시형태에서는, 웨이퍼의 설계 및 웨이퍼의 복수의 층의 알려진 물리적(그리고 광학적) 특성에 기초하여 보정 모델이 생성될 수 있다. 본 개시내용의 사상 및 범위에서 벗어나지 않고서 보정 모델의 생성/업데이터를 지원하기 위해 다양한 다른 유형의 기술이 사용될 수 있는 것이 고려된다.
이제 도 11을 참조하면, 본 개시내용의 일 이상의 실시형태에 따라 구성된 검사 시스템(1100)을 도시하는 블록도를 볼 수 있다. 일 실시형태에서는, 검사 시스템(1100)이 하나 이상의 웨이퍼 지오메트리 툴(1102)을 포함한다. 웨이퍼 지오메트리 툴(1102)은 웨이퍼(1106)로부터 웨이퍼 지오메트리 측정치를 취득하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼 지오메트리 툴(1102)은 듀얼 캐비티 피조 간섭계(dual cavity Fizeau interferometer)를 포함할 수 있으나, 이에 국한되지는 않는다. 본 개시내용의 일 이상의 실시형태의 구현예에 적합한 듀얼 간섭계는 2005년 1월 25일에 발행된 미국 특허 6,847,458호에 기술되어 있으며, 이 특허문헌은 본 명세서에 참고로 인용된다. 본 개시내용의 일 이상의 실시형태의 구현예에 적합한 듀얼 간섭계는 2011년 11월 29일에 발행된 미국 특허 8,068,234호에 기술되어 있으며, 이 특허문헌은 본 명세서에 참고로 인용된다. 본 개시내용의 일 이상의 실시형태의 구현예에 적합한 듀얼 간섭계는 2014년 10월 2일에 발행된 미국 특허 공개 2014/0293291에 기술되어 있으며, 이 특허문헌은 본 명세서에 참고로 인용된다.
다른 실시형태에서, 검사 시스템(1100)은 하나 이상의 프로세서(1104)(예컨대, 하나 이상의 컴퓨터 프로세서)를 포함한다. 하나 이상의 프로세서(1104)는 웨이퍼 지오메트리 툴(1102)에 통신 가능하게 결합되며, 웨이퍼 지오메트리 툴(1102)로부터 하나 이상의 측정치를 수신하도록 구성될 수 있다. 일 실시형태에서, 하나 이상의 프로세서(1104)는 컨트롤로 내에 임베딩될 수 있다. 프로세서(1104)는 취득된 웨이퍼 지오메트리 측정치에 보정 모델을 적용하도록 구성될 수 있다. 보정 모델은 선험적으로 취득될 수 있다. 보정 모델은 전술한 바와 같이 동적으로 조정 가능할 수도 있다.
전술한 바로부터 알겠지만, 전술한 보정 시스템 및 보정 공정은 투명막 스택 상에 퇴적된 두꺼운 불투명 막의 정확한 측정을 가능하게 하며, 이는 3D NAND 생산에 있어서 주요한 잠재적 응용이다. 전술한 보정 시스템 및 보정 공정은 불투명 막을 제조 공정에 추가하지 않고서 투명막이 야기한 토포그래피 측정 에러를 크게 줄일 것이다. 보정된 토포그래피 측정에 기초하여, 시스템(1100)은 반도체 제조 설비(예컨대, 3D NAND 설비)에서 상류 또는 하류 공정 툴을 조정하기 위해 피드백 및/또는 피드포워드 제어를 제공하는데 사용될 수 있다.
하나 이상의 프로세서(1104)는 당업계에 알려진 임의의 하나 이상의 프로세싱 엘리먼트를 포함할 수 있다. 여기에 설명하는 각 프로세서(들)는 퍼스널 컴퓨터 시스템, 이미지 컴퓨터, 메인 프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 네트워크 어플라이언스, 인터넷 어플라이언스, 또는 기타 디바이스를 포함한 다양한 형태를 취할 수 있다. 일반적으로, "컴퓨터 시스템"이란 용어는 메모리 매체로부터 명령어를 실행하는 하나 이상의 프로세서를 갖는 임의의 장치를 망라하도록 넓게 정의될 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은 또한 당업계에 공지된 병렬 프로세서 등의 임의의 적합한 프로세서를 포함할 수 있다. 또한, 컴퓨터 서브시스템(들) 또는 시스템(들)은 고속 프로세싱 및 소프트웨어를 구비한 플랫폼을, 독립형 또는 네트워크형 툴로서 포함할 수 있다.
