JP7076572B2 - 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 - Google Patents

光半導体装置および光半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

本願は、光半導体装置、および光半導体装置の製造方法に関するものである。
分布帰還型の光半導体装置(DFB-LD:Distributed Feed Back Laser Diode)においては、活性層を上下のクラッド層で挟んだ導波路構造となっており、クラッド層の一方はn型、もう一方はp型にドーピングされている。電極に導通させると、p型クラッド層側からはホールが、n型クラッド層側からは電子が注入され、活性層内で再結合することで発光する。そして、導波路内の光の進行方向(光進行方向)における端面と出射媒質である空気の界面からなる反射鏡および回折格子により共振器を形成している。
導波路内を伝搬した光は端面で一部が外部に出射し、ミラー損失となるが、残りの光は端面もしくは回折格子により反射し、再び導波路内を伝搬する。回折格子には位相をλ/4シフトさせた領域が設けられ、共振器内で特定の波長のみが共振するように設計されており、光はこの導波路内を伝搬する間に利得を得て増幅される。そして、導波路伝搬時の内部損失および端面反射時のミラー損失の和が伝搬中に得る利得と等しくなったときにレーザ発振し、端面からコヒーレント光が出射される。
一方、レーザ発振時の光進行方向における活性層内の光強度は不均一分布となっており、回折格子のλ/4シフト位置に相当する箇所の光強度が最も強い。光強度の強い領域では誘導放出によりキャリア密度が相対的に減少する軸方向ホールバーニングという現象が生じ、光の進行方向において屈折率変動が生じて単一モード動作が不安定化する問題点がある。これに対して、光進行方向に沿って電極を複数に分割し、光進行方向におけるキャリア密度が均一に近づくように、電極ごとの注入電流比を制御するレーザ装置(例えば、特許文献1参照。)が開示されている。さらには、光進行方向における素子内部の抵抗率の分布を変化させる光半導体素子(例えば、特許文献2参照。)が開示されている。
特開平1-231388号公報(第3頁右上欄14行目~第5頁左上欄13行目、第2図~第3図) 特開昭64-11391号公報(第3頁右上欄13行目~第4頁左下欄3行面、第4図~第8図)
しかしながら、分割した電極ごとに注入する電流比を制御するためには、複数の電流源を必要とするため、装置構成が煩雑となり、動作制御も複雑になる。また、素子内部の抵抗率、つまり材料としての抵抗率を変化させるには、ドーパントの密度分布を精度よく制御する必要があり、製造が困難になる。
本願は、上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、複雑な動作制御が必要なく、容易に安定した動作が可能な光半導体装置を得ることを目的とする。
本願に開示される光半導体装置は、第一導電型基板の表面に第一導電型クラッド層、活性層、第一導電型の逆の導電型である第二導電型第一クラッド層の順に積層されたリッジストライプと、前記リッジストライプの頂部を露出して、前記リッジストライプの両側のそれぞれを埋め込む第一埋め込み層と、前記第一埋め込み層のそれぞれを覆うとともに、前記リッジストライプの前記頂部に向けてせり出した部分が前記頂部の上で前記頂部の幅よりも狭い間隔をあけて対向する電流狭窄窓を有する第一導電型第二埋め込み層と、前記電流狭窄窓とともに前記第一導電型第二埋め込み層を埋め込む、第二導電型第二クラッド層と、前記第一導電型クラッド層または前記第二導電型第一クラッド層内に形成され、光進行方向における中間部分にλ/4位相シフトが配置された回折格子と、を備え、前記λ/4位相シフトが配置された領域の方が端面領域よりも前記電流狭窄窓の開口幅が広い、および前記光進行方向における前記λ/4位相シフトが配置された領域の方が前記端面領域よりも前記第一導電型第二埋め込み層の前記せり出した部分の厚みが薄い、の少なくとも一方の条件を満たすように前記光進行方向における位置に応じて前記電流狭窄窓の前記光進行方向に垂直な断面形状が変化し、前記電流狭窄窓を介した前記第二導電型第二クラッド層から前記第二導電型第一クラッド層への電流経路の抵抗が、前記光進行方向における前記λ/4位相シフトが配置された領域において最小となっていることを特徴とする。
本願に開示される光半導体装置の製造方法は、第一導電型基板の表面に第一導電型クラッド層、活性層、第一導電型の逆の導電型である第二導電型第一クラッド層の順に積層して積層構造体を形成する工程と、前記積層構造体の両側を前記活性層よりも前記第一導電型基板に近い位置までエッチングし、リッジストライプを形成する工程と、前記リッジストライプの頂部を露出して、前記リッジストライプの両側を、それぞれ半絶縁性材料をドープした埋め込み材料で埋め込み、第一埋め込み層を形成する工程と、前記第一埋め込み層から前記リッジストライプの前記頂部に向けてせり出し、それぞれのせり出した部分が前記頂部の幅よりも狭い間隔をあけて対向する電流狭窄窓を有するように、前記リッジストライプの頂部の両端を除く中間部分をマスクで覆い、第一導電型第二埋め込み層を形成する工程と、第二導電型の材料で、前記第一導電型第二埋め込み層を前記電流狭窄窓とともに埋め込む第二導電型第二クラッド層を形成する工程と、を有し、前記積層構造体を形成する工程では、前記第一導電型クラッド層または前記第二導電型第一クラッド層内に、光進行方向における中間部分にλ/4位相シフトが配置された回折格子が形成されており、前記第一導電型第二埋め込み層を形成する工程では、前記光進行方向における前記λ/4位相シフトが配置された領域において、前記電流狭窄窓の開口幅が最大、および、前記第一導電型第二埋め込み層の前記せり出した部分の厚みが最小、の少なくとも一方の条件を満たすよう、前記光進行方向における位置に応じて、前記マスクの幅、および前記マスクの使用回数の少なくとも一方を変更することを特徴とする。
本願に開示される光半導体装置、あるいは光半導体装置の製造方法によれば、形状の変化によって抵抗分布を制御するようにしたので、複雑な動作制御が必要なく、容易に安定した動作が可能な光半導体装置を得ることができる。
図1A~図1Cは、実施の形態1にかかる光半導体装置の構成を説明するための断面図である。 図2A~図2Fは、実施の形態1にかかる光半導体装置の製造方法を説明するための工程ごとの断面図である。 比較例として、従来の光半導体装置での光進行方向における光強度と、pクラッド抵抗と、キャリア密度の分布を示す特性図である。 実施の形態1にかかる光半導体装置での光進行方向における光強度と、pクラッド抵抗と、キャリア密度、および電流狭窄窓の開口幅の分布を示す特性図である。 図5Aと図5Bは、実施の形態2にかかる光半導体装置の構成を説明するための断面図である。 図6A~図6D、および図6E1、図6E2は、実施の形態2にかかる光半導体装置の製造方法を説明するための工程ごとの断面図である。 図7Aと図7Bは、実施の形態3にかかる光半導体装置の構成を説明するための断面図である。 実施の形態3にかかる光半導体装置での光進行方向における光強度と、pクラッド抵抗と、キャリア密度、および電流狭窄窓の幅と埋め込み層の厚みの分布を示す特性図である。
実施の形態1.
