JP7023976B2 - P型perc両面太陽電池の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 title claims 4
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 title claims 4
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 title claims 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 159
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 159
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 123
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 123
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 123
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 50
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 33
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 25
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 13
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 claims description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 91
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 28
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 3
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
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- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
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- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
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- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/047—PV cell arrays including PV cells having multiple vertical junctions or multiple V-groove junctions formed in a semiconductor substrate
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Description
裏面パッシベーション層には、レーザグルービングによって第1のレーザグルービング領域が形成され、前記第1のレーザグルービング領域は、裏面アルミニウムグリッド線の下方に設置され、前記裏面アルミニウムグリッド線は、第1のレーザグルービング領域を介してP型シリコンに接続され、前記裏面アルミニウムグリッド線の周りに、アルミニウムグリッド外枠が設置され、前記アルミニウムグリッド外枠は、裏面アルミニウムグリッド線および裏面銀電極に接続され、
前記裏面アルミニウムグリッド線が、曲線形状、アーク形状、波状形状等であってもよい。
前記裏面アルミニウムグリッド線と第1のレーザグルービング体は、第2の所定角度で交差し、ただし、第2の所定角度=90°を満たし、
前記アルミニウムグリッド外枠と第2のレーザグルービング体は、第3の所定角度で交差し、ただし、第3の所定角度=90°を満たす。
各第1のレーザグルービングユニットにおいて、前記第1のレーザグルービング体は、並列に配置され、前記第1のレーザグルービング体は、同一の水平面に位置するか、または、上下にずらして位置し、
前記第1のレーザグルービングユニット同士の間隔は、0.5~50mmであり、
各第1のレーザグルービングユニットにおいて、前記第1のレーザグルービング体同士の間隔は、0.5~50mmであり、
前記第1のレーザグルービング体は、それぞれ、50~5000μmの長さと、10~500μmの幅を有し、
前記裏面アルミニウムグリッド線の数は、30~500本であり、
前記裏面アルミニウムグリッド線は、それぞれ、30~500μmの幅を有し、前記裏面アルミニウムグリッド線の幅は、前記第1のレーザグルービング体の長さよりも小さい。
前記窒化シリコン層の厚さは、20~500nmであり、
