JP7056727B2 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

高周波モジュール及び通信装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7056727B2
JP7056727B2 JP2020506469A JP2020506469A JP7056727B2 JP 7056727 B2 JP7056727 B2 JP 7056727B2 JP 2020506469 A JP2020506469 A JP 2020506469A JP 2020506469 A JP2020506469 A JP 2020506469A JP 7056727 B2 JP7056727 B2 JP 7056727B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
main surface
signal
substrate
power supply
high frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020506469A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2019176778A1 (ja
Inventor
英樹 上田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of JPWO2019176778A1 publication Critical patent/JPWO2019176778A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7056727B2 publication Critical patent/JP7056727B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/065Patch antenna array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/66High-frequency adaptations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12Supports; Mounting means
    • H01Q1/22Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00Antenna arrays or systems
    • H01Q21/0006Particular feeding systems
    • H01Q21/0025Modular arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00Antenna arrays or systems
    • H01Q21/0087Apparatus or processes specially adapted for manufacturing antenna arrays
    • H01Q21/0093Monolithic arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q23/00Antennas with active circuits or circuit elements integrated within them or attached to them
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q25/00Antennas or antenna systems providing at least two radiating patterns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q3/00Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
    • H01Q3/26Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system varying the relative phase or relative amplitude of energisation between two or more active radiating elements; varying the distribution of energy across a radiating aperture
    • H01Q3/2605Array of radiating elements provided with a feedback control over the element weights, e.g. adaptive arrays
    • H01Q3/2611Means for null steering; Adaptive interference nulling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q5/00Arrangements for simultaneous operation of antennas on two or more different wavebands, e.g. dual-band or multi-band arrangements
    • H01Q5/30Arrangements for providing operation on different wavebands
    • H01Q5/307Individual or coupled radiating elements, each element being fed in an unspecified way
    • H01Q5/342Individual or coupled radiating elements, each element being fed in an unspecified way for different propagation modes
    • H01Q5/35Individual or coupled radiating elements, each element being fed in an unspecified way for different propagation modes using two or more simultaneously fed points
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6616Vertical connections, e.g. vias
    • H01L2223/6622Coaxial feed-throughs in active or passive substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6683High-frequency adaptations for monolithic microwave integrated circuit [MMIC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16235Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15158Shape the die mounting substrate being other than a cuboid
