JP7041475B2 - Manufacturing method of dicing tape, dicing die bond film, and semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、ダイシングテープ、ダイシングダイボンドフィルム、及び半導体装置の製造方法に関する。より詳細には、本発明は、ダイシングテープ、該ダイシングテープを用いたダイシングダイボンドフィルム、及び該ダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a dicing tape, a dicing die bond film, and a semiconductor device. More specifically, the present invention relates to a dicing tape, a dicing die bond film using the dicing tape, and a method for manufacturing a semiconductor device using the dicing die bond film.
従来、半導体装置の製造において、ダイシングテープやダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングテープは、基材上に粘着剤層が設けられた形態をしており、粘着剤層上に半導体ウエハを配置し、半導体ウエハのダイシング(切削)時に個片化した半導体チップが飛び散らないように固定する用途に用いられる(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, a dicing tape or a dicing die bond film may be used in the manufacture of a semiconductor device. The dicing tape has a form in which an adhesive layer is provided on a base material, and a semiconductor wafer is arranged on the adhesive layer so that individualized semiconductor chips do not scatter during dicing (cutting) of the semiconductor wafer. It is used for fixing to a wafer (see, for example, Patent Document 1).
ダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングテープの粘着剤層上にダイボンドフィルムを剥離可能に設けたものである。半導体装置の製造においては、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上に半導体ウエハを保持して、半導体ウエハをダイシングして個々の半導体チップとする。その後、半導体チップをダイボンドフィルムと共にダイシングテープから剥離し、ダイボンドフィルムを介して半導体チップをリードフレーム等の被着体に固着させる。 The dicing die bond film is provided on the adhesive layer of the dicing tape so that the die bond film can be peeled off. In the manufacture of a semiconductor device, a semiconductor wafer is held on a dicing film of a dicing die bond film, and the semiconductor wafer is diced into individual semiconductor chips. After that, the semiconductor chip is peeled off from the dicing tape together with the die bond film, and the semiconductor chip is fixed to an adherend such as a lead frame via the die bond film.
ダイシングテープ上にダイボンドフィルムが積層されたダイシングダイボンドフィルムを使用し、半導体ウエハをダイボンドフィルムの保持下でダイシングする場合、ダイボンドフィルムを半導体ウエハと同時に切断する必要がある。ところが、ダイヤモンドブレードを用いた一般的なダイシング方法においては、ダイシング時に発生する熱の影響によるダイボンドフィルムとダイシングテープとの癒着、切削屑の発生による半導体チップ同士の固着、半導体チップ側面への切削屑の付着等が懸念されるため、切断速度を遅くする必要があり、コストの上昇を招いていた。 When a dicing dicing film in which a dicing film is laminated on a dicing tape is used and a semiconductor wafer is diced while holding the dicing film, it is necessary to cut the dicing film at the same time as the semiconductor wafer. However, in a general dicing method using a diamond blade, adhesion between the die bond film and the dicing tape due to the influence of heat generated during dicing, adhesion between semiconductor chips due to generation of cutting chips, and cutting chips on the side surface of the semiconductor chip. Since there is a concern about the adhesion of diamonds, it is necessary to slow down the cutting speed, which has led to an increase in cost.
そこで、近年、半導体ウエハの表面に溝を形成し、その後裏面研削を行うことにより、個々の半導体チップを得る方法(「DBG(Dicing Before Grinding)」と称する場合がある)(例えば、特許文献2参照)や、半導体ウエハにおける分割予定ラインにレーザー光を照射して改質領域を形成することにより、半導体ウエハを分割予定ラインにて容易に分割可能とした後、この半導体ウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付け、その後、ダイシングテープを低温下(例えば、-25~0℃)にてエキスパンド(以下、「クールエキスパンド」と称する場合がある)することにより、半導体ウエハとダイボンドフィルムを共に割断させて、個々の半導体チップ(ダイボンドフィルム付き半導体チップ)を得る方法が提案されている(例えば、特許文献3参照)。これは、いわゆる、ステルスダイシング(登録商標)と呼ばれる方法である。また、DBGにおいても、得られた個々の半導体チップをダイシングダイボンドフィルムに貼り付け、その後、ダイシングテープをクールエキスパンドすることによりダイボンドフィルムを割断させて、個々のダイボンドフィルム付き半導体チップを得る方法も知られている。 Therefore, in recent years, a method of obtaining individual semiconductor chips by forming a groove on the surface of a semiconductor wafer and then performing backside grinding (sometimes referred to as "DBG (Dicing Before Grinding)") (for example, Patent Document 2). (See) or by irradiating the planned division line of the semiconductor wafer with laser light to form a modified region, the semiconductor wafer can be easily divided on the planned division line, and then this semiconductor wafer is used as a dicing die bond film. After sticking, the dicing tape is expanded at a low temperature (for example, -25 to 0 ° C.) (hereinafter, may be referred to as “cool expand”) to cut the semiconductor wafer and the dicing film together. A method for obtaining an individual semiconductor chip (semiconductor chip with a dicing film) has been proposed (see, for example, Patent Document 3). This is a so-called stealth dicing (registered trademark) method. Further, also in DBG, a method is also known in which the obtained individual semiconductor chips are attached to a dicing die bond film, and then the dicing tape is cool-expanded to cut the die bond film to obtain individual semiconductor chips with a dicing die bond film. Has been done.
DBGやステルスダイシング等において、ダイボンドフィルムを割断した後は、ダイシングダイボンドフィルムを常温付近でエキスパンド(以下、「常温エキスパンド」と称する場合がある)して隣接する個々のダイボンドフィルム付き半導体チップ同士の間隔を広げ、その後半導体チップの外周部分を熱収縮(以下、「ヒートシュリンク」と称する場合がある)させて半導体チップ同士の間隔を広げたまま固定することにより、得られた個々のダイボンドフィルム付き半導体チップのピックアップを容易に行うことができる。 In DBG, stealth dicing, etc., after dicing the dicing film, the dicing die bond film is expanded at around room temperature (hereinafter, may be referred to as "normal temperature expanded"), and the distance between adjacent semiconductor chips with the die bond film. Then, the outer peripheral portion of the semiconductor chip is thermally shrunk (hereinafter, may be referred to as “heat shrink”) to fix the semiconductor chips while widening the distance between the semiconductor chips. The chip can be easily picked up.
近年、半導体の高容量化のニーズにより回路層の多層化や、シリコン層の薄層化が進んでいる。しかし、回路層の多層化により回路層の厚さ(総厚み)が増加することで、回路層に含まれる樹脂の割合が増加する傾向があり、これによって、多層化された回路層と、薄層化されたシリコン層との線膨張率の差が顕著になり、半導体チップが反りやすくなる。このため、特に、ダイシング後に得られる、ダイボンドフィルム付きの回路層が多層化された半導体チップは、ダイシングテープの粘着剤層とダイボンドフィルムとの界面で、常温エキスパンド時及びその後(例えば、ピックアップするまでの間等)に浮き(剥離)が発生しやすかった。 In recent years, due to the need for higher capacity semiconductors, the number of circuit layers has been increased and the number of silicon layers has been reduced. However, as the thickness (total thickness) of the circuit layer increases due to the multi-layered circuit layer, the proportion of the resin contained in the circuit layer tends to increase, so that the multi-layered circuit layer and the thin layer are formed. The difference in linear expansion rate from the layered silicon layer becomes remarkable, and the semiconductor chip tends to warp. Therefore, in particular, a semiconductor chip having a multi-layered circuit layer with a dicing film, which is obtained after dicing, is used at the interface between the adhesive layer of the dicing tape and the dicing film during normal temperature expansion and thereafter (for example, until picking up). Floating (peeling) was likely to occur during the period.
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、常温エキスパンド時及びその後において、ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが起こりにくいダイシングテープ、該ダイシングテープを用いたダイシングダイボンドフィルム、及び該ダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is a dicing tape in which a semiconductor chip with a dicing film is less likely to float during and after room temperature expansion, a dicing die bond film using the dicing tape, and a dicing die bond film using the dicing tape. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the dicing die bond film.
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、常温において30%延伸してから経時後の応力緩和率が特定値以上であり、且つ上記経時後の応力値が特定値以下であるダイシングテープを用いると、常温エキスパンド時及びその後において、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても浮きが起こりにくいことを見出した。本発明は、これらの知見に基づいて完成されたものである。 As a result of diligent studies to achieve the above object, the present inventors have found that the stress relaxation rate after aging after stretching by 30% at room temperature is equal to or more than a specific value, and the stress value after aging is equal to or less than a specific value. It has been found that when a certain dicing tape is used, floating is unlikely to occur even when a semiconductor chip having a multi-layered circuit layer is used during and after the room temperature expansion. The present invention has been completed based on these findings.
すなわち、本発明は、基材と、上記基材上に積層された粘着剤層とを有し、少なくとも一方向の、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力緩和率が45%以上であり、上記少なくとも一方向の、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力値が4MPa以下である、ダイシングテープを提供する。 That is, the present invention has a base material and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on the base material, and has a stress relaxation rate 1000 seconds after stretching by 30% under a temperature condition of 23 ° C. in at least one direction. Provided is a dicing tape having a stress value of 45% or more and a stress value of 4 MPa or less 1000 seconds after stretching by 30% under the temperature condition of 23 ° C. in at least one direction.
ダイシングテープを常温エキスパンドする際、ダイシングテープに応力が発生する。発生した応力は、その後拡散し消失するが、通常、消失までには長時間かかるため、ダイシングテープ中に長時間残存する。本発明者らは、このように発生及び残存した応力がダイシングテープ上の個片化したダイボンドフィルム付き半導体チップの底面(特に、その端部)にかかることにより、常温エキスパンド時やその後にダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが発生するものとの知見を得た。特に、回路層が多層化された半導体チップの場合には、上述のように反りやすいため、回路層の割合が多いほどダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが発生しやすい。 When expanding the dicing tape at room temperature, stress is generated on the dicing tape. The generated stress then diffuses and disappears, but usually it takes a long time to disappear, so that it remains in the dicing tape for a long time. The present inventors apply the stress generated and remaining in this way to the bottom surface (particularly, the end thereof) of the semiconductor chip with the die-bonded film which is separated into pieces on the dicing tape, so that the die-bonded film is expanded at room temperature and thereafter. We obtained the knowledge that the floating of the attached semiconductor chip occurs. In particular, in the case of a semiconductor chip having a multi-layered circuit layer, it tends to warp as described above, so that the larger the ratio of the circuit layers, the more easily the semiconductor chip with the die bond film floats.
しかしながら、本発明のダイシングテープは、少なくとも一方向の、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力緩和率が45%以上であり、且つ上記少なくとも一方向の、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力値が4MPa以下であることにより、常温エキスパンドした際に発生した応力が十分に低い値まで早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後においてダイボンドフィルム付き半導体チップの底面にかかる応力を極力抑えることができる。これにより、多層化されていない半導体チップはもちろん、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きが発生しにくい。 However, the dicing tape of the present invention has a stress relaxation rate of 45% or more 1000 seconds after stretching by 30% under a temperature condition of 23 ° C. in at least one direction, and at 23 ° C. in at least one direction. Since the stress value 1000 seconds after stretching by 30% under temperature conditions is 4 MPa or less, the stress generated during room temperature expansion is quickly reduced to a sufficiently low value, and therefore die bond is performed during and after room temperature expansion. The stress applied to the bottom surface of the semiconductor chip with film can be suppressed as much as possible. As a result, even when a semiconductor chip having a multi-layered circuit layer is used as well as a semiconductor chip having no multi-layered structure, floating is less likely to occur during and after the room temperature expansion.
また、本発明のダイシングテープにおいて、上記基材の厚さは40~150μmであることが好ましい。ダイシングテープの応力緩和率及び30%延伸1000秒後の応力値が特定の範囲内であることに加えて、基材の厚さが上記範囲内であることにより、常温エキスパンド時に応力がダイボンドフィルム付き半導体チップに均一にかかりやすく、応力が偏って発生及び残存しにくくなるため、常温エキスパンド時及びその後にダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きがよりいっそう発生しにくくなる。 Further, in the dicing tape of the present invention, the thickness of the base material is preferably 40 to 150 μm. In addition to the stress relaxation rate of the dicing tape and the stress value after 1000 seconds of stretching by 30% being within the above range, the thickness of the base material is within the above range, so that the stress is attached to the die bond film when expanding at room temperature. Since the stress is likely to be uniformly applied to the semiconductor chip and the stress is less likely to be generated and remain unbalanced, the semiconductor chip with the die bond film is less likely to float during and after the room temperature expansion.
また、本発明のダイシングテープは、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層上に積層されるダイボンドフィルムの初期弾性率が高い場合、上記少なくとも一方向の、23℃の温度条件で30%延伸した時の応力値が、5MPa以上であることが好ましい。この場合、クールエキスパンド時に半導体ウエハやダイボンドフィルムの割断がより容易となる。 Further, when the initial elastic modulus of the dicing film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing tape is high, the dicing tape of the present invention is stretched by 30% under the temperature condition of 23 ° C. in at least one direction. The stress value is preferably 5 MPa or more. In this case, it becomes easier to cut the semiconductor wafer or the die bond film at the time of cool expansion.
また、本発明のダイシングテープは、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層上に積層されるダイボンドフィルムの初期弾性率が高い場合、上記少なくとも一方向の、23℃の温度条件で30%延伸した時の応力値と、上記少なくとも一方向の、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力値との差が、5MPa以上であることが好ましい。この場合、常温エキスパンドした際に発生した応力が早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後においてダイボンドフィルム付き半導体チップの底面にかかる応力を極力抑えることができ、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きがよりいっそう発生しにくい。 Further, when the initial elastic modulus of the dicing film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing tape is high, the dicing tape of the present invention is stretched by 30% under the temperature condition of 23 ° C. in at least one direction. The difference between the stress value and the stress value 1000 seconds after stretching by 30% under the temperature condition of 23 ° C. in at least one direction is preferably 5 MPa or more. In this case, since the stress generated when the room temperature is expanded is reduced at an early stage, the stress applied to the bottom surface of the semiconductor chip with the die bond film during and after the room temperature expansion can be suppressed as much as possible, and the circuit layer is multi-layered. Even when the above is used, floating is less likely to occur during and after the room temperature expansion.
また、本発明は、上記ダイシングテープと、上記ダイシングテープにおける上記粘着剤層上に積層されたダイボンドフィルムとを有し、上記ダイボンドフィルムが引張応力を加えることにより割断して使用されるダイシングダイボンドフィルムを提供する。このような本発明のダイシングダイボンドフィルムは、クールエキスパンドによってダイボンドフィルムを割断でき、且つ常温エキスパンドした際に発生した応力が十分に低い値まで早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後においてダイボンドフィルム付き半導体チップの底面にかかる応力を極力抑えることができる。これにより、クールエキスパンドによってダイボンドフィルムを割断できるダイシングダイボンドフィルムでありながら、且つ多層化されていない半導体チップはもちろん、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きが発生しにくい。 Further, the present invention has a dicing tape and a dicing film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer in the dicing tape, and the dicing die bond film is used by being cut by applying tensile stress. I will provide a. Such a dicing die bond film of the present invention can be split by cool expanding, and the stress generated when the dicing die bond film is expanded at room temperature is reduced to a sufficiently low value at an early stage. The stress applied to the bottom surface of the semiconductor chip can be suppressed as much as possible. As a result, even when a semiconductor chip having a multi-layered circuit layer is used as well as a semiconductor chip having no multi-layered structure while being a dicing die-bonded film capable of cutting the die-bonded film by cool expanding, at room temperature expansion. And after that, floating is unlikely to occur.
