JP7002315B2 - ハンドリングアーム、搬送装置および局所クリーン化装置 - Google Patents

Description

本開示は、基板を搬送するハンドリングアーム、搬送装置および局所クリーン化装置に関する。

半導体の工場では、半導体基板（以下、単に基板ともいう）への異物付着や酸化を防止するために、不活性ガスを充填した専用の格納箱に半導体基板が収容されている。格納箱は、製造装置や検査装置等に設置された後、不活性ガスパージ機構を持つ基板格納箱開閉装置によって開放される。格納箱が開放されている間は不活性ガスが常にパージされ、酸化防止を図っている。格納箱に格納されている基板は搬送装置によって取り出される。搬送装置は、空気清浄空間内にて、半導体基板を処理室に向かって搬送する装置である。上記の格納箱、基板格納箱開閉装置および搬送装置は、清浄空間を生成できる局所クリーン化装置内に収容されている。

半導体の製造、計測、検査等を行う装置は、局所クリーン化装置に搭載されている搬送装置によって搬送された基板の処理を行う。処理終了後、基板は搬送装置により格納箱に戻され、不活性ガスが格納箱に充填されて、次の工程が実施される。上記のように、半導体基板への異物付着や酸化を防止するため、格納箱に不活性ガスを充填する処理が自動的に行われている。

搬送装置は基板搬送時、異物が付着しないように基板を把持する必要がある。そのため、基板の裏面を真空吸着する方法や基板の端や側面・縁（エッジ）などを把持する方法が採用されている。また、搬送装置が基板を搬送する際に、不活性ガスを吹きつけて試料の汚染を防ぐことがなされている。

特許文献１には、基板搬送装置によって保持された基板に対して、開口側からガスを供給するガス供給口を設けた処理システムが開示されている。

また、特許文献２には、「搬送中の試料の搬送位置に連動して試料にガスを吹きつけて浮遊する塵埃の試料表面への付着を防止するガス吹きつけ手段を備えた」半導体製造装置が記載されている。

さらに、特許文献３には、「ウェーハを保持するウェーハ保持部と、このウェーハ保持部と一体的に移動し、前記ウェーハ保持部に保持されたウェーハの近傍に不活性ガスを吐出するガス吐出部とを備える」ウェーハ搬送装置が開示されている。

特開２００６－３５１８６４号公報 特開２００６－２１６７１０号公報 特開平９－５５４１８号公報

ところで、半導体を製造する装置では、基板格納箱や基板格納箱開閉装置において不活性ガス（たとえば窒素）を用いて酸化防止を図っているが、局所クリーン化装置内部の空気清浄空間は空気が流れているため、搬送装置を用いて基板を搬送する場合、基板は空気中に暴露され、搬送中に基板が酸化する可能性がある。

上記の特許文献１～３では、基板を搬送する際にハンドリングアームの基端から不活性ガスを供給することが記載されている。しかしながら、半導体基板を搬送する搬送装置は生産性向上のため、高速にアームが動くことが要求されるため、基板に不活性ガスが届かず、酸化および水分の付着を防止できない部分が生じうる。

本開示は、上記の点に鑑みてなされたものであり、試料の搬送時に、試料が酸化してしまうことおよび試料に水分が付着してしまうことを効果的に防止できる技術を提供する。

上記課題を解決するために、基板を支持する基板接触部と、前記基板が支持された際に前記基板の外側に位置し、それぞれ異なる方向を向いた複数のガス放出口と、前記複数のガス放出口を開口端に持つ複数の流路管と、を備えるハンドリングアームを提供する。

また、基板を支持する基板接触部と、前記基板が支持された際に前記基板の外側に位置し、それぞれ異なる方向を向いた複数のガス放出口と、前記複数のガス放出口を開口端に持つ複数の流路管と、を備えるハンドリングアームが接続された搬送装置と、前記搬送装置が沿って移動するガイドレールと、前記複数の流路管に設けられたバルブと、前記バルブが開いた状態で前記複数のガス放出口の少なくとも一つから不活性ガスを放出するガス供給部と、前記搬送装置および前記ガス供給部の動作を制御する制御部と、を備える局所クリーン化装置を提供する。