    • H01L2924/15159Side view
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • H01L2924/15192Resurf arrangement of the internal vias
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15313Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a land array, e.g. LGA

Description

本発明は、高周波モジュール及び通信装置に関する。
特許文献1には、ベースバンドモジュールと高周波モジュールとが単一の伝送線路で接続されたミリ波システムが記載されている。単一の伝送線路は、複数の信号が重畳された重畳信号を伝送する。重畳信号は、中間周波数(IF:Intermediate Frequency)信号、局部発振(Lo:Local Oscillator)信号、制御信号、電源信号を含む。単一の伝送線路と高周波モジュールとの間には、電源信号と、その他の高周波信号(IF、Lo、制御信号)とを分離するためのバイアスT回路が設けられている。
米国特許出願公開第2012/0307695号明細書
特許文献1のミリ波システムでは、複数の信号が単一の伝送線路により伝送される。このため、高周波信号(IF、Lo、制御信号)が、高周波モジュールに含まれる高周波増幅用アンプの電源ラインと結合する可能性がある。これにより、特許文献1では、不要な帯域の高周波信号が発振して、高周波モジュールからの出力信号の信号品位が低下する可能性がある。
本発明は、不要な高周波信号の発振を抑制することができる高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。
本発明の一側面の高周波モジュールは、第1主面と、前記第1主面と反対側の第2主面とを有する第1基板と、前記第1主面に設けられ、外部回路との間で信号を伝送する信号端子と、前記第2主面に設けられ、電源信号が供給される電源端子と、アンテナと、前記信号端子、前記電源端子及び前記アンテナと電気的に接続され、前記信号及び前記電源信号に基づいて、前記アンテナの送受信を制御する高周波電子部品と、を有する。
本発明の一側面の通信装置は、上記の高周波モジュールと、ケーブルを介して前記信号端子と接続されたベースバンドモジュールと、を有する。
本発明の高周波モジュール及び通信装置によれば、不要な高周波信号の発振を抑制することができる。
図1は、第1実施形態に係る高周波モジュールの透過平面図である。 図2は、図1のII-II’線に沿う断面図である。 図3は、第1実施形態に係る高周波モジュールを有する通信装置の構成例を示すブロック図である。 図4は、第2実施形態に係る高周波モジュールの透過平面図である。 図5は、第2実施形態に係る高周波モジュールの、第1基板を示す透過平面図である。 図6は、第2実施形態に係る高周波モジュールの構成を説明するための断面図である。 図7は、第2実施形態の第1変形例に係る高周波モジュールの構成を説明するための断面図である。 図8は、第3実施形態に係る高周波モジュールの斜視図である。 図9は、第3実施形態に係る高周波モジュールの構成を説明するための断面図である。 図10は、第3実施形態の第2変形例に係る高周波モジュールの構成を説明するための断面図である。
以下に、本発明の高周波モジュール及び通信装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。各実施の形態は例示であり、異なる実施の形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第2実施形態以降では第1実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る高周波モジュールの透過平面図である。図2は、図1のII-II’線に沿う断面図である。なお、図1では、グランド端子23の一部や配線L3等を模式的に透過させて示している。図1及び図2に示すように、高周波モジュール1は、第1基板2と、高周波電子部品3と、アンテナ4と、複数のグランド端子23と、電源端子24と、信号端子25と、を有する。本実施形態の高周波モジュール1は、アンテナ付きの高周波モジュールである。高周波モジュール1は、準ミリ波帯やミリ波帯(例えば20GHz以上300GHz以下)の送受信を行う。
図2に示すように、第1基板2は、第1主面S1と、第1主面S1と反対側の第2主面S2とを有する。本実施形態では、第1主面S1は、高周波モジュール1の上面である。第2主面S2は、高周波モジュール1の下面である。第1基板2は、多層誘電体基板であり、内層に配線L1、L2、L3等や、ビア28a、28b、28c、28d、28e、28f等が設けられている。配線L1、L2、L3等、及びビア28a、28b、28c、28d、28e、28f等、放射素子41、グランド層21等の電極、電源端子24、信号端子25は、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、又はこれらの合金を主成分とする金属で形成される。第1基板2は、例えばセラミックス多層基板が用いられる。セラミックス多層基板としては、例えば低温同時焼成セラミックス多層基板(LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)多層基板)が用いられる。なお、第1基板2は、エポキシ、ポリイミドなどの樹脂から構成される樹脂層を複数積層して形成された多層樹脂基板であってもよい。また、第1基板2は、低い誘電率を有する液晶ポリマー(Liquid Crystal Polymer:LCP)から構成される樹脂層を複数積層して形成された多層樹脂基板でもよく、フッ素系樹脂から構成される樹脂層を複数積層して形成された多層樹脂基板でもよく、LTCCよりも高温で焼結されるセラミックス多層基板でもよい。
高周波電子部品3、アンテナ4及び信号端子25は、第1基板2の第1主面S1に設けられている。電源端子24及び複数のグランド端子23は、第1基板2の第2主面S2に設けられている。
図1に示すように、アンテナ4は、複数の放射素子41が行列状に配列されたアレイアンテナである。複数の放射素子41は、X方向に配列され、かつ、Y方向に配列される。なお、高周波モジュール1は、複数の放射素子41が第1基板2の表面上に露出する構成に限定されず、例えば、複数の放射素子41を覆う保護層が設けられていてもよい。ここで、X方向及びY方向は、第1主面S1に平行な方向である。X方向は、第1基板2の一辺に沿った方向である。Y方向は、X方向と直交する。
図2に示すように、複数の放射素子41は、それぞれ、第2信号経路52を介して高周波電子部品3の第2高周波端子35と接続される。第2信号経路52は、放射素子41ごとに個別に設けられている。第2信号経路52は、配線L2と、ビア28c、28dとを含む。配線L2は、第1基板2の内層又は表面に設けられる。また、ビア28cは、配線L2の一端と、放射素子41とを電気的に接続する。ビア28dは、配線L2の他端と、第2高周波端子35とを電気的に接続する。
これにより、高周波電子部品3は、それぞれ放射素子41に高周波信号RF(図3参照)を供給できる。高周波信号RFが供給されることで、放射素子41には所定の方向に電流が流れ、電流が流れる方向に平行な偏波が放射される。高周波モジュール1は、放射素子41の配置や、励振される高周波信号RFの振幅、位相を制御することにより、所望の放射パターン(指向性)が得られる。
