JP2012109316A - 集積回路搭載基板モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】半導体集積回路の特性を良好に維持しつつ、全体を小型で安価に製造可能な集積回路搭載基板モジュールを提供する。
【解決手段】ＭＭＩＣ１は、第一接続バンプ３及び第一バンプパッド４を介して、第一基板２にフリップチップ実装されている。ＭＭＩＣ１が実装された第一基板２は、第二接続バンプ７及び第二バンプパッド８ａ，８ｂを介して、第二基板６にフリップチップ実装されている。第一基板２においては、ＭＭＩＣ１が実装される部分において、凹部を備えている。当該凹部は、実装されるＭＭＩＣ１の外周よりも一回り小さい外周を有している。その深さは、ＭＭＩＣ１を第一接続バンプ３を介して実装した場合に、そのＭＭＩＣ１の外周面が丁度、第一基板２に当接するような深さである。つまり、ＭＭＩＣ１を第一基板２に実装したときに、それらの間に封止空隙５が形成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、集積回路搭載基板モジュールに関し、特に、ミリ波帯で動作する集積回路が搭載された集積回路基板モジュールに関する。

無線通信機器の小型化、低コスト化の要求から、無線送受信に必要な回路をワンチップに搭載した集積回路（以下、ＩＣと称す）の開発が進んでいる。

一方、各種周波数帯域の中でも、ミリ波帯を利用した無線通信は、広い帯域幅を使えるため高速大容量通信が可能である。しかしながら、従来においては、ミリ波帯の通信では、化合物半導体が用いられ、モジュールの価格が高価だったことから、ミリ波を利用した民生用製品は広く普及することはなかった。ところが、近年、コスト性に優れた相補型金属酸化膜半導体（以下、ＣＭＯＳと称す）がミリ波帯で利用できるようになり、モジュールの大幅なコストダウンが見込まれ、ミリ波を用いた民生用製品の大きな市場が形成されることが期待されている。

上述のミリ波帯を利用した無線通信用の集積回路、すなわちモノリシックマイクロ波集積回路（以下、ＭＭＩＣと称す）が搭載された積層基板を備えたＩＣパッケージが、例えば特許文献１に開示されている。

特許文献１に開示されたＩＣパッケージにおいては、上層、中間層、下層の三層からなる基板の下層に対して、ＭＭＩＣがフェースダウンでフリップチップ実装されており、上層にミリ波アンテナアレイが埋め込まれている。また、基板の下層に搭載されたボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）ボールを介して、その基板が、プリント回路基板（ＰＣＢ）に搭載されている。

ここで、特許文献１においては、ＭＭＩＣは、フリップチップバンプを介して基板に実装されており、更に、フリップチップバンプを含む、ＭＭＩＣと基板の間の空間はアンダーフィルにより充填されている（段落００２１、Ｆｉｇ．１）。

ところで、実装前に行われるＭＭＩＣの検証は、ＭＭＩＣの回路面が空間に開放された状態で行われる。そのため、検証されたＭＭＩＣの特性が実装後においても良好に維持されるためには、実装後もその回路面が空間に開放されている必要がある。例えば樹脂などが面する状況となると、空間に開放されている場合と比較して電磁界が変化するからである。

しかしながら、特許文献１に開示されたＩＣパッケージにおいては、前述のようにＭＭＩＣの回路面はアンダーフィルにより封着されているため、ＭＭＩＣの特性が良好に維持されない可能性があるという課題がある。

一方、ＭＭＩＣ内の無線送受信回路においては、電力増幅器のように大きな電流を消費する回路では熱が発生し、ＭＭＩＣ全体の特性が不安定になるため、デバイスの信頼性を確保するためには、ＭＭＩＣから発生する熱を放熱する必要がある。

米国特許出願公開第２００８／０２９１１１５号明細書

本発明は上述のような事情から為されたものであり、本発明の目的は、半導体集積回路の特性を良好に維持しつつ、全体を小型で安価に製造可能な集積回路搭載基板モジュールを提供することにある。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の集積回路搭載基板モジュールは、一方の面に、半導体集積回路の回路面が対向するように実装された第一基板と、一方の面に、前記半導体集積回路が対向する向きで前記第一基板が実装された第二基板と、を備えた集積回路搭載基板モジュールであって、前記第一基板の一方の面の前記回路面に対応する部分に、凹部が形成され、前記半導体集積回路の外周部分が、前記凹部の境界外側の、前記一方の面の部分と当接することにより、前記回路面が一面を画定する封止空隙が形成されることを要旨とする。

