JP3160926U - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3160926U JP3160926U JP2010002084U JP2010002084U JP3160926U JP 3160926 U JP3160926 U JP 3160926U JP 2010002084 U JP2010002084 U JP 2010002084U JP 2010002084 U JP2010002084 U JP 2010002084U JP 3160926 U JP3160926 U JP 3160926U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- cooling
- heat treatment
- treatment apparatus
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】廃棄されていた熱を電気エネルギとして装置内部及び外部の電気機器等に再利用できるようにしたエネルギ効率の高い熱処理装置を提供すること。【解決手段】被処理基板であるウエハWを加熱する加熱プレート52を有する加熱処理部50と、ウエハWを冷却する冷却プレート71を有する冷却処理部70と、冷却処理部70の冷却プレート71を冷却する冷却水管35を具備する熱処理装置において、加熱処理部50の加熱プレート52からの排気熱を排出する排気管31に密着して、排気熱を蓄える蓄熱体33と、蓄熱体33と冷却水管35の双方に密着して蓄熱体33と冷却水管35との温度差により発電する熱電変換素子34と、を設ける。【選択図】 図1
Description
本考案は、例えば塗布・現像処理される半導体ウエハや液晶表示基板等の被処理基板を熱処理する際に発生する排気熱を電気に変換する熱処理装置に関するものである。
一般に、半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハや液晶表示ガラス基板等( 以下にウエハ等という)の上に薄膜や電極パターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、ウエハ等にフォトレジスト液を塗布し、形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに露光し、この露光パターンを現像処理してレジスト膜に回路パターンが形成されている。
このようなフォトリソグラフィ工程において使用される塗布現像装置では、レジスト塗布前又は塗布後の加熱処理(プリベーク)露光後の加熱処理(ポストエクスポージャーベーク)、現像処理後の加熱処理(ポストベーク)等の種々の加熱処理が施されている。
前記の熱処理装置では各工程に応じて例えば100〜500℃の温度でウエハが加熱される。このようにウエハの熱処理は高温で行われるため、装置の側壁に設けられた給気口を介して連通する給気ダクトから装置内に気体を供給し、装置内の気体を排気ダクトから強制的な熱排気が行われ、回収された熱は装置外に捨てられている( 例えば、特許文献1参照)。
従って、前記のようにウエハ等の熱処理により発生する熱エネルギは無駄に廃棄されている。また、熱排気には大きな電力が必要とされるため、二重の無駄が発生している。特にウエハサイズが300mmを超えるとヒータも大きくなり、また、1台の塗布現像装置に具備される熱処理装置の台数も10〜20台になる為に、その無駄は多大になっている。
本考案はこのような事情によりなされたものであり、従来廃熱として廃棄されていた熱を電気エネルギとして装置内部及び外部の電気機器等に再利用できるようにしたエネルギ効率の高い熱処理装置を提供するものである。
上記の課題を解決するために本考案では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
本考案は、被処理基板を加熱する加熱プレートを有する加熱処理部と、被処理基板を冷却する冷却プレートを有する冷却処理部と、前記冷却処理部の冷却プレートを冷却する冷却水管を具備する熱処理装置において、前記加熱処理部の加熱プレートからの排気熱を排出する排気管に密着して、排気熱を蓄える蓄熱体と、前記蓄熱体と前記冷却水管の双方に密着して蓄熱体と冷却水管との温度差により発電する熱電変換素子と、を具備することを特徴とする。
このように構成することにより、廃棄されるはずの熱エネルギを蓄熱体に蓄えて、蓄熱体は排気熱の温度変化を一定にすると同時に、熱電変換素子の高温側に密着し、冷却プレートを冷却するための冷却水管は恒温冷却として、熱電変換素子の冷却側に密着することにより、熱電変換素子が安定した効率の良い電気エネルギを発生させることができる。
本考案において、前記加熱プレートに入熱側部が内接するヒートパイプを更に備え、前記ヒートパイプの放熱側部を前記蓄熱体に密着して、前記加熱プレートの熱を前記ヒートパイプにより前記蓄熱体に伝導するように形成する方が好ましい。
