TWI795709B - 用於清潔模板之側壁的裝置和方法 - Google Patents

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Abstract

裝置、系統、及方法定位用於在台架上之一或更多氣流通道上壓印可成形材料的模板，其中所述模板包括圖案化表面、平台、和至少一平台側壁；及將氣流引導經過一或更多氣流通道朝至少一平台側壁之一部分。

Description

用於清潔模板之側壁的裝置和方法
技術領域：本申請案大致上有關清潔用於奈米製造(例如壓印微影)的模板之平台側壁。
背景：奈米製造包括具有特徵在100奈米或更小數量級的非常小結構之製造。奈米製造的一應用係積體電路之製造。半導體處理工業繼續努力用於更大的生產量，同時增加在基板上所形成之每單位面積的電路。奈米製造中之改良包括提供更好的製程控制及改進產量，同時亦允許繼續減小所形成結構之最小特徵尺寸。
一奈米製造技術通常稱為奈米壓印微影。奈米壓印微影法係使用於諸多應用中，包括例如製造一或更多層積體裝置。積體裝置的範例包括CMOS邏輯、微處理器、NAND快閃記憶體、NOR快閃記憶體、DRAM記憶體、MRAM、3D交叉點記憶體、Re-RAM、Fe-RAM、 STT-RAM、MEMS等。奈米壓印微影系統及方法的範例詳細地敘述在許多公告中、例如美國專利第8,349,241號、美國專利第8,066,930號、及美國專利第6,936,194號中。
於上述每一專利中所揭示之奈米壓印微影技術敘述浮雕圖案在可成形材料(可聚合)層中的形成，並將與所述浮雕圖案對應之圖案轉印進入或至下面的基板上。圖案化製程使用與基板隔開的模板，且於模板及基板之間施加可成形液體。將可成形液體硬化，以形成固體層，所述固體層具有與可成形液體接觸的模板表面之形狀一致的圖案。在硬化之後，將模板與硬化層分開，使得模板與基板隔開。然後使基板及硬化層遭受附加製程、例如蝕刻製程，以將浮雕圖像轉印進入與硬化層中的圖案對應之基板。圖案化基板可進一步遭受用於裝置(物品)製造的已知步驟及製程，包括例如固化、氧化、層形成、沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、可成形材料移除、切丁、接合、封裝、及類似者等。
在壓印之前，可使用一或更多預處理製程以一或更多材料預處理模板的圖案化表面，且圖案化表面亦能以表面活性劑噴塗。圖案化表面係於模板之平台上，且平台係被凹入表面所圍繞。側壁將凹入表面連接至平台。在壓印製程期間，可成形液體有時會由壓印區域擠出並附著至側壁，因此形成擠出料。
方法的一些實施例包含定位用於在台架上之一或更多噴嘴上方壓印可成形材料的模板，其中模板包括圖案化表面、平台、和至少一平台側壁；及將氣流引導經過一或更多噴嘴朝至少一或更多平台側壁之一部分。
裝置的一些實施例包含模板卡盤，建構來固持用於壓印可成形材料之模板，其中模板包括圖案化表面、平台、及平台側壁；及台架，其係可相對模板運動，其中台架包括基板卡盤及建構來在平台側壁引導氣流的一或更多氣流通道。
100:奈米壓印光刻系統
102:基板
104:基板卡盤
106:附加器
107:基板定位台架
108:模板
109:氣流通道
109A:氣流通道
110:平台
112:圖案化表面
113:邊界區域
114:模板凹部
115:圖案區域
116:模板凸出部
118:模板卡盤
119:壓印頭
120:橋接件
122:流體分配器
124:可成形材料
125:圖案化層
126:能源
128:曝光路徑
130:基板表面
132:處理器
134:電腦可讀媒體
135:控制裝置
136:照相機
141:新區域
238:凹入表面
240:平台側壁
331:氣流
831:供氣軟管
833:孔腔
935:凹部
[圖1]說明奈米壓印微影系統之示範實施例。
[圖2]說明具有在其上已累積可成形材料的平台側壁之平台的示範實施例。
[圖3]說明將氣流引導於平台之側壁上方的氣流通道之示範實施例。
[圖4A-D]說明在一段時間內將氣流引導朝平台之側壁的氣流通道之示範實施例。
[圖5A-C]說明在一段時間內將氣流引導朝平台之側壁的氣流通道之示範實施例。
[圖6A-C]說明在一段時間內將氣流引導朝平台之側壁的氣流通道之示範實施例。
[圖7A]說明附加器上的可調整氣流通道之示 範實施例。
[圖7B]說明附加器上的可調整氣流通道之示範實施例。
[圖7C]說明附加器上的可調整氣流通道之示範實施例。
[圖8A]說明附加器上的氣流通道之示範實施例。
[圖8B]說明附加器上的氣流通道之示範實施例。
[圖8C]說明附加器上的氣流通道之示範實施例。
[圖9A]說明附加器上的氣流通道之示範實施例。
[圖9B]說明附加器上的氣流通道之示範實施例。
[圖9C]說明附加器上的可調整氣流通道之示範實施例。
[圖9D]說明附加器上的可調整氣流通道之示範實施例。
[圖10A]說明將氣流引導朝平台之側壁的氣流通道之示範實施例。
[圖10B]說明將氣流引導朝平台之側壁的氣流通道之示範實施例。
[圖11]說明奈米壓印微影系統的示範實施例 之立體圖。
[圖12]說明基板、附加器、流體分配器、及模板的示範實施例之平面圖(沿著z軸的視圖)。
[圖13]說明基板、附加器、流體分配器、及模板的示範實施例之平面圖(沿著z軸的視圖)。
[圖14]說明基板及附加器之示範實施例的平面圖(沿著z軸之視圖)。
[圖15]說明基板及附加器的示範實施例之平面圖(沿著z軸的視圖)。
[圖16]說明用於將氣體引導朝一或更多平台側壁之操作流程的示範實施例。
[圖17]說明用於將氣體引導朝一或更多平台側壁之操作流程的示範實施例。
[圖18]說明用於將氣體引導朝一或更多平台側壁之操作流程的示範實施例。
[圖19]說明用於將氣體引導朝一或更多平台側壁之操作流程的示範實施例。
[圖20]說明用於將氣體引導朝一或更多平台側壁之操作流程的示範實施例。
以下段落敘述某些說明性實施例。其他實施例可包括替代項、同等項及修改項。另外，說明性實施例可包括數個特徵，且特別之特徵對於在此所敘述的裝置、 系統、及方法之一些實施例可不是必需的。再者，一些實施例包括來自以下說明性實施例之二或更多者的特徵。
亦如本文所使用，連接詞「或」大致上意指包括性「或」，儘管「或」可意指排除性「或」(如果明確地指示或如果上下文指示「或」必需為排除性「或」)。
圖1說明奈米壓印微影系統100之示範實施例。當操作時，奈米壓印微影系統100將可成形材料124(例如，抗蝕劑)沉積於基板102(例如，晶圓)上，並藉由使用具有平台(亦稱為模具)110的模板108，在基板102上之壓印區域中於成形材料124中形成具有浮雕圖案的圖案化層125，所述平台具有圖案化表面112以將可成形材料124壓印在基板102上。