また、本発明は、上記ダイシングダイボンドフィルムにおける上記ダイボンドフィルム側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける工程Aと、比較的低温の条件下で、上記ダイシングダイボンドフィルムにおける上記ダイシングテープをエキスパンドして、少なくとも上記ダイボンドフィルムを割断してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る工程Bと、比較的高温の条件下で、上記ダイシングテープをエキスパンドして、上記ダイボンドフィルム付き半導体チップ同士の間隔を広げる工程Cと、上記ダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップする工程Dとを含む、半導体装置の製造方法を提供する。このような本発明の半導体装置の製造方法によれば、常温エキスパンドした際に発生した応力が十分に低い値まで早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後においてダイボンドフィルム付き半導体チップ底面にかかる応力を極力抑えることができる。このため、クールエキスパンドによってダイボンドフィルムを割断できつつ、且つ多層化されていない半導体チップはもちろん、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きが発生しにくい半導体装置の製造方法を提供できる。 Further, the present invention is compared with the step A in which a semiconductor wafer including a plurality of semiconductor chips is divided or a semiconductor wafer that can be fragmented is attached to the plurality of semiconductor chips on the dicing die bond film side of the dicing die bond film. Step B in which the dicing tape in the dicing die bond film is expanded to obtain a semiconductor chip with a dicing film by cutting at least the dicing film under conditions of a relatively low temperature, and the dicing tape in a relatively high temperature condition. Provided is a method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step C of expanding the distance between the semiconductor chips with a dicing film and a step D of picking up the semiconductor chip with a dicing film. According to the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the stress generated during normal temperature expansion is reduced to a sufficiently low value at an early stage, so that the stress applied to the bottom surface of the semiconductor chip with a die bond film during and after normal temperature expansion is applied. Can be suppressed as much as possible. Therefore, even when a semiconductor chip in which the die bond film can be cut by cool expand and the circuit layer is multi-layered is used as well as a semiconductor chip in which the circuit layer is multi-layered, floating occurs during and after the room temperature expansion. It is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device that is unlikely to occur.
本発明のダイシングテープは、常温エキスパンド時及びその後において、ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きを起こしにくい。特に、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合にも浮きを発生させにくい。また、本発明のダイシングテープを用いたダイシングダイボンドフィルムは、常温エキスパンド時及びその後において、半導体チップが積層されたダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きを発生させにくい。 The dicing tape of the present invention is less likely to cause the semiconductor chip with the die bond film to float during and after the dicing tape at room temperature. In particular, even when a semiconductor chip having a multi-layered circuit layer is used, it is difficult to cause floating. Further, the dicing die bond film using the dicing tape of the present invention is less likely to cause the semiconductor chip with the dicing film on which the semiconductor chips are laminated to float during and after the room temperature expansion.
[ダイシングテープ]
本発明のダイシングテープは、基材と、上記基材上に積層された粘着剤層とを有する。本発明のダイシングテープ(ダイシングシート)の一実施形態について、以下に説明する。図1は、本発明のダイシングテープの一実施形態を示す断面模式図である。
[Dicing tape]
The dicing tape of the present invention has a base material and a pressure-sensitive adhesive layer laminated on the base material. An embodiment of the dicing tape (dicing sheet) of the present invention will be described below. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the dicing tape of the present invention.
図1に示すように、ダイシングテープ1は、基材11及び基材11上に積層された粘着剤層12を備える。
As shown in FIG. 1, the dicing
ダイシングテープ1は、上述のように、少なくとも一方向の、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力緩和率が45%以上であり、好ましくは50%以上、より好ましくは55%以上、さらに好ましくは60%以上である。上記応力緩和率が45%以上であることにより、常温エキスパンドした際に発生した応力が早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後において、ダイボンドフィルム付き半導体チップの底面にかかる応力を極力抑えることができる。このため、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きが発生しにくい。上記応力緩和率の上限は、特に限定されず、大きいほど残存応力が早期に減少するため、ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが起こりにくくなり、好ましい。なお、本明細書において、上記「少なくとも一方向の、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力緩和率」を、単に「応力緩和率」と称する場合がある。
As described above, the dicing
上記応力緩和率は、少なくとも一方向の、23℃の温度条件で30%延伸した時点の応力値に対する、30%延伸時から1000秒後の応力値までの減少量の割合である。上記応力緩和率は、下記の応力緩和率の算出方法により求められる。 The stress relaxation rate is the ratio of the amount of decrease from the stress value at the time of 30% stretching to the stress value after 1000 seconds with respect to the stress value at the time of stretching at 23 ° C. in at least one direction. The stress relaxation rate is obtained by the following stress relaxation rate calculation method.
<応力緩和率の算出方法>
ダイシングテープ1から、基材11の少なくとも一方向を長さ方向とし、長さ140mm×幅20mmに切り出して短冊状試験片を得る。この短冊状試験片を、23℃、50%RHの雰囲気下で、初期チャック間距離100mmとし、引張速度100mm/分で引張試験機にて伸び率30%まで延伸(伸長)させて停止し、停止から1000秒後までを含む範囲の応力値を測定する。そして、30%延伸時の応力値(延伸停止時の応力値)をA、延伸停止から1000秒後の応力値をBとし、下記式により求める。
応力緩和率(%)=(A-B)/A×100
<Calculation method of stress relaxation rate>
A strip-shaped test piece is obtained from the dicing
Stress relaxation rate (%) = (AB) / A × 100
ダイシングテープ1は、上述のように、上記少なくとも一方向(すなわち、上記応力緩和率が45%以上である方向)の、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力値が4MPa以下であり、好ましくは3.8MPa以下、より好ましくは3.5MPa以下である。上記応力値の下限は0MPaであり、低いほど残存応力が小さいこととなりダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きがより起こりにくくなるため好ましい。上記応力値は、上記応力緩和率を算出する過程で得られる。なお、本明細書において、少なくとも一方向の、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力値を、「30%延伸1000秒後の応力値」と称する場合がある。
As described above, the dicing
なお、上記応力緩和率及び上記30%延伸1000秒後の応力値は、ダイシングテープ1の少なくとも一方向においてそれぞれ上記範囲内であればよい。また、上記応力緩和率が上記範囲内である一方向と、上記30%延伸1000秒後の応力値が上記範囲内である一方向とは、同一の方向である。上記少なくとも一方向は、MD方向であることが好ましい。なお、ダイシングテープ1のMD方向は、基材11のMD方向と同一の方向である。
The stress relaxation rate and the stress value after 1000 seconds of stretching by 30% may be within the above ranges in at least one direction of the dicing
後述のダイボンドフィルム2の初期弾性率が高い場合、ダイシングテープ1は、特に限定されないが、上記少なくとも一方向(すなわち、上記応力緩和率が45%以上である方向)の、23℃の温度条件で30%延伸した時の応力値(上記30%延伸時の応力値)が、5MPa以上であることが好ましく、より好ましくは6.5MPa以上、さらに好ましくは8MPa以上である。上記応力値の上限は、例えば30MPaであり、好ましくは20MPa、より好ましくは15MPaである。上記応力値が5MPa以上であると、クールエキスパンド時に半導体ウエハやダイボンドフィルムの割断がより容易となる。上記応力値は、上記応力緩和率を算出する過程で得られる。なお、ダイボンドフィルム2の初期弾性率が低い場合、上記30%延伸時の応力値は、5MPa未満であってもよい。
When the initial elastic modulus of the
後述のダイボンドフィルム2の初期弾性率が高い場合、ダイシングテープ1は、特に限定されないが、上記少なくとも一方向(すなわち、上記応力緩和率が45%以上である方向)の、上記30%延伸時の応力値と上記30%延伸1000秒後の応力値の差[(30%延伸時の応力値)-(30%延伸1000秒後の応力値)]が、5MPa以上であることが好ましく、より好ましくは5.5MPa以上、さらに好ましくは6MPa以上である。上記応力値の差が5MPa以上であると、常温エキスパンドした際に発生した応力が早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後においてダイボンドフィルム付き半導体チップ底面にかかる応力を極力抑えることができ、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きがより発生しにくい。上記応力値の差の上限は、特に限定されず、大きいほど残存応力が早期に減少するため、ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが起こりにくくなり好ましいが、例えば20MPa、15MPa、10MPaであってもよい。なお、ダイボンドフィルム2の初期弾性率が低い場合、上記応力値の差は、5MPa未満であってもよい。
When the initial elastic modulus of the
ダイシングテープ1は、特に限定されないが、少なくとも一方向(好ましくは、上記応力緩和率が45%以上である方向)の、0℃以下の少なくとも1点の温度条件で100%延伸したときの引張強度が、10N/10mm以上であることが好ましく、より好ましくは12N/10mm以上である。上記引張強度が10N/10mm以上であると、クールエキスパンド時にかかる応力が半導体ウエハの改質領域やダイボンドフィルムの割断される部分に効果的に伝達され、割断面がより均一となりやすく、且つ、常温エキスパンド時及びその後にダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きをより発生しにくくすることができる。
The dicing
ダイシングテープ1は、特に限定されないが、少なくとも一方向(好ましくは、上記応力緩和率が45%以上である方向)に熱収縮性を有することが好ましい。ダイシングテープ1が熱収縮性を有する場合、常温エキスパンド時に半導体ウエハの外周部分をヒートシュリンクさせることが可能となり、これにより、個片化したダイボンドフィルム付きの半導体チップ同士の間隔を広げた状態で固定できるため、半導体チップのピックアップを容易に行うことができる。
The dicing
(基材)
基材11は、ダイシングテープ1や後述のダイシングダイボンドフィルム3において支持体として機能する要素である。上記基材11は、ダイシングテープ1の上記応力緩和率及び上記30%延伸1000秒後の応力値が特定の範囲内となる限り特に限定されない。上記基材11としては、例えば、プラスチック基材(特にプラスチックフィルム)が挙げられる。上記基材11は、単層であってもよいし、同種又は異種の基材の積層体であってもよい。
(Base material)
The
上記プラスチック基材を構成する樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)、アイオノマー、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン-ブテン共重合体、エチレン-ヘキセン共重合体等のポリオレフィン樹脂;ポリウレタン;ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート(PBT)等のポリエステル;ポリカーボネート;ポリイミド;ポリエーテルエーテルケトン;ポリエーテルイミド;アラミド、全芳香族ポリアミド等のポリアミド;ポリフェニルスルフィド;フッ素樹脂;ポリ塩化ビニル;ポリ塩化ビニリデン;セルロース樹脂;シリコーン樹脂等が挙げられる。上記樹脂は、一種のみを使用されていてもよいし、二種以上を使用されていてもよい。粘着剤層12が後述のように放射線硬化型である場合、基材11は放射線透過性を有することが好ましい。
Examples of the resin constituting the plastic base material include low-density polyethylene, linear low-density polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, random copolymerized polypropylene, block copolymerized polypropylene, and homopolyprolene. , Polybutene, Polymethylpentene, Ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), Ionomer, Ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, Ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, Ethylene- Polyolefin resins such as butene copolymers and ethylene-hexene copolymers; polyurethane; polyesters such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate and polybutylene terephthalate (PBT); polycarbonates; polyimides; polyether ether ketones; polyetherimides Examples thereof include polyamides such as aramid and total aromatic polyamides; polyphenyl sulfides; fluororesins; polyvinyl chlorides; polyvinylidene chlorides; cellulose resins; silicone resins and the like. Only one kind of the above resin may be used, or two or more kinds of the above resin may be used. When the pressure-
基材11がプラスチックフィルムである場合、上記プラスチックフィルムは、無配向であってもよく、少なくとも一方向(一軸方向、二軸方向等)に配向していてもよい。少なくとも一方向に配向している場合、プラスチックフィルムは当該少なくとも一方向に熱収縮可能となる。熱収縮性を有していると、ダイシングテープ1の、半導体ウエハの外周部分をヒートシュリンクさせることが可能となり、これにより個片化したダイボンドフィルム付きの半導体チップ同士の間隔を広げた状態で固定できるため、半導体チップのピックアップを容易に行うことができる。基材11及びダイシングテープ1が等方的な熱収縮性を有するためには、基材11は二軸配向フィルムであることが好ましい。なお、上記少なくとも一方向に配向したプラスチックフィルムは、無延伸のプラスチックフィルムを当該少なくとも一方向に延伸(一軸延伸、二軸延伸等)することにより得ることができる。基材11及びダイシングテープ1は、加熱温度100℃及び加熱時間処理60秒の条件で行われる加熱処理試験における熱収縮率が、1~30%であることが好ましく、より好ましくは2~25%、さらに好ましくは3~20%、特に好ましくは5~20%である。上記熱収縮率は、MD方向及びTD方向の少なくとも一方向の熱収縮率であることが好ましい。
When the
基材11の粘着剤層12側表面は、粘着剤層12との密着性、保持性等を高める目的で、例えば、コロナ放電処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理等の物理的処理;クロム酸処理等の化学的処理;コーティング剤(下塗り剤)による易接着処理等の表面処理が施されていてもよい。また、帯電防止能を付与するため、金属、合金、これらの酸化物等を含む導電性の蒸着層を基材11表面に設けてもよい。
The surface of the
基材11は、特に限定されないが、上記少なくとも一方向(すなわち、ダイシングテープ1の応力緩和率が45%以上である方向)の、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力緩和率が、45%以上であることが好ましく、より好ましくは50%以上、さらに好ましくは55%以上、特に好ましくは60%以上である。上記基材11の応力緩和率が45%以上であると、ダイシングテープ1の応力緩和率を45%以上とすることが容易となり、常温エキスパンド時及びその後のダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きがより発生しにくくなる。上記基材11の応力緩和率の上限は、特に限定されず、大きいほどダイシングテープ1の残存応力が早期に減少しやすいため、ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きがより起こりにくくなり、好ましい。なお、上記基材11の応力緩和率は、上述のダイシングテープ1の応力緩和率と同様にして、ダイシングテープ1の代わりに基材11を用いて応力値を測定して算出することができる。
The
基材11は、特に限定されないが、上記少なくとも一方向(すなわち、ダイシングテープ1の応力緩和率が45%以上である方向)の、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力値が、4MPa以下であることが好ましく、より好ましくは3.8MPa以下、さらに好ましくは3.5MPa以下である。上記応力値が4MPa以下であると、ダイシングテープ1の30%延伸後の応力値を4MPa以下とすることが容易となり、常温エキスパンド時及びその後のダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きがより発生しにくくなる。上記応力値の下限は0MPaであり、低いほどダイシングテープ1の残存応力が小さいこととなりダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが起こりにくくなるため好ましい。上記応力値は、上記基材11の応力緩和率を算出する過程で得られる。
The
後述のダイボンドフィルム2の初期弾性率が高い場合、基材11は、特に限定されないが、上記少なくとも一方向(すなわち、ダイシングテープ1の応力緩和率が45%以上である方向)の、23℃の温度条件で30%延伸した時の応力値(30%延伸時の応力値)が、5MPa以上であることが好ましく、より好ましくは6.5MPa以上、さらに好ましくは8MPa以上である。上記応力値の上限は、例えば30MPaであり、好ましくは20MPa、より好ましくは15MPaである。上記応力値が5MPa以上であると、ダイシングテープ1の30%延伸時の応力値を5MPa以上とすることが容易となり、クールエキスパンド時に半導体ウエハやダイボンドフィルムの割断がより容易となる。上記応力値は、上記基材11の応力緩和率を算出する過程で得られる。なお、ダイボンドフィルム2の初期弾性率が低い場合、上記応力値は、5MPa未満であってもよい。
When the initial elastic modulus of the
後述のダイボンドフィルム2の初期弾性率が高い場合、基材11は、特に限定されないが、上記少なくとも一方向(すなわち、ダイシングテープ1の応力緩和率が45%以上である方向)の、上記基材11の30%延伸時の応力値と上記基材11の30%延伸1000秒後の応力値の差[(30%延伸時の応力値)-(30%延伸1000秒後の応力値)]が、5MPa以上であることが好ましく、より好ましくは5.5MPa以上、さらに好ましくは6MPa以上である。上記応力値の差が5MPa以上であると、ダイシングテープ1の上記応力値の差を5MPa以上とすることが容易となり、常温エキスパンドした際に発生した応力が早期に減少するため、常温エキスパンド時及びその後においてダイボンドフィルム付き半導体チップ底面にかかる応力を極力抑えることができ、回路層が多層化された半導体チップを用いた場合であっても、常温エキスパンド時及びその後に浮きがより発生しにくい。上記応力値の差の上限は、特に限定されず、大きいほど残存応力が早期に減少するため、ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きが起こりにくくなり好ましいが、例えば20MPa、15MPa、10MPaであってもよい。なお、ダイボンドフィルム2の初期弾性率が低い場合、上記応力値の差は、5MPa未満であってもよい。
When the initial elastic modulus of the
基材11の厚さは、特に限定されないが、例えば5μm以上、好ましくは40μm以上、より好ましくは50μm以上、さらに好ましくは55μm以上、特に好ましくは60μm以上である。上記厚さの上限は、例えば200μm、好ましくは180μm、より好ましくは150μmである。ダイシングテープ1の上記応力緩和率及び上記30%延伸1000秒後の応力値が特定の範囲内であることに加えて、基材11の厚さが上記範囲内であると、常温エキスパンド時に応力がダイボンドフィルム付き半導体チップに均一にかかりやすく、応力が偏って発生及び残存しにくくなるため、常温エキスパンド時及びその後にダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きがより発生しにくい。
The thickness of the
(粘着剤層)
粘着剤層12は、ダイシングテープ1の上記応力緩和率及び上記30%延伸1000秒後の応力値が特定の範囲内となる限り特に限定されず、公知乃至慣用の粘着剤層を用いることができる。
(Adhesive layer)
The pressure-
粘着剤層12は、特に限定されないが、23℃の温度条件での引張貯蔵弾性率(「引張貯蔵弾性率(23℃)」と称する場合がある)が、1~100MPaであることが好ましく、より好ましくは2~30MPaである。上記引張貯蔵弾性率が1MPa以上であると、ピックアップ時においてダイボンドフィルム付き半導体チップをより容易にピックアップすることができる。上記引張貯蔵弾性率が100MPa以下であると、クールエキスパンドの後ピックアップまでの間に、ダイシングテープ1からのダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きをより発生しにくくすることができる。
The pressure-
粘着剤層12は、特に限定されないが、-15℃の温度条件での引張貯蔵弾性率(「引張貯蔵弾性率(-15℃)」と称する場合がある)が、5~500MPaであることが好ましく、より好ましくは10~200MPaである。上記引張貯蔵弾性率が5MPa以上であると、半導体ウエハやダイボンドフィルムの割断時に応力をダイボンドフィルムにより効率的に伝えることができる。上記引張貯蔵弾性率が500MPa以下であると、クールエキスパンド時においてダイシングテープ1からのダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きをより発生しにくくすることができる。
The pressure-
粘着剤層12の上記引張貯蔵弾性率(23℃)と上記引張貯蔵弾性率(-15℃)の比[(引張貯蔵弾性率(-15℃))/(引張貯蔵弾性率(23℃))]は、特に限定されないが、2以上が好ましく、より好ましくは4以上である。上記比が2以上であると、クールエキスパンド時においてダイボンドフィルムがダイシングテープ1から浮くことをより抑制でき、且つ、ピックアップ時においてダイシングテープ1からダイボンドフィルム付き半導体チップをより容易に剥離することが可能となる。また、上記比は、大きいほどが好ましいが、ピックアップと割断の容易さのバランスの観点から、例えば100以下である。
Ratio of the tensile storage elastic modulus (23 ° C.) and the tensile storage elastic modulus (-15 ° C.) of the pressure-sensitive adhesive layer 12 [(tensile storage elastic modulus (-15 ° C.)) / (tensile storage elastic modulus (23 ° C.)) ] Is not particularly limited, but is preferably 2 or more, and more preferably 4 or more. When the above ratio is 2 or more, the die-bonded film can be more suppressed from floating from the dicing
上記引張貯蔵弾性率(23℃)及び上記引張貯蔵弾性率(-15℃)は、下記の引張貯蔵弾性率の測定方法により測定して得られる。
<引張貯蔵弾性率の測定方法>
厚さ200μm、長さ40mm(測定長さ)、幅10mmの粘着剤層を試験片とし、固体粘弾性測定装置を用いて、周波数1Hz、昇温速度10℃/分、初期チャック間距離22.5mmの条件で、23℃及び-15℃を含む温度範囲で引張貯蔵弾性率を測定する。その際の23℃及び-15℃での値を読み取り、それぞれ、引張貯蔵弾性率(23℃)、引張貯蔵弾性率(-15℃)とする。
The tensile storage elastic modulus (23 ° C.) and the tensile storage elastic modulus (-15 ° C.) are obtained by measuring by the following method for measuring the tensile storage elastic modulus.
