JP7060206B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 163
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 6
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 147
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 139
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 117
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 19
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 68
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 43
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 32
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 19
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BNOODXBBXFZASF-UHFFFAOYSA-N [Na].[S] Chemical compound [Na].[S] BNOODXBBXFZASF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Description
本発明は、半導体ウェハ等の基板に対して処理液を吐出し、エッチング処理や洗浄処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。
近年、工場の省エネルギー化が求められている。例えば、特許文献１では、基板の処理に用いる処理液の量を低減する技術が提案されている。例えば、特許文献２では、基板を加熱するホットプレートからの熱エネルギーを電力エネルギーに変換し、変換した電力エネルギーを装置内各部の駆動に用いる基板処理装置が提案されている。
基板処理装置は、温度管理された工場（例えば、摂氏２５度に調整されたクリーンルーム）内に設置される。基板処理装置は、加熱手段によって処理に適した温度に加熱された処理液を基板に対して吐出したり、加熱した処理液に基板を浸漬したりして、基板にエッチング処理や洗浄処理を施す。また、基板からレジスト膜を除去する処理では、当該基板を加熱手段によって加熱する処理が含まれることがある。
処理液のライフタイムが経過すると、処理液は処理槽からドレイン（廃液）される。処理液のライフタイムとは、処理液の状態が変化し継続して当該処理液を使用し続けると処理自体が充分に行われなくなると判断される使用時間であり、予め実験等により定められる。
加熱手段からの熱が基板処理装置外に排出されると、工場内の環境が変化し、基板の処理品質に影響が出る可能性がある。そのため、基板処理装置の内側を断熱材等で覆って基板処理装置外への熱の排出が抑制される。加熱手段が、例えば、ハロゲンランプのように光を発するものである場合、基板処理装置から当該光が漏れることによっても工場内の環境を変化させることがあるため、当該光が基板処理装置から漏出しないように遮光部材が設けられる。
ところで、加熱手段が発するエネルギーのうち処理液や基板の加熱に使用されなかった分は断熱材や遮光部材で遮蔽されるだけであり、処理液や基板の加熱に使用されなかったエネルギーは有効に活用されていなかった。
そこで、開示の技術の１つの側面は、基板処理装置において、より有効にエネルギーを活用することを課題とする。
開示の技術の１つの側面は、次のような基板処理装置によって例示される。本基板処理装置は、所定の処理液を用いて基板に対して所定の処理を行う基板処理装置である。本基板処理装置は、所定の処理に用いられる光または熱を供給する供給手段と、供給手段を収容する筐体と、光または熱の筐体外への漏出を抑制する抑制手段と、を備え、抑制手段に
は、供給手段から受ける光および熱のうちの少なくとも一方を基に発電する発電手段が設けられている。
は、供給手段から受ける光および熱のうちの少なくとも一方を基に発電する発電手段が設けられている。
開示の技術では、所定の処理に用いられる光または熱の筐体外への漏出が抑制手段によって抑制されるため、光または熱の筐体外への漏出による基板処理装置の外部の環境の変化が抑制される。抑制手段には発電手段が設けられており、発電手段は供給手段が供給する光または熱を基に発電する。そのため、供給手段が供給する光または熱をより有効に活用することができる。
開示の技術において、供給手段は、処理液を加熱する加熱手段を含んでもよく、抑制手段は、加熱手段が供給する光または熱の筐体外への漏出を抑制する遮断部材を含んでもよい。このような技術によれば、処理液を加熱しても、加熱に用いられた熱または光の筐体外への漏出が抑制される。
開示の技術において、発電手段による発電の有無または発電量を検知する検知手段をさらに備えてもよい。このような技術によれば、発電手段による発電量を監視することができる。
開示の技術において、検知手段による検知結果に基づいて、供給手段に異常が発生したか否かを判定する判定手段をさらに備えてもよい。発電手段が発電する発電量は、供給手段が供給する光や熱の量に依存する。そのため、発電量を監視することで、供給手段に異常が発生したか否かを判定することができる。
開示の技術において、判定手段による判定結果に基づいて、供給手段を制御する制御部をさらに備えてもよい。上記の通り、発電手段が発電する発電量は、供給手段が供給する光や熱の量に依存するため、発電量を検知することで供給手段が供給する光や熱の量が適切か否かを判定できる。制御部は、供給手段が供給する光や熱の量が適切ではないと判定した場合、当該光や熱の量が適切になるように供給手段を制御できる。
開示の技術において、判定手段による判定結果を報知する報知手段と、ユーザからの供給手段を制御する制御命令の入力を受け付ける入力手段と、をさらに備え、制御部は、判定手段によって供給手段に異常が発生したと判定されたときには報知手段に異常報知を実行させ、異常報知の後、入力手段によって受け付けられた制御命令にしたがって供給手段を制御してもよい。報知手段は、例えば、基板処理装置を利用するユーザに対して判定結果を報知するブザー、警告灯等である。制御部は、供給手段に異常が発生したと判定されたときに報知手段に異常報知を実行させるため、ユーザに基板処理装置に異常が発生していることを報知することができる。報知手段によって判定結果を報知されたユーザは、入力手段を介して供給手段を制御する制御命令を入力手段を介して入力する。制御部は、制御命令にしたがって供給手段を制御する。このような技術によれば、供給手段が正常に稼働していないと判定されたときに、ユーザからの指示にしたがって供給手段を制御することができる。
開示の技術において、供給手段は少なくとも光を供給し、抑制手段は、光の筐体外への漏出を抑制し、発電手段は、光を受光して発電する光発電ユニットを含んでもよい。このような技術によれば、供給手段が供給する光によって光発電ユニットが発電することができる。
開示の技術において、供給手段は、さらに熱を供給し、発電手段は、熱を受けて発電する熱発電ユニットをさらに含み、光発電ユニットは、熱発電ユニットよりも供給手段側に配置される。このような技術によれば、供給手段が供給する光および熱の双方を基に発電
することができる。また、光発電ユニットが熱発電ユニットよりも供給手段側に配置されることで、供給手段が供給する光が熱発電ユニットによって遮られることによる光発電ユニットの発電量の低下が抑制される。発電手段が発電した電力は、基板処理装置の駆動に利用されてもよい。また、発電手段によって発電された電力を蓄電する蓄電ユニットをさらに備えてもよい。