図1~図4は、実施の形態1にかかる光半導体装置、および光半導体装置の製造方法について説明するためのものである。図1は光半導体装置の構成を説明するための断面図であり、図1Aはリッジストライプ部分(図1BのA線対応)における光進行方向、および積層方向に平行な断面図、図1Bは光半導体装置の光進行方向における端面付近(図1AのB-B線対応)の光進行方向に垂直な断面図、図1Cは光半導体装置の光進行方向における半導体装置のλ/4位相シフトが形成された部分(図1AのC-C線対応)の光進行方向に垂直な断面図である。そして、図2A~図2Fは、積層による光半導体装置の製造方法において、n型基板上にリッジストライプが形成された時点からの工程ごとの光進行方向に垂直な断面図(図1Bに対応)である。
また、図3は、比較例として、従来の光半導体装置の特性を説明するため、図1Aに対応する断面模式図とともに、レーザ発振時の光進行方向における活性層内の光強度分布と、pクラッド抵抗分布と、キャリア密度分布を、それぞれ示す特性図である。一方、図4は、実施の形態1にかかる光半導体装置の特性を説明するため、図1Aに相当する断面模式図とともに、レーザ発振時の光進行方向における活性層内の光強度分布と、pクラッド抵抗分布と、キャリア密度分布、およびpクラッド抵抗分布を制御するための電流狭窄窓の開口幅の分布、をそれぞれ示す特性図である。なお、従来の光半導体装置について説明する際は、本実施の形態にかかる光半導体装置の対応する構成に付す符号の末尾に「C」をつけて区別することとする。
以下、本願の実施の形態1にかかる光半導体装置、および光半導体装置の製造方法について図面を参照しつつ説明する。光半導体装置100は、図1Aに示すように、光進行方向Drに沿って延在する半導体層の積層体が、電極10に挟まれるように構成したものである。半導体層の最下面には、図1B、図1Cに示すように、(001)面を主面とするn型InP基板1が配置されている。この上にn型クラッド層2、多重量子井戸を含む活性層3、厚み0.1μmのInPからなるp型第一クラッド層4の順に積層されて、活性層リッジとも称されるリッジストライプ5を構成している。
n型InP基板1には、濃度4.0×1018cm-3のS(硫黄)がドーピングされ、n型クラッド層2には、濃度4.0×1018cm-3のSがドーピングされている。活性層3は、AlGaInAs系もしくはInGaAsP系材料で形成され、p型第一クラッド層4は、濃度1.0×1018cm-3のZn(亜鉛)がドーピングされている。
また、n型クラッド層2の中にはInGaAsP系材料からなる厚み40nm、幅100nm、周期200nm程度の回折格子6が埋め込まれており、図1Aに示すように、回折格子6の光進行方向Drにおける中央部には、λ/4位相シフト6qが設けられている。なお、回折格子6はn型クラッド層2の中ではなくp型第一クラッド層4の中に埋め込んでもよいし、λ/4位相シフト6qは光進行方向Drにおける中央部に限ることはなく、任意の位置に配置させてもよい。
リッジストライプ5は、上記のように積層された半導体層の幅方向(積層方向と光進行方向Drに垂直な方向)の中央部分を残して、活性層3よりも低い位置までエッチングして形成する。これにより、n型InP基板1の光進行方向Drに垂直な断面は、(逆)T字状をなす。なお、リッジストライプ5の幅Wは通常0.8~1.4μm程度であるが、この範囲に限るものではない。このリッジストライプ5の側面は、半絶縁性材料であるFeを濃度5.0×1016cm-3でドーピングしたInPからなる第一埋め込み層7により、活性層3より高い位置までそれぞれ埋め込まれている。第一埋め込み層7は上述した材料に限らず、Ti、Co、Ruなど他の材料をドーピングしたInPといった他の半絶縁性材料でもよい。
また、第一埋め込み層7は不純物濃度または導電型が異なる他の半導体層との組み合わせによって構成されていてもよい。第一埋め込み層7の上には濃度7.0×1018cm-3のSがドーピングされた厚み0.4μmのInPからなるn型第二埋め込み層8が形成されており、n型第二埋め込み層8の幅方向での中央に向かう先端は、リッジストライプ5の上面までせり出している。n型第二埋め込み層8およびリッジストライプ5は、濃度2.0×1018cm-3のZnがドーピングされたInPからなるp型第二クラッド層9で埋め込まれている。さらに、n型InP基板1の下およびp型第二クラッド層9の上には、Au、Ge、Zn、Pt、Ti等の金属からなる電極10が形成されている。
活性層3を有するリッジストライプ5の最上部(頂部)の幅方向の中央部分には、n型第二埋め込み層8が幅方向に開口し、光進行方向Drに延在する電流狭窄窓8aが形成され、p型第一クラッド層4とp型第二クラッド層9とは、この電流狭窄窓8aを介して接している。電流狭窄窓8aの開口幅Waは、基本的に0.7μmとしているが、光進行方向Drに沿って変化するように調整している。具体的には、図1Cに示すλ/4位相シフト6qが配置された領域の上にある電流狭窄窓8aの開口幅Waqは、図1Bに示す他の領域の開口幅Waより広く、かつ最大となるように構成している。なお、電流狭窄窓8aの基本的な開口幅Waは、通常0.5~1.0μm程度であるが、リッジストライプ5(厳密にはp型第一クラッド層4)の幅よりも狭ければ、この範囲に限らない。
本実施の形態1にかかる光半導体装置100は、劈開により形成した前端面100feと後端面100feとで、共振器を構成している。電流注入によって活性層3で得られた発光は共振器内で増幅され、レーザ発振に至る。共振器長は150μmから300μmとされることが多いが、この範囲に限るものではない。
