JP7021970B2 - Manufacturing method of lead frame, lead frame with resin, lead frame with resin, and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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Description

開示の実施形態は、リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法に関する。 Embodiments of the disclosure relate to a lead frame, a lead frame with resin, a method for manufacturing a lead frame with resin, and a method for manufacturing a semiconductor device.

従来、一括樹脂封止（ＭＡＰ：Molded Array Package）タイプのリードフレームにおいて、１つの半導体装置に対応する単位リードフレームが所定の方向に沿って連結されるリードフレームが知られている（たとえば、特許文献１参照）。 Conventionally, in a lead frame of a batch resin encapsulation (MAP: Molded Array Package) type, a lead frame in which unit lead frames corresponding to one semiconductor device are connected along a predetermined direction is known (for example, a patent). See Document 1).

特許第５８９６３０２号公報Japanese Patent No. 5896302

しかしながら、従来のリードフレームでは、所定の方向に沿って連結される単位リードフレームの長さが長くなった場合、強度が小さくなって変形しやすくなることから、かかるリードフレームを用いた半導体装置の製造工程において、かかる変形により不具合が生じる恐れがある。 However, in the conventional lead frame, when the length of the unit lead frame connected along a predetermined direction becomes long, the strength becomes small and the lead frame is easily deformed. In the manufacturing process, such deformation may cause problems.

実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、所定の方向に沿って連結される複数の単位リードフレームが変形することを抑制することができるリードフレームを提供することを目的とする。 One aspect of the embodiment is made in view of the above, and an object thereof is to provide a lead frame capable of suppressing deformation of a plurality of unit lead frames connected along a predetermined direction. And.

実施形態の一態様に係るリードフレームは、枠体と、単位リードフレーム形成領域と、補強部とを備える。前記枠体は、外周部を囲むように設けられる。前記単位リードフレーム形成領域は、前記枠体内に設けられ、複数の単位リードフレームがマトリックス状に並べられて、複数の前記単位リードフレームが所定の方向に沿って連結される。前記補強部は、前記単位リードフレーム形成領域内で前記所定の方向と交わる方向に延びる。 The lead frame according to one embodiment includes a frame body, a unit lead frame forming region, and a reinforcing portion. The frame is provided so as to surround the outer peripheral portion. The unit lead frame forming region is provided in the frame, and a plurality of unit lead frames are arranged in a matrix, and the plurality of unit lead frames are connected along a predetermined direction. The reinforcing portion extends in a direction intersecting the predetermined direction within the unit lead frame forming region.

実施形態の一態様によれば、所定の方向に沿って連結される複数の単位リードフレームが変形することを抑制することができる。 According to one aspect of the embodiment, it is possible to suppress deformation of a plurality of unit lead frames connected along a predetermined direction.

図１Ａは、実施形態に係るリードフレームの模式図および拡大図である。FIG. 1A is a schematic view and an enlarged view of a lead frame according to an embodiment. 図１Ｂは、図１ＡにおけるＢ－Ｂ線断面図である。FIG. 1B is a sectional view taken along line BB in FIG. 1A. 図１Ｃは、図１ＡにおけるＣ－Ｃ線断面図である。FIG. 1C is a sectional view taken along line CC in FIG. 1A. 図２Ａは、実施形態に係る樹脂付きリードフレームの模式図および拡大図である。FIG. 2A is a schematic view and an enlarged view of the lead frame with resin according to the embodiment. 図２Ｂは、図２ＡにおけるＤ－Ｄ線断面図である。FIG. 2B is a sectional view taken along line DD in FIG. 2A. 図２Ｃは、図２ＡにおけるＥ－Ｅ線断面図である。FIG. 2C is a sectional view taken along line EE in FIG. 2A. 図３は、実施形態に係る樹脂付きリードフレームの単位リードフレーム形成領域１１を示す上面図である。FIG. 3 is a top view showing a unit lead frame forming region 11 of the lead frame with resin according to the embodiment. 図４Ａは、実施形態の変形例１に係るリードフレームおよび樹脂付きリードフレームの模式図である。FIG. 4A is a schematic view of the lead frame and the lead frame with resin according to the first modification of the embodiment. 図４Ｂは、実施形態の変形例２に係るリードフレームおよび樹脂付きリードフレームの模式図である。FIG. 4B is a schematic view of the lead frame and the lead frame with resin according to the second modification of the embodiment. 図４Ｃは、実施形態の変形例３に係るリードフレームおよび樹脂付きリードフレームの模式図である。FIG. 4C is a schematic view of the lead frame and the lead frame with resin according to the third modification of the embodiment. 図５Ａは、実施形態に係る樹脂付きリードフレームの製造方法の処理の流れを説明するための図（１）である。FIG. 5A is a diagram (1) for explaining the flow of processing of the method for manufacturing a lead frame with resin according to an embodiment. 図５Ｂは、実施形態に係る樹脂付きリードフレームの製造方法の処理の流れを説明するための図（２）である。FIG. 5B is a diagram (2) for explaining the flow of processing of the method for manufacturing a lead frame with resin according to an embodiment. 図５Ｃは、実施形態に係る樹脂付きリードフレームの製造方法の処理の流れを説明するための図（３）である。FIG. 5C is a diagram (3) for explaining the flow of processing of the method for manufacturing a lead frame with resin according to an embodiment. 図６Ａは、実施形態に係る樹脂付きリードフレームを用いた半導体装置の製造方法の処理の流れを説明するための図（１）である。FIG. 6A is a diagram (1) for explaining a flow of processing of a method for manufacturing a semiconductor device using a lead frame with a resin according to an embodiment. 図６Ｂは、実施形態に係る樹脂付きリードフレームを用いた半導体装置の製造方法の処理の流れを説明するための図（２）である。FIG. 6B is a diagram (2) for explaining a flow of processing of a method for manufacturing a semiconductor device using a lead frame with resin according to an embodiment. 図６Ｃは、実施形態に係る樹脂付きリードフレームを用いた半導体装置の製造方法の処理の流れを説明するための図（３）である。FIG. 6C is a diagram (3) for explaining a flow of processing of a method for manufacturing a semiconductor device using a lead frame with resin according to an embodiment. 図７は、実施形態の変形例４に係るリードフレームの拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view of the lead frame according to the modified example 4 of the embodiment. 図８は、実施形態に係る樹脂付きリードフレームの製造工程で実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart showing a processing procedure of processing executed in the manufacturing process of the lead frame with resin according to the embodiment. 図９は、実施形態に係る半導体装置の製造工程で実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart showing a processing procedure of processing executed in the manufacturing process of the semiconductor device according to the embodiment.

以下、添付図面を参照して、本願の開示するリードフレーム、樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。 Hereinafter, the lead frame, the lead frame with resin, the method for manufacturing the lead frame with resin, and the method for manufacturing the semiconductor device disclosed in the present application will be described with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited to the embodiments shown below.

＜リードフレームおよび樹脂付きリードフレームの概要＞
最初に、図１Ａ～図４Ｃを参照しながら、実施形態に係るリードフレーム１および樹脂付きリードフレーム２の概要について説明する。図１Ａは、実施形態に係るリードフレーム１の模式図および拡大図である。 <Overview of lead frame and lead frame with resin>
First, the outline of the lead frame 1 and the lead frame 2 with resin according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 1A to 4C. FIG. 1A is a schematic view and an enlarged view of the lead frame 1 according to the embodiment.

リードフレーム１は、平面視で四角枠状の枠体１０を有しており、かかる枠体１０内に複数の単位リードフレーム１２がマトリックス状に並べられた単位リードフレーム形成領域１１が複数（実施形態では４つ）設けられる。そして、単位リードフレーム１２の外周部には、隣接する単位リードフレーム１２同士を接続する接続部１３が設けられる。 The lead frame 1 has a frame body 10 having a square frame shape in a plan view, and a plurality of unit lead frame forming regions 11 in which a plurality of unit lead frames 12 are arranged in a matrix are provided in the frame body 10 (implementation). In the form, four) are provided. A connecting portion 13 for connecting adjacent unit lead frames 12 is provided on the outer peripheral portion of the unit lead frame 12.

単位リードフレーム１２は、接続部１３と、複数のパッド１４とを有する。パッド１４は、半導体素子（たとえば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）素子２３（図６Ａ参照））が搭載される第１パッド１４ａと、ボンディングワイヤ２４（図６Ａ参照）が接合される第２パッド１４ｂとを有する。 The unit lead frame 12 has a connecting portion 13 and a plurality of pads 14. The pad 14 has a second pad 14a on which a semiconductor element (for example, an LED (Light Emitting Diode) element 23 (see FIG. 6A)) is mounted and a second pad 14a to which a bonding wire 24 (see FIG. 6A) is bonded. It has a pad 14b.