請求項２に記載の集積回路搭載基板モジュールは、請求項１に記載の集積回路搭載基板モジュールにおいて、前記第一基板の一方の面と、前記第二基板の一方の面の間に、前記半導体集積回路を覆うように注入された熱伝導性樹脂を更に備えることを要旨とする。

請求項３に記載の集積回路搭載基板モジュールは、請求項２に記載の集積回路搭載基板モジュールにおいて、前記第二基板の他方の面に形成された放熱体と、前記第二基板を貫通し、前記放熱体と前記熱伝導性樹脂を連通するように形成され、前記熱伝導性樹脂が充填される孔と、を更に備えることを要旨とする。
請求項４に記載の集積回路搭載基板モジュールは、請求項３に記載の集積回路搭載基板モジュールにおいて、前記熱伝導性樹脂は、熱伝導性絶縁樹脂であることを要旨とする。
請求項５に記載の集積回路搭載基板モジュールは、請求項３に記載の集積回路搭載基板モジュールにおいて、前記熱伝導性樹脂は、熱伝導性導電樹脂であることを要旨とする。

請求項６に記載の集積回路搭載基板モジュールは、請求項２に記載の集積回路搭載基板モジュールにおいて、前記第二基板の他方の面に形成された第一放熱体と、前記第二基板の一方の面に面一で埋め込まれた第二放熱体と、前記第二基板を貫通し、前記第一放熱体と前記第二放熱体を連通するように形成され、金属が充填される孔と、を更に備え、前記半導体集積回路の回路面と反対の面が、前記第二放熱体の面一の面と接していることを要旨とする。

請求項７に記載の集積回路搭載基板モジュールは、請求項２に記載の集積回路搭載基板モジュールにおいて、前記第二基板の前記半導体集積回路に対応する部分はくり貫かれ、前記第二基板の一方の面と面一に構成された放熱体を備え、前記半導体集積回路の回路面と反対の面が、前記放熱体の面一の面と接していることを要旨とする。

請求項８に記載の集積回路搭載基板モジュールは、請求項１乃至７のいずれかに記載の集積回路搭載基板モジュールにおいて、前記第一基板は、前記第二基板に対して、接続バンプを介してフリップチップ実装されていることを要旨とする。

請求項９に記載の集積回路搭載基板モジュールは、請求項５に記載の集積回路搭載基板モジュールにおいて、前記第一基板は、前記第二基板に対して、接続バンプを介してフリップチップ実装され、前記熱伝導性導電樹脂を前記接続バンプから隔絶する隔壁を更に備えることを要旨とする。

請求項１０に記載の集積回路搭載基板モジュールは、請求項５に記載の集積回路搭載基板モジュールにおいて、前記半導体集積回路は、ミリ波帯で動作する集積回路であることを要旨とする。

請求項１１に記載の集積回路搭載基板モジュールは、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の集積回路搭載基板モジュールにおいて、前記第一基板の他方の面にアンテナを備えることを要旨とする。

請求項１に記載の集積回路搭載基板モジュールによれば、半導体集積回路は、封止空隙に面しているため、その周辺電磁界が乱されることはなく、その特性が良好に維持される。

請求項２に記載の集積回路搭載基板モジュールによれば、請求項１に記載の集積回路搭載基板モジュールの効果に加えて、半導体集積回路で発生した熱を効率的に放熱すると共に、半導体集積回路を外気から遮断し、湿度などの影響によるデバイスの信頼性低下を防止できる。かつ安価でかかる効果を実現できる。

請求項３乃至５に記載の集積回路搭載基板モジュールによれば、請求項２に記載の集積回路搭載基板モジュールの効果に加えて、半導体集積回路で発生した熱を更に効率よく放出できる。

請求項６に記載の集積回路搭載基板モジュールによれば、請求項２に記載の集積回路搭載基板モジュールの効果に加えて、更に効率よく、半導体集積回路で発生した熱を放出できる。

