JP2023097334A - テンプレート、テンプレートを形成する方法、装置及び物品を製造する方法 - Google Patents

Abstract

【課題】インプリントテンプレートを形成する方法を提供する。【解決手段】ハードマスク層は、テンプレートプレートの第１面に形成される。第１領域をカバーするパターニングされたハードマスクを形成するために、インプリントリソグラフィが実行され、パターニングされたハードマスクは、パターン部分と、同一のインプリントリソグラフィで定義されたエッジ部分と、を有する。テンプレートプレートは、パターニングされたハードマスクでカバーされたテンプレートプレートの第１領域でドライエッチングされる。追加のマスク層は、パターニングされたハードマスク上に形成される。ハードマスクのエッジ部分がテンプレートプレートの第２領域上にオーバーハングした状態で、パターン部分の下にメサを形成するために、パターニングされたハードマスク及びテンプレートプレート上に形成された追加のマスク層の両方でウェットエッチングプロセスが実行される。【選択図】図１

Description

本開示は、ナノインプリントリソグラフィテンプレート、ナノインプリントリソグラフィテンプレートを形成する方法、ナノインプリントリソグラフィテンプレートを用いて物品を製造する方法に関し、より詳細には、半導体製造におけるナノインプリントリソグラフィプロセスに関する。

ナノ製造は、１００ナノメートル以下のオーダーのフィーチャを有する非常に小さな構造の製造を含む。ナノ製造が大きな影響を与えた１つのアプリケーションは、集積回路の製造である。半導体プロセス産業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増加させながら、より大きな生産歩留まりを追求し続けているため、ナノ製造は、ますます重要になっている。ナノ製造は、形成される構造の最小フィーチャ寸法の継続的な低減を可能にしながら、より優れたプロセス制御を提供する。

今日使用されている例示的なナノ製造技術は、一般的に、ナノインプリントリソグラフィと呼ばれる。ナノインプリントリソグラフィは、例えば、ＣＭＯＳロジック、マイクロプロセッサ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭメモリ、ＭＲＡＭ、３Ｄクロスポイントメモリ、Ｒｅ－ＲＡＭ、Ｆｅ－ＲＡＭ、ＳＴＴ－ＲＡＭなどの集積デバイスの１つ以上の層（レイヤ）を製造することを含む、様々なアプリケーションで有用である。例示的なナノインプリントリソグラフィプロセスは、米国特許第８，３４９，２４１号、米国特許第８，０６６，９３０号及び米国特許第６，９３６，１９４号などの多数の刊行物に詳細に記載され、これらの全ては、参照により本明細書に組み込まれる。

上述した米国特許のそれぞれに開示されたナノインプリントリソグラフィ技術は、成形可能（重合可能）層におけるレリーフパターンの形成と、レリーフパターンに対応するパターンを、下にある基板の中及び／又は上に転写することと、を含む。基板は、パターニングプロセスを容易にするための所望の位置決めを得るために、運動ステージに結合されていてもよい。パターニングプロセスは、基板から離間されたテンプレートと、テンプレートと基板との間に与えられた成形可能液体と、を用いる。成形可能液体は、成形可能材料と接触するテンプレートの表面の形状と一致するパターンを有する固体層を形成するために固化される。固化の後、テンプレートは、テンプレートと基板とが離間するように、剛体層から分離される。次いで、基板及び固化層は、固化層のパターンに対応するレリーフイメージを基板に転写するために、エッチングプロセスなどの追加のプロセスにさらされる。パターン化された基板は、例えば、酸化、膜形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形可能材料の除去、ダイシング、ボンディング、パッケージングなどを含む、デバイス製造のための既知のステップ及びプロセスに更にさらされる。

インプリントテンプレートを形成する方法が提供される。第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有するテンプレートプレートが提供される。前記第１面は、第１領域と、前記第１領域を囲む第２領域と、を有する。ハードマスク層は、前記テンプレートプレートの前記第１面上に形成される。前記テンプレートプレートの前記第１領域をカバーするパターニングされたハードマスクを形成するために使用される第１マスクを形成するために、前記ハードマスク層にインプリントリソグラフィが実行される。前記パターニングされたハードマスクは、同一のインプリントリソグラフィで定義されたパターン部分及びエッジ部分を含んでいてもよい。前記テンプレートは、前記パターニングされたハードマスクでカバーされた前記テンプレートプレートの前記第１領域でドライエッチングされる。追加のマスク層は、前記パターニングされたハードマスク上に形成される。前記テンプレートプレートは、前記ハードマスクの前記エッジ部分が前記テンプレートプレートの前記第２領域上にオーバーハングした状態で、前記パターン部分の下にメサを形成するために、前記パターニングされたハードマスク及びその上に形成された前記追加のマスク層の両方でウェットエッチングされる。

前記テンプレートプレートは、ガラスプレートであってもよく、前記ハードマスク層は、Ｃｒ層であってもよい。コアアウト部分は、前記第２面に形成され、前記第１領域と位置合わせされていてもよい。前記インプリントリソグラフィは、前記テンプレートプレートの前記第１領域上の前記ハードマスク層上にインプリントレジスト層を与えることと、前記インプリントレジスト層にパターンを転写するために、マスターテンプレートを前記インプリントレジスト層と接触させることと、前記インプリントレジスト層を硬化させることと、前記硬化したインプリントレジスト層から前記マスターテンプレートを取り除くことと、を含んでいてもよい。

前記テンプレートプレートをドライエッチングする前に、前記方法は、前記テンプレートの前記第１面をカバーするために、ポジティブフォトレジスト層を形成することと、前記第２面から入射する光で前記第１領域上に形成された前記フォトレジスト層を、前記第２領域上に形成された前記フォトレジスト層が前記光によって露光されるのを遮断しながら、露光することと、前記パターニングされたハードマスクをカバーする前記追加のマスクを形成するために、前記ポジティブフォトレジスト層を現像することと、を更に備えてもよく、前記追加のマスクは、中央部分と、前記中央部分よりも薄い周辺と、を含む。前記追加のマスク層は、前記テンプレートプレートをウェットエッチングした後、前記テンプレートプレートをドライエッチングする前に、除去されてもよい。