そして、第１パッド１４ａは隣接する単位リードフレーム１２の第１パッド１４ａと接続部１３で接続され、第２パッド１４ｂは隣接する単位リードフレーム１２の第２パッド１４ｂと接続部１３で接続される。なお、図１Ａには示していないが、第１パッド１４ａは隣接する単位リードフレーム１２の第２パッド１４ｂと接続部１３で接続されてもよい。 Then, the first pad 14a is connected to the first pad 14a of the adjacent unit lead frame 12 by the connecting portion 13, and the second pad 14b is connected to the second pad 14b of the adjacent unit lead frame 12 by the connecting portion 13. .. Although not shown in FIG. 1A, the first pad 14a may be connected to the second pad 14b of the adjacent unit lead frame 12 by the connecting portion 13.

実施形態に係るリードフレーム１は、銅や銅合金などで構成される金属基板にエッチング加工が施されて、枠体１０や単位リードフレーム形成領域１１、単位リードフレーム１２などが形成される。かかるエッチング加工には、図１Ｂおよび図１Ｃに示すように、両面をエッチング加工して開口部を形成するフルエッチング加工と、おもて面側または裏面側をエッチング加工して厚さを薄くするハーフエッチング加工とがある。 In the lead frame 1 according to the embodiment, a metal substrate made of copper, a copper alloy, or the like is etched to form a frame body 10, a unit lead frame forming region 11, a unit lead frame 12, and the like. As shown in FIGS. 1B and 1C, such etching processing includes a full etching process in which both sides are etched to form an opening, and a front surface side or a back surface side is etched to reduce the thickness. There is a half-etching process.

なお、本願明細書の拡大平面図では、理解を容易にするため、ハーフエッチング加工が施されている部位には何らかのハッチングを施すこととし、同じ厚さでハーフエッチング加工されている部位には同じハッチングを施すこととする。 In the enlarged plan view of the present specification, in order to facilitate understanding, some kind of hatching is applied to the portion that has been half-etched, and the same is applied to the portion that has been half-etched to the same thickness. Hatching will be applied.

なお、実施形態にかかるリードフレーム１は、エッチング加工で形成される場合に限られず、たとえば、スタンピング加工（打抜き加工）で形成してもよい。 The lead frame 1 according to the embodiment is not limited to the case where it is formed by etching, and may be formed by, for example, stamping (stamping).

ここで、実施形態では、図１Ａに示すように、マトリックス状に並べられた単位リードフレーム１２が、接続部１３により所定の方向Ａに沿った一方向にのみ連結されている。換言すると、単位リードフレーム形成領域１１内において、所定の方向Ａと垂直な方向では、パッド１４同士が互いに分断されている。したがって、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２は、強度が低くなっている。 Here, in the embodiment, as shown in FIG. 1A, the unit lead frames 12 arranged in a matrix are connected by the connecting portion 13 in only one direction along a predetermined direction A. In other words, in the unit lead frame forming region 11, the pads 14 are separated from each other in the direction perpendicular to the predetermined direction A. Therefore, the strength of the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A is low.

そこで、実施形態では、単位リードフレーム形成領域１１内に補強部１７が設けられている。かかる補強部１７は、少なくとも所定の方向Ａと交わる方向（図１Ａでは所定の方向Ａと垂直な方向）に延びている。実施形態では、補強部１７が単位リードフレーム形成領域１１の中央部にかかるように延びている。これにより、補強部１７が設けられない場合と比べて、連結される複数の単位リードフレーム１２の長さを短く（実施形態では約１／２に）することができる。 Therefore, in the embodiment, the reinforcing portion 17 is provided in the unit lead frame forming region 11. The reinforcing portion 17 extends at least in a direction intersecting the predetermined direction A (in FIG. 1A, a direction perpendicular to the predetermined direction A). In the embodiment, the reinforcing portion 17 extends so as to extend over the central portion of the unit lead frame forming region 11. As a result, the length of the plurality of unit lead frames 12 to be connected can be shortened (about 1/2 in the embodiment) as compared with the case where the reinforcing portion 17 is not provided.

これにより、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２の強度が低下することを抑制することができる。したがって、実施形態によれば、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２が変形することを抑制することができる。 As a result, it is possible to prevent the strength of the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A from decreasing. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A from being deformed.

また、実施形態では、図１Ａに示すように、補強部１７が単位リードフレーム形成領域１１の一端から他端に渡るように設けられるとよい。これにより、単位リードフレーム形成領域１１の全域において、連結される複数の単位リードフレーム１２の長さを短くすることができる。 Further, in the embodiment, as shown in FIG. 1A, the reinforcing portion 17 may be provided so as to extend from one end to the other end of the unit lead frame forming region 11. Thereby, the length of the plurality of unit lead frames 12 connected can be shortened in the entire area of the unit lead frame forming region 11.

したがって、実施形態によれば、連結される複数の単位リードフレーム１２のすべての長さを短くすることができることから、単位リードフレーム形成領域１１の全域において、連結される複数の単位リードフレーム１２が変形することを抑制することができる。 Therefore, according to the embodiment, since all the lengths of the plurality of unit lead frames 12 to be connected can be shortened, the plurality of unit lead frames 12 to be connected can be arranged in the entire area of the unit lead frame forming region 11. It is possible to suppress deformation.

また、実施形態では、図１Ａに示すように、補強部１７が、単位リードフレーム形成領域１１において十字形状を有するとよい。これにより、単位リードフレーム形成領域１１全体の強度を向上させることができる。 Further, in the embodiment, as shown in FIG. 1A, the reinforcing portion 17 may have a cross shape in the unit lead frame forming region 11. Thereby, the strength of the entire unit lead frame forming region 11 can be improved.

図２Ａは、実施形態に係る樹脂付きリードフレーム２の模式図および拡大図である。図２Ａに示す樹脂付きリードフレーム２は、たとえば、ＬＥＤ素子２３（図６Ａ参照）が搭載された半導体装置３（図６Ｃ参照）の製造に用いられるリードフレームである。 FIG. 2A is a schematic view and an enlarged view of the lead frame 2 with resin according to the embodiment. The resin-attached lead frame 2 shown in FIG. 2A is, for example, a lead frame used for manufacturing a semiconductor device 3 (see FIG. 6C) on which an LED element 23 (see FIG. 6A) is mounted.

なお、実施形態ではＬＥＤ素子２３が搭載された半導体装置３の製造に用いられる樹脂付きリードフレーム２について示すが、その他のタイプの半導体装置の製造に用いられる樹脂付きリードフレーム２に適用するようにしてもよい。 In the embodiment, the lead frame 2 with resin used for manufacturing the semiconductor device 3 on which the LED element 23 is mounted is shown, but it is applied to the lead frame 2 with resin used for manufacturing other types of semiconductor devices. You may.

樹脂付きリードフレーム２は、単位リードフレーム１２内に形成される空隙に樹脂部１５が設けられる点が、上述のリードフレーム１と異なる。すなわち、樹脂付きリードフレーム２は、上述のリードフレーム１と、樹脂部１５とを備える。 The lead frame 2 with resin is different from the lead frame 1 described above in that the resin portion 15 is provided in the gap formed in the unit lead frame 12. That is, the lead frame 2 with resin includes the lead frame 1 described above and the resin portion 15.

樹脂部１５は、単位リードフレーム１２内（たとえば、複数のパッド１４の間）に形成される空隙に設けられ、たとえば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂、セラミック樹脂などの熱硬化性樹脂で構成される。なお、樹脂部１５は、たとえば、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイドなどの熱可塑性樹脂で構成してもよい。樹脂部１５は、接続部１３やパッド１４と一体で成型される。 The resin portion 15 is provided in a gap formed in the unit lead frame 12 (for example, between a plurality of pads 14), and is made of a thermosetting resin such as an epoxy resin, a silicone resin, or a ceramic resin. The resin portion 15 may be made of a thermoplastic resin such as polyamide, polyphthalamide, or polyphenylene sulfide. The resin portion 15 is integrally molded with the connection portion 13 and the pad 14.

ここで、実施形態にかかる樹脂付きリードフレーム２は、リードフレーム１と同様に、単位リードフレーム形成領域１１内に補強部１７が設けられている。これにより、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２が変形することを抑制することができる。 Here, the resin-attached lead frame 2 according to the embodiment is provided with a reinforcing portion 17 in the unit lead frame forming region 11 as in the lead frame 1. As a result, it is possible to prevent the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A from being deformed.

なお、図２Ａ～図２Ｃに示すように、補強部１７には、ハーフエッチング加工されていない厚肉部１７ａと、裏面側がハーフエッチング加工された薄肉部１７ｂとが交互に設けられているとよい。具体的には、接続部１３が接続される部位にパッド１４の幅に合わせた厚肉部１７ａが設けられ、それ以外の部位に薄肉部１７ｂが設けられる。なお、厚肉部１７ａの幅は必ずしもパッド１４の幅に合わせる必要はなく、任意でもよい。 As shown in FIGS. 2A to 2C, the reinforcing portion 17 may be provided with a thick portion 17a that has not been half-etched and a thin portion 17b whose back surface has been half-etched alternately. .. Specifically, a thick portion 17a corresponding to the width of the pad 14 is provided at a portion to which the connection portion 13 is connected, and a thin portion 17b is provided at a portion other than that. The width of the thick portion 17a does not necessarily have to match the width of the pad 14, and may be arbitrary.