請求項７に記載の集積回路搭載基板モジュールによれば、請求項２に記載の集積回路搭載基板モジュールの効果に加えて、半導体集積回路に直接的に接触した放熱体から、半導体集積回路で発生した熱を、直接的に放出できる。

請求項８に記載の集積回路搭載基板モジュールによれば、請求項１乃至７のいずれかに記載の集積回路搭載基板モジュールの効果に加えて、フリップチップ実装に適用できる。

請求項９に記載の集積回路搭載基板モジュールによれば、請求項５に記載の集積回路搭載基板モジュールの効果に加えて、熱伝導性導電樹脂を接続バンプから隔絶して、誤動作を防止することができる。

請求項１０に記載の集積回路搭載基板モジュールによれば、請求項１乃至９のいずれかに記載の集積回路搭載基板モジュールの効果に加えて、ミリ波帯で動作する集積回路に適用できる。

請求項１１に記載の集積回路搭載基板モジュールによれば、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の集積回路搭載基板モジュールの効果に加えて、アンテナによる外部回路との無線信号の送受信を行うことができる。

本発明の第一実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図。 本発明の第二実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図。 本発明の第三実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図。 本発明の第四実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図。 本発明の第五実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図。 本発明の第六実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図。 本発明の第七実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
＜第一実施形態＞
図１は、本発明の第一実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図である。
図１に示された集積回路搭載基板モジュールは、ＭＭＩＣ１と、第一基板２と、第一接続バンプ３と、第一バンプパッド４と、封止空隙５と、第二基板６と、第二接続バンプ７と、第二バンプパッド８ａ，８ｂとで構成されている。ここで、第一基板２としては、例えば、多層配線基板が好適に用いられる。

次に、上記各構成について、接続及び機能を詳述する。
ＭＭＩＣ１は、ＣＭＯＳプロセスによりシリコン基板上にミリ波帯での送受信回路が形成されたＩＣであり、第一接続バンプ３及び第一バンプパッド４を介して、第一基板２にフリップチップ実装されている。第一接続バンプ３及び第一バンプパッド４は、電気的にも、ＭＭＩＣ１と第一基板２との間を導通させる役割をしており、ＭＭＩＣ１の配線と第一基板２の配線の間で電気信号のやり取りが可能となっている。

なお、第一基板２は、例えば、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）を用いた多層セラミック基板や、ウェハーレベルパッケージ（ＷＬＰ）により第一層を形成したシリコン基板などである。また、第一接続バンプ３は、例えば金（Ａｕ）めっきバンプ、金スタッドバンプ、はんだバンプなどにより形成される。更に、第一バンプパッド４は、例えばめっきによる銅（Ｃｕ）、金などから形成される。

また、上述のようにＭＭＩＣ１が実装された第一基板２は、第二接続バンプ７及び第二バンプパッド８ａ，８ｂを介して、第二基板６にフリップチップ実装されている。第二接続バンプ７及び第二バンプパッド８ａ，８ｂは、電気的にも、第一基板２と第二基板６との間を導通させる役割をしており、第一基板２の配線と第二基板６の配線の間で電気信号のやり取りが可能となっている。

なお、第二基板６は、例えば、回路が形成されたプリント基板やフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、インターポーザー基板などである。第二基板６は、ＭＭＩＣ１に対して制御信号などを供給する回路を有している一方で、この集積回路搭載基板モジュールと他の外部モジュールなどとの間で電気信号のやり取りを行う回路を有している。また、第二接続バンプ７は、例えばはんだバンプにより形成される。更に、第二バンプパッド８ａは、例えばめっきによる銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などから形成され、第二バンプパッド８ｂは、例えばめっきによる銅（Ｃｕ）から形成される。

そこで、第一基板２においては、ＭＭＩＣ１が実装される部分において、凹部を備えている。詳細には、当該凹部は、実装されるＭＭＩＣ１の外周よりも一回り小さい外周を有している。また、その深さは、ＭＭＩＣ１を第一接続バンプ３を介して実装した場合に、図に示すように、そのＭＭＩＣ１の外周面が丁度、第一基板２に当接するような深さである。言い換えれば、ＭＭＩＣ１を第一基板２に実装したときに、それらの間に封止空隙５が形成するようになっている。