本開示によれば、試料の搬送時に、試料が酸化してしまうことおよび試料に水分が付着してしまうことを効果的に防止できる。上記以外の課題、構成および効果は、以下の実施の形態の説明により明らかにされる。

局所クリーン化装置の側面断面図である。 局所クリーン化装置の上面断面図である。 第１の実施形態のハンドリングアームの上面断面図である。 第１の実施形態のハンドリングアームの側面断面図である。 制御部が実行する処理のフローチャートである。 制御部が実行する処理のフローチャートである。 制御部が実行する処理のフローチャートである。 第２の実施形態のハンドリングアームが基板を支持する様子を示す図である。 第２の実施形態のハンドリングアームの断面図である。 第３の実施形態のハンドリングアームの断面図である。 第４の実施形態のハンドリングアームの断面図である。

以下、図面に基づいて、本開示の実施例を説明する。なお、本開示の実施例は、後述する実施例に限定されるものではなく、その技術思想の範囲において、種々の変形が可能である。また、後述する各実施例の説明に使用する各図の対応部分には同一の符号を付して示し、重複する説明を省略する。

＜第１の実施形態＞
図１は、局所クリーン化装置１０１の側面断面図である。局所クリーン化装置１０１には、ハンドリングアームを備えた搬送装置１０３が搭載されている。搬送装置１０３は、ファンフィルタユニット１０２によって与圧された空間内にて、ガイドレールに沿って移動し、試料（基板）を搬送する。局所クリーン化装置１０１は、上部に設置されたファンフィルタユニット１０２からのクリーンエアーが装置内の内圧を高めることによって、外部からの空気の侵入を遮断し、清浄な空間を保持している。また、ファンフィルタユニット１０２によって供給されるクリーンエアーは、局所クリーン化装置１０１下面に設置された排気口１０４によって排気され、ダウンフローが形成される。搬送装置１０３はハンドリングアームを動作させるための駆動機構を備えており、上述のような清浄な空間内で基板の搬送を行っている。

局所クリーン化装置１０１が備える各部品および搬送装置１０３は、局所クリーン化装置１０１が備える制御部によって制御される。制御部は、後述する不活性ガスの噴出を制御するプログラムを記録した記録部と当該プログラムを実行するプロセッサを備える。

図２は、局所クリーン化装置１０１の上面断面図である。局所クリーン化装置１０１は、図２に示すように、基板を搬送する搬送装置１０３、不活性ガスが充填された基板格納箱を収容し、開閉する基板格納箱開閉装置２０４～２０６、制御部２０９およびプリアライメント装置２１０を備えている。制御部２０９は、局所クリーン化装置１０１が備える各装置の動作を制御する。基板格納箱開閉装置２０４～２０６は、それぞれ、不活性ガス放出機構を有し、基板格納箱内を不活性ガスで満たして基板２０８の酸化を防止する。搬送装置１０３は、ガイドレール上の位置２０１～２０３への移動が可能なように構成されており、それぞれの位置でハンドリングアーム２０７を駆動して基板２０８の収納および取り出しをする。取り出された基板２０８は、プリアライメント装置２１０にて、所定の位置や向きに直されてから半導体製造装置や検査装置へ搬送される。

搬送装置１０３が基板２０８を基板格納箱から取り出す際は、基板格納箱開閉装置２０４～２０６が不活性ガス放出機構から不活性ガスを基板格納箱へ供給しながら基板格納箱を開ける。基板２０８は、基板格納箱から取り出された後、空気が流れている局所クリーン化装置１０１内を搬送装置１０３によって搬送される。