かかる厚肉部１７ａにより、接続される接続部１３をしっかりと保持することができることから、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２が変形することをさらに抑制することができる。 Since the connecting portion 13 to be connected can be firmly held by the thick portion 17a, it is possible to further suppress the deformation of the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A. ..

また、薄肉部１７ｂにより、樹脂部１５を形成する際に、かかる樹脂部１５を構成する樹脂１５Ａ（図５Ｂ）参照）を薄肉部１７ｂの下面側に形成される隙間に通流させることができる。したがって、樹脂部１５を形成する際に、樹脂１５Ａを単位リードフレーム形成領域１１全体に行き渡らせることができる。 Further, when the resin portion 15 is formed by the thin-walled portion 17b, the resin 15A (see FIG. 5B) constituting the resin portion 15 can be passed through the gap formed on the lower surface side of the thin-walled portion 17b. .. Therefore, when the resin portion 15 is formed, the resin 15A can be spread over the entire unit lead frame forming region 11.

また、実施形態では、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、接続部１３の裏面側がハーフエッチング加工されているとよい。これにより、樹脂１５Ａを接続部１３の下面側に形成される隙間に通流させることができることから、樹脂部１５を形成する際に、樹脂１５Ａを単位リードフレーム形成領域１１全体に容易に行き渡らせることができる。 Further, in the embodiment, as shown in FIGS. 2A and 2B, it is preferable that the back surface side of the connecting portion 13 is half-etched. As a result, the resin 15A can be passed through the gap formed on the lower surface side of the connecting portion 13, so that the resin 15A can be easily spread over the entire unit lead frame forming region 11 when the resin portion 15 is formed. be able to.

また、接続部１３の裏面側がハーフエッチング加工されていることにより、後述する半導体装置３を製造する工程において、ダイシングラインＤＬ（図６Ｂ参照）に沿って回転刃物でダイシングする際に、回転刃物の摩耗を低減することができる。 Further, since the back surface side of the connecting portion 13 is half-etched, the rotating blade is used when dicing with the rotating blade along the dicing line DL (see FIG. 6B) in the process of manufacturing the semiconductor device 3 described later. Wear can be reduced.

なお、実施形態では、接続部１３の裏面側がハーフエッチング加工された例について示したが、接続部１３のおもて面側がハーフエッチング加工されていてもよく、接続部１３がハーフエッチング加工されていなくてもよい。 In the embodiment, an example in which the back surface side of the connection portion 13 is half-etched is shown, but the front surface side of the connection portion 13 may be half-etched, and the connection portion 13 is half-etched. It does not have to be.

また、実施形態では、上述のリードフレーム１と同様に、補強部１７が、単位リードフレーム形成領域１１において十字形状を有するとよい。これにより、単位リードフレーム形成領域１１全体の強度を向上させることができる。 Further, in the embodiment, similarly to the lead frame 1 described above, the reinforcing portion 17 may have a cross shape in the unit lead frame forming region 11. Thereby, the strength of the entire unit lead frame forming region 11 can be improved.

また、実施形態では、樹脂部１５をシリコーン樹脂で構成するとよい。これにより、樹脂付きリードフレーム２を用いて製造され、高熱を発するＬＥＤ素子２３が搭載された半導体装置３の耐熱性を向上させることができる。 Further, in the embodiment, the resin portion 15 may be made of a silicone resin. This makes it possible to improve the heat resistance of the semiconductor device 3 manufactured by using the lead frame 2 with resin and equipped with the LED element 23 that emits high heat.

なお、樹脂部１５をシリコーン樹脂で構成した場合には、かかるシリコーン樹脂を成型した後に残る残留応力が大きいことから、樹脂付きリードフレーム２が反る恐れがある。 When the resin portion 15 is made of a silicone resin, the residual stress remaining after molding the silicone resin is large, so that the lead frame 2 with the resin may warp.

しかしながら、実施形態では、補強部１７が、単位リードフレーム形成領域１１において十字形状を有することにより、単位リードフレーム形成領域１１全体の強度が向上される。また、実施形態では、樹脂部１５を所定の金型４０（図５Ａ参照）で形成する際に、十字形状の補強部１７を金型４０で押さえることができる。 However, in the embodiment, the reinforcing portion 17 has a cross shape in the unit lead frame forming region 11, so that the strength of the entire unit lead frame forming region 11 is improved. Further, in the embodiment, when the resin portion 15 is formed by the predetermined mold 40 (see FIG. 5A), the cross-shaped reinforcing portion 17 can be pressed by the mold 40.

さらに、実施形態では、樹脂成形の際に補強部１７が金型４０で押さえられることから、図２Ｂ、図２Ｃおよび図３に示すように、単位リードフレーム１２の上面側には所定の形状を有する樹脂部１５が形成される一方で、補強部１７の上面側には樹脂部１５が形成されない。 Further, in the embodiment, since the reinforcing portion 17 is pressed by the mold 40 during resin molding, a predetermined shape is formed on the upper surface side of the unit lead frame 12 as shown in FIGS. 2B, 2C and 3. While the resin portion 15 to have is formed, the resin portion 15 is not formed on the upper surface side of the reinforcing portion 17.

すなわち、樹脂部１５には、補強部１７の上面側に十字形状のスリット１５ａが形成される。そして、かかるスリット１５ａが形成されることにより、単位リードフレーム形成領域１１において樹脂部１５の応力が緩和される。 That is, the resin portion 15 is formed with a cross-shaped slit 15a on the upper surface side of the reinforcing portion 17. Then, by forming the slit 15a, the stress of the resin portion 15 is relaxed in the unit lead frame forming region 11.

したがって、実施形態によれば、樹脂部１５をシリコーン樹脂で構成した場合でも、樹脂付きリードフレーム２の反りを低減することができる。 Therefore, according to the embodiment, even when the resin portion 15 is made of silicone resin, the warp of the lead frame 2 with resin can be reduced.

なお、実施形態にかかるリードフレーム１および樹脂付きリードフレーム２では、補強部１７を十字形状に形成した例について示したが、補強部１７は必ずしも十字形状に限られない。たとえば、図４Ａに示すように、補強部１７を所定の方向Ａと交わる方向にのみ１本延ばしてもよい。図４Ａは、実施形態の変形例１に係るリードフレーム１および樹脂付きリードフレーム２の模式図である。 In the lead frame 1 and the lead frame 2 with resin according to the embodiment, an example in which the reinforcing portion 17 is formed in a cross shape is shown, but the reinforcing portion 17 is not necessarily limited to the cross shape. For example, as shown in FIG. 4A, one reinforcing portion 17 may be extended only in the direction intersecting the predetermined direction A. FIG. 4A is a schematic view of the lead frame 1 and the lead frame 2 with resin according to the first modification of the embodiment.

これにより、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２の長さを短くすることができることから、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２が変形することを抑制することができる。 As a result, the length of the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A can be shortened, so that the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A are deformed. Can be suppressed.

また、図４Ｂに示すように、補強部１７を所定の方向Ａと交わる方向にのみ２本並べて延ばしてもよい。図４Ｂは、実施形態の変形例２に係るリードフレーム１および樹脂付きリードフレーム２の模式図である。 Further, as shown in FIG. 4B, two reinforcing portions 17 may be extended side by side only in the direction intersecting the predetermined direction A. FIG. 4B is a schematic view of the lead frame 1 and the lead frame 2 with resin according to the second modification of the embodiment.

これにより、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２の長さをさらに短くすることができることから、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２が変形することを効果的に抑制することができる。 As a result, the length of the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A can be further shortened, so that the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A are deformed. Can be effectively suppressed.

また、変形例２によれば、単位リードフレーム形成領域１１のサイズが大きくなった場合でも、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２の長さを短くすることができる。したがって、より大きいサイズのリードフレーム１および樹脂付きリードフレーム２においても、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２が変形することを抑制することができる。 Further, according to the second modification, even when the size of the unit lead frame forming region 11 becomes large, the lengths of the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A can be shortened. Therefore, even in the lead frame 1 and the lead frame 2 with resin having a larger size, it is possible to prevent the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A from being deformed.

なお、変形例２では補強部１７を２本並べて延ばした例について示したが、補強部１７は３本以上並べて延ばしてもよい。たとえば、単位リードフレーム形成領域１１のサイズが大きくなった場合に、並んで配置される補強部１７の間隔が２５ｍｍ程度になるように補強部１７を複数並べればよい。 Although the modified example 2 shows an example in which two reinforcing portions 17 are arranged side by side and extended, three or more reinforcing portions 17 may be extended side by side. For example, when the size of the unit lead frame forming region 11 becomes large, a plurality of reinforcing portions 17 may be arranged so that the distance between the reinforcing portions 17 arranged side by side becomes about 25 mm.