このように構成することにより、前記加熱プレートの熱をヒートパイプにより、前記蓄熱体に伝導し、蓄熱体は排気熱の温度変化を一定にすると同時に、熱電変換素子の高温側に密着し、冷却水管は恒温冷却として熱電変換素子の冷却側に密着して、安定した温度差を発生させて電気エネルギを発生させることができる。また、高温度側の熱源を前記排気熱との二重にすることにより、より高いエネルギ変換効率を得ることができる。
また、本考案において、前記熱電変換素子で発電した電気を蓄電するバッテリを具備し、前記バッテリの電気を熱処理装置の内部及び外部の電気機器に供給可能に形成する方が好ましい。
このように構成することにより、前記熱電変換素子で発電した電気エネルギをバッテリに蓄電し、バッテリからの電気を熱処理装置の内部及び外部の電気機器に供給することができる。また、バッテリを具備することにより、エネルギを蓄え、必要な時により安定した電気エネルギを処理装置の内部や外部の電気機器に供給することができる。
また、本考案において、前記被処理体と同形であって前記加熱プレートの温度を測定する温度測定用基板に対して、前記バッテリから電気を供給する充電ノズルを具備する方がよい。
このように構成することにより、被処理基板と同形の熱電プレートの温度を測定する温度測定用基板に、前記バッテリからの電気を充電することができ、熱処理装置の稼働効率の向上を図ることができる。
また、本考案において、前記冷却処理部の冷却プレートにペルチェ素子の吸熱側を密着し、前記ペルチェ素子の発熱側に、前記冷却水管に接続する冷却水路を有する冷却水プレートを密着し、前記ペルチェ素子へは前記バッテリから電気を供給可能に形成する方がよい。
このように構成することにより、冷却プレートの冷却を行うペルチェ素子に電気を供給することにより、省エネルギを実現することができる。
本考案によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
廃棄されるはずの熱エネルギを蓄熱体に蓄えて、蓄熱体は排気熱の温度変化を一定にすると同時に、熱電変換素子の高温側に密着し、冷却プレートを冷却するための冷却水管は恒温冷却として、熱電変換素子の冷却側に密着することにより、従来廃熱として廃棄されていた熱を電気エネルギとして装置内部及び外部の電気機器等に再利用できるようにしたエネルギ効率の高い省エネルギの熱処理装置を提供することができる。
以下に、本考案に係る熱処理装置の実施の形態について詳細に説明する。
熱処理装置10は、ウエハW等を加熱する加熱処理部50と、ウエハW等を冷却する冷却処理部70と、加熱処理部50と冷却処理部70を制御する熱処理制御部30とを具備している。
この熱処理装置10のケーシング10a内には、図1及び図2に示すように、基台60が備えられている。この基台60上に、加熱処理を行う加熱処理部50及び冷却処理を行う冷却処理部70が具備されている。
加熱処理部50は、図1及び図2に示すように、ウエハWを加熱する加熱プレート52と、この加熱プレート52の上方に配設され、図示しない昇降手段によって加熱プレート52に対して接離移動可能な蓋体61と、加熱プレート52の下方に配設され、図示しない昇降手段によって加熱プレート52に同心円上に設けられた複数(図面では3個の場合を示す)の貫通孔52aを貫通して昇降する複数(3本)の加熱プレート昇降ピン62とを具備している。この場合、加熱プレート52には熱源となるヒータ53が設けられている。この加熱プレート52の温度は図示しない中央制御部からの指示により熱処理制御部30の熱処理回路37からヒータ53に電気が送られて所定の温度、例えば150℃の温度等でウエハWを所定時間加熱するようになっている。
蓋体61は、天板64の下方に適宜間隔をおいて多数の小孔を有する分流板63を具備し、天板64の中央部に設けられた排気口65に排気管31が接続されている。なお、排気管31には図示しない吸引装置が接続されている。また、蓋体61は図示しない昇降手段によって下降して加熱プレート52に密着された状態で、加熱プレート52と協働して処理室Sを形成する。
冷却処理部70には、図1及び図2に示すように、ウエハWを冷却処理する冷却プレート71が設けられている。この冷却プレート71を支える冷却プレートアーム75は、基台60に設けられた基台60の長手方向に沿うスリット76を貫通しており、基台60の下方に位置する下端部が、基台60と平行に延在する移動レール74に摺動可能に装着されている。冷却プレートアーム75は、図示しない移動機構によって移動レール74に沿って移動して、冷却プレート71を加熱処理部50の加熱プレート52に対して移動するように形成されている。