前記追加のマスク層は、別のハードマスク層を含んでいてもよく、前記方法は、以下のステップを更に含んでいてもよい。前記テンプレートプレートの前記第１面をカバーするために、ネガティブフォトレジスト層が形成される。前記第１領域上に形成された前記フォトレジスト層は、前記第２面から入射する光で、前記第２領域上に形成された前記フォトレジスト層が前記光によって露光されるのを遮断しながら、露光される。前記テンプレートプレートの前記第２領域をカバーする外側部分と、前記パターニングされたハードマスクの前記エッジ部分の周辺をカバーする内側部分と、を有するフォトレジストマスクを形成するために、前記ネガティブフォトレジスト層が現像される。前記テンプレートプレートをドライエッチングしている間において、前記フォトレジストマスクの前記内側部分よりも厚い前記外側部分の一部が除去される。残りのフォトレジストマスク及び前記パターニングされたハードマスクをカバーするために、追加のハードマスク層が形成され、前記追加のハードマスク層上に追加のフォトレジスト層を形成する。前記残りのフォトレジストマスクをカバーする前記追加のハードマスクが除去され、前記追加のマスクが形成されるまで、前記追加のフォトレジスト層が平坦化される。前記エッジ部分が前記テンプレートプレートの前記第２領域上にオーバーハングした状態で、前記パターン部分の下に前記メサを形成するために、前記テンプレートプレートをウェッエッチングした後、前記パターニングされたハードマスク及び前記追加のハードマスクが除去される。前記パターニングされたハードマスクを形成する前に、前記テンプレートプレートの前記第２領域にマーキングが形成される。

前記追加のマスク層は、別のハードマスク層を含んでいてもよく、前記方法は、以下のステップを更に含んでいてもよい。前記パターニングされたハードマスクを形成する前に、前記テンプレートプレートの前記第２領域にマーキングが形成されてもよい。前記テンプレートプレート上に形成された前記パターニングされたハードマスクを用いて前記テンプレートプレートをドライエッチングした後、第１フォトレジスト層が形成されてもよい。前記フォトレジスト層は、前記テンプレートプレートの前記第１面からの光で露光されてもよい。前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層が形成されてもよい。前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層は、前記テンプレートプレートの前記第２面から入射する光で露光されてもよい。フォトレジストマスクを形成するために、前記第２フォトレジスト層が現像され、前記フォトレジストマスクは、前記テンプレートプレートの前記第２領域上の前記第１フォトレジスト層の一部をカバーする厚い外側部分と、前記パターニングされたハードマスクの前記エッジ部分の周辺上の前記第１フォトレジスト層の一部をカバーする薄い部分と、を含む。前記現像された第２フォトレジスト層。別のハードマスク層が形成され、第３フォトレジスト層が形成される。前記テンプレートプレートの前記第２領域上の前記別のハードマスク層が除去されるまで、前記第３フォトレジスト層が平坦化される。前記第１フォトレジスト層が除去される。前記エッジ部分が前記テンプレートプレートの前記第２領域上にオーバーハングした状態で、前記パターン部分の下に前記メサを形成するために、前記テンプレートプレートをウェットエッチングした後、前記パターニングされたハードマスク及び前記追加のハードマスクが除去される。

１つの実施形態において、前記パターニングされたハードマスクの前記エッジ部分は、約３０μｍの幅を有する。ウェットエッチングによって形成された前記メサのエッジは、前記テンプレートプレートの前記第１領域でドライエッチングを用いてパターンフューチャを定義するためにも使用されるインプリントリソグラフィテンプレートで形成された、前記パターニングされたハードマスクにおけるエッジフューチャによって定義される。前記ハードマスクのトップにインプリントリソグラフィを実行する前に、コアアウト部分は、前記第２面に形成され、前記コアアウト部分は、前記第１領域と位置合わせされている。

２つの反対の面に第１面及び第２面を有するインプリントテンプレートが提供される。前記インプリントテンプレートは、インプリントテンプレートの第１領域において第２面から窪んだコアアウト部分を含み、前記第１領域は、前記インプリントテンプレートの第２領域によって囲まれ、前記第１領域で前記第１面上に形成されたメサを含み、前記メサは、パターンがその上に形成されたトップと、前記トップよりも大きいボトムと、を含む。前記トップと前記ボトムとの間の差は、前記パターンを定義する同一のインプリントリソグラフィプロセスにおいて決定される。

本開示のこれらや他の目的、特徴及び利点は、添付図面及び提供される特許請求の範囲と併せて、本開示の例示的な実施形態の以下の詳細な説明を読むことによって明らかになるであろう。

本発明の特徴及び利点を詳細に理解することができるように、本発明の実施形態のより具体的な説明は、添付図面に示されている実施形態を参照することによって得ることができる。但し、添付図面は、本発明の典型的な実施形態を例示するだけであり、従って、本発明の範囲を限定するものとみなされるべきではなく、本発明は、他の同等に有効な実施形態を認めることができることに留意されたい。
図１は、ナノインプリントリソグラフィシステムを示す図である。 図２Ａは、ナノインプリントリソグラフィプロセスを示す。 図２Ｂは、ナノインプリントリソグラフィプロセスを示す。 図２Ｃは、ナノインプリントリソグラフィプロセスを示す。 図３Ａは、テンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図３Ｂは、テンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図３Ｃは、テンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図３Ｄは、テンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図３Ｅは、テンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図３Ｆは、テンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図３Ｇは、テンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図３Ｈは、テンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図４Ａは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図４Ｂは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図４Ｃは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図４Ｄは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図４Ｅは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図４Ｆは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図４Ｇは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図４Ｈは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図４Ｉは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図４Ｊは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図５Ａは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図５Ｂは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図５Ｃは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図５Ｄは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図５Ｅは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図５Ｆは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図５Ｇは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図５Ｈは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図５Ｉは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図５Ｊは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図５Ｋは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図５Ｌは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図５Ｍは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ａは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｂは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｃは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｄは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｅは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｆは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｇは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｈは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｉは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｊは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｋは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｌは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｍは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｎは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｏは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｐは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｑは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図６Ｒは、サブミクロン精度でテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。 図７は、実施形態の１つによるテンプレートを形成する方法を示す。 図面を通して、同一の参照符号及び文字は、特に明記しない限り、図示された実施形態の同様な特徴、要素、構成要素又は部分を示すために使用される。また、主題の開示は、図面を参照して詳細に説明されるが、例示的な実施形態に関連して行われる。添付された特許請求の範囲によって定義される主題の開示の真の範囲及び趣旨から逸脱することなく、説明された例示的な実施形態に対して変更及び修正を行うことができることが意図されている。

平坦化システム
図１は、ナノインプリントリソグラフィのためのシステムを示す。ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、基板１０２上にレリーフパターン膜を形成するために使用される。基板１０２は、基板チャック１０４に結合されてもよい。基板チャック１０４は、これらに限定されないが、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャックなどであってもよい。

