JP2016082045A - インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 - Google Patents

インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016082045A
JP2016082045A JP2014211332A JP2014211332A JP2016082045A JP 2016082045 A JP2016082045 A JP 2016082045A JP 2014211332 A JP2014211332 A JP 2014211332A JP 2014211332 A JP2014211332 A JP 2014211332A JP 2016082045 A JP2016082045 A JP 2016082045A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mold
foreign matter
unit
imprint
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014211332A
Other languages
English (en)
Inventor
憲司 八重樫
Kenji Yaegashi
憲司 八重樫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2014211332A priority Critical patent/JP2016082045A/ja
Priority to KR1020177009482A priority patent/KR20170054455A/ko
Priority to PCT/JP2015/004323 priority patent/WO2016059745A1/en
Publication of JP2016082045A publication Critical patent/JP2016082045A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】型および基板に付着した異物を除去するのに有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】このインプリント装置は、型2を保持する型保持部12と、基板6を保持して可動な基板保持部4と、基板6上にインプリント材8を塗布する塗布部7と、基板保持部4に保持されている基板6上の異物を除去する基板異物除去部5と、基板保持部4に設置され、型2の表面の異物を除去する型異物除去部3と、基板異物除去部5および型異物除去部3の動作を制御する制御部16とを備える。制御部16は、塗布部7から基板6上にインプリント材8を塗布するため、基板6を保持した基板保持部4を移動させているときに、基板異物除去部5を用いて基板6上の異物を除去させ、かつ、型2とインプリント材8とを接触させるため、基板6を保持した基板保持部4を移動させているときに、型異物除去部3を用いて型2の表面の異物を除去させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法に関する。
半導体デバイスやMEMSなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上の未硬化樹脂を型(モールド)で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上にナノメートルオーダーの微細なパターンを形成することができる。例えば、インプリント技術の1つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板(ウエハ)上のインプリント領域であるショット領域に紫外線硬化樹脂(インプリント材、光硬化性樹脂)を塗布する。次に、この未硬化の紫外線硬化樹脂と型とを接触させる。そして、紫外線を照射して樹脂を硬化させたうえで、硬化した樹脂から型を引き離すことにより、基板上に樹脂のパターンが形成される。
このように、型を用いて基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置において、基板上、樹脂内、またはモールドの表面にパーティクルなどの異物があると、パターン欠陥を引き起こす恐れがある。そのため、特許文献1は、フィルタを通した清浄なエアーでプロセス空間を空調することにより、パーティクルを除去するインプリント装置を開示している。また、特許文献2は、基板を支持する支持部にマスク(原版)を洗浄するマスク洗浄機構を備えるプロキシミティ露光装置を開示している。
特開2013−026474号公報 特開2013−205709号公報
しかしながら、インプリント装置は、ショット領域に樹脂を塗布し、その樹脂に型を接触させて基板上にパターンを形成するインプリントサイクルを繰り返す。そのため、インプリントサイクル毎に型および基板に付着した異物を除去する必要がある。インプリント装置では、基板上に樹脂を塗布する前に、基板上の異物を除去し、型を基板上の樹脂に接触させる前に、型の表面の異物を除去することが望ましい。しかし、特許文献1および特許文献2に示す方法では、一度、型および基板から異物を除去したとしても、インプリントサイクルの途中で型、基板またはこれらの周囲に異物が付着する可能性がある。
