JP2022128925A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】漏液の量が微小な場合であっても、早期に漏液を検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、少なくとも１つのノズル１１と、少なくとも１つの処理液配管Ｐ１と、処理液配管空間４２と、少なくとも１つのガスセンサ６２と、制御部３０と、報知部４とを備える。少なくとも１つの処理液配管Ｐ１は、ノズル１１に処理液を供給する。処理液配管空間４２には、処理液配管Ｐ１が配置される。少なくとも１つのガスセンサ６２は、処理液配管空間４２に設けられる。少なくとも１つのガスセンサ６２は、処理液配管空間における気化した処理液のガスの濃度を検知する。制御部３０は、ガスセンサ６２が検知した濃度が濃度閾値ＴＨｃを超えるか否かを判定する。報知部４は、ガスセンサが検知した濃度が濃度閾値ＴＨｃを超えると制御部３０が判定した場合、処理液配管Ｐ１から薬液が漏液していることを報知する。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

特許文献１の漏液センサは、光学系検出部と、静電容量検出部で構成されている。特許文献１の漏液センサは、一度に複数の位置で漏液を検出することができる。

特開２００８－２８１３４７号公報

しかしながら特許文献１に記載の漏液センサでは、漏液の量が微小な場合、早期に漏液を検出することが困難である。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は漏液の量が微小な場合であっても、早期に漏液を検出することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。

本発明に係る基板処理装置は、少なくとも１つのノズルと、少なくとも１つの処理液配管と、処理液配管空間と、少なくとも１つのガスセンサと、制御部と、報知部とを備える。前記少なくとも１つのノズルは、基板に処理液を吐出する。前記少なくとも１つの処理液配管は、前記ノズルに処理液を供給する。前記処理液配管空間には、前記処理液配管が配置される。前記少なくとも１つのガスセンサは、前記処理液配管空間に設けられる。前記少なくとも１つのガスセンサは、前記処理液配管空間における気化した処理液のガスの濃度を検知する。前記制御部は、前記ガスセンサが検知した前記濃度が濃度閾値を超えるか否かを判定する。前記報知部は、前記ガスセンサが検知した前記濃度が前記濃度閾値を超えると前記制御部が判定した場合、前記処理液配管から薬液が漏液していることを報知する。

ある実施形態において、前記少なくとも１つの処理液配管は複数である。前記少なくとも１つのガスセンサは複数である。複数の前記処理液配管の各々は、前記ノズルに異なる処理液を供給する。複数の前記ガスセンサのそれぞれは、複数の前記処理液配管のそれぞれに流れる処理液が気化したガスの濃度を検知する。

ある実施形態において、前記濃度閾値は、第１濃度閾値と第２濃度閾値とを含む。前記第２濃度閾値は前記第１濃度閾値よりも大きい。前記制御部は、前記濃度が前記第１濃度閾値を超えており、かつ前記第２濃度閾値を超えていないと判定した場合、前記処理液配管から薬液が漏液していることを報知するように前記報知部を制御する。前記制御部は、前記濃度が前記第２濃度閾値を超えていると判定した場合、基板処理を停止するように制御する。

ある実施形態において、前記基板処理装置は、温度センサと、湿度センサとをさらに備える。前記温度センサは、前記処理液配管空間の温度を検知する。前記湿度センサは、前記処理液配管空間の湿度を検知する。

ある実施形態において、前記制御部は、前記処理液配管空間の温度が温度閾値を超えるか否かを判定する。前記制御部は、前記処理液配管空間の湿度が湿度閾値を超えるか否かを判定する。前記制御部は、前記処理液配管空間の温度が温度閾値を超える、かつ、前記処理液配管空間の湿度が湿度閾値を超えると判定した場合、前記処理液配管から加熱された脱イオン水が漏液していることを報知するように前記報知部を制御する。

ある実施形態において、前記制御部は、前記処理液配管空間の温度が温度閾値を超えるか否かを判定する。前記制御部は、前記処理液配管空間の湿度が湿度閾値を超えるか否かを判定する。前記制御部は、前記処理液配管空間の温度が温度閾値を超えておらず、かつ、前記処理液配管空間の湿度が湿度閾値を超えると判定した場合、前記処理液配管から脱イオン水が漏液していることを報知するように前記報知部を制御する。

ある実施形態において、前記基板処理装置は、排液配管と、排液配管空間とをさらに備える。前記排液配管は、前記基板を処理した排液が流れる。前記排液配管空間には、前記排液配管が配置される。前記少なくとも１つのガスセンサは、前記排液配管空間にさらに設けられる。前記少なくとも１つのガスセンサは、前記排液配管空間における気化した排液のガスの前記濃度を検知する。前記制御部は、前記ガスセンサが検知した前記濃度が前記濃度閾値を超えるか否かを判定する。前記報知部は、前記ガスセンサが検知した前記濃度が前記濃度閾値を超えると前記制御部が判定した場合、前記排液配管から排液が漏液していることを報知する。

本発明に係る基板処理方法は、基板を処理する方法である。前記基板処理方法は、吐出工程と、ガス検知工程と、判定工程と、報知工程とを包含する。前記吐出工程において、ノズルが前記基板に処理液を吐出する。前記ガス検知工程において、処理液配管空間における気化した処理液のガスの濃度を検知する。前記処理液配管空間には、処理液配管が配置される。前記処理液配管は、前記ノズルに処理液を供給する。前記判定工程において、前記ガス検知工程において検知した前記濃度が濃度閾値を超えるか否かを判定する。前記報知工程において、検知した前記濃度が前記濃度閾値を超えると判定した場合、前記処理液配管から薬液が漏液していることを報知する。

本発明によれば、漏液の量が微小な場合であっても、早期に漏液を検出することができる。

基板処理装置を示す図である。 （ａ）および（ｂ）は、濃度、温度および湿度を示す図である。 （ａ）および（ｂ）は、濃度、温度および湿度を示す図である。 （ａ）および（ｂ）は、濃度、温度および湿度を示す図である。 基板処理方法を示すフローチャートである。 基板処理方法を示すフローチャートである。 基板処理装置を示す図である。 （ａ）および（ｂ）は、第１濃度、第２濃度、温度および湿度を示す図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。

［実施形態１］
図１を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、基板Ｗを処理液によって処理する。具体的には、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。基板Ｗは略円板状である。

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、または、太陽電池用基板である。

基板処理装置１００は、処理ユニット１と、制御装置３と、報知部４と、バルブＶ１と、処理液配管Ｐ１と、バルブＶ３と、処理液配管Ｐ３と、バルブＶ４と、処理液配管Ｐ４と、排液配管Ｐ５と、処理液配管空間４２と、ガスセンサ６２と、ガスセンサ６４と、温度センサ７２と、湿度センサ８２と、排液配管Ｐ５と、排液配管空間４４と、排液タンク８０とを備える。

処理ユニット１は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。具体的には、処理ユニット１は、チャンバー５と、スピンチャック７と、スピンモーター９と、ノズル１１と、ノズル移動部１３と、ノズル１５と、ノズル１６と、複数のガード２５（実施形態１では２つのガード２５）とを含む。