<Measurement method of tensile storage elastic modulus>
Using a pressure-sensitive adhesive layer with a thickness of 200 μm, a length of 40 mm (measurement length), and a width of 10 mm as a test piece, using a solid viscoelasticity measuring device, a frequency of 1 Hz, a temperature rise rate of 10 ° C./min, and an initial chuck distance of 22. The tensile storage elastic modulus is measured in a temperature range including 23 ° C. and −15 ° C. under the condition of 5 mm. The values at 23 ° C. and −15 ° C. at that time are read and used as the tensile storage elastic modulus (23 ° C.) and the tensile storage elastic modulus (-15 ° C.), respectively.
粘着剤層12を形成する粘着剤としては、放射線照射や加熱等外部からの作用によって意図的に粘着力を低減させることが可能な粘着剤(粘着力低減型粘着剤)であってもよいし、外部からの作用によっては粘着力がほとんど又は全く低減しない粘着剤(粘着力非低減型粘着剤)であってもよく、ダイシングダイボンドフィルム3を使用して個片化される半導体ウエハの個片化の手法や条件等に応じて適宜に選択することができる。
The pressure-sensitive adhesive forming the pressure-
上記粘着剤として粘着力低減型粘着剤を用いる場合、ダイシングダイボンドフィルム3の製造過程や使用過程において、粘着剤層12が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを使い分けることが可能となる。例えば、ダイシングダイボンドフィルム3の製造過程でダイシングテープ1の粘着剤層12にダイボンドフィルム2を貼り合わせる時や、ダイシングダイボンドフィルム3がダイシング工程に使用される時には、粘着剤層12が相対的に高い粘着力を示す状態を利用して粘着剤層12からダイボンドフィルム2等の被着体の浮きを抑制・防止することが可能となる一方で、その後、ダイシングダイボンドフィルム3のダイシングテープ1からダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップするためのピックアップ工程では、粘着剤層12の粘着力を低減させることで、ピックアップを容易に行うことができる。
When a pressure-reducing pressure-sensitive adhesive is used as the pressure-sensitive adhesive, the pressure-
このような粘着力低減型粘着剤としては、例えば、放射線硬化型粘着剤(放射線硬化性を有する粘着剤)、加熱発泡型粘着剤等が挙げられる。粘着剤層12を形成する粘着剤としては、一種の粘着力低減型粘着剤を用いてもよいし、二種以上の粘着力低減型粘着剤を用いてもよい。また、粘着剤層12の全体が粘着力低減型粘着剤から形成されていてもよいし、一部が粘着力低減型粘着剤から形成されていてもよい。例えば、粘着剤層12が単層構造を有する場合、粘着剤層12の全体が粘着力低減型粘着剤から形成されていてもよいし、粘着剤層12における所定の部位(例えば、半導体ウエハの貼着対象領域である中央領域)が粘着力低減型粘着剤から形成され、他の部位(例えば、ウエハリングの貼着対象領域であって、中央領域の外側にある領域)が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよい。
Examples of such a pressure-reducing pressure-sensitive adhesive include a radiation-curable pressure-sensitive adhesive (a pressure-sensitive adhesive), a heat-foaming type pressure-sensitive adhesive, and the like. As the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-
上記放射線硬化型粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、又はX線の照射により硬化するタイプの粘着剤を用いることができ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤(紫外線硬化型粘着剤)を特に好ましく用いることができる。 As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, for example, a type of pressure-sensitive adhesive that cures by irradiation with electron beam, ultraviolet rays, α-rays, β-rays, γ-rays, or X-rays can be used, and the type that cures by irradiation with ultraviolet rays can be used. A pressure-sensitive adhesive (ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive) can be particularly preferably used.
上記放射線硬化型粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマー等のベースポリマーと、放射線重合性の炭素-炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する添加型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。 The radiation-curable pressure-sensitive adhesive includes, for example, a base polymer such as an acrylic polymer and a radiation-polymerizable monomer component or oligomer component having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond. Examples include type radiation curable adhesives.
上記アクリル系ポリマーは、ポリマーのモノマーユニットとして、アクリル系モノマー(分子中に(メタ)アクリロイル基を有するモノマー成分)に由来するモノマーユニットを含むポリマーである。上記アクリル系ポリマーは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含むポリマーであることが好ましい。なお、アクリル系ポリマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。また、本明細書において、「(メタ)アクリル」とは、「アクリル」及び/又は「メタクリル」(「アクリル」及び「メタクリル」のうち、いずれか一方又は両方)を表し、他も同様である。 The acrylic polymer is a polymer containing a monomer unit derived from an acrylic monomer (a monomer component having a (meth) acryloyl group in the molecule) as a monomer unit of the polymer. The acrylic polymer is preferably a polymer containing a monomer unit derived from (meth) acrylic acid ester as the main monomer unit having the largest mass ratio. As the acrylic polymer, only one kind may be used, or two or more kinds may be used. Further, in the present specification, "(meth) acrylic" means "acrylic" and / or "methacrylic" (either one or both of "acrylic" and "methacrylic"), and the same applies to the others. ..
上記(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステル等の炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s-ブチルエステル、t-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等が挙げられる。上記(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のシクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等が挙げられる。上記(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のフェニルエステル、ベンジルエステルが挙げられる。アクリル系ポリマーのための主モノマーとしての(メタ)アクリル酸エステルは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。(メタ)アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層12において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における主モノマーとしての(メタ)アクリル酸エステルの割合は、40質量%以上が好ましく、より好ましくは60質量%以上である。
Examples of the (meth) acrylic acid ester include hydrocarbon group-containing (meth) acrylic acid esters such as (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, and (meth) acrylic acid aryl ester. Be done. Examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, and pentyl ester of (meth) acrylic acid. Isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester , Octadecyl ester, Eikosyl ester and the like. Examples of the (meth) acrylic acid cycloalkyl ester include cyclopentyl ester and cyclohexyl ester of (meth) acrylic acid. Examples of the (meth) acrylic acid aryl ester include phenyl ester and benzyl ester of (meth) acrylic acid. As the (meth) acrylic acid ester as the main monomer for the acrylic polymer, only one kind may be used, or two or more kinds may be used. In order to appropriately develop the basic properties such as the adhesiveness of the (meth) acrylic acid ester in the pressure-
上記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、上記(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリルニトリル等の官能基含有モノマー等が挙げられる。上記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等が挙げられる。上記酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸等が挙げられる。上記ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12-ヒドロキシラウリル、(4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレート等が挙げられる。上記グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸メチルグリシジル等が挙げられる。上記スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2-(メタ)アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等が挙げられる。上記リン酸基含有モノマーとしては、例えば、2-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等が挙げられる。上記他のモノマー成分は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。(メタ)アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層12において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における上記他のモノマー成分の割合は、60質量%以下が好ましく、より好ましくは40質量%以下である。
The acrylic polymer may contain a monomer unit derived from another monomer component copolymerizable with the (meth) acrylic acid ester for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance and the like. Examples of the other monomer components include functional groups such as a carboxy group-containing monomer, an acid anhydride monomer, a hydroxy group-containing monomer, a glycidyl group-containing monomer, a sulfonic acid group-containing monomer, a phosphoric acid group-containing monomer, acrylamide, and acrylic nitrile. Examples include contained monomers. Examples of the carboxy group-containing monomer include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Examples of the acid anhydride monomer include maleic anhydride, itaconic anhydride and the like. Examples of the hydroxy group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate. Examples thereof include 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate. Examples of the glycidyl group-containing monomer include glycidyl (meth) acrylate and methyl glycidyl (meth) acrylate. Examples of the sulfonic acid group-containing monomer include styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methyl propane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, and (meth). ) Acryloyloxynaphthalene sulfonic acid and the like can be mentioned. Examples of the phosphoric acid group-containing monomer include 2-hydroxyethylacryloyl phosphate and the like. As the above-mentioned other monomer components, only one kind may be used, or two or more kinds may be used. In order to appropriately develop the basic properties such as the adhesiveness of the (meth) acrylic acid ester in the pressure-
上記アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、主モノマーとしての(メタ)アクリル酸エステル等のモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。上記多官能性モノマーとしては、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート(例えば、ポリグリシジル(メタ)アクリレート)、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート等の分子内に(メタ)アクリロイル基と他の反応性官能基を有するモノマー等が挙げられる。上記多官能性モノマーは、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。(メタ)アクリル酸エステルによる粘着性等の基本特性を粘着剤層12において適切に発現させるためには、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における上記多官能性モノマーの割合は、40質量%以下が好ましく、より好ましくは30質量%以下である。
The acrylic polymer contains a monomer unit derived from a polyfunctional monomer copolymerizable with a monomer component such as (meth) acrylic acid ester as a main monomer in order to form a crosslinked structure in the polymer skeleton. You may. Examples of the polyfunctional monomer include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, and penta. Elythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropantri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate (eg, polyglycidyl (meth) acrylate), polyester Examples thereof include monomers having a (meth) acryloyl group and other reactive functional groups in the molecule such as (meth) acrylate and urethane (meth) acrylate. As the polyfunctional monomer, only one kind may be used, or two or more kinds may be used. In order to appropriately develop the basic properties such as the adhesiveness of the (meth) acrylic acid ester in the pressure-
上記アクリル系ポリマーは、アクリル系モノマーを含む一種以上のモノマー成分を重合に付すことにより得られる。重合方法としては、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等が挙げられる。 The acrylic polymer is obtained by subjecting one or more monomer components including an acrylic monomer to polymerization. Examples of the polymerization method include solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like.