基板１０２及び基板チャック１０４は、基板位置決めステージ１０６によって更に支持されてもよい。基板位置決めステージ１０６は、ｘ、ｙ、ｚ、θ、ψ及びφ軸のうちの１つ以上に沿った並進運動及び／又は回転運動を提供してもよい。基板位置決めステージ１０６、基板１０２及び基板チャック１０４は、ベース（不図示）上に位置決めされてもよい。基板位置決めステージは、位置決めシステムの一部であってもよい。

基板１０２から離間して、基板１０２に面する作用面１１２を有するテンプレート１０８がある。テンプレート１０８は、基板１０２に向かって延在するメサ１１０（モールド１１０とも呼ばれる）を一方の面が有する第１面及び第２面を有する本体を含む。メサ１１０は、その上に、作用面１１２を有していてもよい。また、テンプレート１０８は、メサ１１０なしで形成されてもよい。テンプレート１０８は、これらに限定されないが、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイアなどを含む材料から形成されてもよい。実施形態において、基板は、ＵＶ光に対して容易に透明である。面１１２は、基板１０８の表面と同じ面積サイズであってもよい。面１１２は、基板の表面よりも小さくてもよく、基板の表面をパターニングするために、ステップを繰り返して使用されてもよい。作用面１１２は、複数の離間した凹部１１４及び凸部１１６によって定義されるフィーチャを備えるが、本発明の実施形態は、そのような構成に限定されない。作用面１１２は、平坦化面を形成するために使用されるフィーチャレス面であってもよい。

テンプレート１０８は、テンプレートチャック１１８に結合されてもよいし、テンプレートチャック１１８によって保持されてもよい。テンプレートチャック１０８は、これらに限定されないが、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャック及び／又は他の同様なチャックタイプであってもよい。テンプレートチャック１１８は、テンプレート１０８にわたって変化する応力、圧力及び／又は歪みをテンプレート１０８に与えるように構成されてもよい。テンプレートチャック１１８は、テンプレート１０８の背面に圧力差を与えて、テンプレートを屈曲及び変形させるゾーンベース真空チャック、アクチュエータアレイ、圧力ブラダなどのシステムを含んでいてもよい。１つの実施形態において、テンプレートチャック１１８は、テンプレートの背面に圧力差を与えることができるゾーンベース真空チャックを含み、ここで更に詳細に説明するように、テンプレートを屈曲及び変形させる。

テンプレートチャック１１８は、位置決めシステムの一部であるインプリントヘッド１２０に結合されてもよい。インプリントヘッド１２０は、ブリッジに移動可能に結合されてもよい。インプリントヘッド１２０は、テンプレートチャック１１８を、基板１０２に対して、少なくともｚ軸方向及び潜在的に他の方向（例えば、ｘ、ｙ、θ、ψ及びφ軸）に移動させるように構成されたボイスコイルモータ、圧電モータ、リニアモータ、ナット及びネジモータなどの１つ以上のアクチュエータを含んでいてもよい。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、流体ディスペンサ１２２を更に備えていてもよい。流体ディスペンサ１２２は、ブリッジに移動可能に結合されてもよい。実施形態において、流体ディスペンサ１２２及びインプリントヘッド１２０は、全ての位置決め構成要素のうちの１つ以上を共有する。代替の実施形態において、流体ディスペンサ１２２及びインプリントヘッド１２０は、互いに独立して移動する。流体ディスペンサ１２２は、基板１０２及びテンプレート１０８の両方のトポグラフィプロファイルに少なくとも部分的に基づいて、基板１０２の領域にわたって変化する堆積材料の体積で、液体成形可能材料１２４（例えば、光硬化性重合性材料）の液滴を基板１０２上に堆積させるために使用されてもよい。異なる流体ディスペンサ１２２は、成形可能材料１２４を分配するために、異なる技術を使用してもよい。成形可能材料１２４が噴射可能である場合、成形可能材料を分配するために、インクジェットタイプのディスペンサが使用されてもよい。例えば、サーマルインクジェット、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）ベースのインクジェット、バルブジェット、及び、圧電インクジェットは、噴射可能な液体を分配するための一般的な技術である。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、露光パス１２８に沿って、化学線エネルギー、例えば、ＵＶ放射を導く放射ソース１２６を少なくとも含む硬化システムを更に備えていてもよい。インプリントヘッド１２０及び基板位置決めステージ１０６は、テンプレート１０８と基板１０２とを、露光パス１２８と重ね合わせて位置決めするように構成されていてもよい。放射ソース１２６は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４に接触した後、露光パス１２８に沿って、化学線エネルギーを送る。図１は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と接触していないときの露光パス１２８を示す。これは、個々の構成要素の相対位置が容易に識別することができるように、説明を目的として行われる。当業者であれば、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と接触したときに、露光パス１２８が実質的に変化しないことを理解されるであろう。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、インプリントプロセスの間において、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と接触するにつれて、成形可能材料１２４の広がりを観察するように位置決めされたカメラ１３６を更に備えていてもよい。図１は、フィールドカメラのイメージングフィールドの光軸１３８を破線として示す。図１に示されるように、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、化学線をカメラ１３６によって検出すべき光と組み合わせる１つ以上の光学部品（ダイクロイックミラー、ビームコンバイナ、プリズム、レンズ、ミラーなど）を含んでいてもよい。カメラ１３６は、テンプレート１０８の下で成形可能材料１２４と接触している領域と、テンプレート１０８の下で成形可能材料１２４と接触していない領域との間のコントラストを示す波長で光を集めるように構成されたＣＣＤ、センサアレイ、ラインカメラ及び光検出器のうちの１つ以上を含んでいてもよい。カメラ１３６は、テンプレート１０８の下の成形可能材料１２４の広がり、及び／又は、硬化した成形可能材料１２４からのテンプレート１０８の分離の画像を提供するように構成されていてもよい。カメラ１３６は、成形可能材料１２４が面１１２と基板面との間のギャップの間で広がるにつれて変化する干渉縞を測定するように構成されていてもよい。

ナノインプリントシステム１００は、基板チャック１０４、基板位置決めステージ１０６、テンプレートチャック１１８、インプリントヘッド１２０、流体ディスペンサ１２２、放射ソース１２６及び／又はカメラ１３６などの１つ以上の構成要素及び／又はサブシステムと通信する１つ以上のプロセッサ１４０（コントローラ）によって、調整、制御及び／又は指示されてもよい。プロセッサ１４０は、非一時的コンピュータメモリ１４２に記憶されたコンピュータ可読プログラムの指示に基づいて動作してもよい。プロセッサ１４０は、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＧＰＵ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＤＳＰ及び汎用コンピュータのうちの１つ以上であってもよいし、含んでいてもよい。プロセッサ１４０は、専用コントローラであってもよいし、コントローラであるように構成された汎用コンピューティングデバイスであってもよい。非一時的コンピュータ可読メモリの例は、これに限定されるものではないが、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ－Ｒａｙ、ハードドライブ、ネットワーク対応ストレージ（ＮＡＳ）、イントラネット接続非一時的コンピュータ可読ストレージデバイス、及び、インターネット接続非一時的コンピュータ可読ストレージデバイスを含む。