［ハンドリングアームの構成］
図３は、第１の実施形態のハンドリングアーム２０７の上面断面図である。図３に示されているように、ハンドリングアーム２０７は、基端側から先端側（図中、Ｘ１からＸ２方向）へ向かうにつれて二股に分岐する形状となっている。ハンドリングアーム２０７は、分岐した枝部分と中央付近とに、基板接触部３０８～３１０を有する。第１の実施形態の基板接触部３０８～３１０は、吸引器と接続された流路管の一方の開口端を形成し、基板２０８は、基板接触部３０８～３１０から吸引されて搬送される。

また、ハンドリングアーム２０７には、分岐したアームの先端側およびアームの基端側であって、基板を載置したときに基板の外側となる位置に、ガス放出口３０２～３０４が設けられている。ガス放出口３０２～３０４は、それぞれ異なる方向を向いており、図中示された矢印は不活性ガスの流れ３０５～３０７を示す。不活性ガスは、基板全体を覆うように複数の方向から噴出される。

図４は、第１の実施形態のハンドリングアーム２０７の側面断面図である。図４では、ガス放出口３０２を例にとって説明する。図４に示すように、ガス放出口３０２は、二つの放出口３０２ａおよび３０２ｂを有し、放出口３０２ａは基板と高さが略同じ位置にあり、放出口３０２ｂは基板よりも低い位置にある。図４に示すように、放出口３０２ａから放出される不活性ガスは基板２０８の上側を覆い、放出口３０２ｂから放出される不活性ガスは基板２０８の下側を覆う。ガス放出口３０２の構成を上記のようにした場合、基板２０８の両面を酸化防止できる。また、不活性ガスは基板２０８の表面を覆うだけでなく、基板２０８に付着した埃等を吹き飛ばす役割も果たす。なお、放出口３０２ａの位置は、基板２０８より高い位置であってもよい。この場合、ファンフィルタユニット１０２から下方に流れてくる空気によって、基板２０８の表面を覆う不活性ガスが拡散されてしまうことを低減できる。

放出口３０２ａおよび３０２ｂのそれぞれは不活性ガスを供給するガス供給部（図示せず）と接続された流路管の一方の開口端を形成し、流路管に設けられたバルブが開いた状態でガス供給部から不活性ガスが送られてくる。制御部２０９は、上記バルブの開閉度合いを調節し、ガス放出口３０２から放出する不活性ガスの量を調節する。

上述したとおり、基板接触部３０８の内部には、流路管が設けられ、吸引器（図示せず）と接続されている。吸引器が吸引動作を実行することによって基板２０８が基板接触部３０８に吸いつけられてハンドリングアーム２０７に把持される。

［搬送装置の動作］
上述のとおり、搬送装置１０３および基板格納箱開閉装置２０５等は、局所クリーン化装置１０１が備える制御部２０９によって制御される。以下に、搬送装置１０３が基板格納箱から基板２０８を取り出して処理室に搬送するまでの流れを説明する。

まず、搬送装置１０３は、取り出す基板２０８が格納された基板格納箱の位置（例えば、２０３）までガイドレール上を移動する。続いて、基板格納箱開閉装置２０５が不活性ガス放出機構により不活性ガスを放出しながら、基板格納箱をオープンし、搬送装置１０３がハンドリングアーム２０７を伸ばして目的の基板２０８を把持する。その後、搬送装置１０３は、ハンドリングアーム２０７をたたんでプリアライメント装置２１０までガイドレールに沿って移動し、基板２０８をプリアライメント装置２１０に載置する。搬送装置１０３は、基板２０８がプリアライメント装置２１０によって正しい位置に修正された後、当該基板２０８を処理室に搬送する。

以下に、搬送装置１０３が基板２０８を取り出してから処理室に搬送するまでの制御部２０９の動作について説明する。制御部２０９は、例えば、搬送装置１０３が基板格納箱から基板２０８を取り出して、基板格納箱開閉装置２０５が基板格納箱を閉じた直後からバルブを開いて不活性ガスの供給を開始する。基板格納箱開閉装置２０５が基板格納箱を閉じた直後からバルブを開いて不活性ガスの供給を開始する理由は、不活性ガスの放出によって埃等が基板格納箱に侵入するのを防ぐためである。

