TWI836927B

TWI836927B - 發光裝置

Info

Publication number: TWI836927B
Application number: TW112107894A
Authority: TW
Inventors: 張瑤山; 陳柏良; 林育玄
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Filing date: 2023-03-03
Publication date: 2024-03-21

Abstract

一種發光裝置包括發光基板、畫素定義層、多個波長轉換層與多個填充材料。畫素定義層具有多個次畫素開口，並包括第一黑色遮光層、第二黑色遮光層以及主體層。第一黑色遮光層位於發光基板與第二黑色遮光層之間。主體層設置於第一黑色遮光層與第二黑色遮光層之間。各個次畫素開口從第二黑色遮光層經由主體層與第一黑色遮光層而延伸至發光基板。波長轉換層與填充材料設置於這些次畫素開口內，其中這些填充材料的最大厚度小於畫素定義層的厚度。

Description

發光裝置

本發明是有關於一種發光裝置，且特別是一種能顯示影像的發光裝置。

目前常見的量子點顯示器通常具有多個光源以及多個光致發光量子點層（Photoluminescence Quantum Dot Layer，PLQD Layer），其中這些光源分別對準這些光致發光量子點層，以使各個光源能朝向對應的光致發光量子點層發光，從而激發這些光致發光量子點層來產生多種不同顏色的光線。然而，各個光源所發出的多道光線不僅會入射於對應的光致發光量子點層，也會入射於其他光致發光量子點層而發生漏光（light leakage），以至於單一個光源能激發多個不同光致發光量子點層產生多種不同顏色的光線而造成串擾（crosstalk），造成影像的色彩品質降低。

本發明至少一實施例提出一種發光裝置，其利用黑色遮光層來避免或降低上述串擾所造成的不良影響。

本發明至少一實施例還提出一種發光裝置，其有助於提升影像的色彩品質。

本發明至少一實施例所提出的發光裝置包括發光基板、畫素定義層、多個波長轉換層以及多個填充材料。發光基板具有出光面。畫素定義層設置於出光面上，並具有多個次畫素開口，其中畫素定義層包括第一黑色遮光層、第二黑色遮光層以及主體層。第一黑色遮光層設置於出光面上，並位於發光基板與第二黑色遮光層之間。主體層設置於第一黑色遮光層與第二黑色遮光層之間，其中各個次畫素開口從第二黑色遮光層經由主體層與第一黑色遮光層而延伸至發光基板。這些波長轉換層設置於這些次畫素開口內。這些填充材料分別設置於這些次畫素開口內，其中這些填充材料的一最大厚度小於畫素定義層的厚度。

在本發明至少一實施例中，上述發光基板包括電路基板、多個發光元件以及覆蓋層。這些發光元件設置於電路基板上，並電性連接電路基板，其中各個發光元件具有發光面與側面，而側面連接發光面。覆蓋層設置於電路基板上，並位於電路基板與第一黑色遮光層之間，其中覆蓋層覆蓋各個發光元件的側面，但不覆蓋各個發光元件的發光面。

在本發明至少一實施例中，在至少一個次畫素開口中，填充材料位於發光基板與波長轉換層之間。

在本發明至少一實施例中，上述主體層具有第一表面、第二表面以及多個位於次畫素開口內的側壁面，其中第一表面相對於第二表面，而這些側壁面位於第一表面與第二表面之間，並連接第一表面與第二表面。第一黑色遮光層覆蓋第一表面與各個側壁面的一部分，而各個側壁面的其他部分未被第一黑色遮光層覆蓋。第二黑色遮光層覆蓋第二表面。

在本發明至少一實施例中，上述主體層的顏色為白色或灰色。

在本發明至少一實施例中，各個填充材料具有光入射面，其中光入射面面對出光面，且第一黑色遮光層位於光入射面與出光面之間。主體層凸出於光入射面。

在本發明至少一實施例中，上述發光裝置還包括對向基板與多個濾光層。對向基板相對於發光基板而設置。這些濾光層設置於對向基板上，其中畫素定義層、這些波長轉換層、這些填充材料與這些濾光層位於對向基板與發光基板之間，而這些濾光層分別設置於這些次畫素開口內。