チャンバー５は略箱形状を有する。チャンバー５は、基板Ｗ、スピンチャック７、スピンモーター９、ノズル１１、ノズル移動部１３、ノズル１５、ノズル１６、ノズル１７、処理液配管Ｐ１の一部、処理液配管Ｐ３の一部、および処理液配管Ｐ４の一部を収容する。

スピンチャック７は、基板Ｗを保持して回転する。具体的には、スピンチャック７は、チャンバー５内で基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線ＡＸ１の回りに基板Ｗを回転させる。

スピンチャック７は、複数のチャック部材７０と、スピンベース７１とを含む。複数のチャック部材７０はスピンベース７１に設けられる。複数のチャック部材７０は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース７１は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材７０を支持する。

スピンモーター９は、スピンベース７１を回転軸線ＡＸ１の回りに回転させる。したがって、スピンベース７１は回転軸線ＡＸ１の回りに回転する。その結果、スピンベース７１に設けられた複数のチャック部材７０に保持された基板Ｗが回転軸線ＡＸ１の回りに回転する。具体的には、スピンモーター９は、モーター本体９０と、シャフト９１とを含む。シャフト９１はスピンベース７１に結合される。そして、モーター本体９０は、シャフト９１を回転させることで、スピンベース７１を回転させる。シャフト９１は略筒状である。

ノズル１１は、基板Ｗの回転中に基板Ｗの主面Ｗａに向けて処理液を吐出する。処理液は、例えば、薬液である。薬液は、例えば、フッ酸、リン酸、アンモニア水である。

処理液配管Ｐ１はノズル１１に処理液を供給する。処理液は、例えば、薬液である。バルブＶ１は、ノズル１１に対する処理液の供給開始と供給停止とを切り替える。

ノズル移動部１３は、回動軸線ＡＸ２の回りに回動して、ノズル１１の処理位置と待機位置との間で、ノズル１１を水平に移動させる。処理位置は、基板Ｗの上方の位置を示す。待機位置は、スピンチャック７およびガード２５よりも外側の位置を示す。

ノズル１５は、基板Ｗの回転中に基板Ｗの主面Ｗａに向けて処理液を吐出する。処理液は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ）である。

処理液配管Ｐ３はノズル１５に処理液を供給する。本実施形態では、処理液配管Ｐ３はノズル１５に脱イオン水（ＤＩＷ）を供給する。バルブＶ３は、ノズル１５に対する処理液の供給開始と供給停止とを切り替える。

ノズル１６は、基板Ｗの回転中に基板Ｗの主面Ｗａに向けて処理液を吐出する。処理液は、例えば、加熱された脱イオン水（Ｈ－ＤＩＷ）である。

処理液配管Ｐ４はノズル１６に処理液を供給する。本実施形態では、処理液配管Ｐ４はノズル１６に加熱された脱イオン水（Ｈ－ＤＩＷ）を供給する。バルブＶ４は、ノズル１６に対する処理液の供給開始と供給停止とを切り替える。

複数のガード２５の各々は略筒形状を有する。複数のガード２５の各々は、基板Ｗから排出された薬液を受け止める。

処理液配管空間４２には、処理液配管Ｐ１、処理液配管Ｐ３および処理液配管Ｐ４が配置される。処理液配管空間４２は、処理液配管（処理液配管Ｐ１、処理液配管Ｐ３および処理液配管Ｐ４）の少なくとも一部が配置された空間である。本実施形態では、処理液配管空間４２は、チャンバー５の上方に配置される。なお、処理液配管空間４２は、チャンバー５の側方に配置されてもよい。

ガスセンサ６２は、処理液配管空間４２に設けられる。詳しくは、ガスセンサ６２は、処理液配管Ｐ１の近傍に設けられる。ガスセンサ６２は、処理液配管空間４２における気化した処理液のガスの濃度を検知する。例えば、処理液がフッ酸である場合、処理液配管空間４２におけるフッ化水素ガス（ＨＦガス）の濃度を検知する。ガスセンサ６２は、例えば、電気化学方式のセンサである。なお、ガスセンサ６２は、ペリスター方式（ペレット方式）または赤外線方式のセンサであってもよい。

排液配管Ｐ５には、基板Ｗを処理した排液が流れる。排液配管Ｐ５は、排液タンク８０に接続されている。排液配管Ｐ５を流れた排液は、排液タンク８０に排出される。

排液配管空間４４には、排液配管Ｐ５が配置される。排液配管空間４４は、排液配管Ｐ５の少なくとも一部が配置された空間である。本実施形態では、排液配管空間４４は、チャンバー５の下方に配置される。なお、排液配管空間４４は、チャンバー５の側方に配置されてもよい。

ガスセンサ６４は、排液配管空間４４に設けられる。詳しくは、ガスセンサ６４は、排液配管Ｐ５の近傍に設けられる。ガスセンサ６４は、排液配管空間４４における気化した排液のガスの濃度を検知する。ガスセンサ６４は、例えば、電気化学方式のセンサである。なお、ガスセンサ６４は、ペリスター方式（ペレット方式）または赤外線方式のセンサであってもよい。

温度センサ７２は、処理液配管空間４２に設けられる。詳しくは、温度センサ７２は、処理液配管Ｐ３および処理液配管Ｐ４の近傍に設けられる。温度センサ７２は、処理液配管空間４２の温度を検知する。

湿度センサ８２は、処理液配管空間４２に設けられる。詳しくは、湿度センサ８２は、処理液配管Ｐ３および処理液配管Ｐ４の近傍に設けられる。湿度センサ８２は、処理液配管空間４２の湿度を検知する。

制御装置３は、制御部３０と、記憶部３１とを含む。制御部３０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーを含む。記憶部３１は、記憶装置を含み、データおよびコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶部３１は、半導体メモリーのような主記憶装置と、半導体メモリーおよび／またはハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶部３１は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部３０のプロセッサーは、記憶部３１の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、処理ユニット１、バルブＶ１、バルブＶ３、バルブＶ４および報知部４を制御する。

例えば、制御部３０は、ガスセンサ６２が検知した濃度が濃度閾値を超えるか否かを判定する。

報知部４は、例えば、操作パネルである。報知部４は、ガスセンサ６２が検知した濃度が濃度閾値を超えると制御部３０が判定した場合、処理液配管Ｐ１から薬液が漏液していることを報知する。例えば、ガスセンサ６２が検知した濃度が濃度閾値を超えると制御部３０が判定した場合、報知部４は、処理液配管Ｐ１から薬液が漏液していることを示すメッセージを操作画面に表示する。

また、報知部４は、ガスセンサ６４が検知した濃度が濃度閾値を超えると制御部３０が判定した場合、排液配管Ｐ５から排液が漏液していることを報知する。例えば、ガスセンサ６４が検知した濃度が濃度閾値を超えると制御部３０が判定した場合、報知部４は、排液配管Ｐ５から排液が漏液していることを示すメッセージを操作画面に表示する。