高周波電子部品3は、信号端子25、電源端子24及びアンテナ4と電気的に接続される。高周波電子部品3は、各種高周波信号(中間周波数信号IF、局部発振信号Lo、制御信号Cntr(図3参照))及び電源信号DC(図3参照)に基づいて、アンテナ4の送受信を制御する回路である。高周波電子部品3は、例えばRFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)である。図2に示すように、高周波電子部品3は、第1高周波端子34、第2高周波端子35、電子部品電源端子36等の複数の端子を介して、第1主面S1に、例えばフリップチップボンディングにより実装されている。
図2に示すように、信号端子25は、第1主面S1に設けられ、高周波モジュール1と外部回路(図2では省略して示す)との間で信号を伝送する。信号端子25は、外部回路であるベースバンドモジュール101(図3参照)と接続され、中間周波数信号IF、局部発振信号Lo、制御信号Cntr等の高周波信号を伝送する。信号端子25は、例えば同軸ケーブルと接続できる同軸コネクタである。
高周波電子部品3と信号端子25とは、第1基板2に設けられた第1信号経路51を介して電気的に接続される。第1信号経路51は、第1基板2を通り、一端及び他端がいずれも第1主面S1に配置される。具体的には、第1信号経路51は、電気的に接続された配線L1と、ビア28a、28bを含む。配線L1は、第1基板2の内層や表面に設けられる。
図1に示すように、信号端子25と、高周波電子部品3と、アンテナ4は、平面視で、互いに重ならない位置に設けられる。信号端子25は、複数配置されていてもよい。この場合、複数の信号端子25には、異なる中間周波数信号IF、局部発振信号Lo、制御信号Cntrが伝送される。
図2に示すように、電源端子24は、第2主面S2に設けられ、電源102(図3参照)から電源信号DCが供給される。電源信号DCは、例えば直流の電圧信号である。高周波電子部品3と電源端子24とは、第1基板2に設けられた電源信号経路53を介して電気的に接続される。電源信号経路53は、第1基板2の内部を通り、一端が第1主面S1に配置され、他端が第2主面S2に配置される。具体的には、電源信号経路53は、電気的に接続された配線L3と、ビア28e、28fを含む。配線L3は、第1基板2の内層や表面に設けられる。
このような構成により、本実施形態の高周波モジュール1において、各種高周波信号を伝送する信号端子25と、電源端子24とが、それぞれ第1主面S1と、第2主面S2とに分離されている。このため、単一の伝送線路を介して各種高周波信号及び電源信号DCを伝送する場合に比べて、高周波電子部品3の電源ライン(例えば電源信号経路53を含む)に高周波信号が結合することを抑制できる。この結果、高周波モジュール1は、不要な高周波信号の発振を抑制できる。さらに、本実施形態では、高周波信号と電源信号を分離するためのバイアスT回路等の回路を設ける必要がない。このため、高周波モジュール1は、回路規模を抑制することができる。また、高周波モジュール1は、バイアスT回路等での高周波信号の信号品位の低下や、スプリアスの発生を抑制できる。
また、中間周波数信号IF、局部発振信号Lo、制御信号Cntr等の各種高周波信号は、信号端子25及び第1信号経路51を介して伝送される。電源信号DCは、電源端子24及び電源信号経路53を介して伝送される。すなわち、各種高周波信号と電源信号DCとは、異なる経路で伝送される。
また、高周波モジュール1において、アンテナ4及び高周波電子部品3は、第1基板2に対して電源端子24の反対側の主面に設けられる。このため、第2主面S2を、携帯無線端末等のマザーボードに容易に実装可能である。
高周波モジュール1がマザーボード上に実装された場合に、電源信号DCはマザーボードを介して供給される。この場合、電源信号DCを供給するためのケーブルが不要であり、高周波モジュール1の構成が簡便になり、ケーブルがアンテナとして動作することを抑制できる。このため、ケーブルの存在に起因するアンテナ特性の劣化を抑制できる。
図2に示すように、複数のグランド端子23は、第2主面S2に設けられ、例えばマザーボードのグランドに電気的に接続される。グランド層21は、第2主面S2のほぼ全面に設けられる。絶縁層22は、グランド層21を覆っており、複数の開口22aが設けられている。絶縁層22は、例えばレジストなどの樹脂材料である。グランド層21のうち、開口22aから露出する部分がグランド端子23である。
電源端子24は、グランド層21が設けられた第1基板2の第2主面S2に設けられる。電源端子24は、グランド層21の開口21aの内部に設けられる。電源端子24の周囲には、グランド層21が設けられ、電源端子24はグランド層21と離隔している。また、絶縁層22には、電源端子24と重なる位置に開口22bが設けられる。これにより、電源端子24は、絶縁層22から露出する。絶縁層22は、一部が電源端子24の周縁に重なって設けられるオーバーレジストであるが、絶縁層22が電源端子24と重ならないクリアランスレジストであってもよい。
このような構成により、高周波モジュール1は、グランド端子23及び電源端子24に形成されたバンプ29(図7参照)を介して、携帯無線端末等のマザーボードの上に実装可能である。これにより、高周波モジュール1の放熱特性が向上する。
図1に示すように、複数のグランド端子23は、X方向及びY方向に配列される。グランド端子23は、平面視で、信号端子25、高周波電子部品3及びアンテナ4と、重なる位置に設けられてもよく、重ならない位置に設けられてもよい。電源端子24は、X方向に隣り合う2つのグランド端子23の間に配置される。これにより、高周波モジュール1は、電源信号DCと高周波信号の結合を抑制できる。また、高周波モジュール1は、電源ラインに重畳する低周波ノイズの外部への放射を抑制できる。
なお、電源端子24は、平面視で、高周波電子部品3及びアンテナ4と、重なる位置に設けられてもよく、重ならない位置に設けられてもよい。また、高周波モジュール1は、高周波電子部品3の他に、高周波チップ部品等の周辺部品を有していてもよい。
(通信装置)
図3は、第1実施形態に係る高周波モジュールを有する通信装置の構成例を示すブロック図である。図3に示すように、通信装置100は、上述の高周波モジュール1と、ベースバンドモジュール101と、電源102と、を有する。ベースバンドモジュール101は、ケーブル251を介して信号端子25に接続される。ベースバンドモジュール101は、送信の際に、中間周波数信号IF、局部発振信号Lo及び制御信号Cntrを、単一のケーブル251を介して高周波モジュール1に供給する。ケーブル251は、例えば同軸ケーブルである。ベースバンドモジュール101は、受信の際に、中間周波数信号IFを、ケーブル251を介して高周波モジュール1から受け取る。ベースバンドモジュール101は、携帯無線端末等の電子機器の内部において、高周波モジュール1と離れた位置に配置できる。
電源102は、マザーボードの接続配線241を介して電源端子24と接続され、電源信号DCを高周波モジュール1に供給する。電源102は、ホストICに含まれる電源であってもよく、電子機器の電源であってもよい。
高周波モジュール1の高周波電子部品3は、送信回路31と、受信回路32と、電力増幅回路33と、を有する。送信回路31は、中間周波数信号IF、局部発振信号Lo及び制御信号Cntrに基づいて、中間周波数信号IFを高周波信号RF(例えば60GHz)に変調する。
電力増幅回路33は、電源信号DCに基づいて、入力された高周波信号RFを増幅する。電力増幅回路33は、増幅された高周波信号RFをアンテナ4に供給する。また、電力増幅回路33は、受信した高周波信号RFを増幅して受信回路32に出力する。
受信の際には、アンテナ4は、受信した高周波信号RFを受信回路32に供給する。受信回路32は、受信した高周波信号を中間周波数信号IFに復調して、中間周波数信号IFをベースバンドモジュール101に供給する。