つぎに、本実施の形態1にかかる光半導体装置100の製造方法の一例について、図2を用いて説明する。まず、図2Aに示すように、n型InP基板1上に回折格子6を埋め込んだn型クラッド層2、活性層3、p型第一クラッド層4を積層する。その後、電流狭窄窓8aの開口幅Waの光進行方向Drに沿った分布、に対応する幅Wmの分布を有する第一マスク24を形成し、その上を覆うようにリッジストライプ5の幅Wで第二マスク25を形成する。第一マスク24は第二マスク25よりもエッチングレートが遅い材料を用いている。また、第一マスク24の幅Wmは、第二マスク25の幅Wよりも狭く、第一マスク24は第二マスク25に対して中央に位置するのが望ましい。この第一マスク24と第二マスクからなる二重マスクを用いて活性層3よりも低い位置までエッチングを行い、リッジストライプ5を形成する。
つぎに、図2Bに示すように、第一埋め込み層7で、リッジストライプ5の両脇を活性層3よりも高い位置まで埋め込む。その後、図2Cのように第二マスク25の選択エッチングを行う。例えば第一マスク24の材料をSiO、第二マスク25の材料をSiNとした場合、エッチングガスとしてSFを用いると、エッチングレートの差を利用して第二マスク25のみを選択的にエッチングすることが出来る。
つぎに、図2Dに示すように、第一埋め込み層7およびリッジストライプ5を埋め込むようにn型第二埋め込み層8を成長させる。ついで、図2Eのように第一マスク24をバッファードフッ酸またはフッ酸を用いて除去した後、図2Fのように第一クラッド層4およびn型第二埋め込み層8を覆うようにp型第二クラッド層9を成長させる。最後にn型InP基板1の下およびp型第二クラッド層9の上に、電極10を形成することで、図1に示す光半導体装置100が構成される。
このように構成した光半導体装置100の上下の電極10から電流注入を行うと、n型InP基板1およびn型クラッド層2からは電子が、p型第一クラッド層4およびp型第二クラッド層9からはホールがそれぞれ供給される。p型第二クラッド層9から供給されたホールはn型基板の方向へ向かって流れ出す。ホールはp型第二クラッド層9とn型第二埋め込み層8の界面に存在するポテンシャル障壁によりブロックされ、電流狭窄窓8aを介してp型第一クラッド層4を通過し活性層3に注入される。電流が流れる経路の抵抗Rは一般的に電気抵抗率ρ、経路の断面積をS、経路の長さをLとすると(1)式で表される。
R=ρ(L/S) ・・・(1)
λ/4位相シフト6qが配置された光進行方向Drにおける中央付近の電流狭窄窓8aの開口幅Waqは端面付近などその他の領域の開口幅Waに比べ広く、断面積Sが大きくなるため、(1)式に示すように抵抗Rが低くなり電流が注入されやすくなる。
上述した構成を踏まえ、本実施の形態1にかかる光半導体装置100の特性を説明するため、はじめに、従来構造の光半導体装置100Cの特性について、図3を用いて説明する。光半導体装置100Cに対し、通常の単一モードでレーザ発振を行ったときの光強度分布は、λ/4位相シフト6qCが配置された領域が最も強く、λ/4位相シフト6qCの配置位置から離れるにつれて弱まっていく。そのため、光進行方向DrCにおいて、λ/4位相シフト6qCが配置された光密度が高い領域は、それ以外の領域よりも誘導放出が起こりやすく、相対的にキャリア密度が減少する。
ここで、従来の光半導体装置100Cにおいては、電流狭窄窓8aCの開口幅WaCが、光進行方向DrCの位置にかかわらず一定であり、pクラッド抵抗分布が一定になる。そのため、光進行方向DrCの位置にかかわらず、ホールがほぼ均一に注入されるため、λ/4位相シフト6qC配置位置付近のキャリア密度が低下し、軸方向ホールバーニングという現象が生じ、光進行方向DrCの屈折率変動が生じて単一モード動作が不安定化する。
一方、本実施の形態1にかかる光半導体装置100でも、通常の単一モードでレーザ発振を行ったときの光強度分布は、λ/4位相シフト6qが配置された領域が最も強く、λ/4位相シフト6qの配置位置から離れるにつれて弱まっていく。そのため、光進行方向Drにおいて、λ/4位相シフト6qが配置された光密度が高い領域はそれ以外の領域よりも誘導放出が起こりやすく、相対的にキャリア密度が減少する。
それに対し、本実施の形態1にかかる光半導体装置100においては、電流狭窄窓8aの開口幅Waが、最下段に示すように、λ/4位相シフト6qが配置された領域の開口幅Waqが最も広くなるように、光進行方向Drに沿って開口幅Waを変化させている。そのため、λ/4位相シフト6qが配置された領域で最低値を示し、光進行方向Drに沿ってpクラッド抵抗が変化している。そのため、光進行方向Drにおいて、λ/4位相シフト6qが配置された領域で、最もホールが多量に注入されるため、光進行方向Drの位置に沿ったキャリア密度分布を一定にすることができる。これにより軸方向ホールバーニングを抑制し、安定的な単一モード動作が可能となる。
なお、実施の形態1にかかる光半導体装置100における電流狭窄窓8aは、一般的な半導体リソグラフィーによる素子の寸法設計(形状制御)により、開口幅Waを調整することで、抵抗を変化させるようにした。そのため、形状制御は材質制御と異なり、容易に高精度な製造が可能であり、図4に示したように、光強度の分布を補償するように、開口幅Waを光進行方向Drに沿って無段階に制御することが可能となる。このとき、端面100fe近傍の最も狭い幅Wceに対する、λ/4位相シフト6qが配置された領域の開口幅Waqは、1.2~2.4倍程度の範囲が好適である。
ただし、開口幅Waの分布は、必ずしも光強度分布を補償する曲線に完全にフィットさせる必要はない。例えば、λ/4位相シフト6qが配置された領域とそれ以外の領域とで開口幅Waをステップ状に変化させても、λ/4位相シフト6qが配置された領域での他の領域と比較した過剰な誘導放出を低減することができる。つまり、軸方向ホールバーニングを抑制できる程度に、pクラッド抵抗を変化させるように電流狭窄窓8aの開口幅Waを調整すればよい。このような形状制御をすることで、完成後の光半導体装置を運転する際には、複雑な動作制御も必要としない。
実施の形態2.