粘着剤層12中の上記アクリル系ポリマーの数平均分子量は、10万以上が好ましく、より好ましくは20万~300万である。数平均分子量が10万以上であると、粘着剤層中の低分子量物質が少ない傾向にあり、ダイボンドフィルムや半導体ウエハ等への汚染をより抑制することができる。
The number average molecular weight of the acrylic polymer in the pressure-
上記放射線硬化型粘着剤は、架橋剤を含有していてもよい。例えば、ベースポリマーとしてアクリル系ポリマーを用いる場合、アクリル系ポリマーを架橋させ、粘着剤層12中の低分子量物質をより低減させることができる。上記架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物(ポリフェノール系化合物等)、アジリジン化合物、メラミン化合物等が挙げられる。架橋剤を使用する場合、その使用量は、ベースポリマー100質量部に対して、5質量部程度以下が好ましく、より好ましくは0.1~5質量部である。
The radiation-curable pressure-sensitive adhesive may contain a cross-linking agent. For example, when an acrylic polymer is used as the base polymer, the acrylic polymer can be crosslinked to further reduce the low molecular weight substances in the pressure-
上記放射線重合性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4-ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等挙げられる。上記放射線重合性のオリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等の種々のオリゴマーが挙げられ、分子量が100~30000程度のものが好ましい。粘着剤層12を形成する放射線硬化型粘着剤中の上記放射線硬化性のモノマー成分及びオリゴマー成分の含有量は、上記ベースポリマー100質量部に対して、例えば5~500質量部、好ましくは40~150質量部程度である。また、添加型の放射線硬化型粘着剤としては、例えば特開昭60-196956号公報に開示のものを用いてもよい。
Examples of the radiation-polymerizable monomer component include urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, and dipentaerythritol monohydroxypenta ( Examples thereof include meta) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and 1,4-butanediol di (meth) acrylate. Examples of the radiation-polymerizable oligomer component include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based, and polybutadiene-based, and those having a molecular weight of about 100 to 30,000 are preferable. The content of the radiation-curable monomer component and the oligomer component in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive forming the pressure-
上記放射線硬化型粘着剤としては、放射線重合性の炭素-炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の放射線硬化型粘着剤も挙げられる。このような内在型の放射線硬化型粘着剤を用いると、形成された粘着剤層12内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制することができる傾向がある。
The radiation-curable pressure-sensitive adhesive is an intrinsic radiation-curable agent containing a base polymer having a functional group such as a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond at the polymer side chain or at the end of the polymer main chain in the polymer main chain. Mold adhesives can also be mentioned. When such an intrinsically curable pressure-sensitive adhesive is used, it tends to be possible to suppress unintended changes in adhesive properties over time due to the movement of low molecular weight components in the formed pressure-
上記内在型の放射線硬化型粘着剤に含有されるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーが好ましい。内在型の放射線硬化型粘着剤に含有され得る上記アクリル系ポリマーとしては、上述の添加型の放射線硬化型粘着剤に含有されるアクリル系ポリマーとして説明されたアクリル系ポリマーを採用することができる。アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素-炭素二重結合の導入方法としては、例えば、第1の官能基を有するモノマー成分を含む原料モノマーを重合(共重合)させてアクリル系ポリマーを得た後、上記第1の官能基と反応し得る第2の官能基及び放射線重合性の炭素-炭素二重結合を有する化合物を、炭素-炭素二重結合の放射線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応又は付加反応させる方法が挙げられる。 As the base polymer contained in the internal radiation curable pressure-sensitive adhesive, an acrylic polymer is preferable. As the acrylic polymer that can be contained in the intrinsic radiation-curable pressure-sensitive adhesive, the acrylic polymer described as the acrylic polymer contained in the additive-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive can be adopted. As a method for introducing a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond into an acrylic polymer, for example, a raw material monomer containing a monomer component having a first functional group is polymerized (copolymerized) to obtain an acrylic polymer. Later, a compound having a second functional group capable of reacting with the first functional group and a radiopolymerizable carbon-carbon double bond is added to an acrylic polymer while maintaining the radiopolymerizability of the carbon-carbon double bond. Examples thereof include a method of subjecting to a condensation reaction or an addition reaction.
上記第1の官能基と上記第2の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基等が挙げられる。これらの中でも、反応追跡の容易さの観点から、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせ、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが好ましい。中でも、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製することは技術的難易度が高く、一方でヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーの作製及び入手の容易性の観点から、上記第1の官能基がヒドロキシ基であり、上記第2の官能基がイソシアネート基である組み合わせが好ましい。この場合のイソシアネート基及び放射線重合性の炭素-炭素二重結合を有する化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、ヒドロキシ基を有するアクリル系ポリマーとしては、上述のヒドロキシ基含有モノマーや、2-ヒドロキシエチルビニルエーテル、4-ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテル等のエーテル系化合物に由来するモノマーユニットを含むものが挙げられる。 Examples of the combination of the first functional group and the second functional group include a carboxy group and an epoxy group, an epoxy group and a carboxy group, a carboxy group and an aziridyl group, an aziridyl group and a carboxy group, and a hydroxy group and an isocyanate group. Examples thereof include an isocyanate group and a hydroxy group. Among these, a combination of a hydroxy group and an isocyanate group and a combination of an isocyanate group and a hydroxy group are preferable from the viewpoint of easiness of reaction tracking. Above all, it is technically difficult to prepare a polymer having a highly reactive isocyanate group, and on the other hand, from the viewpoint of easy preparation and availability of an acrylic polymer having a hydroxy group, the above-mentioned first functional group is used. A combination in which the hydroxy group is used and the second functional group is an isocyanate group is preferable. Examples of the compound having an isocyanate group and a radiation-polymerizable carbon-carbon double bond in this case include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate and the like. .. The acrylic polymer having a hydroxy group includes the above-mentioned hydroxy group-containing monomer and a monomer unit derived from an ether compound such as 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, and diethylene glucol monovinyl ether. Can be mentioned.
上記放射線硬化型粘着剤は、光重合開始剤を含有することが好ましい。上記光重合開始剤としては、例えば、α-ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート等が挙げられる。上記α-ケトール系化合物としては、例えば、4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル(2-ヒドロキシ-2-プロピル)ケトン、α-ヒドロキシ-α,α’-ジメチルアセトフェノン、2-メチル-2-ヒドロキシプロピオフェノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等が挙げられる。上記アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフエノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、2-メチル-1-[4-(メチルチオ)-フェニル]-2-モルホリノプロパン-1等が挙げられる。上記ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等が挙げられる。上記ケタール系化合物としては、例えば、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。上記芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば、2-ナフタレンスルホニルクロリド等が挙げられる。上記光活性オキシム系化合物としては、例えば、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(O-エトキシカルボニル)オキシム等が挙げられる。上記ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3’-ジメチル-4-メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。上記チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、2-クロロチオキサントン、2-メチルチオキサントン、2,4-ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,4-ジクロロチオキサントン、2,4-ジエチルチオキサントン、2,4-ジイソプロピルチオキサントン等が挙げられる。放射線硬化型粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、ベースポリマー100質量部に対して、例えば0.05~20質量部である。 The radiation-curable pressure-sensitive adhesive preferably contains a photopolymerization initiator. Examples of the photopolymerization initiator include α-ketor compounds, acetophenone compounds, benzoin ether compounds, ketal compounds, aromatic sulfonyl chloride compounds, photoactive oxime compounds, benzophenone compounds, and thioxanthone compounds. Examples thereof include camphorquinone, halogenated ketone, acylphosphinoxide, and acylphosphonate. Examples of the α-ketol compound include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α'-dimethylacetophenone, and 2-methyl-2-hydroxy. Examples thereof include propiophenone and 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone. Examples of the acetophenone compound include methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, and 2-methyl-1- [4- (methylthio) -phenyl] -2. -Molholinopropane-1 and the like can be mentioned. Examples of the benzoin ether compound include benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, anisoin methyl ether and the like. Examples of the ketal-based compound include benzyldimethyl ketal and the like. Examples of the aromatic sulfonyl chloride compound include 2-naphthalene sulfonyl chloride and the like. Examples of the photoactive oxime compound include 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (O-ethoxycarbonyl) oxime. Examples of the benzophenone compound include benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone and the like. Examples of the thioxanthone-based compound include thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, and 2,4-diisopropyl. Examples thereof include thioxanthone. The content of the photopolymerization initiator in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is, for example, 0.05 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the base polymer.
上記加熱発泡型粘着剤は、加熱によって発泡や膨張をする成分(発泡剤、熱膨張性微小球等)を含有する粘着剤である。上記発泡剤としては、種々の無機系発泡剤や有機系発泡剤が挙げられる。上記無機系発泡剤としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、アジド類等が挙げられる。上記有機系発泡剤としては、例えば、トリクロロモノフルオロメタン、ジクロロモノフルオロメタン等の塩フッ化アルカン;アゾビスイソブチロニトリル、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレート等のアゾ系化合物;パラトルエンスルホニルヒドラジド、ジフェニルスルホン-3,3’-ジスルホニルヒドラジド、4,4’-オキシビス(ベンゼンスルホニルヒドラジド)、アリルビス(スルホニルヒドラジド)等のヒドラジン系化合物;p-トルイレンスルホニルセミカルバジド、4,4’-オキシビス(ベンゼンスルホニルセミカルバジド)等のセミカルバジド系化合物;5-モルホリル-1,2,3,4-チアトリアゾール等のトリアゾール系化合物;N,N’-ジニトロソペンタメチレンテトラミン、N,N’-ジメチル-N,N’-ジニトロソテレフタルアミド等のN-ニトロソ系化合物等が挙げられる。上記熱膨張性微小球としては、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質が殻内に封入された構成の微小球が挙げられる。上記加熱によって容易にガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、ペンタン等が挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質をコアセルべーション法や界面重合法等によって殻形成物質内に封入することによって、熱膨張性微小球を作製することができる。上記殻形成物質としては、熱溶融性を示す物質や、封入物質の熱膨張の作用によって破裂し得る物質を用いることができる。そのような物質としては、例えば、塩化ビニリデン・アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホン等が挙げられる。 The heat-foaming pressure-sensitive adhesive is a pressure-sensitive adhesive containing a component (foaming agent, heat-expandable microspheres, etc.) that foams or expands when heated. Examples of the foaming agent include various inorganic foaming agents and organic foaming agents. Examples of the inorganic foaming agent include ammonium carbonate, ammonium hydrogencarbonate, sodium hydrogencarbonate, ammonium nitrite, sodium boron hydride, azides and the like. Examples of the organic foaming agent include salt fluoride alkanes such as trichloromonofluoromethane and dichloromonofluoromethane; azo compounds such as azobisisobutyronitrile, azodicarboxylicamide and barium azodicarboxylate; paratoluene. Hydrazide compounds such as sulfonyl hydrazide, diphenyl sulfon-3,3'-disulfonyl hydrazide, 4,4'-oxybis (benzenesulfonyl hydrazide), allylbis (sulfonylhydrazide); p-toluylene sulfonyl semicarbazide, 4,4'- Semi-carbazide compounds such as oxybis (benzenesulfonyl semicarbazide); triazole compounds such as 5-morpholyl-1,2,3,4-thiatriazole; N, N'-dinitrosopentamethylenetetramine, N, N'-dimethyl- Examples thereof include N-nitroso compounds such as N, N'-dinitrosoterephthalamide. Examples of the heat-expandable microspheres include microspheres having a structure in which a substance that easily gasifies and expands by heating is enclosed in a shell. Examples of the substance that easily gasifies and expands by the above heating include isobutane, propane, and pentane. A heat-expandable microsphere can be produced by encapsulating a substance that easily gasifies and expands by heating in a shell-forming substance by a core selvation method, an interfacial polymerization method, or the like. As the shell-forming substance, a substance exhibiting thermal meltability or a substance that can explode due to the action of thermal expansion of the encapsulating substance can be used. Examples of such substances include vinylidene chloride / acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethylmethacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride, polysulfone and the like.
上記粘着力非低減型粘着剤としては、例えば、粘着力低減型粘着剤に関して上述した放射線硬化型粘着剤を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤や、感圧型粘着剤等が挙げられる。粘着剤層12を形成する粘着剤としては、一種の粘着力非低減型粘着剤を用いてもよいし、二種以上の粘着力非低減型粘着剤を用いてもよい。また、粘着剤層12の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよいし、一部が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよい。例えば、粘着剤層12が単層構造を有する場合、粘着剤層12の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよいし、粘着剤層12における所定の部位(例えば、ウエハリングの貼着対象領域であって、中央領域の外側にある領域)が粘着力非低減型粘着剤から形成され、他の部位(例えば、半導体ウエハの貼着対象領域である中央領域)が粘着力低減型粘着剤から形成されていてもよい。また、粘着剤層12が積層構造を有する場合、積層構造における全ての粘着剤層が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよいし、積層構造中の一部の粘着層が粘着力非低減型粘着剤から形成されていてもよい。
Examples of the non-reducing adhesive force type adhesive include a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive and a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive, which are obtained by pre-curing the above-mentioned radiation-curable pressure-sensitive adhesive by irradiation with radiation. As the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-
放射線硬化型粘着剤を予め放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤(放射線照射済放射線硬化型粘着剤)は、放射線照射によって粘着力が低減されているとしても、含有するポリマー成分に起因する粘着性を示し、ダイシング工程等においてダイシングテープの粘着剤層に最低限必要な粘着力を発揮することが可能である。放射線照射済放射線硬化型粘着剤を用いる場合、粘着剤層12の面広がり方向において、粘着剤層12の全体が放射線照射済放射線硬化型粘着剤から形成されていてもよく、粘着剤層12の一部が放射線照射済放射線硬化型粘着剤から形成され且つ他の部分が放射線未照射の放射線硬化型粘着剤から形成されていてもよい。
Adhesives in the form of a radiation-curable adhesive that has been cured by irradiation in advance (irradiated radiation-curable adhesive), even if the adhesive strength is reduced by irradiation, are due to the polymer components contained in the adhesive. It is possible to exhibit the properties and exert the minimum required adhesive force on the adhesive layer of the dicing tape in the diving process and the like. When a radiation-irradiated radiation-curable pressure-sensitive adhesive is used, the entire pressure-
上記感圧型粘着剤としては、公知乃至慣用の感圧型の粘着剤を用いることができ、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤やゴム系粘着剤を好ましく用いることができる。粘着剤層12が感圧型粘着剤としてアクリル系ポリマーを含有する場合、当該アクリル系ポリマーは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含むポリマーであることが好ましい。上記アクリル系ポリマーとしては、例えば、上述の添加型の放射線硬化型粘着剤に含有されるアクリル系ポリマーとして説明されたアクリル系ポリマーを採用することができる。
As the pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive, a known or conventional pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive can be used, and an acrylic pressure-sensitive adhesive or a rubber-based pressure-sensitive adhesive using an acrylic polymer as a base polymer can be preferably used. When the pressure-
粘着剤層12又は粘着剤層12を形成する粘着剤は、上述の各成分以外に、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、着色剤(顔料、染料等)等の公知乃至慣用の粘着剤層に用いられる添加剤が配合されていてもよい。上記着色剤としては、例えば、放射線照射により着色する化合物が挙げられる。放射線照射により着色する化合物を含有する場合、放射線照射された部分のみを着色することができる。上記放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料等が挙げられる。上記放射線照射により着色する化合物の使用量は特に限定されず適宜選択することができる。
The pressure-sensitive adhesive forming the pressure-
粘着剤層12の厚さは、特に限定されないが、半導体チップ切断面の欠け防止とダイボンドフィルムの固定保持の両立性等の観点から、1~50μm程度が好ましく、より好ましくは2~30μm、さらに好ましくは5~25μmである。
The thickness of the pressure-
本発明のダイシングテープの一実施形態であるダイシングテープ1は、例えば、次の通りにして製造される。まず基材11は、公知乃至慣用の製膜方法により製膜して得ることができる。上記製膜方法としては、例えば、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が挙げられる。
The dicing
次に、基材11上に、粘着剤層12を形成する粘着剤及び溶媒等を含む、粘着剤層を形成する組成物(粘着剤組成物)を塗布して塗布膜を形成した後、必要に応じて脱溶媒や硬化等により該塗布膜を固化させ、粘着剤層12を形成することができる。上記塗布の方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の公知乃至慣用の塗布方法が挙げられる。また、脱溶媒条件としては、例えば、温度80~150℃、時間0.5~5分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、上記の脱溶媒条件で塗布膜を固化させて粘着剤層12を形成してもよい。その後、基材11上に粘着剤層12をセパレータと共に貼り合わせる。
Next, a composition (adhesive composition) for forming a pressure-sensitive adhesive layer, which contains a pressure-sensitive adhesive and a solvent for forming the pressure-
粘着剤層12が上記放射線硬化型粘着剤により形成された粘着剤層(放射線硬化型粘着剤層)である場合、後述のダイボンドフィルム2を積層した後に、粘着剤層12に紫外線等の放射線を照射してもよい。このように、放射線を照射することにより、粘着剤層12に粘着力非低減型粘着剤(放射線硬化型粘着剤を予め放射線照射により硬化させた粘着剤)により形成された部分を設けることができる。
When the pressure-
[ダイシングダイボンドフィルム]
本発明のダイシングテープにおける粘着剤層上にダイボンドフィルムを積層することにより、本発明のダイシングテープと、本発明のダイシングテープにおける粘着剤層上に積層されたダイボンドフィルムとを有するダイシングダイボンドフィルム(「本発明のダイシングダイボンドフィルム」と称する場合がある)を得ることができる。なお、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイボンドフィルムは、引張応力を加えることによる割断が可能であり、引張応力を加えることにより割断して使用されることが好ましい。
[Dicing die bond film]
By laminating a dicing film on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape of the present invention, the dicing die-bond film having the dicing tape of the present invention and the dicing film laminated on the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape of the present invention ("" The dicing die bond film of the present invention may be referred to as "the dicing die bond film"). The dicing film in the dicing die bond film of the present invention can be split by applying tensile stress, and it is preferable that the dicing die bond film is split and used by applying tensile stress.