中間周波数信号IF、局部発振信号Lo、制御信号Cntr等の各種高周波信号は、単一のケーブル251を介して信号端子25に供給される。また、電源信号DCは、マザーボードの接続配線241を介して電源端子24に供給される。この結果、通信装置100は、高周波電子部品3の電源ラインに高周波信号が結合することを抑制できる。
(第2実施形態)
図4は、第2実施形態に係る高周波モジュールの透過平面図である。図5は、第2実施形態に係る高周波モジュールの、第1基板を示す透過平面図である。図6は、第2実施形態に係る高周波モジュールの構成を説明するための断面図である。なお、図6は、第1信号経路51A、第2信号経路52A及び電源信号経路53Aを説明するために模式的に示している。
第2実施形態では、上記第1実施形態とは異なり、高周波モジュール1Aが、第1基板2Aと、第2基板6とを有する構成について説明する。図6に示すように、高周波モジュール1Aにおいて、第2基板6は、第3主面S3と、第3主面S3と反対側の第4主面S4とを有する。第2基板6の第4主面S4は、第1基板2Aの第1主面S1Aと対向して配置される。
第2基板6は、多層誘電体基板であり、内層に配線L2A、L4、L5等や、ビア68a、68b、68c、68d、68e、68f等が設けられている。第2基板6は、第1基板2Aと同様に、例えば低温同時焼成セラミックス多層基板等が用いられる。図4及び図5に示すように、第2基板6の外形形状は、第1基板2Aの外形形状よりも小さい。
図6に示すように、アンテナ4は、第2基板6の第3主面S3に設けられる。高周波電子部品3は、第1高周波端子34、第2高周波端子35、電子部品電源端子36等の複数の端子を介して、第2基板6の第4主面S4に実装される。図4に示すように、アンテナ4の放射素子41の少なくとも一部分は、平面視で、高周波電子部品3と重なる位置に配置されている。このため、高周波モジュール1Aは、平面視での面積を小さくすることができ、小型化が可能である。
図6に示すように、第1基板2Aと第2基板6との間に、複数の基板間接続部材72が設けられ、モールド部材71で封止されている。複数の基板間接続部材72のうち、第1信号経路51Aの一部となるものを第1基板間接続部材72Aと表す。複数の基板間接続部材72のうち、電源信号経路53Aの一部となるものを第2基板間接続部材72Bと表す。以下の説明において、基板間接続部材72、第1基板間接続部材72A及び第2基板間接続部材72Bを区別して説明する必要がない場合には、単に基板間接続部材72と表す。
基板間接続部材72は、第1基板2Aの第1主面S1Aと第2基板6の第4主面S4との間に設けられている。基板間接続部材72は、柱状の部材であり、例えば銅(Cu)、銀(Ag)等の導電性材料で形成される。第1基板2Aの第1主面S1A及び第2基板6の第4主面S4には、基板間接続部材72と接続するための端子(図示しない)が設けられており、これらの端子と基板間接続部材72とが電気的に接続される。基板間接続部材72は、例えば半田リフローや超音波接合等により、第2基板6に実装される。
図4に示すように、複数の基板間接続部材72は、第2基板6の外周線の内側において、第2基板6の外周線に沿って配列される。第1基板間接続部材72Aは、Y方向に隣り合う基板間接続部材72の間に配置される。また、第2基板間接続部材72Bは、X方向に隣り合う基板間接続部材72の間に配置される。また、基板間接続部材72は、アンテナ4と重なる位置に設けられていてもよいし、アンテナ4と重ならない位置に設けられていてもよい。
図6に示すように、高周波電子部品3及び基板間接続部材72は、モールド部材71の中に封止されている。モールド部材71は、熱硬化性樹脂に無機フィラーが含有された複合樹脂が用いられる。熱硬化性樹脂として例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等が用いられる。無機フィラーとして、酸化アルミニウム、シリカ、二酸化チタン等が用いられる。モールド部材71の形成には、例えば、ポッティング技術、トランスファー技術、コンプレッションモールド技術等の樹脂成形技術が用いられる。
信号端子25は、第1基板2Aの第1主面S1Aに設けられている。信号端子25は、第1主面S1Aの、モールド部材71が設けられていない部分に配置される。これにより、高周波モジュール1Aは、モールド部材71により高周波電子部品3を保護するとともに、外部回路(例えば、図3に示すベースバンドモジュール101)と信号端子25との接続が容易である。また、電源端子24及び複数のグランド端子23は、第1基板2の第2主面S2Aに設けられている。
図4及び図5に示すように、信号端子25は、第2基板6と重ならない位置に設けられている。なお、図5では、第2基板6を二点鎖線で示し、第1基板間接続部材72A及び第2基板間接続部材72Bを実線で示している。図5に示すように、グランド端子23は、第2基板6と重なる位置に設けられる。また、グランド端子23は、第2基板6と重ならない位置にも設けられている。また、電源端子24の周囲を囲んで複数のグランド端子23が設けられている。
図6に示すように、高周波電子部品3と信号端子25とは、第1信号経路51Aを介して接続される。第1信号経路51Aは、第1基板2Aと第2基板6とを電気的に接続する。第1信号経路51Aは、第1伝送線路511と、第1基板間接続部材72Aと、第2伝送線路512と、を含む。
第1伝送線路511は、第1基板2Aに設けられ、電気的に接続された配線L1A及びビア28Aa、28Abを有する。配線L1Aは、第1基板2Aの内層に設けられる。図5に示すように、配線L1Aは、平面視で第2基板6と重なる位置から、第2基板6と重ならない位置まで延在する。
第2伝送線路512は、第2基板6に設けられ、電気的に接続された配線L4及びビア68a、68bを有する。配線L4は、第2基板6の内層に設けられる。図4に示すように、平面視で配線L4は、高周波電子部品3と重ならない位置から、高周波電子部品3と重なる位置まで延在する。
図6に示すように、高周波電子部品3と電源端子24とは、電源信号経路53Aを介して接続される。電源信号経路53Aは、少なくとも第1基板2Aの内部を厚み方向に通り、第1基板2Aと第2基板6とを電気的に接続する。電源信号経路53Aは、第1電源信号伝送線路531と、第2基板間接続部材72Bと、第2電源信号伝送線路532とを含む。
第1電源信号伝送線路531は、第1基板2Aに設けられ、電気的に接続された配線L3及びビア28e、28fを有する。配線L3は、第1基板2Aの内層に設けられる。図5に示すように、平面視で配線L3及び電源端子24は、第2基板6と重なる位置に設けられている。なお、配線L3は、第1基板2Aの内層に設けられているため、グランド端子23と重なって設けられていてもよく、グランド端子23と重ならない位置に設けられていてもよい。
図6に示すように、第2電源信号伝送線路532は、第2基板6に設けられ、電気的に接続された配線L5及びビア68c、68dを有する。配線L5は、第2基板6の内層に設けられる。図4に示すように、平面視で配線L5は、高周波電子部品3と重なる位置から、高周波電子部品3と重ならない位置まで延在する。また、配線L5の一部は、アンテナ4と重なって設けられていてもよい。
図6に示すように、複数の放射素子41は、それぞれ、第2信号経路52Aを介して高周波電子部品3と接続される。第2信号経路52Aは、放射素子41ごとに個別に設けられている。第2信号経路52Aは、電気的に接続された配線L2Aと、ビア68e、68fとを含む。配線L2Aは、第2基板6の内層に設けられる。
本実施形態の高周波モジュール1Aにおいて、アンテナ4は第2基板6に設けられ、信号端子25及び電源端子24は第1基板2Aに設けられる。このため、アンテナ4から放射される信号と電源信号DCの結合を抑制できる。