することができる。また、光発電ユニットが熱発電ユニットよりも供給手段側に配置されることで、供給手段が供給する光が熱発電ユニットによって遮られることによる光発電ユニットの発電量の低下が抑制される。発電手段が発電した電力は、基板処理装置の駆動に利用されてもよい。また、発電手段によって発電された電力を蓄電する蓄電ユニットをさらに備えてもよい。
開示の技術は、基板処理方法の側面から把握することも可能である。
本開示の技術は、基板処理装置において、より有効にエネルギーを活用することができる。
以下、図面を参照して、一実施形態に係る基板処理装置および基板処理装置を用いた基板処理方法について説明する。以下に示す実施形態の構成は例示であり、開示の技術は実施形態の構成に限定されない。
＜第１実施形態＞
図１は、実施形態に係る基板処理装置１００の構成の一例を示す図である。この基板処理装置１００は、一種以上の薬液及び純水を含む処理液を用いて基板に対してエッチング処理や洗浄処理（以下、単に“処理”ともいう）を施すものである。処理液は、例えば、リン酸、硝酸、酢酸の少なくとも一つ及び純水を含む混酸水溶液、フッ化水素水溶液、純水、またはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）であってもよい。基板処理装置１００は、温調制御ユニット１０および基板処理ユニット２０を含む。温調制御ユニット１０および基板処理ユニット２０は、工場の床Ｆの床上に設けられており、廃液配管６１、６２は床Ｆの床下に設けられる。基板処理装置１００は、作業者からの入力を受け付けるキーボード１０１や機器の異常等を報知するブザー１０２、警告灯１０３も備えている。以下、図１を参照して、基板処理装置１００について説明する。処理は、「所定の処理」の一例である。
図１は、実施形態に係る基板処理装置１００の構成の一例を示す図である。この基板処理装置１００は、一種以上の薬液及び純水を含む処理液を用いて基板に対してエッチング処理や洗浄処理（以下、単に“処理”ともいう）を施すものである。処理液は、例えば、リン酸、硝酸、酢酸の少なくとも一つ及び純水を含む混酸水溶液、フッ化水素水溶液、純水、またはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）であってもよい。基板処理装置１００は、温調制御ユニット１０および基板処理ユニット２０を含む。温調制御ユニット１０および基板処理ユニット２０は、工場の床Ｆの床上に設けられており、廃液配管６１、６２は床Ｆの床下に設けられる。基板処理装置１００は、作業者からの入力を受け付けるキーボード１０１や機器の異常等を報知するブザー１０２、警告灯１０３も備えている。以下、図１を参照して、基板処理装置１００について説明する。処理は、「所定の処理」の一例である。
温調制御ユニット１０は、基板に対する処理に用いる処理液の加熱および冷却を行う。温調制御ユニット１０は、例えば、処理液の温度を処理に適した温度に調整し、調整した処理液を供給配管１１５を介して基板処理ユニット２０に供給する。処理液は、例えば、
硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）水溶液、ＳＣ１（アンモニアと過酸化水素の混合水溶液）、ＳＣ２（アンモニアと塩酸の混合水溶液）、フッ化水素（ＨＦ）水溶液、純水等である。温調制御ユニット１０は、これらの処理液の各々を処理に適した温度に調整する。処理に適した温度は、例えば、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）は摂氏７０度から１７０度であり、ＳＰＭは摂氏１５０度であり、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）水溶液は摂氏１５０度から１７０度であり、ＳＣ１は摂氏４０度であり、ＳＣ２は摂氏５０度であり、純水は摂氏４０度から８０度である。また、基板処理ユニット２０において処理に用いられた処理液は、返送配管１１６を介して温調制御ユニット１０に返送される。返送された処理液は、温調制御ユニット１０によって処理に適した温度に調整され、基板処理ユニット２０に供給されることで、基板処理ユニット２０において処理に再利用される。温調制御ユニット１０は、再利用が続けられたことによりライフタイムが経過した処理液を廃液可能な温度にまで冷却し、冷却した処理液を廃液配管６１を介して工場に設けられた廃液配管である工場廃液配管２００にドレイン（排出）する。
硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水との混合液）、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）水溶液、ＳＣ１（アンモニアと過酸化水素の混合水溶液）、ＳＣ２（アンモニアと塩酸の混合水溶液）、フッ化水素（ＨＦ）水溶液、純水等である。温調制御ユニット１０は、これらの処理液の各々を処理に適した温度に調整する。処理に適した温度は、例えば、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）は摂氏７０度から１７０度であり、ＳＰＭは摂氏１５０度であり、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）水溶液は摂氏１５０度から１７０度であり、ＳＣ１は摂氏４０度であり、ＳＣ２は摂氏５０度であり、純水は摂氏４０度から８０度である。また、基板処理ユニット２０において処理に用いられた処理液は、返送配管１１６を介して温調制御ユニット１０に返送される。返送された処理液は、温調制御ユニット１０によって処理に適した温度に調整され、基板処理ユニット２０に供給されることで、基板処理ユニット２０において処理に再利用される。温調制御ユニット１０は、再利用が続けられたことによりライフタイムが経過した処理液を廃液可能な温度にまで冷却し、冷却した処理液を廃液配管６１を介して工場に設けられた廃液配管である工場廃液配管２００にドレイン（排出）する。
基板処理ユニット２０は、基板に対して処理を行うユニットである。基板処理ユニット２０は、１枚ずつの基板各々に対して処理液を吐出して処理する枚様式であってもよいし、複数の基板をまとめて処理液に浸漬して処理するバッチ式であってもよい。基板処理ユニット２０には、処理に適した温度に調整された処理液が温調制御ユニット１０から供給され、供給された処理液を貯留槽に貯留する。基板処理ユニット２０は、貯留槽に貯留した処理液を用いて基板に対する処理を行う。基板処理ユニット２０では、処理液の濃度制御や貯留槽内の処理液の入替等において、処理液を廃液配管６２を介して工場廃液配管２００にドレインする。
基板処理装置１００の機能ブロックについて説明する。図２は、基板処理装置１００の機能ブロック図の一例である。上記した温調制御ユニット１０および基板処理ユニット２０、は、制御部５５によって統括的に制御される。制御部５５のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部５５は、各種演算処理を行うＣＰＵ５５１、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ５５２、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ５５３および制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク５５４等を備えている。本実施形態においては、制御部５５のＣＰＵ５５１が所定のプログラムＰを実行することにより、処理液の温度調整、基板処理ユニットによる基板への処理の実行、処理液のドレイン等が実行される。上記のプログラムＰは、記憶部５７に記憶されている。
基板処理装置１００の各構成について、さらに説明する。温調制御ユニット１０は、処理液の加熱を行う加熱ユニット１１と処理液の冷却を行う冷却ユニット１２とを含む。図３は、加熱ユニット１１の内部構造の概略を例示する図である。加熱ユニット１１は、処理に適した温度にまで処理液を加熱するユニットである。加熱ユニット１１では、処理液がタンク１１１に貯留される。内部配管１１２はタンク１１１の底部（またはその近傍）と接続する第１接続部１１２１と、タンク１１１の上部（例えば、上壁部や上方側壁部）と接続する第２接続部１１２２とを有し、第１接続部１１２１を介してタンク１１１から送出される処理液を第２接続部１１２２を介してタンク１１１へ返送する循環流路を形成する配管である。内部配管１１２には、加熱部１１３と温度計１１４とが介挿され、加熱部１１３は温度計１１４よりも第１接続部１１２１側に配置される。