さらに、図４Ｃに示すように、補強部１７を所定の方向Ａと交わる方向に２本延ばすとともに、所定の方向Ａに沿って補強部１７を一本設けてもよい。図４Ｃは、実施形態の変形例３に係るリードフレーム１および樹脂付きリードフレーム２の模式図である。 Further, as shown in FIG. 4C, two reinforcing portions 17 may be extended in a direction intersecting the predetermined direction A, and one reinforcing portion 17 may be provided along the predetermined direction A. FIG. 4C is a schematic view of the lead frame 1 and the lead frame 2 with resin according to the third modification of the embodiment.

これにより、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２の長さをさらに短くすることができるとともに、単位リードフレーム形成領域１１全体の強度を向上させることができる。 As a result, the length of the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A can be further shortened, and the strength of the entire unit lead frame forming region 11 can be improved.

したがって、変形例３によれば、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２が変形することを効果的に抑制することができるとともに、単位リードフレーム形成領域１１全体の強度を向上させることができる。 Therefore, according to the modification 3, it is possible to effectively suppress the deformation of the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A, and the strength of the entire unit lead frame forming region 11 can be increased. Can be improved.

また、実施形態では、図１Ａおよび図２Ａに示すように、樹脂部１５を形成する際に、金型４０を経由して樹脂１５Ａが注入される注入部１８と、金型４０を経由して樹脂１５Ａの余剰部分が排出される排出部１９とが、いずれも単位リードフレーム形成領域１１内に設けられるとよい。 Further, in the embodiment, as shown in FIGS. 1A and 2A, when the resin portion 15 is formed, the resin portion 15A is injected via the mold 40 and the resin portion 18 is injected via the mold 40. It is preferable that the discharge unit 19 from which the excess portion of the resin 15A is discharged is provided in the unit lead frame forming region 11.

たとえば、図１Ａおよび図２Ａに示すように、単位リードフレーム形成領域１１の一隅（図では左上の隅）に注入部１８が設けられ、かかる注入部１８から単位リードフレーム形成領域１１の対角線方向に対向する一隅（図では右下の隅）に排出部１９が設けられるとよい。かかる注入部１８および排出部１９の機能については後述する。 For example, as shown in FIGS. 1A and 2A, an injection unit 18 is provided in one corner (upper left corner in the figure) of the unit lead frame forming region 11, and the injection unit 18 is provided in the diagonal direction of the unit lead frame forming region 11. It is preferable that the discharge unit 19 is provided in one opposite corner (lower right corner in the figure). The functions of the injection unit 18 and the discharge unit 19 will be described later.

＜製造方法の詳細＞
つづいて、図５Ａ～図６Ｃを参照しながら、実施形態に係る樹脂付きリードフレーム２および半導体装置３の製造方法の詳細について説明する。図５Ａ～図５Ｃは、各処理を断面視した図である。なお、図５Ａ～図５Ｃでは、左側に記載の図面が注入部１８の近傍を示し、右側に記載の図面が排出部１９の近傍を示している。 <Details of manufacturing method>
Subsequently, with reference to FIGS. 5A to 6C, details of the manufacturing method of the lead frame 2 with resin and the semiconductor device 3 according to the embodiment will be described. 5A to 5C are cross-sectional views of each process. In FIGS. 5A to 5C, the drawing on the left side shows the vicinity of the injection unit 18, and the drawing on the right side shows the vicinity of the discharge unit 19.

最初に、図５Ａに示すように、所定の箇所にエッチング加工が施されたリードフレーム１が準備される。かかるリードフレーム１には、図１Ａに示したように、単位リードフレーム形成領域１１内の所定の位置に補強部１７が設けられるとともに、所定の二隅にそれぞれ注入部１８と排出部１９とが設けられる。また、図５Ａに示すように、注入部１８および排出部１９は空洞状である。 First, as shown in FIG. 5A, a lead frame 1 having an etching process at a predetermined location is prepared. As shown in FIG. 1A, the lead frame 1 is provided with a reinforcing portion 17 at a predetermined position in the unit lead frame forming region 11, and an injection portion 18 and a discharge portion 19 are provided at predetermined two corners, respectively. It will be provided. Further, as shown in FIG. 5A, the injection unit 18 and the discharge unit 19 are hollow.

また、単位リードフレーム１２内に設けられる第１パッド１４ａや第２パッド１４ｂの両面には、めっき膜２１が形成される。かかるめっき膜２１の材料は、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｕのいずれか、又は組み合わせてもよい。 Further, plating films 21 are formed on both surfaces of the first pad 14a and the second pad 14b provided in the unit lead frame 12. The material of the plating film 21 may be any one of Ag, Ni, Pd, and Au, or a combination thereof.

そして、所定の形状に加工されたリードフレーム１を所定の金型４０に組み付ける。金型４０は上金型４１と下金型４２とを有し、かかる上金型４１と下金型４２とでリードフレーム１を上下から挟み込むように組み付けられる。なお、実施形態では、下金型４２がパッド１４の搭載面１４ｃに向かい合うように組み付けられる。 Then, the lead frame 1 processed into a predetermined shape is assembled to a predetermined mold 40. The mold 40 has an upper mold 41 and a lower mold 42, and is assembled so that the lead frame 1 is sandwiched between the upper mold 41 and the lower mold 42 from above and below. In the embodiment, the lower mold 42 is assembled so as to face the mounting surface 14c of the pad 14.

かかる上金型４１と下金型４２とを組み付ける際、上金型４１とリードフレーム１および下金型４２とリードフレーム１との間には、モールド充填性および離型性の向上を目的として、フィルム４３が挿間される。 When assembling the upper mold 41 and the lower mold 42, the purpose is to improve the mold filling property and the mold releasability between the upper mold 41 and the lead frame 1 and the lower mold 42 and the lead frame 1. , The film 43 is inserted.

また、上金型４１には、所定の位置に注入ランナー４１ａと排出ランナー４１ｂとが設けられる。そして、上金型４１をリードフレーム１に組み付けた際に、注入ランナー４１ａが注入部１８に接続され、排出ランナー４１ｂが排出部１９に接続される。 Further, the upper mold 41 is provided with an injection runner 41a and a discharge runner 41b at predetermined positions. Then, when the upper mold 41 is assembled to the lead frame 1, the injection runner 41a is connected to the injection unit 18, and the discharge runner 41b is connected to the discharge unit 19.

また、注入ランナー４１ａと注入部１８との接続部、および排出ランナー４１ｂと排出部１９との接続部に配置されるフィルム４３には、それぞれ貫通孔４３ａ、４３ｂが形成される。 Further, through holes 43a and 43b are formed in the film 43 arranged at the connection portion between the injection runner 41a and the injection portion 18 and the connection portion between the discharge runner 41b and the discharge portion 19, respectively.

さらに、下金型４２には、注入部１８に接続される凹部４２ａと、排出部１９に接続される凹部４２ｂと、単位リードフレーム１２の搭載面１４ｃ側を囲むように設けられる凹部４２ｃとが形成される。 Further, the lower mold 42 has a recess 42a connected to the injection portion 18, a recess 42b connected to the discharge portion 19, and a recess 42c provided so as to surround the mounting surface 14c side of the unit lead frame 12. It is formed.

なお、実施形態では、注入ランナー４１ａがトップゲート方式の場合について示すが、注入ランナー４１ａはサイドゲート方式でもよい。 In the embodiment, the case where the injection runner 41a is of the top gate method is shown, but the injection runner 41a may be of the side gate method.

次に、図５Ｂに示すように、注入ランナー４１ａ、貫通孔４３ａおよび注入部１８を経由して、金型４０内に樹脂部１５を構成する樹脂１５Ａが注入される。そして、かかる金型４０内に樹脂１５Ａが充填され、リードフレーム１の空隙に残っていた空気や、充填された樹脂１５Ａの余剰部分が排出部１９、貫通孔４３ｂおよび排出ランナー４１ｂを経由して金型４０から排出される。 Next, as shown in FIG. 5B, the resin 15A constituting the resin portion 15 is injected into the mold 40 via the injection runner 41a, the through hole 43a, and the injection portion 18. Then, the resin 15A is filled in the mold 40, and the air remaining in the voids of the lead frame 1 and the surplus portion of the filled resin 15A pass through the discharge portion 19, the through hole 43b, and the discharge runner 41b. It is discharged from the mold 40.