本發明另一實施例所提出的發光裝置包括發光基板、畫素定義層、多個波長轉換層與多個填充材料。發光基板包括電路基板、多個發光元件與黑色覆蓋層。這些發光元件設置於電路基板上，並電性連接電路基板，其中各個發光元件具有發光面與側面，而側面連接發光面。黑色覆蓋層設置於電路基板上，並覆蓋各個發光元件的側面，但不覆蓋各個發光元件的發光面。畫素定義層設置於黑色覆蓋層上，並具有多個次畫素開口，其中畫素定義層包括主體層與黑色遮光層。主體層設置於黑色覆蓋層上，而黑色遮光層設置於主體層上，其中主體層位於黑色遮光層與黑色覆蓋層之間，而各個次畫素開口從黑色遮光層經由主體層而延伸至黑色覆蓋層。這些波長轉換層設置於這些次畫素開口內。這些填充材料分別填入於這些次畫素開口，其中這些填充材料的最大厚度小於畫素定義層的厚度。

在本發明至少一實施例中，在至少一個次畫素開口中，波長轉換層位於填充材料與發光基板之間。

在本發明至少一實施例中，各個填充材料具有光出射面。黑色遮光層位於各個填充材料的光出射面上，並直接接觸這些填充材料，其中主體層凸出於光出射面。

在本發明至少一實施例中，上述主體層具有第一表面、第二表面以及多個位於次畫素開口內的側壁面，其中第一表面相對於第二表面，而這些側壁面位於第一表面與第二表面之間，並連接第一表面與第二表面。黑色覆蓋層覆蓋第一表面，而黑色遮光層覆蓋第二表面與各個側壁面的一部分，其中各個側壁面的其他部分未被黑色遮光層覆蓋。

在本發明至少一實施例中，上述發光裝置還包括多個濾光層。這些濾光層分別設置於這些次畫素開口內，並分別位於這些填充材料上，其中這些填充材料位於這些濾光層與發光基板之間。

基於上述，利用上述至少一層黑色遮光層（例如第一與第二黑色遮光層），畫素定義層能阻擋發光基板所發出的部分光線，以避免或減少串擾所造成的不良影響，從而提升影像的色彩品質。

在以下的內文中，為了清楚呈現本案的技術特徵，圖式中的元件（例如層、膜、基板以及區域等）的尺寸（例如長度、寬度、厚度與深度）會以不等比例的方式放大。因此，下文實施例的說明與解釋不受限於圖式中的元件所呈現的尺寸與形狀，而應涵蓋如實際製程及/或公差所導致的尺寸、形狀以及兩者的偏差。例如，圖式所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非線性的特徵，而圖式所示的銳角可以是圓的。所以，本案圖式所呈示的元件主要是用於示意，並非旨在精準地描繪出元件的實際形狀，也非用於限制本案的申請專利範圍。

其次，本案內容中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字不僅涵蓋明確記載的數值與數值範圍，而且也涵蓋發明所屬技術領域中具有通常知識者所能理解的可允許偏差範圍，其中此偏差範圍可由測量時所產生的誤差來決定，而此誤差例如是起因於測量系統或製程條件兩者的限制。舉例而言，兩物件（例如基板的平面或走線）「實質上平行」或「實質上垂直」，其中「實質上平行」與「實質上垂直」分別代表這兩物件之間的平行與垂直可包括允許偏差範圍所導致的不平行與不垂直。

此外，「約」可表示在上述數值的一個或多個標準偏差內，例如±30％、±20％、±10％或±5％內。本案文中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字可依光學性質、蝕刻性質、機械性質或其他性質來選擇可以接受的偏差範圍或標準偏差，並非單以一個標準偏差來套用以上光學性質、蝕刻性質、機械性質以及其他性質等所有性質。

圖1是本發明至少一實施例的發光裝置的剖面示意圖。請參閱圖1，發光裝置100能製作成顯示器，並包括發光基板110，其中發光基板110能發出多道光線L10。具體而言，發光基板110具有出光面110e，其中這些光線L10是從出光面110e出射。以圖1為例，出光面110e可以是發光基板110的其中一側，所以光線L10是從發光基板110的同一側出射。

