JP7057844B2 - メサ側壁をクリーニングするためのシステムおよび方法 - Google Patents

Description

本出願は、一般に、ナノ加工（例えばインプリント・リソグラフィ）のために使用されるテンプレートのメサ側壁のクリーニングに関する。

ナノ加工は、１００ナノメートル以下のオーダーのフィーチャを有する非常に小さな構造の製造を含む。ナノ加工の一つの応用は、集積回路の作製である。半導体加工産業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増加させながら、より大きな生産歩留まりを目指し続けている。ナノ製造における改善は、より大きなプロセス制御を提供し、スループットを改善する一方で、形成される構造の最小フィーチャ寸法の継続的な低減を可能にすることを含む。

１つのナノ製造技術は、一般に、ナノインプリント・リソグラフィと呼ばれる。ナノインプリント・リソグラフィは、例えば、集積デバイスの１つまたは複数のレイヤを製造することを含む様々な用途で有用である。集積デバイスの例には、ＣＭＯＳロジック、マイクロプロセッサ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭメモリ、ＭＲＡＭ、３Ｄクロスポイントメモリ、Ｒｅ－ＲＡＭ、Ｆｅ－ＲＡＭ、ＳＴＴ－ＲＡＭ、ＭＥＭＳ等が含まれる。ナノインプリント・リソグラフィ・システムおよびプロセスの例は、米国特許第８，３４９，２４１号、米国特許第８，０６６，９３０号、および米国特許第６，９３６，１９４号などの多数の刊行物に詳細に記載されている。

前述の特許の各々に開示されているナノインプリント・リソグラフィ技術は、成形可能材料（重合可能）の層にレリーフパターンを形成し、レリーフパターンに対応するパターンを下地の基板の中または上に転写することを記載している。パターニングプロセスは、基板から離間したテンプレートを使用し、成形可能な液体がテンプレートと基板との間に適用（塗布）される。成形可能な液体は、成形可能な液体と接触するテンプレートの表面の形状に一致するパターンを有する固体層を形成するために固化される。固化後、テンプレートは、テンプレートと基板とが離間するように、固体層から分離される。次いで、基板および固体層は、固体層内のパターンに対応するレリーフ像を基板内に転写するため、エッチングプロセスなどの追加のプロセスに曝される。パターニングされた基板は、例えば、硬化、酸化、層形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形可能材料の除去、ダイシング、ボンディング、パッケージングなどを含む、デバイス（物品）製造のための既知の工程およびプロセスにさらに曝されうる。

インプリントの前に、テンプレートのパターニング表面は、１つ以上の前処理プロセスを使用して１つ以上の材料で前処理されてもよく、パターニング表面はまた、界面活性剤で噴霧されてもよい。パターニング表面は、テンプレートのメサ上にあり、メサは、リセスされた表面によって取り囲まれている。側壁は、リセスされた表面をメサに接続する。インプリントプロセスの間、成形可能な液体は、インプリントフィールドから押し出されて側壁に付着し、それにより、はみ出し（押し出し）を形成することがある。

方法のいくつかの実施形態は、ステージ上の１または複数のノズルの上で形成可能材料をインプリントするためのテンプレートを位置決めする工程であって、前記テンプレートは、パターニング表面、メサ、および少なくとも１つのメサ側壁を含む、工程と、前記１つ以上のノズルを通るガスの流れを前記少なくとも１つ以上のメサ側壁の一部に向ける工程と、を含む。

装置のいくつかの実施形態は、成形可能材料をインプリントするためのテンプレートを保持するように構成されたテンプレートチャックであって、前記テンプレートは、パターニング表面、メサ、およびメサ側壁を含む、テンプレートチャックと、前記テンプレートに対して移動可能であるステージであって、前記ステージは、基板チャックと前記メサ側壁にガスの流れを向けるように構成された１または複数のガス流路とを含む、ステージと、を備える。

図１は、ナノインプリント・リソグラフィ・システムの例示的な実施形態を示す。

図２は、成形可能材料が蓄積されたメサ側壁を有するメサの例示的な実施形態を示す。

図３は、メサ側壁の上にガスの流れを向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。

図４Ａは、一定期間にわたってガスの流れをメサの側壁に向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。 図４Ｂは、一定期間にわたってガスの流れをメサの側壁に向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。 図４Ｃは、一定期間にわたってガスの流れをメサの側壁に向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。 図４Ｄは、一定期間にわたってガスの流れをメサの側壁に向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。

図５Ａは、一定期間にわたってガスの流れをメサの側壁に向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。 図５Ａは、一定期間にわたってガスの流れをメサの側壁に向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。 図５Ａは、一定期間にわたってガスの流れをメサの側壁に向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。

図６Ａは、一定期間にわたってガスの流れをメサの側壁に向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。 図６Ａは、一定期間にわたってガスの流れをメサの側壁に向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。 図６Ａは、一定期間にわたってガスの流れをメサの側壁に向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。

図７Ａは、アップリケ上の調節可能なガス流路の例示的な実施形態を示す。

図７Ｂは、アップリケ上の調節可能なガス流路の例示的な実施形態を示す。

図７Ｃは、アップリケ上の調節可能なガス流路の例示的な実施形態を示す。

図８Ａは、アップリケ上のガス流路の例示的な実施形態を示す。

図８Ｂは、アップリケ上のガス流路の例示的な実施形態を示す。

図８Ｃは、アップリケ上のガス流路の例示的な実施形態を示す。

図９Ａは、アップリケ上のガス流路の例示的な実施形態を示す。

図９Ｂは、アップリケ上のガス流路の例示的な実施形態を示す。

図９Ｃは、アップリケ上の調節可能なガス流路の例示的な実施形態を示す。

図９Ｄは、アップリケ上の調節可能なガス流路の例示的な実施形態を示す。

図１０Ａは、ガスの流れをメサの側壁に向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。

図１０Ｂは、ガスの流れをメサの側壁に向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。

図１１は、ナノインプリント・リソグラフィ・システムの例示的な実施形態の斜視図を示す。

図１２は、基板、アップリケ、流体ディスペンサ、およびテンプレートの例示的な実施形態の平面図（ｚ軸に沿った図）を示す。

図１３は、基板、アップリケ、流体ディスペンサ、およびテンプレートの例示的な実施形態の平面図（ｚ軸に沿った図）を示す。

図１４は、基板およびアップリケの例示的な実施形態の平面図（ｚ軸に沿った図）を示す。

図１５は、基板およびアップリケの例示的な実施形態の平面図（ｚ軸に沿った図）を示す。

図１６は、ガスを１または複数のメサ側壁に向けるための動作フローの例示的な実施形態を示す。

図１７は、ガスを１または複数のメサ側壁に向けるための動作フローの例示的な実施形態を示す。

図１８は、ガスを１または複数のメサ側壁に向けるための動作フローの例示的な実施形態を示す。

図１９は、ガスを１または複数のメサ側壁に向けるための動作フローの例示的な実施形態を示す。

図２０は、ガスを１または複数のメサ側壁に向けるための動作フローの例示的な実施形態を示す。

以下の段落は、特定の説明的な実施形態を記載する。他の実施形態は、代替物、等価、および修正を含みうる。加えて、説明的な実施形態は、いくつかの特徴を含むことができ、特定の特徴は、本明細書で説明されるデバイス(装置)、システム、および方法のいくつかの実施形態に必須ではないことがある。さらに、いくつかの実施形態は、以下の説明的な実施形態のうちの２つ以上からの特徴を含む。

また、本明細書で使用されるように、「または」という用語は、一般に、包括的な「または」を指すが、「または」は、明示的に示される場合、または「または」が排他的な「または」でなければならないことを文脈が示す場合、排他的な「または」を指すことがある。

図１は、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００の例示的な実施形態を示す。動作時、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、基板１０２（例えばウエハ）上に成形可能材料１２４（例えばレジスト）を堆積させ、基板１０２上の成形可能材料１２４をインプリントするためのパターニング表面１１２を有するメサ（モールドとも呼ばれる）１１０を有するテンプレート１０８を使用することによって、基板１０２上のインプリント領域における形成可能材料１２４内に、レリーフパターンを有するパターン化層１２５を形成する。