前記酸化アルミニウム層の厚さは、2~50nmである。
P型シリコンであるシリコンウエハの表面と裏面に、テクスチャ構造を形成するステップ(1)と、
シリコンウエハに対して拡散処理を施して、N型エミッタを形成するステップ(2)と、
拡散処理時に形成された周辺のp-n接合と表面のりんけい酸ガラスとを除去するステップ(3)と、
シリコンウエハの裏面上に酸化アルミニウム膜を堆積するステップ(4)と、
シリコンウエハの裏面上に窒化シリコン膜を堆積するステップ(5)と、
シリコンウエハの表面上に窒化シリコン膜を堆積するステップ(6)と、
複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットが一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含む、第1のレーザグルービング領域を形成するように、シリコンウエハの裏面にレーザグルービングするステップ(7)と、
前記シリコンウエハの裏面上に裏面銀バスバー電極を印刷するステップ(8)と、
前記シリコンウエハの裏面上にアルミニウムペーストを印刷して、裏面銀電極と第1の所定角度で交差し、第1のレーザグルービング体と第2の所定角度で交差し、ただし、10°<第1の所定角度<90°、10°<第2の所定角度≦90°を満たす、裏面アルミニウムグリッド線を得るステップ(9)と、
前記シリコンウエハの裏面上に、裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、アルミニウムグリッド外枠を得るステップ(10)と、
前記シリコンウエハの表面上に表面電極ペーストを印刷するステップ(11)と、
シリコンウエハを高温で焼結して、裏面銀電極と表面銀電極とを形成するステップ(12)と、
シリコンウエハに対して、LIDを抑制するためのアニーリング処理(anti-LID annealing)を施すステップ(13)と、を含む。
前記アルミニウムグリッド外枠と第2のレーザグルービング体は、第3の所定角度で交差し、ただし、10°<第3の所定角度≦90°を満たす。
前記窒化シリコン層32の厚さは、20~500nmであり、
前記酸化アルミニウム層31の厚さは、2~50nmである。
前記酸化アルミニウム層31の厚さは、5~30nmである。
P型シリコンであるシリコンウエハの表面と裏面に、テクスチャ構造を形成するS101と、
シリコンウエハに対して拡散処理を施して、N型エミッタを形成するS102と、
拡散処理時に形成された周辺のp-n接合と表面のりんけい酸ガラスとを除去するS103と、
シリコンウエハの裏面上に酸化アルミニウム(Al2O3)膜を堆積するS104と、
シリコンウエハの裏面上に窒化シリコン膜を堆積するS105と、
シリコンウエハの表面上に窒化シリコン膜を堆積するS106と、
複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットが一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含む、第1のレーザグルービング領域を形成するように、シリコンウエハの裏面にレーザグルービングするS107と、
前記シリコンウエハの裏面上に裏面銀バスバー電極を印刷するS108と、
前記シリコンウエハの裏面上にアルミニウムペーストを印刷して、裏面銀電極と第1の所定角度で交差し、レーザグルービング体と第2の所定角度で交差し、ただし、10°<第1の所定角度<90°、10°<第2の所定角度≦90°を満たす、裏面アルミニウムグリッド線を得るS109と、
前記シリコンウエハの裏面上に、裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、アルミニウムグリッド外枠を得るS110と、
前記シリコンウエハの表面上に表面電極ペーストを印刷するS111と、
シリコンウエハを高温で焼結して、裏面銀電極と表面銀電極とを形成するS112と、
シリコンウエハに対して、LID(Light Induced Degradation)を抑制するためのアニーリング処理(抗LIDアニーリング処理)を施すS113と、を含む。
(1)P型シリコンであるシリコンウエハの表面及び裏面にテクスチャ構造を形成し、
(2)シリコンウエハに拡散処理を施して、N型エミッタを形成し、
(3)拡散処理時に形成された周辺のp-n接合と表面のりんけい酸ガラスとを除去し、
(4)シリコンウエハの裏面上に酸化アルミニウム(Al2O3)膜を堆積し、
(5)シリコンウエハの裏面上に窒化シリコン膜を堆積し、
(6)シリコンウエハの表面上に窒化シリコン膜を堆積し、
(7)シリコンウエハの裏面にレーザグルービングして、第1のレーザグルービング領域を形成し、前記第1のレーザグルービング領域は、複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットは、一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含み、前記第1のレーザグルービング体の長さは、1000μmであり、幅は、40μmであり、
(8)前記シリコンウエハの裏面上に裏面銀バスバー電極を印刷し、