컴퓨터 시스템이 복수의 컴퓨터 서브시스템을 포함한다면, 본 명세서에서 더 설명하겠지만 컴퓨터 서브시스템 간에 이미지, 데이터, 정보, 명령어 등을 전송할 수 있도록 상이한 서브시스템들이 서로 결합될 수 있다. 예를 들어, 한 컴퓨터 서브시스템은 당업계에 공지된 임의의 적절한 유선 및/또는 무선 전송 매체를 포함할 수 있는 임의의 적합한 전송 매체에 의해 다른 컴퓨터 서브시스템(들)에 결합될 수 있다. 이러한 컴퓨터 서브시스템들 중 둘 이상은 또한 공유된 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체에 의해 효과적으로 결합될 수 있다. 일반적으로, "프로세서"란 용어는 비일시적 메모리 매체(예컨대, 메모리)로부터의 프로그램 명령어를 실행하는 하나 이상의 프로세서를 갖는 임의의 디바이스를 망라하도록 넓게 정의될 수 있다. 또한, 시스템(1100)의 상이한 서브시스템(예컨대, 웨이퍼 지오메트리 툴(1102), 사용자 인터페이스 등)은 본 개시내용 전체에서 설명하는 단계들의 적어도 일부를 수행하기에 적합한 프로세서 또는 로직 엘리먼트를 포함할 수 있다.
본 개시내용의 추가 실시형태들은 전술한 바와 같이 타깃 배치를 위한 컴퓨터 구현 방법을 수행하기 위해, 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어들을 저장한 비일시적 컴퓨터 판독 가능한 매체에 관한 것이다. 컴퓨터 판독 가능한 매체는 자기 또는 광 디스크, 자기 테이프, 또는 해당 기술 분야에 알려진 기타 적절한 비일시적인 컴퓨터 판독 가능한 매체 등의 저장 매체일 수 있다. 프로그램 명령어는 무엇보다도 프로시저 기반의 기술, 컴포넌트 기반의 기술, 및/또는 객체 지향 기술을 비롯한 다양한 방식 중 임의의 것으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 프로그램 명령어는 원하는 대로, ActiveX controls, C++ objects, JavaBeans, Microsoft Foundation Classes("MFC"), SSE(Streaming SIMD Extension) 또는 기타 기술 또는 방법론을 이용하여 구현될 수 있다.
또한, 앞의 실시예들은 웨이퍼를 언급하였지만, 본 개시내용에 따른 시스템 및 방법은 본 개시내용의 사상 및 범위를 벗어나지 않고서 다른 유형의 연마판에도 적용 가능한 것도 이해해야 한다. 본 개시내용에서 사용된 웨이퍼라는 용어는 집적 회로 및 기타 디바이스의 제조에 사용되는 반도체 재료의 얇은 슬라이스뿐만 아니라 자기 디스크 기판, 게이지 블록 등과 같은 기타 얇은 연마판을 포함할 수도 있다.
본 개시내용에서 설명하는 방법 및 시스템은 독립형 제품으로서, 또는 다양한 웨이퍼 측정, 검사, 및/또는 핫 스폿 발견 툴의 컴포넌트로서 구현될 수도 있다. 또한, 개시하는 방법의 단계들의 특정 순서 또는 체계는 예시적인 접근법의 예인 것은 물론이다. 설계 선호도(design preference)에 기초하여, 방법의 단계들의 특정 순서 또는 체계는 본 개시내용의 범위 및 사상 내에 있으면서 재배열될 수도 있음이 이해될 것이다. 도면에 도시한 다양한 블록들은 예시를 위해 별도로 제시되었음이 이해될 것이다. 도면에 도시한 다양한 블록들이 분리된(그리고 통신 가능하게 결합된) 디바이스 및/또는 프로세싱 유닛으로서 구현될 수 있지만, 이들은 또한 본 개시내용의 사상 및 범위를 벗어나지 않고서 함께 통합될 수 있는 것이 고려된다.