また、冷却プレート71の下方には、図示しない昇降手段によって昇降可能な複数(図面では3本の場合を示す)の冷却プレート昇降ピン78が配設されている。この冷却プレート昇降ピン78は、冷却プレート71に設けられた後述するスリット71aを貫通して冷却プレート71上に出没可能に形成されており、熱処理装置10に対してウエハWを搬入・搬出する搬送アーム20との間でウエハWの受け渡しするようになっている。なお、冷却プレート昇降ピン78と冷却プレート71のスリット71aは、図2に図示したように干渉しない位置と形状になっている。
冷却プレート71は、2つの平行するスリット71aを有する略方形の平板形状で、内部は図4に示すように、ペルチェ素子72aを複数個並べたペルチェ素子部72を有する。ペルチェ素子72aへの電気は後述する熱処理制御部30内のバッテリ36及び電源38から供給される。この場合、ペルチェ素子部72の吸熱側が冷却プレート71側に密着している。ペルチェ素子部72の発熱側に冷却水プレート73が密着しており、発生した熱を冷却している。冷却は所定温度の液体、例えば恒温の冷却水を使用する。冷却水プレート部73の内部は、冷却水管35と接続する冷却水循環路77が冷却プレート71の形状に合わせて配管されている。これらの構造によりウエハWを18℃〜22℃の温度で冷却を行う。
次に、前記のように構成される熱処理装置10の動作態様について説明する。まず、搬送アーム20によってケーシング10a内の冷却プレート71の上方にウエハWが搬入されると、冷却プレート昇降ピン78が上昇して、搬送アーム20からウエハWを受けと取る。搬送アーム20がケーシング10a外に後退した後に、冷却プレート昇降ピン78は下降して、ウエハWは冷却プレート71上に置かれる。
所定の時間経過後にウエハWの冷却が完了したら、冷却プレートアーム75はスリット76内を移動レール74に沿って加熱処理部50へ移動する。この時に加熱プレート昇降ピン62は下降の位置にある。冷却プレート71が加熱プレート52上の中心部に到達したら、加熱プレート昇降ピン62が上昇してウエハWを受け取る。その後、冷却プレート71は冷却処理部70に戻る。
ウエハWは加熱プレート昇降ピン62が下降して加熱プレート52に載置される。次に、蓋体61が図示していない昇降手段により下降して基台60に密着して処理室Sを形成する。この状態で、図示していない中央制御部からの指示により熱処理回路37からヒータ53に電気が送られて、加熱プレート52が加熱され、例えば150℃の温度等でウエハWを所定時間加熱する。
ウエハWが加熱プレート52により熱せられたことによる残りの熱は図示しない吸引装置により処理室Sの上部から分流板63を通過して天板64の中心部にある排気口65に集約される。集約された排気熱は排気管31を通して装置外部へ排気される。
所定時間経過後、加熱プレート昇降ピン62によってウエハWは上昇し、加熱プレート52による加熱が終了する。その後、蓋体61が上昇し、処理室Sが開放され、冷却プレート71が加熱プレート52上に移動する。次に、加熱プレート昇降ピン62が下降して冷却プレート71がウエハWを受け取り、冷却プレート71は冷却処理部70に戻る。冷却プレート71はペルチェ素子72aにより冷却されており、冷却プレート71に受け取られた直後から冷却処理が行われる。
冷却プレート71によりウエハWを所定時間冷却し、昇降ピン78が上昇して搬送アーム20により取り出され、次の処理装置に送出される。なお、冷却処理部が無い型式の熱処理装置では、搬送アーム20が加熱プレート部より直接受け渡しを行う手段になる。
熱処理制御部30内には、加熱処理部50の加熱プレート52からの排気熱を蓄える蓄熱体33と、蓄熱体33と冷却水管35の双方に密着して蓄熱体33と冷却水管35との温度差により発電する熱電変換素子34と、熱電変換素子34により発電された電気を蓄えるバッテリ36と、熱処理回路37及び電源38が備えられている。
熱処理制御部30による熱電変換の方法について、図1〜図3を参照して説明する。熱処理装置10において、加熱プレート52の上方に配設される蓋体61の排気口65から高温の排気熱が排気管31を通じて装置外に放出されている。同時に排気管31は蓄熱体33に密着している。また、蓄熱体33には、加熱プレート52に入熱側部52aが内接するヒートパイプ52の放熱側部32bが密着している。このように加熱プレート52で発生した熱は、排気管31を流れる排気熱とヒートパイプ32からの熱伝導によって蓄熱体33へ伝達される。
工程によって異なるが、加熱プレート52の温度は100℃〜500℃の範囲に設定されている。ウエハWは加熱プレート52に搬入された時に冷却プレート71により20℃前後になっているので、加熱プレート52の温度は一時的に低下する。その結果、排気熱と加熱プレート52の温度が下降して熱電変換素子34の発電力が低下する。これを防ぐために蓄熱体33の残留熱で補い安定した温度を維持している。なお、蓄熱体33の熱媒体としては水、絶縁油、シリカゲル等が用いられている。