單一平台110可使用於將可成形材料124壓印於單一基板102或複數基板102上之複數壓印區域中。當在複數壓印區域中壓印可成形材料124時，可成形材料124能累積於平台110的側壁上，例如經由滲漏及氣相沉積之一或兩者(在表面上蒸發並沉積可成形材料124)。例如，圖2說明包括平台110的模板108之示範實施例，所述平台110具有在其上已累積可成形材料124的平台側壁240。隨著藉由平台110所施行之壓印的次數增加，於平台側壁240上之可成形材料124的堆積會達到可成形材料124之堆積開始在壓印區域中的圖案化層125中產生缺陷的程度。例如，擠出料可開始形成，且擠出料可造成諸多壓印及壓印後缺 陷。
奈米壓印微影系統100亦包括一或更多氣流通道109(例如，噴嘴、通氣孔、開口)。氣流通道109放出(例如，引導、吹出、排出)在平台110的側壁240上方流動之各自氣流，其移除平台側壁240上的可成形材料124之一些堆積。此等氣體的範例包括CDA(清潔之乾燥空氣及/或壓縮乾燥空氣)、N2及He。於一些實施例中，由氣流通道109放出的氣體優於或滿足奈米壓印微影系統100在其中操作之環境的半導體清潔度標準。再者，為了建構所放出之氣流，可根據以下的一或更多者來選擇每一氣流通道109之各自形狀：流率、流速、流動形狀、流動壓力、流動方向、及流動質量。奈米壓印微影系統100亦可包括將氣體加熱以增加可成形材料124由平台側壁蒸發的速率之加熱器。且奈米壓印微影系統100可包括一或更多風扇(例如，鼓風機)，可包括一或更多供氣管線，可包括一或更多閥門，並可針對不同應用來調整氣體的流速。奈米壓印微影系統100可連接至一或更多供氣源，並可包括一或更多質量流控制器，其調整供給至氣流通道109之氣體的數量、速率、時機、及/或混合物。
在圖1所示實施例中，氣流通道109附接至或整合進入附加器106。然而，於一些實施例中，氣流通道109附接至或整合進入奈米壓印微影系統100之其他構件，例如基板定位台架107。且在一些實施例中，氣流通道109未與奈米壓印微影系統100的任何其他構件整合或附接。 於一些實施例中，附加器106之頂部表面係在或靠近基板卡盤104及基板表面130的任一者或兩者之頂部表面，且氣流通道109係不會延伸超過附加器106的頂部表面之噴嘴。且在一些實施例中，氣流通道109包括附加器106中的孔洞，其在特定時間將所放出之氣體導引朝模板的特定部分(例如平台側壁240或圖案化表面112)。
再者，一些實施例包括附接至一或更多致動器之一或更多氣流通道109或氣流通道組件，所述致動器升高及降低氣流通道109。例如，這些實施例的一些(i)於系統100相對模板108運動基板102及附加器106之前，將氣流通道109降低至距模板108的安全距離，及(ii)在啟動其各自氣流之前將氣流通道109升高至氣流高度。氣流高度的範例包括基板表面130之高度，且包括基板102與圖案化表面112及流體分配器122的任一者之間的間隙之百分比。
附加器106可建構為例如當模板不在基板表面130上方時，穩定模板108下方的局部氣體環境及/或幫助保護圖案化表面112免於粒子。
附加器106亦藉由基板卡盤104所支撐。在一些實施例中，例如圖1所示實施例中，附加器106安裝於基板卡盤104上，而附加器之任何部分都不被夾在基板卡盤104及基板102之間。另外，於一些實施例中，附加器106圍繞基板102的周邊。再者，附加器106之上表面可為於基板表面130下方(例如，如圖1中所示)或與基板表面130同平面(例如，如圖8C中所示)。
在圖1中的奈米壓印微影系統100中，基板102耦接至基板卡盤104。基板卡盤104之範例包括以下：真空卡盤、栓銷型卡盤、溝槽型卡盤、靜電卡盤、及電磁卡盤。基板卡盤104係藉由基板定位台架107所支撐。且附加器106及/或基板定位台架107可包括一或更多氣流通道109的至少一些氣流通道。
基板定位台架107可沿著x、y、z、θ及φ軸之一或更多者提供平移或旋轉動作。基板定位台架107、基板102、及基板卡盤104亦可定位於基座(未示出)上。另外，基板定位台架107可為定位系統或定位子系統的一部分。
奈米壓印微影系統100亦包括模板108。模板108可包括本體，其包括沿著z軸朝基板102延伸之平台110(亦稱為模具)。平台110可在其上具有圖案化表面112。而且，可於沒有平台110的情況下形成模板108。因此，在一些實施例中，模板108之面向基板102的表面用作平台110，且於面向基板102之模板108的表面上包括圖案化表面112。可構成模板108或平台110之材料的範例包括：熔融矽石、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、硼矽酸鹽玻璃、氟碳聚合物、金屬、及硬化藍寶石。
圖案化表面112具有藉由複數隔開之模板凹部114或模板凸出部116所界定的特徵，儘管一些實施例包括其他組構(例如，平坦表面)。圖案化表面112界定形成圖案化層125之浮雕圖案的基礎(例如，反面)之圖案，其 由基板102上的可成形材料124所形成。在一些實施例中，圖案化表面112係無特徵的，於此案例中，平坦表面係由基板102上之可成形材料124所形成。
模板108可耦接至模板卡盤118。模板卡盤118的範例包括以下者：真空卡盤、栓銷型卡盤、溝槽型卡盤、靜電卡盤、及電磁卡盤。模板卡盤118可建構為向模板108施加橫越模板108變動之力量。模板卡盤118能耦接至依序可移除地耦接至橋接件120的壓印頭119，使得模板卡盤118、壓印頭119、及模板108係至少可在z軸方向中運動。於一些實施例中，模板卡盤118、壓印頭119、及模板108亦可在x、y、θ及φ軸方向之一或更多者中運動。奈米壓印微影系統100可包括使模板108運動的一或更多馬達。
奈米壓印微影系統100亦包括流體分配器122。流體分配器122亦能可移除地耦接至橋接件120。於一些實施例中，流體分配器122及模板卡盤118共享一或更多定位部件。且在一些實施例中，流體分配器122及模板卡盤118彼此獨立地運動。
當操作時，流體分配器122將液態可成形材料124沉積至基板102上、例如於圖案(例如，液滴圖案)。同樣例如，可成形材料124能為抗蝕劑(例如，光致抗蝕劑)或另一可聚合材料，且可成形材料124能包含混合物，其包括單體。
取決於設計考量，在圖案化表面112及基板 102之間界定期望的體積之前或之後，將可成形材料124分配至基板102上。不同的流體分配器122可使用不同之技術來分配可成形材料124。當可成形材料124係能噴射時，可使用噴墨型流體分配器122來分配可成形材料124。例如，熱噴墨、基於微機電系統(基於MEMS)的噴墨、及壓電噴墨係用於分配可噴射液體之技術。
