JP7029525B2 - アレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 134
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
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- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
前記第1平坦層は、前記薄膜トランジスタ層に対応して設けられる。
Claims (14)
- アレイ基板であって、
ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられる第1平坦層と、
前記ベース基板上に設けられ、前記ベース基板が露出されるように前記第1平坦層との間に遮断溝が形成される第2平坦層と、
前記第1平坦層上に設けられる第1電極層と、
前記第2平坦層の側面が遮蔽されるように前記第2平坦層上に設けられる反射層と、
前記第1平坦層の一部及び前記第2平坦層の一部が被覆されるように前記遮断溝上に設けられる画素定義層と、
前記第1電極層及び前記反射層上に設けられる発光層と、
前記発光層上に設けられる第2電極層と、を含み、
前記反射層は、前記第2平坦層から前記アレイ基板上に延伸し、
前記反射層と前記第1平坦層との間には、隙間が形成される、アレイ基板。 - 前記ベース基板上に設けられる薄膜トランジスタ層をさらに含み、
前記第1平坦層は、前記薄膜トランジスタ層に対応して設けられる、請求項1に記載のアレイ基板。 - 前記遮断溝の一側壁が被覆されるとともに前記ベース基板上に延伸するように前記反射層が前記第2平坦層上に設けられることにより、第2平坦層が前記反射層と前記ベース基板との間に設けられる、請求項1に記載のアレイ基板。
- 前記反射層の材質は、前記第1電極層の材質と同じである、請求項1に記載のアレイ基板。
- 前記第2平坦層の厚さは、前記第1平坦層の厚さよりも大きい、請求項1に記載のアレイ基板。
- アレイ基板であって、
ベース基板と、
前記ベース基板上に設けられる第1平坦層と、
前記ベース基板上に設けられ、前記ベース基板が露出されるように前記第1平坦層との間に遮断溝が形成される第2平坦層と、
前記第1平坦層上に設けられる第1電極層と、
前記第2平坦層の側面が遮蔽されるように前記第2平坦層上に設けられる反射層と、
前記第1平坦層の一部及び前記第2平坦層の一部が被覆されるように前記遮断溝上に設けられる画素定義層と、
前記第1電極層及び前記反射層上に設けられる発光層と、
前記発光層上に設けられる第2電極層と、を含む、アレイ基板。 - 前記ベース基板上に設けられる薄膜トランジスタ層をさらに含み、
前記第1平坦層は、前記薄膜トランジスタ層に対応して設けられる、請求項6に記載のアレイ基板。 - 前記遮断溝の一側壁が被覆されるとともに前記ベース基板上に延伸するように前記反射層が前記第2平坦層上に設けられることにより、第2平坦層が前記反射層と前記ベース基板との間に設けられる、請求項6に記載のアレイ基板。
- 前記反射層の材質は、前記第1電極層の材質と同じである、請求項6に記載のアレイ基板。
- 前記第2平坦層の厚さは、前記第1平坦層の厚さよりも大きい、請求項6に記載のアレイ基板。
- アレイ基板の製造方法であって、
ベース基板を提供するステップと、
第1平坦層を第1マスクによって前記ベース基板上に形成するステップと、
第2平坦層を第2マスクによって前記ベース基板上に形成することで、前記ベース基板が露出されるように前記第1平坦層と前記第2平坦層との間に遮断溝が形成されるステップと、
第1電極層を第3マスクによって前記第1平坦層上に形成するとともに、前記第2平坦層の側面が遮蔽されるように反射層を前記第2平坦層上に形成するステップと、
前記第1平坦層の一部及び前記第2平坦層の一部が被覆されるように画素定義層を第4マスクによって前記遮断溝上に形成することで、互いに離間した一対の画素定義層が形成されるステップと、
発光層を前記第1電極層及び前記反射層上に形成するステップと、
第2電極層を前記発光層上に形成するステップと、を含む、アレイ基板の製造方法。 - 前記ベース基板上に設けられる薄膜トランジスタ層をさらに含み、
前記第1平坦層は、前記薄膜トランジスタ層に対応して設けられる、請求項11に記載のアレイ基板の製造方法。 - 前記遮断溝の一側壁が被覆されるとともに前記ベース基板上に延伸するように前記反射層が前記第2平坦層上に設けられることにより、第2平坦層が前記反射層と前記ベース基板との間に設けられる、請求項11に記載のアレイ基板の製造方法。
- 前記反射層の材質は、前記第1電極層の材質と同じである、請求項11に記載のアレイ基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910376302.1A CN110071229B (zh) | 2019-05-07 | 2019-05-07 | 阵列基板及其制作方法 |
CN201910376302.1 | 2019-05-07 | ||
PCT/CN2019/101615 WO2020224088A1 (zh) | 2019-05-07 | 2019-08-20 | 阵列基板及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021526705A JP2021526705A (ja) | 2021-10-07 |
JP7029525B2 true JP7029525B2 (ja) | 2022-03-03 |
Family
ID=67370255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020517531A Active JP7029525B2 (ja) | 2019-05-07 | 2019-08-20 | アレイ基板及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210359046A1 (ja) |
JP (1) | JP7029525B2 (ja) |
CN (1) | CN110071229B (ja) |
WO (1) | WO2020224088A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021035416A1 (zh) | 2019-08-23 | 2021-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
CN105185816A (zh) | 2015-10-15 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