単一のメサ１１０は、単一の基板１０２または複数の基板１０２上の複数のインプリント領域における成形可能材料１２４をインプリントするために使用されてもよい。複数のインプリント領域における成形可能材料をインプリントしている間、成形可能材料１２４は、例えば、浸透および蒸着（蒸発して表面上に堆積する成形可能材料１２４）の一方または両方を介して、メサ１１０の側壁上に蓄積しうる。例えば、図２は、成形可能材料１２４が蓄積されたメサ側壁２４０を有するメサ１１０を含むテンプレート１０８の例示的な実施形態を示す。メサ１１０によって実行されるインプリントの数が増加するにつれて、メサ側壁２４０上の成形可能材料１２４の蓄積は、成形可能材料１２４の蓄積がインプリント領域におけるパターン化層１２５に欠陥を生成し始める点に達しうる。例えば、はみ出しが形成し始めることがあり、はみ出しは、様々なインプリントおよびインプリント後の欠陥を引き起こしうる。

ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、１または複数のガス流路１０９（例えば、ノズル、通気口、開口）も含む。ガス流路１０９は、メサ１１０の側壁２４０の上を流れるガスのそれぞれの流れを放出し（例えば、向ける（導く）、吹き出す、吐き出す）、これにより、メサ側壁２４０上の成形可能材料１２４の蓄積の一部が除去される。このようなガスの例には、ＣＤＡ(清浄乾燥空気および／または圧縮乾燥空気）、Ｎ２、およびＨｅが含まれる。いくつかの実施形態では、ガス流路１０９から放出されるガスは、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００が動作される環境の半導体清浄度基準よりも優れているか、又はそれを満たしている。さらに、放出ガスの流れを構成するために、各ガス流路１０９のそれぞれの形状は、流量、流速、流動形状、流動圧力、流動方向、および流動質量のうちの１または複数に従って選択されてもよい。ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、成形可能材料１２４がメサ側壁から蒸発する速度を増加させるようにガスを加熱するヒータを含んでもよい。そして、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、１または複数のファン（例えば送風機）を含んでもよく、１または複数のガス供給ラインを含んでもよく、１または複数のバルブを含んでもよく、異なる用途のためにガスの流量を調整してもよい。ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、１または複数のガス供給源に接続されてもよく、ガス流路１０９に供給されるガスの量、速度、タイミング、および／または混合を調整する１または複数の流量コントローラ（マスフローコントローラ）を含んでもよい。

図１に示される実施形態では、ガス流路１０９は、アップリケ（applique）１０６に取り付けられるか、または一体化される。しかしながら、いくつかの実施形態では、ガス流路１０９は、基板位置決めステージ１０７など、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００の他の部材に取り付けられるか、または一体化される。そして、いくつかの実施形態では、ガス流路１０９は、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００の任意の他の部材と一体化されず、かつ取り付けられない。いくつかの実施形態では、アップリケ１０６の上面は、基板チャック１０４および基板表面１３０のいずれかまたは両方の上面またはその近傍にあり、ガス流路１０９は、アップリケ１０６の上面より上に延設しないノズルである。そして、いくつかの実施形態では、ガス流路１０９は、特定の時間において、放出されたガスをテンプレートの特定の部分（メサ側壁２４０またはパターニング表面１１２など）に向けて案内する穴をアップリケ１０６内に含む。

さらに、いくつかの実施形態は、ガス流路１０９を昇降させる１または複数のアクチュエータに取り付けられる１または複数のガス流路１０９またはガス流路アセンブリを含む。例えば、これらの実施形態のいくつかは、（ｉ）システム１００がテンプレート１０８に対して基板１０２およびアップリケ１０６を移動させる前に、ガス流路１０９をテンプレート１０８から安全な距離まで下げ、（ｉｉ）ガス流路１０９を、それぞれのガスの流れを活性化する前にガス流の高さまで上昇させる。ガス流の高さの例は、基板表面１３０の高さを含み、基板１０２とパターニング表面１１２および流体ディスペンサ１２２のいずれかとの間のギャップ（間隙）の割合が含まれる。

アップリケ１０６は、テンプレート１０８の下の局所的なガス環境を安定化させるように、および／または、例えばテンプレートが基板表面１３０の上にないときに、パターニング表面１１２をパーティクル（粒子）から保護するのを助けるように構成されてもよい。

また、アップリケ１０６は、基板チャック１０４によって支持される。図１に示される実施形態のように、いくつかの実施形態では、アップリケ１０６は、アップリケのいずれの部分も基板チャック１０４と基板１０２との間に挟まれることなく、基板チャック１０４上に搭載される。加えて、いくつかの実施形態では、アップリケ１０６は、基板１０２の周囲を取り囲む。さらに、アップリケ１０６の上面は、（例えば、図１に示されるように）基板表面１３０の下にあってもよいし、（例えば、図８Ｃに示すように）基板表面１３０と同一平面上にあってもよい。

図１のナノインプリント・リソグラフィ・システム１００では、基板１０２は、基板チャック１０４に結合される。基板チャック１０４の例としては、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャックが挙げられる。基板チャック１０４は、基板位置決めステージ１０７によって支持される。アップリケ１０６および／または基板位置決めステージ１０７は、１または複数のガス流路１０９の少なくとも一部を含んでもよい。

基板位置決めステージ１０７は、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸、θ軸、およびφ軸のうちの１または複数に沿った並進運動または回転運動を提供しうる。また、基板位置決めステージ１０７、基板１０２、および基板チャック１０４は、ベース（図示せず）上に位置決めされてもよい。加えて、基板位置決めステージ１０７は、位置決めシステム又は位置決めサブシステムの一部であってもよい。

ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、テンプレート１０８も含む。テンプレート１０８は、ｚ軸に沿って基板１０２に向かって延びるメサ１１０（モールドとも呼ばれる）を含む本体を含みうる。メサ１１０は、その上にパターニング表面１１２を有しうる。また、テンプレート１０８は、メサ１１０なしで形成されてもよい。したがって、いくつかの実施形態では、基板１０２に面するテンプレート１０８の表面は、メサ１１０として機能し、パターニング表面１１２は、基板１０２に面するテンプレート１０８の表面上に含まれる。テンプレート１０８またはメサ１１０を構成しうる材料の例は、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマ、シロキサンポリマ、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマ、金属、および硬化サファイアを含む。

パターニング表面１１２は、複数の離間したテンプレートリセス（recesses）１１４またはテンプレート突起（protrusions）１１６によって画定されるフィーチャを有するが、いくつかの実施形態は、他の構成（例えば平面表面）を含む。パターニング面１１２は、基板１０２上の成形可能材料１２４から形成されるパターン化層１２５のレリーフパターンの基礎（例えば逆）を形成するパターンを画定する。いくつかの実施形態では、パターニング表面１１２はフィーチャがなく、この場合、平坦な表面が基板１０２上の成形可能材料１２４から形成される。

テンプレート１０８は、テンプレートチャック１１８に結合されうる。テンプレートチャック１１８の例は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、および電磁チャックを含む。テンプレートチャック１１８は、テンプレート１０８を横切って変化する力をテンプレート１０８に加えるように構成されてもよい。テンプレートチャック１１８は、テンプレートチャック１１８、インプリントヘッド１１９、およびテンプレート１０８が、少なくともｚ軸方向に移動可能であるように、次にブリッジ１２０に移動可能に結合されうるインプリントヘッド１１９に結合されてもよい。いくつかの実施形態では、テンプレートチャック１１８、インプリントヘッド１１９、およびテンプレート１０８は、ｘ軸、ｙ軸、θ軸、およびφ軸の方向のうち１または複数の方向にも移動可能である。ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、テンプレート１０８を移動させる１または複数のモータを含んでもよい。

ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、流体ディスペンサ１２２も含む。流体ディスペンサ１２２は、ブリッジ１２０に移動可能に連結されてもよい。いくつかの実施形態では、流体ディスペンサ１２２およびテンプレートチャック１１８は、１つ以上の位置決め構成要素を共有する。そして、いくつかの実施形態では、流体ディスペンサ１２２およびテンプレートチャック１１８は、互いに独立して移動する。

動作中、流体ディスペンサ１２２は、例えばパターン（例えば液滴パターン）で、液体の成形可能材料１２４を基板１０２上に堆積する。また、例えば、成形可能材料１２４は、レジスト（例えばフォトレジスト）または別の重合可能材料であってもよく、成形可能材料１２４は、モノマを含む混合物を含んでもよい。

