JP2015087197A - 膜厚測定装置及び膜厚測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】膜厚測定装置は、光源部10と、試料で反射した反射光を検出して、前記試料の所定の領域における画像を取得する光検出器19と、共焦点光学系101と、SiO2膜の膜厚を算出するために、第1波長の光による第1画像と、第2波長の光による第2画像とに基づいて、第1波長及び第2波長に対する反射率の測定データをそれぞれ求める処理装置20と、を備え、処理装置20は波長と反射率との関係が膜厚毎にそれぞれ示されている計算データを参照して、測定データから膜厚tを近似して算出し、膜厚tの近似において、トレンチの形状に応じたトレンチ係数Trが導入されている。
【選択図】図6
Description
まず、試料の構造について、図1、及び図2を用いて説明する。図1は、トレンチを有する試料の構造を示す断面図である。図2は、トレンチ部分を拡大して示す断面図である。図1に示すように、試料30は、Si基板31と、SiO2膜32とを備えている。
まず、トレンチ34ではない平面の膜厚解析のNA依存性について説明する。ここでは、照明光の波長λとして、436nm、486nm、514nm、546nm、578nm、633nmを選択した場合について説明する。もちろん、選択する波長λについては、上記の値に限られるものではない。
次に、トレンチ34の底部に設けられたSiO2膜32の絶対反射率の測定について説明する。トレンチ底のSiO2膜32の絶対反射率を測定する場合、トレンチ34のアスペクト比によって入射光量が制限される。したがって、平面試料の場合の式(14)では、反射画像の輝度値を反射率に換算することができない。
図10では、トレンチ34の断面の入射と反射の関係を示していたが、入射と反射の関係を定量的に計算するには、3次元的に取り扱う必要がある。そこで、入射と反射の座標系を図12に示すような球座標として、原点に関する反射を考える。
試料30が平面の場合の反射、すなわち、基準試料40での反射について、図13を用いて説明する。図13は、平面試料(基準試料40)の場合を説明するためのXY平面図、XZ断面図、YZ断面図を示している。なお、Z方向は光軸方向であり、X方向、及びY方向は、Z方向に垂直な方向である。図13に示すように、半径Lで高さdの円錐の範囲で角度分布を計算する。ここで、式(22)に示すように、対物レンズ17のNAが与える最大入射角をθmとする。
幅Wで深さdのトレンチ34の場合について,図14を参照して説明する。図14は、トレンチ場合を説明するための、XY平面図、XZ断面図、YZ断面図を示している。また、図14では、Y方向をトレンチの長手方向とする。そして、Y方向におけるトレンチ34の大きさは、円錐の半径Lに比べて十分に長いものとなっているとする。X方向におけるトレンチの大きさが幅Wとなる。
次に、試料30に形成されている凹部がトレンチ34ではなく、円形のVIA35の場合について、図15を用いて説明する。入射角は、VIA35の開口によって決まる。ここで、VIA35の開口は、半径Wの円形であり、深さdとなっているとする。入射角θmを式(28)のように定義すると、VIA35での受光強度PVIA totは、式(29)で表すことができる。
トレンチ34の底部のSiの反射率の入射角依存性について説明する。反射率Rの入射角依存性は、斜入射の場合の振幅反射率rの公式から計算することができる。斜入射の場合、図16に示すように、紙面と平行な振動方向のs偏光と、垂直な振動方向のp偏光に分けて計算される。無偏光の反射率として、s偏光とp偏光の反射率の平均を求める。すなわち、s偏光の反射率をRs、p偏光の反射率をRpとすると、無偏光の場合の反射率Rav=(Rs+Rp)/2となる。