ここで、実施形態では、注入部１８の下部に凹部４２ａを形成することにより、かかる凹部４２ａに樹脂１５Ａをいったん溜めてから金型４０内に充填できることから、金型４０内に樹脂１５Ａを円滑に充填することができる。また、排出部１９の下部に凹部４２ｂを形成することにより、かかる凹部４２ｂに樹脂１５Ａがいったん溜まった後に金型４０内から排出されることから、金型４０内から樹脂１５Ａを円滑に排出することができる。 Here, in the embodiment, by forming the recess 42a in the lower portion of the injection portion 18, the resin 15A can be temporarily stored in the recess 42a and then filled in the mold 40, so that the resin 15A can be smoothly filled in the mold 40. Can be filled in. Further, by forming the recess 42b in the lower portion of the discharge portion 19, the resin 15A is once accumulated in the recess 42b and then discharged from the mold 40, so that the resin 15A is smoothly discharged from the mold 40. be able to.

そして、樹脂１５Ａが充填された金型４０に所定の熱処理が行われ、樹脂１５Ａが硬化されて樹脂部１５となる。 Then, a predetermined heat treatment is performed on the mold 40 filled with the resin 15A, and the resin 15A is cured to become the resin portion 15.

次に、図５Ｃに示すように、上金型４１および下金型４２が取り外されて、樹脂付きリードフレーム２が完成する。ここで、単位リードフレーム１２におけるパッド１４の搭載面１４ｃ側には、第１パッド１４ａおよび第２パッド１４ｂを囲むように凸部１５ｂが形成される。 Next, as shown in FIG. 5C, the upper mold 41 and the lower mold 42 are removed to complete the lead frame 2 with resin. Here, a convex portion 15b is formed on the mounting surface 14c side of the pad 14 in the unit lead frame 12 so as to surround the first pad 14a and the second pad 14b.

また、注入部１８には、凹部４２ａが形成された箇所（すなわち、注入部１８におけるパッド１４の搭載面１４ｃ側）にバリ１８ａが形成され、排出部１９には、凹部４２ｂが形成された箇所（すなわち、排出部１９におけるパッド１４の搭載面１４ｃ側）にバリ１９ａが形成される。 Further, in the injection portion 18, a burr 18a is formed in a portion where the recess 42a is formed (that is, on the mounting surface 14c side of the pad 14 in the injection portion 18), and a portion where the recess 42b is formed in the discharge portion 19. (That is, the burr 19a is formed on the mounting surface 14c side of the pad 14 in the discharge unit 19).

なお、上金型４１を取り外した際に、上金型４１に当接するフィルム４３は上金型４１とともに樹脂付きリードフレーム２から剥離される。また、下金型４２を取り外した際には、下金型４２に当接するフィルム４３は樹脂付きリードフレーム２に残る。そこで、上金型４１および下金型４２を取り外した後に、樹脂付きリードフレーム２に残るフィルム４３を別途剥離する。 When the upper mold 41 is removed, the film 43 that comes into contact with the upper mold 41 is peeled off from the resin-attached lead frame 2 together with the upper mold 41. Further, when the lower mold 42 is removed, the film 43 in contact with the lower mold 42 remains on the lead frame 2 with resin. Therefore, after removing the upper mold 41 and the lower mold 42, the film 43 remaining on the lead frame 2 with resin is separately peeled off.

つづいて、作製された樹脂付きリードフレーム２を用いて半導体装置３を製造する工程について、図６Ａ～図６Ｃを参照しながら説明する。図６Ａ～図６Ｃは、各処理を断面視した図である。なお、図６Ａ～図６Ｃは、注入部１８の近傍を示しており、パッド１４の搭載面１４ｃを上側にしている。 Subsequently, a process of manufacturing the semiconductor device 3 using the manufactured lead frame 2 with resin will be described with reference to FIGS. 6A to 6C. 6A to 6C are cross-sectional views of each process. 6A to 6C show the vicinity of the injection portion 18, and the mounting surface 14c of the pad 14 is on the upper side.

まず、図６Ａに示すように、第１パッド１４ａの搭載面１４ｃ上にＬＥＤ素子２３が搭載される。そして、ＬＥＤ素子２３の各電極と、第１パッド１４ａの搭載面１４ｃ側のめっき膜２１、および第２パッド１４ｂの搭載面１４ｃ側のめっき膜２１との間を、それぞれボンディングワイヤ２４により電気的に接続する。 First, as shown in FIG. 6A, the LED element 23 is mounted on the mounting surface 14c of the first pad 14a. Then, between each electrode of the LED element 23 and the plating film 21 on the mounting surface 14c side of the first pad 14a and the plating film 21 on the mounting surface 14c side of the second pad 14b, each is electrically connected by a bonding wire 24. Connect to.

ここで、仮に注入部１８または排出部１９の少なくとも一方が単位リードフレーム形成領域１１ではなく枠体１０に設けられた場合、ボンディングワイヤ２４を接合する前に枠体１０を所定の押さえ治具（図示せず）で保持する際に、バリ１８ａまたはバリ１９ａがかかる押さえ治具と干渉する恐れがある。 Here, if at least one of the injection unit 18 or the discharge unit 19 is provided on the frame body 10 instead of the unit lead frame forming region 11, the frame body 10 is pressed by a predetermined holding jig (before the bonding wires 24 are bonded). When holding by (not shown), the burr 18a or the burr 19a may interfere with the holding jig.

これにより、リードフレーム１を十分に保持することができないことから、ボンディングワイヤ２４の接合強度が低下してしまう場合がある。したがって、半導体装置３（図６Ｃ参照）の信頼性が低下する恐れがある。 As a result, the lead frame 1 cannot be sufficiently held, so that the bonding strength of the bonding wire 24 may decrease. Therefore, the reliability of the semiconductor device 3 (see FIG. 6C) may decrease.

しかしながら、実施形態では、注入部１８および排出部１９を単位リードフレーム形成領域１１に設けていることから、ボンディングワイヤ２４を接合する際に、バリ１８ａまたはバリ１９ａを除去することなく枠体１０を押さえ治具で十分に保持することができる。したがって、実施形態によれば、ボンディングワイヤ２４の十分な接合強度が確保された半導体装置３を製造することができる。 However, in the embodiment, since the injection unit 18 and the discharge unit 19 are provided in the unit lead frame forming region 11, the frame body 10 is provided without removing the burrs 18a or burrs 19a when the bonding wires 24 are bonded. It can be sufficiently held with a holding jig. Therefore, according to the embodiment, it is possible to manufacture the semiconductor device 3 in which sufficient bonding strength of the bonding wire 24 is ensured.

また、実施形態によれば、ボンディングワイヤ２４を接合する際に、あらかじめバリ１８ａ、１９ａを除去する工程を省くことができることから、半導体装置３を効率よく製造することができる。 Further, according to the embodiment, when the bonding wire 24 is bonded, the step of removing the burrs 18a and 19a in advance can be omitted, so that the semiconductor device 3 can be efficiently manufactured.

さらに、実施形態によれば、上述の押さえ治具で樹脂付きリードフレーム２を保持する際に、枠体１０だけでなく、樹脂部１５に形成されるスリット１５ａを介して補強部１７も直接押さえることができる。これにより、樹脂付きリードフレーム２をさらに十分に保持することができることから、ボンディングワイヤ２４のさらに十分な接合強度が確保された半導体装置３を製造することができる。 Further, according to the embodiment, when the lead frame 2 with resin is held by the holding jig described above, not only the frame body 10 but also the reinforcing portion 17 is directly pressed through the slit 15a formed in the resin portion 15. be able to. As a result, the lead frame 2 with resin can be held more sufficiently, so that the semiconductor device 3 in which the bonding wire 24 has more sufficient bonding strength can be manufactured.

次に、ここまで作製した構造体を所定の金型にセットして、透明な熱硬化性樹脂でモールド処理することにより、図６Ｂに示すように、樹脂付きリードフレーム２の搭載面１４ｃ側に透明樹脂部２５が形成される。かかる透明樹脂部２５は、ＬＥＤ素子２３およびボンディングワイヤ２４を封止するとともに、ＬＥＤ素子２３から出射される光を透過する。 Next, by setting the structure produced so far in a predetermined mold and molding it with a transparent thermosetting resin, as shown in FIG. 6B, the lead frame 2 with resin is placed on the mounting surface 14c side. The transparent resin portion 25 is formed. The transparent resin portion 25 seals the LED element 23 and the bonding wire 24, and transmits the light emitted from the LED element 23.

次に、隣接する単位リードフレーム１２同士の間に仮想的に設けられるダイシングラインＤＬに沿って回転刃物でダイシングする。これにより、図６Ｃに示すように、個別の半導体装置３毎に分割されて、半導体装置３が完成する。 Next, dicing is performed with a rotating blade along a dicing line DL virtually provided between the adjacent unit lead frames 12. As a result, as shown in FIG. 6C, the semiconductor device 3 is completed by being divided into individual semiconductor devices 3.

かかる半導体装置３では、凸部１５ｂがＬＥＤ素子２３を取り囲むように形成されていることから、凸部１５ｂでＬＥＤ素子２３から出射される光を上方に反射させることができる。したがって、実施形態によれば、発光効率の高い半導体装置３を実現することができる。 In such a semiconductor device 3, since the convex portion 15b is formed so as to surround the LED element 23, the light emitted from the LED element 23 can be reflected upward by the convex portion 15b. Therefore, according to the embodiment, it is possible to realize the semiconductor device 3 having high luminous efficiency.