成形可能材料１２４は、設計上の考慮事項に応じて、所望の体積がパターニング表面１１２と基板１０２との間に画定される前または後に基板１０２上に供給（吐出、分配）されうる。異なる流体ディスペンサ１２２は、成形可能材料１２４を供給するために異なる技術を使用することができる。成形可能材料１２４が噴射可能である場合、インクジェットタイプの流体ディスペンサ１２４が、成形可能材料１２４を供給するために用いられてもよい。例えば、サーマルインクジェッティング、マイクロエレクトロメカニカルシステムベース（ＭＥＭＳベース）インクジェッティング、および圧電インクジェッティングは、ジェッタブル液体を供給するための技術である。

さらに、追加の成形可能材料１２４は、例えば、液滴ディスペンス、スピンコーティング、浸漬コーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜堆積、厚膜堆積などの様々な技術を使用して基板１０２に追加されてもよい。

ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、露光経路１２８に沿って化学線エネルギを導くエネルギ源１２６も含む。インプリントヘッド１１９及び基板位置決めステージ１０７は、テンプレート１０８および基板１０２を露光経路１２８上に（例えば重ね合わせて）位置決めするように構成されうる。カメラ１３６は、同様に、カメラ１３６の撮像領域が露光経路１２８の少なくとも一部と重なるように配置されてもよい。

成形可能材料１２４が基板上に堆積されると、インプリントヘッド１１９、基板位置決めステージ１０７のいずれか、またはその両方が、メサ１１０と基板１０２との間の距離を変化させて、成形可能材料１２４によって充填される所望の体積を画定する。例えば、インプリントヘッド１１９は、基板１０２上にある成形可能材料１２４と接触するようにメサ１１０を移動させる力をテンプレート１０８に加えうる。所望の体積が成形可能材料１２４で満たされた後、エネルギ源１２６は、露光経路１２８に沿って成形可能材料１２４に導かれ、基板表面１３０およびパターニング表面１１２の形状に一致して成形可能材料１２４を硬化、固化、または架橋（cross-link）させるエネルギ（例えば化学線（ＵＶ））を生成し、それによって基板１０２上にパターン化層１２５を画定する。成形可能材料１２４は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と接触している間に硬化され、基板１０２上にパターン化層１２５を形成する。したがって、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、インプリントプロセスを使用して、パターニング表面１１２内のパターンの逆であるリセス（凹部）および突起（凸部）を有するパターン化層１２５を形成する。

インプリントプロセスは、基板表面１３０にわたって拡がる複数のインプリント領域で繰り返し実行されうる。例えば、インプリント領域の各々は、メサ１１０と同じサイズであってもよいし、メサ１１０のパターン領域１１５のみと同じサイズであってもよい。メサ１１０のパターン領域１１５は、基板１０２上にパターンをインプリントするために使用されるパターニング表面１１２の領域（例えば、テンプレートリセス１１４およびテンプレート突起１１６を含む領域）である。メサ１１０のパターン領域１１５は、はみ出し（押し出し）を防止するために使用される流体制御フィーチャを含んでもよい。いくつかの実施形態では、基板１０２は、１つのインプリント領域のみを有し、インプリント領域は、基板１０２またはメサ１１０でパターン化されうる基板１０２の領域と同じサイズである。また、いくつかの実施形態では、インプリント領域は重なり合う。インプリント領域のいくつかは、基板１０２の境界と交差する部分インプリント領域であってもよい。

パターン化層１２５は、各インプリント領域において基板表面１３０上の最高点より上の残膜厚（ＲＬＴ）を有する残膜層を有するように形成されてもよい。パターン化層１２５は、残膜層の上に延在する突起などの１または複数のフィーチャを含んでもよい。これらの突起は、メサ１１０のパターニング表面１１２内のリセス１１４と一致する。

パターン化層１２５は、例えば、硬化、酸化、層形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形可能材料の除去、ダイシング、ボンディング、パッケージングなどを含む、物品（例えばデバイス）製造のための公知の工程およびプロセスに更に曝されうる。物品の例は、ＣＭＯＳロジック、マイクロプロセッサ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭメモリ、ＭＲＡＭ、３Ｄクロスポイントメモリ、Ｒｅ－ＲＡＭ、Ｆｅ－ＲＡＭ、ＳＴＴ－ＲＡＭ、およびＭＥＭＳを含む。

ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、基板位置決めステージ１０７、インプリントヘッド１１９、流体ディスペンサ１２２、エネルギ源１２６、またはカメラ１３６など、１または複数の他の構成要素またはサブシステムと通信する１または複数のプロセッサ１３２（例えばコントローラ）によって調整、制御、または指示されることができ、１または複数の非一時的コンピュータ可読媒体１３４に格納されたコンピュータ可読プログラム内の命令に基づいて動作しうる。図１の実施形態を含むいくつかの実施形態では、１または複数のプロセッサ、および１または複数の非一時的コンピュータ可読媒体１３４は、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置１３５に含まれる。ナノインプリント・リソグラフィ制御装置１３５は、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００の操作を調整し、制御し、または指示する。

１または複数のプロセッサ１３２のそれぞれは、マイクロプロセッサ（例えば、単一コアマイクロプロセッサ、マルチコアマイクロプロセッサ）を含むことができる中央処理ユニット（ＣＰＵ）、グラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、特別に構成されたコンピュータ、および他の電子回路（例えば他の集積回路）のうちの１または複数とすることができ、またはそれらを含むことができる。例えば、プロセッサ１３２は、専用のコントローラであってもよく、またはナノインプリント・リソグラフィ・システム・コントローラであるように特別に構成された汎用コンピューティングデバイスであってもよい。

非一時的コンピュータ可読媒体の例は、磁気ディスク（例えば、フロッピディスク、ハードディスク）、光ディスク（例えば、ＣＤ、ＤＶＤ、ブルーレイ）、光磁気ディスク、磁気テープ、半導体メモリ（例えば、不揮発性メモリカード、フラッシュメモリ、ソリッドステートドライブ、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ）、ネットワーク結合ストレージ（ＮＡＳ）、イントラネット接続非一時的コンピュータ可読記憶デバイス、およびインターネット接続非一時的コンピュータ可読記憶デバイスを含むが、これらに限定されない。

上述のように、図２は、成形可能材料１２４が蓄積されたメサ側壁２４０を有するメサ１１０を含むテンプレート１０８の例示的な実施形態を示す。メサ１００は、パターニング表面１１２を含み、メサ１１０は、リセス面２３８によって取り囲まれている。メサ側壁２４０は、リセス面２３８をメサ１１０のパターニング表面１１２に接続する。メサ側壁２４０は、メサ１１０を取り囲む。メサ１１０が丸いか、または丸いコーナーを有する実施形態では、メサ側壁２４０は、丸いコーナーを有するか、またはコーナーを有さない連続壁である単一のメサ側壁を指す。テンプレート１０８は、また、パターニング表面１１２上にパターニング表面コーティングを含んでもよい。パターニング表面コーティングは、インプリントプロセス中に常に補充される剥離剤の単層であってもよい。

図３は、メサ１１０の側壁２４０上にガス３３１の流れを向ける（例えば導く）ガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。基板位置決めステージ１０７が、基板１０２、基板チャック１０４、およびアップリケ１０６を、テンプレート１０８の下の位置と流体ディスペンサ１２２の下の位置との間で移動させると、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、（例えば、１または複数の非一時的コンピュータ可読媒体１３４に記憶された命令に基づいて動作する１または複数のプロセッサ１３２の制御下で、）メサ側壁２４０の下にあるガス流路１０９に、メサ側壁２４０に向けてガス３３１の流れ（ガス流３３１）を向けさせる。この実施形態では、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、メサ側壁２４０のｘ軸（またはｙ軸）上で閾値距離内にないガス流路１０９を活性化しない。したがって、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００のいくつかの実施形態は、パターニング表面１１２上にガス流がないか、または実質的にガス流がないことに向ける。本明細書で使用されるように、ガス流３３１がガス流路１０９を離れるにつれて、ガス流３３１の全てがメサ側壁２４０に向かって、または（例えば、図１０Ａおよび１０Ｂに示されるように）メサ１１０のパターニング表面１１２の外側境界領域、例えば、メサ側壁２４０の５ｍｍ以内であるパターニング表面１１２の部分を含む境界に向かって進行しているとき、ガス流３３１の実質的にいずれも、パターニング表面１１２の方へ向けられない。