本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態について、以下に説明する。図2は、本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態を示す断面模式図である。 An embodiment of the dicing die bond film of the present invention will be described below. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the dicing die bond film of the present invention.
図2に示すように、ダイシングダイボンドフィルム3は、ダイシングテープ1と、ダイシングテープ1における粘着剤層12上に積層されたダイボンドフィルム2とを備える。なお、図2に示す粘着剤層12は、放射線硬化型粘着剤層である。粘着剤層12の半導体ウエハ貼り付け部分に対応する部分12aは、粘着力非低減型粘着剤により形成されている領域(放射線照射により架橋度が増大しその粘着力が低下している領域)であり、他の部分12bとの粘着力の差を設けられている。これにより、上記部分12bによりダイボンドフィルム2を介してダイシング前の半導体ウエハを十分に密着固定でき、且つ、上記部分12aの密着力が低下しているためダイボンドフィルムの割断後はダイボンドフィルム付き半導体チップを容易にピックアップすることができる。
As shown in FIG. 2, the dicing die
粘着剤層12において、上記部分12bは粘着力低減型粘着剤により形成されている領域であり、ダイボンドフィルム2と密着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。このように放射線硬化型粘着剤層は、半導体チップを基板等の被着体にダイボンドするためのダイボンドフィルム2を、密着と剥離の両方をバランスよくできるように支持することができる。図2に示すダイシングダイボンドフィルム3の粘着剤層12においては、上記部分12bにウエハリングを固定することができる。上記部分12aは、図2に示すようにダイボンドフィルム2よりもわずかに小さい面積に設けてもよいし、ダイボンドフィルム2と密着している全ての領域に設けてもよい。
In the pressure-
なお、本実施形態では、ダイシングテープ1には、ダイボンドフィルム2に覆われていない上記部分12bが存在する場合について説明するが、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、この例に限定されず、ダイシングテープ全体を覆うようにダイボンドフィルムがダイシングテープに積層されていてもよい。また、ダイシングダイボンドフィルム3における粘着剤層12には、放射線照射された上記部分12a及び放射線照射されていない上記部分12bが設けられているが、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、この例に限定されず、粘着剤層は放射線照射されていなくてもよく、あるいは粘着剤層の全領域が放射線照射されていてもよい。粘着剤層12に放射線照射を行う場合、放射線照射は、ダイボンドフィルム2の積層前に行ってもよく、積層後に行ってもよい。ダイシングダイボンドフィルム3において粘着剤層12が放射線照射されている場合、半導体ウエハのダイシング後にダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップする際に放射線照射を行う必要がなく、半導体チップ製造時に放射線照射する工程を削減することができる。
In the present embodiment, the case where the dicing
(ダイボンドフィルム)
ダイボンドフィルム2は、ダイボンディング用の熱硬化性を示す接着剤として機能し得る構成を有する。本実施形態において、ダイボンドフィルム2及びダイボンドフィルム2を構成する接着剤は、熱硬化性樹脂と例えばバインダー成分としての熱可塑性樹脂とを含んでいてもよいし、硬化剤と反応して結合を生じ得る熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。ダイボンドフィルム2を構成する接着剤が、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、当該粘着剤は熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂等)を含む必要はない。ダイボンドフィルム2は、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。
(Die bond film)
The
ダイボンドフィルム2が、熱硬化性樹脂を熱可塑性樹脂とともに含む場合、当該熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。ダイボンディング対象の半導体チップの腐食原因となり得るイオン性不純物等の含有量の少ない傾向にあるという理由から、上記熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
When the
上記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂等が挙げられる。中でも、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み且つ耐熱性に優れることから、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が好ましい。 Examples of the epoxy resin include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type and ortho. Examples thereof include cresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylol ethane type, hydantin type, trisglycidyl isocyanurate type, glycidylamine type epoxy resin and the like. Of these, a novolak type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, a trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, and a tetraphenylol ethane type epoxy resin are preferable because they are highly reactive with a phenol resin as a curing agent and have excellent heat resistance.
エポキシ樹脂の硬化剤として作用し得るフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等が挙げられる。上記フェノール樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。中でも、ダイボンディング用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に当該接着剤の接続信頼性を向上させる傾向にある観点から、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が好ましい。 Examples of the phenol resin that can act as a curing agent for the epoxy resin include novolak-type phenol resin, resol-type phenol resin, and polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene. Examples of the novolak type phenol resin include phenol novolac resin, phenol aralkyl resin, cresol novolak resin, tert-butylphenol novolak resin, nonylphenol novolak resin and the like. As the above-mentioned phenol resin, only one kind may be used, or two or more kinds may be used. Among them, phenol novolac resin and phenol aralkyl resin are preferable from the viewpoint that when they are used as a curing agent for an epoxy resin as an adhesive for die bonding, the connection reliability of the adhesive tends to be improved.
ダイボンドフィルム2において、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点からは、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たり、当該フェノール樹脂中の水酸基が好ましくは0.5~2.0当量、より好ましくは0.8~1.2当量となる量で含まれる。
From the viewpoint of sufficiently advancing the curing reaction between the epoxy resin and the phenol resin in the
ダイボンドフィルム2が熱硬化性樹脂を含む場合、上記熱硬化性樹脂の含有割合は、ダイボンドフィルム2において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点から、ダイボンドフィルム2の総質量に対して、5~60質量%が好ましく、より好ましくは10~50質量%である。
When the
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、エチレン-アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6-ナイロンや6,6-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBT等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いためにダイボンドフィルム2による接合信頼性を確保しやすいという理由から、アクリル樹脂が好ましい。
Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, and polycarbonate resin. , Thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET and PBT, polyamideimide resin, fluororesin and the like. As the thermoplastic resin, only one kind may be used, or two or more kinds may be used. As the thermoplastic resin, an acrylic resin is preferable because it has few ionic impurities and high heat resistance, so that it is easy to secure the bonding reliability by the
上記アクリル樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含むポリマーであることが好ましい。当該(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、上述の添加型の放射線硬化型粘着剤に含有され得るアクリル系ポリマーを形成する(メタ)アクリル酸エステルとして例示された(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。上記アクリル樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマー成分に由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。上記他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリロニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられ、具体的には、上述の粘着剤層12形成用の放射線硬化型粘着剤に含まれ得るアクリル系ポリマーを構成する他のモノマー成分として例示されたものを使用することができる。ダイボンドフィルム2において高い凝集力を実現するという観点からは、上記アクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステル(特に、アルキル基の炭素数が4以下の(メタ)アクリル酸アルキルエステル)と、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマー(特にポリグリシジル系多官能モノマー)との共重合体であり、より好ましくは、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル(メタ)アクリレートとの共重合体である。
The acrylic resin is preferably a polymer containing a monomer unit derived from (meth) acrylic acid ester as the main monomer unit having the largest mass ratio. Examples of the (meth) acrylic acid ester include (meth) acrylic acid esters exemplified as (meth) acrylic acid esters forming an acrylic polymer that can be contained in the above-mentioned additive-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive. Be done. The acrylic resin may contain a monomer unit derived from another monomer component copolymerizable with the (meth) acrylic acid ester. Examples of the other monomer components include functional groups such as a carboxy group-containing monomer, an acid anhydride monomer, a hydroxy group-containing monomer, a glycidyl group-containing monomer, a sulfonic acid group-containing monomer, a phosphoric acid group-containing monomer, acrylamide, and acrylonitrile. Examples thereof include monomers and various polyfunctional monomers, and specific examples thereof include other monomer components constituting the acrylic polymer that can be contained in the above-mentioned radiation-curable pressure-sensitive adhesive for forming the pressure-
ダイボンドフィルム2が熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、当該熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含む。当該(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、上述の添加型の放射線硬化型粘着剤に含有され得るアクリル系ポリマーを形成する(メタ)アクリル酸エステルとして例示された(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。中でも、グリシジル基、カルボキシ基が好ましい。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂が特に好ましい。また、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂とともに硬化剤を含むことが好ましく、当該硬化剤としては、例えば、上述の粘着剤層12形成用の放射線硬化型粘着剤に含まれ得る架橋剤として例示されたものが挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基がグリシジル基である場合には、硬化剤としてポリフェノール系化合物を用いることが好ましく、例えば上述の各種フェノール樹脂を用いることができる。
When the
ダイボンディングのために硬化される前のダイボンドフィルム2について、ある程度の架橋度を実現するためには、例えば、ダイボンドフィルム2に含まれ得る上述の樹脂の分子鎖末端の官能基等と反応して結合し得る多官能性化合物を架橋成分としてダイボンドフィルム形成用樹脂組成物に配合しておくのが好ましい。このような構成は、ダイボンドフィルム2について、高温下での接着特性を向上させる観点で、また、耐熱性の改善を図る観点で好ましい。上記架橋成分としては、例えばポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、1,5-ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等が挙げられる。ダイボンドフィルム形成用樹脂組成物における架橋成分の含有量は、当該架橋成分と反応して結合し得る上記官能基を有する樹脂100質量部に対し、形成されるダイボンドフィルム2の凝集力向上の観点からは0.05質量部以上が好ましく、形成されるダイボンドフィルム2の接着力向上の観点からは7質量部以下が好ましい。また、上記架橋成分としては、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物をポリイソシアネート化合物と併用してもよい。
In order to achieve a certain degree of cross-linking of the
ダイボンドフィルム2は、フィラーを含有していてもよい。ダイボンドフィルム2へのフィラーの配合により、ダイボンドフィルム2の導電性や、熱伝導性、弾性率等の物性を調整することができる。フィラーとしては、無機フィラー及び有機フィラーが挙げられ、特に無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカの他、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体や、合金、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状等の各種形状を有していてもよい。上記フィラーとしては、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。
The
上記フィラーの平均粒径は、0.005~10μmが好ましく、より好ましくは0.005~1μmである。上記平均粒径が0.005μm以上であると、半導体ウエハ等の被着体への濡れ性、接着性がより向上する。上記平均粒径が10μm以下であると、上記各特性の付与のために加えたフィラーの効果を十分なものとすることができると共に、耐熱性を確保することができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計(例えば、商品名「LA-910」、(株)堀場製作所製)を用いて求めることができる。 The average particle size of the filler is preferably 0.005 to 10 μm, more preferably 0.005 to 1 μm. When the average particle size is 0.005 μm or more, the wettability and adhesiveness to an adherend such as a semiconductor wafer are further improved. When the average particle size is 10 μm or less, the effect of the filler added for imparting each of the above characteristics can be made sufficient, and heat resistance can be ensured. The average particle size of the filler can be determined using, for example, a luminous intensity type particle size distribution meter (for example, trade name "LA-910", manufactured by HORIBA, Ltd.).
ダイボンドフィルム2は、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤等が挙げられる。上記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、例えば、β-(3、4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。上記イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン(例えば東亜合成(株)製の「IXE?300」)、特定構造のリン酸ジルコニウム(例えば東亜合成(株)製の「IXE?100」)、ケイ酸マグネシウム(例えば協和化学工業(株)製の「キョーワード600」)、ケイ酸アルミニウム(例えば協和化学工業(株)製の「キョーワード700」)等が挙げられる。金属イオンとの間で錯体を形成し得る化合物もイオントラップ剤として使用することができる。そのような化合物としては、例えば、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、ビピリジル系化合物が挙げられる。これらのうち、金属イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点からはトリアゾール系化合物が好ましい。そのようなトリアゾール系化合物としては、例えば、1,2,3-ベンゾトリアゾール、1-{N,N-ビス(2-エチルヘキシル)アミノメチル}ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-3,5-ジ-t-ブチルフェニル)-5-クロロベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-3-t-ブチル-5-メチルフェニル)-5-クロロベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-3,5-ジ-t-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-5-t-オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、6-(2-ベンゾトリアゾリル)-4-t-オクチル-6’-t-ブチル-4’-メチル-2,2’-メチレンビスフェノール、1-(2’,3’-ヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール、1-(1,2-ジカルボキシジエチル)ベンゾトリアゾール、1-(2-エチルヘキシルアミノメチル)ベンゾトリアゾール、2,4-ジ-t-ペンチル-6-{(H-ベンゾトリアゾール-1-イル)メチル}フェノール、2-(2-ヒドロキシ-5-t-ブチルフェニル)-2H-ベンゾトリアゾール、C7-C9-アルキル-3-[3-(2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)-5-(1,1-ジメチルエチル)-4-ヒドロキシフェニル]プロピオンエーテル、オクチル-3-[3-t-ブチル-4-ヒドロキシ-5-(5-クロロ-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)フェニル]プロピオネート、2-エチルヘキシル-3-[3-t-ブチル-4-ヒドロキシ-5-(5-クロロ-2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)フェニル]プロピオネート、2-(2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)-6-(1-メチル-1-フェニルエチル)-4-(1,1,3,3-テトラメチルブチル)フェノール、2-(2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)-4-t-ブチルフェノール、2-(2-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-5-t-オクチルフェニル)-ベンゾトリアゾール、2-(3-t-ブチル-2-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)-5-クロロベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-3,5-ジ-t-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2-ヒドロキシ-3,5-ジ-t-ブチルフェニル)-5-クロロ-ベンゾトリアゾール、2-[2-ヒドロキシ-3,5-ジ(1,1-ジメチルベンジル)フェニル]-2H-ベンゾトリアゾール、2,2’-メチレンビス[6-(2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)-4-(1,1,3,3-テトラメチルブチル)フェノール]、2-[2-ヒドロキシ-3,5-ビス(α,α-ジメチルベンジル)フェニル]-2H-ベンゾトリアゾール、メチル-3?[3-(2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)-5-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル]プロピオネート等が挙げられる。また、キノール化合物や、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物等の所定の水酸基含有化合物も、イオントラップ剤として使用することができる。そのような水酸基含有化合物としては、具体的には、1,2-ベンゼンジオール、アリザリン、アントラルフィン、タンニン、没食子酸、没食子酸メチル、ピロガロール等が挙げられる。上記他の添加剤は、一種のみを使用してもよいし、二種以上を使用してもよい。
The
ダイボンドフィルム2の厚さ(積層体の場合は、総厚み)は、特に限定されないが、例えば1~200μmである。上限は、100μmが好ましく、より好ましくは80μmである。下限は、3μmが好ましく、より好ましくは5μmである。 The thickness of the die bond film 2 (in the case of a laminated body, the total thickness) is not particularly limited, but is, for example, 1 to 200 μm. The upper limit is preferably 100 μm, more preferably 80 μm. The lower limit is preferably 3 μm, more preferably 5 μm.