發光基板110包括電路基板111與多個發光元件112，其中這些發光元件112皆設置於電路基板111上，並且電性連接電路基板111。在圖1A所示的實施例中，這些發光元件112皆位在電路基板111的同一側，其中電路基板111可以是硬式印刷電路板（Rigid Printed Circuit Board，Rigid PCB）或是軟式印刷電路板（Flexible PCB）。此外，電路基板111上還設置至少一個電子元件（未繪示），其例如是晶片，其中上述電子元件能經由電路基板111而電性連接這些發光元件112，從而控制這些發光元件112發出光線L10。

須說明的是，在其他實施例中，電路基板111可以不是硬式印刷電路板或軟式印刷電路板。具體而言，電路基板111可以包括剛性基板以及形成於剛性基板上的電路結構層，其中前述電路結構層包括多層彼此堆疊的膜層，而這些膜層包括金屬圖案層、絕緣層與半導體圖案層，並且能形成多個開關元件，例如薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT）。這些開關元件電性連接這些發光元件112，從而控制這些發光元件112發出光線L10。

發光元件112可以是固態照明元件（Solid State Lighting Component，SSL Component），其例如是發光二極體（Light Emitting Diode，LED）或有機發光二極體（Organic Light Emitting Diode，OLED）。前述發光二極體例如是微型發光二極體（micro LED）或次毫米發光二極體（mini LED），而發光元件112的厚度可以介於3微米至15微米之間。

發光裝置100還包括覆蓋層113，其中覆蓋層113設置於電路基板111上，並包覆各個發光元件112的部分表面。具體而言，各個發光元件112具有發光面112e與側面112s，其中發光元件112從發光面112e發出光線L10，而側面112s連接發光面112e。覆蓋層113覆蓋各個發光元件112的側面112s，但不覆蓋發光面112e，以避免阻擋光線L10。此外，發光面112e以及裸露出發光面112e的覆蓋層113表面（例如圖1中覆蓋層113的上表面）會形成出光面110e，如圖1所示。

發光裝置100還包括畫素定義層120，其中畫素定義層120設置於出光面110e上，且畫素定義層120的厚度120t可以介於14微米至34微米之間，例如15微米或30微米。畫素定義層120具有多層結構。以圖1為例，畫素定義層120包括第一黑色遮光層121、第二黑色遮光層122以及主體層123。

主體層123設置於第一黑色遮光層121與第二黑色遮光層122之間，其中主體層123的厚度可以介於8微米至30微米之間，例如9.7微米、10.7微米或12微米。主體層123的材料可以包括環氧樹脂（epoxy）、聚甲基丙烯酸甲酯（poly (methyl methacrylate)，PMMA，即壓克力）以及矽氧烷其中至少一種，或是其他適合的高分子材料。

主體層123的顏色可以是白色、灰色或黑色，其中白色主體層123在可見光波長範圍內的反射率可介於30%至75%之間。例如，對於波長450奈米的光線而言，白色主體層123的反射率可約為71.3%，穿透率可約為19.9%，光學密度（Optical Density，OD）可約為0.7。

當紫外光照射白色主體層123時，白色主體層123會被紫外光處理（treatment），以使白色主體層123的顏色會變的偏黃。在紫外光處理白色主體層123之後，白色主體層123的穿透率可約為14.4%，光學密度（Optical Density，OD）可約為0.84，而反射率可介於20%至65%之間，例如57.1%。舉例而言，對於波長400奈米的紫外光而言，經紫外光處理過的白色主體層123的反射率可約為27.46%。

灰色主體層123在可見光波長範圍內的反射率可介於10%至60%之間。例如，對於波長450奈米的光線而言，灰色主體層123的反射率可約為48%或50%，穿透率可約為7.9%，而光學密度可約為1.1。由此可知，當主體層123的顏色為白色或灰色時，主體層123不僅能反射可見光（例如藍光），而且也能反射不可見光（例如紫外光）。