搬送装置１０３が基板２０８を処理室に搬送するまでの間、制御部２０９は、ハンドリングアーム２０７に設けられた複数のガス放出口３０２～３０４から基板２０８に向かって不活性ガスを放出するようバルブを制御する。複数方向から基板２０８に向かって不活性ガスが放出されるため、搬送装置１０３が高速に移動しても、不活性ガスが基板２０８全体を覆うことができる。それ故、空気が充填されている局所クリーン化装置１０１内を搬送装置１０３が移動する際も、基板２０８の空気への暴露を少なくし、基板２０８の酸化および水分付着を防止することができる。なお、処理室に搬送される前にプリアライメント装置２１０が基板２０８の位置を調節する際、制御部２０９はバルブを開いて不活性ガスを供給し続けてもよいし、バルブを閉じて不活性ガスの供給を停止してもよい。

図５は、制御部２０９が実行する処理のフローチャートである。以下に各ステップについて説明する。
（Ｓ５０１）
搬送装置１０３が、基板格納箱から基板２０８を取り出した場合、Ｓ５０２の処理に進む。基板格納箱から基板２０８を取り出していない場合、Ｓ５０１の処理を繰り返す。
（Ｓ５０２）
制御部２０９がバルブを開いて不活性ガスを放出させる。
（Ｓ５０３）
搬送装置１０３が、基板２０８の搬送を終了した場合、制御部２０９は処理を終了する。基板２０８の搬送を終了していない場合、Ｓ５０３の処理を再度実行する。

上記処理を実行する局所クリーン化装置１０１は、試料が酸化することおよび試料に水分が付着することを効果的に防止できる。

制御部２０９は、搬送装置１０３が局所クリーン化装置１０１内を移動している間、進行方向の前方（上流）から後方（下流）に向かって不活性ガスを放出できるバルブ（ガス放出口）を選択し、当該ガス放出口のみから不活性ガスを放出するようにバルブを開いてもよい。換言すると、制御部２０９は、搬送装置１０３の移動方向に応じて開閉するバルブを選択し、不活性ガスを放出するガス放出口を変更してもよい。このようにすると、基板２０８の搬送時に使用する不活性ガスの量を減らすことができる。また、基板２０８の搬送方向と逆方向から不活性ガスを基板２０８へ放出した場合、基板２０８を覆わずに不活性ガスが拡散してしまう可能性があるが、上流から下流に不活性ガスを放出することによって、これを防止することができる。

または、制御部２０９は、上記選択されたガス放出口から放出される不活性ガスの量がその他のガス放出口から放出される不活性ガスの量よりも多くなるようにバルブの開閉度合いを調節してもよい。このようにすると、より効果的に基板２０８を不活性ガスで覆うことができる。

制御部２０９は、搬送装置１０３のハンドリングアーム２０７が基板２０８を把持していない際に、バルブを開いてガス放出口３０２～３０４から不活性ガスを放出してもよい。このようにすると、基板２０８を支持する基板接触部３０８～３１０上およびハンドリングアーム２０７上に堆積した埃を払うことができる。なお、不活性ガスを放出するタイミングは、基板２０８を搬送し終わってから次の基板２０８を格納箱から取り出す前であることが望ましい。その場合、装置のスループットを下げることなく、異物除去を行うことが可能となる。

制御部２０９は、搬送装置１０３の移動速度または動作速度に応じてバルブの開閉度合いを調節し、不活性ガスの放出量または速度を変更してもよい。例えば、制御部２０９は搬送装置１０３が速く動けば動くほど、バルブをより開いて不活性ガスの放出量を多くする。このようにすると、不活性ガスが拡散して基板２０８を覆えなくなるのを防ぐことができる。