また、図３の実施形態および以下の例示的な実施形態は、ガス３３１の流れをメサ側壁２４０に向けるが、他の実施形態は、ガス３３１の流れをメサ側壁２４０に向けて放出し、吹き出し、または他の方法で放出することができる。

図４Ａ～Ｄは、ある期間にわたって、ガス３３１の流れをメサ１１０の側壁２４０に向けるガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。当該期間中（時間＝１から時間＝４まで）、基板１０２、基板チャック１０４、アップリケ１０６、および貸す流路１０９は、（例えば、基板位置決めステージ１０７の移動に従って、）ｘ軸に沿ってテンプレート１０８に対して移動する。

図４Ａでは、時間＝１でにおいて、いずれのメサ側壁２４０も、ガス流路１０９のｘ軸上の閾値距離内で移動しなかった。したがって、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、ガス流路１０９に、メサ側壁２４０のいずれかにそれぞれのガスの流れを向けさせていない。

図４Ｂでは、時間＝２において、メサ側壁２４０は、ガス流路１０９のｘ軸上の閾値距離内を移動した。したがって、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、ガス流路１０９に、メサ側壁２４０にそれぞれのガス３３１の流れを向けさせた。

図４Ｃでは、時間＝３において、メサ１１０のパターン領域１１５は、ｘ軸に沿って、ガス流路１０９上にあり、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、ガス流路１０９からのガスの流れを停止した。

図４Ｄでは、時間＝４において、別のメサ側壁２４０が、ガス流路１０９のｘ軸上の閾値距離内に移動した。したがって、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、ガス流路１０９に、他のメサ側壁２４０にそれぞれのガス３３１の流れを向けさせた。他のメサ側壁２４０が閾値距離の外側に移動すると、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、ガス流路１０９からのガス３３１の流れを停止する。

図５Ａ～Ｃは、ある期間にわたって、ガス３３１の流れをメサ１１０の側壁２４０に向けるガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。当該期間中（時間＝１から時間＝３まで）、基板１０２、基板チャック１０４、アップリケ１０６、およびガス流路１０９は、（例えば、基板位置決めステージ１０７の移動に従って、）ｘ軸に沿ってテンプレート１０８に対して移動する。

図５Ａでは、時間＝１において、メサ側壁２４０は、ガス流路１０９のｘ軸上の閾値距離内を移動した。したがって、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、ガス流路１０９に、メサ側壁２４０にそれぞれのガス３３１の流れを向けさせた。

図５Ｂでは、時間＝２において、ｘ軸上で、メサ１１０のパターン領域１１５は、ガス流路１０９上にある。しかしながら、この実施形態では、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、ガス流路１０９からのガス３３１の流れを継続する。

図５Ｃでは、時間＝３において、別のメサ側壁２４０は、ガス流路１０９のｘ軸上の閾値距離内を移動した。したがって、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、ガス流路１０９からのガス３３１の流れを継続する。他のメサ側壁２４０が閾値距離の外側に移動すると、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、ガス流路１０９からのガス３３１の流れを停止する。

図６Ａ～Ｃは、ある期間にわたって、ガスの流れをメサの側壁に向けるガス流路の例示的な実施形態を示す。図６Ａでは、時間＝１において、基板１０２、基板チャック１０４、アップリケ１０６、およびガス流路１０９は、（例えば、基板位置決めステージ１０７の移動に従って、）ｘ軸に沿ってテンプレート１０８に対して移動している。

図６Ｂでは、時間＝２において、ガス流路１０９は、メサ１１０に対して静止している。また、メサ側壁２４０は、ガス流路１０９の閾値距離内にある。この実施形態では、ガス流路１０９がメサ１１０に対して静止している一方で、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、ガス流路１０９に、メサ側壁２４０にそれぞれのガス３３１の流れを向けさせる。また、例えば、基板１０２が基板チャック１０４から除去されているとき、新しい基板１０２が基板チャック１０４上に配置されているとき、流体ディスペンサ１２２がインプリント前に成形可能材料１２４を供給するための新しい領域１４１の上にあるとき、または流体ディスペンサ１２２が成形可能材料１２４を基板１０２上に堆積（例えばジェッティング）しているとき、ガス流路１０９はメサ１１０に対して静止していてもよい。そして、いくつかの実施態様において、ガス流路１０９は、異なるそれぞれのガス流量を有する。例えば、メサ１１０のパターニング表面１１２から最も遠い図７のガス流路１０９は、メサ１１０のパターニング表面１１２に最も近いガス流路よりも高いガス流量を有してもよい。

図６Ｃでは、時間＝３において、ガス流路１０９は、メサ１１０から離れて移動し、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、ガス流路１０９からのガス流を停止した。

図７Ａは、アップリケ１０６上の調整可能なガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。この実施形態では、アップリケ１０６の表面に対するガス流路１０９のガス放出角度は調節可能である。いくつかの実施形態では、ガス流路１０９のガス放出角度は、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００によって、例えば、１または複数のモータ（例えばサーボモータ）或いは１または複数のアクチュエータを起動することによって調整されうる。この実施形態は、ガス流路１０９のガス放出角度ＡＧを調節することができる範囲を示す。そして、ガス流路１０９のガス放出角度を変えることによって、放出されたガス流の方向を変えることができる。

図７Ｂは、アップリケ１０６上の調整可能なガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。図７Ａと同様に、アプリク１０６の表面に対するガスフローチャネル１０９のガス放出角度は調節可能である。しかし、この実施形態は、ナノインプリント・リソグラフィシステム１００が、メサ側壁がガス流路１０９のガス流範囲内にあると判断することができるガス流範囲ＲＧを示す。ガスフロー量範囲は、例えば、ガスフローの速度、ガスフローの速度、ガスフローの圧力、ガスフローの形状、ガスフローの質量、ガスの熱、ガスの含有量（例えば、ガスを構成する元素）、形成可能なデータの含有量、およびメサ側壁を構成するデータを含む、種々のパラメータに基づいて決定されてもよい。

図７Ｃは、アップリケ１０６上の調節可能なガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。この実施形態では、アップリケ１０６の表面に垂直な角度に対し、２つのガス流路１０９のガス放出角度が、それらのガス流３３１のそれぞれをメサ側壁２４０にさらに向けるように調節されている。ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００は、例えば１または複数のモータを使用して、メサ側壁２４０に対するガス流路１０９の位置に基づいて、ガス流路１０９のガス放出角度を調整することができる。

図８Ａは、アップリケ１０６上のガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。アップリケ１０６は、断面図で示されている。この実施形態では、ガス流路１０９は、アップリケ１０６を通って延びる穴または他の開口である。ガス流路１０９は、ガス供給ホース８３１からガス流を受け取り、アップリケ１０９を通って受け取ったガス流を導く。また、アップリケ１０６の上面は、基板表面１３０よりも低い。

図８Ｂは、アップリケ１０６上のガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。アップリケ１０６は、断面図で示されている。この実施形態では、ガス流路１０９は、アプリク１０６内のキャビティ８３３に接続する穴または他の開口であり、これは、ガス供給ホース８３１にも接続する。キャビティ８３３は、ガス供給ホース８３１からガス流を受け取り、アップリケ１０９を通って受け取ったガス流をガス流路１０９に導く。したがって、ガス流路１０９は、ガス供給ホース８３１からのガス供給を共有する。また、アップリケ１０６の上面は、基板表面１３０よりも低い。

図８Ｃは、アップリケ１０６上のガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。この実施形態は、図８Ａの実施形態と同様である。しかしながら、この実施形態では、アップリケ１０６の上面は、基板表面１３０と同一平面上にあるか、または実質的に同一平面上にある。

図９Ａは、アップリケ１０６上のガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。アップリケ１０６は、断面図で示されている。この実施形態では、ガス流路１０９は、アップリケの上面のリセス９３５内に位置するノズルである。ガス流路１０９の最高点は、アップリケ１０６の上面よりも低い。また、アップリケ１０６の上面は、基板表面１３０よりも低い。