ダイボンドフィルム2は、ガラス転移温度(Tg)が0℃以上であることが好ましく、より好ましくは10℃以上である。上記ガラス転移温度が0℃以上であると、クールエキスパンドによってダイボンドフィルム2を容易に割断することができる。ダイボンドフィルム2のガラス転移温度の上限は、例えば100℃である。
The glass transition temperature (Tg) of the
ダイボンドフィルム2は、特に限定されないが、引張貯蔵弾性率(23℃)が、5~3000MPaであることが好ましく、より好ましくは10~1000MPaである。上記引張貯蔵弾性率が5MPa以上であると、ピックアップ時にダイボンドフィルム2付き半導体チップをより容易にピックアップすることができる。上記引張貯蔵弾性率が3000MPa以下であると、クールエキスパンドの後ピックアップまでの間に、ダイシングテープ1からのダイボンドフィルム2の浮きをより発生しにくくすることができる。
The
ダイボンドフィルム2は、特に限定されないが、引張貯蔵弾性率(-15℃)が、1~10GPaであることが好ましく、より好ましくは2~5GPaである。上記引張貯蔵弾性率が1GPa以上であると、クールエキスパンドによってダイボンドフィルム2をより容易に割断することができる。上記引張貯蔵弾性率が10GPa以下であると、クールエキスパンド時においてダイシングテープ1からのダイボンドフィルム2の浮きをより発生しにくくすることができる。
The
ダイボンドフィルム2の上記引張貯蔵弾性率(23℃)と上記引張貯蔵弾性率(-15℃)の比[(引張貯蔵弾性率(-15℃))/(引張貯蔵弾性率(23℃))]は、特に限定されないが、2以上が好ましく、より好ましくは30以上である。上記比が2以上であると、クールエキスパンド時においてダイボンドフィルム2がダイシングテープ1から浮くことをより抑制でき、且つ、ピックアップ時にダイシングテープ1からダイボンドフィルム2付き半導体チップをより容易に剥離することが可能となる。また、上記比は、大きいほどが好ましいが、ピックアップと割断の容易さのバランスの観点から、例えば300以下である。
Ratio of the tensile storage elastic modulus (23 ° C.) and the tensile storage elastic modulus (-15 ° C.) of the die bond film 2 [(tensile storage elastic modulus (-15 ° C.)) / (tensile storage elastic modulus (23 ° C.))] Is not particularly limited, but is preferably 2 or more, and more preferably 30 or more. When the above ratio is 2 or more, the
なお、ダイボンドフィルム2の上記引張貯蔵弾性率(23℃)及び上記引張貯蔵弾性率(-15℃)は、例えば、粘着剤層の代わりにダイボンドフィルムを用いること以外は上述の粘着剤層12の引張貯蔵弾性率(23℃)及び引張貯蔵弾性率(-15℃)と同様にして測定することができる。
The tensile storage elastic modulus (23 ° C.) and the tensile storage elastic modulus (-15 ° C.) of the
ダイボンドフィルム2は、図2に示すように、単層のダイボンドフィルムからなるものが挙げられる。なお、本明細書において、単層とは、同一の組成からなる層をいい、同一の組成からなる層が複数積層された形態のものを含む。但し、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおけるダイボンドフィルムは、この例に限定されず、例えば、組成の異なる二種以上の接着フィルムが積層された形態の多層構造であってもよい。
As shown in FIG. 2, the
ダイシングダイボンドフィルム3は、特に限定されないが、粘着剤層12とダイボンドフィルム2との間の0℃における剥離力が、0.15~5N/100mmであることが好ましく、より好ましくは0.20~1N/100mmである。上記剥離力が0.15N/100mm以上であると、クールエキスパンド時のダイボンドフィルム2と粘着剤層12との界面での剥離をより生じにくくし、結果として割断不良や、割断した半導体素子が飛散するという不具合の発生をより抑制することができる。上記剥離力が5N/100mm以下であると、剥離力が高すぎることによる割断不良の発生をより抑制することができる。なお、粘着剤層12が放射線硬化型粘着剤層である場合、放射線照射後(すなわち粘着力非低減型粘着剤により形成された領域)の上記剥離力(例えば、上記部分12aにおける粘着剤層12とダイボンドフィルム2との間の0℃における剥離力)が上記範囲内であることが好ましい。
The dicing die
ダイシングダイボンドフィルム3は、特に限定されないが、粘着剤層12とダイボンドフィルム2との間の23℃における剥離力が、0.05~2.5N/100mmであることが好ましく、より好ましくは0.10~1N/100mmである。上記剥離力が0.05N/100mm以上であると、搬送時のダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きをより起こりにくくすることができる。上記剥離力が2.5N/100mm以下であると、近年の薄型化された半導体チップは割れやすくなっているため、このような半導体ウエハであっても良好な軽剥離性を発揮し容易にピックアップすることができる。なお、粘着剤層12が放射線硬化型粘着剤層である場合、放射線照射後(すなわち粘着力非低減型粘着剤により形成された領域)の上記剥離力(例えば、上記部分12aにおける粘着剤層12とダイボンドフィルム2との間の23℃における剥離力)が上記範囲内であることが好ましい。
The dicing die
本発明のダイシングダイボンドフィルムの一実施形態であるダイシングダイボンドフィルム3は、例えば、次の通りにして製造される。まず、樹脂、架橋剤、フィラー、溶媒等を含む、ダイボンドフィルム2を形成する組成物(接着剤組成物)を作製する。
The dicing die
次に、接着剤組成物をセパレータ上に塗布して塗布膜を形成した後、必要に応じて脱溶媒や硬化等により該塗布膜を固化させ、ダイボンドフィルム2を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等の公知乃至慣用の塗布方法が挙げられる。また、脱溶媒条件としては、例えば、温度70~160℃、時間1~5分間の範囲内で行われる。
Next, the adhesive composition is applied onto the separator to form a coating film, and then the coating film is solidified by desolvation, curing, or the like, if necessary, to form the
続いて、ダイシングテープ1及びダイボンドフィルム2からそれぞれセパレータを剥離し、ダイボンドフィルム2と粘着剤層12とが貼り合わせ面となるようにして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば、30~50℃が好ましく、より好ましくは35~45℃である。また、線圧は特に限定されず、例えば、0.1~20kgf/cmが好ましく、より好ましくは1~10kgf/cmである。
Subsequently, the separators are peeled off from the dicing
上述のように、粘着剤層12が放射線硬化型粘着剤層である場合にダイボンドフィルム2の貼り合わせより後に粘着剤層12に紫外線等の放射線を照射する時には、例えば基材11の側から粘着剤層12に放射線照射を行い、その照射量は、例えば50~500mJであり、好ましくは100~300mJである。
As described above, when the pressure-
放射線照射は、通常、上記部分12aに相当する粘着剤層12の部分に行う。部分的に放射線照射して上記部分12aを形成する場合、上記部分12bに対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に放射線を照射して上記部分12aを形成する方法も挙げられる。
Irradiation is usually performed on the portion of the pressure-
以上のようにして、例えば図2に示すダイシングダイボンドフィルム3を作製することができる。ダイシングダイボンドフィルム3には、ダイボンドフィルム2側に、少なくともダイボンドフィルム2を被覆する形態でセパレータ(図示略)が設けられていてもよい。ダイシングテープ1の粘着剤層12よりもダイボンドフィルム2が小サイズで粘着剤層12においてダイボンドフィルム2の貼り合わされていない領域がある場合には例えば、セパレータは、ダイボンドフィルム2及び粘着剤層12を少なくとも被覆する形態で設けられていてもよい。セパレータは、少なくともダイボンドフィルム2(例えば、ダイボンドフィルム2及び粘着剤層12)が露出しないように保護するための要素であり、ダイシングダイボンドフィルム3を使用する際には当該フィルムから剥がされる。セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類等が、挙げられる。
As described above, for example, the dicing die
[半導体装置の製造方法]
本発明のダイシングダイボンドフィルムを用いて、半導体装置を製造することができる。具体的には、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける上記ダイボンドフィルム側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける工程(「工程A」と称する場合がある)と、相対的に低温の条件下で、本発明のダイシングダイボンドフィルムにおける本発明のダイシングテープをエキスパンドして、少なくとも上記ダイボンドフィルムを割断してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る工程(「工程B」と称する場合がある)と、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープをエキスパンドして、上記ダイボンドフィルム付き半導体チップ同士の間隔を広げる工程(「工程C」と称する場合がある)と、上記ダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップする工程(「工程D」と称する場合がある)とを含む製造方法により、半導体装置を製造することができる。なお、上記工程A~Dを含む半導体装置の製造方法を、「本発明の製造方法」と称する場合がある。
[Manufacturing method of semiconductor devices]
A semiconductor device can be manufactured using the dicing die bond film of the present invention. Specifically, a step of attaching a fragment of a semiconductor wafer including a plurality of semiconductor chips or a semiconductor wafer that can be fragmented to a plurality of semiconductor chips on the dicing die bond film side of the dicing die bond film of the present invention (“step”). A ”), and under relatively low temperature conditions, the dicing tape of the present invention in the dicing die bond film of the present invention is expanded, and at least the dicing film is cut to obtain a semiconductor chip with a die bond film. The step of obtaining (sometimes referred to as "step B") and the step of expanding the dicing tape under relatively high temperature conditions to widen the distance between the semiconductor chips with the die bond film ("step C"). The semiconductor device can be manufactured by a manufacturing method including the step of picking up the semiconductor chip with a dicing film (may be referred to as "step D"). The method for manufacturing a semiconductor device including the above steps A to D may be referred to as "the manufacturing method of the present invention".
(工程A)
工程Aでは、ダイシングダイボンドフィルム3におけるダイボンドフィルム2側に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハを貼り付ける。工程Aで用いる上記複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体は、例えば、半導体ウエハの表面(回路層形成面又はその回路層非形成面)に溝を形成し、その後溝が裏面に現れるまで裏面研削(バックグラインド)を行って得ることができる。
(Step A)
In the step A, a fragment of a semiconductor wafer including a plurality of semiconductor chips or a semiconductor wafer that can be individualized is attached to the plurality of semiconductor chips on the
工程Aにおける一実施形態で用いる上記複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体、又は複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハは、以下のようにして得ることができる。まず、図3(a)及び図3(b)に示すように、半導体ウエハWに分割溝30aを形成する(分割溝形成工程)。半導体ウエハWは、第1面Wa及び第2面Wbを有する。半導体ウエハWにおける第1面Waの側には各種の半導体素子(図示略)が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等(図示略)が第1面Wa上に既に形成されている。そして、粘着面T1aを有するウエハ加工用テープT1を半導体ウエハWの第2面Wb側に貼り合わせた後、ウエハ加工用テープT1に半導体ウエハWが保持された状態で、半導体ウエハWの第1面Wa側に所定深さの分割溝30aをダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成する。分割溝30aは、半導体ウエハWを半導体チップ単位に分離させるための空隙である(図3~5では分割溝30aを模式的に太線で表す)。
A semiconductor wafer fragment including the plurality of semiconductor chips used in one embodiment in step A, or a semiconductor wafer that can be fragmented into a plurality of semiconductor chips can be obtained as follows. First, as shown in FIGS. 3A and 3B, a dividing
次に、図3(c)に示すように、粘着面T2aを有するウエハ加工用テープT2の、半導体ウエハWの第1面Wa側への貼り合わせと、半導体ウエハWからのウエハ加工用テープT1の剥離とを行う。 Next, as shown in FIG. 3C, the wafer processing tape T2 having the adhesive surface T2a is bonded to the first surface Wa side of the semiconductor wafer W, and the wafer processing tape T1 from the semiconductor wafer W is attached. And peel off.
次に、図3(d)に示すように、ウエハ加工用テープT2に半導体ウエハWが保持された状態で、半導体ウエハWが所定の厚さに至るまで第2面Wbからの研削加工によって薄化する(ウエハ薄化工程)。研削加工は、研削砥石を備える研削加工装置を使用して行うことができる。このウエハ薄化工程によって、本実施形態では、複数の半導体チップ31に個片化可能な半導体ウエハ30Aが形成される。半導体ウエハ30Aは、具体的には、当該ウエハにおいて複数の半導体チップ31へと個片化されることとなる部位を第2面Wb側で連結する部位(連結部)を有する。半導体ウエハ30Aにおける連結部の厚さ、即ち、半導体ウエハ30Aの第2面Wbと分割溝30aの第2面Wb側先端との間の距離は、例えば1~30μmであり、好ましくは3~20μmである。
Next, as shown in FIG. 3D, with the semiconductor wafer W held by the wafer processing tape T2, the semiconductor wafer W is thinned by grinding from the second surface Wb until it reaches a predetermined thickness. (Wafer thinning process). The grinding process can be performed using a grinding device equipped with a grinding wheel. By this wafer thinning step, in the present embodiment, a
次に、図4(a)に示すように、ウエハ加工用テープT2に保持された半導体ウエハ30Aをダイシングダイボンドフィルム3のダイボンドフィルム2に対して貼り合わせる。この後、図4(b)に示すように、半導体ウエハ30Aからウエハ加工用テープT2を剥がす。ダイシングダイボンドフィルム3における粘着剤層12が放射線硬化型粘着剤層である場合には、ダイシングダイボンドフィルム3の製造過程での上述の放射線照射に代えて、半導体ウエハ30Aのダイボンドフィルム2への貼り合わせの後に、基材11の側から粘着剤層12に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。照射量は、例えば50~500mJであり、好ましくは100~300mJである。ダイシングダイボンドフィルム3において粘着剤層12の粘着力低減措置としての照射が行われる領域(図1に示す部分12a)は、例えば、粘着剤層12におけるダイボンドフィルム2貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。
Next, as shown in FIG. 4A, the
(工程B)
工程Bでは、相対的に低温の条件下で、ダイシングダイボンドフィルム3におけるダイシングテープ1をエキスパンドして、少なくともダイボンドフィルム2を割断してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る。
(Step B)
In step B, the dicing
工程Bにおける一実施形態では、まず、ダイシングダイボンドフィルム3におけるダイシングテープ1の粘着剤層12上にリングフレーム41を貼り付けた後、図5(a)に示すように、半導体ウエハ30Aを伴う当該ダイシングダイボンドフィルム3をエキスパンド装置の保持具42に固定する。
In one embodiment of the step B, first, the
次に、相対的に低温の条件下での第1エキスパンド工程(クールエキスパンド工程)を、図5(b)に示すように行い、半導体ウエハ30Aを複数の半導体チップ31へと個片化するとともに、ダイシングダイボンドフィルム3のダイボンドフィルム2を小片のダイボンドフィルム21に割断して、ダイボンドフィルム付き半導体チップ31を得る。クールエキスパンド工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材43を、ダイシングダイボンドフィルム3の図中下側においてダイシングテープ1に当接させて上昇させ、半導体ウエハ30Aの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルム3のダイシングテープ1を、半導体ウエハ30Aの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。このエキスパンドは、ダイシングテープ1において15~32MPa、好ましくは20~32MPaの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば0℃以下であり、好ましくは-20~-5℃、より好ましくは-15~-5℃、より好ましくは-15℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度(突き上げ部材43を上昇させる速度)は、好ましくは0.1~100mm/秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは3~16mmである。
Next, the first expanding step (cool expanding step) under relatively low temperature conditions is performed as shown in FIG. 5 (b) to separate the
工程Bでは、複数の半導体チップに個片化可能な半導体ウエハ30Aを用いた場合、半導体ウエハ30Aにおいて薄肉で割れやすい部位に割断が生じて半導体チップ31への個片化が生じる。これとともに、工程Bでは、エキスパンドされるダイシングテープ1の粘着剤層12に密着しているダイボンドフィルム2において各半導体チップ31が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ31間の分割溝の図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ1に生じる引張応力が作用する。その結果、ダイボンドフィルム2において半導体チップ31間の分割溝の垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。エキスパンドによる割断の後、図5(c)に示すように、突き上げ部材43を下降させて、ダイシングテープ1におけるエキスパンド状態を解除する。
In step B, when a
(工程C)
工程Cでは、相対的に高温の条件下で、上記ダイシングテープ1をエキスパンドして、上記ダイボンドフィルム付き半導体チップ同士の間隔を広げる。
(Process C)
In step C, the dicing