(9)前記シリコンウエハの裏面上にアルミニウムペーストを印刷して、裏面アルミニウムグリッド線を得ており、前記裏面銀電極と裏面アルミニウムグリッド線は、第1の所定角度で交差し、前記裏面アルミニウムグリッド線と第1のレーザグルービング体は、第2の所定角度で交差し、ただし、第1の所定角度は10°であり、第2の所定角度は30°であり、裏面アルミニウムグリッド線の数は、150本であり、前記裏面アルミニウムグリッド線の幅は、150μmであり、
(10)前記シリコンウエハの裏面上に、裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、アルミニウムグリッド外枠を得ており、
(11)前記シリコンウエハの表面上に表面電極ペーストを印刷し、
(12)シリコンウエハを高温で焼結して、裏面銀電極と表面銀電極とを形成し、
(13)シリコンウエハに対して、抗LIDアニーリング処理を施す。
(1)P型シリコンであるシリコンウエハの表面及び裏面にテクスチャ構造を形成し、
(2)シリコンウエハに拡散処理を施して、N型エミッタを形成し、
(3)拡散処理時に形成された周辺のp-n接合と表面のりんけい酸ガラスとを除去し、シリコンウエハの裏面を研磨し、
(4)シリコンウエハの裏面上に酸化アルミニウム(Al2O3)膜を堆積し、
(5)シリコンウエハの裏面上に窒化シリコン膜を堆積し、
(6)シリコンウエハの表面上に窒化シリコン膜を堆積し、
(7)シリコンウエハの裏面にレーザグルービングして、第1のレーザグルービング領域と第2のレーザグルービング領域を形成し、前記第1のレーザグルービング領域は、複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットは、一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含み、前記第1のレーザグルービング体の長さは、500μmであり、幅は、50μmであり、
前記第2のレーザグルービング領域は、鉛直に設置された二つの第2のレーザグルービングユニットと水平に設置された二つの第2のレーザグルービングユニットとを含み、各組の第2のレーザグルービングユニットは、一つまたは複数の第2のレーザグルービング体を含み、前記第2のレーザグルービング体の長さは、500μmであり、幅は、50μmであり、
(8)前記シリコンウエハの裏面上に裏面銀バスバー電極を印刷し、
(9)前記シリコンウエハの裏面上にアルミニウムペーストを印刷して、裏面アルミニウムグリッド線を得ており、前記裏面銀電極と裏面アルミニウムグリッド線は、第1の所定角度で交差し、前記裏面アルミニウムグリッド線とレーザグルービング体は、第2の所定角度で交差し、ただし、第1の所定角度は30°であり、第2の所定角度は90°であり、裏面アルミニウムグリッド線の数は、200本であり、前記裏面アルミニウムグリッド線の幅は、200μmであり、
(10)前記シリコンウエハの裏面上に、裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、アルミニウムグリッド外枠を得ており、前記アルミニウムグリッド外枠と第2のレーザグルービング体とがなす角度は、90°でり、
(11)前記シリコンウエハの表面上に表面電極ペーストを印刷し、
(12)シリコンウエハを高温で焼結して、裏面銀電極と表面銀電極とを形成し、
(13)シリコンウエハに対して、抗LIDアニーリング処理を施す。
(1)P型シリコンであるシリコンウエハの表面及び裏面にテクスチャ構造を形成し、
(2)シリコンウエハに拡散処理を施して、N型エミッタを形成し、
(3)拡散処理時に形成された周辺のp-n接合と表面のりんけい酸ガラスとを除去し、
(4)シリコンウエハの裏面上に酸化アルミニウム(Al2O3)膜を堆積し、
(5)シリコンウエハの裏面上に窒化シリコン膜を堆積し、
(6)シリコンウエハの表面上に窒化シリコン膜を堆積し、
(7)シリコンウエハの裏面にレーザグルービングして、第1のレーザグルービング領域を形成し、前記第1のレーザグルービング領域は、複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットは、一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含み、前記第1のレーザグルービング体の長さは、300μmであり、幅は、30μmであり、
(8)前記シリコンウエハの裏面上に裏面銀バスバー電極を印刷し、
(9)前記シリコンウエハの裏面上にアルミニウムペーストを印刷して、裏面アルミニウムグリッド線を得ており、前記裏面銀電極と裏面アルミニウムグリッド線は、第1の所定角度で交差し、前記裏面アルミニウムグリッド線と第1のレーザグルービング体は、第2の所定角度で交差し、ただし、第1の所定角度は45°であり、第2の所定角度は60°であり、裏面アルミニウムグリッド線の数は、250本であり、前記裏面アルミニウムグリッド線の幅は、250μmであり、
(10)前記シリコンウエハの裏面上に、裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、アルミニウムグリッド外枠を得ており、
(11)前記シリコンウエハの表面上に表面電極ペーストを印刷し、
(12)シリコンウエハを高温で焼結して、裏面銀電極と表面銀電極とを形成し、
(13)シリコンウエハに対して、抗LIDアニーリング処理を施す。
(1)P型シリコンであるシリコンウエハの表面及び裏面にテクスチャ構造を形成し、