次に、図１、図２（ａ）および図２（ｂ）を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００の薬液の漏液検知について説明する。図２（ａ）および図２（ｂ）は、濃度、温度および湿度を示す図である。図２（ａ）は、処理液配管Ｐ１からの薬液の漏液が少ない場合を示す。また、図２（ｂ）は、処理液配管Ｐ１からの薬液の漏液が多い場合を示す。

図２（ａ）および図２（ｂ）において、横軸は時刻ｔを示す。縦軸は、上から順に、濃度、温度および湿度の値を示す。詳しくは、縦軸は、上から順に、ガスセンサ６２が検知した処理液配管空間４２のガスの濃度、温度センサ７２が検知した処理液配管空間４２の温度、および湿度センサ８２が検知した処理液配管空間４２の湿度を示す。

図２（ａ）および図２（ｂ）において、第１濃度閾値ＴＨｃ１は、濃度の閾値を示す。第２濃度閾値ＴＨｃ２は、濃度の閾値を示す。第２濃度閾値ＴＨｃ２は、第１濃度閾値ＴＨｃ１よりも大きい。このように、本実施形態では、濃度閾値ＴＨｃは、第１濃度閾値ＴＨｃ１と第２濃度閾値ＴＨｃ２とを含む。

図２（ａ）および図２（ｂ）において、第１温度閾値ＴＨｔ１は、温度の閾値を示す。第２温度閾値ＴＨｔ２は、温度の閾値を示す。第２温度閾値ＴＨｔ２は、第１温度閾値ＴＨｔ１よりも大きい。このように、本実施形態では、温度閾値ＴＨｔは、第１温度閾値ＴＨｔ１と第２温度閾値ＴＨｔ２とを含む。

図２（ａ）および図２（ｂ）において、第１湿度閾値ＴＨｈ１は、湿度の閾値を示す。第２湿度閾値ＴＨｈ２は、湿度の閾値を示す。第２湿度閾値ＴＨｈ２は、第１湿度閾値ＴＨｈ１よりも大きい。このように、本実施形態では湿度閾値ＴＨｈは、第１湿度閾値ＴＨｈ１と第２湿度閾値ＴＨｈ２とを含む。

まず、図２（ａ）を参照して、処理液配管Ｐ１からの薬液の漏液が少ない場合の漏液検知について説明する。

図２（ａ）において、時刻０～時刻ｔ１は、基板処理停止時である。基板処理停止時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ１において、基板処理が開始する。基板処理時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ２以降において、処理液配管Ｐ１から薬液の微小な液漏れが生じている。処理液配管Ｐ１からの薬液の微小な液漏れが生じている場合、濃度および温度に微小な変化が数回見られる。制御部３０は、濃度の微小な変化を検知することによって、処理液配管Ｐ１から薬液の微小な液漏れが生じていることを判定する。詳しくは、制御部３０は、ガスセンサ６２が検知した濃度が濃度閾値を超えるか否かを判定する。より詳しくは、制御部３０は、ガスセンサ６２が検知した濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１を超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えていないかを判定する。濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１を超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えていない場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ１から薬液の微小な液漏れが生じていると判定する。例えば、制御部３０は、所定の期間内に設定回数以上、濃度が変化するか否かを判定してもよい。例えば、時刻ｔ２から時刻ｔ３の期間内に２回以上、濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１を超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えていない場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ１から薬液の微小な液漏れが生じていると判定する。

制御部３０は、濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１を超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えていないと判定した場合、処理液配管Ｐ１から薬液が漏液していることを報知するように報知部４を制御する。したがって、漏液の量が微小な場合であっても、早期に漏液を検出することができる。その結果、ユーザーは、薬液の漏液が発生していることを知ることができる。制御部３０は、濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１を超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えていないと判定した場合、すなわち、処理液配管Ｐ１から薬液の微小な液漏れが生じていると判定した場合、処理中の基板Ｗが正常に処理されるまで基板処理を継続し、処理中の基板Ｗ１枚の処理が完了した後に基板処理を停止するように制御する。

次に、図２（ｂ）を参照して、処理液配管Ｐ１からの薬液の漏液が多い場合の漏液検知について説明する。

図２（ｂ）において、時刻０～時刻ｔ１は、基板処理停止時である。基板処理停止時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ１において、基板処理が開始する。基板処理時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ２以降において、処理液配管Ｐ１から多くの薬液の液漏れが生じている。処理液配管Ｐ１からの多くの薬液の液漏れが生じている場合、濃度および湿度に大きな変化が見られる。制御部３０は、濃度の大きな変化を検知することによって、処理液配管Ｐ１から多くの薬液の液漏れが生じていることを判定する。詳しくは、制御部３０は、ガスセンサ６２が検知した濃度が濃度閾値を超えるか否かを判定する。より詳しくは、制御部３０は、ガスセンサ６２が検知した濃度が第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えているかを判定する。制御部３０は、第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えている場合、処理液配管Ｐ１から多くの薬液の液漏れが生じていると判定する。例えば、制御部３０は、所定の期間以上、濃度が高いか否かを判定してもよい。例えば、制御部３０は、所定の期間以上、第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えている場合、処理液配管Ｐ１から多くの薬液の液漏れが生じていると判定する。

制御部３０は、濃度が第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えていると判定した場合、処理液配管Ｐ１から薬液が漏液していることを報知するように報知部４を制御する。したがって、ユーザーは、薬液の漏液が発生していることを知ることができる。制御部３０は、第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えていると判定した場合、すなわち、処理液配管Ｐ１から多くの薬液の液漏れが生じていると判定した場合、基板処理を即時に停止するように制御する。

次に、図１、図３（ａ）および図３（ｂ）を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００の加熱された脱イオン水（Ｈ－ＤＩＷ）の漏液検知について説明する。図３（ａ）および図３（ｂ）は、濃度、温度および湿度を示す図である。図３（ａ）は、処理液配管Ｐ４からの加熱された脱イオン水の漏液が少ない場合を示す。また、図３（ｂ）は、処理液配管Ｐ４からの加熱された脱イオン水の漏液が多い場合を示す。

図３（ａ）および図３（ｂ）において、横軸は時刻ｔを示す。縦軸は、上から順に、濃度、温度および湿度の値を示す。詳しくは、縦軸は、上から順に、ガスセンサ６２が検知した処理液配管空間４２のガスの濃度、温度センサ７２が検知した処理液配管空間４２の温度、および湿度センサ８２が検知した処理液配管空間４２の湿度を示す。

図３（ａ）および図３（ｂ）において、第１濃度閾値ＴＨｃ１は、濃度の閾値を示す。第２濃度閾値ＴＨｃ２は、濃度の閾値を示す。第２濃度閾値ＴＨｃ２は、第１濃度閾値ＴＨｃ１よりも大きい。このように、本実施形態では、濃度閾値ＴＨｃは、第１濃度閾値ＴＨｃ１と第２濃度閾値ＴＨｃ２とを含む。