図９Ｂは、アップリケ１０６上のガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。アップリケ１０６は、断面図で示されている。この実施形態では、ガス流路１０９は、アップリケの上面のリセス９３５内に位置するノズルである。しかしながら、この実施形態では、ガス流路１０９の最高点は、アップリケ１０６の上面と同じ高さであるか、または実質的に同じ高さである。また、アップリケ１０６の上面は、基板表面１３０と同一平面上にあるか、または実質的に同一平面上にある。

図９Ｃは、アップリケ１０６上の調節可能なガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。アップリケ１０６は、断面図で示されている。この実施形態では、調節可能なガス流路１０９は、アップリケの上面のリセス９３５内に位置する調節可能なノズルである。調節可能なガス流路１０９は、ガス流路１０９がリセス９３５の側壁に接触することなく所望の範囲を通してそれらのガス放出角度を調節することができるように、リセス９３５の側壁から十分に離れて配置される。ガス流路１０９の最高点は、アップリケ１０６の上面よりも低い。また、アップリケ１０６の上面は、基板表面１３０よりも低い。

図９Ｄは、アップリケ１０６上の調節可能なガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。この実施形態は、図９Ｃの実施形態と同様である。しかしながら、この実施形態では、アップリケ１０６の上面は、基板表面１３０と同一平面上にあるか、または実質的に同一平面上にある。

図１０Ａは、ガス３３１の流れをメサ１１０の側壁２４０に向けるガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。この実施形態はまた、メサ１１０上の境界領域１１３を示す。この実施形態では、ガス３３１のいずれの流れも、メサ１１０の側壁２４０または境界領域１１３以外のいずれにも向けられない。また、この実施形態は、図１０Ｂの実施形態と同様に、異なる実施形態が、メサ１１０と、基板１０２と、ガス流路１０９との間に異なる距離を有してもよいことをさらに示す。

図１０Ｂは、ガス３３１の流れをメサ１１０の側壁２４０に向けるガス流路１０９の例示的な実施形態を示す。この実施形態はまた、メサ１１０上の境界領域１１３を示す。この実施形態では、ガス流路１０９のガス放出角度は、ガス３３１のいずれの流れも、メサ１１０の側壁２４０または境界領域１１３以外のものに向けられないように調整されている。

図１１は、ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００の例示的な実施形態の斜視図を示す。ナノインプリント・リソグラフィ・システム１００のこの実施形態は、４列に配列された複数のガス流路１０９を含む。ガス流路１０９の各々に対するメサ１１０の相対位置に基づいて、システム１００は、メサ１１０が図１１に示された位置にあり、且つ、選択されたガス流路１０９のガス流を活性化する間、メサ１１０の側壁にそれら各々のガス流を向けるための位置にあるガス流路１０９（選択されたガス流路は参照番号１０９Ａによって示され、斜線で示されている）を選択する。システム１００は、システム１００の構成要素の相対寸法；構成要素の共通座標系；構成要素の位置を共通座標系にマッピングするために使用することができるデータ；各ガス流路１０９のそれぞれの流路；各ガス流路１０９のそれぞれの調整可能な範囲；および、調整可能な各ガス流路１０９のそれぞれの調整可能な流路範囲、のうちの１または複数を説明する校正データを記憶することができる。また、システム１００は、基板１０２、基板チャック１０４、アップリケ１０６、基板位置決めステージ１０７、およびガス流路１０９のうちの１または複数に対するメサ１１０の位置を示す位置センサを含んでもよい。加えて、システム１００は、基板１０２に対するメサ１１０の移動経路（例えば、移動速度、移動方向）を示す移動データを記憶してもよい。システム１００は、校正データ、位置センサからのデータ、および移動データのうちの１または複数に基づいて、ガス流路１０９を特定（識別）し、選択することができる。

また、調整可能なガス流路１０９を含むシステム１００のいくつかの実施形態は、校正データ、位置センサからのデータ、および移動データのうちの１または複数に基づいて、１または複数のガス流路１０９のそれぞれのガス放出角度を調整する。

加えて、システム１００のいくつかの実施形態は、活性化されるべきでないガス流路１０９、例えば、メサ１１０の（例えば、図２に示されるような）パターン領域にガス流を向けて、他のガス流路１０９のすべてを活性化するように配置されたガス流路１０９を特定（識別）する。

図１２は、基板１０２、アップリケ１０６、流体ディスペンサ１２２、およびテンプレート１０８の例示的な実施形態の平面図（ｚ軸に沿った図）を示す。テンプレート１０８はメサ１１０を含む。アップリケ１０６は、複数のガス流路１０９を含む。基板１０２は、複数のインプリント領域１４１を含む。インプリント領域１４１の各々の上に、それぞれのパターンが、成形可能材料（例えば、パターン化層）から形成されてもよい。アップリケ１０６および基板１０２を支持する基板位置決めステージは、アップリケ１０６および基板１０２をｘ軸およびｙ軸の両方に沿って移動させることができる。これにより、基板位置決めステージは、インプリント領域１４１上に成形可能材料を堆積させる流体ディスペンサ１２２の下に次いで、インプリント領域１４１上に堆積された成形可能材料内にパターン（例えば、パターン化層）を形成するテンプレート１０８の下に、各インプリント領域１４１を位置決めすることができる。

ガス流路１０９の位置に対するテンプレート１０８の位置に基づいて、システム１００は、メサ１１０上、特にメサ１１０の側壁上にガスの流れを向けるように位置決めされるガス流路１０９を特定（識別）して選択する。次いで、システムは、選択されたガス流路（斜線で示され、その一部は参照番号１０９Ａによって特定される）に、それぞれのガスの流れを放出させる。図１２に示される実施形態では、メサ１１０のいずれかの部分にガス流を向けるように配置されたすべてのガス流路１０９が選択される。

図１３は、基板１０２、アップリケ１０６、流体ディスペンサ１２２、およびテンプレート１０８の例示的な実施形態の平面図（ｚ軸に沿った図）を示す。テンプレート１０８はメサ１１０を含む。アップリケ１０６は、複数のガス流路１０９を含む。基板１０２は、複数のインプリント領域１４１を含む。アップリケ１０６および基板１０２を支持する基板位置決めステージは、アップリケ１０６および基板１０２をｘ軸及びｙ軸の両方に沿って移動させることができる。

ガス流路１０９の位置に対するテンプレート１０８の位置に基づいて、システムは、メサ１１０、特にメサ１１０の側壁にガスの流れを向けるための位置にあるガス流路１０９を特定（識別）して選択する。次いで、システムは、選択されたガス流路（斜線で示され、その一部は参照番号１０９Ａによって特定される）に、それらそれぞれのガス流を放出させる。図１２に示される実施形態とは対照的に、図１３に示される実施形態は、メサ１１０のパターニング領域にガス流を向けるように配置されるガス流路１０９を除いて、メサ１１０にガス流を向けるように配置されるガス流路１０９を選択する。

ガス流路１０９は、図１１～図１３に示される断面形状とは異なる断面形状を有してもよい。例えば、図１４は、基板１０２およびアップリケ１０６の例示的な実施形態の平面図を示す。アップリケ１０６は、複数のガス流路１０９を含む。この実施形態では、ガス流路１０９は細長い通気孔である。

また、ガス流路１０９は、基板１０２の２以上の側部に配置されてもよい。例えば、図１５は、基板１０２およびアップリケ１０６の例示的な実施形態の平面図を示す。アップリケ１０６は、複数のガス流路１０９を含む。この実施形態では、ガス流路１０９は、基板１０２の３つの側部に配置される。

図１６は、ガスを１または複数のメサ側壁に向けるための動作フローの例示的な実施形態を示す。本明細書で説明されるこの動作フローおよび他の動作フローはそれぞれ、特定のそれぞれの順序で提示されるが、これらの動作フローのいくつかの実施形態は、提示された順序とは異なる順序で当該動作の少なくともいくつかを実行する。異なる順序の例には、同時、並列、重なり、並べ替え、同時、増加（incremental）、および交互（interleaved）の順序が含まれる。また、これらの動作フローのいくつかの実施形態は、本明細書で説明される動作フローのうちの２以上からの動作（例えば、ブロック）を含む。したがって、動作フローのいくつかの実施形態は、ブロックを省略し、ブロックを追加し（例えば、本明細書で説明される他の動作フローからのブロックを含む）、ブロックの順序を変更し、ブロックを結合し、または、本明細書で説明される動作フローの例示的な実施形態に比べてブロックをより多くのブロックに分割してもよい。