つづいて、図７を参照しながら、実施形態の変形例４に係るリードフレーム１について説明する。図７は、実施形態の変形例４に係るリードフレーム１の拡大図である。なお、図７では、実施形態と同じ部位には同じ符号を付して、重複する説明は省略する場合がある。 Subsequently, the lead frame 1 according to the modified example 4 of the embodiment will be described with reference to FIG. 7. FIG. 7 is an enlarged view of the lead frame 1 according to the modified example 4 of the embodiment. In FIG. 7, the same parts as those in the embodiment are designated by the same reference numerals, and duplicate description may be omitted.

また、図示してはいないが、変形例４に係るリードフレーム１を上述のように金型４０に組み付け、樹脂部１５を形成することにより、変形例４に係る樹脂付きリードフレーム２を製造することができる。 Further, although not shown, the lead frame 1 according to the modified example 4 is assembled to the mold 40 as described above to form the resin portion 15, whereby the lead frame 2 with resin according to the modified example 4 is manufactured. be able to.

変形例４のリードフレーム１は、おもて面側に枠体１０に沿って凹部１０ａが形成される。かかる凹部１０ａは、たとえば、金属基板のおもて面側にハーフエッチング加工を施すことにより溝状に形成される。 In the lead frame 1 of the modified example 4, a recess 10a is formed along the frame body 10 on the front surface side. The recess 10a is formed in a groove shape by, for example, half-etching the front surface side of the metal substrate.

変形例４によれば、上述の樹脂付きリードフレーム２を製造する工程の際に、リードフレーム１のおもて面と下金型４２との間に挿間されるフィルム４３を凹部１０ａに押し込むことにより、枠体１０の外側に樹脂１５Ａが漏れることを抑制することができる。 According to the fourth modification, the film 43 inserted between the front surface of the lead frame 1 and the lower mold 42 is pushed into the recess 10a during the process of manufacturing the lead frame 2 with resin described above. This makes it possible to prevent the resin 15A from leaking to the outside of the frame body 10.

変形例４において、凹部１０ａは、枠体１０の全周に形成されているとよい。これにより、枠体１０の外側に樹脂１５Ａが漏れることを効果的に抑制することができる。なお、凹部１０ａは、枠体１０の全周に形成されている場合に限られず、枠体１０の一部に形成されていてもよい。 In the modified example 4, the recess 10a may be formed on the entire circumference of the frame body 10. As a result, it is possible to effectively prevent the resin 15A from leaking to the outside of the frame body 10. The recess 10a is not limited to the case where it is formed on the entire circumference of the frame body 10, and may be formed on a part of the frame body 10.

また、凹部１０ａが枠体１０の一部に形成されている場合、凹部１０ａは溝状に限られず、リードフレーム１のおもて面から裏面まで貫通するように形成されていてもよい。 Further, when the recess 10a is formed in a part of the frame body 10, the recess 10a is not limited to the groove shape, and may be formed so as to penetrate from the front surface to the back surface of the lead frame 1.

また、変形例４では、図７に示すように、複数の貫通孔１０ｂが溝状の凹部１０ａに沿って並んで形成されているとよい。かかる貫通孔１０ｂは、溝状の凹部１０ａと、隣接する単位リードフレーム１２同士の間に仮想的に設けられるダイシングラインＤＬとが交差する箇所に形成される。 Further, in the modified example 4, as shown in FIG. 7, it is preferable that a plurality of through holes 10b are formed side by side along the groove-shaped recesses 10a. The through hole 10b is formed at a position where the groove-shaped recess 10a and the dicing line DL virtually provided between the adjacent unit lead frames 12 intersect.

これにより、上述の半導体装置３を製造する工程において、ダイシングラインＤＬに沿って回転刃物でダイシングする際に、かかる回転刃物の位置決めを貫通孔１０ｂにより行うことができる。また、ダイシングラインＤＬに沿って回転刃物でダイシングする際に、回転刃物の摩耗を低減することができる。 Thereby, in the step of manufacturing the above-mentioned semiconductor device 3, when dicing with a rotating blade along the dicing line DL, the positioning of the rotating blade can be performed by the through hole 10b. Further, when dicing with a rotating blade along the dicing line DL, wear of the rotating blade can be reduced.

なお、上述の変形例４では、溝状の凹部１０ａがリードフレーム１のおもて面側に形成された例について示したが、溝状の凹部１０ａはリードフレーム１の裏面側に形成されていてもよい。 In the above-mentioned modification 4, the groove-shaped recess 10a is formed on the front surface side of the lead frame 1, but the groove-shaped recess 10a is formed on the back surface side of the lead frame 1. You may.

＜製造工程の処理手順＞
つづいて、実施形態に係る樹脂付きリードフレーム２および半導体装置３の製造工程の際に実行する処理について、図８および図９を参照しながら説明する。図８は、実施形態に係る樹脂付きリードフレーム２の製造工程で実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。 <Processing procedure of manufacturing process>
Subsequently, the processing executed in the manufacturing process of the lead frame 2 with resin and the semiconductor device 3 according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG. 8 is a flowchart showing a processing procedure of processing executed in the manufacturing process of the lead frame 2 with resin according to the embodiment.

最初に、所定の箇所にエッチング加工が施されて、枠体１０や単位リードフレーム形成領域１１などが形成されたリードフレーム１を準備する（ステップＳ１０１）。かかるリードフレーム１には、単位リードフレーム形成領域１１内の所定の位置に補強部１７が設けられるとともに、所定の二隅にそれぞれ注入部１８と排出部１９とが設けられる。 First, a lead frame 1 is prepared in which a predetermined portion is etched to form a frame body 10 and a unit lead frame forming region 11 (step S101). The lead frame 1 is provided with a reinforcing portion 17 at a predetermined position in the unit lead frame forming region 11, and is provided with an injection portion 18 and a discharge portion 19 at predetermined two corners, respectively.

次に、金型４０（具体的には上金型４１）の注入ランナー４１ａを注入部１８に接続し、排出ランナー４１ｂを排出部１９に接続するように、リードフレーム１を金型４０に組み付ける（ステップＳ１０２）。 Next, the lead frame 1 is assembled to the mold 40 so that the injection runner 41a of the mold 40 (specifically, the upper mold 41) is connected to the injection unit 18 and the discharge runner 41b is connected to the discharge unit 19. (Step S102).

なお、ステップＳ１０２では、下金型４２がパッド１４の搭載面１４ｃに向かい合うように組み付けられる。また、上金型４１と下金型４２とを組み付ける際、上金型４１とリードフレーム１および下金型４２とリードフレーム１との間には、モールド充填性および離型性の向上を目的として、フィルム４３が挿間される。 In step S102, the lower mold 42 is assembled so as to face the mounting surface 14c of the pad 14. Further, when assembling the upper mold 41 and the lower mold 42, the purpose is to improve the mold filling property and the mold releasability between the upper mold 41 and the lead frame 1 and the lower mold 42 and the lead frame 1. As a result, the film 43 is inserted.

そして、上金型４１の注入ランナー４１ａおよび注入部１８を経由して、金型４０内に樹脂１５Ａを注入する（ステップＳ１０３）。 Then, the resin 15A is injected into the mold 40 via the injection runner 41a of the upper mold 41 and the injection portion 18 (step S103).

次に、金型４０に対して所定の熱処理を施して、樹脂１５Ａを硬化する（ステップＳ１０４）。これにより、単位リードフレーム１２内の空隙に樹脂部１５が形成される。 Next, the mold 40 is subjected to a predetermined heat treatment to cure the resin 15A (step S104). As a result, the resin portion 15 is formed in the gap in the unit lead frame 12.

最後に、リードフレーム１から金型４０を脱離させて（ステップＳ１０５）、実施形態にかかる樹脂付きリードフレーム２が得られる。なお、リードフレーム１から金型４０を脱離させた際に形成されるバリ１８ａ、１９ａを除去する必要はない。 Finally, the mold 40 is detached from the lead frame 1 (step S105) to obtain the resin-attached lead frame 2 according to the embodiment. It is not necessary to remove the burrs 18a and 19a formed when the mold 40 is detached from the lead frame 1.

図９は、実施形態に係る半導体装置３の製造工程で実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。 FIG. 9 is a flowchart showing a processing procedure of processing executed in the manufacturing process of the semiconductor device 3 according to the embodiment.