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、例えば型および基板に付着した異物を除去するのに有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、型を用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、型を保持する型保持部と、基板を保持して可動な基板保持部と、基板上にインプリント材を塗布する塗布部と、基板保持部に保持されている基板上の異物を除去する基板異物除去部と、基板保持部に設置され、型の表面の異物を除去する型異物除去部と、基板異物除去部および型異物除去部の動作を制御する制御部とを備え、制御部は、塗布部から基板上にインプリント材を塗布するため、基板を保持した基板保持部を移動させているときに、基板異物除去部を用いて基板上の異物を除去させ、かつ、型とインプリント材とを接触させるため、基板を保持した基板保持部を移動させているときに、型異物除去部を用いて型の表面の異物を除去させることを特徴とする。
本発明によれば、例えば型および基板に付着した異物を除去するのに有利なインプリント装置を提供することができる。
第1実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。 本実施形態のインプリント装置の処理の流れを示すフローチャートである。 第2および第3実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
(第1実施形態)
まず、本発明の第1実施形態に係るインプリント装置について説明する。図1は、本実施形態のインプリント装置1の構成を示す概略図である。インプリント装置1は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用され、被処理体であるウエハ6上(基板上)の未硬化樹脂(インプリント材)8にモールド(型)2を用いて、パターンを形成する装置である。なお、ここでは、光硬化法を採用したインプリント装置を例示するが、熱硬化法を採用するものとしてもよい。インプリント装置1は、インプリントサイクルを繰り返すことによりウエハ6上に形成された複数のショット領域(パターン形成領域)に順次パターンを形成する。ここで、インプリントサイクルとは、ウエハ6上に樹脂8を塗布し、モールド2と樹脂8とを押し付けた状態(接触させた状態)で該樹脂8を硬化させることによって、ウエハ6上にパターンを形成するサイクルである。また、以下の図においては、樹脂塗布手段(ディスペンサ)7がウエハ6上に樹脂8を滴下する方向に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取っている。インプリント装置1は、モールド保持機構12と、ウエハステージ4と、樹脂塗布手段7と、ウエハ異物除去手段5と、モールド異物除去手段3と、制御部16とを備える。
モールド2のウエハ6に対する面には、例えば回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが3次元状に形成されている。また、モールド2の材質は、紫外線を透過させることが可能な材質であり、本実施形態では一例として石英とする。さらに、モールド2は、不図示の光照射部から紫外線が照射される面に、平面形状が円形で、かつ、ある程度の深さのキャビティ(凹部)を有する場合もある。
モールド保持機構(型保持部)12は、不図示ではあるが、真空吸着力や静電力によりモールド2を保持するモールドチャックと、モールド駆動機構とを含む。モールドチャックは、例えば、外部に設置された不図示の真空排気装置に接続されており、この真空排気装置により吸着圧が調整され、モールド2の吸着のON/OFFが切り替えられる。モールド駆動機構は、具体的には、モールド2とウエハ6上の樹脂との押し付けまたは引き離しを選択的に行うように、モールド2をZ軸方向に移動させる機構である。このモールド駆動機構に採用するアクチュエータとしては、例えば、リニアモータやエアシリンダなどが採用可能である。なお、インプリント装置1における押し付けおよび引き離し動作は、上述のようにモールド2をZ軸方向に移動させることで実現してもよいが、後述するウエハステージ4をZ軸方向に移動させることで実現してもよい。また、モールド2およびウエハステージ4の双方をZ軸方向に相対的に移動させることにより、インプリント装置1における押し付けおよび引き離し動作を実現してもよい。また、モールド保持機構12は、モールド2のパターンとウエハ6上の未硬化樹脂8とが密着するように姿勢を変化させてもよい。また、モールド保持機構12は、モールド2のパターン領域の形状をショット領域に合わせて変形させる形状補正機構を備えてもよい。さらに、モールド保持機構12は、モールド2と樹脂8とを接触させる際や、モールド2と樹脂8との引き離しの際にモールド2をウエハ6に向かって凸状に撓ませるための変形機構などを備えてもよい。
ウエハ6は、例えば単結晶シリコンからなる被処理体であり、この被処理面には、モールド2に形成されたパターンにより成形される紫外線硬化樹脂(以下「樹脂」という)8が塗布される。また、ウエハステージ(基板保持部)4は、ウエハ6を例えば真空吸着により保持し、かつ、少なくともXY平面内で移動可能とする。この移動には、XY軸方向での精密な位置決めのためのほか、ウエハ6の表面の姿勢制御も含まれる。ウエハステージ4を駆動するためのアクチュエータとしては、例えばリニアモータが採用可能である。また、ウエハステージ4は、不図示の計測装置、例えばレーザー干渉計やリニアエンコーダなどの計測値をもとに駆動される。
樹脂塗布手段(塗布部)7は、ウエハ6上に樹脂(未硬化樹脂)8を塗布する。この樹脂塗布手段7は、未硬化樹脂を貯留するタンクと、このタンクから供給された未硬化樹脂を吐出するノズルと備える。特に、本実施形態で採用する樹脂は、紫外線が照射されることにより硬化する性質を有する光硬化性樹脂(インプリント材)である。インプリント技術で用いられる樹脂は、紫外線の照射により硬化するものに限らず、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。