タンク１１１に貯留された処理液は、内部配管１１２に送出され、送出された処理液は加熱部１１３によって加熱される。加熱部１１３によって加熱された処理液は、内部配管１１２に設けられた温度計１１４によって温度が計測されてタンク１１１に返送される。このような処理液の循環により、タンク１１１に貯留された処理液は処理に適した温度に調整される。供給配管１１５は、内部配管１１２のうち第１接続部１１２１と加熱部１１
３との間に管路接続される配管であり、図示省略する供給バルブが介挿される。供給バルブにより、供給配管１１５への処理液の送出が制御される。処理液の温度が処理に適した温度に調整されると、供給バルブを開栓する。これにより、タンク１１１に貯留された処理液は供給配管１１５を介して基板処理ユニット２０へ送出される。
３との間に管路接続される配管であり、図示省略する供給バルブが介挿される。供給バルブにより、供給配管１１５への処理液の送出が制御される。処理液の温度が処理に適した温度に調整されると、供給バルブを開栓する。これにより、タンク１１１に貯留された処理液は供給配管１１５を介して基板処理ユニット２０へ送出される。
返送配管１１６は、一端が基板処理ユニット２０に接続され、他端はタンク１１１の上部（例えば、上壁部や上方側壁部）に接続される配管である。返送配管１１６によって、基板処理ユニット２０で使用された処理液はタンク１１１に返送される。返送配管１１６を介してタンク１１１に返送された処理液は、加熱ユニット１１において温度調節され、処理に再利用される。廃液配管１１７は、タンク１１１の底部（またはその近傍）および冷却ユニット１２とを接続する配管である。繰返し再利用されたことによりライフタイムが経過した処理液は、廃液配管１１７を介して冷却ユニット１２へ送出される。タンク１１１、加熱部１１３および温度計１１４は筐体１１０に収容されており、筐体１１０の内壁には遮断部材１１０１が設けられる。加熱部１１３は、「供給手段」および「加熱手段」の一例である。
図４は、加熱ユニット１１の加熱部１１３近傍の構造の一例を示す図である。加熱部１１３は、複数のハロゲンランプ１１３１を含む。複数のハロゲンランプ１１３１の各々は、内部配管１１２に沿って設けられる。ハロゲンランプ１１３１の各々は、光や熱を放出する出射面１１３２が内部配管１１２に向かうように配置される。ハロゲンランプ１１３１が出射面１１３２から熱を放出すると、内部配管１１２内を流れる処理液が加熱される。なお、第１実施形態では、図４に示すように筐体１１０内部に複数のハロゲンランプ１１３１が複数箇所に設けられるが、本発明の実施についてはこれに限られず、筐体１１０内部にひとつのハロゲンランプ１１３１が設けられるようにしてもよい。
ハロゲンランプ１１３１から出射される光や熱が加熱ユニット１１外に漏出すると、基板処理装置１００が設置された工場内の環境を変化させることになる。基板処理装置１００による処理の品質を安定させるために工場内の環境（気温や湿度等）は厳密に管理されており、工場内の環境が変化すると処理の品質が低下する可能性がある。そのため、加熱ユニット１１の筐体１１０の内壁は光および熱を遮断する遮断部材１１０１によって覆われる。遮断部材１１０１は、筐体１１０外への熱の漏出を抑制する断熱部材と、筐体１１０外への光の漏出を抑制する遮光部材を含む。遮断部材１１０１によって、加熱ユニット１１外への光や熱の漏出が抑制される。
ところで、ハロゲンランプ１１３１によって処理液の加熱に用いられるエネルギーはハロゲンランプ１１３１が出射した光や熱のうちの例えば９５％程度であり、残りの５％は加熱ユニット１１内の内部配管１１２以外の部材を加熱したり、遮断部材１１０１を加熱したりする。ハロゲンランプ１１３１は、「供給手段」および「加熱手段」の一例である。ハロゲンランプ１１３１が光や熱を出射することは、「供給ステップ」の一例である。筐体１１０は、「筐体」の一例である。遮断部材１１０１は、「抑制手段」、「遮断部材」および「断熱材」の一例である。
そのため、ハロゲンランプ１１３１が出射した光や熱のうち、例えば５％は有効に活用されていない。そこで、本実施形態では、遮断部材１１０１に熱や光を基に発電する複数の発電部１１８を設ける。発電部１１８は、光発電デバイス１１８１と熱発電デバイス１１８３とを含む。なお、第１実施形態では、図４に示すように筐体１１０内部に複数の発電部１１８が複数箇所に設けられるが、本発明の実施についてはこれに限られず、筐体１１０内部にひとつの発電部１１８が設けられるようにしてもよい。
光発電デバイス１１８１は、発電部１１８のうちハロゲンランプ１１３１の出射面１１
３２側に設けられ、ハロゲンランプ１１３１からの直接光または間接光（内部配管１１２等、筐体１１０内の各部で反射または散乱された光）を受光する受光面１１８２を有する。光発電デバイス１１８１は、受光面１１８２に入射した光による光起電力効果を利用して発電するデバイスである。光発電デバイス１１８１は、例えば、シリコン系光発電デバイス、化合物系光発電デバイス、有機系光発電デバイス等である。熱発電デバイス１１８３は、発電部１１８のうち光発電デバイス１１８１を挟んで出射面１１３２と反対側に設けられ、ハロゲンランプ１１３１からの熱を受熱する受熱面１１８４を有する。熱発電デバイス１１８３は、受熱面１１８４が熱を受けることで発電するデバイスである。熱発電デバイス１１８３には、例えば、スピンゼーベック熱交換デバイスやペルチェ素子を採用することができる。
３２側に設けられ、ハロゲンランプ１１３１からの直接光または間接光（内部配管１１２等、筐体１１０内の各部で反射または散乱された光）を受光する受光面１１８２を有する。光発電デバイス１１８１は、受光面１１８２に入射した光による光起電力効果を利用して発電するデバイスである。光発電デバイス１１８１は、例えば、シリコン系光発電デバイス、化合物系光発電デバイス、有機系光発電デバイス等である。熱発電デバイス１１８３は、発電部１１８のうち光発電デバイス１１８１を挟んで出射面１１３２と反対側に設けられ、ハロゲンランプ１１３１からの熱を受熱する受熱面１１８４を有する。熱発電デバイス１１８３は、受熱面１１８４が熱を受けることで発電するデバイスである。熱発電デバイス１１８３には、例えば、スピンゼーベック熱交換デバイスやペルチェ素子を採用することができる。
発電部１１８は、ハロゲンランプ１１３１に対して、内部配管１１２を挟んで受光面１１８２および受熱面１１８４が対向するように設けられる。発電部１１８は、内部配管１１２を流れる処理液の加熱に用いられなかった余剰の熱や光を基に発電する。光発電デバイス１１８１の方が熱発電デバイス１１８３よりもハロゲンランプ１１３１側に配置されるため、ハロゲンランプ１１３１から放出される光と熱のうち光は、光発電デバイス１１８１に直接到達しやすくなる。また、ハロゲンランプ１１３１から放出される光と熱のうち熱は、熱伝導等により光発電デバイス１１８１や発電部１１８のその他の部分を介して熱発電デバイス１１８３に到達しえる。このため、この順に光発電デバイス１１８１および熱発電デバイス１１８３を配置すると、発電部１１８における発電効率を高く保つことができる効果がある。発電部１１８は、「発電手段」の一例である。光発電デバイス１１８１は、「光発電ユニット」の一例である。熱発電デバイス１１８３は、「熱発電ユニット」の一例である。
発電部１１８は、発電した電力を送電線１１８６を介して加熱ユニット１１が備える蓄電部１１９に送電する。蓄電部１１９は電力を蓄電する手段であり、例えば、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池、鉛蓄電池、ナトリウム硫黄電池等である。蓄電部１１９に蓄電された電力は、温調制御ユニット１０の駆動に利用される。送電線１１８６の一端は蓄電部１１９に接続し、送電線１１８６の他端は複数の発電部１１８のうちのひとつに接続する。送電線１１８６は、送電線１１８６の線途中で複数の線に分岐する分岐部１１８９を有する。そして、送電線１１８６のうち分岐した複数の他端は、複数の発電部１１８のうち送電線１１８６の他端に接続されていない発電部１１８とそれぞれ接続する。ここで、送電線１１８６のうち分岐部１１８９よりも蓄電部１１９側の線を合流送電線１１８７と称し、分岐部１１８９よりも発電部１１８側の線を分岐送電線１１８８と称する。