上記実施の形態1においては、光進行方向におけるpクラッド抵抗の分布を調整するために、電流狭窄窓の幅を光進行方向における位置に応じて変化させる例を示した。本実施の形態2においては、電流狭窄窓部分の層厚みを光進行方向における位置に応じて変化させ、光進行方向におけるpクラッド抵抗の分布を調整する例について説明する。
図5と図6は、本実施の形態2にかかる光半導体装置、および光半導体装置の製造方法について説明するためのもので、図5は光半導体装置の構成を説明するための断面図であり、図5Aは光半導体装置の光進行方向における端面付近(図1AのB-B線対応)の光進行方向に垂直な断面図、図5Bは光半導体装置の光進行方向における半導体装置のλ/4位相シフトが形成された部分(図1AのC-C線対応)の光進行方向に垂直な断面図である。そして、図6A~図6Dと、図6E1、図6E2は、積層による光半導体装置の製造方法において、n型基板上にリッジストライプが形成された時点からの工程ごとの光進行方向に垂直な断面図(図5A、図5Bに対応)である。なお、実施の形態1と同様の部分については同じ符号を付するとともに、同じ仕様についての説明は省略する。
本実施の形態2にかかる光半導体装置100においても、図5に示すように、リッジストライプ5は、回折格子6が埋め込まれたn型クラッド層2、活性層3、p型第一クラッド層4、をn型InP基板1上に順次積層することで構成している。そして、リッジ状に形成された後、第一埋め込み層7、n型第二埋め込み層8、p型第二クラッド層9で埋め込まれている。また、p型第二クラッド層9は、リッジストライプ5の最上部を構成するp型第一クラッド層4とは、n型第二埋め込み層8で挟まれた電流狭窄窓8aを介して接している。ここまでの構成は、基本的に、実施の形態1と同様である。
そして、実施の形態1と異なるところは、図5Bで示したλ/4位相シフト6qが配置された領域の上にあるn型第二埋め込み層8の厚みDqが、図5Aで示した他の領域に設定された基本の厚みDより薄く、かつ最小となるように構成する。このとき、n型第二埋め込み層8の厚みDが変わっても、p型第二クラッド層9の電流狭窄窓8a上の厚みは、光進行方向Drで一定である。
つぎに、本実施の形態2にかかる光半導体装置100の製造方法について図6を用いて説明する。なお、図6において、図6A~図6Dまでの工程は、実施の形態1で説明した図2A~図2Dまでの工程と同じであるので、図6Cまでの説明は省略し、図6Dの工程から説明を行う。実施の形態1では、第一埋め込み層7およびリッジストライプ5を埋め込むように、n型第二埋め込み層8を一度に形成したが、本実施の形態2では、n型第二埋め込み層8を複数回(例えば、2回)に分けて作成する。はじめに、図6Dに示すように、n型第二埋め込み層8の下層部81を、光進行方向Dr上の位置によらず、λ/4位相シフト6qが配置された領域用に設定した厚みDqまで成長させる。その後、λ/4位相シフト6qが配置された領域と、それ以外の領域(その他領域と称する。)とで異なる工程で半導体層を形成していく。
具体的には、その他領域に対しては、図6E1に示すように、n型第二埋め込み層8としての総厚みが所定厚みDになるまで、n型第二埋め込み層8の上層部82を、下層部81上に連続して成長させる。一方、λ/4位相シフト6qが配置された領域では、図6E2に示すように、下層部81上には第三マスク26が形成されるので、上層部82は形成されず、n型第二埋め込み層8としての厚みDは、下層部81の厚みDqになる。
ついで、第一マスク24及び第三マスク26をバッファードフッ酸またはフッ酸を用いて除去した後、実施の形態1の図2Fで説明した工程と同様に、第一クラッド層4およびn型第二埋め込み層8を覆うようにp型第二クラッド層9を成長させる。最後にn型InP基板1の下およびp型第二クラッド層9の上に、それぞれ電極10を形成する。結果として、図5A、図5Bに示すように、λ/4位相シフト6qが配置された領域の上にあるn型第二埋め込み層8の厚みDqが、他の領域に設定された厚みDより薄く、かつ最小となる光半導体装置100が構成できる。
その結果、図5と、実施の形態1で説明した(1)式に示すように、λ/4位相シフト6qが配置された領域のn型第二埋め込み層8の厚みDqは、端面100fe付近など、その他領域に比べ薄く、電流狭窄窓8aを介した電流経路の長さLが短くなる。これにより、図4と同様に、λ/4位相シフト6qが配置された領域の抵抗Rが低くなるので、活性層3に電流が注入されやすくなり、光進行方向Drに沿ったキャリア密度分布を一定にすることができる。これにより、軸方向ホールバーニングを抑制し、安定的な単一モード動作が可能となる。
この効果は、n型第二埋め込み層8の厚み分布という、形状(寸法)の調整により、抵抗を変化させるようにした。そのため、材質制御と異なり、実施の形態1と同様、容易に高精度な製造が可能であり、使用時に複雑な動作制御も必要ない。
なお、上記例では、n型第二埋め込み層8を下層部81と上層部82の2層に分けて形成する例を示したがこれに限ることはない。例えば、第三マスク26で覆う部分(光進行方向Drにおける範囲)を少しずつ大きくしながら、n型第二埋め込み層8を3層以上の複数層に分けて成長させていってもよい。つまり、光進行方向Dr上の位置による、図6E1と図6E2の使い分け工程を2回以上繰り返し行うことで、光進行方向Drに沿ったn型第二埋め込み層8の厚みDを細かく変化させることもできる。なお、厚み調整は成長厚みの違いだけに限ることはない。例えば、光進行方向Drにおけるマスク範囲を変化させ、エッチング(厚み削減量)の程度によって、厚みを調整するようにしても製造することは可能である。
一方、n型第二埋め込み層8の厚みDを細かく変化させるには、成長にしろ、エッチングにしろ、工程の繰り返し数を増加させることになるため、電流狭窄窓の開口幅Waの方が、変化の細かさを求めるには適している。しかしながら、電流狭窄窓8aの開口幅Waと異なり、リッジストライプ5の幅Wのような限界がないため、λ/4位相シフト6qが配置された領域の抵抗とその他の領域の抵抗の比を大きく変えたい場合には、厚みDを調整する方が好適である。