インプリントヘッド１２０及び基板位置決めステージ１０６のいずれか、又は、両方は、成形可能材料１２４で充填される所望の空間（３次元における有界の物理的範囲）を定義するために、テンプレート１１８と基板１０２との間の距離を変化させる。例えば、インプリントヘッド１２０は、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と接触するように、テンプレート１０８に力を与えてもよい。

インプリントプロセス
インプリントプロセスは、図２Ａから図２Ｃに概略的に示されるステップを含む。図２Ａに示されるように、液滴の形態の成形可能材料１２４は、基板１０２上に分配される。先に説明したように、基板及びテンプレート面は、先のプロセス動作に基づいて既知である、又は、表面形状測定装置、ＡＦＭ、ＳＥＭ、又は、Ｚｙｇｏ ＮｅｗＶｉｅｗ ８２００のような光学干渉効果に基づく光学面プロファイラを用いて測定される、幾つかのトポグラフィを有する。堆積された成形可能材料１２４のローカル体積密度は、基板及びテンプレートトポグラフィに依存して変化する。そして、テンプレート１０８は、成形可能材料１２４と接触して位置決めされる。

図２Ｂは、テンプレート１０８が成形可能材料１２４と完全に接触した後であるが、重合プロセスが開始する前のポスト接触ステップを示す。テンプレート１０８が成形可能材料１２４に接触するにつれて、液滴が結合し、テンプレート１０８と基板１０２との間の空間を充填する成形可能材料膜１４４を形成する。好ましくは、充填プロセスは、未充填欠陥を最小化するために、空気又は気泡がテンプレート１０８と基板１０２との間に閉じ込められることなく、均一な様式で行われる。成形可能材料１２４の重合プロセス又は硬化は、化学線（例えば、ＵＶ放射）で開始されてもよい。例えば、図１の放射ソース１２６は、成形可能材料膜１４４を硬化させ、固化させ、及び／又は、架橋させる化学線を提供し、それによって、基板１０２上に硬化パターン層１４６を定義する。また、成形可能材料膜１４４の硬化は、熱、圧力、化学反応、他の種類の放射線、又は、これらの任意の組み合わせを用いることによって開始されてもよい。硬化され、パターン層１４６が形成されると、そこからテンプレート１０８が分離される。図２Ｃは、テンプレート１０８の分離後の基板１０２上の硬化パターン層１４６を示す。

テンプレート構造及びテンプレートの製造プロセス
インプリントプロセスの間において、テンプレート１０８は、基板１０２上に与えられた成形可能材料１２４と完全に接触させられる。より具体的には、成形可能材料１２４は、テンプレート１０８上に形成されたモールド１１０と完全に接触している。モールド１１０は、成形可能材料１２４に転写すべきパターンを含んでいてもよい。モールド１１０は、テンプレート１０８の接触側に形成されたメサ１１０と呼ばれることもある。図３Ａ～図３Ｇは、テンプレートを形成するプロセスを示す。図３Ａに示されるように、例えば、ガラス系材料からなるガラスプレートからなるテンプレートプレート３００が提供される。好ましくは、随意的に、テンプレートプレート３００は、テンプレートプレート３００の非接触側から窪んだコアアウト部分３０１を含む。テンプレートプレート３００の接触側には、ハードマスク層３０２、例えば、Ｃｒ層が形成されている。フォトレジスト３０３は、ハードマスク層３０２上に形成され、パターニングされる。フォトレジスト３０３は、ハードマスク層３０２上にフォトレジスト層を与え、エッチングプロセスを用いてフォトレジスト層をパターニングすることによって形成されてもよい。パターニングされたレジスト層３０３は、中央部分と、周辺部分と、を含む。

ウェットエッチングプロセスは、テンプレートプレート３００に、主要部分３００ａ、主要部分３００ａの中央部分から突出するメサ３００ｍ、及び、主要部分３００ａの周辺部分から突出するオフメサマーク３００ｏを定義するために、テンプレートプレート３００上で実行される。図３Ｂに示されるように、ウェットエッチングプロセス後の残存ハードマスク３０２及び残存フォトレジスト３０３は、主要部分３００ａ上にオーバーハングするエッジ部分を含む。次いで、図３Ｃに示されるように、残存ハードマスク３０２及び残存フォトレジスト３０３は、メサ３００ｍを露出するために、除去される。図３Ｄにおいて、主要部分３００ａ、メサ３００ｍ及びオフメサマーク３００ｏをカバーするように、別のハードマスク層３０４が形成される。インプリントプロセスは、メサ３００ｍに対して実行される。例えば、図３Ｅに示されるように、成形可能材料３０５は、メサ３００ｍ上のハードマスク層３０４上に与えられる。図３Ｅに示されるように、パターンを備えたマスターテンプレート３０６は、マスターテンプレート３０６のパターンを成形可能材料３０５に転写するために、成形可能材料３０５と接触させられる。例えば、図１の放射ソース１２６は、成形可能材料３０５を硬化、固化及び／又は架橋させる化学線を提供し、テンプレートプレート３００上に硬化パターン層３０５を定義する。また、図３Ｅに示されるように、成形可能材料３０５の硬化は、熱、圧力、化学反応、他の種類の放射線、又は、これらの任意の組み合わせを用いることによって開始することもできる。図３Ｆに示されるように、マスターテンプレート３０６は、取り除かれる。図３Ｇにおいて、ドライエッチングプロセスは、ハードマスク層３０４の露出部分、及び、ハードマスク層３０４の露出部分のシアのメサ３００ｍの部分を除去するために、パターン成形可能材料３０５をマスクとして、実行される。実施形態において、エッチングプロセスは、硬化したフォトレジスト３０５のパターンを転写してハードマスク層３０４をパターニングするために使用され、ドライエッチングプロセスは、パターニングされたハードマスクをテンプレートプレート３００のメサ３００ｍに転写するために使用される。ドライエッチングプロセスは、メサ３００ｍのトップ部分にパターン３００ｐをもたらす。そして、図３Ｈに示されるように、残存成形可能材料３０５及び残存ハードマスク層３０４は、メサ３００ｍのトップ部分にパターン３００ｐを備えたテンプレート３０を形成するために、除去される。