送電線１１８６のうち、送電線１１８６の他端の近傍および複数の発電部１１８と接続する分岐送電線１１８８のそれぞれには電力計１１８５が設けられる。電力計１１８５は、発電部１１８が発電した電力を計測したり、発電した電力の有無を検知したりする。電力計１１８５による計測・検知動作については、後述する
図５は、温調制御ユニット１０の冷却ユニット１２の内部構造の一例を示す図である。処理に用いられる処理液は加熱ユニット１１によって加熱されることで高温になっているため、そのまま工場廃液配管２００にドレインすることはできない。冷却ユニット１２は、処理液のドレイン前に、処理液をドレイン可能な温度にまで冷却するユニットである。冷却ユニット１２は、加熱ユニット１１の廃液配管１１７に一端が接続され、他端が廃液配管６１に接続される内部配管１２１を有する。加熱ユニット１１において排出された処理液は、廃液配管１１７を介して、内部配管１２１内に流入する。処理液が流れる内部配管１２１に対して複数の冷却部１２２が、内部配管１２１に沿って設けられる。冷却部１２２の内部には冷水が流通しており、冷却部１２２の表面には当該冷水が外部と熱交換を行う冷却面１２２１が設けられる。複数の冷却部１２２の各々は、冷却面１２２１を内部
配管１２１に向けて（または、冷却面１２２１と内部配管１２１とが接触するように）配置される。冷却面１２２１が内部配管１２１内の処理液と冷水との間で冷却面１２２１を介して熱交換を行うことで内部配管１２１内を流れる処理液が冷却される。
配管１２１に向けて（または、冷却面１２２１と内部配管１２１とが接触するように）配置される。冷却面１２２１が内部配管１２１内の処理液と冷水との間で冷却面１２２１を介して熱交換を行うことで内部配管１２１内を流れる処理液が冷却される。
内部配管１２１内を流れる処理液は、上記の通り高温である。そのため、処理液の熱が冷却ユニット１２の外部に漏出しないように、冷却ユニット１２の筐体１２０の内壁は断熱材１２０１によって覆われる。断熱材１２０１は、筐体１２０外への熱の漏出を抑制する。断熱材１２０１には熱発電デバイス１２３が設けられる。熱発電デバイス１２３には、例えば、スピンゼーベック熱交換デバイスやペルチェ素子を採用することができる。熱発電デバイス１２３は、内部配管１２１内を流れる処理液から受熱した熱によって発電可能である。
熱発電デバイス１２３は発電した電力を送電線１２５を介して蓄電部１２９に送電する。蓄電部１２９は、加熱ユニット１１が備える蓄電部１１９と同様に電力を蓄電する手段であり、例えば、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池、鉛蓄電池、ナトリウム硫黄電池等である。蓄電部１２９に蓄電された電力は、温調制御ユニット１０の駆動に利用される。送電線１２５の一端は蓄電部１２９に接続し、送電線１２５の他端は複数の熱発電デバイス１２３のうちのひとつに接続する。送電線１２５は、送電線１２５の線途中で複数の線に分岐する分岐部１２８を有する。そして、送電線１２５のうち分岐した複数の他端は、複数の熱発電デバイス１２３のうち送電線１２５の他端に接続されていない熱発電デバイス１２３とそれぞれ接続する。ここで、送電線１２５のうち分岐部１２８よりも蓄電部１２９側の線を合流送電線１２６と称し、分岐部１２８よりも熱発電デバイス１２３側の線を分岐送電線１２７と称する。
送電線１２５のうち、送電線１２５の他端の近傍および複数の熱発電デバイス１２３と接続する分岐送電線１２７のそれぞれには電力計１２４が設けられる。電力計１２４は、熱発電デバイス１２３が発電した電力を計測したり、発電した電力の有無を検知したりする。電力計１２４による計測・検知動作については、後述する。
図６は、基板処理装置１００による基板処理の一例を説明するためのフローチャートであり、主に制御部５５がプログラムＰを実行することにより実現される処理が示されている。以下、図１から図６までを適宜参照しつつ、基板処理装置１００による基板処理の動作について説明する。
まず、温調制御ユニット１０において、処理液の加熱が行われる（供給ステップＳ１）。より具体的には、加熱ユニット１１の加熱部１１３が制御部５５からの動作指令により動作し、内部配管１１２中の処理液を加熱する。処理液の温度が処理に適した温度に調整されたことが温度計１１４によって検知されると、加熱された処理液は供給配管１１５を介して温調制御ユニット１０から基板処理ユニット２０に供給される。また、基板処理ユニット２０において処理に用いられた処理液は、返送配管１１６を介して基板処理ユニット２０から温調制御ユニット１０に返送される。供給ステップＳ１は、「供給ステップ」の一例である。
続いて、抑制ステップＳ２が実行される。抑制ステップＳ２では、各部から放出された熱や光の温調制御ユニット１０外への漏出が抑制される。具体的には、供給ステップＳ１において加熱部１１３から放出された光を受光面１１８２および遮断部材１１０１で遮断し、加熱部１１３から放出された熱を熱発電デバイス１１８３の受熱面１１８４と遮断部材１１０１とで遮断することで、加熱ユニット１１外への光や熱の漏出を抑制する。また、供給ステップＳ１において加熱された処理液のうち、ライフタイムが経過した処理液は内部配管１２１を通ることで冷却ユニット１２により冷却され、その後工場廃液配管２０
０にドレインされる。その際、内部配管１２１から放出される熱を冷却ユニット１２が備える熱発電デバイス１２３の受熱面１２３１で遮断することで、冷却ユニット１２外への熱の漏出を抑制する。抑制ステップＳ２は、「抑制ステップ」の一例である。
０にドレインされる。その際、内部配管１２１から放出される熱を冷却ユニット１２が備える熱発電デバイス１２３の受熱面１２３１で遮断することで、冷却ユニット１２外への熱の漏出を抑制する。抑制ステップＳ２は、「抑制ステップ」の一例である。
続いて、発電ステップＳ３が実行される。発電ステップＳ３では、抑制ステップＳ２において受光面１１８２や受熱面１１８４、１２３１が受けた光や熱を利用して、光発電デバイス１１８１や熱発電デバイス１１８３、１２３が発電を行う。発電ステップＳ３は、「発電ステップ」の一例である。
続いて、検知ステップＳ４が実行される。検知ステップＳ４では、制御部５５は、電力計１１８５、１２４が計測した電力値を検知する。電力計１１８５、１２４は、「検知手段」の一例である。
続いて、判定ステップＳ５が実行される。判定ステップＳ５では、制御部５５は、検知ステップＳ４で検知した電力値に基づいて、基板処理装置１００の動作状態を判定する。例えば、加熱ユニット１１が正常に運転しているときにおける発電量の範囲（以下、加熱ユニット発電量範囲と称する）を記憶部５７に記憶しておき、電力計１１８５の検知結果である電力値と加熱ユニット発電量範囲とを比較することで、制御部５５が基板処理装置１００（例えば、加熱部１１３）に異常が生じているか否かを判定する。
また、例えば、冷却ユニット１２が正常に運転しているときにおける発電量の範囲（以下、冷却ユニット発電量範囲と称する）を記憶部５７に記憶しておき、電力計１２４の検知結果である電力値と冷却ユニット発電量範囲の範囲とを比較することで、制御部５５が基板処理装置１００（例えば、冷却部１２２）に異常が生じているか否かを判定する。基板処理装置１００の動作状態を判定する制御部５５は、「判定手段」の一例である。キーボード１０１は、「入力手段」の一例である。
続いて、報知ステップＳ６が実行される。報知ステップＳ６では、判定ステップＳ５で異常が生じていると判定されると、制御部５５は、ブザー１０２や警告灯１０３による異常報知を行う。なお、第１実施形態において報知ステップＳ６の実行は必須ではなく、判定ステップＳ５の結果にもとづいて、そのまま後述の制御ステップＳ７を実行するように構成してもよい。ブザー１０２および警告灯１０３は、「報知手段」の一例である。