再者，另外可成形材料124能使用諸多技術、例如液滴分配、旋塗、浸塗、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、薄膜沉積、厚膜沉積等加至基板102上。
奈米壓印微影系統100亦包括沿著曝光路徑128引導光化學能量的能源126。壓印頭119及基板定位台架107可建構為將模板108及基板102定位於曝光路徑128上(例如，與曝光路徑128重疊)。照相機136同樣可定位成使得照相機136之成像場係與曝光路徑128的至少一部分重疊。
一旦可成形材料124已沉積在基板上，則壓印頭119、基板定位台架107或兩者變動平台110與基板102之間的距離，以界定藉由可成形材料124所填充之期望體積。例如，壓印頭119可向模板108施加力量，此力量使平台110運動成與基板102上的可成形材料124接觸。在所期望體積係以可成形材料124填充之後，能源126產生能量(例如，光化輻射(UV))，此能量係沿著曝光路徑128引導至可成形材料124，並造成可成形材料124符合基板表面 130及圖案化表面112的形狀來固化、硬化、或交聯，藉此於基板102上界定圖案化層125。當模板108係與在基板102形成圖案化層125之可成形材料124接觸時，使可成形材料124固化。如此，奈米壓印微影系統100使用壓印製程來形成圖案化層125，所述圖案化層125具有為圖案化表面112中的圖案之相反的凹部及凸出部。
壓印製程可於分佈橫越基板表面130之複數壓印區域中重複地完成。例如，每一壓印區域可具有與平台110相同的尺寸或僅與平台110之圖案區域115具有相同的尺寸。平台110之圖案區域115係使用於在基板102上壓印圖案的圖案化表面112之區域(例如，包括模板凹部114及模板凸出部116的區域)。平台110之圖案區域115可包括使用於防止擠出的流體控制特徵。在一些實施例中，基板102僅具有一壓印區域，且壓印區域係與基板102具有相同之尺寸或與要用平台110圖案化的基板102之面積相同。於一些實施例中，壓印區域亦重疊。一些壓印區域可為與基板102的邊界相交之部分壓印區域。
可形成圖案化層125，使得其具有殘留層，此殘留層的殘留層厚度(RLT)在每一壓印區域中於基板表面130上之最高點以上。圖案化層125亦可包括在殘餘層上方延伸的一或更多特徵部，例如凸出部。這些凸出部與平台110之圖案化表面112中的凹部114匹配。
圖案化層125可進一步遭受用於物品(例如，裝置)製造之已知步驟及製程，包括例如固化、氧化、層 形成、沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、可成形材料移除、切丁、接合、包裝等。物品的範例包括CMOS邏輯、微處理器、NAND快閃記憶體、NOR快閃記憶體、DRAM記憶體、MRAM、3D交叉點記憶體、Re-RAM、Fe-RAM、STT-RAM、及MEMS。
可藉由與一或更多其他部件或子系統(例如基板定位台架107、壓印頭119、流體分配器122、能源126、或照相機136)通訊之一或更多處理器132(例如，控制器)，調節、控制、或引導奈米壓印微影系統100，並可基於一或更多非暫態電腦可讀媒體134中所儲存的電腦可讀程式中之指令操作。在一些實施例中，包括圖1中的實施例，一或更多處理器及一或更多非暫態電腦可讀媒體134係包括於奈米壓印微影控制裝置135中。奈米壓印微影控制裝置135調節、控制、或引導奈米壓印微影系統100之操作。
一或更多處理器132的每一者可為或可包括以下之一或更多者：中央處理單元(CPU)，其可包括微處理器(例如，單核心微處理器、多核心微處理器)；圖形處理單元(GPU)；特定應用積體電路(ASIC)；場可程式化閘極陣列(FPGA)；數位信號處理器(DSP)；特定配置的電腦；及其他電子電路系統(例如其他積體電路)。例如，處理器132可為專用控制器或可為已特定配置為奈米壓印微影系統控制器之通用計算裝置。
非暫態電腦可讀媒體的範例包括、但不限於 磁碟(例如軟碟、硬碟)、光碟(例如CD、DVD、藍光光碟)、磁光碟、磁帶、半導體記憶體(例如，非揮發性記憶卡、快閃記憶體、固態驅動器、SRAM、DRAM、EPROM、EEPROM)、網路附接儲存裝置(NAS)、內聯網非暫態電腦可讀儲存裝置、及互聯網非暫態電腦可讀儲存裝置。
如上所述，圖2說明包括具有平台側壁240之平台110的模板108之示範實施例，可成形材料124已累積在平台側壁240上。平台100包括圖案化表面112，且平台110係被凹入表面238所圍繞。平台側壁240將凹入表面238連接至平台110的圖案化表面112。平台側壁240圍繞平台110。於平台110為圓形或具有圓角之實施例中，平台側壁240意指單一平台側壁，其係具有圓角或不具有角落的連續壁面。模板108亦可在圖案化表面112上包括圖案化表面塗層。圖案化表面塗層可為單層脫模劑，其在壓印製程期間不斷地補充。
圖3說明將氣體331的流動引導(例如，引導)於平台110之側壁240上方的氣流通道109之示範實施例。當基板定位台架107在模板108下方之位置與流體分配器122下方的位置之間運動基板102、基板卡盤104、及附加器106時，奈米壓印微影系統100(例如，於一或更多處理器132的控制之下，所述處理器基於一或更多非暫態電腦可讀媒體134中所儲存的指令來操作)造成平台側壁240下方之氣流通道109將氣體331的流動(氣流331)引導朝平台 側壁240。在此實施例中，奈米壓印微影系統100不會啟動未於平台側壁240的x軸(或y軸)上之閾值距離內的氣流通道109。因此，奈米壓印微影系統100之一些實施例未於圖案化表面112上方引導氣流或實質上未引導氣流。如本文所使用，因氣流331離開氣流通道109，當所有氣流331正行進朝平台側壁240、或朝平台110的圖案化表面112之外邊界區域(例如，如圖10A及10B中所顯示)、例如包括圖案化表面112在平台側壁240的0.5毫米內之部分的邊界時，實質上無氣流331引導朝圖案化表面112。
再者，雖然於圖3中之實施例及以下示範實施例將氣體331的流動引導朝平台側壁240，但是其他實施例可將氣體331的流動排出、吹出或以其他方式放出朝平台側壁240。
圖4A-D說明於一段時間內將氣流331引導朝平台110的側壁240之氣流通道109的示範實施例。在此時間段(由時間=1至時間=4)期間，基板102、基板卡盤104、附加器106、及氣流通道109相對模板108沿著x軸運動(例如，根據基板定位台架107之運動)。
於圖4A中，在時間=1處，無任一平台側壁240已於氣流通道109的x軸上之閾值距離內運動。因此，奈米壓印微影系統100未造成氣流通道109將各自氣流引導朝平台側壁240的任一者。