本実施形態において、第1基板2Aに設けられた信号端子25及び電源端子24は、それぞれ、第1信号経路51A及び電源信号経路53Aを介して、第2基板6に設けられた高周波電子部品3と電気的に接続される。中間周波数信号IF、局部発振信号Lo、制御信号Cntr等の各種高周波信号は、信号端子25及び第1信号経路51Aを介して伝送される。電源信号DCは、電源端子24及び電源信号経路53Aを介して伝送される。
(第1変形例)
図7は、第2実施形態の第1変形例に係る高周波モジュールの構成を説明するための断面図である。本変形例では、上記第2実施形態とは異なり、高周波モジュール1Bが、グランド層26、61、62を有する構成について説明する。
グランド層26は、第1基板2Bの内層に設けられている。グランド層26は、ビア29aを介して基板間接続部材72Cの第1基板2B側の端部と接続される。また、グランド層26は、ビア29bを介して第2主面S2Bに設けられたグランド層21と接続される。信号端子25と、電源端子24との間にグランド層26が配置される。これにより、高周波モジュール1Bにおいて、各種高周波信号を伝送する信号端子25及び第1信号経路51Aと、電源端子24とがグランド層26により分離される。
また、グランド端子23には、それぞれバンプ29が設けられている。高周波モジュール1Bは、バンプ29を介してマザーボードに実装可能である。バンプ29は、例えば半田バンプである。
グランド層61及びグランド層62は、第2基板6Aの内層に設けられている。グランド層61とグランド層62とは、異なる層に設けられ、互いに重なって配置される。グランド層61は、第3主面S3Aに垂直な方向において、アンテナ4と第1信号経路51Aとの間、かつ、アンテナ4と電源信号経路53Aとの間に設けられている。
グランド層62は、第3主面S3Aに垂直な方向において、電源信号経路53Aと第1信号経路51Aとの間、かつ、電源信号経路53Aとアンテナ4との間に設けられている。グランド層61とグランド層62とは、ビア69a、69cを介して電気的に接続される。グランド層62は、ビア69bを介して基板間接続部材72Cの第2基板6A側の端部と接続される。また、グランド層62は、ビア69dを介して電子部品グランド端子37と接続される。このようにグランド層61、62を設けることにより、アンテナ4から放射される信号と、各種高周波信号と、電源信号DCの結合を抑制できる。
なお、第1信号経路51A、第2信号経路52A及び電源信号経路53Aは、グランド層26、61、62と離隔して設けられる。例えば、グランド層26には開口26aが設けられており、電源信号経路53Aのビア28eは、開口26aを通って電源端子24に接続される。また、グランド層61、62には、それぞれ開口61a、62aが設けられており、第2信号経路52Aのビア68fは、開口61a、62aを通って第2高周波端子35と接続される。
グランド層26は、第1基板2Bの略全面と重なる領域に設けられる。グランド層61、62は、第2基板6Aの略全面と重なる領域に設けられる。これに限定されず、グランド層26、61、62は、部分的に設けられていてもよい。
(第3実施形態)
図8は、第3実施形態に係る高周波モジュールの斜視図である。図9は、第3実施形態に係る高周波モジュールの構成を説明するための断面図である。なお、図8では、各構成要素の関係を見やすくするため、第1信号経路51、第2信号経路52及び電源信号経路53等に含まれる各種配線やビア等を省略して示す。
第3実施形態では、上記第1実施形態及び第2実施形態とは異なり、高周波モジュール1Cの第1基板220が屈曲している構成について説明する。第1基板220は、平板状の部分291(第1部分)と、部分292(第2部分)と、平板状の部分293(第3部分)とを有する。部分292は、部分291と部分293との間に設けられ、部分291及び部分293よりも薄い。第1基板220は、部分292において屈曲している。
第1基板220は、誘電体層221(第1誘電体層)と、誘電体層222(第2誘電体層)と、誘電体層223とを含む。誘電体層221は、部分291から部分293に亘って形成されている。誘電体層221は、柔軟性のある素材(フレキシブル素材)から形成されている。誘電体層221は、部分292において屈曲している。誘電体層222は、部分291に形成されている。誘電体層223は、部分293に形成されている。なお、第1基板220は、一体の誘電体から形成されていてもよい。
複数の放射素子41は、部分293の第3主面S13に設けられる。複数の放射素子41は、Y方向に配列され、かつ、Z方向に配列される。複数の放射素子41の法線方向はX方向(-X方向)である。
グランド層232は、部分291から部分293に亘って誘電体層221に形成されている。誘電体層223は、部分293においてグランド層232を覆い、部分293の第4主面S14を構成する。グランド層232は、ビアを介してグランド層21に接続されている。グランド層232は、X方向において、複数の放射素子41と対向している。
高周波電子部品3及び信号端子25は、部分291の第1主面S11に設けられる。第1信号経路51は、部分291に設けられ、高周波電子部品3と信号端子25とを接続している。グランド端子23及び電源端子24は、部分291の第2主面S12に設けられる。電源信号経路53は、部分291を貫通して、高周波電子部品3と電源端子24とを接続している。
第2信号経路52は、部分291から部分293に亘って設けられ、高周波電子部品3と複数の放射素子41とを接続している。高周波電子部品3は、第2信号経路52を介して複数の放射素子41に高周波信号をそれぞれ供給する。高周波電子部品3は、第2信号経路52を介して複数の放射素子41から高周波信号をそれぞれ受ける。
高周波モジュール1Cにおいては、第1基板220が部分292において屈曲している。このため、複数の放射素子41の法線方向が、部分291の第1主面S11と平行方向に向けられる。第3実施形態では、第1実施形態及び第2実施形態とは励振方向が異なる偏波を有する高周波信号の送信及び受信を行うことができる。
また、高周波モジュール1Cにおいては、誘電体層221がフレキシブル素材から形成されているため、屈曲している部分292において発生する応力を低減することができる。そのため、部分291及び部分293において、第1基板220の表面の平面性を維持することができる。そのため、複数の放射素子41の法線方向が所望の方向からずれることを抑制することができる。その結果、第1基板220を屈曲することによる高周波モジュール1Cの特性の低下を抑制することができる。
(第2変形例)
図10は、第3実施形態の第2変形例に係る高周波モジュールの構成を説明するための断面図である。図10に示すように、第2変形例の高周波モジュール1Dは、アンテナ4に加えアンテナ4Aを有する。アンテナ4の複数の放射素子41は、部分293の第3主面S13に設けられる。アンテナ4Aの複数の放射素子42は、部分291の第1主面S11に設けられる。複数の放射素子42は、第1主面S11において、高周波電子部品3と部分292との間の領域に設けられる。ただし、複数の放射素子42の配置は、これに限定されず、第1主面S11の高周波電子部品3及び信号端子25と重ならない領域に設けることができる。複数の放射素子41及び複数の放射素子42は、それぞれ第2信号経路52を介して高周波電子部品3に接続される。
第2変形例の高周波モジュール1Dにおいて、複数の放射素子41の法線方向はX方向に向けられ、複数の放射素子42の法線方向はZ方向に向けられる。複数の放射素子41及び複数の放射素子42は、それぞれ異なる励振方向の偏波を有する高周波信号の送信及び受信が可能である。このため、高周波モジュール1Dは、上述した第1実施形態から第3実施形態に比べて高周波信号の送信及び受信のカバレッジの範囲を拡大することができる。