第一黑色遮光層121設置於出光面110e上，並鄰接覆蓋層113，所以覆蓋層113會位於電路基板111與第一黑色遮光層121之間，而第一黑色遮光層121會位於發光基板110與第二黑色遮光層122之間。畫素定義層120的形狀為網狀，且畫素定義層120具有多個次畫素開口H12，其中各個次畫素開口H12從第二黑色遮光層122經由主體層123與第一黑色遮光層121而延伸至發光基板110。此外，在本實施例中，各個次畫素開口H12在主體層123的寬度可以是從第一黑色遮光層121朝向第二黑色遮光層122而遞減，如圖1所示。

主體層123具有第一表面123a、第二表面123b及多個位於次畫素開口H12內的側壁面123c，其中第一表面123a相對於第二表面123b，而這些側壁面123c位於第一表面123a與第二表面123b之間，並連接第一表面123a與第二表面123b。第一黑色遮光層121覆蓋第一表面123a與各個側壁面123c的一部分，其中各個側壁面123c的其他部分未被第一黑色遮光層121覆蓋，所以第一黑色遮光層121局部覆蓋各個側壁面123c，不完全覆蓋側壁面123c。第二黑色遮光層122覆蓋第二表面123b，但不覆蓋任何側壁面123c，如圖1所示。

第一黑色遮光層121與第二黑色遮光層122兩者個別的厚度可以介於1微米至5微米之間，例如4微米。前述第一黑色遮光層121的厚度是指第一黑色遮光層121兩端的長度，其相當於圖1中，第一黑色遮光層121的底部至填充材料140的垂直距離。因此，前述第一黑色遮光層121的厚度會與主體層123的部分厚度重疊。

發光裝置100還包括多個波長轉換層131、132以及多個填充材料140，其中這些波長轉換層131與132以及這些填充材料140皆設置於發光基板110上，並且設置於這些次畫素開口H12內。這些填充材料140分別設置於這些次畫素開口H12內，以使每個次畫素開口H12內設置填充材料140。

波長轉換層131與132設置於其中一些次畫素開口H12內，但未設置於其他次畫素開口H12內。因此，至少一個次畫素開口H12內不會存有任何波長轉換層131與132。以圖1為例，有些次畫素開口H12內不會存有任何波長轉換層131與132。換句話說，這些波長轉換層131與132並未設置於所有次畫素開口H12內。

在至少一個次畫素開口H12中，填充材料140位於發光基板110與波長轉換層131或132之間。以圖1為例，在設置有波長轉換層131與132的每個次畫素開口H12中，填充材料140位於發光基板110與波長轉換層131之間，或是位於發光基板110與波長轉換層132之間。

這些填充材料140的最大厚度140t小於畫素定義層120的厚度120t。在本實施例中，由於有些次畫素開口H12內不會存有任何波長轉換層131與132，所以這些未設置任何波長轉換層131與132的每個次畫素開口H12裡面大部分是由填充材料140所填滿。因此，填充材料140的最大厚度140t可以介於7微米至30微米之間，例如介於11微米至25微米之間。

由於填充材料140的最大厚度140t小於畫素定義層120的厚度120t，所以畫素定義層120的主體層123能凸出於填充材料140的表面。以圖1為例，各個填充材料140具有光入射面140s，其面對出光面110e，以使來自於出光面110e的光線L10入射於光入射面140s，並從光入射面140s進入填充材料140，其中主體層123凸出於光入射面140s。第一黑色遮光層121位於光入射面140s與出光面110e之間，並可直接接觸光入射面140s。

發光裝置100還可包括對向基板160以及多個濾光層151、152與153，其中這些濾光層151、152與153設置於對向基板160上。對向基板160相對於發光基板110而設置，而畫素定義層120、波長轉換層131與132、填充材料140與濾光層151、152與153皆位於對向基板160與發光基板110之間，其中這些濾光層151、152與153分別設置於這些次畫素開口H12內。對向基板160可以是透明基板，例如玻璃板或透明塑膠板，而濾光層151、152與153可由光阻材料製成。

當發光基板110的這些發光元件112發出多道光線L10時，這些光線L10會分別入射於這些次畫素開口H12內的填充材料140，並且從光入射面140s進入填充材料140，其中光線L10可以是單色光（monochromatic light），例如波長約為450奈米的藍光。