ウエハ異物除去手段(基板異物除去部)5は、後述するフレーム18のモールド保持機構12と樹脂塗布手段7との間に設置され、ウエハ6に対し噴射材(第1噴射材)を噴射してウエハ6およびその周囲のパーティクルなどの異物を除去する手段である。このウエハ異物除去手段5は、樹脂塗布手段7から吐出される樹脂8に異物が付着しやすいため、樹脂塗布手段7から離して設置されることが望ましい。同様の理由により、ウエハ異物除去手段5からの噴射材の噴射方向は、樹脂塗布手段7から離れる方向であることが望ましい。ウエハ異物除去手段5は、モールド保持機構12と樹脂塗布手段7とを結ぶ直線上に配置されていなくても良く、ウエハステージ4がモールド保持機構12の下から樹脂塗布手段7の下に移動する経路上に配置されていれば良い。
モールド異物除去手段(型異物除去部)3は、ウエハステージ4に支持され、モールドに対し噴射材(第2噴射材)を噴射して、モールド2およびその周囲の異物を除去する手段である。なお、ウエハ異物除去手段同様、樹脂8に異物が付着しやすいため、モールド異物除去手段3からの噴射材の噴射方向は、樹脂塗布手段7から離れる方向であることが望ましい。
ウエハ異物除去手段5およびモールド異物除去手段3が噴射する噴射材は、流体であり、例えば、加圧された空気やヘリウム、窒素などの気体である。また、噴射材として固体状態の微小なCOなども採用可能である。ウエハ異物除去手段5およびモールド異物除去手段3の噴射材の物質は、同じであっても異なっていてもよく、例えば使用する樹脂の種類等の各種条件に基づき、変更してもよい。また、制御部16が噴射材の温度、湿度、圧力、流速を可変に制御してもよい。
制御部16は、インプリント装置1の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部16は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置1の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどに従って各構成要素の制御を実行する。本実施形態の制御部16は、少なくともモールド保持機構12、ウエハステージ4、ウエハ異物除去手段5およびモールド異物除去手段3の動作を制御する。なお、制御部16は、インプリント装置1と一体で構成してもよいし、インプリント装置1とは別の場所に設置してもよい。
また、インプリント装置1は、装置全体を支持する定盤17と、モールド保持機構12、樹脂塗布手段7およびウエハ異物除去手段5などを保持するフレーム18とを有する。フレーム18は、床面からの振動を除去する除振器を介して定盤17に支持される。
次に、本実施形態のインプリント装置1によるインプリント処理について説明する。図2は、インプリント装置1のインプリント処理の流れを示すフローチャートである。まず、制御部16は、不図示の基板搬送装置によりインプリント装置1内にウエハ6を搬入し、ウエハステージ4にウエハ6を載置および固定させる(ステップS1:搬入工程)。そして、制御部16は、ウエハ6を搭載したウエハステージ4を図1(a)に示すウエハクリーニング位置10に移動させる。ウエハクリーニング位置10において、ウエハ異物除去手段5がウエハ6に向かって噴射材を噴射することによりウエハ6上の異物を除去する(ステップS2:基板異物除去工程)。基板異物除去工程は、ウエハステージ4を移動させながらウエハ6の異物を除去しても良いし、ウエハクリーニング位置10でウエハステージ4を移動させずにウエハ6の異物を除去しても良い。図1(a)では、ウエハステージ4が樹脂塗布手段7に近づく方向(X方向)に移動しながらウエハ6の異物を除去している状態を示している。しかし、ウエハ6(ショット領域)がウエハ異物除去手段5の直下に位置するようにウエハステージ4を移動させた位置をウエハクリーニング位置10としても良い。次に、制御部16は、ウエハステージ4を図1(a)に示す樹脂塗布手段7の塗布位置11へ移動させる。塗布位置11において、樹脂塗布手段7は、ウエハ6の所定のショット領域(被処理領域)に樹脂8を塗布する(ステップS3:塗布工程)。塗布工程は、ウエハステージ4を樹脂塗布手段7に対して移動させながらウエハ6上に樹脂8を塗布しても良いし、ウエハステージ4を移動させずにウエハ6上に樹脂を塗布しても良い。次に、制御部16は、ウエハステージ4を図1(a)に示すモールドクリーニング位置9へ移動させる。モールドクリーニング位置9において、モールド異物除去手段3が、モールド2に向かって噴射材を噴射することによりモールド2の表面の異物を除去する(ステップS4:型異物除去工程)。型異物除去工程は、ウエハステージ4を移動させながらモールド2の異物を除去しても良いし、モールドクリーニング位置9でウエハステージ4を移動させずにモールド2の異物を除去しても良い。図1(a)では、ウエハステージ4を樹脂塗布手段7から離れる方向(−X方向)に移動させながらモールド2の異物を除去している状態を示している。しかし、モールド異物除去手段3がモールド2の直下に位置するようにウエハステージ4を移動させた位置をモールドクリーニング位置9としても良い。
続いて、制御部16は、インプリント処理対象のショット領域(樹脂が塗布された領域)がモールド2の直下に位置する接触位置19へウエハステージ4を移動させる(図1(b)参照)。次に、制御部16は、このショット領域とモールド2との位置合わせおよび不図示の形状補正機構によるモールド2のパターン領域の形状補正などを実施する。そして制御部16は、モールド駆動機構を駆動させウエハ6上の樹脂8にモールド2を接触させる(ステップS5:接触工程)。この接触工程により、樹脂8は、モールド2に形成されたパターンに充填される。樹脂8とモールド2が接触した状態で、モールド2の背面(上面)から紫外線(硬化光)を照射し、モールド2を透過した紫外線により樹脂8を硬化させる(ステップS6:硬化工程)。そして、樹脂8が硬化した後、制御部16は、モールド駆動機構を駆動させることでウエハ6とモールド2の間隔を広げ、モールド2を硬化した樹脂8から引き離す(ステップS7:離型工程)。