在圖4B中，於時間=2處，平台側壁240已在氣流通道109之x軸上的閾值距離內運動。因此，奈米壓印 微影系統100已造成氣流通道109將各自氣流331引導朝平台側壁240。
於圖4C中，在時間=3處，沿著x軸，平台110之圖案區域115係於氣流通道109上方，且奈米壓印微影系統100已停止來自氣流通道109的氣體之流動。
在圖4D中，於時間=4處，另一平台側壁240已在氣流通道109之x軸上的閾值距離內運動。因此，奈米壓印微影系統100已造成氣流通道109引導各自氣流331朝另一平台側壁240。一旦另一平台側壁240已於閾值距離之外側運動，則奈米壓印微影系統100停止來自氣流通道109的氣體331之流動。
圖5A-C說明在一段時間內將氣流331引導朝平台110的側壁240之氣流通道109的示範實施例。於此時間段(由時間=1至時間=3)期間，基板102、基板卡盤104、附加器106、及氣流通道109相對模板108沿著x軸運動(例如，根據基板定位台架107之運動)。
在圖5A中，於時間=1處，平台側壁240已在氣流通道109的x軸上之閾值距離內運動。因此，奈米壓印微影系統100已造成氣流通道109引導各自氣流331朝平台側壁240。
於圖5B中，在時間=2處，於x軸上，平台110的圖案區域115係在氣流通道109上方。然而，於此實施例中，奈米壓印微影系統100繼續來自氣流通道109的氣體331之流動。
在圖5C中，於時間=3處，另一平台側壁240已在氣流通道109的x軸上之閾值距離內運動。因此，奈米壓印微影系統100繼續來自氣流通道109的氣體331之流動。一旦另一平台側壁240已於閾值距離的外側運動，則奈米壓印微影系統100停止來自氣流通道109之氣體331的流動。
圖6A-C說明在一段時間內將氣流引導朝平台之側壁的氣流通道之示範實施例。於圖6A中，在時間=1處，基板102、基板卡盤104、附加器106、及氣流通道109正沿著x軸相對模板108運動(例如，根據基板定位台架107的運動)。
於圖6B中，在時間=2處，氣流通道109係相對平台110靜止不動。而且，平台側壁240係於氣流通道109之閾值距離內。在此實施例中，當氣流通道109係相對平台110靜止不動時，奈米壓印微影系統100造成氣流通道109將氣體331的各自氣流引導朝平台側壁240。而且，例如，當由基板卡盤104正移除基板102時、當新基板102正被放置於基板卡盤104上時、當流體分配器122係在新區域141上方以於壓印之前分配可成形材料124時、或當流體分配器122將可成形材料124沉積(例如噴射)至基板102上時，氣流通道109可為相對平台110靜止不動。而且，在一些實施例中，氣流通道109具有各自不同的氣流速率。例如，最遠離平台110之圖案化表面112的圖7中之氣流通道109可具有比最靠近平台110的圖案化表面112之氣流通道 較高的氣流速率。
於圖6C中，在時間=3處，氣流通道109正運動遠離平台110，且奈米壓印微影系統100已停止來自氣流通道109之氣流。
圖7A說明附加器106上的可調整氣流通道109之示範實施例。於此實施例中，氣流通道109相對附加器106的表面之氣體排放角度係可調整的。在一些實施例中，氣流通道109之氣體排放角度可藉由奈米壓印微影系統100、例如藉由啟動一或更多馬達(例如，伺服馬達)或一或更多致動器來調整。此實施例顯示能夠調整氣流通道109的氣體放出角度AG內之範圍。而且可藉由改變氣流通道109的氣體排放角度來改變排放氣流之方向。
圖7B說明附加器106上的可調整氣流通道109之示範實施例。類似於圖7A，氣流通道109相對附加器106的表面之氣體放出角度係可調整的。然而，此實施例顯示氣流範圍RG，在此範圍內，奈米壓印微影系統100可決定平台側壁係於氣流通道109之氣流範圍內。可基於諸多參數來決定氣流範圍，包括例如氣流的流率、氣流之速率、氣流的壓力、氣流之形狀、氣流的質量、氣體之熱量、氣體的內容物(例如，構成氣體之元素)、可成形材料的內容物、及構成平台側壁之材料。
圖7C說明附加器106上的可調整氣流通道109之示範實施例。在此實施例中，相對正交於附加器106的表面之角度，已調整二氣流通道109的氣體放出角度，以 進一步將它們各自之氣流331引導朝平台側壁240。奈米壓印微影系統100可基於氣流通道109相對平台側壁240的位置、例如使用一或更多馬達來調整氣流通道109的氣體放出角度。
圖8A說明附加器106上之氣流通道109的示範實施例。附加器106係以切開視圖顯示。在此實施例中，氣流通道109係延伸經過附加器106之孔洞或另一開口。氣流通道109由供氣軟管831承接氣流並使所承接的氣流導向經過附加器109。附加器106之上表面亦低於基板表面130。
圖8B說明附加器106上的氣流通道109之示範實施例。附加器106係以切開視圖顯示。在此實施例中，氣流通道109係孔洞或另一開口，其連接至附加器106中的孔腔833，其亦連接至供氣軟管831。孔腔833承接來自供氣軟管831之氣流，並將所承接的氣流導向經過附加器106至氣流通道109。因此，氣流通道109共享來自供氣軟管831的供氣。附加器106之上表面亦低於基板表面130。
圖8C說明附加器106上的氣流通道109之示範實施例。此實施例係類似於圖8A中的實施例。然而，在此實施例中，附加器106之上表面係與基板表面130共平面、或實質上共平面。
圖9A說明附加器106上的氣流通道109之示範實施例。附加器106係以切開視圖顯示。於此實施例中，氣流通道109係位於附加器的上表面中之凹部935中的噴 嘴。氣流通道109之最高點係低於附加器106的上表面。附加器106之上表面亦低於基板表面130。
圖9B顯示附加器106上的氣流通道109之示範實施例。附加器106係以切開視圖顯示。在此實施例中，氣流通道109係位於附加器的上表面中之凹部935中的噴嘴。然而，在此實施例中，氣流通道109之最高點係與附加器106的上表面齊平、或實質上齊平。附加器106之上表面亦與基板表面130共平面或實質上共平面。
圖9C說明附加器106上的可調整氣流通道109之示範實施例。附加器106係以切開視圖顯示。於此實施例中，可調整氣流通道109係位在附加器上表面中的凹部935中之可調整噴嘴。可調整氣流通道109定位成足夠遠離凹部935的壁面，以允許氣流通道109於不接觸凹槽935之壁面的情況下經過所期望之範圍調整其氣體放出角度。氣流通道109的最高點係低於附加器106之上表面。附加器106的上表面亦低於基板表面130。
圖9D說明附加器106上之可調整氣流通道109的示範實施例。此實施例係類似於圖9C中之實施例。然而，在此實施例中，附加器106的上表面係與基板表面130共平面、或實質上共平面。