最初に、樹脂付きリードフレーム２の単位リードフレーム１２に設けられるパッド１４（具体的には第１パッド１４ａ）の搭載面１４ｃ上に、ＬＥＤ素子２３を搭載する（ステップＳ２０１）。かかるＬＥＤ素子２３は、たとえば、はんだ材や銀ペースト、アクリル系ペースト、絶縁ペーストなどを用いてパッド１４に固定される。 First, the LED element 23 is mounted on the mounting surface 14c of the pad 14 (specifically, the first pad 14a) provided in the unit lead frame 12 of the lead frame 2 with resin (step S201). The LED element 23 is fixed to the pad 14 using, for example, a solder material, a silver paste, an acrylic paste, an insulating paste, or the like.

次に、注入部１８の近傍に形成されるバリ１８ａや排出部１９の近傍に形成されるバリ１９ａを除去しないままで、樹脂付きリードフレーム２の枠体１０を押さえ治具で保持する（ステップＳ２０２）。 Next, the frame body 10 of the lead frame 2 with resin is held by a holding jig without removing the burrs 18a formed in the vicinity of the injection portion 18 and the burrs 19a formed in the vicinity of the discharge portion 19 (step). S202).

次に、かかる押さえ治具で保持された樹脂付きリードフレーム２に搭載されるＬＥＤ素子２３およびパッド１４に、ボンディングワイヤ２４を接合する（ステップＳ２０３）。かかるボンディングワイヤ２４は、たとえば、ワイヤボンダなどを用いてＬＥＤ素子２３やパッド１４に接合される。 Next, the bonding wire 24 is bonded to the LED element 23 and the pad 14 mounted on the resin-attached lead frame 2 held by the holding jig (step S203). The bonding wire 24 is bonded to the LED element 23 and the pad 14 by using, for example, a wire bonder or the like.

次に、ここまで作製した構造体を所定の金型にセットして、透明な熱硬化性樹脂でモールド処理することにより、リードフレーム１の搭載面１４ｃ側に透明樹脂部２５を形成する（ステップＳ２０４）。 Next, the structure produced up to this point is set in a predetermined mold and molded with a transparent thermosetting resin to form a transparent resin portion 25 on the mounting surface 14c side of the lead frame 1 (step). S204).

最後に、隣接する単位リードフレーム１２同士の間に仮想的に設けられるダイシングラインＤＬに沿って回転刃物でダイシングして（ステップＳ２０５）、実施形態にかかる半導体装置３が得られる。 Finally, dicing with a rotating blade along a dicing line DL virtually provided between the adjacent unit lead frames 12 (step S205), the semiconductor device 3 according to the embodiment is obtained.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上述の実施形態では、樹脂付きリードフレーム２に用いられるリードフレーム１について示したが、実施形態にかかるリードフレーム１は樹脂付きリードフレーム２に用いられる場合に限られない。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the lead frame 1 used for the lead frame 2 with resin is shown, but the lead frame 1 according to the embodiment is not limited to the case where the lead frame 1 with resin is used.

また、上述の実施形態において、リードフレーム１の金属基板やめっき膜２１の表面を所定の粗化処理により粗化してもよい。これにより、リードフレーム１と樹脂部１５との密着性や、めっき膜２１と透明樹脂部２５との密着性をさらに向上させることができる。 Further, in the above-described embodiment, the surface of the metal substrate of the lead frame 1 or the plating film 21 may be roughened by a predetermined roughening treatment. As a result, the adhesion between the lead frame 1 and the resin portion 15 and the adhesion between the plating film 21 and the transparent resin portion 25 can be further improved.

以上のように、実施形態に係るリードフレーム１は、枠体１０と、単位リードフレーム形成領域１１と、補強部１７とを備える。枠体１０は、外周部を囲むように設けられる。単位リードフレーム形成領域１１は、枠体１０内に設けられ、複数の単位リードフレーム１２がマトリックス状に並べられて、複数の単位リードフレーム１２が所定の方向Ａに沿って連結される。補強部１７は、単位リードフレーム形成領域１１内で所定の方向Ａと交わる方向に延びる。これにより、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２が変形することを抑制することができる。 As described above, the lead frame 1 according to the embodiment includes a frame body 10, a unit lead frame forming region 11, and a reinforcing portion 17. The frame body 10 is provided so as to surround the outer peripheral portion. The unit lead frame forming region 11 is provided in the frame body 10, a plurality of unit lead frames 12 are arranged in a matrix, and the plurality of unit lead frames 12 are connected along a predetermined direction A. The reinforcing portion 17 extends in a direction intersecting a predetermined direction A within the unit lead frame forming region 11. As a result, it is possible to prevent the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A from being deformed.

また、実施形態に係るリードフレーム１において、補強部１７は、単位リードフレーム形成領域１１の一端から他端に渡るように設けられる。これにより、単位リードフレーム形成領域１１の全域において、連結される複数の単位リードフレーム１２が変形することを抑制することができる。 Further, in the lead frame 1 according to the embodiment, the reinforcing portion 17 is provided so as to extend from one end to the other end of the unit lead frame forming region 11. As a result, it is possible to prevent the plurality of connected unit lead frames 12 from being deformed in the entire area of the unit lead frame forming region 11.

また、実施形態に係るリードフレーム１において、補強部１７は、単位リードフレーム形成領域１１において十字形状を有する。これにより、単位リードフレーム形成領域１１全体の強度を向上させることができる。 Further, in the lead frame 1 according to the embodiment, the reinforcing portion 17 has a cross shape in the unit lead frame forming region 11. Thereby, the strength of the entire unit lead frame forming region 11 can be improved.

また、実施形態に係るリードフレーム１において、補強部１７は、ハーフエッチング加工されている部位（薄肉部１７ｂ）と、ハーフエッチング加工されていない部位（厚肉部１７ａ）とが交互になって設けられる。これにより、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２が変形することをさらに抑制することができるとともに、樹脂部１５を形成する際に、かかる樹脂部１５を構成する樹脂１５Ａを単位リードフレーム形成領域１１全体に行き渡らせることができる。 Further, in the lead frame 1 according to the embodiment, the reinforcing portion 17 is provided with a portion that has been half-etched (thin-walled portion 17b) and a portion that has not been half-etched (thick-walled portion 17a) alternately. Be done. As a result, it is possible to further suppress the deformation of the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A, and when the resin portion 15 is formed, the resin 15A constituting the resin portion 15 is formed. Can be spread over the entire unit lead frame forming region 11.

また、実施形態に係るリードフレーム１において、枠体１０には、枠体１０に沿った凹部１０ａが形成される。これにより、枠体１０の外側に樹脂１５Ａが漏れることを抑制することができる。 Further, in the lead frame 1 according to the embodiment, the frame body 10 is formed with a recess 10a along the frame body 10. As a result, it is possible to prevent the resin 15A from leaking to the outside of the frame body 10.

また、実施形態に係る樹脂付きリードフレーム２は、上述のリードフレーム１と、単位リードフレーム１２内に形成される空隙に設けられる樹脂部１５と、を備える。これにより、所定の方向Ａに沿って連結される複数の単位リードフレーム１２が変形することが抑制された樹脂付きリードフレーム２を実現することができる。 Further, the lead frame 2 with resin according to the embodiment includes the above-mentioned lead frame 1 and a resin portion 15 provided in a gap formed in the unit lead frame 12. Thereby, it is possible to realize the lead frame 2 with resin in which the deformation of the plurality of unit lead frames 12 connected along the predetermined direction A is suppressed.

また、実施形態に係る樹脂付きリードフレーム２において、樹脂部１５には、補強部１７の上面側にスリット１５ａが形成される。これにより、単位リードフレーム形成領域１１において樹脂部１５の応力が緩和される。 Further, in the lead frame 2 with resin according to the embodiment, a slit 15a is formed in the resin portion 15 on the upper surface side of the reinforcing portion 17. As a result, the stress of the resin portion 15 is relaxed in the unit lead frame forming region 11.

また、実施形態に係る樹脂付きリードフレーム２において、樹脂部１５は、シリコーン樹脂で構成される。これにより、樹脂付きリードフレーム２を用いて製造され、高熱を発するＬＥＤ素子２３が搭載された半導体装置３において、耐熱性を向上させることができる。 Further, in the lead frame 2 with resin according to the embodiment, the resin portion 15 is made of a silicone resin. As a result, the heat resistance can be improved in the semiconductor device 3 manufactured by using the lead frame 2 with resin and equipped with the LED element 23 that emits high heat.

また、実施形態に係る樹脂付きリードフレーム２において、所定の金型４０を経由して樹脂部１５を構成する樹脂１５Ａが注入される注入部１８と、所定の金型４０を経由して樹脂１５Ａの余剰部分が排出される排出部１９とが、いずれも単位リードフレーム形成領域１１内に設けられる。これにより、ボンディングワイヤ２４の十分な接合強度が確保された半導体装置３を製造することができる。 Further, in the lead frame 2 with resin according to the embodiment, the injection unit 18 into which the resin 15A constituting the resin unit 15 is injected via the predetermined mold 40 and the resin 15A via the predetermined mold 40. A discharge unit 19 from which the surplus portion is discharged is provided in the unit lead frame forming region 11. This makes it possible to manufacture the semiconductor device 3 in which sufficient bonding strength of the bonding wire 24 is ensured.

