JP7078456B2 - 低融点金属部付きヒューズエレメント材およびその製造方法 - Google Patents
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基材として、1.0質量%のNiと0.5質量%のSnと0.05質量%のPを含み、残部がCuであるCu-Ni-Sn-P系合金(DOWAメタルテック株式会社製のNB-105)からなる板材の表面に厚さ1μmのSnめっき層を形成した後にリフロー処理した長さ20mm×幅2mm×厚さ0.64mmのリフローSnめっき付きCu-Ni-Sn-P系銅合金板材を用意した。
リフローSnめっき付きCu-Ni-Sn-P系銅合金板材の幅を3mmとし、Snワイヤをその先端部が基材の上面から5mm離間してその上面に対向するように送給し、Snワイヤと基材の間に電流70Aを1ミリ秒流した以外は、実施例1と同様の方法により、低融点金属部付きヒューズエレメント材を製造した。
リフローSnめっき付きCu-Ni-Sn-P系銅合金板材の幅を1.5mmとし、Snワイヤと基材の間に電流8Aを6ミリ秒流した以外は、実施例1と同様の方法により、低融点金属部付きヒューズエレメント材を製造した。
基材として、1.0質量%のNiと0.5質量%のSnと0.05質量%のPを含み、残部がCuであるCu-Ni-Sn-P系合金(DOWAメタルテック株式会社製のNB-105)からなる板材を使用した以外は、実施例1と同様の方法により、低融点金属部付きヒューズエレメント材を製造した。
実施例1と同じSnワイヤから切り出した長さ5mmのSnワイヤの先端部をはんだごてで溶融して、実施例1と同じ基材に溶着させることを試みたが、フラックスを使用しなかったため、溶融Snを冷却して形成した低融点金属部は、基材から(手で)簡単に剥離し、基材に溶着させることはできなかった。
基材の表面に予めフラックス(タムラ化研株式会社製のRMAフラックス ULF-300R)を塗布した以外は、比較例1と同様の方法により、溶融Snを冷却して形成した低融点金属部を基材に溶着させたところ、低融点金属部を基材に溶着させることができたが、基材の表面がフラックスの残渣により変色しており、フラックスを除去する必要があった。
Snワイヤと基材の間に電流277A(一般的な溶接と同じ電流)を流した以外は、実施例1と同様の方法により、実施例1と同じ基材に溶着させることを試みたが、Snワイヤから多量のSnが溶け出して、低融点金属部を基材の所定の部分に溶着させることができなかった。
12 シールドガスノズル
14 コンタクトノズル
16 基材
18 電源
20 アーク
22 シールドガス
24 狭隘部
26 低融点金属部
Claims (8)
- 金属からなる板状の基材の一方の主面の所定の部分に、その金属より低い融点の金属からなる低融点金属線材を離間して対向させた状態で、その低融点金属線材と基材との間に電流を流すことにより、アークを発生させるとともに低融点金属線材の先端部分を溶融させて溶融金属を形成し、この溶融金属を基材に接触させた後に低融点金属線材を基材から離れる方向に移動させて溶融金属を低融点金属線材から引き離した後、溶融金属を冷却することにより、基材の一方の主面の所定の部分に低融点金属部を溶着させることを特徴とする、低融点金属部付きヒューズエレメント材の製造方法。
- 前記アークおよび前記溶融金属を大気から遮蔽保護するシールドガスを流しながら、前記アークを発生させるとともに前記溶融金属を形成することを特徴とする、請求項1に記載の低融点金属部付きヒューズエレメント材の製造方法。
- 前記シールドガスが、不活性ガスからなることを特徴とする、請求項2に記載の低融点金属部付きヒューズエレメント材の製造方法。
- 前記低融点金属線材が、錫または錫合金からなるワイヤであることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載の低融点金属部付きヒューズエレメント材の製造方法。
- 前記基材が、銅または銅合金からなることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載の低融点金属部付きヒューズエレメント材の製造方法。
- 前記基材が、銅または銅合金からなる板材を錫めっきした錫めっき材であることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載の低融点金属部付きヒューズエレメント材の製造方法。
- 前記低融点金属線材と前記基材との間に流す電流が1~100Aであることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれかに記載の低融点金属部付きヒューズエレメント材の製造方法。
- 前記低融点金属線材と前記基材との間に電流を流す時間が1~50ミリ秒であることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれかに記載の低融点金属部付きヒューズエレメント材の製造方法。
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