式(30)の数値計算結果を使って、式(23)のPFlat tot、及び式(27)のPTr totをそれぞれ計算する。そして、式(31)のように、受光強度の比PTr tot/PFlat totを求める。受光強度の比PTr tot/PFlat totがトレンチ係数Trとなる。
さらには、複数のピラーが設けられた試料上において、ピラー間の隙間についても、補正係数を設定することができる。すなわち、ピラーを凸部とし、ピラー間の隙間を凹部とする。このように、ピラーで囲まれた領域を凹部として、ピラーの高さや間隔や形状に応じた幾何学的な配置を用いて、補正係数を設定することができる。これにより、ピラーで囲まれた領域に設けられた薄膜の膜厚を測定することができる。
11 光源
12 干渉フィルター
13a、13b、13c レンズ
14 スリット
15 ビームスプリッタ
16 振動ミラー
17 対物レンズ
18 ステージ
19 光検出器
20 処理装置
30 試料
31 基板
32 SiO2膜
34 トレンチ
Claims (10)
- 試料上に設けられている凹部の底部に形成された薄膜の膜厚を測定する膜厚測定装置であって、
少なくとも第1波長の照明光と第2波長の照明光とを切替可能な光源部と、
前記試料で反射した反射光を検出して、前記試料の所定の領域における画像を取得する光検出器と、
前記光源部からの照明光を前記試料まで導くとともに、前記試料からの前記反射光を前記光検出器まで導く共焦点光学系と、
前記薄膜の膜厚を算出するために、前記第1波長の照明光による第1画像と、前記第2波長の照明光による第2画像とに基づいて、前記第1波長及び第2波長に対する反射率の測定データをそれぞれ求める処理部と、を備え、
前記処理部は、波長と反射率との関係が前記薄膜の膜厚毎にそれぞれ示されている計算データを参照して、前記測定データから前記薄膜の膜厚を近似して算出し、
前記膜厚の近似において、前記凹部の形状に応じた補正係数が導入されている膜厚測定装置。 - 前記補正係数が、平面からの受光強度と前記凹部の底部からの受光強度との比の計算値となっている請求項1に記載の膜厚測定装置。
- 前記平面から受光強度と、前記凹部の底部からの受光強度とが、反射率の入射角依存性を示す近似式関数又は参照テーブルを用いて算出されている請求項2に記載の膜厚測定装置。
- 照明光の波長に応じて前記補正係数が設定されている請求項1〜3のいずれか1項に記載の膜厚測定装置。
- 前記処理部は、前記測定データと前記計算データから、最小二乗法により前記薄膜の膜厚を算出する請求項1〜4のいずれか1項に記載の膜厚測定装置。
- 試料上に設けられている凹部の底部に形成された薄膜の膜厚を測定する膜厚測定方法であって、
共焦点光学系を介して、前記試料に第1波長の照明光と第2波長の照明光とを切替えて照射し、
前記試料で反射した反射光を、前記共焦点光学系を介して検出して、前記第1波長の光による第1画像と、前記第2波長の光による第2画像とを取得し、
前記薄膜の膜厚を算出するために、前記第1画像と前記第2画像とに基づいて、前記第1波長及び第2波長に対する反射率の測定データをそれぞれ求め、
波長と反射率との関係が前記薄膜の膜厚毎にそれぞれ示されている計算データを参照して、前記測定データから前記薄膜の膜厚を近似して算出し、
前記膜厚の近似において、前記凹部の形状に応じた補正係数が導入されている膜厚測定方法。 - 前記補正係数が、平面からの受光強度と前記凹部の底部からの受光強度との比の計算値となっている請求項6に記載の膜厚測定方法。
- 前記平面から受光強度と、前記凹部の底部からの受光強度とが、反射率の入射角依存性を示す近似式関数又は参照テーブルを用いて算出されている請求項7に記載の膜厚測定方法。
- 照明光の波長に応じて前記補正係数が設定されている請求項6〜8のいずれか1項に記載の膜厚測定方法。
- 前記測定データと前記計算データから、最小二乗法により前記薄膜の膜厚を算出する請求項6〜9のいずれか1項に記載の膜厚測定方法。
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