また、実施形態に係る樹脂付きリードフレーム２の製造方法は、所定の金型４０を経由して樹脂１５Ａが注入される注入部１８と、所定の金型４０を経由して樹脂１５Ａの余剰部分が排出される排出部１９とが、いずれも単位リードフレーム形成領域１１内に設けられる上述のリードフレーム１を、注入部１８が金型４０の注入ランナー４１ａに接続され、排出部１９が金型４０の排出ランナー４１ｂに接続されるように金型４０に組み付ける工程（ステップＳ１０２）と、注入ランナー４１ａと注入部１８とを経由して金型４０内に樹脂１５Ａを注入する工程（ステップＳ１０３）と、を含む。これにより、ボンディングワイヤ２４の十分な接合強度が確保された半導体装置３を製造可能な樹脂付きリードフレーム２を製造することができる。 Further, in the method for manufacturing the lead frame 2 with resin according to the embodiment, the injection unit 18 into which the resin 15A is injected via the predetermined mold 40 and the surplus portion of the resin 15A via the predetermined mold 40 are used. The discharge unit 19 is connected to the above-mentioned lead frame 1 provided in the unit lead frame forming region 11, the injection unit 18 is connected to the injection runner 41a of the mold 40, and the discharge unit 19 is the mold. A step of assembling to the mold 40 so as to be connected to the discharge runner 41b of the 40 (step S102), and a step of injecting the resin 15A into the mold 40 via the injection runner 41a and the injection unit 18 (step S103). And, including. This makes it possible to manufacture the lead frame 2 with a resin capable of manufacturing the semiconductor device 3 in which the bonding wire 24 has sufficient bonding strength.

また、実施形態に係る半導体装置３の製造方法は、上述の樹脂付きリードフレーム２の単位リードフレーム１２内に半導体素子（ＬＥＤ素子２３）を搭載する工程（ステップＳ２０１）と、枠体１０を押さえ治具で保持する工程（ステップＳ２０２）と、搭載された半導体素子（ＬＥＤ素子２３）にボンディングワイヤ２４を接合する工程（ステップＳ２０３）と、を含む。これにより、ボンディングワイヤ２４の十分な接合強度が確保された半導体装置３を製造することができる。 Further, the method for manufacturing the semiconductor device 3 according to the embodiment includes a step (step S201) of mounting a semiconductor element (LED element 23) in the unit lead frame 12 of the lead frame 2 with resin described above, and holding down the frame body 10. It includes a step of holding with a jig (step S202) and a step of joining the bonding wire 24 to the mounted semiconductor element (LED element 23) (step S203). This makes it possible to manufacture the semiconductor device 3 in which sufficient bonding strength of the bonding wire 24 is ensured.

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。 Further effects and variations can be easily derived by those skilled in the art. For this reason, the broader aspects of the invention are not limited to the particular details and representative embodiments described and described above. Accordingly, various modifications can be made without departing from the spirit or scope of the general concept of the invention as defined by the appended claims and their equivalents.

１ リードフレーム
２ 樹脂付きリードフレーム
３ 半導体装置
１０ 枠体
１０ａ 凹部
１１ 単位リードフレーム形成領域
１２ 単位リードフレーム
１３ 接続部
１４ パッド
１５ 樹脂部
１５ａ スリット
１５Ａ 樹脂
１７ 補強部
１８ 注入部
１８ａ バリ
１９ 排出部
１９ａ バリ
２３ ＬＥＤ素子
２４ ボンディングワイヤ
２５ 透明樹脂部
４０ 金型
４１ 上金型
４１ａ 注入ランナー
４１ｂ 排出ランナー
４２ 下金型 1 Lead frame 2 Lead frame with resin 3 Semiconductor device 10 Frame body 10a Recessed part 11 Unit lead frame forming area 12 Unit lead frame 13 Connection part 14 Pad 15 Resin part 15a Slit 15A Resin 17 Reinforcing part 18 Injection part 18a Burr 19 Discharge part 19a Burr 23 LED element 24 Bonding wire 25 Transparent resin part 40 Mold 41 Upper mold 41a Injection runner 41b Discharge runner 42 Lower mold

Claims (10)

外周部を囲むように設けられる枠体と、
前記枠体内に設けられ、複数の単位リードフレームがマトリックス状に並べられて、複数の前記単位リードフレームが所定の方向に沿って接続部を介して連結される単位リードフレーム形成領域と、
前記単位リードフレーム形成領域内で前記所定の方向と交わる方向に延びる補強部と、 を備え、
前記補強部は、ハーフエッチング加工されている部位と、ハーフエッチング加工されていない部位とが交互になって設けられ、
前記補強部において前記接続部が接する部位には、ハーフエッチング加工が施されていないこと
を特徴とするリードフレーム。 A frame that surrounds the outer circumference and
A unit lead frame forming region provided in the frame body in which a plurality of unit lead frames are arranged in a matrix and the plurality of unit lead frames are connected via a connection portion along a predetermined direction.
A reinforcing portion extending in a direction intersecting the predetermined direction within the unit lead frame forming region is provided .
The reinforcing portion is provided with a portion that has been half-etched and a portion that has not been half-etched alternately.
The portion of the reinforcing portion in contact with the connecting portion shall not be half-etched.
A lead frame featuring. 前記補強部は、前記単位リードフレーム形成領域の一端から他端に渡るように設けられること
を特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。 The lead frame according to claim 1, wherein the reinforcing portion is provided so as to extend from one end to the other end of the unit lead frame forming region. 前記補強部は、前記単位リードフレーム形成領域において十字形状を有すること
を特徴とする請求項１または２に記載のリードフレーム。 The lead frame according to claim 1 or 2, wherein the reinforcing portion has a cross shape in the unit lead frame forming region. 前記枠体には、前記枠体に沿った凹部が形成されること
を特徴とする請求項１～３のいずれか一つに記載のリードフレーム。 The lead frame according to any one of claims 1 to 3 , wherein a recess along the frame body is formed in the frame body. 請求項１～４のいずれか一つに記載のリードフレームと、
前記単位リードフレーム内に形成される空隙に設けられる樹脂部と、を備えること
を特徴とする樹脂付きリードフレーム。 The lead frame according to any one of claims 1 to 4 ,
A lead frame with a resin, comprising: a resin portion provided in a gap formed in the unit lead frame. 前記樹脂部には、前記補強部の上面側にスリットが形成されること
を特徴とする請求項５に記載の樹脂付きリードフレーム。 The lead frame with resin according to claim 5 , wherein a slit is formed in the resin portion on the upper surface side of the reinforcing portion. 前記樹脂部は、シリコーン樹脂で構成されること
を特徴とする請求項５または６に記載の樹脂付きリードフレーム。 The lead frame with a resin according to claim 5 or 6 , wherein the resin portion is made of a silicone resin. 所定の金型を経由して前記樹脂部を構成する樹脂が注入される注入部と、前記所定の金型を経由して前記樹脂の余剰部分が排出される排出部とが、いずれも前記単位リードフレーム形成領域内に設けられること
を特徴とする請求項５～７のいずれか一つに記載の樹脂付きリードフレーム。 The unit is both an injection part in which the resin constituting the resin part is injected via a predetermined mold and a discharge part in which the excess portion of the resin is discharged via the predetermined mold. The lead frame with a resin according to any one of claims 5 to 7 , wherein the lead frame is provided in a lead frame forming region. 所定の金型を経由して樹脂が注入される注入部と、前記所定の金型を経由して前記樹脂の余剰部分が排出される排出部とが、いずれも前記単位リードフレーム形成領域内に設けられる請求項１～４のいずれか一つに記載のリードフレームを、前記注入部が前記金型の注入ランナーに接続され、前記排出部が前記金型の排出ランナーに接続されるように前記金型に組み付ける工程と、
前記注入ランナーと前記注入部とを経由して前記金型内に樹脂を注入する工程と、を含むこと
を特徴とする樹脂付きリードフレームの製造方法。 An injection part in which the resin is injected via a predetermined mold and a discharge part in which the excess portion of the resin is discharged via the predetermined mold are both within the unit lead frame forming region. The lead frame according to any one of claims 1 to 4 is provided so that the injection unit is connected to the injection runner of the mold and the discharge unit is connected to the discharge runner of the mold. The process of assembling to the mold and
A method for manufacturing a lead frame with resin, which comprises a step of injecting resin into the mold via the injection runner and the injection portion. 請求項８に記載の樹脂付きリードフレームの前記単位リードフレーム内に半導体素子を搭載する工程と、
前記枠体を押さえ治具で保持する工程と、
搭載された前記半導体素子にボンディングワイヤを接合する工程と、を含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。 The step of mounting a semiconductor element in the unit lead frame of the lead frame with resin according to claim 8 .
The process of holding the frame with a holding jig and
A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step of bonding a bonding wire to the mounted semiconductor element.
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