有些次畫素開口H12內不會設置任何波長轉換層131與132。例如，在圖1所示的實施例中，設有濾光層153的次畫素開口H12內不會存有任何波長轉換層131與132，因此在這些光線L10穿透填充材料140之後，其中一部分光線L10會進入波長轉換層131與132，而其他部分光線L10則會直接進入濾光層153。

當光線L10進入波長轉換層131與132之後，波長轉換層131與132能轉換光線L10的波長，即改變光線L10的顏色。例如，當光線L10為藍光（其波長可約為450奈米）時，光線L10能激發波長轉換層131與132，以使波長轉換層131將光線L10轉換成紅光，而波長轉換層132將光線L10轉換成綠光。此外，波長轉換層131與132可以是螢光層或光致發光量子點層（PLQD Layer）。

在本實施例中，濾光層151可為紅色濾光層，濾光層152可為綠色濾光層，而濾光層153可為藍色濾光層，所以當光線（例如可見光）分別穿透濾光層151、152與153時，濾光層151能產生紅光，濾光層152能產生綠光，而濾光層153能產生藍光。因此，在波長轉換層131與132分別將光線L10轉換成紅光與綠光之後，前述紅光與綠光會分別進入濾光層151與152，以使濾光層151能發出紅光L11，濾光層152能發出綠光L12。未穿透波長轉換層131與132的光線L10（例如藍光）則會直接進入濾光層153，以使濾光層153能發出藍光L13。

值得一提的是，光線L10也可以是非可見光，例如紫外光，其中紫外光也能激發波長轉換層131與132，從而分別產生紅光與綠光。在其他實施例中，當光線L10為紫外光時，發光裝置100包括三種不同波長轉換層。換句話說，除了波長轉換層131與132之外，發光裝置100還包括第三種波長轉換層，其設置於存有濾光層153的次畫素開口H12內，並位於濾光層153與填充材料140之間，其中上述第三種波長轉換層能將光線L10（例如紫外光）轉換成藍光，以使濾光層153也能發出藍光L13。

由於填充材料140的最大厚度140t小於畫素定義層120的厚度120t，以使主體層123凸出於填充材料140的光入射面140s。其次，設置於出光面110e上，並位於發光基板110與第二黑色遮光層122之間的第一黑色遮光層121能阻擋各個發光元件112所發出的部分光線L10，以使各個發光元件112所發出的光線L10入射至正確的次畫素開口H12，避免或減少入射於其他次畫素開口H12的光線L10，從而避免或減少串擾所造成的不良影響。

此外，當濾光層151、152與153分別發出紅光L11、綠光L12與藍光L13時，第二黑色遮光層122能阻擋部分紅光L11、部分綠光L12與部分藍光L13，以削弱紅光L11、綠光L12與藍光L13所產生的串擾，從而有助於提升影像的色彩品質。

值得一提的是，主體層123的顏色可為白色或灰色，其中白色主體層123在可見光波長範圍內的反射率介於30%至75%之間（例如71.3%），而經紫外光處理過的白色主體層123的反射率介於20%至65%之間（例如57.1%）。灰色主體層123在可見光波長範圍內的反射率介於10%至60%之間（例如48%或50%）。

因此，主體層123能反射大部分的光線L10，以增加入射於波長轉換層131與132的光線L10，讓光線L10能充分地激發波長轉換層131與132。如此，主體層123能增加出光效率，有助於提升亮度與色彩品質。

圖2A至圖2D是圖1中的發光裝置的製造方法的剖面示意圖。請參閱圖2A，首先，在對向基板160上形成這些濾光層151、152與153以及第二黑色遮光層122，其中第二黑色遮光層122的形狀為網狀，而這些濾光層151、152與153分別位於第二黑色遮光層122的多個網格中。此外，濾光層151、152與153以及第二黑色遮光層122可由光阻材料製成。

之後，在第二黑色遮光層122上形成主體層123，其中主體層123可沿著第二黑色遮光層122分布，所以主體層123的形狀也為網狀，並具有多個網格H22。在後續流程中，網格H22會形成次畫素開口H12。之後，在這些網格H22內形成這些波長轉換層131與132，其中波長轉換層131與132可利用噴墨（inkjet）來形成。須說明的是，至少一個網格H22內可以不形成任何波長轉換層131與132，如圖2A所示。