圖10A說明將氣流331引導朝平台110之側壁240的氣流通道109之示範實施例。此實施例亦顯示平台110上的邊界區域113。於此實施例中，沒有氣流331引導朝異於平台110之側壁240或邊界區域113以外的任何東 西。此實施例以及圖10B中之實施例進一步說明不同實施例可在平台110、基板102、及氣流通道109之間具有不同的距離。
圖10B說明將氣流331引導朝平台110之側壁240的氣流通道109之示範實施例。此實施例亦顯示平台110上的邊界區域113。於此實施例中，已調整氣流通道109之氣體放出角度，使得沒有氣流331引導朝異於平台110的側壁240或邊界區域113以外之任何東西。
圖11說明奈米壓印微影系統100的示範實施例之立體圖。此奈米壓印微影系統100的實施例包括配置成四行之複數氣流通道109。基於平台110相對每一氣流通道109的位置，系統100選擇在將它們各自之氣流引導朝平台110的側壁之位置的氣流通道109(所選擇之氣流通道係藉由參考數字109A所標示並用陰影表示)，而平台110係於圖11中所說明的位置中，並啟動所選擇之氣流通道109的氣流。系統100可儲存校準資料，此校準資料敘述以下之一或更多個：系統100的部件之相對尺寸；部件的共用坐標系；可使用於將部件之位置映射至共用坐標系的資料；每一氣流通道109之各自流動路徑；每一氣流通道109的各自可調整範圍；及每一可調整氣流通道109之可調整流動路徑範圍。系統100亦可包括位置感測器，其指示平台110相對以下一或更多者的位置：基板102、基板卡盤104、附加器106、基板定位台架107、及氣流通道109。另外，系統100可儲存指示平台110相對基板102之運動路徑(例如， 運動速率、運動方向)的運動資料。系統100可基於以下一或更多者來辨識及選擇氣流通道109：校準資料、來自位置感測器之資料、及運動資料。
再者，包括可調整氣流通道109的系統100之一些實施例基於以下一或更多者來調整一或更多氣流通道109的各自氣體放出角度：校準資料、來自位置感測器之資料、及運動資料。
另外，系統100的一些實施例辨識將不被啟動之氣流通道109、例如定位成將氣流引導朝平台110的圖案區域(例如，如圖2中所示)之氣流通道109，且接著啟動所有其他氣流通道109。
圖12說明基板102、附加器106、流體分配器122、及模板108的示範實施例之平面圖(沿著z軸的視圖)。模板108包括平台110。附加器106包括複數氣流通道109。基板102包括複數壓印區域141。在每一壓印區域141上，各自之圖案能為由可成形材料(例如，圖案化層)所形成。支撐附加器106及基板102的基板定位台架可使附加器106及基板102沿著x軸及y軸兩者運動。這允許基板定位台架將每一壓印區域141定位於流體分配器122之下，其將可成形材料沉積在壓印區域141上，且接著將其定位於模板108之下，其將圖案(例如，圖案化層)形成在沉積於壓印區域141上的可形成材料中。
基於相對氣流通道109之位置的模板108之位置，系統100辨識並選擇氣流通道109，其定位成將氣流引 導至平台110上，尤其是平台110的側壁。此系統接著造成所選擇之氣流通道(其係色彩較暗的，且其中一些係藉由參考數字109A所辨識)發出它們各自之氣流。在圖12中所示實施例中，選擇定位成於平台110的任何部分引導氣流之所有氣流通道109。
圖13說明基板102、附加器106、流體分配器122、及模板108的示範實施例之平面圖(沿著z軸的視圖)。模板108包括平台110。附加器106包括複數氣流通道109。基板102包括複數壓印區域141。支撐附加器106及基板102之基板定位台架可使附加器106及基板102沿著x軸及y軸兩者運動。
基於相對氣流通道109之位置的模板108之位置，系統辨識並選擇氣流通道109，其係在將氣流引導朝平台110上，尤其是平台110的側壁之位置中。此系統接著造成所選擇之氣流通道(其係色彩較暗的，且其中一些係藉由參考數字109A所辨識)發出它們各自之氣流。與圖12中所示實施例形成對比，圖13中的實施例選擇定位成將氣流引導於平台110之氣流通道109，除了定位成將氣流引導在平台110之圖案化區域的氣流通道109以外。
氣流通道109可具有與圖11-13所示橫截面形狀不同之橫截面形狀。例如，圖14說明基板102及附加器106的示範實施例之平面圖。附加器106包括複數氣流通道109。於此實施例中，氣流通道109係細長的通氣孔。
氣流通道109亦可位於基板102之超過一側面 上。圖15說明基板102及附加器106的示範實施例之平面圖。附加器106包括複數氣流通道109。在此實施例中，氣流通道109位於基板102的三側面上。
圖16說明用於將氣體引導朝一或更多平台側壁之操作流程的示範實施例。儘管此操作流程與本文所敘述之其他操作流程的每一者係以一定之各自順序呈現，但是這些操作流程的一些實施例以與所呈現之順序不同的順序施行至少一些操作。不同順序之範例包括並發順序、並行順序、重疊順序、重新排序的順序、同時順序、增量順序、及交錯順序。這些操作流程之一些實施例亦包括來自本文所敘述的超過一操作流程之操作(例如，框)。因此，相對本文所敘述的操作流程之示範實施例，操作流程的一些實施例可省略區塊、加入區塊(例如，包括來自本文所敘述之其他操作流程的區塊)、改變區塊之順序、組合區塊、或將區塊劃分為更多區塊。
再者，儘管本文所敘述的操作流程及其他操作流程係藉由奈米壓印微影控制裝置來施行，但是這些操作流程之某些實施例係藉由二或更多奈米壓印微影控制裝置或藉由一或更多其他特定建構的計算裝置所施行。
於圖16中，流程在區塊B1600中開始，且接著進行至區塊B1605，於此奈米壓印微影控制裝置獲得校準資料。接下來，在區塊B1610中，奈米壓印微影控制裝置例如由一或更多位置感測器獲得敘述平台之當前位置的資訊。
然後，於區塊B1615中，奈米壓印微影控制裝置基於校準資料及平台之當前位置來決定一或更多平台側壁相對氣流通道的各自位置。
然後，流程推進至區塊B1620，在此奈米壓印微影控制裝置決定任何平台側壁是否定位於任何氣流通道之各自流動路徑(例如，氣流範圍)中。如果奈米壓印微影控制裝置決定一或更多平台側壁係定位在一些氣流通道的各自流動路徑中(B1620=是)，則流程推進至區塊B1625。否則(區塊B1620=否)，流程推進至區塊B1630。
於區塊B1625中，奈米壓印微影控制裝置啟動氣流通道。奈米壓印微影控制裝置可啟動所有氣流通道，或奈米壓印微影控制裝置可僅啟動在其流動路徑中具有平台側壁之氣流通道。然後流程推進至區塊B1630。
於區塊B1630中，奈米壓印微影控制裝置決定其是否已接收STOP指令(例如，來自使用者輸入、來自在奈米壓印微影控制裝置上運行的程式)。如果未接收STOP指令(B1630=否)，流程返回至區塊B1610。如果已接收STOP指令(B1630=是)，則流程推進至區塊B1635。