熱電変換素子34の高温度側に100℃〜500℃の蓄熱体33が密着し、冷温度側に18℃〜22℃の恒温の冷却水が流れる冷却水管35が密着して配置されており、冷却水管35に密着する冷却水管プレート35aが安定した冷却温度を保っている。蓄熱体側と冷却水管側の温度差は80℃〜480℃になり、この温度差によって電位差が生じゼーベック効果により電気が発生する。図3に示すように、熱電変換素子34はペルチェ素子であって、数ミリ角の直方体の半導体素子を複数配置されている。発生した電気はバッテリ36に蓄電される。この発生した電気を熱処理装置10内部及び外部の処理装置に供給する。
熱処理装置10の内部の処理装置に電気を供給する一例として、加熱処理部の温度を測定する温度測定用基板81への充電する方法がある。
温度測定用基板81はウエハWと同形をしており、温度測定用基板81上には加熱プレート52の温度を測定する温度センサ82が全面に複数個配置されている。温度センサ82は例えば熱電対ゲージ等が使用される。
温度センサ82のデータは温度測定用基板回路83によって収集される。ここで温度センサ82のアナログデータがデジタルに変換されて回路内に記録保持される。記録保持されたデータはアンテナ84を通じて図示していない制御装置に電波で送信される。なお、温度測定用基板回路83上のメモリーに記録保持して、ウエハWを回収した後に記録読取装置でデータを抽出する方法もある。
温度測定用基板85は温度測定用基板バッテリ85の電気によって動作するようになっており、定期的に加熱プレート52の温度のプロファイルを測定して、電波で制御装置に送っている。
温度測定用基板81への充電は、図4に示すようにして行う。すなわち、搬送アーム20から温度測定用基板81が冷却プレート71上に載置された状態で行う。充電は充電受け口86から行う。エアーシリンダ79の先に充電ノズル75が備えられ、充電ノズル75は熱処理制御部30のバッテリ36及び電源38から電気が供給されている。エアーシリンダ79が制御装置から下降の指示がくると冷却プレート71方向に下降して、充電ノズル75が充電受け口86に接続されて温度測定用基板85のバッテリ85の充電が開始される。この場合、エアーシリンダ79は、ピストン79aと充電ノズル75との間に縮設されるスプリング80によってノズルと受け口86の密着度を高めている。また、エアーシリンダの代わりにモーターとギアの機構で充電ノズルを上下させてもよい。
前記のように構成することにより、ウエハWと同形の加熱プレート52の温度を測定する温度測定用基板85に、バッテリ36からの電気を充電することができ、熱処理装置10の稼働効率の向上を図ることができる。つまり、加熱プレート52の温度を測定する温度測定用基板81は、ウエハWと同形をしており、定期的に加熱プレート52の温度のプロファイルを測定して、電波で制御装置に送っている。しかし、温度測定用基板81上は温度を計測する温度センサ82や回路の設置面積上、温度測定用基板81に備えられた専用の温度測定用基板バッテリ85の大きさは限られてくるため、使用可能時間に限界がある。そのために測定は10数分しかできず、測定の途中で温度測定用基板バッテリ85が無くなる。そのために回収して再充電を行っている。その結果、熱処理装置10の稼動時間が減少することになる。これを解決するために熱処理装置10内部のバッテリ36から温度測定用基板81の温度測定用基板バッテリ85に電気を供給することで、熱処理装置10の稼動効率の向上を図ることができる。
熱電変換素子34により発生した電気は、上述したように、冷却プレート71を冷却するペルチェ素子72aに供給して、省エネルギを実現することができる他、その他の用途として、例えば熱処理装置10の内部の熱処理回路37、照明灯、冷却用ファン等の電気機器の電源としても使用できる。
本実施形態では加熱処理部と冷却処理部を具備した熱処理装置において説明を行ったが、加熱処理部のみを具備した熱処理装置においても、塗布現像装置内の他の装置に使用されている冷却水管を引き込んで熱電変換素子の冷温側に密着することにより発電が可能となり、熱処理装置の内部及び外部の電気機器に電気を供給することにより、エネルギ効率を高めることができる。
このように構成することにより従来廃熱として排気されてきた熱を電気に変換して利用し、エネルギ効率の高い熱処理装置を得ることができる。特に熱処理装置は1台の塗布現像装置の中で平均10〜20台、構成によっては20台を越える構成も有り、エネルギ効率改善の重要なポイントになる。
30 熱処理制御部
31 排気管
32 ヒートパイプ
33 蓄熱体
34 熱電変換素子
35 冷却水管
36 バッテリ
37 熱処理回路
50 加熱処理部
52 加熱プレート
65 排気口
70 冷却処理部
71 冷却プレート
72 ペルチェ素子部
72a ペルチェ素子
75 充電ノズル
81 温度測定用基板
82 温度センサ
83 温度測定用基板回路