본 명세서에 설명하는 방법들은 그 발명의 실시형태의 하나 이상의 단계들의 결과를 메모리 매체에 저장하는 것을 포함할 수 있다. 그 결과는 본 명세서에서 설명한 결과들 중 임의의 것을 포함할 수 있고 해당 기술 분야에 알려진 임의의 방법으로 저장될 수 있다. 저장 매체는 본 명세서에서 설명한 임의의 메모리 매체 또는 해당 기술 분야에 알려진 기타 적절한 메모리 매체를 포함할 수 있다. 결과가 저장된 후에, 결과는 메모리 매체에서 액세스되고, 본 명세서에서 설명한 방법 또는 시스템 실시형태 임의의 것에 의해 이용되고, 사용자에게 디스플레이하기 위해 포맷팅되고, 다른 소프트웨어 모듈, 방법 또는 시스템에 의해 이용되고, 등등이 가능하다. 또한, 결과는 "영구적으로", "반영구적으로" 또는 일정 기간 동안 저장될 수 있다. 예를 들어, 메모리 매체는 랜덤 액세스 메모리(RAM)일 수 있고, 그 결과는 반드시 메모리 매체에 무기한 유지될 필요는 없다.
또한, 전술한 방법의 실시형태 각각은 본 명세서에서 설명하는 기타 방법의 다른 임의의 단계를 포함할 수 있는 것도 고려된다. 또, 전술한 방법의 실시형태 각각은 본 명세서에서 설명하는 임의의 시스템에 의해 수행될 수도 있다.
당업자는 본 명세서에서 설명된 방식으로 디바이스 및/또는 프로세스를 기술하고 이후 이러한 기술된 디바이스 및/또는 프로세스를 데이터 처리 시스템에 통합하기 위해 엔지니어링 관행을 사용하는 것이 당업계의 통상적인 사항임을 인식할 것이다. 즉, 여기에 기술하는 디바이스 및/또는 프로세스의 적어도 일부는 합리적인 양의 실험을 통해 데이터 처리 시스템에 통합될 수 있다. 당업자는 통상의 데이터 프로세싱 시스템이 일반적으로, 시스템 유닛 하우징, 비디오 디스플레이 디바이스, 휘발성 및 비휘발성 메모리와 같은 메모리, 마이크로프로세서 및 디지털 신호 프로세서와 같은 프로세서, 운영체제, 드라이버, 그래픽 사용자 인터페이스, 애플리케이션 프로그램과 같은 컴퓨팅 엔티티(computational entity), 연산 터치 패드 또는 스크린과 같은 하나 이상의 인터랙션 디바이스, 및/또는 피드백 루프 및 제어 모터(예컨대, 위치 및 속도를 감지하기 위한 피드백 및 컴포넌트 및/또는 양을 이동 및/또는 조정하기 위한 제어 모터)를 포함하는 제어 시스템 중 하나 이상을 포함하는 것을 인식할 것이다. 통상적인 데이터 프로세싱 시스템은 데이터 컴퓨팅/통신 및/또는 네트워크 컴퓨팅/통신 시스템에서 전형적으로 발견되는 것과 같은 임의의 적합한 상업적으로 이용 가능한 컴포넌트를 이용하여 구현될 수 있다.