なお、上記した実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更/改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。
高周波モジュール1、1A、1B、1C、1D及び通信装置100は、下記の態様をとることができる。
(1)本発明の一側面の高周波モジュールは、第1主面と、前記第1主面と反対側の第2主面とを有する第1基板と、
前記第1主面に設けられ、外部回路との間で信号を伝送する信号端子と、
前記第2主面に設けられ、電源信号が供給される電源端子と、
アンテナと、
前記信号端子、前記電源端子及び前記アンテナと電気的に接続され、前記信号及び前記電源信号に基づいて、前記アンテナの送受信を制御する高周波電子部品と、を有する。
これによれば、高周波信号を伝送する信号端子と、電源端子とが分離され、第1主面と第2主面に分かれている。このため、単一の伝送線路を介して各種高周波信号及び電源信号を伝送する場合に比べて、高周波電子部品の電源ラインに高周波信号が結合することを抑制できる。この結果、高周波モジュールは、不要な高周波信号の発振を抑制できる。さらに、高周波信号と電源信号を分離するためのバイアスT回路等の回路を設ける必要がない。このため、高周波モジュールは、回路規模を抑制することができる。また、高周波モジュールは、バイアスT回路等での高周波信号の信号品位の低下や、スプリアスの発生を抑制できる。
(2)前記アンテナ及び前記高周波電子部品は、前記第1基板に対して前記電源端子の反対側に設けられる、
上記(1)に記載の高周波モジュール。
これによれば、第2主面を、携帯無線端末等のマザーボードに容易に実装可能である。また、高周波モジュールがマザーボード上に実装された場合に、電源信号はマザーボードを介して供給される。この場合、電源信号を供給するためのケーブルが不要であり、高周波モジュールの構成が簡便になる。また、電源信号供給用のケーブルがないため、ケーブルがアンテナとして動作することを抑制できる。このため、高周波モジュールは、ケーブルの存在に起因するアンテナ特性の劣化を抑制できる。
(3)前記第1基板の前記第2主面に設けられ、グランドに接続される複数のグランド端子を有し、
前記電源端子は、隣り合う複数のグランド端子の間に配置される、
上記(1)又は上記(2)に記載の高周波モジュール。
隣り合う複数のグランド端子の間に電源端子が配置されることにより、シールドとして働いて、高周波モジュールは、電源信号と高周波信号の結合を抑制できる。また、高周波モジュールは、電源ラインに重畳する低周波ノイズの外部への放射を抑制できる。
(4)前記アンテナ及び前記高周波電子部品は、前記第1基板の前記第1主面に設けられ、
前記高周波電子部品と前記信号端子とは、前記第1基板に設けられた第1信号経路を介して電気的に接続され、
前記高周波電子部品と前記電源端子とは、前記第1基板を通り、一端が前記第1主面に配置され、他端が前記第2主面に配置される電源信号経路を介して電気的に接続される、
上記(1)から上記(3)のいずれか1つに記載の高周波モジュール。
これによれば、中間周波数信号、局部発振信号、制御信号等の高周波信号は、信号端子及び第1信号経路を介して伝送される。また、電源信号は、電源端子及び電源信号経路を介して伝送される。すなわち、各種高周波信号と電源信号とは、異なる経路で、基板の別の面に配置された端子から伝送される。この結果、高周波モジュールは、高周波電子部品の電源ライン(電源信号経路)に高周波信号が結合することを抑制できる。
(5)第3主面と、前記第3主面と反対側の第4主面とを有し、前記第4主面が前記第1基板の前記第1主面と対向して配置された第2基板を有し、
前記アンテナは、前記第2基板の前記第3主面に設けられ、
前記高周波電子部品は、前記第4主面に設けられ、
前記高周波電子部品と前記信号端子とは、前記第1基板と前記第2基板とを電気的に接続する第1信号経路を介して接続され、
前記高周波電子部品と前記電源端子とは、少なくとも記第1基板の内部を通り、前記第1基板と前記第2基板とを電気的に接続する電源信号経路を介して接続される、
上記(1)から上記(3)のいずれか1つに記載の高周波モジュール。
これによれば、アンテナは第2基板に設けられ、信号端子及び電源端子は第1基板に設けられる。このため、アンテナから放射される信号と電源信号の結合を抑制できる。また、アンテナの少なくとも一部分は、平面視で、高周波電子部品と重なる位置に配置できる。このため、高周波モジュールの平面視での面積を小さくして、小型化が可能である。
(6)前記第1基板と前記第2基板との間に充填され、前記高周波電子部品を封止するモールド部材を有し、
前記信号端子は、前記第1主面の、前記モールド部材が設けられていない部分に配置される、
上記(5)に記載の高周波モジュール。
これによれば、モールド部材により高周波電子部品を保護するとともに、外部回路と信号端子との接続が容易である。
(7)前記第1基板は、平板状の第1部分、第3部分及び前記第1部分と前記第3部分との間に設けられ前記第1部分よりも薄い第2部分を有し、
前記第1基板は、前記第2部分において屈曲しており、
前記高周波電子部品及び前記信号端子は、前記第1部分の前記第1主面に設けられ、
前記電源端子は、前記第1部分の前記第2主面に設けられ、
前記アンテナは、前記第3部分の第3主面に設けられる、
上記(1)に記載の高周波モジュール。
これによれば、複数の放射素子41の法線方向が、部分291の第1主面S11と平行方向に向けられる。このため、複数の放射素子41が高周波電子部品3と同じ第1主面S11に設けられた場合に比べて、異なる励振方向の偏波を有する高周波信号の送信及び受信が可能である。
(8)前記アンテナは、さらに、前記第1部分の前記第1主面に設けられる、
上記(7)に記載の高周波モジュール。
これによれば、アンテナ4の各放射素子41と、アンテナ4Aの各放射素子42とは、互いに異なる方向の法線方向が向けられる。したがって、複数の放射素子41及び複数の放射素子42は、それぞれ異なる励振方向の偏波を有する高周波信号の送信及び受信が可能である。このため、高周波モジュール1Dは、高周波信号の送信及び受信のカバレッジの範囲を拡大することができる。
(9)前記アンテナは、複数の放射素子が配列されたアレイアンテナであり、
複数の放射素子のそれぞれは、第2信号経路を介して前記高周波電子部品と接続される、
上記(1)から上記(8)のいずれか1つに記載の高周波モジュール。
これによれば、高周波モジュールは、放射素子の配置や、励振される高周波信号の振幅、位相を制御することにより、所望の放射パターン(指向性)が得られる。
(10)上記(1)から上記(9)のいずれか1つに記載の高周波モジュールと、
ケーブルを介して前記信号端子と接続されたベースバンドモジュールと、を有する、
通信装置。
これによれば、各種高周波信号は、単一のケーブルを介して信号端子に供給される。また、電源信号は、例えば、マザーボードを介して電源端子に供給される。すなわち、通信装置において、各種高周波信号と電源信号とは、異なる経路で高周波モジュールに伝送される。この結果、通信装置は、高周波電子部品の電源ラインに高周波信号が結合することを抑制できる。
1、1A、1B、1C、1D 高周波モジュール
2、2A、2B、220 第1基板
3 高周波電子部品
4、4A アンテナ
6、6A 第2基板
21、26、61、62 グランド層
22 絶縁層
23 グランド端子
24 電源端子
25 信号端子
29 バンプ
31 送信回路
32 受信回路
33 電力増幅回路
34 第1高周波端子
35 第2高周波端子
36 電子部品電源端子
41、42 放射素子
51、51A 第1信号経路