図３（ａ）および図３（ｂ）において、第１温度閾値ＴＨｔ１は、温度の閾値を示す。第２温度閾値ＴＨｔ２は、温度の閾値を示す。第２温度閾値ＴＨｔ２は、第１温度閾値ＴＨｔ１よりも大きい。このように、本実施形態では、温度閾値ＴＨｔは、第１温度閾値ＴＨｔ１と第２温度閾値ＴＨｔ２とを含む。

図３（ａ）および図３（ｂ）において、第１湿度閾値ＴＨｈ１は、湿度の閾値を示す。第２湿度閾値ＴＨｈ２は、湿度の閾値を示す。第２湿度閾値ＴＨｈ２は、第１湿度閾値ＴＨｈ１よりも大きい。このように、本実施形態では湿度閾値ＴＨｈは、第１湿度閾値ＴＨｈ１と第２湿度閾値ＴＨｈ２とを含む。

まず、図３（ａ）を参照して、処理液配管Ｐ４からの加熱された脱イオン水の漏液が少ない場合の漏液検知について説明する。

図３（ａ）において、時刻０～時刻ｔ１は、基板処理停止時である。基板処理停止時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ１において、基板処理が開始する。基板処理が開始すると、温度が上昇する。基板処理時において、濃度、湿度は一定である。

時刻ｔ２以降において、処理液配管Ｐ４から加熱された脱イオン水の微小な液漏れが生じている。処理液配管Ｐ４からの加熱された脱イオン水の微小な液漏れが生じている場合、温度および湿度に微小な変化が数回見られる。制御部３０は、温度および湿度の微小な変化を検知することによって、処理液配管Ｐ４から加熱された脱イオン水の微小な液漏れが生じていることを判定する。詳しくは、制御部３０は、温度センサ７２が検知した温度が温度閾値ＴＨｔを超えるか否かを判定する。さらに、制御部３０は、湿度センサ８２が検知した湿度が湿度閾値ＴＨｈを超えるか否かを判定する。より詳しくは、制御部３０は、温度センサ７２が検知した温度が第１温度閾値ＴＨｔ１を超えており、かつ第２温度閾値ＴＨｔ２を超えていないかを判定する。さらに、制御部３０は、湿度センサ８２が検知した湿度が第１湿度閾値ＴＨｈ１を超えており、かつ第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えていないかを判定する。温度が第１温度閾値ＴＨｔ１を超えており、かつ第２温度閾値ＴＨｔ２を超えていない場合、さらに、湿度が第１湿度閾値ＴＨｈ１を超えており、かつ第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えていない場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ４から加熱された脱イオン水の微小な液漏れが生じていると判定する。例えば、制御部３０は、所定の期間内に設定回数以上、温度および湿度が変化するか否かを判定してもよい。例えば、時刻ｔ２から時刻ｔ３の期間内に２回以上、温度が第１温度閾値ＴＨｔ１を超えており、かつ第２温度閾値ＴＨｔ２を超えておらず、さらに、湿度が第１湿度閾値ＴＨｈ１を超えており、かつ第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えていない場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ４から加熱された脱イオン水の微小な液漏れが生じていると判定する。このように、濃度、温度および湿度のうち、温度および湿度に微小な変化がある場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ４から加熱された脱イオン水の微小な液漏れが生じていると判定する。

制御部３０は、温度が第１温度閾値ＴＨｔ１を超えており、かつ第２温度閾値ＴＨｔ２を超えておらず、湿度が第１湿度閾値ＴＨｈ１を超えており、かつ第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えていないと判定した場合、処理液配管Ｐ４から加熱された脱イオン水が漏液していることを報知するように報知部４を制御する。したがって、ユーザーは、加熱された脱イオン水の漏液が発生していることを知ることができる。制御部３０は、温度が第１温度閾値ＴＨｔ１を超えており、かつ第２温度閾値ＴＨｔ２を超えておらず、湿度が第１湿度閾値ＴＨｈ１を超えており、かつ第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えていないと判定した場合、すなわち、処理液配管Ｐ４から加熱された脱イオン水の微小な液漏れが生じていると判定した場合、処理中の基板Ｗが正常に処理されるまで基板処理を継続する。そして、処理中の基板Ｗ１枚の処理が完了した後、所定の期間経過後に、基板処理を停止する。所定の期間は、例えば、５時間である。

次に、図３（ｂ）を参照して、処理液配管Ｐ４からの加熱された脱イオン水の漏液が多い場合の漏液検知について説明する。

図３（ｂ）において、時刻０～時刻ｔ１は、基板処理停止時である。基板処理停止時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ１において、基板処理が開始する。基板処理が開始すると、温度が上昇する。基板処理時において、濃度、湿度は一定である。

時刻ｔ２以降において、処理液配管Ｐ４から多くの加熱された脱イオン水の液漏れが生じている。処理液配管Ｐ４からの多くの加熱された脱イオン水の液漏れが生じている場合、温度および湿度に大きな変化が見られる。制御部３０は、温度および湿度の大きな変化を検知することによって、処理液配管Ｐ４から多くの加熱された脱イオン水の液漏れが生じていることを判定する。詳しくは、制御部３０は、温度センサ７２が検知した温度が温度閾値ＴＨｔを超えるか否かを判定する。さらに、制御部３０は、湿度センサ８２が検知した湿度が湿度閾値ＴＨｈを超えるか否かを判定する。より詳しくは、制御部３０は、温度センサ７２が検知した温度が第２温度閾値ＴＨｔ２を超えているかを判定する。さらに、制御部３０は、湿度センサ８２が検知した湿度が第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えているかを判定する。制御部３０は、温度が第２温度閾値ＴＨｔ２を超えており、かつ、湿度が第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えている場合、処理液配管Ｐ４から多くの加熱された脱イオン水の液漏れが生じていると判定する。例えば、制御部３０は、所定の期間以上、温度および湿度が高いか否かを判定してもよい。例えば、制御部３０は、所定の期間以上、温度が第２温度閾値ＴＨｔ２を超えており、かつ、湿度が第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えている場合、処理液配管Ｐ４から多くの加熱された脱イオン水の液漏れが生じていると判定する。

制御部３０は、温度が第２温度閾値ＴＨｔ２を超える、かつ、湿度が第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えると判定した場合、処理液配管Ｐ４から加熱された脱イオン水が漏液していることを報知するように報知部４を制御する。したがって、ユーザーは、加熱された脱イオン水の漏液が発生していることを知ることができる。制御部３０は、温度が第２温度閾値ＴＨｔ２を超える、かつ、湿度が第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えると判定した場合、すなわち、処理液配管Ｐ４から多くの加熱された脱イオン水の液漏れが生じていると判定した場合、処理中の基板Ｗが正常に処理されるまで基板処理を継続し、処理中の基板Ｗ１枚の処理が完了した後に基板処理を停止するように制御する。