여기에 기술한 주제는 때로는 상이한 다른 컴포넌트들 내에 포함되거나, 이들 컴퓨넌트에 접속되는 상이한 컴포넌트를 설명한다. 이러한 도시된 아키텍처는 예시적인 것일 뿐이며, 실제로 동일한 기능을 달성하는 수많은 다른 아키텍처가 구현될 수 있음이 이해되어야 한다. 개념적 의미에서, 동일한 기능을 달성하기 위한 컴포넌트들의 임의의 배열은 원하는 기능을 달성하기 위해 효과적으로 "연관"되는 것이다. 따라서, 특정 기능을 달성하기 위해 조합되는 여기에 설명한 임의의 2개의 컴포넌트는 아키텍처 또는 중간 컴포넌트와 관계없이 원하는 기능을 달성하기 위해 서로 "연관"되는 것으로 간주될 수 있다. 마찬가지로, 이렇게 연관되는 임의의 2개의 컴포넌트는 원하는 기능을 달성하기 위해, 서로 "동작 가능하게 접속" 또는 "동작 가능하게 결합된" 것으로 간주될 수 있으며, 이렇게 연관될 수 있는 임의의 2개의 컴포넌트는 원하는 기능을 달성하기 위해 서로 또한 "동작 가능하게 결합될 수 있는" 것으로서 간주될 수도 있다. 동작 가능하게 결합될 수 있는 특정 실시예는 물리적으로 결합 가능한 그리고/또는 물리적으로 상호작용하는 컴포넌트 및/또는 무선으로 상호작용 가능한 그리고/또는 무선으로 상호작용하는 컴포넌트, 및/또는 논리적으로 상호작용하는 그리고/또는 논리적으로 상호작용 가능한 컴포넌트를 포함하나 이에 국한되지는 않는다.
일반적으로, 당업자라면, 본 명세서에서 사용하는 용어, 및 특히 첨부하는 청구범위(예를 들어, 첨부하는 청구범위의 본문)는 일반적으로 "오픈(open)" 용어로서 의도되는 것을 이해할 것이다(예를 들어, "포함하는"이라는 용어는 "~를 포함하지만 ~에 한정되지 않는"인 것으로서 해석되어야 하고, "구비하는"이라는 용어는 "~를 구비하지만 ~에 한정되지 않는"인 것으로서 해석되어야 하며, "포함한다"는 용어는 "~를 포함하지만 ~에 한정되지 않는다"는 것으로 해석되어야 하는 등등이다). 특정 수의 도입 청구항의 기재(recitation)가 의도된다면, 그러한 의도는 청구항에서 명시적으로 언급될 것이고, 그러한 기재가 없을 경우, 그러한 의도는 존재하지 않는다는 것이 당업자에 의해 더 잘 이해될 것이다. 예를 들어, 이해를 돕기 위해, 다음의 첨부하는 청구범위는 "적어도 하나" 및 "하나 이상"이라는 도입 문구의 사용을 포함하여 청구항 기재를 소개할 수 있다. 그러나, 이러한 어구의 사용은, 동일한 청구항이 "하나 이상" 또는 "적어도 하나"라는 소개 문구와 "a" 또는 "an" 등의 부정 관사를 포함하더라도, 부정 관사 "a" 또는 "an"에 의한 청구항 기재의 도입이 그러한 도입 청구항 기재를 포함하는 임의의 특정 청구항을 한정하는 것을 암시하도록 해석되어서는 안 되며(예컨대, "a" 및/또는 "an"이 통상 "적어도 하나" 또는 "하나 이상"을 의미도록 해석되어야 한다), 동일한 것이 청구항 기재를 도입하는데 사용되는 정관사의 사용에 대해서도 마찬가지로 적용된다. 또한, 특정 번호의 도입된 청구항의 기재가 명시적으로 언급되더라도, 당업자는 그러한 기재가 통상 적어도 기재된 수를 의미하는 것으로 해석되어야 하는 것을 인식할 것이다(예를 들어, 다른 수식어가 없다면 "2개의 기재"의 사실 그대로의 기재는 통상 적어도 2개의 기재물, 또는 2개 이상의 기재를 의미한다). 또한, "A, B 및 C 등등 중 적어도 하나"와 유사한 협약이 사용되는 경우, 일반적으로 그러한 구성은 당업자가 그 협약을 이해할 것이라는 의도로 의도된다(예를 들어, , "A, B 및 C 중 적어도 하나를 구비한 시스템"은 A 단독, B 단독, C 단독, A 및 B를 함께, A 및 C를 함께, B 및 C를 함께, 그리고/또는 A, B, 및 C를 함께, 등등). "A, B 또는 C 등등 중 적어도 하나"와 유사한 협약이 사용되는 경우, 일반적으로 그러한 구성은 당업자가 그 협약을 이해할 것이라는 의미로 의도된다(예를 들어, "A, B 또는 C 중 적어도 하나를 구비한 시스템"은 A 단독, B 단독, C 단독, A 및 B를 함께, A 및 C를 함께, B 및 C를 함께, 그리고/또는 A, B, 및 C를 함께, 등등) 당업자라면, 또한 명세서, 청구범위 또는 도면에 있어서, 2개 이상의 대안적인 용어를 제시하는 사실상 임의의 선언적인 단어 및/또는 어구가 그 용어 중 하나, 그 용어 중 어느 한쪽, 또는 양쪽 용어를 포함하는 가능성을 고려하도록 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, "A 또는 B"라는 문구는 "A" 또는 "B" 또는 "A 및 B"의 가능성을 포함하는 것으로 이해될 것이다.