実施の形態3.
本実施の形態3は、上記実施の形態1と2を組み合わせたものであり、電流狭窄窓の幅と、電流狭窄窓部分の層厚みの双方に変化をつけて、光進行方向におけるpクラッド抵抗の分布を調整する例について説明する。図7と図8は、本実施の形態3にかかる光半導体装置の構成について説明するためのもので、図7は光半導体装置の構成を説明するための断面図であり、図7Aは光半導体装置の光進行方向における端面付近(図1AのB-B線対応)の光進行方向に垂直な断面図、図7Bは光半導体装置の光進行方向における半導体装置のλ/4位相シフトが形成された部分(図1AのC-C線対応)の光進行方向に垂直な断面図である。
そして、図8は、実施の形態3にかかる光半導体装置の特性を説明するため、図1Aに相当する断面模式図とともに、レーザ発振時の光進行方向における活性層内の光強度分布と、pクラッド抵抗分布と、キャリア密度分布、およびpクラッド抵抗分布を制御するための電流狭窄窓の開口幅の分布と、n型第二埋め込み層の厚み分布、をそれぞれ示す特性図である。なお、上述した実施の形態1、あるいは実施の形態2と同様の部分については同じ符号を付するとともに、同じ仕様についての説明は省略する。
本実施の形態3にかかる光半導体装置100の特徴は、実施の形態1を基準にしても、実施の形態2を基準にしても説明できるが、ここでは、実施の形態2を基準にして説明する。実施の形態2にかかる光半導体装置100は、光進行方向Drの位置によって、n型第二埋め込み層8の厚みDは変化するが、電流狭窄窓8aの開口幅Waは、光進行方向Drの位置にかかわらず一定で同じであった。しかし、実施の形態3にかかる光半導体装置100では、図7に示すように、光進行方向Drの位置によって、n型第二埋め込み層8の厚みDに加え、電流狭窄窓8aの開口幅Waも異なるように構成した。
例えば、図7Bで示すように、λ/4位相シフト6qが配置された領域の上にある電流狭窄窓8aは、図7Aで示す端面100fe付近などのその他領域より、開口幅Waが広く、かつn型第二埋め込み層8の厚みDが薄くなっている。これにより、実施の形態1の(1)式で説明したように、λ/4位相シフト6qが配置された光進行方向Drにおける中央付近は、電流狭窄窓8aを介した電流の経路長さLが短くなるため、図8に示すように、pクラッド抵抗(抵抗R)が低くなる。さらに電流狭窄窓8aの幅も大きく、断面積Sが大きくなるため、より抵抗Rが低くなり電流が注入されやすくなる。
つまり、本実施の形態3にかかる半導体装置100では、実施の形態1で説明した効果と同じ効果(図4で説明した光強度分布に応じたpクラッド抵抗分布調整による、キャリア密度分布の均一化)が得られることに加え、電流狭窄窓8aの経路の長さLと断面積Sを同時に変えることで、pクラッド抵抗のより広範囲、かつ細かい制御が可能となる。つまり、レンジ拡大に有利な厚みD調整と、細かな制御に有利な開口幅Waの調整を組み合わせて、光進行方向Drにおける理想的な抵抗分布の調整を容易に行うことができる。
その際、開口幅Wa、厚みD8をともに、λ/4位相シフト6qが配置された領域を頂点として、それぞれ単調減少と単調増加になるように設計してもよいが、厚みDのステップ状の変化を補償するように開口幅Waを制御してもよい。例えば、図8(最下段)では、2段階の厚みDにより、光強度の変化に対して、λ/4位相シフト6q領域の厚みDqとその他領域の厚みDeとの比を大きく変化させる。その場合、中心から端面100feに向かう方向で検討すると、厚みDが急減する部分では、厚みDの変化により、抵抗が非連続的に減少することになる。
そこで、例えば、図8における、厚みDが急減する(DeからDqへの変化)部分では、厚みD変化による、抵抗の非連続的な減少を補償するために開口幅Waを非連続的に増大させるように調整するようにしてもよい。そして、同じ厚みDが続く領域に対しては、無段階に開口幅Waを変化させるようにしてもよい。これにより、最大となる開口幅Waqと最少となる開口幅Waeの比を無理に広げなくとも、広い抵抗レンジを形成できる。もちろん、この場合でも、厚みDの調整は2段階にとどまらず、3段階以上でもよい。
そして、このような特性は、半導体リソグラフィー及び結晶成長による素子の寸法設計による抵抗調整により実現できるので、制御よく製造できるともに、運転時の複雑な動作制御も必要ない。
なお、上記各実施の形態ではn型InP基板1を用いた光半導体装置100およびその製造方法を説明したが、p型InP基板を用いて各半導体層の導電型を逆にした構造であっても良い。したがって、本願で説明したp型およびn型の導電型のうち、一方を第一導電型、他方を第二導電型と称することができる。すなわち、第二導電型は第一導電型とは逆の導電型であり、第一導電型がp型であれば第二導電型はn型となり、第一導電型がn型であれば第二導電型はp型となる。よって、導電型および材料を特定せずに、例えば、n型InP基板1として説明した部材は第一導電型基板、n型クラッド層2として説明した部材は第一導電型クラッド層、p型第一クラッド層4として説明した部材は第二導電型第一クラッド層、p型第二クラッド層9として説明した部材は第二導電型第二クラッド層のように読み替えることができる。
さらに、本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、1つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