また、制御部２０９は、搬送装置１０３が基板２０８を把持しているときと、基板２０８を把持していないときとでバルブの開閉度合いを変えてもよい。例えば、制御部２０９は、基板２０８を把持していない場合、基板２０８を把持している場合よりもバルブを開いてより多くの不活性ガスを放出する。つまり、基板接触部３０８～３１０やハンドリングアーム２０７の埃を払うなど目的に応じて不活性ガスの供給量を変化させることで所望の効果を得ることができる。

制御部２０９は、搬送装置１０３による基板２０８の搬送回数が規定回数に達したときに、ハンドリングアーム２０７が基板２０８を把持していない状態で不活性ガスを放出し、ハンドリングアーム２０７に付着した異物を吹き払ってもよい。

図６は、制御部２０９が実行する処理のフローチャートである。以下に、制御部２０９が実行する各処理について記す。
（Ｓ６０１）
制御部２０９は、搬送装置１０３が基板２０８を搬送した回数をカウントする。
（Ｓ６０２）
搬送装置１０３が基板２０８を搬送した回数が規定回数に達した場合、制御部２０９はＳ６０３の処理に進む。搬送装置１０３が基板２０８を搬送した回数が規定回数に達していない場合、制御部２０９はＳ６０１の処理に戻る。
（Ｓ６０３）
制御部２０９は、バルブを開いてハンドリングアーム２０７のガス放出口から不活性ガスを放出し、異物を吹き払い、Ｓ６０１の処理に戻る。

以上の動作をする搬送装置１０３は、基板２０８を規定回数搬送した後に、基板２０８を把持していない状態で不活性ガスを放出し、ハンドリングアーム２０７に付着した異物を吹き払う。このようにすることで、定期的にハンドリングアーム２０７の清掃が可能となる。なお、制御部２０９がバルブを開くタイミングは、基板２０８を搬送した回数でなく搬送装置１０３の稼働時間が所定時間に達したタイミングであってもよい。

制御部２０９は、バルブを開いてハンドリングアーム２０７に付着した異物を吹き払う際に、ファンフィルタユニット１０２の風量を増大させてもよい。

図７は、制御部２０９が実行する処理のフローチャートである。以下に、各ステップについて説明する。
（Ｓ７０１）
搬送装置１０３による基板２０８の搬送が終了している場合、Ｓ７０２の処理に進む。基板２０８の搬送が終了していない場合Ｓ７０１の処理を繰り返す。
（Ｓ７０２）
制御部２０９がファンフィルタユニット１０２の風量を増大させる。
（Ｓ７０３）
制御部２０９がバルブを開いてガス放出口から不活性ガスを放出させる。

上記の処理を実行する局所クリーン化装置１０１は、不活性ガスによって吹き払った異物を局所クリーン化装置１０１内に巻き上げることなく、装置外部へ排出することができる。

＜第２の実施形態＞
第１の実施形態のハンドリングアーム２０７は吸引器と接続された複数の基板接触部３０８～３１０を有し、基板２０８は当該基板接触部３０８～３１０に吸引されて搬送された。これに対して第２の実施形態のハンドリングアーム２０７は、基板２０８の縁、端部または側面を取り囲むように配置された複数の基板接触部を有し、基板２０８は縁、端部または側面を基板接触部に把持されて搬送される。

図８は、第２の実施形態のハンドリングアーム５００が基板２０８を支持する様子を示す図である。第２の実施形態のハンドリングアーム５００は、基端部から先端部に向かうにつれてＹ字状に分岐する形状である点は第１の実施形態と同様である。ただし、第２の実施形態のハンドリングアーム５００は、基端部において基板２０８を取り囲むように伸びた二つの枝部６００ａおよび６００ｂを有する基板支持部６００を有する点で第１の実施形態とは異なっている。

ハンドリングアーム５００の先端部と基板支持部６００の先端部および中央部には、基板接触部が設けられている。基板２０８は、基板２０８の縁付近の裏面を基板接触部において把持されて搬送される。基板接触部付近には、流路管の一方の開口端を形成する複数のガス放出口５０１～５０５が設けられている。流路管にはバルブが設けられ、もう一方の開口端には不活性ガスを供給するガス供給部が接続されている。ガス放出口５０１～５０５は、基板２０８を把持した際に基板２０８の外側となる位置に設けられ、例えば、基板２０８の中心方向に向けられている。