さらに、本明細書で説明されるこの動作フローおよび他の動作フローは、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置によって実行されるが、これらの動作フローのいくつかの実施形態は、２以上のナノインプリント・リソグラフィ制御装置によって、或いは、１または複数の他の特別に構成されたコンピューティングデバイスによって実行される。

図１６において、フローは、ブロックＢ１６００で開始し、次いでブロックＢ１６０５に進み、ここで、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は校正データを取得する。次に、ブロックＢ１６１０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、例えば、１または複数の位置センサから、メサの現在位置を記述する情報を取得する。

次いで、ブロックＢ１６１５において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、校正データおよびメサの現在位置に基づいて、ガス流路に対する１または複数のメサ側壁のそれぞれの位置を決定する。

次いで、フローはブロックＢ１６２０に移動し、ここで、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、いずれかのメサ側壁が、いずれかのガス流路のそれぞれの流路（例えば、ガス流範囲）内に配置されているか否かを判断する。ナノインプリント・リソグラフィ制御装置が、１または複数のメサ側壁がいくつかのガス流路のそれぞれの流路内に配置されるいると判断した場合（Ｂ１６２０＝Ｙｅｓ）、フローは、ブロックＢ１６２５に移動する。そうでない場合（ブロックＢ１６２０＝Ｎｏ)、フローはブロックＢ１６３０に移動する。

ブロックＢ１６２５において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、ガス流路を活性化する。ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、全てのガス流路を活性化してもよいし、または、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、それらの流路内にメサ側壁を有するガス流路のみを活性化してもよい。次いで、フローはブロックＢ１６３０に移動する。

ブロックＢ１６３０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、（例えば、ユーザ入力から、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置上で実行されているプログラムから）ＳＴＯＰ命令（停止命令）を受け取ったか否かを判断する。ＳＴＯＰ命令が受信されていない場合（Ｂ１６３０＝Ｎｏ)、フローはブロックＢ１６１０に戻る。ＳＴＯＰ命令が受信された場合（Ｂ１６３０＝Ｙｅｓ)、フローはブロックＢ１６３５に移動する。

ブロックＢ１６３５では、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、いずれかの活性ガス流路を非活性化し、次いで、ブロックＢ１６４０でフローを終了する。

図１７は、ガスを１または複数のメサ側壁に向けるための動作フローの例示的な実施形態を示す。フローは、ブロックＢ１７００で開始し、次いでブロックＢ１７０５に進み、そこで、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置が校正データを取得する。

次に、ブロックＢ１７１０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、例えば、１または複数の位置センサから、或いは、メサの移動を制御するプログラムから、メサの現在位置またはメサの移動経路を記述する情報を取得する。

次いで、ブロックＢ１７１５において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、メサが、ガス流路に対して静止しているか否かを判断する。ナノインプリント・リソグラフィ制御装置が、メサがガス流路に対して静止していないと判断した場合（Ｂ１７１５＝Ｎｏ)、フローはブロックＢ１７１０に戻る。そうでない場合（Ｂ１７１５＝Ｙｅｓ)、フローはブロックＢ１７２０に移動する。

ブロックＢ１７２０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、校正データおよびメサの現在位置に基づいて、ガス流路に対する１または複数のメサ側壁のそれぞれの位置を決定する。

次に、ブロックＢ１７２５において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、いずれかのメサ側壁が、いずれかのガス流路のそれぞれの流路（例えば、ガス流範囲）に配置されているか否かを判断する。ナノインプリント・リソグラフィ制御装置が、１または複数のメサ側壁が１または複数のガス流路のそれぞれの流路内に配置されていると判定した場合（Ｂ１７２５＝Ｙｅｓ）、フローはブロックＢ１７３０に移動する。そうでない場合（ブロックＢ１７２５＝Ｎｏ）、フローはブロックＢ１７３５に移動する。

ブロックＢ１７３０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、ガス流路を活性化する。例えば、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、全てのガス流路を活性化してもよいし、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、流路内にメサ側壁を有する１または複数のガス流路のみを活性化してもよい。次いで、フローはブロックＢ１７３５に移動する。

ブロックＢ１７３５において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、ＳＴＯＰ命令（停止命令）を受け取ったか否かを判断する。ＳＴＯＰ命令が受信されていない場合（Ｂ１７３５＝Ｎｏ)、フローはブロックＢ１７１０に戻る。ＳＴＯＰ命令が受信された場合（Ｂ１７３５＝Ｙｅｓ)、フローはブロックＢ１７４０に移動する。

ブロックＢ１７４０では、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、いずれかの活性ガス流路を非活性化し、次いで、ブロックＢ１７４５でフローを終了する。

したがって、図１７に示される実施形態では、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、メサがガス流路に対して静止している場合にのみ、ガス流路を活性化する。

図１８は、ガスを１または複数のメサ側壁に向けるための動作フローの例示的な実施形態を示す。フローは、ブロックＢ１８００で開始し、次いでブロックＢ１８０５に進み、そこで、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置が校正データを取得する。

次に、ブロックＢ１８１０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、例えば、１または複数の位置センサから、またはメサの移動を制御するプログラムから、メサの現在位置またはメサの移動経路を記述する情報を取得する。

次いで、フローはブロックＢ１８１５に進み、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、校正データ、メサの現在位置、およびメサの移動経路に基づいて、ガス流路に対する１または複数のメサ側壁のそれぞれの位置を決定する。

次に、ブロックＢ１８２０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、いずれかのメサ側壁が、現在、いずれかのガス流路のそれぞれのりゅうろ（例えば、ガス流範囲）内に配置されているか否かを判断する。ナノインプリント・リソグラフィ制御装置が、１または複数のメサ側壁が、現在、１または複数のガス流路のそれぞれの流路内に配置されていると判断した場合（Ｂ１８２０＝Ｙｅｓ)、フローはブロックＢ１８２５に移動する。そうでない場合（ブロックＢ１８２０＝Ｎｏ)、フローはブロックに移動する。

ブロックＢ１８２５において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、適用可能なガス流路（流路内にメサ側壁を有する１または複数のガス流路）を活性化する。次いで、フローはブロックＢ１８３０に移動する。

ブロックＢ１８３０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、いずれかのメサ側壁が、時間ウィンドウ（例えば、０．１秒、０．０５秒）内にいずれかのガス流路のそれぞれの流路内にあるであろうか否かを判定する。ナノインプリント・リソグラフィ－制御装置が、１または複数のメサ側壁が時間ウィンドウ内にいくつかのガス流路のそれぞれの流路内に配置されるであろうと判断した場合（Ｂ１８３０＝Ｙｅｓ)、フローはブロックＢ１８３５に移動する。そうでない場合（ブロックＢ１８３０＝Ｎｏ）、フローはブロックＢ１８４０に移動する。

ブロックＢ１８３５では、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、適用可能なガス流路（時間ウィンドウ内において流路にメサ側壁を有するであろうガス流路）を活性化する。次いで、フローはブロックＢ１８４０に移動する。

ブロックＢ１８４０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、ＳＴＯＰ命令（停止命令）を受け取ったか否かを判断する。ＳＴＯＰ命令が受信されていない場合（Ｂ１８４０＝Ｎｏ)、フローはブロックＢ１８１０に戻る。ＳＴＯＰ命令が受信された場合（Ｂ１８４０＝Ｙｅｓ)、フローはブロックＢ１８４５に移動する。

ブロックＢ１８４５では、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、いずれかの活性ガス流路を非活性化し、次いで、ブロックＢ１８５０でフローを終了する。

図１９は、ガスを１または複数のメサ側壁に向けるための動作フローの例示的な実施形態を示す。フローは、ブロックＢ１９００で開始し、次いでブロックＢ１９０５に進み、ここで、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、Ｎ個のガス流路フローチャネル（ここで、Ｎは正の整数である）についての校正データを含む校正データを取得する。

次に、ブロックＢ１９１０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、例えば、１または複数の位置センサから、またはメサの移動を制御するプログラムから、メサの現在位置またはメサの移動経路を記述する情報を取得する。

次いで、フローはブロックＢ１９１５に移動し、そこで、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、カウンタｎを１に設定する。