85 温度測定用基板バッテリ
W 半導体ウエハ(被処理基板)
S 処理室
31 排気管
32 ヒートパイプ
33 蓄熱体
34 熱電変換素子
35 冷却水管
36 バッテリ
37 熱処理回路
50 加熱処理部
52 加熱プレート
65 排気口
70 冷却処理部
71 冷却プレート
72 ペルチェ素子部
72a ペルチェ素子
75 充電ノズル
81 温度測定用基板
82 温度センサ
83 温度測定用基板回路
85 温度測定用基板バッテリ
W 半導体ウエハ(被処理基板)
S 処理室
Claims (5)
- 被処理基板を加熱する加熱プレートを有する加熱処理部と、被処理基板を冷却する冷却プレートを有する冷却処理部と、前記冷却処理部の冷却プレートを冷却する冷却水管を具備する熱処理装置において、
前記加熱処理部の加熱プレートからの排気熱を排出する排気管に密着して、排気熱を蓄える蓄熱体と、前記蓄熱体と前記冷却水管の双方に密着して蓄熱体と冷却水管との温度差により発電する熱電変換素子と、を具備することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記加熱プレートに入熱側部が内接するヒートパイプを更に備え、前記ヒートパイプの放熱側部を前記蓄熱体に密着して、前記加熱プレートの熱を前記ヒートパイプにより前記蓄熱体に伝導するように形成してなることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1又は2記載の熱処理装置において、
前記熱電変換素子で発電した電気を蓄電するバッテリを具備し、前記バッテリの電気を熱処理装置の内部及び外部の電気機器に供給可能に形成してなることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項3記載の熱処理装置において、
前記被処理体と同形であって前記加熱プレートの温度を測定する温度測定用基板に対して、前記バッテリから電気を供給する充電ノズルを具備することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項3記載の熱処理装置において、
前記冷却処理部の冷却プレートにペルチェ素子の吸熱側を密着し、前記ペルチェ素子の発熱側に、前記冷却水管に接続する冷却水路を有する冷却水プレートを密着し、前記ペルチェ素子へは前記バッテリから電気を供給可能に形成してなることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010002084U JP3160926U (ja) | 2010-03-30 | 2010-03-30 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010002084U JP3160926U (ja) | 2010-03-30 | 2010-03-30 | 熱処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3160926U true JP3160926U (ja) | 2010-07-15 |
Family
ID=54874630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010002084U Expired - Fee Related JP3160926U (ja) | 2010-03-30 | 2010-03-30 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3160926U (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014074559A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理装置 |
CN109672259A (zh) * | 2019-01-09 | 2019-04-23 | 青岛海尔空调器有限总公司 | 一种能源站 |
JP2019149509A (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2023127590A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 日東電工株式会社 | 熱電変換素子およびセンサモジュール |
JP7504940B2 (ja) | 2022-03-09 | 2024-06-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
-
2010
- 2010-03-30 JP JP2010002084U patent/JP3160926U/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014074559A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理装置 |