図３Ａ～図３Ｃに示されるように、メサ３００ｍは、フォトレジスト３０３をマスクとするウェットエッチングプロセスによって定義され、図３Ｄ～図３Ｇに示されるように、パターン３００ｐは、インプリントリソグラフィプロセスに示されるようなドライエッチングプロセスによって形成される。ウェットエッチングマスクとドライエッチングマスクとが別々のプロセスで作成される場合、必然的に、ある程度のミスアライメントエラーが存在する。このミスアライメントエラーは、±１．５μｍのオーダーである。このエラーは、ドライエッチングプロセスを用いて定義されたメサ上のフィーチャ、及び、ウェットエッチングプロセスを用いて定義されたメサのエッジによって生じる。ドライエッチングプロセスは、１００ｎｍのオーダーの深さでエッチングするために使用され、ウェットエッチングプロセスは、ミクロンスケールの深さをエッチングするために使用される。

図４Ａ～図４Ｉは、図３Ａ～図３Ｈに示されるようなプロセスによって発生するアライメントエラーのないテンプレートを形成するプロセスを示す断面図である。図４Ａにおいて、テンプレートプレート４００、例えば、ガラス系材料（ガラス系材料は、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイア、６０２５フォトマスク基板、及び／又は、化学線に対して透明な同様なものであってもよい）からなるプレートが提供される。テンプレートプレート４００は、モールドが形成される第１面、及び、第１面とは反対側の第２面を備える、多角形、正方形、長方形、又は、円形ディスク形状を有していてもよい。第２面から窪んだコアアウト部分４０１は、テンプレートプレート４００の中央部分に形成される。１つの実施形態において、中央のコアアウト部分４０１は、約６４ｍｍの直径を有する。図４Ｂにおいて、ハードマスク層４０２は、テンプレートプレート４００上に配置される。ハードマスク層４０２は、クロム（Ｃｒ）で形成されていてもよい。ハードマスク層４０２は、約５～３０ｎｍの厚さを有していてもよい。ハードマスク層４０２は、スパッタリング、蒸着、化学蒸着、電気めっき、電鋳、ディップコーティング、スピンコーティング、スロットダイコーティング、インクジェットプリンティングなどの標準的なコーティング技術を用いて与えられてもよい。次いで、成形可能材料１２４がハードマスク層４０２上に与えられる。

図４Ｃにおいて、フォトレジスト又は成形可能材料マスク４０３を形成するために、インプリントリソグラフィプロセスが実行される。インプリントリソグラフィプロセスは、図４Ｂに示されるように、ハードマスク層４０２上に成形可能材料１２４を与えること、図４Ｃに示されるように、マスターテンプレート４０４を成形可能材料１２４と完全に接触させることと、ドライエッチングマスク４０３を形成するために、マスターテンプレート４０４のパターンを成形可能材料に転写することと、を含む。ドライエッチングマスク４０３は、エッジ部分４０３ｅで囲まれたパターン部分４０３ｐと、エッジ部分４０３ｅを囲むリム部分４０３ｒとで定義されていてもよい。図４Ｃに示されるように、マスターテンプレート４０４は、単一のパターニングステップにおいて、ウェットエッチング（ＥＷＥ）のエッジ、及び、マスク４０３のパターンフィーチャ４０３ｐを定義するために使用されてもよい。ＥＷＥは、エッジ部分４０３ｅの外縁である。ＥＷＥは、フィーチャとメサエッジＥＭとの間のアライメントエラーがないように、ウェットエッチングプロセスの間において、メサのエッジを定義するために使用される。図４Ｃに示される例において、エッジ部分４０３ｅ、即ち、ウェットエッチング（ＥＷＥ）のエッジとメサエッジ（ＥＭ）との間の距離は、約３０μｍである。リム部分４０３ｒは、エッジ部分４０３ｅよりも十分に薄い。マスターテンプレート４０４は、ドライエッチングマスク４０３から取り除かれ、ハードマスク層４０２を定義するために、ドライエッチングプロセスが実行される。図４Ｃに示されるような実施形態において、リム部分４０３ｒは、リム部分４０３ｒの下のハードマスク層４０３の部分が、ドライエッチングプロセス、又は、ドライエッチングの前にドライエッチングマスク４０３の薄い部分を除去するために使用される、ドライエッチングプロセスの前に使用されるデスカミングプロセスによって除去されるように、十分に薄い。図４Ｅに示されるように、ハードマスク４０２は、エッジ部分４０２ｅによって囲まれたパターン４０２ａで定義される。

図４Ｆにおいて、ハードマスク層４０２及び露出したテンプレートプレート４００をカバーするために、フォトレジストマスク層４０５がテンプレートプレート４００の第１面に形成される。光（図面に示される矢印）は、テンプレートプレート４００の第２面から入射する。テンプレートプレート４００は、光に対して透明である。従って、光は、テンプレートプレート４００を介して、フォトレジスト層４０５に入射する。フォトマスク４０６は、光源とテンプレートプレート４００との間に配置される。図４Ｆに示されるように、フォトマスク４０６は、光がパターン部分４０２ｐを介して入射することを遮断し、エッジ部分４０２ｅに入射する光の一部を遮断する一方で、光がエッジ部分４０２ｅの外側を進むことを可能にする。実施形態において、フォトマスク４０６は、一部の光がエッジ部分４０２ｅの一部に入射することを可能にする。次いで、図４Ｇに示されるように、ステップダウンリムを備えるフォトレジストマスク４０５をもたらすために、フォトレジスト層４０５が現像される。他の実施形態において、光がエッジ部分４０２ｅに入射することを完全に遮断されれば、フォトレジストマスク４０５は、ステップダウンフィーチャなしで形成されてもよい。フォトマスク４０６は、フォトマスク４０６のマスキング部分のエッジがエッジ部分ＥＷＥの外縁とパターンＥＭの外縁との間にあるように、パターニングされたハードマスク層４０２と位置合わせされる。
これは、テンプレートプレート４００に対するフォトマスク４０６のアライメント要件を低減し、フォトマスク４０６の遮断部分のエッジは、ＥＷＥとパターン部分４０３ｐとの間の距離内にあればよい。ハードマスク４０２は、フォトレジストマスク層４０５が現像されている間において、エッチング除去されず、又は、実質的に薄くならない。フォトマスク４０６がエッジ部分１０２ｅ及び／又はエッジ部分４０２と完全に位置合わせされていれば、ステップダウンリムはない。

