JP7032916B2 - セラミックコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ100の部分断面斜視図である。図2は、図1のA-A線断面図である。図3は、図1のB-B線断面図である。図1~図3で例示するように、積層セラミックコンデンサ100は、略直方体形状を有する積層チップ10と、積層チップ10のいずれかの対向する2端面に設けられた外部電極20a,20bとを備える。なお、積層チップ10の当該2端面以外の4面のうち、積層方向の上面および下面以外の2面を側面と称する。外部電極20a,20bは、積層チップ10の積層方向の上面、下面および2側面に延在している。ただし、外部電極20a,20bは、互いに離間している。
C=ε0×εr×S×n/t (1)
ΔL=d33×V×n (2)
d33=k33×√(ε33×s33) (3)
まず、誘電体層11を形成するための誘電体材料を用意する。誘電体層11に含まれるAサイト元素およびBサイト元素は、通常はABO3の粒子の焼結体の形で誘電体層11に含まれる。例えば、チタン酸バリウムは、ペロブスカイト構造を有する正方晶化合物であって、高い誘電率を示す。このBaTiO3は、一般的に、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成することで得ることができる。誘電体層11を構成するセラミックの合成方法としては、従来種々の方法が知られており、例えば固相合成法、ゾル-ゲル合成法、水熱合成法等が知られている。
次に、得られた誘電体材料に、ポリビニルブチラール(PVB)樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、フタル酸ジオクチル(DOP)等の可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に例えば厚み3μm~10μmの帯状の誘電体グリーンシートを塗工して乾燥させる。
このようにして得られた成型体を、250~500℃のN2雰囲気中で脱バインダ処理した後に、酸素分圧10-5~10-8atmの還元雰囲気中で1100~1300℃で10分~2時間焼成することで、各化合物が焼結して粒成長する。このようにして、積層セラミックコンデンサ100が得られる。
その後、N2ガス雰囲気中で600℃~1000℃で再酸化処理を行ってもよい。
次に、得られた焼結体の内部電極層パターンが露出する2端面に、外部電極20a,20bの形成用の導電ペーストを塗布する。当該導電ペーストには、Cuなどを用いることができる。窒素雰囲気中で、上記焼結体を得るための焼成温度よりも低い温度(例えば、800℃~900℃程度の温度)で焼成する。それにより、外部電極20a,20bが焼き付けられる。その後、めっき処理により、Cu,Ni,Sn等の金属コーティングを行ってもよい。
チタン酸バリウムを水熱合成法で合成した第1セラミック粉末(水熱合成粉)と、チタン酸バリウムを固相合成法で合成した第2セラミック粉末(固相合成粉)とを混合した。水熱合成粉および固相合成粉の平均粒子径は、200nmとした。実施例1では、水熱合成粉を10vol%とし、固相合成粉を90vol%とした。実施例2では、水熱合成粉を20vol%とし、固相合成粉を80vol%とした。実施例3では、水熱合成粉を30vol%とし、固相合成粉を70vol%とした。実施例4では、水熱合成粉を40vol%とし、固相合成粉を60vol%とした。実施例5では、水熱合成粉を50vol%とし、固相合成粉を50vol%とした。実施例6では、水熱合成粉を60vol%とし、固相合成粉を40vol%とした。実施例7では、水熱合成粉を70vol%とし、固相合成粉を30vol%とした。実施例8では、水熱合成粉を80vol%とし、固相合成粉を20vol%とした。比較例1では、水熱合成粉を用いず、固相合成粉を100vol%とした。比較例2では、水熱合成粉を90vol%とし、固相合成粉を10vol%とした。比較例3では、水熱合成粉を100vol%とし、固相合成粉を用いなかった。
実施例1~8および比較例1~3の積層セラミックコンデンサの静電容量は、LCRメータにて、1kHz-1Vrmsで測定を行った。誘電体層11のセラミック粒子30の粒子内ポア40の比率を確認するため、TEM観察を行い、撮影したTEM像写真を用いて、粒子内ポア40の面積比率を算出した。また、各積層セラミックコンデンサに対して、室温において、コンデンサ両端子間に100V/sの昇圧速度で電圧を印加し、短絡破壊したときの電圧を破壊電圧とした。耐電圧測定器にて破壊電圧の測定を行った。静電容量が1100nFを上回り、加えて破壊電圧平均値が800Vを上回ったものを合格「〇または△」と判定し、破壊電圧平均値が950Vを上回ったものを特に良好「〇」と判定した。なお、「1100nF」は、比較例1の静電容量に対して約90%以上の容量を維持できることを判定基準として定めたものである。また、破壊電圧平均値は、30個のサンプルの平均値である。
11 誘電体層
12 内部電極層
13 カバー層
14 容量領域
15 エンドマージン領域
16 サイドマージン領域
20a,20b 外部電極
30 セラミック粒子
40 粒子内ポア
100 積層セラミックコンデンサ
Claims (8)
- セラミック粒子を主成分とする誘電体層を備え、
前記誘電体層の断面において、前記セラミック粒子の断面積に対する面積比率で0.03%~0.20%のポアが前記セラミック粒子内部に形成されていることを特徴とするセラミックコンデンサ。 - 前記誘電体層は、内部にポアを有する第1セラミック粒子と、内部にポアを有していない第2セラミック粒子とを含むことを特徴とする請求項1記載のセラミックコンデンサ。
- 前記誘電体層における前記第1セラミック粒子および前記第2セラミック粒子を100vol%とした場合に、前記第1セラミック粒子の比率は、10vol%~80vol%であることを特徴とする請求項2記載のセラミックコンデンサ。
- 前記主成分は、チタン酸バリウムであることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサ。
- 水熱合成法で合成された第1セラミック粉末と、水熱合成法以外の方法で合成された第2セラミック粉末とを含むセラミックスラリを用いてグリーンシートを作製する作製工程と、
前記グリーンシートを焼成する工程と、を含み、
前記グリーンシートを焼成することによって得られる誘電体層の断面において、各セラミック粒子の合計の断面積に対する面積比率で粒子内ポアの合計の断面積を0.03%以上0.20%以下となるように、前記焼成する工程を行なうことを特徴とするセラミックコンデンサの製造方法。 - 前記作製工程において、前記第1セラミック粉末および前記第2セラミック粉末の合計を100vol%とした場合に、10vol%~80vol%の前記第1セラミック粉末と、20vol%~90vol%の前記第2セラミック粉末とを混合した前記セラミックスラリを用いることを特徴とする請求項5記載のセラミックコンデンサの製造方法。
- 前記作製工程において、固相合成法により前記第2セラミック粉末を合成することを特徴とする請求項5または6に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
- 前記第1セラミック粉末および前記第2セラミック粉末は、チタン酸バリウムであることを特徴とする請求項5~7のいずれか一項に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
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