従って、ＭＭＩＣ１の回路面は封止空隙５に面しており、外部から異物などが混入する可能性もなく、その封止空隙５の部分の電磁界が外乱により変化することもないことから、ＭＭＩＣ１の実装後も、その特性は良好に維持される。

＜第二実施形態＞
図２は、本発明の第二実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図である。なお、第一実施形態と同一構成部に対しては、同一符号を付し、その説明は省略する。
図２に示すように、第一実施形態と異なる点は、第一基板２を第二基板６に実装した後、それらの間に側方から注入される熱伝導性絶縁樹脂９を更に備える点である。熱伝導性絶縁樹脂９は、ＭＭＩＣ１で発生した熱を効率的に放熱すると共に、ＭＭＩＣ１を外気から遮断し、湿度などの影響によるデバイスの信頼性低下を防止する役割を果たす。なお、この熱伝導性絶縁樹脂９の熱伝導率は、好適には、３．０Ｗ／（ｍ・ｋ）程度である。

ここで、この第二実施形態においても、第一実施形態と同様、封止空隙５は、外部に対して封止されているので、ＭＭＩＣ１の回路面以外の部分は熱伝導性絶縁樹脂９により覆われるものの、熱伝導性絶縁樹脂９が封止空隙５に入り込むことはなく、よって、熱伝導性絶縁樹脂９によっても電磁界が乱されることはなく、ＭＭＩＣ１の実装後も、その特性は良好に維持される。

以上から、第二実施形態においては、第一実施形態の効果に加えて、ＭＭＩＣ１で発生した熱を効率的に放熱すると共に、ＭＭＩＣ１を外気から遮断し、湿度などの影響によるデバイスの信頼性低下を防止できるという効果がある。しかも、安価でかかる効果を実現化できる。

＜第三実施形態＞
図３は、本発明の第三実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図である。なお、第二実施形態と同一構成部に対しては、同一符号を付し、その説明は省略する。
図３に示すように、第二実施形態と異なる点は、例えばレーザーなどにより第二基板６に貫通孔として形成されたスルーホールビア１０と、効率的に放熱するためのヒートシンク１１とを更に備えた点にある。ここで、ヒートシンク１１は、第二基板６の裏面（第一基板２と対向する面の反対面）に例えば銅、金などのめっきにより形成されるか、又は銅、金などの板状の金属を第二基板６の裏側に貼り付けることにより形成される。

第二基板６に貫通孔として形成されたスルーホールビア１０には、熱を効果的にヒートシンク１１に伝導させるために熱伝導物質からなる熱伝導路が形成されている。熱伝導路は、スルーホールビア１０内に導電性物質を完全に充填した熱伝導路とすることで、効果的に熱伝導を行うことができる。あるいは、スルーホールビア１０の内壁面に沿って形成された熱伝導路とすることで、第二基板６の曲げ変形に対して強固な熱伝導路とすることができる。熱伝導性物質としては、例えば金属を利用することができる。第二基板６に、レーザー照射やプラズマエッチングなどによりスルーホールビア１０を形成した後、前記スルーホールビア１０内にスパッタリング法やめっき法などの技術を用いて金属を導入することができる。金属を用いることによって、スルーホールビア１０を放熱経路としてだけでなく、電気配線路としても利用することができる。

また、熱伝導性物質として、熱伝導性樹脂を利用してもよい。第一基板２と第二基板６との間に形成する熱伝導性絶縁樹脂９を同時に形成してもよい。この場合、熱伝導性絶縁樹脂９は、第二実施形態と同様、側方から注入して形成すると共に、ヒートシンク１１を形成する前に、スルーホールビア１０に注入することによって形成できる。あるいは、第一基板２と第二基板６との間に側方から注入する前に、第二基板６の裏面側から注入してもよい。事前にスルーホールビア１０に注入した第二基板６を用いてもよい。このように、熱伝導性物質として熱伝導性樹脂を用いた場合、容易に形成が可能である。