図４Ｈにおいて、テンプレートプレート４００の露出部分を除去するために、ウェットエッチングプロセスが実行される。また、等方性ウェットエッチングプロセスは、ハードマスク層４０２の下のテンプレートプレート４００の部分を除去する。図４Ｈに示されるように、メサ４００ｍの側壁は、狭いトップ、及び、広いボトムを備えた湾曲形状を有する。図４Ｈに示されるような実施形態において、メサ４００ｍは、ハードマスク層４０２ｐのパターン部分４０２ｐと実質的に同じサイズの上面を有し、エッジ部分４０２ｅの直上のハードマスク層４０２ｅのエッジ及びフォトレジストマスク４０５は、テンプレートプレート４００の主要部分４００ａの上にオーバーハングする。次いで、図４Ｈに示されるように、ハードマスク層４０２を露出させるために、フォトレジストマスク４０５が除去される。図４Ｉにおいて、メサ４００ｍをパターニングするために、メサ４００ｍ上のハードマスク層４０２を用いてドライエッチングプロセスが実行される。図４Ｊにおいて、図４Ｃで使用されたマスターテンプレート４０４からのパターンを備えるメサ４００ｍ、即ち、モールドを含むテンプレート４０を形成するために、ハードマスク層４０２が除去される。ハードマスク層４０２及びフォトレジストマスク４０５は、テンプレートプレート４００の等方性ウェットエッチングレートに対してメサ４００ｍを形成するために使用されるウェットエッチングプロセスに対して、実質的にエッチング耐性のある材料からなる。

図４Ａ～図４Ｊに示されるようなプロセスによって製造されたテンプレート４０は、インプリントリソグラフィにおいて、同一のドライエッチングステップにおけるメサ及びパターンの位置を制御する。従って、メサ及びパターンの両方は、サブミクロン又はナノスケールの精度で形成される。図３Ａ～図３Ｇに示されるようなプロセスによって製造されるテンプレート３０に発生するアライメントエラーはもはや存在しない。

図５Ａ～図５Ｍは、別の実施形態によるテンプレートを製造するプロセスを示す断面図である。図５Ａ～図５Ｄに示されるステップは、図４Ａ～図４Ｄに示されるそれらと同じである。図５Ｅにおけるステップは、フォトレジスト層５０５がネガティブトーンフォトレジスト材料から選択的であることを除いて、図４Ｅに示されるものと同様である。即ち、露光されると、露光された部分は現像後に残るが、フォトレジスト層５０５の露光されていない部分は現像によって除去される。図５Ｆに示されるように、露光されたフォトレジスト層５０５の部分は、テンプレートプレート５００上に残る。残りのフォトレジスト層５０５は、ハードマスク層５０５のエッジ部分の一部をカバーする薄い内側リムと、テンプレートプレート５００に直接的に隣接する厚い部分と、を備えるステップ状の構造を有していてもよい。図５Ｇに示されるように、ハードマスク層５０２のパターンをテンプレートプレート５００のトップ部分に転写するために、ドライエッチングプロセスが実行される。実施形態において、ドライエッチングプロセスを使用する前に、フォトレジスト層の薄い内側リムは、フォトレジストの厚い層をそのまま残しながらフォトレジストの薄い層を除去するデスカミングプロセスにおいて、除去されてもよい。

図５Ｈにおいて、フォトレジスト層５０５、露出したハードマスク層５０２及び露出したテンプレートプレート５００をカバーするように、別のハードマスク層５０７が形成される。図５Ｉに示されるように、別のフォトレジスト層５０８がハードマスク層５０７上に形成及び平坦化される。次いで、フォトレジスト層５０８及びフォトレジスト層５０６をカバーするハードマスク層５０７の部分を除去するために、エッジングプロセスが実行され、図５Ｊに示されているようなフィーチャをもたらす。図５Ｋにおいて、フォトレジスト層５０６が除去される。図５Ｌに示されるように、メサ５００ｍを形成するために、ウェットエッチングプロセスが実行される。そして、ハードマスク層５０２及び５０７が除去され、図５Ｍに示されるように、パターンを備えたメサ５００ｍを備えたテンプレート５０が形成される。図５Ａ～図５Ｍに示されるようなプロセスは、図５Ｃに示されるようなインプリントリソグラフィにおいて、同一のドライエッチングステップにおけるメサのエッジ部分及びパターンを定義する。その結果、サブミクロン又はナノスケールでのウェットエッチングのパターン及びエッジの両方の精度を達成することができる。本実施形態において、追加のハードマスク層５０７が形成される。厚さの増加は、特に、ウェットプロセスがより速い速度で実行される場合、ウェットエッチングプロセスにおいて、メサのパターンがエッチング、損傷又は除去されることを防止する。

図６Ａ～図６Ｒは、テンプレートを形成する別の例示的なプロセスを示す。図６Ａにおいて、テンプレートプレート６００が提供される。テンプレートプレート６００は、ガラス系材料からなり、インプリント及びリソグラフィプロセスに使用される光に対して透明である。例えば、テンプレートプレートは、少なくとも紫外（ＵＶ）光に対して透明である。前述したテンプレートプレート３００、４００及び５００も、インプリントリソグラフィプロセスに使用される光に対して透明である。テンプレートプレート６００は、メサ、即ち、パターンを備えたモールドが形成される第１面と、第１面とは反対側の第２面と、を含む。図６Ａに示されるように、コアアウト部分６０１は、第２面の表面から窪んで形成されてもよい。図６Ｂにおいて、テンプレートプレート６００の第１面をカバーするために、ハードマスク層６０２が形成される。ハードマスク層６０２は、例えば、Ｃｒで形成されていてもよい。図６Ｃにおいて、ハードマスク層６０２上にフォトレジストマスク６０３が形成及びパターニングされる。フォトレジストマスク６０３は、オフメサアライメントマークを定義するように、テンプレートプレート６００のエッジの近傍のハードマスク層６０２を露出させる開口を含む。
ハードマスク層６０２の露出した部分、及び、ハードマスク層６０２の露出した部分によってカバーされたテンプレートプレート６００の部分を除去するために、エッチングプロセスが実行される。図６Ｄに示されるように、テンプレートプレート６００のエッジの近傍には、第１面の表面から凹んだ溝が形成されている。図６Ｅにおいて、テンプレートプレート６００の第２面の表面から窪んだオフメサアライメントマーク６００ｏをもたらすために、フォトレジストマスク６０３及びハードマスク層６０２が除去される。

図６Ｆにおいて、オフメサアライメントマーク６００ｏを含むテンプレートプレート６００上に別のハードマスク層６０４が形成される。図６Ｇにおいて、マスターテンプレート６０６から転写されたパターンと、パターンを囲むウェットエッチングエッジと、を含むインプリントマスク６０５を形成するために、インプリントリソグラフィプロセスが実行される。インプリントマスク６０５は、オフメサアライメントマーク６００ｏを用いて位置合わせされてもよい。マスターテンプレート６０６が取り除かれ、インプリントマスク６０５によってカバーされていないハードマスク層６０４の部分、及び、露出したハードマスク層６０４の下のテンプレートプレート６００の部分を除去するために、ドライエッチングプロセスが実行される。その結果、図６Ｈに示されるように、ドライエッチングプロセスの間において、フォトレジスト層６０５によってカバーされるテンプレートプレート６００の部分は、テンプレートプレート６００の包囲部分から突出する。