続いて、制御ステップＳ７が実行される。制御ステップＳ７では、判定ステップＳ５における判定結果に応じた制御が行われる。例えば、制御部５５は、加熱ユニット発電量範囲よりも電力計１１８５によって計測された電力値が低い場合、ハロゲンランプ１１３１による加熱が弱すぎると判定できる。このような場合、制御部５５は、判定結果に基づいて、ハロゲンランプ１１３１の出力を上げることで、ハロゲンランプ１１３１が処理液に供給する熱量を増大させる。
また、例えば、制御部５５は、電力計１１８５によって計測された電力量が加熱ユニット発電量範囲を上回っている場合、ハロゲンランプ１１３１による加熱が強すぎると判定できる。このような場合、制御部５５は、判定結果に基づいて、ハロゲンランプ１１３１の出力を下げたり、少なくとも一部のハロゲンランプ１１３１を停止したりすることで、ハロゲンランプ１１３１が処理液に供給する熱量を減少させる。制御部５５は、ハロゲンランプ１１３１の出力を下げたり、少なくとも一部のハロゲンランプ１１３１を停止したりすることで、加熱ユニット１１の消費電力、すなわち、基板処理装置１００の消費電力を低減することができる。
また、例えば、制御部５５は、電力計１２４によって計測された電力量が冷却ユニット
発電量範囲を上回っている場合、冷却部１２２による冷却が弱すぎると判定できる。このような場合、制御部５５は、冷却部１２２に供給する冷水の流量を増加させたり、冷却部１２２に供給する冷水の温度を下げたりすることで、処理液の冷却を促進させる。
発電量範囲を上回っている場合、冷却部１２２による冷却が弱すぎると判定できる。このような場合、制御部５５は、冷却部１２２に供給する冷水の流量を増加させたり、冷却部１２２に供給する冷水の温度を下げたりすることで、処理液の冷却を促進させる。
また、例えば、制御部５５は、冷却ユニット発電量範囲よりも電力計１２４によって計測された電力値が低い場合、冷却部１２２による冷却が強すぎると判定できる。このような場合、制御部５５は、冷却部１２２に供給する冷水の流量を減らしたり、冷却部１２２に供給する冷水の冷却を弱めたり、少なくとも一部の冷却部１２２を停止したりすることで、処理液が冷却され過ぎないようにする。制御部５５が、冷水の冷却を弱めたり、少なくとも一部の冷却部１２２を停止したりすることで、冷却ユニット１２の消費電力、すなわち、基板処理装置１００の消費電力を低減することもできる。
また、例えば、制御部５５は、報知ステップＳ６によって異常が発生したことを知ったユーザがキーボード１０１を介して制御命令を入力することで、ハロゲンランプ１１３１や冷却部１２２等の制御を行ってもよい。
＜第１実施形態の効果＞
第１実施形態では、基板処理装置１００の加熱ユニット１１において、処理液の加熱に利用されなかった熱エネルギーや光エネルギーを用いて光発電デバイス１１８１や熱発電デバイス１１８３が発電する。発電された電力は蓄電部１１９に蓄電され、装置の駆動に利用される。そのため、基板処理装置１００の省エネルギー化が実現される。
第１実施形態では、基板処理装置１００の加熱ユニット１１において、処理液の加熱に利用されなかった熱エネルギーや光エネルギーを用いて光発電デバイス１１８１や熱発電デバイス１１８３が発電する。発電された電力は蓄電部１１９に蓄電され、装置の駆動に利用される。そのため、基板処理装置１００の省エネルギー化が実現される。
第１実施形態では、基板処理装置１００の冷却ユニット１２において、高温の処理液の熱を用いて熱発電デバイス１２３が発電する。発電された電力は蓄電部１２９に蓄電され、装置の駆動に利用される。そのため、基板処理装置１００の省エネルギー化が実現される。
第１実施形態では、発電される電力は電力計１１８５、１２４によって計測される。制御部５５は、装置が正常に稼働しているときの発電量の範囲と電力計１１８５、１２４によって計測された電流値とを比較することで、温調制御ユニット１０や基板処理ユニット２０に異常が生じていることを検知できる。さらに、制御部５５は、電力計１１８５、１２４の計測結果を用いた判定結果に基づいて、ハロゲンランプ１１３１、冷却部１２２を制御することで、これらを適切な温度範囲で稼働させることができる。さらに、制御部５５は、判定結果に基づいてブザー１０２や警告灯１０３による報知を行うため、基板処理装置１００の異常を作業員に報知することができる。
＜第１変形例＞
第１実施形態では、加熱ユニット１１では筐体１１０内に発電部１１８が配置される。第１変形例では、筐体１１０外に発電部１１８を配置する例について説明する。図７は、第１変形例に係る加熱ユニット１１ａの一例を示す図である。加熱ユニット１１ａでは、筐体１１０の外壁に接するように発電部１１８が配置される。発電部１１８がこのように配置されることで、筐体１１０を介して筐体１１０外に漏れる光や熱を基に発電部１１８が発電することができる。すなわち、発電部１１８の光発電デバイス１１８１は、受光面１１８２によって筐体１１０外に漏れる光を遮断しつつ、受光した光を利用して発電できる。また、発電部１１８の熱発電デバイス１１８３は、受熱面１１８４によって筐体１１０外に漏れる熱を遮断しつつ、受熱した熱を利用して発電できる。
第１実施形態では、加熱ユニット１１では筐体１１０内に発電部１１８が配置される。第１変形例では、筐体１１０外に発電部１１８を配置する例について説明する。図７は、第１変形例に係る加熱ユニット１１ａの一例を示す図である。加熱ユニット１１ａでは、筐体１１０の外壁に接するように発電部１１８が配置される。発電部１１８がこのように配置されることで、筐体１１０を介して筐体１１０外に漏れる光や熱を基に発電部１１８が発電することができる。すなわち、発電部１１８の光発電デバイス１１８１は、受光面１１８２によって筐体１１０外に漏れる光を遮断しつつ、受光した光を利用して発電できる。また、発電部１１８の熱発電デバイス１１８３は、受熱面１１８４によって筐体１１０外に漏れる熱を遮断しつつ、受熱した熱を利用して発電できる。
処理液を加熱するため筐体１１０内は高温になりやすく、発電部１１８には高温環境下では発電効率が低下しやすいものもある。筐体１１０外に発電部１１８を設けることで、発電部１１８を筐体１１０内よりも低温の環境に配置できる。そのため、高温環境下にお
いて発電効率が低下する発電部１１８を採用しても、第１変形例によれば発電効率の低下が抑制される。
いて発電効率が低下する発電部１１８を採用しても、第１変形例によれば発電効率の低下が抑制される。
＜第２変形例＞
第１実施形態では、冷却ユニット１２では内部配管１２１に沿って冷却部１２２を配置することで、処理液が冷却される。第２変形例では、第２変形例では、冷却する処理液を貯留するタンクが冷却ユニット内に設けられ、当該タンク内に冷却部が設けられる。
第１実施形態では、冷却ユニット１２では内部配管１２１に沿って冷却部１２２を配置することで、処理液が冷却される。第２変形例では、第２変形例では、冷却する処理液を貯留するタンクが冷却ユニット内に設けられ、当該タンク内に冷却部が設けられる。
図８は、第２変形例に係る冷却ユニット１２ａの一例を示す図である。図８では、冷却ユニット１２ａのタンク１２０２近傍の一例を示す。タンク１２０２の上部（例えば、上壁部や上方側壁部）には、加熱ユニット１１からの廃液配管１１７が接続される。また、タンク１２０２の底部（またはその近傍）には、内部配管１２１が接続される。タンク１２０２内には、冷却部１２２ａが貯留された処理液内に浸漬される。
冷却部１２２ａは、冷却部１２２と同様に、内部を冷水が流通する。冷却部１２２ａの外面は冷却面１２２１となっており、タンク１２０２内の処理液と熱交換を行う。冷却部１２２ａは複数の突出部を設けるように形成される。これにより、冷却部１２２ａを直線形状に形成するよりも、タンク１２０２内の処理液と冷却水との熱交換を行う面積を増大させることができ、冷却部１２２ａによる冷却効率を高めることができる。なお、冷却部１２２ａは複数の突出部を有する形状に限定されず、他の形状（例えば、螺旋状や渦巻状に巻いた形状）を採用してもよい。