於區塊B1635中，奈米壓印微影控制裝置使任何活性氣流通道停用，且接著流程在區塊B1640中終止。
圖17說明用於將氣體引導朝一或更多平台側壁之操作流程的示範實施例。流程開始於區塊B1700中，且接著進行至區塊B1705，在此奈米壓印微影控制裝置獲 得校準資料。
接下來，於區塊B1710中，奈米壓印微影控制裝置例如由一或更多位置感測器或由控制平台之運動的程式獲得資訊，此資訊敘述平台之當前位置或平台的運動路徑。
然後，在區塊B1715中，奈米壓印微影控制裝置決定平台相對氣流通道是否靜止不動。如果奈米壓印微影控制裝置決定平台相對氣流通道是否未靜止不動(B1715=否)，則流程返回至區塊B1710。否則(B1715=是)，流程推進至區塊B1720。
於區塊B1720中，奈米壓印微影控制裝置基於校準資料及平台之當前位置來決定一或更多平台側壁相對氣流通道的各自位置。
接下來，在區塊B1725中，奈米壓印微影控制裝置決定任何平台側壁是否定位於任何氣流通道之各自流動路徑(例如，氣流範圍)中。如果奈米壓印微影控制裝置決定一或更多平台側壁係定位於一或更多氣流通道的各自流動路徑中(B1725=是)，然後流程推進至區塊B1730。否則(區塊B1725=否)，流程推進至區塊B1735。
在區塊B1730中，奈米壓印微影控制裝置啟動氣流通道。例如，奈米壓印微影控制裝置可啟動所有氣流通道，且奈米壓印微影控制裝置可僅啟動於其流動路徑中具有平台側壁之一或更多氣流通道。然後流程推進至區塊B1735。
在區塊B1735中，奈米壓印微影控制裝置決定其是否已接收STOP指令。如果未接收STOP指令(B1735=否)，流程返回至區塊B1710。如果已接收STOP指令(B1735=是)，則流程推進至區塊B1740。
於區塊B1740中，奈米壓印微影控制裝置停用任何活性氣流通道，且接著流程終止在區塊B1745中。
因此，於圖17中所示實施例中，僅當平台相對氣流通道靜止不動時，奈米壓印微影控制裝置才啟動氣流通道。
圖18說明用於將氣體引導朝一或更多平台側壁的操作流程之示範實施例。流程在區塊B1800中開始，且接著進行至區塊B1805，於此奈米壓印微影控制裝置獲得校準資料。
接下來，在區塊B1810中，奈米壓印微影控制裝置例如由一或更多位置感測器或由控制平台的運動之程式獲得敘述平台的當前位置或平台之運動路徑的資訊。
然後，流程進行至區塊B1815，於此奈米壓印微影控制裝置基於校準資料、平台之當前位置、及平台的運動路徑決定一或更多平台側壁相對氣流通道之各自位置。
接下來，在區塊B1820中，奈米壓印微影控制裝置決定任何平台側壁當前是否定位於任何氣流通道的各自流動路徑(例如，氣流範圍)。如果奈米壓印微影控制裝置決定一或更多平台側壁當前定位於一或更多氣流通道 之各自流動路徑中(B1820=是)，則流程推進至區塊B1825。否則(區塊B1820=否)，流程推進至區塊B1830。
在區塊B1825中，奈米壓印微影控制裝置啟動可應用的氣流通道(於其流動路徑中具有平台側壁之一或更多氣流通道)。然後流程推進至區塊B1830。
在區塊B1830中，奈米壓印微影控制裝置決定任何平台側壁是否將為於時間窗口(例如0.1秒、0.05秒)內在任何氣流通道的各自流動路徑中。如果奈米壓印微影控制裝置決定一或更多平台側壁將於時間窗口內定位在某些氣流通道之各自流動路徑中(B1830=是)，然後流程推進至區塊B1835。否則(區塊B1830=否)，流程推進至區塊B1840。
於區塊B1835中，奈米壓印微影控制裝置啟動可應用的氣流通道(於其流動路徑中在時間窗口內將具有平台側壁之氣流通道)。然後流程推進至區塊B1840。
於區塊B1840中，奈米壓印微影控制裝置決定其是否已接收STOP指令。如果未接收STOP指令(B1840=否)，則流程返回至區塊B1810。如果已接收STOP指令(B1840=是)，則流程推進至區塊B1845。
在區塊B1845中，奈米壓印微影控制裝置停用任何活性氣流通道，且接著流程終止於區塊B1850中。
圖19說明用於將氣體引導朝一或更多平台側壁的操作流程之示範實施例。流程在區塊B1900中開始，且接著進行至區塊B1905，於此奈米壓印微影控制裝置獲 得校準資料，其包括用於N個氣流通道的校準資料(在此N為正整數)。
接下來，於區塊B1910中，奈米壓印微影控制裝置例如由一或更多位置感測器或由控制平台之運動的程式獲得資訊，此資訊敘述平台之當前位置或平台的運動路徑。
然後流程推進至區塊B1915，在此奈米壓印微影控制裝置將計數n設定為1。
然後，流程進行至區塊B1920，於此奈米壓印微影控制裝置基於校準資料、平台之當前位置、及平台的運動路徑，決定一或更多平台側壁相對氣流通道n之各自位置。
然後，在區塊B1925中，奈米壓印微影控制裝置決定平台側壁當前是否於氣流通道n的流動路徑中(例如，氣流範圍)。如果奈米壓印微影控制裝置決定平台側壁當前在氣流通道n之流動路徑中(B1925=是)，則流程進行至區塊B1935。否則(B1925=否)，流程推進至區塊B1930，在此奈米壓印微影控制裝置決定平台側壁是否將於時間窗口內位於氣流通道n的流動路徑中。如果奈米壓印微影控制裝置決定平台側壁將在時間窗口內位於氣流通道n之流動路徑中(B1930=是)，則流程進行至區塊B1935。否則(B1930=否)，流程推進至區塊B1940。
在區塊B1935中，奈米壓印微影控制裝置至少基於一或更多平台側壁相對氣流通道n的位置來決定氣 流通道n之氣體流率及氣體放出角度。奈米壓印微影控制裝置亦可進一步基於例如以下的一或更多者來決定用於氣流通道n之氣體流率及氣體放出角度：氣流通道n的氣體流率、氣流通道n之氣流範圍、氣體溫度、氣體含量、可成形材料的含量、平台之運動速率、平台的運動方向、分配器當前是否正將可成形材料分配至基板上、及新基板是否當前正放在基板卡盤上。
於區塊B1940中，奈米壓印微影控制裝置在所決定之氣體流率及氣體放出角度啟動氣體通道n。這可包括例如藉由啟動一或更多馬達或致動器來調整氣流通道的氣體放出角度。因此，任何啟動之氣流通道可具有不同的氣體流率及不同之氣體放出角度。活性氣流通道的氣體放出角度及流率(於此流率係大於零)亦可隨時間而變動(例如，遍及B1910-B1955之後續迭代)，例如根據平台相對氣流通道的運動或位置。然後流程進行區塊B1945。
在區塊B1945中，奈米壓印微影控制裝置決定是否存在另一氣流通道，例如藉由決定是否n<N。如果奈米壓印微影控制裝置決定存在另一氣流通道(B1945=是)，則流程推進至區塊B1950，於此奈米壓印微影控制裝置將計數n增加1，且接著返回至區塊B1920。如果奈米壓印微影控制裝置決定沒有另一氣流通道(B1945=否)，則流程推進至區塊B1955。