以上のように、各実施の形態にかかる光半導体装置100によれば、第一導電型基板(例えば、n型InP基板1)の表面に第一導電型クラッド層(n型クラッド層2)、活性層3、第一導電型の逆の導電型である第二導電型第一クラッド層(p型第一クラッド層4)の順に積層されたリッジストライプ5と、リッジストライプ5の頂部(積層方向の最先端)を露出して、リッジストライプ5の(光進行方向Drおよび積層方向に垂直な方向での)両側のそれぞれを埋め込む第一埋め込み層7と、第一埋め込み層7のそれぞれを覆うとともに、リッジストライプ5の頂部に向けてせり出した部分が頂部の上で間隔(開口幅Wa)をあけて対向する電流狭窄窓8aを有する第一導電型第二埋め込み層(n型第二埋め込み層8)と、電流狭窄窓8aとともにn型第二埋め込み層8を埋め込む、第二導電型第二クラッド層(p型第二クラッド層9)と、n型クラッド層2またはp型第一クラッド層4内に形成され、光進行方向Drにおける中間部分にλ/4位相シフト6qが配置された回折格子6と、を備え、光進行方向Drにおける位置に応じて電流狭窄窓8aの光進行方向Drに垂直な断面形状(開口幅Wa、厚みD、あるいはそれらの組み合わせ)が変化し、電流狭窄窓8aを介したp型第二クラッド層9からp型第一クラッド層4への電流経路の抵抗Rが、光進行方向Drにおけるλ/4位相シフト6qが配置された領域において最小となっているように構成したので、複雑な動作制御が必要なく、キャリア密度の偏りを低減して、安定した動作が可能な光半導体装置を容易に得ることができる。
とくに、実施の形態1で説明したように、電流狭窄窓8aの開口幅Waが、光進行方向Drにおけるλ/4位相シフト6qが配置された領域において最大となっているように構成すれば、光強度の分布に対応した細かな制御により、キャリア密度の偏りを抑制することができる。
あるいは、実施の形態2あるいは3で説明したように、n型第二埋め込み層8のリッジストライプ5の頂部に向けてせり出した部分の厚みDが、光進行方向Drにおけるλ/4位相シフト6qが配置された領域において最小となっているように構成すれば、光強度の最大値と最小値の比が大きくついた場合にも、それを補償して、キャリア密度の偏りを抑制することができる。
また、光進行方向Drにおけるλ/4位相シフト6qが配置された領域の電流経路の抵抗Rは、その他の領域の電流経路の抵抗Rに対して5/12~10/12倍(2.4と1.2それぞれの逆数)の範囲内であるように構成すれば、ほとんどの仕様の光半導体装置100を最適化できる。
また、以上のように、各実施の形態にかかる光半導体装置100の製造方法によれば、第一導電型基板(例えば、n型InP基板1)の表面に第一導電型クラッド層(n型クラッド層2)、活性層3、第一導電型の逆の導電型である第二導電型第一クラッド層(p型第一クラッド層4)の順に積層して積層構造体を形成する工程と、積層構造体の両側を活性層3よりもn型InP基板1に近い位置までエッチングし、リッジストライプ5を形成する工程と、リッジストライプ5の頂部を露出して、リッジストライプ5の両側を、それぞれ半絶縁性材料をドープした埋め込み材料で埋め込み、第一埋め込み層7を形成する工程と、第一埋め込み層7からリッジストライプ5の頂部に向けてせり出し、それぞれのせり出した部分が間隔(開口幅Wa)をあけて対向する電流狭窄窓8aを有するように、リッジストライプ5の頂部の両端を除く中間部分をマスク(第一マスク24あるいは第三マスク26)で覆い、第一導電型第二埋め込み層(n型第二埋め込み層8)を形成する工程と、第二導電型(p型)の材料で、n型第二埋め込み層8を電流狭窄窓8aとともに埋め込む第二導電型第二クラッド層(p型第二クラッド層9)を形成する工程と、を有し、積層構造体を形成する工程では、n型クラッド層2またはp型第一クラッド層4内に、光進行方向Drにおける中間部分にλ/4位相シフト6qが配置された回折格子6が形成されており、第一導電型第二埋め込み層を形成する工程では、光進行方向Drにおけるλ/4位相シフト6qが配置された領域において、電流狭窄窓8aの開口幅Waが最大、および、n型第二埋め込み層8のリッジストライプ5の頂部にせり出した部分の厚みDが最小、の少なくとも一方の条件を満たすよう、光進行方向Drにおける位置に応じて、マスクの幅、およびマスクの使用回数の少なくとも一方を変更するように構成したので、光進行方向Drに応じた設計通りの断面形状を容易に形成し、複雑な動作制御が必要なく、キャリア密度の偏りを低減して、安定した動作が可能な光半導体装置を容易に得ることができる。
1:n型InP基板(第一導電型基板)、 2:n型クラッド層(第一導電型クラッド層)、 3:活性層、 4:p型第一クラッド層(第二導電型第一クラッド層)、 5:リッジストライプ、 6:回折格子、 6q:λ/4位相シフト、 7:第一埋め込み層、 8:n型第二埋め込み層(第一導電型第二埋め込み層)、 8a:電流狭窄窓、 9:p型第二クラッド層(第二導電型第二クラッド層)、 10:電極、 24:第一マスク(マスク)、 25:第二マスク、 26:第三マスク(マスク)、 100:光半導体装置、 100fe:端面、 D:厚み、 Dr:光進行方向、 R:抵抗、 Wa:開口幅。

Claims (5)

  1. 第一導電型基板の表面に第一導電型クラッド層、活性層、第一導電型の逆の導電型である第二導電型第一クラッド層の順に積層されたリッジストライプと、
    前記リッジストライプの頂部を露出して、前記リッジストライプの両側のそれぞれを埋め込む第一埋め込み層と、
    前記第一埋め込み層のそれぞれを覆うとともに、前記リッジストライプの前記頂部に向けてせり出した部分が前記頂部の上で前記頂部の幅よりも狭い間隔をあけて対向する電流狭窄窓を有する第一導電型第二埋め込み層と、
    前記電流狭窄窓とともに前記第一導電型第二埋め込み層を埋め込む、第二導電型第二クラッド層と、
    前記第一導電型クラッド層または前記第二導電型第一クラッド層内に形成され、光進行方向における中間部分にλ/4位相シフトが配置された回折格子と、を備え、