タンク１２０２の外壁１２０３の外側には、複数の熱発電デバイス１２３ａが設けられる。熱発電デバイス１２３ａは、受熱面１２３１ａがタンク１２０２の外壁１２０３に接触するように配置される。このように熱発電デバイス１２３ａが配置されることで、タンク１２０２の外壁１２０３を介してタンク１２０２外に漏出する熱を熱発電デバイス１２３ａが抑制できる。また、熱発電デバイス１２３ａは、漏出した熱を受熱面１２３１ａで受けることで、熱発電を行うことができる。
＜第３変形例＞
第１実施形態では、加熱ユニット１１において、遮断部材１１０１の一部の領域に発電部１１８が配置されたが、発電部１１８は、遮断部材１１０１の内面の全面に配置されてもよい。また、第１実施形態では、冷却ユニット１２において、断熱材１２０１の一部の領域に熱発電デバイス１２３が配置されたが、熱発電デバイス１２３は、断熱材１２０１の内面の全面に配置されてもよい。
第１実施形態では、加熱ユニット１１において、遮断部材１１０１の一部の領域に発電部１１８が配置されたが、発電部１１８は、遮断部材１１０１の内面の全面に配置されてもよい。また、第１実施形態では、冷却ユニット１２において、断熱材１２０１の一部の領域に熱発電デバイス１２３が配置されたが、熱発電デバイス１２３は、断熱材１２０１の内面の全面に配置されてもよい。
＜第４変形例＞
第１実施形態では、加熱ユニット１１において、光発電デバイス１１８１および熱発電デバイス１１８３の両方が設けられたが、光発電デバイス１１８１および熱発電デバイス１１８３のうちのいずれか一方が設けられてもよい。
第１実施形態では、加熱ユニット１１において、光発電デバイス１１８１および熱発電デバイス１１８３の両方が設けられたが、光発電デバイス１１８１および熱発電デバイス１１８３のうちのいずれか一方が設けられてもよい。
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、処理液に対する加熱や処理液の熱を利用して発電が行われた。第２実施形態では、基板に対する加熱処理における熱を利用して発電する構成について説明する。第１実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。以下、図面を参照して、第２実施形態について説明する。
第１実施形態では、処理液に対する加熱や処理液の熱を利用して発電が行われた。第２実施形態では、基板に対する加熱処理における熱を利用して発電する構成について説明する。第１実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、その説明を省略する。以下、図面を参照して、第２実施形態について説明する。
図９は、第２実施形態に係る加熱処理部２１の一例を示す図である。基板処理ユニット２０における基板Ｗに対する処理には、加熱処理部２１による加熱処理が含まれることがある。加熱処理部２１は、例えば、基板Ｗの表面からレジスト膜を除去する際に、温調制
御ユニット１０から供給配管１１５を介して供給されたＳＰＭを基板Ｗの表面に吐出し、基板Ｗの表面上のＳＰＭを加熱する。ＳＰＭに含まれるペルキオソー硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力により基板Ｗの表面からレジストが除去される。加熱処理部２１は、基板処理ユニット２０内に配置され、基板Ｗに対し加熱処理を行う。加熱処理部２１は、基板Ｗが載置されるテーブル２２、テーブル２２に載置された基板Ｗを上方から加熱する赤外線ランプ２３およびＳＰＭを基板Ｗに対して吐出する吐出ノズル２４を筐体２１０内に収容する。加熱処理部２１は、さらに、赤外線ランプ２３からの熱の加熱処理部２１外への漏出を抑制するために断熱材２１１が筐体２１０の内壁に設けられる。赤外線ランプ２３は、「供給手段」の一例である。
御ユニット１０から供給配管１１５を介して供給されたＳＰＭを基板Ｗの表面に吐出し、基板Ｗの表面上のＳＰＭを加熱する。ＳＰＭに含まれるペルキオソー硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力により基板Ｗの表面からレジストが除去される。加熱処理部２１は、基板処理ユニット２０内に配置され、基板Ｗに対し加熱処理を行う。加熱処理部２１は、基板Ｗが載置されるテーブル２２、テーブル２２に載置された基板Ｗを上方から加熱する赤外線ランプ２３およびＳＰＭを基板Ｗに対して吐出する吐出ノズル２４を筐体２１０内に収容する。加熱処理部２１は、さらに、赤外線ランプ２３からの熱の加熱処理部２１外への漏出を抑制するために断熱材２１１が筐体２１０の内壁に設けられる。赤外線ランプ２３は、「供給手段」の一例である。
加熱処理部２１において、断熱材２１１上には熱発電デバイス２５が設けられる。熱発電デバイス２５は、赤外線ランプ２３から出射される赤外線を受熱面２５１で受けることができる位置であって断熱材２１１上に設けられる。すなわち、加熱処理部２１において熱発電デバイス２５は、基板Ｗの加熱に用いられなかった余剰の熱を基に発電を行う。加熱処理部２１において、熱発電デバイス２５は発電した電力を加熱処理部２１が備える蓄電部２５７に送電し、蓄電部２５７は送電された電力を蓄電する。蓄電部２５７に蓄電された電力は、基板処理ユニット２０の駆動に利用される。送電線２５３の一端は蓄電部２５７に接続し、送電線２５３の他端は複数の熱発電デバイス２５のうちのひとつに接続する。送電線２５３は、送電線２５３の線途中で複数の線に分岐する分岐部２５６を有する。そして、送電線２５３のうち分岐した複数の他端は、複数の熱発電デバイス２５のうち送電線２５３の他端に接続されていない熱発電デバイス２５とそれぞれ接続する。ここで、送電線２５３のうち分岐部２５６よりも蓄電部２５７側の線を合流送電線２５４と称し、分岐部２５６よりも熱発電デバイス２５側の線を分岐送電線２５５と称する。
送電線２５３のうち、送電線２５３の他端の近傍および複数の熱発電デバイス２５と接続する分岐送電線２５５のそれぞれには電力計２５２が設けられる。電力計２５２は、熱発電デバイス２５が発電した電力を計測したり、発電した電力の有無を検知したりする。電力計２５２による計測・検知動作については、後述する。
以上説明した構成を有する第２実施形態に係る加熱処理部２１による基板処理について、図６を参照して説明する。
供給ステップＳ１では、処理液であるＳＰＭの加熱が行われる。より具体的には、加熱ユニット１１の加熱部１１３が制御部５５からの動作指令により動作し、内部配管１１２中の処理液を加熱する。処理液の温度が処理に適した温度に調整されたことが温度計１１４によって検知されると、加熱された処理液は供給配管１１５を介して温調制御ユニット１０から基板処理ユニット２０の加熱処理部２１に供給される。加熱処理部２１では、吐出ノズル２４から基板Ｗに対して処理液であるＳＰＭが吐出される。
赤外線ランプ２３が基板Ｗの加熱を行うことで基板Ｗ上のＳＰＭが加熱され、基板Ｗの表面からレジスト膜が除去される。また、加熱処理部２１において処理に用いられた処理液は、返送配管１１６を介して基板処理ユニット２０から温調制御ユニット１０に返送される。供給ステップＳ１における加熱部１１３が内部配管１１２中の処理液を加熱する処理および赤外線ランプ２３が基板Ｗを加熱する処理は、「供給ステップ」の一例である。
抑制ステップＳ２では、赤外線ランプ２３から放出された熱の加熱処理部２１外への漏出を抑制する。具体的には、供給ステップＳ１において赤外線ランプ２３から放出された熱を熱発電デバイス２５の受熱面２５１と断熱材２１０１で遮断することで、加熱処理部２１外への熱の漏出を抑制する。抑制ステップＳ２は、「抑制ステップ」の一例である。
発電ステップＳ３では、抑制ステップＳ２において受熱面２５１が受けた熱を利用して、熱発電デバイス２５が発電を行う。発電ステップＳ３は、「発電ステップ」の一例である。
検知ステップＳ４では、制御部５５は、電力計２５２が計測した電力値を検知する。
判定ステップＳ５では、制御部５５は、検知ステップＳ４で検知した検知結果である電力値に基づいて、基板処理装置１００の動作状態を判定する。例えば、加熱処理部２１が正常に運転しているときにおける発電量の範囲（以下、加熱処理発電量範囲と称する）を記憶部５７に記憶しておき、電力計２５２の検知結果である電力値と加熱処理発電量範囲とを比較することで、制御部５５が基板処理装置１００に異常が生じているか否かを判定する。