次に、図１、図４（ａ）および図４（ｂ）を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００の脱イオン水（ＤＩＷ）の漏液検知について説明する。図４（ａ）および図４（ｂ）は、濃度、温度および湿度を示す図である。図４（ａ）は、処理液配管Ｐ３からの脱イオン水の漏液が少ない場合を示す。また、図４（ｂ）は、処理液配管Ｐ３からの脱イオン水の漏液が多い場合を示す。

図４（ａ）および図４（ｂ）において、横軸は時刻ｔを示す。縦軸は、上から順に、濃度、温度および湿度の値を示す。詳しくは、縦軸は、上から順に、ガスセンサ６２が検知した処理液配管空間４２のガスの濃度、温度センサ７２が検知した処理液配管空間４２の温度、および湿度センサ８２が検知した処理液配管空間４２の湿度を示す。

図４（ａ）および図４（ｂ）において、第１濃度閾値ＴＨｃ１は、濃度の閾値を示す。第２濃度閾値ＴＨｃ２は、濃度の閾値を示す。第２濃度閾値ＴＨｃ２は、第１濃度閾値ＴＨｃ１よりも大きい。このように、本実施形態では、濃度閾値ＴＨｃは、第１濃度閾値ＴＨｃ１と第２濃度閾値ＴＨｃ２とを含む。

図４（ａ）および図４（ｂ）において、第１温度閾値ＴＨｔ１は、温度の閾値を示す。第２温度閾値ＴＨｔ２は、温度の閾値を示す。第２温度閾値ＴＨｔ２は、第１温度閾値ＴＨｔ１よりも大きい。このように、本実施形態では、温度閾値ＴＨｔは、第１温度閾値ＴＨｔ１と第２温度閾値ＴＨｔ２とを含む。

図４（ａ）および図４（ｂ）において、第１湿度閾値ＴＨｈ１は、湿度の閾値を示す。第２湿度閾値ＴＨｈ２は、湿度の閾値を示す。第２湿度閾値ＴＨｈ２は、第１湿度閾値ＴＨｈ１よりも大きい。このように、本実施形態では湿度閾値ＴＨｈは、第１湿度閾値ＴＨｈ１と第２湿度閾値ＴＨｈ２とを含む。

まず、図４（ａ）を参照して、処理液配管Ｐ３からの脱イオン水の漏液が少ない場合の漏液検知について説明する。

図４（ａ）において、時刻０～時刻ｔ１は、基板処理停止時である。基板処理停止時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ１において、基板処理が開始する。基板処理時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ２以降において、処理液配管Ｐ３から脱イオン水の微小な液漏れが生じている。処理液配管Ｐ３からの脱イオン水の微小な液漏れが生じている場合、湿度に微小な変化が数回見られる。制御部３０は、湿度の微小な変化を検知することによって、処理液配管Ｐ３から脱イオン水の微小な液漏れが生じていることを判定する。詳しくは、制御部３０は、温度センサ７２が検知した温度が温度閾値ＴＨｔを超えておらず、かつ、湿度センサ８２が検知した湿度が湿度閾値ＴＨｈを超えるか否かを判定する。より詳しくは、制御部３０は、温度センサ７２が検知した温度が第１温度閾値ＴＨｔ１を超えていないかを判定する。さらに、制御部３０は、湿度センサ８２が検知した湿度が第１湿度閾値ＴＨｈ１を超えており、かつ第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えていないかを判定する。温度が第１温度閾値ＴＨｔ１を超えておらず、かつ、湿度が第１湿度閾値ＴＨｈ１を超えており、かつ第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えていない場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ３から脱イオン水の微小な液漏れが生じていると判定する。例えば、制御部３０は、所定の期間内に設定回数以上、湿度が変化するか否かを判定してもよい。例えば、時刻ｔ２から時刻ｔ３の期間内に２回以上、湿度が第１湿度閾値ＴＨｈ１を超えており、かつ第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えていない場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ３から脱イオン水の微小な液漏れが生じていると判定する。

制御部３０は、湿度が第１湿度閾値ＴＨｈ１を超えており、かつ第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えていないと判定した場合、処理液配管Ｐ３から脱イオン水が漏液していることを報知するように報知部４を制御する。したがって、ユーザーは、脱イオン水の漏液が発生していることを知ることができる。制御部３０は、湿度が第１湿度閾値ＴＨｈ１を超えており、かつ第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えていないと判定した場合、すなわち、処理液配管Ｐ３から脱イオン水の微小な液漏れが生じていると判定した場合、処理中の基板Ｗが正常に処理されるまで基板処理を継続する。そして、処理中の基板Ｗ１枚の処理が完了した後、所定の期間経過後に、基板処理を停止する。所定の期間は、例えば、５時間である。

次に、図４（ｂ）を参照して、処理液配管Ｐ３からの脱イオン水の漏液が多い場合の漏液検知について説明する。

図４（ｂ）において、時刻０～時刻ｔ１は、基板処理停止時である。基板処理停止時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ１において、基板処理が開始する。基板処理時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ２以降において、処理液配管Ｐ３から多くの脱イオン水の液漏れが生じている。処理液配管Ｐ３からの多くの脱イオン水の液漏れが生じている場合、湿度に大きな変化が見られる。制御部３０は、湿度の大きな変化を検知することによって、処理液配管Ｐ３から多くの脱イオン水の液漏れが生じていることを判定する。詳しくは、制御部３０は、湿度センサ８２が検知した湿度が湿度閾値を超えるか否かを判定する。より詳しくは、制御部３０は、湿度センサ８２が検知した湿度が第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えているかを判定する。湿度が第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えている場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ３から多くの脱イオン水の液漏れが生じていると判定する。例えば、制御部３０は、所定の期間以上、湿度が高いか否かを判定してもよい。例えば、所定の期間以上、第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えている場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ３から多くの脱イオン水の液漏れが生じていると判定する。

制御部３０は、温度が第１温度閾値ＴＨｔ１を超えておらず、かつ、湿度が第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えていると判定した場合、処理液配管Ｐ３から脱イオン水が漏液していることを報知するように報知部４を制御する。したがって、ユーザーは、脱イオン水の漏液が発生していることを知ることができる。制御部３０は、第２湿度閾値ＴＨｈ２を超えていると判定した場合、すなわち、処理液配管Ｐ３から多くの脱イオン水の液漏れが生じていると判定した場合、処理中の基板Ｗが正常に処理されるまで基板処理を継続し、処理中の基板Ｗ１枚の処理が完了した後に基板処理を停止するように制御する。

次に、図１および図５を参照して、実施形態１に係る基板処理方法を説明する。図５は、基板処理方法を示すフローチャートである。図５に示すステップＳ１０２～ステップＳ１０８の処理が実行されることによって、基板Ｗの処理が行われる。

ステップＳ１０２：ノズル１１が基板Ｗに処理液を吐出する。ステップＳ１０２は、「吐出工程」の一例に相当する。処理は、ステップＳ１０４に進む。

ステップＳ１０４：処理液配管空間４２における気化した処理液のガスの濃度を検知する。ステップＳ１０４は、「ガス検知工程」の一例に相当する。処理は、ステップＳ１０６に進む。