52、52A 第2信号経路
53、53A 電源信号経路
71 モールド部材
72 基板間接続部材
100 通信装置
101 ベースバンドモジュール
221、222、223 誘電体層
291、292、293 部分
S1、S1A、S11 第1主面
S2、S2A、S12 第2主面
S3、S13 第3主面
S4、S14 第4主面

Claims (8)

  1. 第1主面と、前記第1主面と反対側の第2主面とを有する第1基板と、
    前記第1主面に設けられ、外部回路との間で信号を伝送する信号端子と、
    前記第2主面に設けられ、電源信号が供給される電源端子と、
    アンテナと、
    前記信号端子、前記電源端子及び前記アンテナと電気的に接続され、前記信号及び前記電源信号に基づいて、前記アンテナの送受信を制御する高周波電子部品と、を有し、
    前記アンテナは、複数の放射素子が配列されたアレイアンテナであり、
    前記アンテナ及び前記高周波電子部品は、前記第1基板の前記第1主面に設けられ、
    前記高周波電子部品と前記信号端子とは、前記第1基板に設けられた第1信号経路を介して電気的に接続され、
    複数の放射素子のそれぞれは、前記第1基板に設けられた第2信号経路を介して前記高周波電子部品と接続され、
    前記高周波電子部品と前記電源端子とは、前記第1基板を通り、一端が前記第1主面に配置され、他端が前記第2主面に配置される電源信号経路を介して電気的に接続され、
    前記第1基板の前記第1主面で、前記第1主面に平行な方向に沿って前記アンテナ、前記高周波電子部品、前記信号端子の順に並んで配置され、
    前記第1基板の内部で、前記第1主面に平行な方向に沿って前記第2信号経路、前記電源信号経路、前記第1信号経路の順に並んで配置される
    高周波モジュール。
  2. 前記第1基板の前記第2主面に設けられ、グランドに接続される複数のグランド端子を有し、
    前記電源端子は、隣り合う複数のグランド端子の間に配置される、
    請求項1に記載の高周波モジュール。
  3. 第1主面と、前記第1主面と反対側の第2主面とを有する第1基板と、
    前記第1主面に設けられ、外部回路との間で信号を伝送する信号端子と、
    前記第2主面に設けられ、電源信号が供給される電源端子と、
    アンテナと、
    前記信号端子、前記電源端子及び前記アンテナと電気的に接続され、前記信号及び前記電源信号に基づいて、前記アンテナの送受信を制御する高周波電子部品と、
    第3主面と、前記第3主面と反対側の第4主面とを有し、前記第4主面が前記第1基板の前記第1主面と対向して配置された第2基板を有し、
    前記アンテナは、前記第2基板の前記第3主面に設けられ、
    前記高周波電子部品は、前記第4主面に設けられ、
    前記高周波電子部品と前記信号端子とは、前記第1基板と前記第2基板とを電気的に接続する第1信号経路を介して接続され、
    前記高周波電子部品と前記電源端子とは、少なくとも記第1基板を通り、前記第1基板と前記第2基板とを電気的に接続する電源信号経路を介して接続される、
    周波モジュール。
  4. 前記第1基板と前記第2基板との間に充填され、前記高周波電子部品を封止するモールド部材を有し、
    前記信号端子は、前記第1主面の、前記モールド部材が設けられていない部分に配置される、
    請求項に記載の高周波モジュール。
  5. 第1主面と、前記第1主面と反対側の第2主面とを有する第1基板と、
    前記第1主面に設けられ、外部回路との間で信号を伝送する信号端子と、
    前記第2主面に設けられ、電源信号が供給される電源端子と、
    アンテナと、
    前記信号端子、前記電源端子及び前記アンテナと電気的に接続され、前記信号及び前記電源信号に基づいて、前記アンテナの送受信を制御する高周波電子部品と、を有し、
    前記第1基板は、平板状の第1部分、第3部分及び前記第1部分と前記第3部分との間に設けられ前記第1部分よりも薄い第2部分を有し、
    前記第1基板は、前記第2部分において屈曲しており、
    前記高周波電子部品及び前記信号端子は、前記第1部分の前記第1主面に設けられ、
    前記電源端子は、前記第1部分の前記第2主面に設けられ、
    前記アンテナは、前記第3部分の第3主面に設けられる、
    周波モジュール。
  6. 前記アンテナは、さらに、前記第1部分の前記第1主面に設けられる、
    請求項に記載の高周波モジュール。
  7. 前記アンテナは、複数の放射素子が配列されたアレイアンテナであり、
    複数の放射素子のそれぞれは、第2信号経路を介して前記高周波電子部品と接続される、
    請求項から請求項のいずれか1項に記載の高周波モジュール。
  8. 請求項1から請求項のいずれか1項に記載の高周波モジュールと、
    ケーブルを介して前記信号端子と接続されたベースバンドモジュールと、を有する、
    通信装置。
JP2020506469A 2018-03-14 2019-03-08 高周波モジュール及び通信装置 Active JP7056727B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018047316 2018-03-14
JP2018047316 2018-03-14
PCT/JP2019/009361 WO2019176778A1 (ja) 2018-03-14 2019-03-08 高周波モジュール及び通信装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2019176778A1 JPWO2019176778A1 (ja) 2021-03-11
JP7056727B2 true JP7056727B2 (ja) 2022-04-19

Family

ID=67907118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020506469A Active JP7056727B2 (ja) 2018-03-14 2019-03-08 高周波モジュール及び通信装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11532895B2 (ja)
JP (1) JP7056727B2 (ja)
CN (1) CN111869114B (ja)
WO (1) WO2019176778A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7145402B2 (ja) * 2019-01-30 2022-10-03 株式会社村田製作所 アンテナモジュール及びアンテナ機器
JP2021057867A (ja) * 2019-10-02 2021-04-08 株式会社村田製作所 通信モジュール
US11876059B2 (en) * 2021-05-17 2024-01-16 Nxp Usa, Inc. Semiconductor device with directing structure and method therefor
CN115001538B (zh) * 2022-08-03 2022-10-25 南京尤尼泰信息科技有限公司 一种用于供电与多信号共线同传的传输设备及传输方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235447A (ja) 2007-03-19 2008-10-02 Mitsubishi Electric Corp 送受信モジュール
WO2012081288A1 (ja) 2010-12-17 2012-06-21 株式会社村田製作所 高周波用パッケージ