본 명세서에 설명하는 본원의 요지의 특정 양태가 도시되고 기술되었지만, 당업자는 본원의 교시에 기초하여, 본 명세서에 기술하는 요지 및 그것의 더 넓은 양태로부터 벗어나지 않고서 변경 및 변형이 이루어질 수 있음을 알 것이며, 따라서, 첨부하는 청구범위는 본 명세서에 기재된 요지의 진정한 정신 및 범위 내에 있는 것으로서 그러한 모든 변경 및 변형을 그 범위 내에 포함하는 것이다. 또한, 본 발명은 첨부하는 청구범위에 의해 한정되는 것임을 이해되어야 한다.

Claims (20)

  1. 웨이퍼 지오메트리(wafer geometry) 측정 방법에 있어서,
    웨이퍼 지오메트리 측정 툴을 사용하여 웨이퍼의 지오메트리 측정치를 취득하는 단계와,
    상기 웨이퍼 지오메트릭 측정 툴에 의해 취득된 지오메트리 측정치를 보정하기 위해 보정 모델을 적용하는 단계
    를 포함하고, 상기 보정 모델은 상기 웨이퍼 상에 위치한 투명막에 의해 야기되는 측정 에러를 보정하도록 구성되는, 웨이퍼 지오메트리 측정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보정 모델은, 상기 웨이퍼 지오메트리 측정 툴을 사용하여 측정된 웨이퍼 두께 데이터와 실제 웨이퍼 두께 데이터 간의 상관관계(correlation)에 적어도 부분적으로 기초하여 취득되는, 웨이퍼 지오메트리 측정 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 보정 모델은, 상기 웨이퍼의 설계 및 상기 웨이퍼의 복수의 층의 알려진 물리적 그리고 광학적 특성에 적어도 부분적으로 기초하여 취득되는, 웨이퍼 지오메트리 측정 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 보정 모델은 또한 반사율 정보를 갖는 웨이퍼 맵을 고려하는, 웨이퍼 지오메트리 측정 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 반사율 정보를 갖는 웨이퍼 맵은, 복수의 웨이퍼 표면 위치로부터 공간 정보를 수집하는 단일 파장 간섭계(single wavelength interferometer)를 사용하여 취득되는, 웨이퍼 지오메트리 측정 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 보정 모듈은 실제 두께와 측정 두께 간의 상관관계를 나타내는 보정 곡선을 포함하는, 웨이퍼 지오메트리 측정 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 보정 곡선은 래핑(wrapping) 및 언래핑(unwrapping)을 지원하는, 웨이퍼 지오메트리 측정 방법.