これにより、ウエハ6上には、モールド2のパターンに倣った3次元形状の樹脂の層が形成される。離型工程の後、制御部16は、ウエハ6上にパターン形成が完了しているか否かを判定する(ステップS8:判定工程)。判定工程において、制御部16が、ウエハ6上のパターン形成が完了していないと判定した場合、ステップS2の基板異物除去工程に進み、次にパターンを形成するショット領域上の異物を除去する。インプリント装置1は、このようなインプリント処理を、全てのショット領域に対してステップ・アンド・リピート方式にて逐次実施する。また、判定工程において、制御部16が、ウエハ6上にパターン形成が完了していると判定した場合、制御部16は、インプリント装置1からウエハ6を搬出させる(ステップS9:搬出工程)。次の処理対象となるウエハ6が存在する場合には、インプリント装置1内にウエハ6を搬入し、上述のインプリントサイクルを繰り返す。
この構成により、本実施形態のインプリント装置1は、ウエハ6上に樹脂8を塗布する前に、ウエハ6上の異物を除去し、モールド2をウエハ6上の樹脂8に接触させる前に、モールド2の表面の異物を除去することができる。そのため、インプリントサイクルの途中でモールド2やウエハ6に付着する異物によるパターン欠陥の発生を低減することができる。また、本実施形態のインプリント装置1は、装置内に除去手段を設ける構成であるため、ウエハステージ4の可動ストロークを増やすことなく、パターン欠陥の発生を低減することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係るインプリント装置について説明する。本実施形態に係るインプリント装置の特徴は、ルーバーおよび異物検出手段をさらに備える点にある。図3(a)は、本実施形態におけるインプリント装置1のモールド保持機構12近傍の構成を示す図である。そのため、図3(a)のインプリント装置は、樹脂塗布手段7や制御部16などを省略している。なお、図3(a)において、図1に示す第1実施形態のインプリント装置1の構成と同一のものには同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態において、インプリント装置1は、モールド異物除去手段3およびウエハ異物除去手段5に設けられるルーバー(羽板部)14と、異物検出手段(異物検出部)としてウエハ異物検出手段13とモールド異物検出手段(不図示)とを有する。ルーバー14は、モールド異物除去手段3およびウエハ異物除去手段5のそれぞれの噴射材の噴射方向を変更可能に、その角度を変化させる。ウエハ異物検出手段13は、ウエハ異物除去手段5近傍のフレーム18に、モールド異物除去手段は、モールド異物除去手段3近傍に設置され、それぞれウエハ6およびモールド2の異物の位置、量および大きさなどを検出する。本実施形態において、制御部16は、ウエハ異物検出手段13を用いて、ウエハ6上に付着した異物を検出し、その検出結果に基づき、ウエハ異物除去手段5に設けられたルーバー14の角度を変化させる。ルーバー14の角度が変化することで、ウエハ異物除去手段5は、ウエハ6に対する噴射材が噴射される角度やウエハ6上の領域を変えることができる。同様に、制御部16は、モールド異物検出手段を用いて、モールド2の表面に付着した異物を検出し、その検出結果に基づき、モールド異物除去手段3に設けられたルーバー14の角度を変化させる。ルーバー14の角度が変化することで、モールド異物除去手段3は、モールド2に対する噴射材が噴射される角度やモールド2上の領域を変えることができる。なお、本実施形態において、ルーバーおよび異物検出手段は、モールド2およびウエハ6に対し、それぞれ設けられるものとしたが、この構成に限定せず、モールド2およびウエハ6のいずれか一方に対し設けられる構成であってもよい。
この構成により、本実施形態のインプリント装置1は、モールド2およびウエハ6に実際に付着している異物の位置、量および大きさに応じて、ルーバー14の角度を変化させ、噴射材の噴射方向を可変に制御することができる。そのため、効率的にモールド2およびウエハ6に付着した異物を除去することができる。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態に係るインプリント装置について説明する。本実施形態に係るインプリント装置の特徴は、流体放出部をさらに備える点にある。図3(b)は、本実施形態におけるインプリント装置1のモールド保持機構12近傍の構成を示す図である。そのため、図3(b)のインプリント装置は、樹脂塗布手段7や制御部16などを省略している。なお、図3(b)において、図1に示す第1実施形態のインプリント装置1の構成と同一のものには同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態において、インプリント装置1は、さらに、モールド保持機構12とウエハステージ4との間に流体を放出する流体放出部15を備える。この流体放出部15は、例えばフレーム18のウエハ異物除去手段5と樹脂塗布手段7との間に設置され、ウエハ6およびモールド2と略平行かつ樹脂塗布手段7から離れる方向(−X方向)に流体を放出し、異物を樹脂塗布手段7から離れる方向に移動させる。流体放出部15は、ウエハ異物除去手段5とモールド保持機構12とに対してY方向(ウエハステージ4の移動方向に交わる方向)から流体を放出してもよい。流体放出部15が放出する流体としては、例えば加圧された空気やヘリウムまたは固体状態の微小なCOなどが採用されうる。なお、流体放出部15の流体放出のタイミングは、該2つの異物除去手段3、5の噴射のタイミングと同時であってもよく、常時放出し続ける構成であってもよい。
この構成により、本実施形態のインプリント装置1は、2つの異物除去手段3、5の噴射材の噴射によりモールド2およびウエハ6から除去した異物を、流体放出部15を用いて装置内に拡散させることなく、一方向に移動させることができる。