JP2014096667A (ja) 2012-11-08 2014-05-22 Murata Mfg Co Ltd モジュール

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7769355B2 (en) * 2005-01-19 2010-08-03 Micro Mobio Corporation System-in-package wireless communication device comprising prepackaged power amplifier
JP2012182682A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Nec Corp 高周波装置及び高周波モジュール
JP2012243800A (ja) * 2011-05-16 2012-12-10 Elpida Memory Inc 半導体装置
US8670322B2 (en) 2011-06-06 2014-03-11 Wilocity, Ltd. Single transmission line for connecting radio frequency modules in an electronic device
JP5594318B2 (ja) * 2012-05-24 2014-09-24 株式会社村田製作所 スイッチモジュール
JP6402962B2 (ja) 2013-07-17 2018-10-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 高周波モジュール
JP5505915B1 (ja) * 2013-10-30 2014-05-28 太陽誘電株式会社 通信モジュール
WO2016056387A1 (ja) 2014-10-07 2016-04-14 株式会社村田製作所 高周波通信モジュール及び高周波通信装置
CN107113019B (zh) * 2014-12-25 2019-06-21 株式会社村田制作所 高频模块
JP6358238B2 (ja) * 2015-11-18 2018-07-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2017098741A1 (ja) * 2015-12-07 2017-06-15 三菱電機株式会社 マイクロ波モジュール
CN109643846B (zh) * 2016-08-24 2021-02-23 株式会社村田制作所 天线模块
JP6524985B2 (ja) * 2016-08-26 2019-06-05 株式会社村田製作所 アンテナモジュール
US10826193B2 (en) * 2017-07-28 2020-11-03 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Antenna module including a flexible substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235447A (ja) 2007-03-19 2008-10-02 Mitsubishi Electric Corp 送受信モジュール
WO2012081288A1 (ja) 2010-12-17 2012-06-21 株式会社村田製作所 高周波用パッケージ
JP2014096667A (ja) 2012-11-08 2014-05-22 Murata Mfg Co Ltd モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
CN111869114A (zh) 2020-10-30
JPWO2019176778A1 (ja) 2021-03-11
US11532895B2 (en) 2022-12-20
WO2019176778A1 (ja) 2019-09-19
US20200395681A1 (en) 2020-12-17
CN111869114B (zh) 2022-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7056727B2 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
US10498025B2 (en) Wireless communication module
EP1515389B1 (en) Multilayer high frequency device with planar antenna thereon and manufacturing method thereof
EP0766410B1 (en) Ultra high frequency radio communication apparatus
US8922425B2 (en) Waveguide structure, high frequency module including waveguide structure, and radar apparatus
JP3649168B2 (ja) Rf回路一体型アンテナおよびそれを用いたアンテナモジュールおよびそれを備えた通信機
JP7115568B2 (ja) アンテナモジュール及び通信装置
JP6981550B2 (ja) アンテナモジュール及び通信装置
KR20200073572A (ko) 안테나 모듈 및 이를 포함하는 전자기기
US20220181766A1 (en) Antenna module and communication device equipped with the same
CN112640209A (zh) 天线模块以及搭载有该天线模块的通信装置
JP6139585B2 (ja) 高周波モジュール及びマイクロ波送受信装置
CN112652878A (zh) 片式天线
JP5444915B2 (ja) 高周波モジュール及び高周波モジュールの製造方法
US20220181781A1 (en) Antenna module, communication device mounting the same, and circuit board
KR20210038529A (ko) 안테나 모듈 및 이를 포함하는 전자기기
WO2022215547A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2023223952A1 (ja) 高周波モジュール
WO2021240861A1 (ja) 無線通信モジュール
JP4569590B2 (ja) 送受信モジュール
JP2020195018A (ja) 通信モジュール
JP2012109316A (ja) 集積回路搭載基板モジュール
KR20200120464A (ko) 칩 안테나 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200903

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200903

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211011

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220308

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220321

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7056727

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150