この第三実施形態においては、ＭＭＩＣ１で発生した熱は、第二実施形態と同様に熱伝導性絶縁樹脂９の側方から放出され、更に、スルーホールビア１０内の熱伝導性絶縁樹脂９を介してヒートシンク１１まで伝導し、ヒートシンク１１からも放出される。
従って、第三実施形態においては、第二実施形態の効果に加えて、ＭＭＩＣ１で発生した熱を更に効率よく放出できるという効果がある。
なお、この実施形態においては、スルーホールビア１０は２本ずつ設けた構成例により詳述したが、スルーホールビア１０の本数はこれに限られることはない。

＜第四実施形態＞
図４は、本発明の第四実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図である。なお、第三実施形態と同一構成部に対しては、同一符号を付し、その説明は省略する。
図４に示すように、第三実施形態と異なる点は、第二基板６の表面（第一基板２に対向する面）に銅で成るダイレクトヒートシンク１２を面一に埋め込み、そのダイレクトヒートシンク１２の裏面を、銅などの金属を充填したスルーホールビア１０ａを介してヒートシンク１１に接続し、一方、第一基板２には、ＭＭＩＣ１の外形に対応したバンク部２ａを設け、そのバンク部２ａに外周部が当接するようにＭＭＩＣ１を第一基板２に実装することにより、ＭＭＩＣ１の裏面が、熱伝導性絶縁樹脂９の下面と面一となると共にダイレクトヒートシンク１２と上面と直接接するようにした点である。

かかる構成により、ＭＭＩＣ１で発生した熱は、直接、ダイレクトヒートシンク１２に伝わり、更にその熱は金属や熱伝導性樹脂が充填されたスルーホールビア１０ａを介してヒートシンク１１に伝わってそこから放熱される。無論、この場合も、熱は、熱伝導性絶縁樹脂９を介して側方へも放出される。

また、第三実施形態に比較してＭＭＩＣ１を下方へずらした分だけバンク部２ａを設けて封止空隙５も下方にずらしたので、この実施形態の場合も、図４に示すように、封止空隙５は密閉領域となり、熱伝導性絶縁樹脂９が入り込むことはない。
従って、第四実施形態においては、第三実施形態の効果に加えて、更に効率よく、ＭＭＩＣ１で発生した熱を放出できるという利点がある。
なお、スルーホールビア１０ａの本数は任意である。

＜第五実施形態＞
図５は、本発明の第五実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図である。なお、第三実施形態と同一構成部に対しては、同一符号を付し、その説明は省略する。
図５に示すように、第三実施形態と異なる点は、スルーホールビア１０を充填する熱伝導性物質として、熱伝導性導電樹脂９ａを採用した点にある。また、導電性を有するが故に、樹脂９ａは、第二接続バンプ７に接触することが許されず、従って、樹脂９ａを第二接続バンプ７から隔絶するための隔壁１３が設けられている。隔壁１３は、例えば銅めっきにより形成できる。なお、この実施形態では、スルーホールビア１０ｂは、その熱伝導性導電樹脂９ａで満たされることになる。
導電性の樹脂を採用することにより、絶縁性のものより熱伝導率が向上するので、第三実施形態の場合と比較して、効率よく放熱が行える。

＜第六実施形態＞
図６は、本発明の第五実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図である。この実施形態は、第四実施形態と類似の形態であり、第四実施形態と同一構成部に対しては、同一符号を付し、その説明は省略する。
図６に示すように、第四実施形態と異なる点は、ヒートシンク１１を除くと共に、更に、スルーホールビア１０ａを含むその領域の第二基板６をくり貫いた点にある。これによりダイレクトヒートシンク１２が外部に露呈する構成となっている。
かかる構成により、ＭＭＩＣ１に直接的に接触したダイレクトヒートシンク１２から、ＭＭＩＣ１で発生した熱を、直接的に放出できるという利点がある。