請參閱圖2B，之後，填入這些填充材料140於所有網格H22中。填充材料140可具有光敏性，所以形成填充材料140的方法可包括曝光（exposure）與顯影（development），其中前述曝光可採用紫外光照射，而前述顯影可以採用鹼性顯影劑，其可以包含碳酸氫鈉、氫氧化鉀以及四甲基氫氧化銨（tetramethylazanium hydroxide，TMAH）其中至少一種。此外，在曝光與顯影之後，可烘烤填充材料140，以乾燥填充材料140。

請參閱圖2C，之後，形成第一黑色遮光層121於主體層123與填充材料140上，其中第一黑色遮光層121可沿著主體層123分布。第一黑色遮光層121可由光阻材料製成，即第一黑色遮光層121具有光敏性，所以形成第一黑色遮光層121的方法可包括曝光與顯影。在形成第一黑色遮光層121之後，畫素定義層120已製作完成。請參閱圖2D，之後，在畫素定義層120上設置發光基板110。至此，基本上完成發光裝置100。此外，圖2D所示的發光裝置100是倒置圖1中的發光裝置100而繪製。

圖3是本發明另一實施例的發光裝置的剖面示意圖。請參閱圖3，本實施例的發光裝置300相似於前述發光裝置100，其中發光裝置300與100兩者包括相同或相似的元件。例如，發光裝置300包括發光基板310、畫素定義層320、多個波長轉換層131、132與333、多個填充材料340以及多個濾光層151、152與153。以下主要敘述發光裝置300與100之間的差異，相同特徵基本上不再重複敘述。此外，發光裝置300與100兩者的製造方法實質上相同，故不再重複敘述。

不同於前述發光裝置100，本實施例的發光裝置300不包括任何對向基板160。其次，發光基板310包括電路基板311、多個設置於電路基板311上的發光元件112以及黑色覆蓋層313，其中這些發光元件112電性連接電路基板311。黑色覆蓋層313設置於電路基板311上，並覆蓋各個發光元件112側面112s，但不覆蓋發光面112e。有別於覆蓋層113，黑色覆蓋層313因其顏色為黑色，所以能阻擋及吸收發光元件112發出的部分光線（即圖1中的光線L10），以避免或減少串擾的不良影響。

在本實施例中，電路基板311可包括支撐基板311s以及設置於支撐基板311s上的電路結構層311c，其中黑色覆蓋層313覆蓋電路結構層311c，而支撐基板311s可以是玻璃板或透明塑膠板。電路結構層311c包括多層彼此堆疊的膜層（未繪示），其包括金屬圖案層、絕緣層以及半導體圖案層。這些膜層能形成多個開關元件，其例如是薄膜電晶體（TFT），其中這些開關元件電性連接這些發光元件112，以控制這些發光元件112發光。

畫素定義層320設置於黑色覆蓋層313上，且畫素定義層320的形狀為網狀，其中畫素定義層320具有多個次畫素開口H32。不同於前述畫素定義層120，畫素定義層320包括主體層323與黑色遮光層322，其中主體層323設置於黑色覆蓋層313上，而黑色遮光層322設置於主體層323上，以使主體層323位於黑色遮光層322與黑色覆蓋層313之間。

比較畫素定義層120與320，畫素定義層120包括兩層黑色遮光層：第一黑色遮光層121與第二黑色遮光層122，而畫素定義層320僅包括一層黑色遮光層322。主體層323與123兩者構成材料與形成方法皆可相同，且各個次畫素開口H32從黑色遮光層322經由主體層323而延伸至黑色覆蓋層313。與前述次畫素開口H12相反的是，各個次畫素開口H32在主體層323的寬度從黑色覆蓋層313朝向黑色遮光層322而遞增，如圖3所示。

這些濾光層151、152與153、這些波長轉換層131、132與333以及這些填充材料340分別設置及填入於這些次畫素開口H32內，其中這些填充材料340的最大厚度小於畫素定義層320的厚度（如圖3所示），而填充材料340與140兩者構成材料與形成方法皆可相同。