図８には、各ガス放出口５０１～５０５から放出される不活性ガスが拡散する方向が矢印５０６～５１０で示されている。第２の実施形態のハンドリングアーム５００も、第１の実施形態と同様に、不活性ガスをガス放出口５０１～５０５から放出することによって基板２０８を不活性ガスで覆い、基板２０８の酸化や水分付着を防止することができる。

図９は、第２の実施形態のハンドリングアーム５００の断面図である。図９には、ガス放出口５０１の断面が例示されている。図９に示されているように、ハンドリングアーム５００はガス放出口５０１が設けられた基板接触部６０１を有し、基板２０８は、縁付近または外周部付近が、基板接触部６０１が有する傾斜がついた面にて支持されている。

また、図９に示されているように、ガス放出口５０１は、二つの開口部５０１ａおよび５０１ｂを有する。開口部５０１ａは、基板２０８を把持した際に、基板２０８の上面よりも高い位置となるように設けられ、開口部５０１ｂは、基板２０８の下面よりも低い位置となるように設けられている。図９に示されているように、基板接触部６０１の基板２０８を支持する面は傾斜がついているため基板接触部６０１は基板２０８を一点で支持している。そのため基板２０８の下面のほとんど全てが非接触状態となり、開口部５０１ｂから放出される不活性ガスが基板２０８の下面のほぼ全てを覆い、基板２０８の酸化および水分付着を防止できる領域が大きくなる。なお、図９に示されているように基板２０８の縁の形状が楔型である場合は、上記基板接触部６０１の傾斜角度を楔の傾斜角度と異ならしめることにより、基板接触部６０１は基板２０８を一点で支持できる。

制御部２０９は、第１の実施形態と同様に、ガス放出口５０１～５０５を開口端に持つ流路管に設けられたバルブの開閉を制御する。制御部２０９によるバルブの開閉制御は、第１の実施形態と同様である。

上の説明では、ガス放出口５０１の断面図を例にして説明したが、ガス放出口５０２～５０５の場合も同様の構成であり基板接触部を有する。

上記の構成を有する第２の実施形態のハンドリングアーム５００は、第１の実施形態と同様に、搬送装置１０３が基板２０８を搬送する際に、基板２０８の酸化および水分付着を防止できる。また、ガス放出口５０１～５０５と基板２０８の縁との距離が第１の実施形態と比較して近いため、より効率的に少量の不活性ガスで基板２０８全体を覆うことができる。また、基板接触部とガス放出口５０１～５０５との距離が第１の実施形態と比較して近いため、基板２０８を把持していないときに、より少量のガスで基板接触部に付着した異物を払うことができる。さらに、第２の実施形態のハンドリングアーム５００の場合、第１の実施形態と比較してより多くのガス放出口を有するため、ハンドリングアーム５００が複雑な動きをする場合であっても不活性ガスが基板２０８を覆うことができる。

＜第３の実施形態＞
図１０は、第３の実施形態のハンドリングアーム７００の断面図である。図１０は、複数設けられたガス放出口のうちの一つのガス放出口７０１の断面が例示されている。第３の実施形態のハンドリングアーム７００は、ガス放出口７０１が一つの開口部のみを有する点が第１の実施形態と異なる。図１０に示されているように、ガス放出口７０１は基板２０８とほぼ同じ高さの位置であって基板２０８の上方を向いて設けられている。このような場合、基板２０８の上面側を不活性ガスで覆い、基板２０８の下面側に放出する不活性ガスの使用量を節約できる。