  8. 웨이퍼 지오메트리 측정 방법에 있어서,
    웨이퍼의 설계 및 상기 웨이퍼의 복수의 층의 알려진 물리적 그리고 광학적 특성에 적어도 부분적으로 기초하여 보정 모델을 생성하는 단계와,
    웨이퍼 지오메트리 측정 툴을 사용하여 상기 웨이퍼의 지오메트리 측정치를 취득하는 단계와,
    상기 웨이퍼 지오메트릭 측정 툴에 의해 취득된 지오메트리 측정치를 보정하기 위해 상기 보정 모델을 적용하는 단계
    를 포함하고, 상기 보정 모델은 상기 웨이퍼 상에 위치한 투명막에 의해 야기되는 측정 에러를 보정하도록 구성되는, 웨이퍼 지오메트리 측정 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 보정 모델은, 상기 웨이퍼 지오메트리 측정 툴을 사용하여 측정된 웨이퍼 두께 데이터와 실제 웨이퍼 두께 데이터 간의 상관관계에 적어도 부분적으로 기초하여 생성되는, 웨이퍼 지오메트리 측정 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 보정 모델은 또한 반사율 정보를 갖는 웨이퍼 맵을 고려하는, 웨이퍼 지오메트리 측정 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 반사율 정보를 갖는 웨이퍼 맵은, 복수의 웨이퍼 표면 위치로부터 공간 정보를 수집하는 단일 파장 간섭계를 사용하여 취득되는, 웨이퍼 지오메트리 측정 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 보정 모듈은 실제 두께와 측정 두께 간의 상관관계를 나타내는 보정 곡선을 포함하는, 웨이퍼 지오메트리 측정 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 보정 곡선은 래핑 및 언래핑을 지원하는, 웨이퍼 지오메트리 측정 방법.
  14. 시스템에 있어서,
    웨이퍼의 지오메트리 측정치를 취득하도록 구성된 하나 이상의 웨이퍼 지오메트리 측정 툴과,
    상기 하나 이상의 웨이퍼 지오메트리 측정 툴과 통신하는 하나 이상의 프로세서
    를 포함하고, 상기 하나 이상의 프로세서는, 상기 웨이퍼 지오메트릭 측정 툴에 의해 취득된 지오메트리 측정치를 보정하기 위해 보정 모델을 적용하도록 구성되며, 상기 보정 모델은 상기 웨이퍼 상에 위치한 투명막에 의해 야기되는 측정 에러를 보정하도록 구성되는, 시스템.
  15. 제14항에 있어서, 상기 보정 모델은, 상기 웨이퍼 지오메트리 측정 툴을 사용하여 측정된 웨이퍼 두께 데이터와 실제 웨이퍼 두께 데이터 간의 상관관계에 적어도 부분적으로 기초하여 취득되는, 시스템.
  16. 제14항에 있어서, 상기 보정 모델은, 상기 웨이퍼의 설계 및 상기 웨이퍼의 복수의 층의 알려진 물리적 그리고 광학적 특성에 적어도 부분적으로 기초하여 취득되는, 시스템.
  17. 제14항에 있어서, 상기 보정 모델은 또한 반사율 정보를 갖는 웨이퍼 맵을 고려하는, 시스템.
  18. 제17항에 있어서, 상기 반사율 정보를 갖는 웨이퍼 맵은, 복수의 웨이퍼 표면 위치로부터 공간 정보를 수집하는 단일 파장 간섭계를 사용하여 취득되는, 시스템.
  19. 제14항에 있어서, 상기 보정 모듈은 실제 두께와 측정 두께 간의 상관관계를 나타내는 보정 곡선을 포함하는, 시스템.