ステップＳ１０６：制御部３０は、ガス検知工程（ステップＳ１０４）において検知した濃度が濃度閾値を超えるか否かを判定する。ステップＳ１０６は、「判定工程」の一例に相当する。濃度が濃度閾値を超えないと制御部３０が判定した場合（ステップＳ１０６：Ｎｏ）、処理は終了する。濃度が濃度閾値を超えると制御部３０が判定した場合（ステップＳ１０６：Ｙｅｓ）、処理は、ステップＳ１０８に進む。

ステップＳ１０８：検知した濃度が濃度閾値を超えると制御部３０が判定した場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ１から薬液が漏液していることを報知する。処理は終了する。ステップＳ１０８は、「報知工程」の一例に相当する。

次に、図１および図６を参照して、実施形態１に係る基板処理方法を説明する。図６は、基板処理方法を示すフローチャートである。図６に示すステップＳ２０２～ステップＳ２１２の処理が実行されることによって、基板Ｗの処理が行われる。ここでは、濃度閾値ＴＨｃは、第１濃度閾値ＴＨｃ１と第２濃度閾値ＴＨｃ２とを含む。

ステップＳ２０２：ノズル１１が基板Ｗに処理液を吐出する。処理は、ステップＳ２０４に進む。

ステップＳ２０４：処理液配管空間４２における気化した処理液のガスの濃度を検知する。処理は、ステップＳ２０６に進む。

ステップＳ２０６：制御部３０は、ガス検知工程（ステップＳ２０４）において検知した濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１を超えるか否かを判定する。濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１を超えないと制御部３０が判定した場合（ステップＳ２０６：Ｎｏ）、処理は終了する。濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１を超えると制御部３０が判定した場合（ステップＳ２０６：Ｙｅｓ）、処理は、ステップＳ２０８に進む。

ステップＳ２０８：ガス検知工程（ステップＳ２０４）において検知した濃度が第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えるか否かを判定する。濃度が第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えないと制御部３０が判定した場合（ステップＳ２０８：Ｎｏ）、処理は、ステップＳ２１２に進む。濃度が第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えると制御部３０が判定した場合（ステップＳ２０８：Ｙｅｓ）、処理は、ステップＳ２１０に進む。

ステップＳ２１０：制御部３０は、薬液の漏液を報知するように報知部４を制御し、即時に基板処理を停止するように制御する。処理は、終了する。

ステップＳ２１２：制御部３０は、薬液の漏液を報知するように報知部４を制御し、基板Ｗを１枚処理した後、基板処理を停止するように制御する。処理は、終了する。

以上、図１～図６を参照して説明したように、ガスセンサ６２が検知した濃度が濃度閾値ＴＨｃを超えると制御部３０が判定した場合、報知部４は、処理液配管Ｐ１から薬液が漏液していることを報知する。したがって、漏液の量が微小な場合であっても、早期に漏液を検出することができる。その結果、ユーザーは、薬液の漏液が発生していることを知ることができる。

また、濃度閾値ＴＨｃは、第１濃度閾値ＴＨｃ１と第２濃度閾値ＴＨｃ２とを含む。第２濃度閾値ＴＨｃ２は第１濃度閾値ＴＨｃ１よりも大きい。制御部３０は、濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１を超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えていないと判定した場合、処理液配管Ｐ１から薬液が漏液していることを報知するように報知部４を制御する。一方、制御部３０は、濃度が第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えていると判定した場合、基板処理を停止するように制御する。したがって、制御部３０は、漏液の量に適した処理を実行することができる。

また、処理液配管空間４２の温度が温度閾値ＴＨｔを超える、かつ、処理液配管空間４２の湿度が湿度閾値ＴＨｈを超えると判定した場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ４から加熱された脱イオン水が漏液していることを報知するように報知部４を制御する。したがって、ユーザーは、加熱された脱イオン水の漏液が発生していることを知ることができる。

また、処理液配管空間４２の温度が温度閾値ＴＨｔを超えておらず、かつ、処理液配管空間４２の湿度が湿度閾値ＴＨｈを超えると判定した場合、処理液配管Ｐ３から脱イオン水が漏液していることを報知するように報知部４を制御する。したがって、ユーザーは、脱イオン水の漏液が発生していることを知ることができる。

また、ガスセンサ６４は、排液配管空間４４にさらに設けられる。ガスセンサ６４は、排液配管空間４４における気化した排液のガスの濃度を検知する。報知部４は、ガスセンサ６４が検知した濃度が濃度閾値ＴＨｃを超えると制御部３０が判定した場合、排液配管Ｐ５から薬液が漏液していることを報知する。したがって、ユーザーは、排液配管Ｐ５から薬液の漏液が発生していることを知ることができる。

［実施形態２］
図７を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００を説明する。図７は、基板処理装置１００を示す図である。実施形態２に係る基板処理装置１００は、複数の種類の薬液の漏液を検知する点で、実施形態１に係る基板処理装置１００と異なる。実施形態１に係る基板処理装置１００との重複部分については説明を省略する。

図７に示すように、基板処理装置１００は、処理ユニット１と、制御装置３と、報知部４と、バルブＶ１と、処理液配管Ｐ１と、バルブＶ３と、処理液配管Ｐ３と、バルブＶ４と、処理液配管Ｐ４と、処理液配管Ｐ３と、処理液配管空間４２と、ガスセンサ６２と、ガスセンサ６４と、温度センサ７２と、湿度センサ８２と、排液配管Ｐ５と、排液配管空間４４と、排液タンク８０とに加えて、ガスセンサ６６と、バルブＶ２と、処理液配管Ｐ２とをさらに備える。

処理ユニット１は、チャンバー５と、スピンチャック７と、スピンモーター９と、ノズル１１と、ノズル移動部１３と、ノズル１５と、ノズル１６と、複数のガード２５とに加えて、ノズル１７と、ノズル移動部１９とをさらに含む。

ノズル１１は、基板Ｗの回転中に基板Ｗの主面Ｗａに向けて処理液を吐出する。処理液は、例えば、第１薬液である。第１薬液は、例えば、フッ酸、リン酸、アンモニア水である。

ノズル１７は、基板Ｗの回転中に基板Ｗの主面Ｗａに向けて処理液を吐出する。処理液は、例えば、第２薬液である。第２薬液は、例えば、フッ酸、リン酸、アンモニア水である。第１薬液と、第２薬液とは異なる。

このように、本実施形態では、複数の処理液配管の各々は、ノズルに異なる処理液を供給する。

処理液配管Ｐ２はノズル１７に処理液を供給する。処理液は、例えば、第２薬液である。バルブＶ２は、ノズル１７に対する処理液の供給開始と供給停止とを切り替える。

ノズル移動部１９は、回動軸線ＡＸ３の回りに回動して、ノズル１７の処理位置と待機位置との間で、ノズル１７を水平に移動させる。処理位置は、基板Ｗの上方の位置を示す。待機位置は、スピンチャック７およびガード２５よりも外側の位置を示す。