図６Ｉにおいて、露出したテンプレートプレート６００及び残りのハードマスク層６０４をカバーするために、フォトレジスト層６０７が形成される。フォトレジスト層６０７は、平坦化される。矢印で示される光は、テンプレートプレート６００の第１面からフォトレジスト層６０７に入射する。別のフォトレジスト層６０８が平坦化されたフォトレジスト層６０７上に形成される。図６Ｊに示されるように、光は、テンプレートプレート６００と光源との間に配置されたフォトマスク６０９を用いて、テンプレートプレート６００の第２面からフォトレジスト層６０７及び６０８に入射する。フォトマスク６０９は、テンプレートプレート６００の突出部分と位置合わせされた遮光部分を含み、テンプレートプレート６００の突出部分のエッジでフォトレジスト層６０７及び６０８を露光させたままにする。フォトレジスト層６０７及び６０８の露光された部分が現像される。フォトレジスト層６０７は、以前に露光されているため、除去されない。現像プロセスは、フォトレジスト層６０８の中央部分を除去するが、フォトレジスト層６０７の実質的な部分を除去しない。図６Ｋに示されるように、現像プロセスの後、フォトレジスト層６０８は、開口を有し、ステップ状内縁を有してもよい。フォトレジスト層６０７の部分を露出する開口は、ハードマスク層６０４の主要部分及びテンプレートプレートのパターニングされたフィーチャをカバーし、フォトレジスト層６０８のステップ状内縁をカバーする。

残りのフォトレジスト層６０８、フォトレジスト層６０７の露出した部分及びフォトレジスト層６０８の内縁によってカバーされたフォトレジスト層６０７の部分を除去するために、エッチングプロセスが実行され、図６Ｌに示されるようなフィーチャをもたらす。図６Ｌにおいて、ハードマスク層６０４及びテンプレートプレート６００のパターニングされたフィーチャが露出され、パターニングされたフィーチャを囲むテンプレートプレート６００は、依然として、残りのフォトレジスト層６０７によってカバーされている。図６Ｍにおいて、フォトレジスト層６０７、露出したハードマスク層６０４及びテンプレートプレート６００のパターニングされたフィーチャをカバーするために、追加のハードマスク層６１０が形成される。その結果、微細パターンのフィーチャは、後続のプロセスの間において、微細パターンのフィーチャが損傷するのを更に保護するために、増加した厚さのハードマスク材料でカバーされる。

図６Ｎにおいて、別のフォトレジスト層６１１がハードマスク層６１０上に形成及び平坦化される。図６Ｏに示されるように、フォトレジスト層６０７が露出されるまで、ハードマスク層６１０の一部を除去するために、エッチングプロセスが実行される。フォトレジスト層６０７が除去され、図６Ｐに示されるように、パターニングされたフィーチャを囲むテンプレートプレート６００の部分が露出される。メサ６００ｍを形成するために、ウェットエッチングプロセスが実行される。図６Ｑに示されるように、ハードマスク層６１０及び６０４のエッジは、テンプレートプレート６００の部分６００ａの上にオーバーハングする。そして、図６Ｒに示されるように、平坦部分６００ａ、所望のパターン６００ｐを備えたメサ６００ｍ及び平坦部分６００ａの表面から窪んだオフメサアライメントマーク６００ｏを含むテンプレート６０を形成するために、ハードマスク層６１０及び６０４が除去される。

図７は、図４Ａ～図４Ｉ、図５Ａ～図５Ｍ、又は、図６Ａ～図６Ｒに示されるプロセスを介してテンプレートを形成する方法を示す。ステップＳ７０１において、テンプレートプレートが提供される。テンプレートは、第１面と、第１面とは反対側の第２面と、を有する。ステップＳ７０２において、ハードマスク層がテンプレートプレートの第１面上に形成される。ステップＳ７０３において、テンプレートプレートの所定の領域をカバーするハードマスクを形成するために、インプリントリソグラフィプロセスがハードマスク層上で実行される。ハードマスクは、同一のインプリントリソグラフィプロセスで定義されたパターン部分及びパターン部分を囲むエッジ部分を含む。ステップＳ７０４において、パターニングされたハードマスクでカバーされた第１領域でドライエッチングプロセスが実行される。ステップＳ７０５において、追加のマスク層がパターニングされたハードマスク上に形成される。ステップＳ７０６において、ハードマスクのエッジ部分がテンプレートプレートの第２領域にオーバーハングした状態で、パターン部分の下にメサを形成するために、パターンニングされたハードマスク及びその上に形成された追加のマスク層を備えるテンプレートプレート上でウェットエッチングプロセスが実行される。次いで、ステップＳ７０７において、その上に形成されたパターンフィーチャを含むメサを備えたテンプレートを形成するために、パターニングされたハードマスク及び追加のマスク層が除去される。図７に示されるような方法において、メサのパターンフィーチャ及びエッジ部分は、サブミクロン又はナノスケールの精度で、同一のインプリントリソグラフィプロセスにおいて定義される。従って、ウェットエッチングでエッジ部分を定義するプロセスで発生するアライメントエラーは、もはや存在しない。

種々の態様の更なる修正及び代替の実施形態は、この説明を考慮することで当業者には明らかになるであろう。従って、この説明は、例示のみとして解釈されるべきである。ここに示されて説明された形態は、実施形態の例として解釈されるべきであることを理解されたい。要素及び材料は、ここに例示されて説明されたものの代わりに使用してもよく、部品及びプロセスは、逆にしてもよく、特定の特徴が独立して利用されてもよく、これらは全て、この説明の利点を享受した後に当業者には明らかであろう。

Claims (15)