JP2019149509A (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2019167516A1 (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
TWI711489B (zh) * | 2018-02-28 | 2020-12-01 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
JP7060206B2 (ja) | 2018-02-28 | 2022-04-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN109672259A (zh) * | 2019-01-09 | 2019-04-23 | 青岛海尔空调器有限总公司 | 一种能源站 |
CN109672259B (zh) * | 2019-01-09 | 2023-03-21 | 青岛海尔空调器有限总公司 | 一种能源站 |
WO2023127590A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 日東電工株式会社 | 熱電変換素子およびセンサモジュール |
JP7504940B2 (ja) | 2022-03-09 | 2024-06-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3160926U (ja) | 熱処理装置 | |
US7867926B2 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
JP5992388B2 (ja) | セラミックヒーター | |
JP6487244B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
WO1999043022A1 (en) | Thermal cycling module and process using radiant heat | |
JP2007329008A (ja) | 熱板及びその製造方法 | |
JP2011155140A (ja) | 基板載置装置の評価装置、及びその評価方法、並びにそれに用いる評価用基板 | |
CN105659371A (zh) | 用于基板温度量测的气体耦合探针基板基板 | |
KR20010039945A (ko) | 가열처리 장치 및 가열처리 방법 | |
US10437153B2 (en) | Heat treatment method and heat treatment apparatus | |
JP2006222124A (ja) | 加熱処理装置 | |
KR102050107B1 (ko) | 열처리 장치, 열처리판의 냉각 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
JP3935303B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
TWI743435B (zh) | 基板處理裝置 | |
KR102164765B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 시스템 | |
JP4090104B2 (ja) | 基板熱処理装置 | |
CN108803259A (zh) | 晶圆烘焙热板系统及其温度控制方法 | |
JP5995892B2 (ja) | 基板を熱処理する方法、熱処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP6047411B2 (ja) | 温度測定機構及び温度測定方法 | |
JP2002203779A (ja) | 加熱処理装置 | |
JP4851449B2 (ja) | 熱回路を有するウェーハ及びその電気供給システム | |
CN109285797B (zh) | 基片加热装置和基片加热方法 | |
JP4302646B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP2002231623A (ja) | 冷却処理装置および基板処理装置 | |
KR20210016848A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100506 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130623 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |