JP7041710B2 - 鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金、はんだボール、Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙおよびはんだ継手 - Google Patents

Description

本発明は、鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金、はんだボール、Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙおよびはんだ継手に関する。

近年、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）などの電子デバイスは小型化が要求されている。電子デバイスが小型化するとはんだ付け時の熱的負荷が大きくなるため、低温でのはんだ付けが望まれている。はんだ付け温度が低温になれば、信頼性の高い回路基板を製造することができる。低温ではんだ付けを行うためには、低融点のはんだ合金を用いる必要がある。

低融点のはんだ合金として、例えば６３Ｓｎ－３７Ｐｂはんだ合金が挙げられる。６３Ｓｎ－３７Ｐｂはんだ合金の融点は、約１８３℃である。しかし環境に対する悪影響の懸念から、Ｐｂを含有するはんだ合金は近年使用が規制されている。

Ｓｎ－Ｐｂ組成のはんだ合金に代わる低融点のはんだ合金としては、ＪＩＳ Ｚ ３２８２（２０１７）に開示されているように、Ｓｎ－５８Ｂｉはんだ合金やＳｎ－５２Ｉｎはんだ合金が挙げられる。Ｓｎ－５８Ｂｉはんだ合金の融点は、約１３９℃である。また、Ｓｎ－５２Ｉｎはんだ合金の融点は、約１１９℃である。特に、Ｓｎ－５８Ｂｉはんだ合金は低コストであるとともに、優れた濡れ性を有する低融点はんだ合金として広く用いられている。

ところで近年、はんだ合金中に極微量含有する不純物元素が経時変化によりアルファ線を放出し、放出されたアルファ線が半導体のソフトエラーを引き起こすと指摘されている。このようなソフトエラーを抑制するためには、不純物の少ないはんだ合金を用いる必要がある。しかし、Ｂｉは放射性同位体を多く含むため、アルファ線量の少ない高純度の原材料を得るのが困難である。従って、Ｓｎ－Ｂｉ組成の低融点はんだ合金では、アルファ線放出によるソフトエラーの発生を抑制することが困難である。

そこで、Ｓｎ－Ｉｎ組成の低融点はんだ合金が検討されている。以下の特許文献１及び特許文献２は、Ｓｎ－Ｉｎ組成の低融点はんだ合金に関するものである。

特開２００７－１０５７５０号公報 特開２００６－０００９０９号公報

Ｓｎ－Ｉｎからなるはんだ合金は、Ｉｎの含有量により、その融点は約１２０℃から約２３０℃まで変化する。このうち、融点が１３０℃から２１０℃のはんだ合金が望まれている。その理由は、従来用いられている融点が約２２０℃のＳｎ－３Ａｇ－０．５Ｃｕ中温はんだ合金と、融点が約１１９℃のＳｎ－５２Ｉｎ低温はんだ合金との中間の融点をもつ、中低温はんだ合金と呼ぶべきはんだ合金であるためである。これにより、多段階にはんだ付けを行うステップ・ソルダリングにおいて、中温はんだ合金を用いたはんだ付けを行った後に中低温はんだ合金を用いたはんだ付けを行う際、中温はんだが再溶融することはない。中低温はんだ合金を用いたはんだ付けを行った後に低温はんだ合金を用いたはんだ付けを行う際、中低温はんだが再溶融することはない。また、ステップ・ソルダリングでは、プロセス上はんだ付け前に中低温はんだが溶融しない程度の温度域で保持されることがある。

このように、ステップ・ソルダリングに用いるはんだ合金としては、従来の中温はんだ合金と低温はんだ合金の中間の融点であることと同時に、高温で長時間保持した後もはんだ付け性が確保されていることが求められる。

本発明の課題は、中低温の融点であり、かつ高温で長時間保持後もはんだ付け性が確保される鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金、はんだボール、Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙおよびはんだ継手を提供することである。

本発明者らは、改めて、ＳｎおよびＩｎの２元素からなるＳｎ－Ｉｎ系の合金から出発して検討を始めた。この合金は、Ｉｎの含有量が一定量以上になると、ＩｎとＳｎによるγ相と呼ばれる金属間化合物の相を形成する。ただし、このγ相は脆いことから、はんだ合金の延性を低下させるリスクがある。そして融点が約１３０℃から約２００℃の中低温になるように、Ｉｎの含有量は２０質量％程度に設定した。

そして、高温で長時間保持した後にはんだ付け性が確保できるよう種々の元素を添加して特性の改善を試みた。種々の元素を添加したはんだ合金を高温で長時間保持した後、ＸＰＳ（Ｘ線電分光法：Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により深さ方向に分析した。その結果、特にＧｅを添加したはんだ合金の酸化膜が薄いという知見が得られた。これは、Ｉｎ酸化膜がＧｅの添加によりアモルファス化し、Ｉｎ酸化膜の結晶粒界が消失することによって、Ｏの拡散が抑制されるためであると推察される。

これらの知見により得られた本発明は次の通りである。
（１）質量％で、１６～２３％のＩｎと、０．００１～０．０８％のＧｅと、残部がＳｎおよび不可避的不純物からなる合金組成を有する鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金。

（２）合金組成のＩｎ含有量が、質量％で１６～２０％である、上記（１）に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金。
（３）合金組成のＧｅ含有量が、質量％で０．００５～０．０１％である、上記（１）または上記（２）に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金。

（４）合金組成のＧｅ含有量が質量％で０．００５～０．００９％である、上記（１）または上記（２）に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金。
（５）不可避的不純物としてのＵおよびＴｈが各々５質量ｐｐｂ以下であり、不可避的不純物としてのＡｓおよびＰｂが各々５質量ｐｐｍ以下である、上記（１）～上記（４）のいずれか１項に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金。
（６）更に、質量％で、３．５％以下のＡｇ、０．７％以下のＣｕ、０．０５％以下のＮｉ、および０．０２％以下のＣｏの少なくとも１種を含有する、上記（１）～上記（５）のいずれか１項に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金。

（７）上記（１）～上記（６）のいずれか１項に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金からなるはんだボール。
（８）平均粒径が１～１０００μｍである、上記（７）に記載のはんだボール。
（９）平均粒径が１～１００μｍである、上記（７）に記載のはんだボール。
（１０）真球度が０．９５以上である、上記（７）～上記（９）のいずれか１項に記載のはんだボール。
（１１）真球度が０．９９以上である、上記（７）～上記（９）のいずれか１項に記載のはんだボール。

（１２）上記（７）～上記（１１）のいずれか１項に記載のはんだボールを用いて形成されたＢａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ。

（１３）上記（１）～上記（６）のいずれか１項に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金から形成されるはんだ継手。

図１は、Ｓｎ－Ｉｎの状態図である。 図２は、実施例１９のはんだ合金にて作製したはんだボール表面のＸＰＳ分析のチャートであり、図２（ａ）～図２（ｃ）は各々別々のはんだボールでのチャートである。 図３は、比較例４のはんだ合金にて作製したはんだボール表面のＸＰＳ分析のチャートであり、図３（ａ）～図３（ｃ）は各々別々のはんだボールでのチャートである。

本発明を以下により詳しく説明する。本明細書において、はんだ合金の合金組成に関する「％」は、特に指定しない限り「質量％」である。はんだ合金の合金組成に関する「ｐｐｍ」は、特に指定しない限り「質量ｐｐｍ」である。また、はんだ合金の合金組成に関する「ｐｐｂ」は、特に指定しない限り「質量ｐｐｂ」である。

１． はんだ合金の合金組成
（１） １２～２３％のＩｎ
Ｉｎは、はんだ合金の融点を下げる性質を有する。図１は、Ｓｎ－Ｉｎ系の合金中のＩｎの含有量と、融点との関係を示した状態図である。図１に示すように、Ｓｎ－Ｉｎ系の合金の融点は、Ｉｎの含有量が多くなるにつれて下がる傾向にある。

ただし、Ｉｎの含有量が２０％よりも多くなると、固相線温度が急激に低下し始める。Ｉｎの含有量が２５％よりも多くなると、固相線温度が約１１７℃まで低下する。そのため、Ｉｎの含有量が２５％よりも多い合金をベースとするはんだ合金は、中温域でのソルダリングに供されるはんだ合金として適切でない。この点、Ｉｎの含有量の上限値が２３％程度であれば、固相線温度の条件が満たされる。故に、Ｉｎの含有量の上限は２３％以下である。固相線温度の条件の充足性の観点からすると、好ましい上限は２１％以下である。
一方、Ｉｎの含有量が１２％未満であると、液相線温度が上昇してしまい、所望の融点を得ることが困難になる。Ｉｎの含有量の下限は１２％以上であり、好ましくは１６％以上である。

（２） ０．００１～０．０８％のＧｅ
Ｇｅは、Ｓｎの酸化を抑制するとともに、はんだ合金の濡れ性を改善する性質を有する。従来、Ｐも同様の効果を奏する元素とされていたが、本発明においてはＰを含有した組成では効果が見られなかった。これは以下のように推察される。はんだ合金の表面に形成される酸化膜は、高温環境下において、酸素の粒界拡散により酸素がはんだ合金の内部に侵入して厚くなると考えられている。このため、結晶相で構成されている従来の酸化膜は、酸素の侵入経路となる結晶粒界が多数存在するため、酸化膜が厚くなってしまう。しかし、Ｓｎ－Ｉｎ系のはんだ合金にＧｅが添加されると、負の混合熱により結晶相の析出が阻害され、はんだ合金の表面に形成されるＩｎの酸化膜がアモルファス化し、酸素が拡散するための粒界が消失する。このため、高温で長時間保持した後でも酸化膜が厚くならず、高いはんだ付け性が維持されると推察される。従って、本発明者らはＧｅを含有することが所望の特性を得るためには必須の構成であると知見した。

Ｇｅの含有量が０．００１％未満であると、高温で長時間保持後も酸化膜を薄い状態に保つ効果が見られなかった。従って、Ｇｅの含有量の下限は、０．００１％以上であり、好ましくは０．００３％以上であり、より好ましくは０．００４％以上であり、さらに好ましくは０．００５％以上であり、より好ましくは０．００７％以上である。一方、Ｇｅの含有量が過剰であると、液相線温度が上昇し、所望の融点を得ることが困難になる。また、はんだボールの造粒が困難になる。従って、Ｇｅの含有量の上限は０．０８％以下であり、好ましくは０．０５％以下であり、より好ましくは０．０１％以下であり、特に好ましくは０．００９％以下であり、最も好ましくは０．００８％以下である。

（３） 残部：Ｓｎ
本発明に係るはんだ合金の残部は、Ｓｎである。ただし不可避的不純物としての元素の含有を排除するものではない。不可避的不純物の具体例としては、ＡｓやＣｄが挙げられる。また、本発明は鉛フリーかつアンチモンフリーではあるが、不可避的不純物としてのＰｂやＳｂの含有を除外するものではない。

（４） 任意添加元素
本発明に係るはんだ合金は、質量％で、１２～２３％のＩｎと、０．００１～０．０８％のＧｅと、残部がＳｎおよび不可避的不純物からなる。しかし、はんだ合金の特性を更に改善するため、固相線温度が１３０℃以上、液相線温度が２１０℃以下の範囲で、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏの元素を任意に添加してもよい。具体的には、Ａｇが３．５％以下、Ｃｕが０．７％以下、Ｎｉが０．０５％以下、Ｃｏが０．０２％以下の範囲で、各元素を任意に添加してもよい。より好ましくは、Ａｇが３．０％以下、Ｃｕが０．５％以下、Ｎｉが０．０３％以下、Ｃｏが０．０１％以下の範囲で、各元素を任意に添加してもよい。

Ａｇは、ＩｎとＡｇ_２Ｉｎ化合物を形成する。この金属間化合物の相が析出すると、はんだ合金の変形を抑制することができる。Ｃｕは、Ｃｕ_６Ｓｎ_５化合物を形成する。この金属間化合物が析出すると、はんだ合金の析出強化を図ることができる。Ｎｉは、合金組織を微細化する。合金組織が微細化すると、はんだ合金の機械的特性が向上する。Ｃｏも、合金組織を微細化して、はんだ合金の機械的特性に寄与する。各任意添加元素は単独で添加されるだけに限られず、固相線温度が１３０℃以上、液相線温度が２１０℃以下の範囲で、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏから２種以上が同時に添加されてもよい。

（５） 不可避的不純物としてのＵおよびＴｈ含有量：各々５ｐｐｂ以下、不可避的不純物としてのＡｓおよびＰｂ含有量：各々５ｐｐｍ以下
本発明に係るはんだ合金は、上記のとおり不可避的不純物としての元素の含有は排除しない。ただし、アルファ線の放出による半導体のソフトエラーを抑制するために、以下の元素の含有量を更に低減させることが好ましい。具体的には、ＵおよびＴｈ含有量が各々５ｐｐｂ以下であることが好ましく、より好ましくは２ｐｐｂ以下である。ＡｓおよびＰｂ含有量は各々５ｐｐｍ以下の含有量であることが好ましく、より好ましくは２ｐｐｍ以下であり、更に好ましくは１ｐｐｍ以下である。

（６） 融点
本発明に係るはんだ合金は、中低温はんだとして好適に用いられるよう、固相線温度が１３０℃以上であることが好ましい。固相線温度が１３０℃以上であると、ステップ・ソルダリングにおける低温はんだを用いたはんだ付け時に、既にはんだ付け済みの本発明に係るはんだ合金が再溶融することを抑制できる。低温はんだは、例えば融点が約１１９℃のＳｎ－５２Ｉｎはんだ合金である。本発明に係るはんだ合金の固相線温度は、好ましくは１５０℃以上である。本発明に係るはんだ合金の固相線温度が１５０℃以上であれば、ステップ・ソルダリングにおける低温はんだとして融点が約１３９℃のＳｎ－５８Ｂｉはんだ合金を用いることもできる。本発明に係るはんだ合金の固相線温度は、より好ましくは１６５℃以上である。

また、本発明に係るはんだ合金は、中低温はんだとして好適に用いられるよう、液相線温度が２１０℃以下であることが好ましい。液相線温度が２１０℃以下であると、ステップ・ソルダリングにおける本発明に係るはんだ合金のはんだ付け時に、既にはんだ付け済みの中温はんだが再溶融することを防ぐことができる。同様にして、高温はんだが再溶融することも防ぐことができる。中温はんだとは、例えば融点が約２２０℃のＳｎ－３Ａｇ－０．５Ｃｕはんだ合金である。また、高温はんだとは、例えば固相線温度が約２７０℃で液相線温度が約３００℃のＳｎ－９０Ｐｂはんだ合金である。本発明に係るはんだ合金の液相線温度は、好ましくは２００℃以下である。

（７） 酸化膜厚
本発明に係るはんだ合金は、高温環境下において長時間曝された後であっても、厚いＳｎ酸化膜が形成されることがなく、酸化膜の厚さが薄く保たれる。この理由は明らかではないが、前述のように、Ｉｎ酸化膜がＧｅによりアモルファス化し、Ｉｎ酸化膜の結晶粒界が消失することによって、Ｏの拡散が抑制されるためであると推察される。

本発明において、酸化膜厚の測定方法は、例えば以下のように行うことができる。５．０ｍｍ×５．０ｍｍの大きさのサンプル（はんだ材料が板状でない場合には、５．０ｍｍ×５．０ｍｍの範囲にはんだ材料（はんだ粉末、はんだボール等）を隙間なく敷き詰めたもの）を用意する。このサンプルにおいて、任意の１００μｍ×１００μｍのエリアを選定し、イオンスパッタリングを行いながらＳｎ、Ｏ、Ｉｎ、Ｃ、その他添加元素の各原子についてＸＰＳ分析を行い、ＸＰＳ分析のチャートを得る。サンプル１個につき１つのエリアを選定し、３つのサンプルについてそれぞれ１回ずつ、合計３回の分析を行う。得られたＸＰＳ分析のチャートにおいて、横軸は、スパッタ時間（ｍｉｎ）及びスパッタ時間からＳｉＯ_２標準試料のスパッタエッチングレートを用いて算出したＳｉＯ_２換算の深さ（ｎｍ）のいずれかから選択でき、縦軸は、検出強度（ｃｐｓ）である。以後の測定においては、ＸＰＳ分析のチャートにおける横軸を、スパッタ時間からＳｉＯ_２標準試料のスパッタエッチングレートを用いて算出したＳｉＯ_２換算の深さ（ｎｍ）とする。

各サンプルのＸＰＳ分析のチャートにおいて、Ｏ原子の検出強度が最大となったＳｉＯ_２換算の深さをＤｏ・ｍａｘ（ｎｍ）とする。そして、Ｄｏ・ｍａｘより深い部分において、Ｏ原子の検出強度が、最大検出強度（Ｄｏ・ｍａｘにおける強度）の１／２の強度となる最初のＳｉＯ_２換算の深さをＤ１（ｎｍ）とする。
酸化膜厚（ＳｉＯ_２換算）は、７ｎｍ未満が好ましく、６ｎｍ以下がより好ましく、４ｎｍ以下が最も好ましい。酸化膜厚が上記範囲内であれば、濡れ性に優れたはんだ材料が得られる。

２．はんだボール、Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ
本発明に係るはんだ合金の形態としては、はんだボールとして最適に用いられる。はんだボールの真球度は０．９０以上が好ましく、０．９５以上がより好ましく、０．９９以上が最も好ましい。真球度は、例えば、最小二乗中心法（ＬＳＣ法）、最小領域中心法（ＭＺＣ法）、最大内接中心法（ＭＩＣ法）、最小外接中心法（ＭＣＣ法）など種々の方法で求められる。本発明において、はんだボールの真球度は、最小領域中心法（ＭＺＣ法）を用いるＣＮＣ画像測定システム（ミツトヨ社製のウルトラクイックビジョンＵＬＴＲＡ ＱＶ３５０－ＰＲＯ測定装置）を使用して測定する。本発明において、真球度とは真球からのずれを表し、例えば５００個の各ボールの直径を長径で割った際に算出される算術平均値であり、値が上限である１．００に近いほど真球に近いことを表す。

本発明に係るはんだボールは、Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ（ＢＧＡ）などの半導体パッケージの電極や基板のバンプ形成に用いられる。本発明に係るはんだボールの直径は１～１０００μｍの範囲内が好ましく、より好ましくは、１～１００μｍである。はんだボールは、一般的なはんだボールの製造法により製造することができる。本発明での直径とは、ミツトヨ社製のウルトラクイックビジョン、ＵＬＴＲＡ ＱＶ３５０－ＰＲＯ測定装置によって測定された直径をいう。
更に、本発明に係るはんだボールの表面にフラックスが塗布されていてもよい。

３． はんだ継手
本発明に係るはんだ継手は、半導体パッケージにおけるＩＣチップとその基板（インターポーザ）との接続、或いは半導体パッケージとプリント配線板との接続に使用するのに適している。ここで、本発明に係る「はんだ継手」とは、上述した本発明に係るはんだ合金を用いて接続されており、ＩＣチップと基板との接続部をいい、電極の接続部やダイと基板との接続部を含む。

４．その他
本発明に係るはんだ合金は、はんだボールの形態で用いることに適しているが、はんだボールの形態のみに限定されるものではない。例えば、線状のはんだや、線状のはんだ中にフラックスを含有するやに入りはんだや、成型はんだや、棒はんだ、はんだ粉末とフラックスを混練したはんだペーストにも用いることができる。
本発明に係るはんだ合金を用いた接合方法は、例えばリフロー法を用いて常法に従って行えばよい。加熱温度はチップの耐熱性やはんだ合金の液相線温度に応じて適宜調整してもよい。また、本発明に係るはんだ合金を用いて接合する場合には、凝固時の冷却速度を考慮した方がさらに組織を微細にすることができる。例えば２～３℃／ｓ以上の冷却速度ではんだ継手を冷却する。この他の接合条件は、はんだ合金の合金組成に応じて適宜調整することができる。

表１～表３に示すはんだ合金について、液相線温度、固相線温度、高温長時間保持後の表面酸化膜の厚みについて評価した。

（１）液相線温度と固相線温度
固相線温度と液相線温度は、ＪＩＳ Ｚ ３１９８－１の測定方法と同様のＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）による方法で実施した。固相線温度が１５０℃以上のサンプルは「◎」と評価し、１３０℃以上１５０℃未満のサンプルは「〇」と評価し、１３０℃よりも低いサンプルは「×」と評価した。具体的には、実施例７は１８７℃で「◎」であった。実施例１４は１６６℃で「◎」であった。比較例７は２０４℃で「◎」であり、比較例８は１１７℃で「×」であった。

液相線温度が２１０℃以下のサンプルは「〇」と評価し、２１０℃よりも高いサンプルは「×」と評価した。液相線温度が２００℃以下のサンプルは「◎」と評価した。具体的には、実施例７は２０３℃で「〇」であった。実施例１４は１９５℃で「◎」であった。比較例７は２１９℃で「×」であり、比較例８は１８５℃で「◎」であった。

（２）高温長時間保持後の表面酸化膜の厚み
表１～表３に示すはんだ合金から直径０．６ｍｍのはんだボールを作製した。プリント基板に所定のパターンでＣｕ電極を配置し、Ｃｕ電極の表面をプリフラックス処理（ＯＳＰ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）した後、水溶性フラックス（千住金属社製：ＷＦ－６４００）を１００μｍの厚さで印刷塗布した。そして、このＣｕ電極に予め作製したはんだボールを搭載したのち、リフロー法によりはんだ付けすることで、はんだ継手が形成された試料を得た。

空気雰囲気の恒温槽を１２５℃に加熱し、各試料を恒温槽中で７５０時間放置した。７５０時間加熱後に、各試料をＸＰＳによる深さ方向分析を用いて、以下の通り表面の酸化膜の厚みを以下のように評価した。

（分析条件）
・分析装置：ＰＨＩ Ｑｕａｎｔｅｒａ ＩＩ （アルバック・ファイ（株）製）
・分析条件：Ｘ線源 ＡｌＫα線、Ｘ線銃電圧 １５ｋＶ、Ｘ線銃電流値 １０ｍＡ、分析エリア １００μｍ×１００μｍ
・スパッタ条件：イオン種 Ａｒ＋、加速電圧 １ｋＶ、スパッタリングレート １．０ｎｍ／ｍｉｎ（ＳｉＯ_２換算）
（評価手順）
各試料において、はんだ継手のはんだ合金部分に対してイオンスパッタリングを行いながらＳｎ、Ｇｅ、Ｏ、Ｉｎ、Ｃ、その他添加元素の各原子についてＸＰＳ分析を行い、ＸＰＳ分析のチャートを得た。サンプル１個につき１つのエリアを選定し、３つのサンプルについてそれぞれ１回ずつ、合計３回の分析を行った。得られたＸＰＳ分析のチャートにおいて、横軸は、スパッタ時間（ｍｉｎ）及びスパッタ時間からＳｉＯ_２標準試料のスパッタエッチングレートを用いて算出したＳｉＯ_２換算の深さ（ｎｍ）のいずれかから選択でき、縦軸は、検出強度（ｃｐｓ）である。以後の測定においては、ＸＰＳ分析のチャートにおける横軸を、スパッタ時間からＳｉＯ_２標準試料のスパッタエッチングレートを用いて算出したＳｉＯ_２換算の深さ（ｎｍ）とする。

各サンプルのＸＰＳ分析のチャートにおいて、Ｏ原子の検出強度が最大となったＳｉＯ_２換算の深さをＤｏ・ｍａｘ（ｎｍ）とした。そして、Ｄｏ・ｍａｘより深い部分において、Ｏ原子の検出強度が、最大検出強度（Ｄｏ・ｍａｘにおける強度）の１／２の強度となる最初のＳｉＯ_２換算の深さをＤ１（ｎｍ）とした。
全３回の測定の全てにおいてＤ１≦７ｎｍとなったサンプルを「〇」と評価し、全３回の測定の１つでもＤ１＞７ｎｍとなったサンプルを「×」と評価した。

（３）総合評価
総合評価は、上記試験項目のうち一つでも「×」の評価項目がある場合は「×」と評価し、「×」の評価項目が無いものを「〇」と評価し、さらに固相線温度と液相線温度両方の評価項目が「◎」である場合は「◎」と評価した。

表に示すように、実施例７～５６は、固相線温度と液相線温度と高温長時間保持後の酸化膜厚の厚みのいずれも「〇」または「◎」の評価となり、総合評価も「〇」または「◎」であった。実施例７～５６について、更に不可避的不純物中のＵおよびＴｈ含有量が各々５ｐｐｂ以下であり、ＡｓおよびＰｂ含有量が５ｐｐｍ以下であると、経時変化後のアルファ線放出を抑制することができる。

一方で比較例１～６は、Ｇｅを含有しないため、高温長時間保持後の酸化膜の成長を抑制できなかった。また、比較例１と５と６はＩｎの含有量が少なすぎるか過剰であったため、液相線温度または固相線温度の評価が「×」となった。比較例７～１０は、Ｇｅを適量含有するため高温長時間保持の酸化膜の成長を抑制することができたが、Ｉｎの含有量が少なすぎるか過剰であったため、液相線温度または固相線温度の評価が「×」となった。

比較例１１～２１は、Ｉｎを適量含有するため液相線温度と固相線温度の評価が、いずれも「◎」となった。しかし、Ｇｅを含有せずその他の元素を添加しており、これら元素では、高温長時間保持の酸化膜の成長を抑制できなかった。比較例２２～２４はＧｅを過剰に含有するため、液相線温度の評価が「×」となった。

酸化膜の厚さに関しては、ＸＰＳチャートを用いて説明する。図２は、実施例１９のはんだ合金にて作製したはんだボール表面のＸＰＳ分析のチャートであり、図２（ａ）～図２（ｃ）は各々別々のはんだボールでのチャートである。図３は、比較例４のはんだ合金にて作製したはんだボール表面のＸＰＳ分析のチャートであり、図３（ａ）～図３（ｃ）は各々別々のはんだボールでのチャートである。図２に示すように、Ｇｅを含有する実施例１９では、酸化膜厚が平均で約４．０μｍである結果が示された。一方、図３に示すように、Ｇｅを含有しない比較例４では、酸化膜厚が約１７μｍであり、実施例１９と比較して４倍以上の厚い酸化膜が形成されていることが明らかになった。

Claims (13)

1. 質量％で、１６～２３％のＩｎと、０．００１～０．０８％のＧｅと、残部がＳｎおよび不可避的不純物からなる合金組成を有する鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金。
2. 前記合金組成のＩｎ含有量が、質量％で１６～２０％である、請求項１に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金。
3. 前記合金組成のＧｅ含有量が、質量％で０．００５～０．０１％である、請求項１または２に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金。
4. 前記合金組成のＧｅ含有量が質量％で０．００５～０．００９％である、請求項１または２に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金。
5. 前記不可避的不純物としてのＵおよびＴｈが各々５質量ｐｐｂ以下であり、前記不可避的不純物としてのＡｓおよびＰｂが各々５質量ｐｐｍ以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金。
6. 更に、質量％で、３．５％以下のＡｇ、０．７％以下のＣｕ、０．０５％以下のＮｉ、および０．０２％以下のＣｏの少なくとも１種を含有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金。
7. 請求項１～６のいずれか１項に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金からなるはんだボール。
8. 平均粒径が１～１０００μｍである、請求項７に記載のはんだボール。
9. 平均粒径が１～１００μｍである、請求項７に記載のはんだボール。
10. 真球度が０．９５以上である、請求項７～９のいずれか１項に記載のはんだボール。
11. 真球度が０．９９以上である、請求項７～９のいずれか１項に記載のはんだボール。
12. 請求項７～１１のいずれか１項に記載のはんだボールを用いて形成されたＢａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ。
13. 請求項１～６のいずれか１項に記載の鉛フリーかつアンチモンフリーのはんだ合金から形成されるはんだ継手。

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