工程Cにおける一実施形態では、まず、相対的に高温の条件下での第2エキスパンド工程(常温エキスパンド工程)を、図6(a)に示すように行い、ダイボンドフィルム付き半導体チップ31間の距離(離間距離)を広げる。工程Cでは、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材43を再び上昇させ、ダイシングダイボンドフィルム3のダイシングテープ1をエキスパンドする。第2エキスパンド工程における温度条件は、例えば10℃以上であり、好ましくは15~30℃である。第2エキスパンド工程におけるエキスパンド速度(突き上げ部材43を上昇させる速度)は、例えば0.1~10mm/秒であり、好ましくは0.3~1mm/秒である。また、第2エキスパンド工程におけるエキスパンド量は、例えば3~16mmである。後述のピックアップ工程にてダイシングテープ1からダイボンドフィルム付き半導体チップ31を適切にピックアップ可能な程度に、工程Cではダイボンドフィルム付き半導体チップ31の離間距離を広げる。エキスパンドにより離間距離を広げた後、図6(b)に示すように、突き上げ部材43を下降させて、ダイシングテープ1におけるエキスパンド状態を解除する。エキスパンド状態解除後にダイシングテープ1上のダイボンドフィルム付き半導体チップ31の離間距離が狭まることを抑制する観点では、エキスパンド状態を解除するより前に、ダイシングテープ1における半導体チップ31保持領域より外側の部分を加熱して収縮させることが好ましい。
In one embodiment in step C, first, a second expanding step (normal temperature expanding step) under relatively high temperature conditions is performed as shown in FIG. 6A, and the distance between the semiconductor chips 31 with a
工程Cの後、ダイボンドフィルム付き半導体チップ31を伴うダイシングテープ1における半導体チップ31側を水等の洗浄液を使用して洗浄するクリーニング工程を必要に応じて有していてもよい。
After the step C, a cleaning step of cleaning the
(工程D)
工程D(ピックアップ工程)では、個片化したダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップする。工程Dにおける一実施形態では、必要に応じて上記クリーニング工程を経た後、図7に示すように、ダイボンドフィルム付き半導体チップ31をダイシングテープ1からピックアップする。例えば、ピックアップ対象のダイボンドフィルム付き半導体チップ31について、ダイシングテープ1の図中下側においてピックアップ機構のピン部材44を上昇させてダイシングテープ1を介して突き上げた後、吸着治具45によって吸着保持する。ピックアップ工程において、ピン部材44の突き上げ速度は例えば1~100mm/秒であり、ピン部材44の突き上げ量は例えば100~500μmである。
(Step D)
In step D (pickup step), a semiconductor chip with a die-bonded film is picked up. In one embodiment of the step D, after the cleaning step is performed as necessary, the
上記半導体装置の製造方法は、工程A~D以外の他の工程を含んでいてもよい。例えば、一実施形態においては、図8(a)に示すように、ピックアップしたダイボンドフィルム付き半導体チップ31を、被着体51に対してダイボンドフィルム21を介して仮固着する(仮固着工程)。被着体51としては、例えば、リードフレーム、TAB(Tape Automated Bonding)フィルム、配線基板、別途作製した半導体チップ等が挙げられる。ダイボンドフィルム21の仮固着時における25℃での剪断接着力は、被着体51に対して0.2MPa以上が好ましく、より好ましくは0.2~10MPaである。ダイボンドフィルム21の上記剪断接着力が0.2MPa以上であるという構成は、後述のワイヤーボンディング工程において、超音波振動や加熱によってダイボンドフィルム21と半導体チップ31又は被着体51との接着面でずり変形が生じるのを抑制して適切にワイヤーボンディングを行うことができる。また、ダイボンドフィルム21の仮固着時における175℃での剪断接着力は、被着体51に対して0.01MPa以上が好ましく、より好ましくは0.01~5MPaである。
The method for manufacturing a semiconductor device may include steps other than steps A to D. For example, in one embodiment, as shown in FIG. 8A, the picked up
次に、図8(b)に示すように、半導体チップ31の電極パッド(図示略)と被着体51の有する端子部(図示略)とをボンディングワイヤー52を介して電気的に接続する(ワイヤーボンディング工程)。半導体チップ31の電極パッドや被着体51の端子部とボンディングワイヤー52との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現でき、ダイボンドフィルム21を熱硬化させないように行われる。ボンディングワイヤー52としては、例えば金線、アルミニウム線、銅線等を用いることができる。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は、例えば80~250℃であり、好ましくは80~220℃である。また、その加熱時間は数秒~数分間である。
Next, as shown in FIG. 8B, the electrode pad (not shown) of the
次に、図8(c)に示すように、被着体51上の半導体チップ31やボンディングワイヤー52を保護するための封止樹脂53によって半導体チップ31を封止する(封止工程)。封止工程では、ダイボンドフィルム21の熱硬化が進行する。封止工程では、例えば、金型を使用して行うトランスファーモールド技術によって封止樹脂53を形成する。封止樹脂53の構成材料としては、例えばエポキシ系樹脂を用いることができる。封止工程において、封止樹脂53を形成するための加熱温度は例えば165~185℃であり、加熱時間は例えば60秒~数分間である。封止工程で封止樹脂53の硬化が十分に進行しない場合には、封止工程の後に封止樹脂53を完全に硬化させるための後硬化工程を行う。封止工程においてダイボンドフィルム21が完全に熱硬化しない場合であっても、後硬化工程において封止樹脂53と共にダイボンドフィルム21の完全な熱硬化が可能となる。後硬化工程において、加熱温度は例えば165~185℃であり、加熱時間は例えば0.5~8時間である。
Next, as shown in FIG. 8C, the
上記の実施形態では、上述のように、ダイボンドフィルム付き半導体チップ31を被着体51に仮固着させた後、ダイボンドフィルム21を完全に熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程が行われる。このような構成に代えて、上記半導体装置の製造方法では、ダイボンドフィルム付き半導体チップ31を被着体51に仮固着させた後、ダイボンドフィルム21を熱硬化させてからワイヤーボンディング工程を行ってもよい。
In the above embodiment, as described above, after the
上記半導体装置の製造方法おいては、他の実施形態として、図3(d)を参照して上述したウエハ薄化工程に代えて、図9に示すウエハ薄化工程を行ってもよい。図3(c)を参照して上述した過程を経た後、図9に示すウエハ薄化工程では、ウエハ加工用テープT2に半導体ウエハWが保持された状態で、当該ウエハが所定の厚さに至るまで第2面Wbからの研削加工によって薄化させて、複数の半導体チップ31を含んでウエハ加工用テープT2に保持された半導体ウエハ分割体30Bを形成する。上記ウエハ薄化工程では、分割溝30aが第2面Wb側に露出するまでウエハを研削する手法(第1の手法)を採用してもよいし、第2面Wb側から分割溝30aに至るより前までウエハを研削し、その後、回転砥石からウエハへの押圧力の作用により分割溝30aと第2面Wbとの間にクラックを生じさせて半導体ウエハ分割体30Bを形成する手法(第2の手法)を採用してもよい。採用される手法に応じて、図3(a)及び図3(b)を参照して上述したように形成する分割溝30aの、第1面Waからの深さは、適宜に決定される。図9では、第1の手法を経た分割溝30a、又は、第2の手法を経た分割溝30a及びこれに連なるクラックについて、模式的に太線で表す。上記半導体装置の製造方法では、工程Aにおいて、半導体ウエハ分割体としてこのようにして作製される半導体ウエハ分割体30Bを半導体ウエハ30Aの代わりに用い、図4から図8を参照して上述した各工程を行ってもよい。
In the method for manufacturing the semiconductor device, as another embodiment, the wafer thinning step shown in FIG. 9 may be performed instead of the wafer thinning step described above with reference to FIG. 3D. After going through the above-mentioned process with reference to FIG. 3 (c), in the wafer thinning step shown in FIG. 9, the wafer is brought to a predetermined thickness while the semiconductor wafer W is held by the wafer processing tape T2. The
図10(a)及び図10(b)は、当該実施形態における工程B、すなわち半導体ウエハ分割体30Bをダイシングダイボンドフィルム3に貼り合わせた後に行う第1エキスパンド工程(クールエキスパンド工程)を表す。当該実施形態における工程Bでは、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材43を、ダイシングダイボンドフィルム3の図中下側においてダイシングテープ1に当接させて上昇させ、半導体ウエハ分割体30Bの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルム3のダイシングテープ1を、半導体ウエハ分割体30Bの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。このエキスパンドは、ダイシングテープ1において15~32MPa、好ましくは20~32MPaの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば0℃以下であり、好ましくは-20~-5℃、より好ましくは-15~-5℃、より好ましくは-15℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度(突き上げ部材43を上昇させる速度)は、好ましくは1~400mm/秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは1~300mmである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルム3のダイボンドフィルム2を小片のダイボンドフィルム21に割断してダイボンドフィルム付き半導体チップ31が得られる。具体的に、クールエキスパンド工程では、エキスパンドされるダイシングテープ1の粘着剤層12に密着しているダイボンドフィルム2において、半導体ウエハ分割体30Bの各半導体チップ31が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ31間の分割溝30aの図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ1に生じる引張応力が作用する。その結果、ダイボンドフィルム2において半導体チップ31間の分割溝30aの図中垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。
10 (a) and 10 (b) show the step B in the embodiment, that is, the first expanding step (cool expanding step) performed after the semiconductor wafer divided
上記半導体装置の製造方法おいては、さらなる他の実施形態として、工程Aにおいて用いる半導体ウエハ30A又は半導体ウエハ分割体30Bに代えて、以下のようにして作製される半導体ウエハ30Cを用いてもよい。
In the method for manufacturing the semiconductor device, as still another embodiment, the
当該実施形態では、図11(a)及び図11(b)に示すように、まず、半導体ウエハWに改質領域30bを形成する。半導体ウエハWは、第1面Wa及び第2面Wbを有する。半導体ウエハWにおける第1面Waの側には各種の半導体素子(図示略)が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等(図示略)が第1面Wa上に既に形成されている。そして、粘着面T3aを有するウエハ加工用テープT3を半導体ウエハWの第1面Wa側に貼り合わせた後、ウエハ加工用テープT3に半導体ウエハWが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光をウエハ加工用テープT3とは反対の側から半導体ウエハWに対して分割予定ラインに沿って照射して、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハW内に改質領域30bを形成する。改質領域30bは、半導体ウエハWを半導体チップ単位に分離させるための脆弱化領域である。半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域30bを形成する方法については、例えば特開2002-192370号公報に詳述されているが、当該実施形態におけるレーザー光照射条件は、例えば以下の条件の範囲内で適宜に調整される。
<レーザー光照射条件>
(A)レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Nd:YAGレーザー
波長 1064nm
レーザー光スポット断面積 3.14×10-8cm2
発振形態 Qスイッチパルス
繰り返し周波数 100kHz以下
パルス幅 1μs以下
出力 1mJ以下
レーザー光品質 TEM00
偏光特性 直線偏光
(B)集光用レンズ
倍率 100倍以下
NA 0.55
レーザー光波長に対する透過率 100%以下
(C)半導体基板が載置される裁置台の移動速度 280mm/秒以下
なお、レーザー光Lを照射して分割予定ライン上に改質領域4Lを形成する方法については、特開2002-192370号公報等に詳述されているので、ここでの詳細な説明は省略することとする。
In the embodiment, as shown in FIGS. 11 (a) and 11 (b), first, the modified
<Laser light irradiation conditions>
(A) Laser light
Laser light source Semiconductor laser excitation Nd: YAG laser
Wavelength 1064nm
Laser light spot cross-sectional area 3.14 × 10 -8 cm 2
Oscillation form Q-switched pulse
Repeat frequency 100 kHz or less
Output 1mJ or less
Laser light quality TEM00
Polarization characteristics Linear polarization (B) Condensing lens
Magnification 100 times or less
NA 0.55
Transmittance with respect to laser light wavelength 100% or less (C) Movement speed of the cutting table on which the semiconductor substrate is placed 280 mm / sec or less A method of irradiating laser light L to form a modified region 4L on a planned division line. Is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-192370 and the like, and detailed description thereof will be omitted here.
次に、図11(c)に示すように、ウエハ加工用テープT3に半導体ウエハWが保持された状態で、半導体ウエハWが所定の厚さに至るまで第2面Wbからの研削加工によって薄化させ、これによって複数の半導体チップ31に個片化可能な半導体ウエハ30Cを形成する(ウエハ薄化工程)。上記半導体装置の製造方法では、工程Aにおいて、個片化可能は半導体ウエハとしてこのようにして作製される半導体ウエハ30Cを半導体ウエハ30Aの代わりに用い、図4から図8を参照して上述した各工程を行ってもよい。
Next, as shown in FIG. 11C, with the semiconductor wafer W held by the wafer processing tape T3, the semiconductor wafer W is thinned by grinding from the second surface Wb until it reaches a predetermined thickness. A
具体例として、図12(a)及び図12(b)は、当該実施形態における工程B、すなわち半導体ウエハ30Cをダイシングダイボンドフィルム3に貼り合わせた後に行う第1エキスパンド工程(クールエキスパンド工程)を表す。クールエキスパンド工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材43を、ダイシングダイボンドフィルム3の図中下側においてダイシングテープ1に当接させて上昇させ、半導体ウエハ30Cの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルム3のダイシングテープ1を、半導体ウエハ30Cの径方向及び周方向を含む二次元方向に引き伸ばすようにエキスパンドする。このエキスパンドは、ダイシングテープ1において5~28MPa、好ましくは8~25MPaの範囲内の引張応力が生じる条件で行う。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば0℃以下であり、好ましくは-20~-5℃、より好ましくは-15~-5℃、より好ましくは-15℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度(突き上げ部材43を上昇させる速度)は、好ましくは1~400mm/秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは1~300mmである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルム3のダイボンドフィルム2を小片のダイボンドフィルム21に割断してダイボンドフィルム付き半導体チップ31が得られる。具体的に、クールエキスパンド工程では、半導体ウエハ30Cにおいて脆弱な改質領域30bにクラックを形成されて半導体チップ31への個片化が生じる。これとともに、クールエキスパンド工程では、エキスパンドされるダイシングテープ1の粘着剤層12に密着しているダイボンドフィルム2において、半導体ウエハ30Cの各半導体チップ31が密着している各領域では変形が抑制される一方で、ウエハのクラック形成箇所の図中垂直方向に位置する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ1に生じる引張応力が作用する。その結果、ダイボンドフィルム2において半導体チップ31間のクラック形成箇所の図中垂直方向に位置する箇所が割断されることとなる。
As a specific example, FIGS. 12A and 12B represent a step B in the embodiment, that is, a first expanding step (cool expanding step) performed after the
また、上記半導体装置の製造方法において、ダイシングダイボンドフィルム3は、上述のようにダイボンドフィルム付き半導体チップを得る用途に使用することができるが、複数の半導体チップを積層して3次元実装をする場合におけるダイボンドフィルム付き半導体チップを得るための用途にも使用することができる。そのような3次元実装における半導体チップ31間には、ダイボンドフィルム21と共にスペーサが介在していてもよいし、スペーサが介在していなくてもよい。
Further, in the method for manufacturing a semiconductor device, the dicing die
以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
実施例1
(ダイシングテープの作製)
冷却管、窒素導入管、温度計、及び撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸2-エチルヘキシル(2EHA)100質量部、アクリル酸2-ヒドロキシエチル(HEA)19質量部、過酸化ベンゾイル0.4質量部、及びトルエン80質量部を入れ、窒素気流中で60℃にて10時間重合を行い、アクリル系ポリマーAを含む溶液を得た。
このアクリル系ポリマーAを含む溶液に2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)1.2質量部を加え、空気気流中で50℃にて60時間、付加反応を行い、アクリル系ポリマーA’を含む溶液を得た。
次に、アクリル系ポリマーA’100質量部に対し、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、東ソー(株)製)1.3質量部、及び光重合開始剤(商品名「イルガキュア184」、BASF社製)3質量部を加えて、粘着剤組成物Aを作製した。
得られた粘着剤組成物Aを、PET系セパレータのシリコーン処理を施した面上に塗布し、120℃で2分間加熱固化し、厚さ10μmの粘着剤層Aを形成した。次いで、粘着剤層Aの露出面に、基材としてポリ塩化ビニルフィルム(商品名「V9K」、アキレス(株)製、厚さ100μm)を貼り合わせ、23℃にて72時間保存して、ダイシングテープAを作製した。
Example 1
(Making dicing tape)
In a reaction vessel equipped with a cooling tube, a nitrogen introduction tube, a thermometer, and a stirrer, 100 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA), 19 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (HEA), and benzoyl peroxide 0. 4 parts by mass and 80 parts by mass of toluene were added, and polymerization was carried out at 60 ° C. for 10 hours in a nitrogen stream to obtain a solution containing acrylic polymer A.