次いで、フローはブロックＢ１９２０に進み、ここで、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、校正データ、メサの現在位置、およびメサの移動経路に基づいて、ガス流路ｎに対する１または複数のメサ側壁のそれぞれの位置を決定する。

次いで、ブロックＢ１９２５において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、メサ側壁が、現在、ガス流路ｎの流路（例えば、ガス流範囲）内にあるか否かを判断する。ナノインプリント・リソグラフィ制御装置が、メサ側壁が、現在、ガス流路ｎの流路内にあると判断した場合（Ｂ１９２５＝Ｙｅｓ)、フローはブロックＢ１９３５に進む。そうでない場合（Ｂ１９２５＝Ｎｏ)、フローはブロックＢ１９３０に移動し、ここで、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、メサ側壁が、時間ウィンドウ内でガス流路ｎの流路内にあるであろうか否かを判断する。ナノインプリント・リソグラフィ制御装置が、メサ側壁が、時間ウィンドウ内でガス流路ｎの流路内にあるであろうと判断した場合（Ｂ１９３０＝Ｙｅｓ)、フローはブロックＢ１９３５に進む。そうでない場合（Ｂ１９３０＝Ｎｏ)、フローはブロックＢ１９４０に移動する。

ブロックＢ１９３５において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、ガス流路ｎに対する１または複数のメサ側壁の位置に少なくとも基づいて、ガス流路ｎについてのガス流量およびガス放出角度を決定する。また、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、例えば、ガス流路ｎのガス流量、ガス流路ｎのガス流範囲、ガスの温度、ガスの内容、成形可能材料の内容、メサの移動速度、メサの移動方向、ディスペンサが現在基板上に成形可能材料を供給しているか否か、および、新しい基板が現在基板チャック上に配置されているか否か、のうちの１または複数にさらに基づいて、ガス流路ｎについてのガス流量およびガス放出角度を決定してもよい。

ブロックＢ１９４０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、決定されたガス流量およびガス放出角度でガス流路ｎを活性化する。これは、例えば、１または複数のモータまたはアクチュエータを作動させることによって、ガス流路のガス放出角度を調節することを含みうる。したがって、いずれかの活性化されたガス流路は、異なるガス流量および異なるガス放出角度を有してもよい。また、活性ガス流路のガス放出角度および流量（流量はゼロよりも大きい）は、例えば、ガス流路に対するメサの移動または位置に従って、時間にわたって（例えば、Ｂ１９１０－Ｂ１９５５の後続の反復にわたって）変化することができる。次いで、フローはブロックＢ１９４５に進む。

ブロックＢ１９４５において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、例えばｎ＜Ｎであるか否かを判断することにより、他のガス流路があるか否かを判断する。ナノインプリント・リソグラフィ制御装置が、他のガス流路があると判断した場合（Ｂ１９４５＝Ｙｅｓ)、フローはブロックＢ１９５０に移動し、そこで、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、カウンタｎを１だけ増加させ、次いで、ブロックＢ１９２０に戻る。ナノインプリント・リソグラフィ制御装置が、他のガス流路がないと判断した場合（Ｂ１９４５＝Ｎｏ)、フローはブロックＢ１９５５に移動する。

ブロックＢ１９５５において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、ＳＴＯＰ命令（停止命令）を受け取ったか否かを判断する。ＳＴＯＰ命令が受信されていない場合（Ｂ１９５５＝Ｎｏ)、フローはブロックＢ１９１０に戻る。ＳＴＯＰ命令が受信された場合（Ｂ１９５５＝Ｙｅｓ)、フローはブロックＢ１９６０に移動する。

ブロックＢ１９６０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、いずれかの活性ガス流路を非活性化し、次いで、ブロックＢ１９６５においてフローを終了する。

図２０は、ガスを１または複数のメサ側壁に向けるための動作フローの例示的な実施形態を示す。フローは、ブロックＢ２０００で開始し、次いでブロックＢ２００５に進み、そこでナノインプリント・リソグラフィ制御装置が校正データを取得する。

次に、ブロックＢ２０１０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、例えば、１または複数の位置センサから、またはメサの移動を制御するプログラムから、メサの現在位置またはメサの移動経路を記述する情報を取得する。

次に、ブロックＢ２０１５において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、連続するインプリント間の時間が閾値を超えるか否か（または、いくつかの実施形態では、次のインプリントまでの時間が閾値を超えるか否か）を判断する。ナノインプリント・リソグラフィ制御装置が、連続するインプリント間の時間が閾値を超えると判定した場合（Ｂ２０１５＝Ｙｅｓ)、フローはブロックＢ２０２０に移動する。そうでない場合（Ｂ２０１５＝Ｎｏ）、フローはブロックＢ２０１０に戻る。

ブロックＢ２０２０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、校正データおよびメサの現在位置に基づいて、ガス流路に対する１または複数のメサ側壁のそれぞれの位置を決定する。

次に、ブロックＢ２０２５において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、いずれかのメサ側壁が、いずれかのガス流路のそれぞれの流路（例えば、ガス流範囲）内に配置されているか否かを判断する。ナノインプリント・リソグラフィ制御装置が、１または複数のメサ側壁が１または複数のガス流路のそれぞれの流路内に配置されていると判断した場合（Ｂ２０２５＝Ｙｅｓ)、フローはブロックＢ２０３０に移動する。そうでない場合（ブロックＢ２０２５＝Ｎｏ)、フローはブロックＢ２０３５に移動する。

ブロックＢ２０３０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、ガス流路を活性化する。例えば、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、全てのガス流路を活性化してもよいし、または、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、それぞれの流路内にメサ側壁を有する１または複数のガス流路のみを活性化してもよい。加えて、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、インプリント間の時間の長さに基づいて、活性化されたガス流路のガス流量を選択してもよい。例えば、インプリント間の時間がより短い場合、ガス流量はより高くなりうる。次いで、フローはブロックＢ２０３５に移動する。

ブロックＢ２０３５において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、ＳＴＯＰ命令（停止命令）を受信したか否かを判断する。ＳＴＯＰ命令が受信されていない場合（Ｂ２０３５＝Ｎｏ)、フローはブロックＢ２０１０に戻る。ＳＴＯＰ命令が受信された場合（Ｂ２０３５＝Ｙｅｓ)、フローはブロックＢ２０４０に移動する。

ブロックＢ２０４０において、ナノインプリント・リソグラフィ制御装置は、いずれかの活性ガス流路を非活性化し、次いで、ブロックＢ２０４５においてフローを終了する。

したがって、いくつかの実施形態では、ナノインプリント・リソグラフィシステム１００は、連続したインプリント間の時間が閾値を超えた場合、または次のインプリントまでの時間が閾値を超えた場合にのみ、基板１０２上におけるインプリント（例えば、パターン化層の形成）間の時間の量を決定し、ガス流路１０９のガス流を活性化する。

また、ガス流路が調節可能である場合、これらの動作フローの各々を修正してもよい。例えば、メサ側壁がガス流路の流路の調節可能な範囲内にあるか否かを判定するために修正されてもよい。メサ側壁がガス流路の流路の調節可能な範囲内にある場合、メサ側壁を流路に入れるためにガス流路に対して行う調節を決定し、そしてガス流路に対する調節を行う。

Claims (18)