処理液配管空間４２には、処理液配管Ｐ１、処理液配管Ｐ３および処理液配管Ｐ４に加えて、さらに処理液配管Ｐ２が配置される。処理液配管空間４２は、処理液配管（処理液配管Ｐ１、処理液配管Ｐ２、処理液配管Ｐ３および処理液配管Ｐ４）の少なくとも一部が配置された空間である。

ガスセンサ６２は、処理液配管空間４２に設けられる。ガスセンサ６２は、処理液配管Ｐ１に流れる処理液が気化したガスの濃度を検知する。本実施形態では、ガスセンサ６２は、第１薬液が気化したガスの濃度を検知する。

ガスセンサ６６は、処理液配管空間４２に設けられる。ガスセンサ６６は、処理液配管Ｐ２に流れる処理液が気化したガスの濃度を検知する。本実施形態では、ガスセンサ６６は、第２薬液が気化したガスの濃度を検知する。

このように、本実施形態では、ガスセンサは複数である。複数のガスセンサのそれぞれは、複数の処理液配管のそれぞれに流れる処理液が気化したガスの濃度を検知する。

次に、図７、図８（ａ）および図８（ｂ）を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００の複数の種類の薬液の漏液検知について説明する。図８（ａ）および図８（ｂ）は、第１濃度、第２濃度、温度および湿度を示す図である。図８（ａ）は、処理液配管Ｐ１からの薬液の漏液が少ない場合を示す。また、図８（ｂ）は、処理液配管Ｐ１からの薬液の漏液が多い場合を示す。

図８（ａ）および図８（ｂ）において、横軸は時刻ｔを示す。縦軸は、上から順に、第１濃度、第２濃度、温度および湿度の値を示す。詳しくは、縦軸は、上から順に、ガスセンサ６２が検知した処理液配管空間４２のガスの濃度、ガスセンサ６６が検知した処理液配管空間４２のガスの濃度、温度センサ７２が検知した処理液配管空間４２の温度、および湿度センサ８２が検知した処理液配管空間４２の湿度を示す。

図８（ａ）および図８（ｂ）において、第１濃度閾値ＴＨｃ１ａは第１薬液の濃度の閾値を示す。第２濃度閾値ＴＨｃ２ａは、第１薬液の濃度の閾値を示す。第２濃度閾値ＴＨｃ２ａは、第１濃度閾値ＴＨｃ１ａよりも大きい。このように、本実施形態では、濃度閾値ＴＨｃａは、第１濃度閾値ＴＨｃ１ａと第２濃度閾値ＴＨｃ２ａとを含む。

図８（ａ）および図８（ｂ）において、第１濃度閾値ＴＨｃ１ｂは第２薬液の濃度の閾値を示す。第２濃度閾値ＴＨｃ２ｂは、第２薬液の濃度の閾値を示す。第２濃度閾値ＴＨｃ２ｂは、第１濃度閾値ＴＨｃ１ｂよりも大きい。このように、本実施形態では、濃度閾値ＴＨｃｂは、第１濃度閾値ＴＨｃ１ｂと第２濃度閾値ＴＨｃ２ｂとを含む。

図８（ａ）および図８（ｂ）において、第１温度閾値ＴＨｔ１は、温度の閾値を示す。第２温度閾値ＴＨｔ２は、温度の閾値を示す。第２温度閾値ＴＨｔ２は、第１温度閾値ＴＨｔ１よりも大きい。このように、本実施形態では、温度閾値ＴＨｔは、第１温度閾値ＴＨｔ１と第２温度閾値ＴＨｔ２とを含む。

図８（ａ）および図８（ｂ）において、第１湿度閾値ＴＨｈ１は、湿度の閾値を示す。第２湿度閾値ＴＨｈ２は、湿度の閾値を示す。第２湿度閾値ＴＨｈ２は、第１湿度閾値ＴＨｈ１よりも大きい。このように、本実施形態では湿度閾値ＴＨｈは、第１湿度閾値ＴＨｈ１と第２湿度閾値ＴＨｈ２とを含む。

まず、図８（ａ）を参照して、処理液配管Ｐ１からの第１薬液の漏液が生じている場合の漏液検知について説明する。

図８（ａ）において、時刻０～時刻ｔ１は、基板処理停止時である。基板処理停止時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ１において、基板処理が開始する。基板処理時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ２以降において、処理液配管Ｐ１から第１薬液の微小な液漏れが生じている。処理液配管Ｐ１からの第１薬液の微小な液漏れが生じている場合、第１濃度および湿度に微小な変化が数回見られる。制御部３０は、第１濃度の微小な変化を検知することによって、処理液配管Ｐ１から第１薬液の微小な液漏れが生じていることを判定する。詳しくは、制御部３０は、ガスセンサ６２が検知した第１濃度が濃度閾値を超えるか否かを判定する。より詳しくは、制御部３０は、ガスセンサ６２が検知した第１濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１ａを超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２ａを超えていないかを判定する。第１濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１ａを超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２ａを超えていない場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ１から第１薬液の微小な液漏れが生じていると判定する。例えば、制御部３０は、所定の期間内に設定回数以上、第１濃度が変化するか否かを判定してもよい。例えば、時刻ｔ２から時刻ｔ３の期間内に２回以上、第１濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１を超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２を超えていない場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ１から薬液の微小な液漏れが生じていると判定する。

一方、処理液配管Ｐ２から第２薬液の液漏れは生じていない。このため、第２濃度は一定である。したがって、第２濃度は、第１濃度閾値ＴＨｃ１ｂを超えていない。

制御部３０は、第１濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１ａを超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２ａを超えていないと判定した場合、処理液配管Ｐ１から第１薬液が漏液していることを報知するように報知部４を制御する。したがって、ユーザーは、第１薬液の漏液が発生していることを知ることができる。制御部３０は、第１濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１ａを超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２ａを超えていないと判定した場合、すなわち、処理液配管Ｐ１から第１薬液の微小な液漏れが生じていると判定した場合、処理中の基板Ｗが正常に処理されるまで基板処理を継続し、処理中の基板Ｗ１枚の処理が完了した後に基板処理を停止するように制御する。

次に、図８（ｂ）を参照して、処理液配管Ｐ２からの第２薬液の漏液が生じている場合の漏液検知について説明する。

図８（ｂ）において、時刻０～時刻ｔ１は、基板処理停止時である。基板処理停止時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ１において、基板処理が開始する。基板処理時において、濃度、温度および湿度は一定である。

時刻ｔ２以降において、処理液配管Ｐ２から第２薬液の微小な液漏れが生じている。処理液配管Ｐ２からの第２薬液の微小な液漏れが生じている場合、第２濃度および湿度に微小な変化が数回見られる。制御部３０は、第２濃度の微小な変化を検知することによって、処理液配管Ｐ２から第２薬液の微小な液漏れが生じていることを判定する。詳しくは、制御部３０は、ガスセンサ６６が検知した第２濃度が濃度閾値を超えるか否かを判定する。より詳しくは、制御部３０は、ガスセンサ６６が検知した第２濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１ｂを超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２ｂを超えていないかを判定する。第２濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１ｂを超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２ｂを超えていない場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ２から第２薬液の微小な液漏れが生じていると判定する。例えば、制御部３０は、所定の期間内に設定回数以上、第２濃度が変化するか否かを判定してもよい。例えば、時刻ｔ２から時刻ｔ３の期間内に２回以上、第２濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１ｂを超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２ｂを超えていない場合、制御部３０は、処理液配管Ｐ２から第２薬液の微小な液漏れが生じていると判定する。