    前記λ/4位相シフトが配置された領域の方が端面領域よりも前記電流狭窄窓の開口幅が広い、および前記光進行方向における前記λ/4位相シフトが配置された領域の方が前記端面領域よりも前記第一導電型第二埋め込み層の前記せり出した部分の厚みが薄い、の少なくとも一方の条件を満たすように前記光進行方向における位置に応じて前記電流狭窄窓の前記光進行方向に垂直な断面形状が変化し、前記電流狭窄窓を介した前記第二導電型第二クラッド層から前記第二導電型第一クラッド層への電流経路の抵抗が、前記光進行方向における前記λ/4位相シフトが配置された領域において最小となっていることを特徴とする光半導体装置。
  2. 前記電流狭窄窓の開口幅が、前記光進行方向における前記λ/4位相シフトが配置された領域において最大となっていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。
  3. 前記第一導電型第二埋め込み層の前記頂部に向けてせり出した部分の厚みが、前記光進行方向における前記λ/4位相シフトが配置された領域において最小となっていることを特徴とする請求項1または2に記載の光半導体装置。
  4. 前記光進行方向における前記λ/4位相シフトが配置された領域の前記電流経路の抵抗は、その他の領域の前記電流経路の抵抗に対して5/12から10/12倍の範囲内であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光半導体装置。
  5. 第一導電型基板の表面に第一導電型クラッド層、活性層、第一導電型の逆の導電型である第二導電型第一クラッド層の順に積層して積層構造体を形成する工程と、
    前記積層構造体の両側を前記活性層よりも前記第一導電型基板に近い位置までエッチングし、リッジストライプを形成する工程と、
    前記リッジストライプの頂部を露出して、前記リッジストライプの両側を、それぞれ半絶縁性材料をドープした埋め込み材料で埋め込み、第一埋め込み層を形成する工程と、
    前記第一埋め込み層から前記リッジストライプの前記頂部に向けてせり出し、それぞれのせり出した部分が前記頂部の幅よりも狭い間隔をあけて対向する電流狭窄窓を有するように、前記リッジストライプの頂部の両端を除く中間部分をマスクで覆い、第一導電型第二埋め込み層を形成する工程と、
    第二導電型の材料で、前記第一導電型第二埋め込み層を前記電流狭窄窓とともに埋め込む第二導電型第二クラッド層を形成する工程と、を有し、
    前記積層構造体を形成する工程では、前記第一導電型クラッド層または前記第二導電型第一クラッド層内に、光進行方向における中間部分にλ/4位相シフトが配置された回折格子が形成されており、
    前記第一導電型第二埋め込み層を形成する工程では、
    前記光進行方向における前記λ/4位相シフトが配置された領域において、前記電流狭窄窓の開口幅が最大、および、前記第一導電型第二埋め込み層の前記せり出した部分の厚みが最小、の少なくとも一方の条件を満たすよう、前記光進行方向における位置に応じて、前記マスクの幅、および前記マスクの使用回数の少なくとも一方を変更することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI822179B (zh) * 2022-07-13 2023-11-11 華星光通科技股份有限公司 一種分散式回饋雷射發光結構之製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291930A (ja) 2000-04-06 2001-10-19 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体光デバイス装置
JP2004111594A (ja) 2002-09-18 2004-04-08 Fujitsu Ltd 半導体レーザ
JP2004516659A (ja) 2000-12-13 2004-06-03 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) 光導波管内の均一な利得のために電気抵抗を変化させる分布帰還型レーザ
JP2005167050A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 高抵抗埋め込み型半導体レーザ及びその製造方法
US20130003771A1 (en) 2011-07-01 2013-01-03 Electronics And Telecommunications Research Institute Distributed feedback laser diode having asymmetric coupling coefficient and manufacturing method thereof
JP2016092155A (ja) 2014-10-31 2016-05-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法
JP2017130657A (ja) 2016-01-14 2017-07-27 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光半導体素子の製造方法および光半導体素子

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62139377A (ja) * 1985-12-13 1987-06-23 Nec Corp 半導体レ−ザ及びその製造方法
JPS61283190A (ja) * 1985-06-10 1986-12-13 Nec Corp 半導体レ−ザ装置
GB8516853D0 (en) * 1985-07-03 1985-08-07 British Telecomm Manufacture of semiconductor structures
JPS62173785A (ja) * 1986-01-27 1987-07-30 Nec Corp 半導体レ−ザ