1. ステージ上の１または複数のガス流路の上で成形可能材料をインプリントするためのテンプレートを位置決めする工程であって、前記テンプレートは、パターニング表面、メサ、および少なくとも１つのメサ側壁を含む、工程と、
   前記１または複数のガス流路を通るガスの流れを前記少なくとも１つのメサ側壁の一部に向ける工程と、
   を含み、
   前記ステージは、基板を保持し、
   前記１または複数のガス流路を通る前記ガスの流れを前記少なくとも１つのメサ側壁に向けることは、前記成形可能材料が前記基板上に供給されている間で行われる、ことを特徴とする方法。
2. ステージ上の１または複数のガス流路の上で成形可能材料をインプリントするためのテンプレートを位置決めする工程であって、前記テンプレートは、パターニング表面、メサ、および少なくとも１つのメサ側壁を含む、工程と、
   前記１または複数のガス流路を通るガスの流れを前記少なくとも１つのメサ側壁の一部に向ける工程と、
   を含み、
   前記１または複数のガス流路を通る前記ガスの流れを前記少なくとも１つのメサ側壁に向けることは、前記テンプレートが前記ステージに対して静止している間のみで行われる、ことを特徴とする方法。
3. ステージ上の１または複数のガス流路の上で成形可能材料をインプリントするためのテンプレートを位置決めする工程であって、前記テンプレートは、パターニング表面、メサ、および少なくとも１つのメサ側壁を含む、工程と、
   前記１または複数のガス流路を通るガスの流れを前記少なくとも１つのメサ側壁の一部に向ける工程と、
   を含み、
   前記１または複数のガス流路を通る前記ガスの流れを向ける前に、前記テンプレートの位置に対する前記ステージの位置に基づいて、複数のガス流路から前記１または複数のガス流路を選択することを更に含む、ことを特徴とする方法。
4. ステージ上の１または複数のガス流路の上で成形可能材料をインプリントするためのテンプレートを位置決めする工程であって、前記テンプレートは、パターニング表面、メサ、および少なくとも１つのメサ側壁を含む、工程と、
   前記１または複数のガス流路を通るガスの流れを前記少なくとも１つのメサ側壁の一部に向ける工程と、
   を含み、
   前記１または複数のガス流路を通る前記ガスの流れを前記少なくとも１つのメサ側壁に向けることは、基板交換中に行われ、または
   前記ガスの流れを向けるとき、各々のガス流路は、それぞれのガス流量を有し、前記ガス流量は、前記メサに対する前記ガス流路の相対位置に従って変化する、
   ことを特徴とする方法。
5. ステージ上の１または複数のガス流路の上で成形可能材料をインプリントするためのテンプレートを位置決めする工程であって、前記テンプレートは、パターニング表面、メサ、および少なくとも１つのメサ側壁を含む、工程と、
   前記１または複数のガス流路を通るガスの流れを前記少なくとも１つのメサ側壁の一部に向ける工程と、
   を含み、
   前記１または複数のガス流路を通る前記ガスの流れを前記少なくとも１つのメサ側壁に向けることは、前記テンプレートによる前記成形可能材料の連続的なインプリント間の期間中に、前記期間が閾値より長い場合にのみ行われる、ことを特徴とする方法。
6. 前記１または複数のガス流路を通る前記ガスの流れを前記少なくとも１つのメサ側壁に向けている間、実質的に、前記ガスの流れのいずれも、前記テンプレートの前記パターニング表面に向けられていない、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
7. 前記ステージは、基板を保持する基板チャックを含み、前記１または複数のガス流路は、前記基板チャックに隣接して配置される、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
8. 前記テンプレートの前記パターニング表面を用いて、前記ステージ上の基板チャックに保持された基板上の前記成形可能材料に１または複数のインプリントを行うことと、
   前記１または複数の物品を製造するように、前記１または複数のインプリントが行われた前記基板を加工することと、
   を含む１または複数の物品を製造することを更に含む、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
9. 成形可能材料をインプリントするためのテンプレートを保持するように構成されたテンプレートチャックであって、前記テンプレートは、パターニング表面、メサ、およびメサ側壁を含む、テンプレートチャックと、
   前記テンプレートに対して移動可能であるステージであって、前記ステージは、基板チャックと前記メサ側壁にガスの流れを向けるように構成された１または複数のガス流路とを含む、ステージと、
   前記基板チャックに保持された基板上に前記成形可能材料を供給するように構成された成形可能材料ディスペンサと、
   を備え、
   前記ステージおよび前記１または複数のガス流路は、前記成形可能材料ディスペンサが前記基板上に前記成形可能材料を供給している間に前記ガスの流れを前記メサ側壁に向けるように構成されている、ことを特徴とする装置。
10. 成形可能材料をインプリントするためのテンプレートを保持するように構成されたテンプレートチャックであって、前記テンプレートは、パターニング表面、メサ、およびメサ側壁を含む、テンプレートチャックと、
    前記テンプレートに対して移動可能であるステージであって、前記ステージは、基板チャックと前記メサ側壁にガスの流れを向けるように構成された１または複数のガス流路とを含む、ステージと、
    １または複数のメモリと、
    前記１または複数のメモリと通信し、前記１または複数のメモリと協働して、前記テンプレートの位置に対する前記ステージの位置に基づいて複数のガス流路から前記１または複数のガス流路を選択する１または複数のプロセッサと、
    を備えることを特徴とする装置。
11. 前記１または複数のプロセッサは更に、前記１または複数のメモリと協働して、前記装置に、前記複数のガス流路のうち他のガス流路を通ってガスを流さないようにしながら、前記１または複数のガス流路を通る前記ガスの流れを前記メサ側壁に向けさせる、ことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
12. 成形可能材料をインプリントするためのテンプレートを保持するように構成されたテンプレートチャックであって、前記テンプレートは、パターニング表面、メサ、およびメサ側壁を含む、テンプレートチャックと、
    前記テンプレートに対して移動可能であるステージであって、前記ステージは、基板チャックと前記メサ側壁にガスの流れを向けるように構成された１または複数のガス流路とを含む、ステージと、
    １または複数のメモリと、
    前記１または複数のメモリと通信し、前記１または複数のメモリと協働して、前記テンプレートによる前記成形可能材料の連続的なインプリント間の期間を計算し、前記期間が閾値より長い場合にのみ、前記期間中に、前記１または複数のガス流路を通る前記ガスの流れを前記メサ側壁に向ける、１または複数のプロセッサと、
    を備えることを特徴とする装置。
13. 成形可能材料をインプリントするためのテンプレートを保持するように構成されたテンプレートチャックであって、前記テンプレートは、パターニング表面、メサ、およびメサ側壁を含む、テンプレートチャックと、
    前記テンプレートに対して移動可能であるステージであって、前記ステージは、基板チャックと前記メサ側壁にガスの流れを向けるように構成された１または複数のガス流路とを含む、ステージと、
    １または複数のアクチュエータ、或いは１または複数のモータと、
    を備え、
    前記１または複数のガス流路のそれぞれのガス放出角度は、前記１または複数のアクチュエータによって、或いは１または複数のモータによって調整されるように構成されている、ことを特徴とする装置。
14. 成形可能材料をインプリントするためのテンプレートを保持するように構成されたテンプレートチャックであって、前記テンプレートは、パターニング表面、メサ、およびメサ側壁を含む、テンプレートチャックと、
    前記テンプレートに対して移動可能であるステージであって、前記ステージは、基板チャックと前記メサ側壁にガスの流れを向けるように構成された１または複数のガス流路とを含む、ステージと、
    を備え、
    前記１または複数のガス流路は、
    前記テンプレートが前記ステージに対して静止している間、
    前記ステージが成形可能材料ディスペンサに向かって移動している間、または
    前記ステージが前記成形可能材料ディスペンサから離れて移動している間
    においてのみ、前記ガスの流れを前記メサ側壁に向け、
    前記成形可能材料ディスペンサは、前記基板チャックに保持された基板上に前記成形可能材料を供給するように構成されている、ことを特徴とする装置。
15. 成形可能材料をインプリントするためのテンプレートを保持するように構成されたテンプレートチャックであって、前記テンプレートは、パターニング表面、メサ、およびメサ側壁を含む、テンプレートチャックと、
    前記テンプレートに対して移動可能であるステージであって、前記ステージは、基板チャックと前記メサ側壁にガスの流れを向けるように構成された１または複数のガス流路とを含む、ステージと、
    を備え、
    前記１または複数のガス流路は、２次元アレイで配列された複数のガス流路を含む、ことを特徴とする装置。
16. 前記１または複数のガス流路は、前記基板チャックに隣接して位置決めされている、ことを特徴とする請求項９乃至１５のいずれか１項に記載の装置。
17. 前記１または複数のガス流路は、前記ガスの流れを前記メサ側壁に向けながら、前記ガスの流れを前記パターニング表面から離れるように向けるように更に構成されている、ことを特徴とする請求項９乃至１６のいずれか１項に記載の装置。
18. 前記１または複数のガス流路は、２または複数のガス流路を含み、
    前記ステージは、軸に沿って前記基板チャックを移動させるように構成され、
    前記２または複数のガス流路は、前記軸に直交する列に配置される、ことを特徴とする請求項９乃至１７のいずれか１項に記載の装置。

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