一方、処理液配管Ｐ１から第１薬液の液漏れは生じていない。このため、第１濃度は一定である。したがって、第１濃度は、第１濃度閾値ＴＨｃ１ａを超えていない。

制御部３０は、第２濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１ｂを超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２ｂを超えていないと判定した場合、処理液配管Ｐ２から第２薬液が漏液していることを報知するように報知部４を制御する。したがって、ユーザーは、第２薬液の漏液が発生していることを知ることができる。制御部３０は、第２濃度が第１濃度閾値ＴＨｃ１ｂを超えており、かつ第２濃度閾値ＴＨｃ２ｂを超えていないと判定した場合、すなわち、処理液配管Ｐ２から第２薬液の微小な液漏れが生じていると判定した場合、処理中の基板Ｗが正常に処理されるまで基板処理を継続し、処理中の基板Ｗ１枚の処理が完了した後に基板処理を停止するように制御する。

以上、図７～図８（ｂ）を参照して説明したように、複数のガスセンサ（ガスセンサ６２およびガスセンサ６６）のそれぞれは、複数の処理液配管（処理液配管Ｐ１および処理液配管Ｐ２）のそれぞれに流れる処理液が気化したガスの濃度を検知する。したがって、複数の種類の薬液の漏液を検知することができる。

以上、図面（図１～図８（ｂ））を参照しながら本発明の実施形態を説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である（例えば、下記に示す（１）～（２））。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数等は、図面作成の都合上から実際とは異なる。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質や形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

（１）実施形態１および実施形態２では、濃度閾値ＴＨｃは、第１濃度閾値ＴＨｃ１および第２濃度閾値ＴＨｃ２の２つの閾値を含んでいたが、本発明はこれに限定されない。例えば、濃度閾値ＴＨｃｂは、１つであってもよい。

（２）実施形態１において基板処理装置１００は、１種類の薬液の漏液を検知、実施形態２において基板処理装置１００は、２種類の薬液の漏液を検知していたが、本発明はこれに限定されない。例えば、基板処理装置１００は、３種類以上の薬液の漏液を検知してもよい。この場合、薬液の種類に応じた数のガスセンサが処理液配管空間４２に配置される。

４ 報知部
１１、１５、１６、１７ ノズル
３０ 制御部
４２ 処理液配管空間
４４ 排液配管空間
６２、６４、６６ ガスセンサ
７２ 温度センサ
８２ 湿度センサ
１００ 基板処理装置
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４ 処理液配管
Ｐ５ 排液配管
ＴＨｃ、ＴＨｃａ、ＴＨｃｂ 濃度閾値
ＴＨｃ１、ＴＨｃ１ａ、ＴＨｃ１ｂ 第１濃度閾値
ＴＨｃ２、ＴＨｃ２ａ、ＴＨｃ２ｂ 第２濃度閾値
ＴＨｈ 湿度閾値
ＴＨｔ 温度閾値
Ｗ 基板

Claims (8)

1. 基板に処理液を吐出する少なくとも１つのノズルと、
   前記ノズルに処理液を供給する少なくとも１つの処理液配管と、
   前記処理液配管が配置される処理液配管空間と、
   前記処理液配管空間に設けられ、前記処理液配管空間における気化した処理液のガスの濃度を検知する少なくとも１つのガスセンサと、
   前記ガスセンサが検知した前記濃度が濃度閾値を超えるか否かを判定する制御部と、
   前記ガスセンサが検知した前記濃度が前記濃度閾値を超えると前記制御部が判定した場合、前記処理液配管から薬液が漏液していることを報知する報知部と
   を備える、基板処理装置。
2. 前記少なくとも１つの処理液配管は複数であり、
   前記少なくとも１つのガスセンサは複数であり、
   複数の前記処理液配管の各々は、前記ノズルに異なる処理液を供給し、
   複数の前記ガスセンサのそれぞれは、複数の前記処理液配管のそれぞれに流れる処理液が気化したガスの濃度を検知する、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記濃度閾値は、第１濃度閾値と第２濃度閾値とを含み、
   前記第２濃度閾値は前記第１濃度閾値よりも大きく、
   前記制御部は、
   前記濃度が前記第１濃度閾値を超えており、かつ前記第２濃度閾値を超えていないと判定した場合、前記処理液配管から薬液が漏液していることを報知するように前記報知部を制御し、
   前記濃度が前記第２濃度閾値を超えていると判定した場合、基板処理を停止するように制御する、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記処理液配管空間の温度を検知する温度センサと、
   前記処理液配管空間の湿度を検知する湿度センサと
   をさらに備える、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、
   前記処理液配管空間の温度が温度閾値を超えるか否かを判定し、
   前記処理液配管空間の湿度が湿度閾値を超えるか否かを判定し、
   前記処理液配管空間の温度が温度閾値を超える、かつ、前記処理液配管空間の湿度が湿度閾値を超えると判定した場合、前記処理液配管から加熱された脱イオン水が漏液していることを報知するように前記報知部を制御する、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記制御部は、
   前記処理液配管空間の温度が温度閾値を超えるか否かを判定し、
   前記処理液配管空間の湿度が湿度閾値を超えるか否かを判定し、
   前記処理液配管空間の温度が温度閾値を超えておらず、かつ、前記処理液配管空間の湿度が湿度閾値を超えると判定した場合、前記処理液配管から脱イオン水が漏液していることを報知するように前記報知部を制御する、請求項４に記載の基板処理装置。
7. 前記基板を処理した排液が流れる排液配管と、
   前記排液配管が配置される排液配管空間と
   をさらに備え、
   前記少なくとも１つのガスセンサは、前記排液配管空間にさらに設けられ、前記排液配管空間における気化した排液のガスの前記濃度を検知し、
   前記制御部は、前記ガスセンサが検知した前記濃度が前記濃度閾値を超えるか否かを判定し、
   前記報知部は、前記ガスセンサが検知した前記濃度が前記濃度閾値を超えると前記制御部が判定した場合、前記排液配管から排液が漏液していることを報知する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 基板を処理する基板処理方法であって、
   ノズルが前記基板に処理液を吐出する吐出工程と、
   前記ノズルに処理液を供給する処理液配管が配置される処理液配管空間における気化した処理液のガスの濃度を検知するガス検知工程と、
   前記ガス検知工程において検知した前記濃度が濃度閾値を超えるか否かを判定する判定工程と、
   検知した前記濃度が前記濃度閾値を超えると判定した場合、前記処理液配管から薬液が漏液していることを報知する報知工程と
   を包含する、基板処理方法。

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