各個填充材料340具有光出射面340e，其中黑色遮光層322位於各個填充材料340的光出射面340e上，並直接接觸這些填充材料340，而主體層323凸出於光出射面340e。這些濾光層151、152與153分別位於這些填充材料340上，其中這些填充材料340位於這些濾光層151、152與153與發光基板310之間。當濾光層151、152與153分別發出紅光、綠光與藍光時（例如圖1所示的紅光L11、綠光L12與藍光L13），黑色遮光層322能阻擋部分紅光、部分綠光與部分藍光，削弱上述紅光、綠光與藍光所產生的串擾。

主體層323具有第一表面323a、第二表面323b以及多個位於次畫素開口H32內的側壁面323c，其中第一表面323a相對於第二表面323b，而這些側壁面323c位於第一表面323a與第二表面323b之間，並連接第一表面323a與第二表面323b。黑色覆蓋層313覆蓋第一表面323a，而黑色遮光層322覆蓋第二表面323b與各個側壁面323c的一部分，其中各個側壁面323c的其他部分未被黑色遮光層322覆蓋。

有別於前述實施例，在本實施例中，在至少一個次畫素開口H32中，波長轉換層131、132或333位於填充材料340與發光基板310之間。以圖3為例，在每個次畫素開口H32中，波長轉換層131、132或333位於填充材料340與發光基板310之間。此外，本實施例中的發光裝置300包括三種不同波長轉換層131、132與333，其中圖3中的發光元件112能發出紫外光，而波長轉換層333能將紫外光轉換成藍光，以使濾光層153能發出藍光。

不過，須說明的是，在其他實施例中，發光裝置300也可以不包括波長轉換層333，其中在濾光層153所在的次畫素開口H32中，填充材料340會填滿次畫素開口H32在濾光層153與發光基板310之間的空間，並位於發光基板310與濾光層153之間，而圖3中的發光元件112能發出藍光，例如前述實施例中的光線L10。因此，發光裝置300不限制包括波長轉換層333。

綜上所述，畫素定義層包括至少一層黑色遮光層，且填充材料的最大厚度小於畫素定義層的厚度，以使畫素定義層凸出於填充材料的表面（例如光入射面140s或光出射面340e）。如此，上述畫素定義層能避免或減少串擾所造成的不良影響，從而提升影像的色彩品質。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、300:發光裝置 110、310:發光基板 110e:出光面 111、311:電路基板 112:發光元件 112s:側面 112e:發光面 113:覆蓋層 120、320:畫素定義層 120t:厚度 121:第一黑色遮光層 122:第二黑色遮光層 123、323:主體層 123a、323a:第一表面 123b、323b:第二表面 123c、323c:側壁面 131、132、333:波長轉換層 140、340:填充材料 140s:光入射面 140t:最大厚度 151、152、153:濾光層 160:對向基板 311c:電路結構層 311s:支撐基板 313:黑色覆蓋層 322:黑色遮光層 340e:光出射面 L10:光線 L11:紅光 L12:綠光 L13:藍光 H12、H32:次畫素開口 H22:網格