FR2598862B1 (fr) * 1986-05-16 1994-04-08 Bouley Jean Claude Laser a semi-conducteur a reaction distribuee et a longueur d'onde continument accordable.
JPS6332988A (ja) * 1986-07-25 1988-02-12 Nec Corp 分布帰還形半導体レ−ザ
JPS63137496A (ja) * 1986-11-28 1988-06-09 Nec Corp 半導体レ−ザ装置
JPS63153885A (ja) * 1986-12-17 1988-06-27 Nec Corp 分布帰還形半導体レ−ザ
JP2529856B2 (ja) * 1987-07-06 1996-09-04 国際電信電話株式会社 光半導体素子
JP2533355B2 (ja) * 1988-03-11 1996-09-11 国際電信電話株式会社 分布帰還形半導体レ―ザ装置およびその電流注入方法
JPH0632346B2 (ja) * 1988-03-16 1994-04-27 三菱電機株式会社 半導体レーザ
JPH01239892A (ja) * 1988-03-22 1989-09-25 Fujitsu Ltd 半導体レーザ装置
JP2637763B2 (ja) * 1988-04-18 1997-08-06 富士通株式会社 半導体レーザ装置
JPH0279486A (ja) * 1988-09-14 1990-03-20 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JP2619057B2 (ja) * 1989-05-22 1997-06-11 三菱電機株式会社 半導体レーザの製造方法
US5358898A (en) * 1989-07-15 1994-10-25 Fujitsu Limited Method of making a tunable laser diode having a distributed feedback structure
EP0498736A3 (en) * 1991-02-08 1993-04-14 Fujitsu Limited Dfb laser diode having a modified profile of linewidth enhancement factor
FR2743195B1 (fr) * 1995-12-27 1998-02-06 Alsthom Cge Alcatel Laser semi-conducteur a emission par la surface
JP2000208872A (ja) * 1999-01-12 2000-07-28 Toshiba Corp 半導体素子及びその製造方法
JP2003218462A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分布帰還型半導体レーザ装置
JP4447222B2 (ja) * 2003-01-16 2010-04-07 富士通株式会社 分布帰還型半導体レーザ
JP4721924B2 (ja) * 2005-12-09 2011-07-13 富士通株式会社 光導波路を伝搬する光と回折格子とを結合させた光素子
JP2007311522A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ
CN101001001A (zh) * 2006-12-20 2007-07-18 武汉光迅科技股份有限公司 低成本dfb激光器制作方法
US10008828B1 (en) * 2016-12-28 2018-06-26 Intel Corporation High-efficiency semiconductor laser

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291930A (ja) 2000-04-06 2001-10-19 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体光デバイス装置
JP2004516659A (ja) 2000-12-13 2004-06-03 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) 光導波管内の均一な利得のために電気抵抗を変化させる分布帰還型レーザ
JP2004111594A (ja) 2002-09-18 2004-04-08 Fujitsu Ltd 半導体レーザ
JP2005167050A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 高抵抗埋め込み型半導体レーザ及びその製造方法
US20130003771A1 (en) 2011-07-01 2013-01-03 Electronics And Telecommunications Research Institute Distributed feedback laser diode having asymmetric coupling coefficient and manufacturing method thereof
JP2016092155A (ja) 2014-10-31 2016-05-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法
JP2017130657A (ja) 2016-01-14 2017-07-27 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光半導体素子の製造方法および光半導体素子

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