(2)シリコンウエハに拡散処理を施して、N型エミッタを形成し、
(3)拡散処理時に形成された周辺のp-n接合と表面のりんけい酸ガラスとを除去し、シリコンウエハの裏面を研磨し、
(4)シリコンウエハの裏面上に酸化アルミニウム(Al2O3)膜を堆積し、
(5)シリコンウエハの裏面上に窒化シリコン膜を堆積し、
(6)シリコンウエハの表面上に窒化シリコン膜を堆積し、
(7)シリコンウエハの裏面にレーザグルービングして、第1のレーザグルービング領域を形成し、前記第1のレーザグルービング領域は、複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の第1のレーザグルービングユニットは、一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含み、前記第1のレーザグルービング体の長さは、1200μmであり、幅は、200μmであり、
前記第2のレーザグルービング領域は、鉛直に配置された二つの第2のレーザグルービングユニットと水平に配置された二つの第2のレーザグルービングユニットとを含み、各組の第2のレーザグルービングユニットは、一つまたは複数の第2のレーザグルービング体を含み、前記第2のレーザグルービング体は、アルミニウムグリッド外枠に対して垂直であり、前記第2のレーザグルービング体の長さは、1200μmであり、幅は、200μmであり、
(8)前記シリコンウエハの裏面上に裏面銀バスバー電極を印刷し、
(9)前記シリコンウエハの裏面上にアルミニウムペーストを印刷して、裏面アルミニウムグリッド線を得ており、前記裏面銀電極と裏面アルミニウムグリッド線は、第1の所定角度で交差し、前記裏面アルミニウムグリッド線とレーザグルービング体は、第2の所定角度で交差し、ただし、第1の所定角度は15°であり、第2の所定角度は90°であり、裏面アルミニウムグリッド線の数は、300本であり、前記裏面アルミニウムグリッド線の幅は、300μmであり、
(10)前記シリコンウエハの裏面上に、裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、アルミニウムグリッド外枠を得ており、前記アルミニウムグリッド外枠と第2のレーザグルービング体とがなす角度は、90°であり、
(11)前記シリコンウエハの表面上に表面電極ペーストを印刷し、
(12)シリコンウエハを高温で焼結して、裏面銀電極と表面銀電極とを形成し、
(13)シリコンウエハに対して、抗LIDアニーリング処理を施す。
Claims (3)
- P型シリコンであるシリコンウエハの表面と裏面に、テクスチャ構造を形成するステップ(1)と、
前記シリコンウエハに対して拡散処理を施して、N型エミッタを形成するステップ(2)と、
前記拡散処理時に形成された周辺のp-n接合と前記表面のりんけい酸ガラスとを除去するステップ(3)と、
前記シリコンウエハの裏面上に酸化アルミニウム膜を堆積するステップ(4)と、
前記シリコンウエハの裏面上に窒化シリコン膜を堆積するステップ(5)と、
前記シリコンウエハの表面上に窒化シリコン膜を堆積するステップ(6)と、
複数組の第1のレーザグルービングユニットを含み、各組の前記第1のレーザグルービングユニットが一つまたは複数の第1のレーザグルービング体を含む、第1のレーザグルービング領域を形成するように、前記シリコンウエハの裏面にレーザグルービングするステップ(7)と、
前記シリコンウエハの裏面上に裏面銀バスバー電極を印刷するステップ(8)と、
前記シリコンウエハの裏面上にアルミニウムペーストを印刷して、前記第1のレーザグルービング領域を介して前記P型シリコンに接続し、前記裏面銀バスバー電極と第1の所定角度で交差し、ただし、10°<前記第1の所定角度<90°を満たすように、前記第1のレーザグルービング体と10°より大きく90°より小さい角度で前記第1のレーザグルービング領域に印刷される、裏面アルミニウムグリッド線を得るステップ(9)と、
前記シリコンウエハの裏面上に、前記裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、アルミニウムグリッド外枠を得るステップ(10)と、
前記シリコンウエハの表面上に表面電極ペーストを印刷するステップ(11)と、
前記シリコンウエハを高温で焼結して、裏面銀電極と表面銀電極とを形成するステップ(12)と、
前記シリコンウエハに対して、抗LIDアニーリング処理を施すステップ(13)と、を含む、
ことを特徴とするP型PERC両面太陽電池の製造方法。 - さらに、前記ステップ(3)と(4)の間に、前記シリコンウエハの裏面を研磨するステップを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載のP型PERC両面太陽電池の製造方法。 - 前記ステップ(7)は、さらに、複数組の第2のレーザグルービングユニットを含み、各組の前記第2のレーザグルービングユニットが一つまたは複数の第2のレーザグルービング体を含む、第2のレーザグルービング領域を形成するように、前記シリコンウエハの裏面にレーザグルービングするステップを含み、
前記アルミニウムグリッド外枠と前記第2のレーザグルービング体は、第3の所定角度で交差し、ただし、10°<前記第3の所定角度≦90°を満たす、