  20. 제19항에 있어서, 상기 보정 곡선은 래핑 및 언래핑을 지원하는, 시스템.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10317198B2 (en) * 2016-09-30 2019-06-11 Kla-Tencor Corporation Three-dimensional mapping of a wafer
WO2019029933A1 (en) * 2017-08-07 2019-02-14 Asml Netherlands B.V. COMPUTER METROLOGY
US10852125B2 (en) * 2017-11-28 2020-12-01 Koh Young Technology Inc. Apparatus for inspecting film on substrate by using optical interference and method thereof
EP3489619A1 (en) 2017-11-28 2019-05-29 Koh Young Technology Inc. Apparatus for inspecting substrate and method thereof
US11112234B2 (en) * 2018-03-07 2021-09-07 Applejack 199 L.P. Multi-probe gauge for slab characterization
JP6402273B1 (ja) * 2018-05-18 2018-10-10 大塚電子株式会社 光学測定装置及び光学測定方法
US11049720B2 (en) * 2018-10-19 2021-06-29 Kla Corporation Removable opaque coating for accurate optical topography measurements on top surfaces of transparent films
US20220091318A1 (en) * 2019-01-31 2022-03-24 King Abdullah University Of Science And Technology Light processing device based on multilayer nano-elements

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004361218A (ja) * 2003-06-04 2004-12-24 Toray Eng Co Ltd 表面形状および／または膜厚測定方法及びその装置
JP2015087197A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 レーザーテック株式会社 膜厚測定装置及び膜厚測定方法
JP2018531381A (ja) * 2015-10-02 2018-10-25 ソワテク 多層半導体構造の層における厚さ変動を測定する方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5042949A (en) 1989-03-17 1991-08-27 Greenberg Jeffrey S Optical profiler for films and substrates
US5129724A (en) * 1991-01-29 1992-07-14 Wyko Corporation Apparatus and method for simultaneous measurement of film thickness and surface height variation for film-substrate sample
US7324214B2 (en) * 2003-03-06 2008-01-29 Zygo Corporation Interferometer and method for measuring characteristics of optically unresolved surface features
US6847458B2 (en) 2003-03-20 2005-01-25 Phase Shift Technology, Inc. Method and apparatus for measuring the shape and thickness variation of polished opaque plates
WO2005029192A2 (en) * 2003-09-15 2005-03-31 Zygo Corporation Surface triangulation and profiling through a thin film coating
CN100485312C (zh) * 2004-03-11 2009-05-06 Icos视检系统有限公司 用于波前控制和改进的3d测量的方法和装置
US7595891B2 (en) * 2005-07-09 2009-09-29 Kla-Tencor Corporation Measurement of the top surface of an object with/without transparent thin films in white light interferometry
GB0712605D0 (en) * 2007-06-28 2007-08-08 Microsharp Corp Ltd Optical film
US9181124B2 (en) * 2007-11-02 2015-11-10 Agc Flat Glass North America, Inc. Transparent conductive oxide coating for thin film photovoltaic applications and methods of making the same
US8068234B2 (en) 2009-02-18 2011-11-29 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for measuring shape or thickness information of a substrate
US8395191B2 (en) * 2009-10-12 2013-03-12 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
KR20120058572A (ko) 2009-08-24 2012-06-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 메트롤로지 타겟들을 포함하는 기판
US8603839B2 (en) 2010-07-23 2013-12-10 First Solar, Inc. In-line metrology system
US20120089365A1 (en) * 2010-10-08 2012-04-12 Zygo Corporation Data interpolation methods for metrology of surfaces, films and underresolved structures
US8818754B2 (en) * 2011-04-22 2014-08-26 Nanometrics Incorporated Thin films and surface topography measurement using reduced library
US8552369B2 (en) * 2011-05-03 2013-10-08 International Business Machines Corporation Obtaining elemental concentration profile of sample
US9385058B1 (en) * 2012-12-29 2016-07-05 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US20140293291A1 (en) 2013-04-01 2014-10-02 Kla-Tencor Corporation Wafer Shape and Thickness Measurement System Utilizing Shearing Interferometers
US9189705B2 (en) * 2013-08-08 2015-11-17 JSMSW Technology LLC Phase-controlled model-based overlay measurement systems and methods
JP6635110B2 (ja) * 2015-03-24 2020-01-22 コニカミノルタ株式会社 ポリイミド系光学フィルム、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
JP6321579B2 (ja) 2015-06-01 2018-05-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理システム、基板処理装置及びプログラム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004361218A (ja) * 2003-06-04 2004-12-24 Toray Eng Co Ltd 表面形状および／または膜厚測定方法及びその装置
JP2015087197A (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 レーザーテック株式会社 膜厚測定装置及び膜厚測定方法
JP2018531381A (ja) * 2015-10-02 2018-10-25 ソワテク 多層半導体構造の層における厚さ変動を測定する方法

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