例えば、制御部５５は、加熱処理発電量範囲よりも電力計２５２が計測した電流値が高い場合、赤外線ランプ２３による加熱が強すぎると判定できる。このような場合、制御部５５は、判定結果に基づいて、赤外線ランプ２３の出力を下げたり、少なくとも一部の赤外線ランプ２３を停止したりすることで、赤外線ランプ２３が基板Ｗに供給する熱量を減少させる。制御部５５は、赤外線ランプ２３の出力を下げたり、少なくとも一部の赤外線ランプ２３を停止したりすることで、加熱処理部２１の消費電力、すなわち、基板処理装置１００の消費電力を低減することができる。
また、例えば、制御部５５は、加熱処理発電量範囲よりも電力計２５２が計測した電流値が低い場合、赤外線ランプ２３による加熱が弱すぎると判定できる。このような場合、制御部５５は、判定結果に基づいて、赤外線ランプ２３の出力を上げることで、赤外線ランプ２３が基板Ｗに供給する熱量を増大させる。
＜第２実施形態の効果＞
第２実施形態では、基板処理装置１００の加熱処理部２１において、基板Ｗの加熱に利用されなかった熱エネルギーを用いて熱発電デバイス２５が発電する。発電された電力は蓄電部２５７に蓄電され、装置の駆動に利用される。そのため、第１実施形態と同様に、第２実施形態においても基板処理装置１００の省エネルギー化が実現される。
第２実施形態では、基板処理装置１００の加熱処理部２１において、基板Ｗの加熱に利用されなかった熱エネルギーを用いて熱発電デバイス２５が発電する。発電された電力は蓄電部２５７に蓄電され、装置の駆動に利用される。そのため、第１実施形態と同様に、第２実施形態においても基板処理装置１００の省エネルギー化が実現される。
第２実施形態では、発電される電力は電力計２５２によって計測される。制御部５５は、装置が正常に稼働しているときの発電量の範囲と電力計２５２によって計測された電流値とを比較することで、加熱処理部２１に異常が生じていることを検知できる。さらに、制御部５５は、電力計２５２の計測結果を用いた判定結果に基づいて、赤外線ランプ２３を制御することで、赤外線ランプ２３を適切な温度範囲で稼働させることができる。さらに、制御部５５は、判定結果に基づいてブザー１０２や警告灯１０３による報知を行うため、基板処理装置１００の異常を作業員に報知することができる。
＜第５変形例＞
第１実施形態では、加熱ユニット１１で発電された電力は加熱ユニット１１内の蓄電部１１９に、冷却ユニット１２で発電された電力は冷却ユニット１２内の蓄電部１２９に蓄電された。また、第２実施形態では、基板処理ユニット２０の加熱処理部２１で発電された電力は、加熱処理部２１内の蓄電部２５７に蓄電された。しかしながら、発電された電力は、蓄電部１１９、１２９、２５７以外に蓄電されてもよい。図１０は、温調制御ユニット１０および基板処理ユニット２０の外部に蓄電ユニット３０が設けられた第５変形例に係る構成の一例を示す図である。蓄電ユニット３０は、電力を蓄電するユニットであり、例えば、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池、鉛蓄電池、ナトリウム硫黄電池等である。温調制御ユニット１０および基板処理ユニット２０と蓄電ユニット３０とは、送電
線７２によって電気的に接続される。温調制御ユニット１０および基板処理ユニット２０によって発電された電力は、送電線７２を介して蓄電ユニット３０に送電され、蓄電ユニット３０は送電された電力を蓄電してもよい。蓄電ユニット３０に蓄電された電力は、例えば、温調制御ユニット１０および基板処理ユニット２０の駆動に利用できる。
第１実施形態では、加熱ユニット１１で発電された電力は加熱ユニット１１内の蓄電部１１９に、冷却ユニット１２で発電された電力は冷却ユニット１２内の蓄電部１２９に蓄電された。また、第２実施形態では、基板処理ユニット２０の加熱処理部２１で発電された電力は、加熱処理部２１内の蓄電部２５７に蓄電された。しかしながら、発電された電力は、蓄電部１１９、１２９、２５７以外に蓄電されてもよい。図１０は、温調制御ユニット１０および基板処理ユニット２０の外部に蓄電ユニット３０が設けられた第５変形例に係る構成の一例を示す図である。蓄電ユニット３０は、電力を蓄電するユニットであり、例えば、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池、鉛蓄電池、ナトリウム硫黄電池等である。温調制御ユニット１０および基板処理ユニット２０と蓄電ユニット３０とは、送電
線７２によって電気的に接続される。温調制御ユニット１０および基板処理ユニット２０によって発電された電力は、送電線７２を介して蓄電ユニット３０に送電され、蓄電ユニット３０は送電された電力を蓄電してもよい。蓄電ユニット３０に蓄電された電力は、例えば、温調制御ユニット１０および基板処理ユニット２０の駆動に利用できる。
＜第６変形例＞
第２実施形態では、蓄電部２５７は筐体２１０内に配置された。しかしながら、蓄電部２５７は筐体２１０内に配置される構成に限定されず、筐体２１０外に配置されてもよい。図１１は、第６変形例に係る加熱処理部２１ａの一例を示す図である。加熱処理部２１ａは、蓄電部２５７が筐体２１０外に配置される点において、第２実施形態に係る加熱処理部２１とは異なる。筐体２１０内の雰囲気には、処理液の構成成分等が含まれる。蓄電部２５７が筐体２１０外に配置されることで、雰囲気中に含まれる処理液の構成成分等による蓄電部２５７への影響を抑制できる。
第２実施形態では、蓄電部２５７は筐体２１０内に配置された。しかしながら、蓄電部２５７は筐体２１０内に配置される構成に限定されず、筐体２１０外に配置されてもよい。図１１は、第６変形例に係る加熱処理部２１ａの一例を示す図である。加熱処理部２１ａは、蓄電部２５７が筐体２１０外に配置される点において、第２実施形態に係る加熱処理部２１とは異なる。筐体２１０内の雰囲気には、処理液の構成成分等が含まれる。蓄電部２５７が筐体２１０外に配置されることで、雰囲気中に含まれる処理液の構成成分等による蓄電部２５７への影響を抑制できる。
１００・・・基板処理装置
１０・・・温調制御ユニット
１１・・・加熱ユニット
１１０、１２０、２１０・・・筐体
１２・・・冷却ユニット
１１２、１２１・・・内部配管
１１３１・・・ハロゲンランプ
１１３２・・・出射面
１１０１・・・遮断部材
１１８・・・発電部
１１８１・・・光発電デバイス
１１８２・・・受光面
１１８３、１２３、１２３ａ、２５・・・熱発電デバイス
１１８４、１２３１、１２３１ａ、２５１・・・受熱面
１１８５、１２４、２５２・・・電力計
１１９、１２９、２５７・・・蓄電部
１１８６、１２５、２５３、７２・・・送電線
１１８７、１２６、２５４・・・合流送電線
１１８８、１２７、２５５・・・分岐送電線
１１８９、１２８、２５６・・・分岐部
１２２、１２２ａ・・・冷却部
１２０１、２１０１・・・断熱材
１２２１・・・冷却面
２０・・・基板処理ユニット
２１・・・加熱処理ユニット
２２・・・テーブル
２３・・・赤外線ランプ
２４・・・吐出ノズル
３０・・・蓄電ユニット
５５・・・制御部
５７・・・記憶部
６１、６２・・・廃液配管
８１・・・供給配管
８２・・・返送配管
１１１、１２０２・・・タンク
１１４・・・温度計
１１５・・・供給配管
１１６・・・返送配管
１１７・・・廃液配管
２００・・・工場廃液配管
Ｆ・・・床
Ｗ・・・基板
１０・・・温調制御ユニット
１１・・・加熱ユニット
１１０、１２０、２１０・・・筐体
１２・・・冷却ユニット
１１２、１２１・・・内部配管
１１３１・・・ハロゲンランプ
１１３２・・・出射面
１１０１・・・遮断部材
１１８・・・発電部
１１８１・・・光発電デバイス
１１８２・・・受光面
１１８３、１２３、１２３ａ、２５・・・熱発電デバイス
１１８４、１２３１、１２３１ａ、２５１・・・受熱面
１１８５、１２４、２５２・・・電力計
１１９、１２９、２５７・・・蓄電部
１１８６、１２５、２５３、７２・・・送電線
１１８７、１２６、２５４・・・合流送電線
１１８８、１２７、２５５・・・分岐送電線
１１８９、１２８、２５６・・・分岐部
１２２、１２２ａ・・・冷却部
１２０１、２１０１・・・断熱材
１２２１・・・冷却面
２０・・・基板処理ユニット
２１・・・加熱処理ユニット