＜第４の実施形態＞
図１１は、第４の実施形態のハンドリングアーム８００の断面図である。図１１は、複数設けられたガス放出口のうちの一つのガス放出口８０１の断面が例示されている。第４の実施形態のハンドリングアーム８００は、ガス放出口８０１が一つの開口部のみを有する点が第２の実施形態と異なる。図１１に示されているように、ガス放出口８０１は基板２０８よりも高い位置であって基板２０８と平行な方向を向いて設けられている。このような場合、基板２０８の上面側を不活性ガスで覆い、基板２０８の下面側に放出する不活性ガスの使用量を節約できる。

なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。

１０１・・・局所クリーン化装置、１０２・・・ファンフィルタユニット、１０３・・・搬送装置、１０４・・・排気口、２０１～２０３・・・搬送装置の移動位置、２０４～２０６・・・基板格納箱開閉装置、２０７・・・ハンドリングアーム、２０８・・・基板、２０９・・・制御部、２１０・・・プリアライメント装置、３０１・・・基板の裏面を把持する方式のハンドリングアーム、３０２～３０４・・・ガス放出口、３０５～３０７・・・不活性ガスの流れ、３０８～３１０・・・基板接触部、４０１・・・基板の端や側面・縁（エッジ）を把持する方式のハンドリングアーム、４０２～４０６・・・基板接触部、４０７～４０８・・・不活性ガスの流れ、５０１・・・ガス放出口、６０１・・・基板接触部

Claims (6)

1. 基板を支持する基板接触部と、前記基板が支持された際に前記基板の外側に位置し、それぞれ異なる方向を向いた複数のガス放出口と、前記複数のガス放出口を開口端に持つ複数の流路管と、を備えるハンドリングアームが接続された搬送装置と、
   前記搬送装置が沿って移動するガイドレールと、
   前記複数の流路管に設けられたバルブと、
   前記バルブが開いた状態で前記複数のガス放出口の少なくとも一つから不活性ガスを放出するガス供給部と、
   前記搬送装置および前記バルブの動作を制御する制御部と、
   を備え、
   前記搬送装置は前記制御部の指示によって前記ガイドレール上を移動し、
   前記複数のガス放出口の少なくとも一つは、前記搬送装置が前記ガイドレールを移動する際に、前記搬送装置の進行方向の前方から後方に向かって前記不活性ガスを放出する向きであり、且つ、前記基板よりも前記進行方向の前記前方に位置するように配置されており、
   前記制御部は、前記搬送装置が前記ガイドレールを移動する際に、前記進行方向の前記前方から前記後方に向かって前記不活性ガスを放出する向きのガス放出口から前記不活性ガスを放出するよう前記バルブを制御する、
   局所クリーン化装置。
2. 請求項１に記載の局所クリーン化装置であって、
   前記制御部は、前記ハンドリングアームの動作回数が規定回数に達したとき、または、前記ハンドリングアームの稼働時間が所定時間に達したときに、前記複数のガス放出口から前記不活性ガスを放出するように前記バルブを制御する、
   局所クリーン化装置。
3. 請求項１に記載の局所クリーン化装置であって、
   前記搬送装置が内蔵された空間を与圧するファンフィルタユニットをさらに備え、
   前記制御部は、前記複数のガス放出口から前記不活性ガスを放出するときに、前記ファンフィルタユニットの風量を上昇させる、
   局所クリーン化装置。
4. 請求項１に記載の局所クリーン化装置であって、
   前記制御部は、前記搬送装置が前記基板を搬送し終わった後に、前記複数のガス放出口の少なくとも一つから前記不活性ガスを放出するように前記バルブを制御する、
   局所クリーン化装置。
5. 請求項１に記載の局所クリーン化装置であって、
   前記複数のガス放出口のそれぞれは、前記基板が支持された際に、前記基板より高い位置、前記基板と高さが同じ位置および前記基板よりも低い位置の少なくとも一つに設けられている、
   局所クリーン化装置。
6. 請求項１に記載の局所クリーン化装置であって、
   前記複数のガス放出口は、前記基板が支持された際に前記基板の方向を向くように配置
   されている、
   局所クリーン化装置。

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