在區塊B1955中，奈米壓印微影控制裝置決定其是否已接收STOP指令。如果未接收STOP指令 (B1955=否)，則流程返回至區塊B1910。如果已接收STOP指令(B1955=是)，則流程推進至區塊B1960。
於區塊B1960中，奈米壓印微影控制裝置停用任何活性氣流通道，且接著流程終止在區塊B1965中。
圖20說明用於將氣體引導朝一或更多平台側壁之操作流程的示範實施例。流程開始於區塊B2000，且接著進行至區塊B2005，在此奈米壓印微影控制裝置獲得校準資料。
接下來，於區塊B2010中，奈米壓印微影控制裝置例如由一或更多位置感測器或由控制平台之運動的程式獲得敘述平台之當前位置或平台的運動路徑之資訊。
然後，在區塊B2015中，奈米壓印微影控制裝置決定連續多數壓印之間的時間是否超過閾值(或，於某些實施例中，直至下一次壓印是否超過閾值之時間)。如果奈米壓印微影控制裝置決定連續多數壓印之間的時間確實超過閾值(B2015=是)，則流程推進至區塊B2020。否則(B2015=否)，流程返回至區塊B2010。
在區塊B2020中，奈米壓印微影控制裝置基於校準資料及平台之當前位置來決定一或更多平台側壁相對氣流通道的各自位置。
接下來，在區塊B2025中，奈米壓印微影控制裝置決定任何平台側壁是否定位在任何氣流通道之各自流動路徑(例如，氣流範圍)中。如果奈米壓印微影控制裝置決定一或更多平台側壁係定位於一或更多氣流通道的各 自流動路徑中(B2025=是)，則流程推進至區塊B2030。否則(區塊B2025=否)，流程推進至區塊B2035。
在區塊B2030中，奈米壓印微影控制裝置啟動氣流通道。例如，奈米壓印微影控制裝置可啟動所有氣流通道，或奈米壓印微影控制裝置可僅啟動於其各自流動路徑中具有平台側壁之一或更多氣流通道。另外，奈米壓印微影控制裝置可基於壓印之間的時間長度來選擇已啟動之氣流通道的氣體流率。例如，當壓印之間的時間較短時，氣體流率可為更高。然後流程推進至區塊B2035。
在區塊B2035中，奈米壓印微影控制裝置決定其是否已接收STOP指令。如果未接收STOP指令(B2035=否)，則流程返回至區塊B2010。如果已接收STOP指令(B2035=是)，則流程推進至區塊B2040。
於區塊B2040中，奈米壓印微影控制裝置停用任何活性氣流通道，且接著流程終止在區塊B2045中。
因此，於一些實施例中，奈米壓印微影系統100決定在基板102上之壓印(例如，圖案化層的形成)之間的時間量，並僅於連續多數壓印之間的時間超過閾值、或僅在直至下一次壓印超過閾值之時間才啟動氣流通道109的氣流。
如果氣流通道係可調整，則亦可修改這些操作流程之每一者。例如，可修改它們以決定平台側壁是否於氣流通道的流動路徑之可調整範圍內；如果平台側壁係在氣流通道的流動路徑之可調範圍內，則決定要將平台側 壁置於流動路徑中而對氣流通道所作的調整；並調整氣流通道。
102:基板
104:基板卡盤
106:附加器
107:基板定位台架
108:模板
109:氣流通道
110:平台
112:圖案化表面
118:模板卡盤
122:流體分配器
124:可成形材料
240:平台側壁
331:氣流

Claims (21)

  1. 一種用於清潔模板之側壁的方法，該方法包含：定位用於在台架上之一或更多氣流通道上壓印可成形材料的模板，其中該模板包括圖案化表面、平台、和至少一平台側壁；及在該模板未與已沉積在基板上的可成形材料接觸時，將氣流引導經過該一或更多氣流通道朝該至少一平台側壁之一部分。
  2. 如請求項1之方法，其中於將該氣流引導經過該一或更多氣流通道朝該至少一平台側壁期間，實質上沒有氣流被引導朝該模板的圖案化表面。
  3. 如請求項1之方法，其中該台架固持基板，且其中在該可成形材料分配至該基板上時，施行將該氣流引導經過該一或更多氣流通道朝該至少一平台側壁。
  4. 如請求項1之方法，其中僅在該模板係相對該台架靜止不動時，才施行將該氣流引導經過該一或更多氣流通道朝該至少一平台側壁。
  5. 如請求項1之方法，更包含：在將該氣流引導經過該一或更多氣流通道之前，基於該台架的位置相對該模板之位置，由複數氣流通道選擇該一或更多氣流通道。
  6. 如請求項1之方法，其中在基板交換期 間，施行將該氣流引導經過該一或更多氣流通道朝該至少一平台側壁。
  7. 如請求項1之方法，其中在該可成形材料被該模板連續複數壓印之間的一時間段期間，只有該時間段大於閾值時，才施行將該氣流引導經過該一或更多氣流通道朝該至少一平台側壁。
  8. 如請求項1之方法，其中將該氣流引導經過該一或更多氣流通道朝該至少一平台側壁的該部分包括：當該模板由第一位置運動至第二位置並至第三定位置時，當該模板係在該第一位置中時，啟動該氣流經過該一或更多氣流通道；當該模板係於與該第一位置不同之該第二位置中時，停止該氣流經過該一或更多氣流通道；及當該模板係在與該第一位置和該第二位置不同的該第三位置中時，啟動該氣流經過該一或更多氣流通道。
  9. 如請求項1之方法，另外包含：製造一或更多物品，其中製造該一或更多物品包括：使用該模板的該圖案化表面，在被固持於該台架上之基板卡盤內的基板上之可成形材料中進行一或更多壓印；和處理已在其上進行該一或更多壓印的該基板，以製造該一或更多物品。
  10. 一種用於清潔模板之側壁的裝置，該裝置包含：模板卡盤，建構來固持用於壓印可成形材料之模板，其中該模板包括圖案化表面、平台、及平台側壁；台架，其係可相對該模板運動，其中該台架包括基板卡盤及建構來在該平台側壁引導氣流的一或更多氣流通道；一或更多記憶體；及一或更多處理器，其係與該一或更多記憶體通訊並與該一或更多記憶體配合，以造成該裝置在該模板未與已沉積在被該基板卡盤所固持之基板上的可成形材料接觸時，於該平台側壁引導該氣流。
  11. 如請求項10之裝置，其中該一或更多氣流通道定位成鄰接該基板卡盤。
  12. 如請求項10之裝置，其中該一或更多氣流通道建構來在該平台側壁引導該氣流時，將該氣流引導遠離該圖案化表面。
  13. 如請求項10之裝置，另外包含：可成形材料分配器，其係建構來將該可成形材料分配至藉由該基板卡盤所固持的該基板上；其中該一或更多處理器另外與該一或更多記憶體配合，以造成該裝置在該可成形材料分配器將該可成形材料分配至該基板上時，於該平台側壁引導該氣流。
  14. 如請求項10之裝置，其中該一或更多處 理器另外與該一或更多記憶體配合，以造成該裝置基於該台架的位置相對該模板之位置由複數氣流通道選擇該一或更多氣流通道。
  15. 如請求項14之裝置，其中該一或更多處理器另外與該一或更多記憶體配合，以造成該裝置在該平台側壁引導該氣流經過該一或更多氣流通道，而不會使氣體流經該複數氣流通道的其它氣流通道。