(物品の製造方法)
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板)にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
3 モールド異物除去手段
4 ウエハステージ
5 ウエハ異物除去手段
7 樹脂塗布手段
12 モールド保持機構
16 制御部

Claims (9)

  1. 型を用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記型を保持する型保持部と、
    前記基板を保持して可動な基板保持部と、
    前記基板上にインプリント材を塗布する塗布部と、
    前記基板保持部に保持されている前記基板上の異物を除去する基板異物除去部と、
    前記基板保持部に設置され、前記型の表面の異物を除去する型異物除去部と、
    前記基板異物除去部および前記型異物除去部の動作を制御する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記塗布部から前記基板上に前記インプリント材を塗布するため、前記基板を保持した前記基板保持部を移動させているときに、前記基板異物除去部を用いて前記基板上の異物を除去させ、かつ、前記型と前記インプリント材とを接触させるため、前記基板を保持した前記基板保持部を移動させているときに、前記型異物除去部を用いて前記型の表面の異物を除去させることを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記基板異物除去部は、前記基板に対し噴射材を噴射することで、前記基板上の異物を除去することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  3. 前記型異物除去部は、前記型に対し噴射材を噴射することで、前記型の表面の異物を除去することを特徴とする請求項1または2に記載のインプリント装置。
  4. 前記型および前記基板の少なくとも一方に付着している異物を検出する異物検出部と、
    前記基板異物除去部および前記型異物除去部の少なくとも一方に設けられ、前記噴射材の噴射方向を変更可能な羽板部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記異物検出部の検出結果に基づき、前記羽板部により前記噴射材の噴射方向を変更することを特徴とする請求項2または3に記載のインプリント装置。
  5. 前記型保持部と前記基板保持部との間に流体を放出する流体放出部を備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  6. 前記流体放出部は、前記基板異物除去部と前記塗布部との間に設置され、前記塗布部から離れる方向に流体を放出することを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。
  7. 前記基板異物除去部は、前記型保持部と前記塗布部との間に設けられ、前記基板保持部が前記型保持部の下から前記塗布部の下に移動するときに、前記基板上の異物を除去することを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載のインプリント装置。
  8. 型を用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント方法であって、
    前記基板を、前記基板上に樹脂を塗布する塗布位置に向けて移動させているときに、前記基板上の異物を除去する基板異物除去工程と、
    前記基板異物除去工程の後に、前記基板上に前記インプリント材を塗布する塗布工程と、
    前記塗布工程の後に、前記基板を、前記基板上の前記インプリント材と前記型とを接触させる接触位置に向けて移動させているときに、前記型の表面の異物を除去する型異物除去工程と、
    前記型異物除去工程の後に、前記型と前記基板上のインプリント材とを接触させる接触工程と、
    を含むことを特徴とするインプリント方法。
  9. 請求項1ないし7のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
    前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
JP2014211332A 2014-10-16 2014-10-16 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 Pending JP2016082045A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014211332A JP2016082045A (ja) 2014-10-16 2014-10-16 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
KR1020177009482A KR20170054455A (ko) 2014-10-16 2015-08-27 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법
PCT/JP2015/004323 WO2016059745A1 (en) 2014-10-16 2015-08-27 Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014211332A JP2016082045A (ja) 2014-10-16 2014-10-16 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016082045A true JP2016082045A (ja) 2016-05-16