1. インプリントテンプレートを形成する方法であって、
   第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、を有するテンプレートプレートを提供することであって、前記第１面は、第１領域と、前記第１領域を囲む第２領域と、を有することと、
   前記テンプレートプレートの前記第１面上にハードマスク層を形成することと、
   前記テンプレートプレートの前記第１領域をカバーするパターニングされたハードマスクを形成するために使用される第１マスクを形成するために、前記ハードマスク層にインプリントリソグラフィを実行することであって、前記パターニングされたハードマスクは、同一のインプリントリソグラフィで定義されたパターン部分及びエッジ部分を有することと、
   前記パターニングされたハードマスクでカバーされた前記テンプレートプレートの前記第１領域で前記テンプレートプレートをドライエッチングすることと、
   前記パターニングされたハードマスク上に追加のマスク層を形成することと、
   前記ハードマスクの前記エッジ部分が前記テンプレートプレートの前記第２領域上にオーバーハングした状態で、前記パターン部分の下にメサを形成するために、前記パターニングされたハードマスク及びその上に形成された前記追加のマスク層の両方をウェットエッチングすることと、
   を備えることを特徴とする方法。
2. 前記テンプレートプレートは、ガラスプレートを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記ハードマスク層は、Ｃｒ層を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 前記第２面にコアアウト部分を形成することを更に備え、前記コアアウト部分は、前記第１領域と位置合わせされていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
5. インプリントリソグラフィを実行することは、
   前記テンプレートプレートの前記第１領域上の前記ハードマスク層上にインプリントレジスト層を与えることと、
   前記インプリントレジスト層にパターンを転写するために、マスターテンプレートを前記インプリントレジスト層と接触させることと、
   前記インプリントレジスト層を硬化させることと、
   前記硬化したインプリントレジスト層から前記マスターテンプレートを取り除くことと、
   を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
6. 前記テンプレートプレートをドライエッチングする前に、
   前記テンプレートプレートの前記第１面をカバーするために、ポジティブフォトレジスト層を形成することと、
   前記第２面から入射する光で前記第１領域上に形成された前記フォトレジスト層を、前記第２領域上に形成された前記フォトレジスト層が前記光によって露光されるのを遮断しながら、露光することと、
   前記パターニングされたハードマスクをカバーする前記追加のマスクを形成するために、前記ポジティブフォトレジスト層を現像することであって、前記追加のマスクは、中央部分と、前記中央部分よりも薄い周辺と、を含むことと、
   を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
7. 前記テンプレートプレートをウェットエッチングした後、前記テンプレートプレートをドライエッチングする前に、前記追加のマスク層を除去することを更に備えることを特徴とする請求項５に記載の方法。
8. 前記追加のマスク層は、別のハードマスク層を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
9. 前記テンプレートプレートの前記第１面をカバーするために、ネガティブフォトレジスト層を形成することと、
   前記第２面から入射する光で前記第１領域上に形成された前記フォトレジスト層を、前記第２領域上に形成された前記フォトレジスト層が前記光によって露光されるのを遮断しながら、露光することと、
   前記テンプレートプレートの前記第２領域をカバーする外側部分と、前記パターニングされたハードマスクの前記エッジ部分の周辺をカバーする内側部分と、を有するフォトレジストマスクを形成するために、前記ネガティブフォトレジスト層を現像することと、
   前記テンプレートプレートをドライエッチングしている間において、前記フォトレジストマスクの前記内側部分よりも厚い前記外側部分の一部を除去することと、
   残りのフォトレジストマスク及び前記パターニングされたハードマスクをカバーするために、追加のハードマスク層を形成することと、
   前記追加のハードマスク層上に追加のフォトレジスト層を形成することと、
   前記残りのフォトレジストマスクをカバーする前記追加のハードマスクが除去され、前記追加のマスクが形成されるまで、前記追加のフォトレジスト層を平坦化することと、
   前記エッジ部分が前記テンプレートプレートの前記第２領域上にオーバーハングした状態で、前記パターン部分の下に前記メサを形成するために、前記テンプレートプレートをウェットエッチングした後、前記パターニングされたハードマスク及び前記追加のハードマスクを除去することと、
   を更に備えることを特徴とする請求項８に記載の方法。
10. 前記パターニングされたハードマスクを形成する前に、前記テンプレートプレートの前記第２領域にマーキングを形成することを更に備えることを特徴とする請求項９に記載の方法。
11. 前記パターニングされたハードマスクを形成する前に、前記テンプレートプレートの前記第２領域にマーキングを形成することと、
    前記テンプレートプレート上に形成された前記パターニングされたハードマスクを用いて前記テンプレートプレートをドライエッチングした後、第１フォトレジスト層を形成することと、
    前記テンプレートプレートの前記第１面からの光で前記フォトレジスト層を露光することと、
    前記第１フォトレジスト層上に第２フォトレジスト層を形成することと、
    前記テンプレートプレートの前記第２面から入射する光で前記第１フォトレジスト層及び前記第２フォトレジスト層を露光することと、
    フォトレジストマスクを形成するために、前記第２フォトレジスト層を現像することであって、前記フォトレジストマスクは、前記テンプレートプレートの前記第２領域上の前記第１フォトレジスト層の一部をカバーする厚い外側部分と、前記パターニングされたハードマスクの前記エッジ部分の周辺上の前記第１フォトレジスト層の一部をカバーする薄い部分と、を含むことと、
    前記現像された第２フォトレジスト層を除去することと、
    別のハードマスク層を形成することと、
    第３フォトレジスト層を形成することと、
    前記テンプレートプレートの前記第２領域上の前記別のハードマスク層が除去されるまで、前記第３フォトレジスト層を平坦化することと、
    前記第１フォトレジスト層を除去することと、
    前記エッジ部分が前記テンプレートプレートの前記第２領域上にオーバーハングした状態で、前記パターン部分の下に前記メサを形成するために、前記テンプレートプレートをウェットエッチングした後、前記パターニングされたハードマスク及び前記追加のハードマスクを除去することと、
    を更に備えることを特徴とする請求項８に記載の方法。
12. 前記パターニングされたハードマスクの前記エッジ部分は、約３０μｍの幅を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
13. ウェットエッチングによって形成された前記メサのエッジは、前記テンプレートプレートの前記第１領域でドライエッチングを用いてパターンフィーチャを定義するためにも使用されるインプリントリソグラフィテンプレートで形成された、前記パターニングされたハードマスクにおけるエッジフィーチャによって定義されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
14. 前記ハードマスクのトップにインプリントリソグラフィを実行する前に、前記第２面にコアアウト部分を形成することであって、前記コアアウト部分は、前記第１領域と位置合わせされていることを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
15. ２つの反対の面に第１面及び第２面を有するインプリントテンプレートであって、
    インプリントテンプレートの第１領域において第２面から窪んだコアアウト部分であって、前記第１領域は、前記インプリントテンプレートの第２領域によって囲まれているコアアウト部分と、
    前記第１領域で前記第１面上に形成されたメサと、
    を備え、
    前記メサは、
    パターンが上に形成されたトップと、
    前記トップよりも大きいボトムと、
    を含み、
    前記トップと前記ボトムとの間の差は、前記パターンを定義する同一のインプリントリソグラフィプロセスにおいて決定されることを特徴とするインプリントテンプレート。

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