  16. 如請求項10之裝置，其中該一或更多處理器另外與該一或更多記憶體配合，以造成該裝置計算該可成形材料被該模板連續複數壓印之間的時間段；及於該時間段期間，只有該時間段大於閾值時，才在該平台側壁引導該氣流經過該一或更多氣流通道。
  17. 如請求項10之裝置，其中該一或更多氣流通道包括二或更多氣流通道，其中該台架建構為沿著軸線運動該基板卡盤，且其中該二或更多氣流通道配置於與該軸線正交的一行中。
  18. 如請求項10之裝置，更包含：一或更多致動器或一或更多馬達，其中該一或更多氣流通道的各自氣體排放角度建構為藉由該一或更多致動器或藉由該一或更多馬達所調整。
  19. 如請求項10之裝置，其中該一或更多處理器另外與該一或更多記憶體配合，以造成該裝置僅在下 述情況時，在該平台側壁引導該氣流：在可成形材料分配器將可成形材料分配至固持於該基板卡盤中的該基板上時；在該台架運動朝該可成形材料分配器時；或在該台架運動遠離該可成形材料分配器時，其中該可成形材料分配器建構為將該可成形材料分配至固持在該基板卡盤中之該基板上。
  20. 一種用於清潔模板之側壁的裝置，該裝置包含：模板卡盤，建構來固持用於壓印可成形材料之模板，其中該模板包括圖案化表面、平台、及平台側壁；台架，其係可相對該模板運動，其中該台架包括基板卡盤及一或更多氣流通道；可成形材料分配器，其建構成將該可成形材料分配至藉由該基板卡盤所固持的基板上；一或更多記憶體；及一或更多處理器，其係與該一或更多記憶體通訊並與該一或更多記憶體配合，以造成在該可成形材料分配器定位於該基板上方並將該可成形材料分配至該基板上時，該一或更多氣流通道在該平台側壁引導氣流。
  21. 一種用於清潔模板之側壁的方法，該方法包含：使模板與已沉積在基板上之可成形材料接觸，其中該模板包括接觸該可成形材料的第一表面、未接觸該可成形 材料之第二表面、和連接該第一表面與該第二表面的至少一側壁；及在該模板未與已沉積在該基板上的該可成形材料接觸時，將氣流引導經過固持該基板之台架上的一或更多氣流通道朝該至少一側壁之一部分。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101414119A (zh) * 2008-10-28 2009-04-22 吉林大学 用微米级模板构筑亚微米或纳米级模板的方法
US20180275510A1 (en) * 2017-03-24 2018-09-27 Toshiba Memory Corporation Imprinting apparatus and imprinting method
US20200026183A1 (en) * 2018-07-18 2020-01-23 Canon Kabushiki Kaisha Photodissociation Frame Window, Systems Including a Photodissociation Frame Window, and Methods of Using a Photodissociation Frame Window

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7490547B2 (en) 2004-12-30 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
JP5235506B2 (ja) 2008-06-02 2013-07-10 キヤノン株式会社 パターン転写装置及びデバイス製造方法
DE102008028868A1 (de) * 2008-06-19 2009-12-24 Carl Zeiss Smt Ag Optische Baugruppe
JP2012039057A (ja) 2010-07-13 2012-02-23 Canon Inc インプリント装置及び物品の製造方法
WO2012063948A1 (ja) * 2010-11-12 2012-05-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 金型の微細パターン面清掃方法とそれを用いたインプリント装置
JP2013251462A (ja) 2012-06-01 2013-12-12 Canon Inc インプリント装置、および、物品の製造方法
JP2016082045A (ja) * 2014-10-16 2016-05-16 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
US10131134B2 (en) 2015-10-30 2018-11-20 Canon Kabushiki Kaisha System and method for discharging electrostatic charge in nanoimprint lithography processes
JP6761329B2 (ja) 2016-11-22 2020-09-23 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
US10895806B2 (en) 2017-09-29 2021-01-19 Canon Kabushiki Kaisha Imprinting method and apparatus
US10921706B2 (en) 2018-06-07 2021-02-16 Canon Kabushiki Kaisha Systems and methods for modifying mesa sidewalls

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101414119A (zh) * 2008-10-28 2009-04-22 吉林大学 用微米级模板构筑亚微米或纳米级模板的方法
US20180275510A1 (en) * 2017-03-24 2018-09-27 Toshiba Memory Corporation Imprinting apparatus and imprinting method
US20200026183A1 (en) * 2018-07-18 2020-01-23 Canon Kabushiki Kaisha Photodissociation Frame Window, Systems Including a Photodissociation Frame Window, and Methods of Using a Photodissociation Frame Window

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