Family

ID=55746311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014211332A Pending JP2016082045A (ja) 2014-10-16 2014-10-16 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2016082045A (ja)
KR (1) KR20170054455A (ja)
WO (1) WO2016059745A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021019073A (ja) * 2019-07-19 2021-02-15 キヤノン株式会社 リソグラフィー装置及びクリーニング方法
JP2021129104A (ja) * 2020-02-11 2021-09-02 キヤノン株式会社 メサ側壁をクリーニングするためのシステムおよび方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007103658A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法
US8394203B2 (en) * 2008-10-02 2013-03-12 Molecular Imprints, Inc. In-situ cleaning of an imprint lithography tool
JP2013251462A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Canon Inc インプリント装置、および、物品の製造方法
JP6139434B2 (ja) * 2013-12-13 2017-05-31 株式会社東芝 インプリント方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021019073A (ja) * 2019-07-19 2021-02-15 キヤノン株式会社 リソグラフィー装置及びクリーニング方法
JP7297576B2 (ja) 2019-07-19 2023-06-26 キヤノン株式会社 リソグラフィー装置及びクリーニング方法
JP2021129104A (ja) * 2020-02-11 2021-09-02 キヤノン株式会社 メサ側壁をクリーニングするためのシステムおよび方法
JP7057844B2 (ja) 2020-02-11 2022-04-20 キヤノン株式会社 メサ側壁をクリーニングするためのシステムおよび方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170054455A (ko) 2017-05-17
WO2016059745A1 (en) 2016-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6313591B2 (ja) インプリント装置、異物除去方法及び物品の製造方法
US11648712B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article
JP2010076300A (ja) 加工装置
KR102507668B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법
KR102025975B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
KR101869671B1 (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 디바이스 제조 방법
JP6525572B2 (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
JP2013008911A (ja) クリーニング方法、それを用いたインプリント装置および物品の製造方法
JP2012238674A (ja) インプリント装置、及び、物品の製造方法
JP6234207B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法
JP6420571B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP7187180B2 (ja) インプリント装置および物品の製造方法
JP2016082045A (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP6139434B2 (ja) インプリント方法
JP2015177122A (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
JP2020088286A (ja) 成形装置、成形方法、および物品の製造方法
JP7410616B2 (ja) 平坦化装置、物品の製造方法、平坦化方法及びインプリント装置
JP2019125745A (ja) モールドを用いて基板上の組成物を成形する成形装置及び物品の製造方法
KR102459132B1 (ko) 임프린트 방법 및 제조 방법
JP2015220299A (ja) インプリント装置および物品の製造方法
JP2017147277A (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP7512132B2 (ja) 平坦化装置、平坦化方法、物品の製造方法及びコンピュータプログラム
JP6808386B2 (ja) インプリント装置および物品製造方法
JP2023179278A (ja) 成形装置、インプリント装置及び物品の製造方法
JP2013165278A (ja) 加工装置