US11600234B2 (en) | 2015-10-15 | 2023-03-07 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Display substrate and driving method thereof |
CN109873023B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN110071229B (zh) * | 2019-05-07 | 2020-09-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
JP7339432B2 (ja) | 2019-08-23 | 2023-09-05 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示装置およびその製造方法、駆動基板 |
EP4020447B1 (en) | 2019-08-23 | 2024-03-27 | BOE Technology Group Co., Ltd. | Pixel circuit and driving method therefor, and display substrate and driving method therefor, and display device |
CN114694590B (zh) | 2019-08-23 | 2024-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
CN112840461A (zh) | 2019-08-23 | 2021-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
EP4020575A4 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-14 | BOE Technology Group Co., Ltd. | DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING IT |
EP4024466A4 (en) | 2019-08-27 | 2022-10-05 | BOE Technology Group Co., Ltd. | ELECTRONIC DEVICE SUBSTRATE AND METHOD OF MAKING IT, AND ELECTRONIC DEVICE THEREOF |
CN110854168B (zh) * | 2019-10-31 | 2022-02-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法 |
CN111029482B (zh) * | 2019-12-17 | 2021-01-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
US11322542B2 (en) * | 2020-03-27 | 2022-05-03 | Harvatek Corporation | Light-emitting diode (LED) assembly and method of manufacturing an LED cell of the same |
CN114639793A (zh) * | 2020-12-16 | 2022-06-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN113078279A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版 |
CN115411216B (zh) * | 2022-09-15 | 2024-09-03 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104733501A (zh) | 2015-02-13 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构、显示装置以及像素结构的制作方法 |
CN109037493A (zh) | 2018-07-27 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10957804B2 (en) * | 2009-08-18 | 2021-03-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Photodetector using resonance and related method |
WO2020107252A1 (en) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel structure, display apparatus, and method of fabricating pixel structure |
CN110071229B (zh) * | 2019-05-07 | 2020-09-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
-
2019
- 2019-05-07 CN CN201910376302.1A patent/CN110071229B/zh active Active
- 2019-08-20 JP JP2020517531A patent/JP7029525B2/ja active Active
- 2019-08-20 US US16/622,062 patent/US20210359046A1/en not_active Abandoned
- 2019-08-20 WO PCT/CN2019/101615 patent/WO2020224088A1/zh active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104733501A (zh) | 2015-02-13 | 2015-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构、显示装置以及像素结构的制作方法 |
CN109037493A (zh) | 2018-07-27 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110071229A (zh) | 2019-07-30 |
US20210359046A1 (en) | 2021-11-18 |
WO2020224088A1 (zh) | 2020-11-12 |
JP2021526705A (ja) | 2021-10-07 |
CN110071229B (zh) | 2020-09-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
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