To this solution containing acrylic polymer A, 1.2 parts by mass of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) was added, and an addition reaction was carried out at 50 ° C. for 60 hours in an air stream to carry out an addition reaction. Got
Next, with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer A', 1.3 parts by mass of the polyisocyanate compound (trade name "Coronate L", manufactured by Toso Co., Ltd.) and a photopolymerization initiator (trade name "Irgacure 184"). A pressure-sensitive adhesive composition A was prepared by adding 3 parts by mass (manufactured by BASF).
The obtained pressure-sensitive adhesive composition A was applied onto the silicone-treated surface of the PET-based separator and solidified by heating at 120 ° C. for 2 minutes to form a pressure-sensitive adhesive layer A having a thickness of 10 μm. Next, a polyvinyl chloride film (trade name "V9K", manufactured by Achilles Corporation, thickness 100 μm) was attached to the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer A and stored at 23 ° C. for 72 hours for dicing. Tape A was produced.
(ダイボンドフィルムの作製)
下記(a)~(e)をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度20質量%の接着剤組成物Aを得た。
(a)アクリル樹脂(商品名「SG-70L」、ナガセケムテックス(株)製、ガラス転移温度4℃):100質量部(固形分)
(b)エポキシ樹脂(商品名「N-655-EXP-S」、DIC(株)製):13質量部
(c)エポキシ樹脂(商品名「JER828」、三菱化学(株)製):13質量部
(d)フェノール樹脂(商品名「MEH-7851ss」、明和化成(株)製):119質量部
(e)球状シリカ(商品名「SO-25R」、(株)アドマテックス製):222質量部
(Making a die bond film)
The following (a) to (e) were dissolved in methyl ethyl ketone to obtain an adhesive composition A having a solid content concentration of 20% by mass.
(A) Acrylic resin (trade name "SG-70L", manufactured by Nagase ChemteX Corporation, glass transition temperature 4 ° C.): 100 parts by mass (solid content)
(B) Epoxy resin (trade name "N-655-EXP-S", manufactured by DIC Corporation): 13 parts by mass (c) Epoxy resin (trade name "JER828", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation): 13 mass Part (d) Phenol resin (trade name "MEH-7851ss", manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.): 119 parts by mass (e) Spherical silica (trade name "SO-25R", manufactured by Admatex Corporation): 222 mass Department
得られた接着剤組成物Aを、PET系セパレータのシリコーン処理を施した面上に塗布した後、130℃で2分間加熱固化し、厚さ(平均厚さ)10μmのダイボンドフィルムAを作製した。 The obtained adhesive composition A was applied onto the silicone-treated surface of the PET-based separator and then heat-solidified at 130 ° C. for 2 minutes to prepare a die bond film A having a thickness (average thickness) of 10 μm. ..
(ダイシングダイボンドフィルムの作製)
ダイシングテープAからPET系セパレータを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムAを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、300mJの紫外線をダイシングテープ側から照射し、ダイシングダイボンドフィルムAを作製した。
(Preparation of dicing die bond film)
The PET-based separator was peeled off from the dicing tape A, and the die bond film A was attached to the exposed pressure-sensitive adhesive layer. A hand roller was used for bonding. Next, 300 mJ of ultraviolet rays were irradiated from the dicing tape side to prepare a dicing die bond film A.
比較例1
(ダイシングテープの作製)
基材としてEVA系フィルム(商品名「NED#125」、グンゼ(株)製、厚さ125μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、ダイシングテープBを得た。
Comparative Example 1
(Making dicing tape)
A dicing tape B was obtained in the same manner as in Example 1 except that an EVA-based film (trade name “NED # 125”, manufactured by Gunze Co., Ltd., thickness 125 μm) was used as a base material.
(ダイシングダイボンドフィルムの作製)
ダイシングテープAの代わりにダイシングテープBを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、ダイシングダイボンドフィルムBを作製した。
(Preparation of dicing die bond film)
A dicing die bond film B was produced in the same manner as in Example 1 except that the dicing tape B was used instead of the dicing tape A.
比較例2
(ダイシングテープの作製)
基材として、ポリエチレン/ポリプロピレン/ポリエチレンの3層構成を有するプラスチック基材(商品名「DDZ」、グンゼ(株)製、厚さ90μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、ダイシングテープCを得た。
Comparative Example 2
(Making dicing tape)
As the base material, the same as in Example 1 except that a plastic base material having a three-layer structure of polyethylene / polypropylene / polyethylene (trade name “DDZ”, manufactured by Gunze Co., Ltd., thickness 90 μm) was used. Dicing tape C was obtained.
(ダイシングダイボンドフィルムの作製)
ダイシングテープAの代わりにダイシングテープCを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、ダイシングダイボンドフィルムCを作製した。
(Preparation of dicing die bond film)
A dicing die bond film C was produced in the same manner as in Example 1 except that the dicing tape C was used instead of the dicing tape A.
比較例3
(ダイシングテープの作製)
基材としてEVA系フィルム(商品名「RB0104」、倉敷紡績(株)製、厚さ130μm)を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、ダイシングテープDを得た。
Comparative Example 3
(Making dicing tape)
A dicing tape D was obtained in the same manner as in Example 1 except that an EVA-based film (trade name “RB0104”, manufactured by Kurabo Industries Ltd., thickness 130 μm) was used as a base material.
(ダイシングダイボンドフィルムの作製)
ダイシングテープAの代わりにダイシングテープDを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、ダイシングダイボンドフィルムDを作製した。
(Preparation of dicing die bond film)
A dicing die bond film D was produced in the same manner as in Example 1 except that the dicing tape D was used instead of the dicing tape A.
<評価>
実施例及び比較例で得られたダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムについて、以下の評価を行った。結果を表1に示す。
<Evaluation>
The dicing tape and the dicing die bond film obtained in Examples and Comparative Examples were evaluated as follows. The results are shown in Table 1.
(ダイシングテープの引張応力及び応力緩和率)
実施例及び比較例で得られたダイシングテープから、基材のMD方向を長さ方向として長さ140mm×幅20mmに切り出して短冊状試験片を得た。この短冊状試験片を、23℃、50%RHの雰囲気下で、初期チャック間距離100mmとし、引張速度100mm/分で引張試験機(商品名「AFX-50NX」、(株)島津製作所製)を用いて、伸び率30%まで延伸(伸長)させて停止して、応力値を2000秒間測定した。そして、延伸させて停止した際の応力値を「30%延伸時の応力値」、延伸停止から1000秒経過したときの応力値を「30%延伸1000秒後の応力値」として得た。そして、30%延伸時の応力値をA、30%延伸1000秒後の応力値をBとし、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力緩和率を下記式により求めた。
応力緩和率(%)=(A-B)/A×100
(Tensile stress and stress relaxation rate of dicing tape)
From the dicing tapes obtained in Examples and Comparative Examples, strip-shaped test pieces were obtained by cutting out a base material into a length of 140 mm and a width of 20 mm with the MD direction as the length direction. This strip-shaped test piece is subjected to a tensile tester (trade name "AFX-50NX", manufactured by Shimadzu Corporation) at an initial chuck distance of 100 mm and a tensile speed of 100 mm / min under an atmosphere of 23 ° C. and 50% RH. The stress value was measured for 2000 seconds after stretching (stretching) to an elongation rate of 30% and stopping. Then, the stress value at the time of stretching and stopping was obtained as "stress value at 30% stretching", and the stress value at the time of 1000 seconds after stretching was obtained as "stress value after 1000 seconds of 30% stretching". Then, the stress value at the time of 30% stretching was A, the stress value after 1000 seconds of 30% stretching was B, and the stress relaxation rate 1000 seconds after stretching at 23 ° C. was obtained by the following formula. ..
Stress relaxation rate (%) = (AB) / A × 100
(ダイボンドフィルム付き半導体チップの浮き)
レーザー加工装置として商品名「ML300-Integration」((株)東京精密製)を用いて、12インチの半導体ウエハの内部に集光点を合わせ、格子状(10mm×10mm)の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、半導体ウエハの内部に改質領域を形成した。レーザー光の照射は、下記の条件で行った。
(A)レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Nd:YAGレーザー
波長 1064nm
レーザー光スポット断面積 3.14×10-8cm2
発振形態 Qスイッチパルス
繰り返し周波数 100kHz
パルス幅 30ns
出力 20μJ/パルス
レーザー光品質 TEM00 40
偏光特性 直線偏光
(B)集光用レンズ
倍率 50倍
NA 0.55
レーザー光波長に対する透過率 60%
(C)半導体基板が載置される裁置台の移動速度 100mm/秒
(Floating semiconductor chip with die bond film)
Using the product name "ML300-Integration" (manufactured by Tokyo Precision Co., Ltd.) as a laser processing device, the condensing points are aligned inside the 12-inch semiconductor wafer, and along the grid-like (10 mm x 10 mm) division schedule line. A laser beam was irradiated to form a modified region inside the semiconductor wafer. Irradiation of laser light was performed under the following conditions.
(A) Laser light
Laser light source Semiconductor laser excitation Nd: YAG laser
Wavelength 1064nm
Laser light spot cross-sectional area 3.14 × 10 -8 cm 2
Oscillation form Q-switched pulse
Repeat frequency 100kHz
Pulse width 30ns
Output 20μJ / pulse
Laser light quality TEM00 40
Polarization characteristics Linear polarization (B) Condensing lens
Magnification 50 times
NA 0.55
Transmittance to laser light wavelength 60%
(C) The moving speed of the cutting table on which the semiconductor substrate is placed is 100 mm / sec.
半導体ウエハ内部に改質領域を形成した後、半導体ウエハの表面にバックグラインド用保護テープを貼り合わせ、バックグラインダー(商品名「DGP8760」、(株)ディスコ製)を用いて半導体ウエハの厚さが30μmになるように裏面を研削した。 After forming a modified region inside the semiconductor wafer, a protective tape for back grinding is attached to the surface of the semiconductor wafer, and a back grinder (trade name "DGP8760", manufactured by Disco Co., Ltd.) is used to increase the thickness of the semiconductor wafer. The back surface was ground to 30 μm.
実施例及び比較例で得られたダイシングダイボンドフィルムに、改質領域が形成された半導体ウエハとダイシングリングを貼り合わせた。そして、ダイセパレーター(商品名「DDS2300」、(株)ディスコ製)を用いて、半導体ウエハ及びダイボンドフィルムの割断を行った。具体的には、まず、クールエキスパンダーユニットで、温度-15℃、所定の速度、所定のエキスパンド量の条件でクールエキスパンドを行って半導体ウエハを割断させた。なお、クールエキスパンド時の速度(エキスパンド速度)は、実施例1は0.5mm/秒、比較例1~3は1mm/秒であり、エキスパンド量は、実施例1は3mm、比較例1及び2は8mm、比較例3は4mmである。なお、クールエキスパンドの好ましい条件(エキスパンド速度、エキスパンド量等)は、ダイシングテープの種類によって異なるため、実施例及び各比較例において最も好ましい条件でクールエキスパンドを行った。クールエキスパンド後は、割断及びダイボンドフィルム付き半導体チップの浮きに問題が無いことを確認した。 The semiconductor wafer on which the modified region was formed and the dicing ring were bonded to the dicing die bond films obtained in Examples and Comparative Examples. Then, the semiconductor wafer and the die bond film were cut using a die separator (trade name "DDS2300", manufactured by DISCO Corporation). Specifically, first, the semiconductor wafer was split by performing cool expansion with a cool expander unit under the conditions of a temperature of −15 ° C., a predetermined speed, and a predetermined expand amount. The speed at the time of cool expansion (expanding speed) was 0.5 mm / sec in Example 1, 1 mm / sec in Comparative Examples 1 to 3, and the expanding amount was 3 mm in Example 1, and Comparative Examples 1 and 2. Is 8 mm, and Comparative Example 3 is 4 mm. Since the preferable conditions for cool expanding (expanding speed, expanding amount, etc.) differ depending on the type of dicing tape, cool expanding was performed under the most preferable conditions in the examples and each comparative example. After the cool expansion, it was confirmed that there was no problem in cutting and floating of the semiconductor chip with the die bond film.
半導体ウエハ及びダイボンドフィルムの割断後、上記クールエキスパンダーユニットをそのまま用いて、室温、エキスパンド速度0.3mm/秒、エキスパンド量8mmの条件で常温エキスパンドを行った。そして、ダイボンドフィルムがダイシングテープから浮いている部分の面積(ダイボンドフィルム全体の面積を100%としたときの浮いているダイボンドフィルム付き半導体チップの面積の割合)を顕微鏡で観察した。浮きが無い又は許容範囲内であれば○、浮きが目立って有る場合を×として評価した。結果を表1に示す。なお、常温エキスパンドの好ましい条件(エキスパンド速度、エキスパンド量等)は、ダイシングテープの種類によって異なるため、実施例及び各比較例において最も好ましい条件で常温エキスパンドを行い、評価を行った。 After the semiconductor wafer and the die bond film were cut, room temperature expansion was performed using the above-mentioned cool expander unit as it was under the conditions of room temperature, an expanding speed of 0.3 mm / sec, and an expanding amount of 8 mm. Then, the area of the portion where the die bond film was floating from the dicing tape (the ratio of the area of the floating semiconductor chip with the die bond film when the total area of the die bond film was 100%) was observed with a microscope. If there was no floating or within the permissible range, it was evaluated as ◯, and if the floating was conspicuous, it was evaluated as ×. The results are shown in Table 1. Since the preferable conditions for normal temperature expansion (expanding speed, expanding amount, etc.) differ depending on the type of dicing tape, normal temperature expanding was performed under the most preferable conditions in the examples and each comparative example for evaluation.
1 ダイシングテープ
11 基材
12 粘着剤層
2、21 ダイボンドフィルム
3 ダイシングダイボンドフィルム
W、30A 半導体ウエハ
30B 半導体ウエハ分割体
30a 分割溝
30b 改質領域
31 半導体チップ
1 Dicing
Claims (6)
少なくとも一方向の、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力緩和率が45%以上であり、
前記少なくとも一方向の、23℃の温度条件で30%延伸してから1000秒後の応力値が4MPa以下である、ダイシングテープ。 It has a base material and an adhesive layer laminated on the base material.
The stress relaxation rate after 1000 seconds after stretching by 30% at a temperature condition of 23 ° C. in at least one direction is 45% or more.
A dicing tape having a stress value of 4 MPa or less 1000 seconds after stretching by 30% under a temperature condition of 23 ° C. in at least one direction.
前記ダイボンドフィルムは、引張応力を加えることにより割断して使用される、ダイシングダイボンドフィルム。 It has the dicing tape according to any one of claims 1 to 4 and the dicing film laminated on the adhesive layer in the dicing tape.
The dicing die bond film is a dicing die bond film that is used by being cut by applying tensile stress.
比較的低温の条件下で、前記ダイシングダイボンドフィルムにおける前記ダイシングテープをエキスパンドして、少なくとも前記ダイボンドフィルムを割断してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る工程Bと、
比較的高温の条件下で、前記ダイシングテープをエキスパンドして、前記ダイボンドフィルム付き半導体チップ同士の間隔を広げる工程Cと、
前記ダイボンドフィルム付き半導体チップをピックアップする工程Dと
を含む、半導体装置の製造方法。 The step A of attaching a fragment of a semiconductor wafer including a plurality of semiconductor chips or a semiconductor wafer that can be fragmented to a plurality of semiconductor chips on the dicing die bond film side of the dicing die bond film according to claim 5.
Step B of expanding the dicing tape in the dicing die bond film under relatively low temperature conditions and cutting at least the dicing film to obtain a semiconductor chip with the die bond film.
Step C of expanding the dicing tape under relatively high temperature conditions to widen the distance between the semiconductor chips with the die bond film.
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the step D of picking up the semiconductor chip with a die-bonded film.
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