図７は、本発明の第七実施形態における集積回路搭載基板モジュールの断面図である。この実施形態は、第一実施形態と類似の形態であり、第一実施形態と同一構成部に対しては、同一符号を付し、その説明は省略する。
図７に示すように、第一実施形態と異なる点は、第一基板２のＭＭＩＣ１を実装する面の他方の面上にアンテナ１４を備える点にある。このアンテナ１４は、第一基板２に形成した貫通配線（不図示）を介してＭＭＩＣ１と電気的に接続されている。このアンテナ１４は、ＭＭＩＣ１と外部回路との間に無線信号を送受信するためのものである。かかる構成により、別途、第二基板上にアンテナを用意する必要が無く、第二基板の小型化に寄与することができる。
アンテナ１４は、例えば、銅や金などの金属で構成されており、めっき技術やスパッタリング技術を用いて形成することができる。アンテナ１４の個数、サイズ、形状は、無線周波数や通信方式により適宜選択される。例えば、アンテナ１４の平面形状としては、矩形状、円形状など、任意の形状とすることができる。

以上のように、本発明を第一乃至第六実施形態として説明したが、これらに限られることはなく、当業者であれば、各種の形態が考えられるであろう。その１つとしては、第四実施形態から熱伝導性導電樹脂９だけが除かれた形態も考えられる。この場合、ＭＭＩＣ１で発生した熱は、空気を介して側方から放出されると共に、スルーホールビア１０内の空気及びヒートシンク１１を介して外部へ放出される。

本発明は、ミリ波帯を利用した無線通信に必要な回路をワンチップに搭載した集積回路を採用した無線通信機器に適用できる。

１ モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）、２ 第一基板、３ 第一接続バンプ、４ 第一バンプパッド、５ 封止空隙、６ 第二基板、７ 第二接続バンプ、８ 第二バンプパッド、９ 熱伝導性絶縁樹脂、１０ スルーホールビア、１１ ヒートシンク、１２ ダイレクトヒートシンク、１３ 隔壁、アンテナ。

Claims (11)

1. 一方の面に、半導体集積回路の回路面が対向するように実装された第一基板と、
   一方の面に、前記半導体集積回路が対向する向きで前記第一基板が実装された第二基板と、
   を備えた集積回路搭載基板モジュールであって、
   前記第一基板の一方の面の前記回路面に対応する部分に、凹部が形成され、前記半導体集積回路の外周部分が、前記凹部の境界外側の、前記一方の面の部分と当接することにより、前記回路面が一面を画定する封止空隙が形成されることを特徴とする集積回路搭載基板モジュール。
2. 前記第一基板の一方の面と、前記第二基板の一方の面の間に、前記半導体集積回路を覆うように注入された熱伝導性樹脂を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の集積回路搭載基板モジュール。
3. 前記第二基板の他方の面に形成された放熱体と、
   前記第二基板を貫通し、前記放熱体と前記熱伝導性樹脂を連通するように形成され、前記熱伝導性樹脂が充填される孔と、
   を更に備えることを特徴とする請求項２に記載の集積回路搭載基板モジュール。
4. 前記熱伝導性樹脂は、熱伝導性絶縁樹脂であることを特徴とする請求項３に記載の集積回路搭載基板モジュール。
5. 前記熱伝導性樹脂は、熱伝導性導電樹脂であることを特徴とする請求項３に記載の集積回路搭載基板モジュール。
6. 前記第二基板の他方の面に形成された第一放熱体と、
   前記第二基板の一方の面に面一で埋め込まれた第二放熱体と、
   前記第二基板を貫通し、前記第一放熱体と前記第二放熱体を連通するように形成され、金属が充填される孔と、
   を更に備え、
   前記半導体集積回路の回路面と反対の面が、前記第二放熱体の面一の面と接していることを特徴とする請求項２に記載の集積回路搭載基板モジュール。
7. 前記第二基板の前記半導体集積回路に対応する部分はくり貫かれ、前記第二基板の一方の面と面一に構成された放熱体を備え、前記半導体集積回路の回路面と反対の面が、前記放熱体の面一の面と接していることを特徴とする請求項２に記載の集積回路搭載基板モジュール。
8. 前記第一基板は、前記第二基板に対して、接続バンプを介してフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の集積回路搭載基板モジュール。
9. 前記第一基板は、前記第二基板に対して、接続バンプを介してフリップチップ実装され、前記熱伝導性導電樹脂を前記接続バンプから隔絶する隔壁を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の集積回路搭載基板モジュール。
10. 前記半導体集積回路は、ミリ波帯で動作する集積回路であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の集積回路搭載基板モジュール。
11. 前記第一基板の他方の面にアンテナを備えることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の集積回路搭載基板モジュール。

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