２２・・・テーブル
２３・・・赤外線ランプ
２４・・・吐出ノズル
３０・・・蓄電ユニット
５５・・・制御部
５７・・・記憶部
６１、６２・・・廃液配管
８１・・・供給配管
８２・・・返送配管
１１１、１２０２・・・タンク
１１４・・・温度計
１１５・・・供給配管
１１６・・・返送配管
１１７・・・廃液配管
２００・・・工場廃液配管
Ｆ・・・床
Ｗ・・・基板
Claims (10)
- 所定の処理液を用いて基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記所定の処理に用いられる光を供給する供給手段と、
前記供給手段を収容する筐体と、
前記光の前記筐体外への漏出を抑制する抑制手段と、を備え、
前記抑制手段には、前記供給手段から受ける前記光を基に発電する光発電ユニットを含む発電手段が設けられている、ことを特徴とする、
基板処理装置。 - 前記供給手段は、前記処理液を加熱する加熱手段を含み、
前記抑制手段は、前記加熱手段が供給する光または熱の前記筐体外への漏出を抑制する遮断部材を含む、
請求項１に記載の基板処理装置。 - 前記発電手段による発電の有無または発電量を検知する検知手段をさらに備える、
請求項１または２に記載の基板処理装置。 - 前記検知手段による検知結果に基づいて、前記供給手段に異常が発生したか否かを判定する判定手段をさらに備える、
請求項３に記載の基板処理装置。 - 前記判定手段による判定結果に基づいて、前記供給手段を制御する制御部をさらに備える、
請求項４に記載の基板処理装置。 - 前記判定手段による判定結果を報知する報知手段と、
ユーザからの前記供給手段を制御する制御命令の入力を受け付ける入力手段と、をさらに備え、
前記制御部は、前記判定手段によって前記供給手段に異常が発生した判定されたときには前記報知手段に異常報知を実行させ、前記異常報知の後、前記入力手段によって受け付
けられた前記制御命令にしたがって前記供給手段を制御する、ことを特徴とする、
請求項５に記載の基板処理装置。 - 前記供給手段は、さらに熱を供給し、
前記発電手段は、前記熱を受けて発電する熱発電ユニットをさらに含み、
前記光発電ユニットは、前記熱発電ユニットよりも前記供給手段側に配置される、
請求項１から６のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記発電手段によって発電された電力は、前記基板処理装置の駆動に利用される、
請求項１から７のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記発電手段が発電した電力を蓄電する蓄電ユニットをさらに備える、
請求項１から８のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 所定の処理液を用いて基板に対して所定の処理を行う基板処理装置が実行する基板処理方法であって、
光を供給する供給ステップと、
前記光の前記基板処理装置外への漏出を抑制する抑制ステップと、
前記抑制ステップで漏出を抑制した前記光を利用して発電する発電ステップと、を有することを特徴とする、
基板処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018034560A JP7060206B2 (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| PCT/JP2019/002782 WO2019167516A1 (ja) | 2018-02-28 | 2019-01-28 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| TW108103870A TWI711489B (zh) | 2018-02-28 | 2019-01-31 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019149509A JP2019149509A (ja) | 2019-09-05 |
| JP7060206B2 true JP7060206B2 (ja) | 2022-04-26 |
Family
ID=67805221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018034560A Active JP7060206B2 (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7060206B2 (ja) |
| TW (1) | TWI711489B (ja) |
| WO (1) | WO2019167516A1 (ja) |
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| JP2014178071A (ja) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置の異常検知装置、熱処理装置及び熱処理装置の異常検知方法、並びに、異常検知方法のプログラム |
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| US20140106151A1 (en) * | 2011-06-27 | 2014-04-17 | Konica Minolta , Inc. | Gas barrier film, manufacturing method for gas barrier film, and electronic device |
| CN107210450B (zh) * | 2015-02-02 | 2018-11-20 | 日产自动车株式会社 | 催化剂层修正方法和催化剂层修正装置 |
| CN108474115B (zh) * | 2015-12-24 | 2021-04-23 | 株式会社Flosfia | 成膜方法 |
-
2018
- 2018-02-28 JP JP2018034560A patent/JP7060206B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-28 WO PCT/JP2019/002782 patent/WO2019167516A1/ja active Application Filing
- 2019-01-31 TW TW108103870A patent/TWI711489B/zh active
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| JP2000068183A (ja) | 1998-08-19 | 2000-03-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板加熱処理装置ならびに基板加熱処理装置の熱エネルギー変換方法および熱エネルギー回収方法 |
| JP3160926U (ja) | 2010-03-30 | 2010-07-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| WO2013047320A1 (ja) | 2011-09-26 | 2013-04-04 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体 |
| JP2014178071A (ja) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置の異常検知装置、熱処理装置及び熱処理装置の異常検知方法、並びに、異常検知方法のプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201945082A (zh) | 2019-12-01 |
| TWI711489B (zh) | 2020-12-01 |
| WO2019167516A1 (ja) | 2019-09-06 |
| JP2019149509A (ja) | 2019-09-05 |
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