ことを特徴とする請求項2に記載のP型PERC両面太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710122960.9 | 2017-03-03 | ||
CN201710122960.9A CN106876496B (zh) | 2017-03-03 | 2017-03-03 | P型perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法 |
PCT/CN2018/077593 WO2018157826A1 (zh) | 2017-03-03 | 2018-02-28 | P型perc双面太阳能电池及其组件、系统和制备方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020509602A JP2020509602A (ja) | 2020-03-26 |
JP2020509602A5 JP2020509602A5 (ja) | 2021-04-08 |
JP7023976B2 true JP7023976B2 (ja) | 2022-02-22 |
Family
ID=59169881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019548014A Active JP7023976B2 (ja) | 2017-03-03 | 2018-02-28 | P型perc両面太陽電池の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10763377B2 (ja) |
EP (1) | EP3591715B1 (ja) |
JP (1) | JP7023976B2 (ja) |
KR (1) | KR102323458B1 (ja) |
CN (1) | CN106876496B (ja) |
WO (1) | WO2018157826A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
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-
2018
- 2018-02-28 JP JP2019548014A patent/JP7023976B2/ja active Active
- 2018-02-28 US US16/489,663 patent/US10763377B2/en active Active
- 2018-02-28 KR KR1020197029116A patent/KR102323458B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-28 WO PCT/CN2018/077593 patent/WO2018157826A1/zh unknown
- 2018-02-28 EP EP18761456.5A patent/EP3591715B1/en active Active
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JP2016028418A (ja) | 2014-07-03 | 2016-02-25 | 中美▲せき▼晶製品股▲ふん▼有限公司 | 光起電装置の光誘起劣化を抑止するための方法および装置 |
JP2016042569A (ja) | 2014-08-15 | 2016-03-31 | 茂迪股▲分▼有限公司 | 処理装置 |
CN104201214A (zh) | 2014-08-21 | 2014-12-10 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种背面钝化太阳能电池及其制备方法 |
WO2016068237A1 (ja) | 2014-10-29 | 2016-05-06 | 京セラ株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP2016171353A (ja) | 2016-06-28 | 2016-09-23 | デクセリアルズ株式会社 | 太陽電池セル、太陽電池セルの出力測定方法、太陽電池セルの製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018157826A1 (zh) | 2018-09-07 |
KR102323458B1 (ko) | 2021-11-08 |
CN106876496B (zh) | 2019-07-05 |
US10763377B2 (en) | 2020-09-01 |
JP2020509602A (ja) | 2020-03-26 |
KR20200005537A (ko) | 2020-01-15 |
CN106876496A (zh) | 2017-06-20 |
US20200013909A1 (en) | 2020-01-09 |
EP3591715B1 (en) | 2023-01-18 |
EP3591715A4 (en) | 2021-01-13 |
EP3591715A1 (en) | 2020-01-08 |
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