圖1是本發明至少一實施例的發光裝置的剖面示意圖。圖2A至圖2D是圖1中的發光裝置的製造方法的剖面示意圖。圖3是本發明另一實施例的發光裝置的剖面示意圖。

100:發光裝置

110:發光基板

110e:出光面

111:電路基板

112:發光元件

112s:側面

112e:發光面

113:覆蓋層

120:畫素定義層

120t:厚度

121:第一黑色遮光層

122:第二黑色遮光層

123:主體層

123a:第一表面

123b:第二表面

123c:側壁面

131、132:波長轉換層

140:填充材料

140s:光入射面

140t:最大厚度

151、152、153:濾光層

160:對向基板

L10:光線

L11:紅光

L12:綠光

L13:藍光

H12:次畫素開口

Claims

一種發光裝置，包括：一發光基板，具有一出光面；一畫素定義層，設置於該出光面上，並具有多個次畫素開口，其中該畫素定義層包括：一第一黑色遮光層，設置於該出光面上；一第二黑色遮光層，其中該第一黑色遮光層位於該發光基板與該第二黑色遮光層之間；一主體層，設置於該第一黑色遮光層與該第二黑色遮光層之間，其中各該次畫素開口從該第二黑色遮光層經由該主體層與該第一黑色遮光層而延伸至該發光基板；多個波長轉換層，設置於該些次畫素開口內；以及多個填充材料，分別設置於該些次畫素開口內，其中該些填充材料的一最大厚度小於該畫素定義層的厚度。
如請求項1所述的發光裝置，其中該發光基板包括：一電路基板；多個發光元件，設置於該電路基板上，並電性連接該電路基板，其中各該發光元件具有一發光面與一側面，而該側面連接該發光面；以及一覆蓋層，設置於該電路基板上，並位於該電路基板與該第一黑色遮光層之間，其中該覆蓋層覆蓋各該發光元件的該側面，但不覆蓋各該發光元件的該發光面。
如請求項1所述的發光裝置，其中在至少一該次畫素開口中，該填充材料位於該發光基板與該波長轉換層之間。
如請求項1所述的發光裝置，其中該主體層具有一第一表面、一第二表面以及多個位於該次畫素開口內的側壁面，其中該第一表面相對於該第二表面，而該些側壁面位於該第一表面與該第二表面之間，並連接該第一表面與該第二表面；該第一黑色遮光層覆蓋該第一表面與各該側壁面的一部分，而各該側壁面的其他部分未被該第一黑色遮光層覆蓋，該第二黑色遮光層覆蓋該第二表面。
如請求項1所述的發光裝置，其中該主體層的顏色為白色或灰色。
如請求項1所述的發光裝置，其中各該填充材料具有一光入射面，該光入射面面對該出光面，且該第一黑色遮光層位於該光入射面與該出光面之間，該主體層凸出於該光入射面。
如請求項1所述的發光裝置，還包括：一對向基板，相對於該發光基板而設置；以及多個濾光層，設置於該對向基板上，其中該畫素定義層、該些波長轉換層、該些填充材料與該些濾光層位於該對向基板與該發光基板之間，而該些濾光層分別設置於該些次畫素開口內。
一種發光裝置，包括：一發光基板，包括：一電路基板；多個發光元件，設置於該電路基板上，並電性連接該電路基板，其中各該發光元件具有一發光面與一側面，而該側面連接該發光面；一黑色覆蓋層，設置於該電路基板上，並覆蓋各該發光元件的該側面，但不覆蓋各該發光元件的該發光面；一畫素定義層，設置於該黑色覆蓋層上，並具有多個次畫素開口，其中該畫素定義層包括：一主體層，設置於該黑色覆蓋層上；一黑色遮光層，設置於該主體層上，其中該主體層位於該黑色遮光層與該黑色覆蓋層之間，而各該次畫素開口從該黑色遮光層經由該主體層而延伸至該黑色覆蓋層；多個波長轉換層，設置於該些次畫素開口內；以及多個填充材料，分別填入於該些次畫素開口，其中該些填充材料的一最大厚度小於該畫素定義層的厚度。
如請求項8所述的發光裝置，其中在至少一該次畫素開口中，該波長轉換層位於該填充材料與該發光基板之間。
如請求項8所述的發光裝置，其中各該填充材料具有一光出射面，該黑色遮光層位於各該填充材料的該光出射面上，並直接接觸該些填充材料，其中該主體層凸出於該光出射面。
如請求項8所述的發光裝置，其中該主體層具有一第一表面、一第二表面以及多個位於該次畫素開口內的側壁面，其中該第一表面相對於該第二表面，而該些側壁面位於該第一表面與該第二表面之間，並連接該第一表面與該第二表面；該黑色覆蓋層覆蓋該第一表面，而該黑色遮光層覆蓋該第二表面與各該側壁面的一部分，其中各該側壁面的其他部分未被該黑色遮光層覆蓋。
如請求項8所述的發光裝置，其中該主體層的顏色為白色或灰色。
如請求項8所述的發光裝置，還包括：多個濾光層，分別設置於該些次畫素開口內，並分別位於該些填充材料上，其中該些填充材料位於該些濾光層與該發光基板之間。