KR102190187B1 - 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치와 결로 억제 방법 - Google Patents

기판 반송 장치 및 기판 처리 장치와 결로 억제 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102190187B1
KR102190187B1 KR1020170040733A KR20170040733A KR102190187B1 KR 102190187 B1 KR102190187 B1 KR 102190187B1 KR 1020170040733 A KR1020170040733 A KR 1020170040733A KR 20170040733 A KR20170040733 A KR 20170040733A KR 102190187 B1 KR102190187 B1 KR 102190187B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
air
case
pipe
unit
Prior art date
Application number
KR1020170040733A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170114946A (ko
Inventor
겐이치 스즈키
류이치 고스게
겐이치로 사이토
Original Assignee
가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 filed Critical 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Publication of KR20170114946A publication Critical patent/KR20170114946A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102190187B1 publication Critical patent/KR102190187B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F25REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
    • F25DREFRIGERATORS; COLD ROOMS; ICE-BOXES; COOLING OR FREEZING APPARATUS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F25D21/00Defrosting; Preventing frosting; Removing condensed or defrost water
    • F25D21/04Preventing the formation of frost or condensate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766Mechanical parts of transfer devices
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26DRYING
    • F26BDRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B15/00Machines or apparatus for drying objects with progressive movement; Machines or apparatus with progressive movement for drying batches of material in compact form
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046Dry cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는, 결로의 발생을 억제할 수 있는 기판 반송 장치 및 이것을 구비한 기판 처리 장치와, 기판 반송 장치에 결로가 발생하는 것을 억제하는 결로 억제 방법을 제공하는 것이다.
기판을 파지하도록 구성된 기판 파지부(301a, 301b)와, 케이스(300)와, 적어도 일부가 상기 케이스(300) 내에 마련되고 에어를 이용하여 상기 기판 파지부(301a, 301b)를 구동시키는 구동 기구(302)를 구비하고, 상기 구동 기구(302)는 상기 케이스(300) 내에 에어를 공급할 수 있는 것인 기판 반송 장치가 제공된다.

Description

기판 반송 장치 및 기판 처리 장치와 결로 억제 방법{SUBSTRATE TRANSPORT APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND DEW CONDENSATION SUPPRESSION METHOD}
본 발명은 기판을 반송하는 기판 반송 장치 및 이것을 구비한 기판 처리 장치와, 기판 반송 장치에 결로가 발생하는 것을 억제하는 결로 억제 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 기판을 연마하는 기판 처리 장치는, 연마 유닛 외에, 연마 후 기판을 세정하는 세정 유닛, 세정 후 기판을 건조하는 건조 유닛, 유닛들 사이에서 기판을 반송하는 반송 기구 등으로 구성된다.
그런데, 기판 처리 장치 내에는, 기판을 보습하기 위해 린스물이 공급되고 있다. 공급되는 린스물이 반송 기구에 가해지면, 반송 기구에 결로가 발생하여 정상적으로 작동하지 않아 반송에 지장을 초래할 우려가 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2001-135604호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 제5188952호 공보
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 과제는, 결로의 발생을 억제할 수 있는 기판 반송 장치 및 이것을 구비한 기판 처리 장치와, 기판 반송 장치에 결로가 발생하는 것을 억제하는 결로 억제 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 기판을 파지하도록 구성된 기판 파지부와, 케이스와, 적어도 일부가 상기 케이스 내에 마련되고 에어(air)를 이용하여 상기 기판 파지부를 구동시키는 구동 기구를 구비하고, 상기 구동 기구는 상기 케이스 내에 에어를 공급할 수 있는 것인 기판 반송 장치가 제공된다.
에어를 케이스 내에 공급함으로써, 케이스에 결로가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
상기 구동 기구는, 적어도 일부가 상기 케이스 내에 마련되고 상기 기판 파지부를 구동시키기 위한 에어를 공급하며 상기 케이스 내에 에어를 공급하는 배관을 갖도록 하여도 좋다.
또한, 상기 기판 파지부는, 개폐 가능한 한 쌍의 지지 아암을 포함하고, 상기 구동 기구는, 상기 케이스 내에 마련되고 상기 한 쌍의 지지 아암을 에어에 의해 개폐시키는 에어 실린더와, 상기 에어 실린더에 에어를 공급하는 배관을 갖도록 하여도 좋다.
상기 배관은, 상기 기판 파지부가 기판을 파지할 때에 가압되는 제1 배관과, 상기 기판 파지부가 기판을 파지하지 않을 때에 가압되는 제2 배관을 포함하고, 상기 제2 배관으로부터 상기 케이스 내에 에어가 공급되어도 좋다.
기판 반송 장치는, 상기 배관에 마련된 오리피스를 구비하여도 좋다.
기판 반송 장치는, 상기 배관에 마련된 필터를 구비하고, 상기 필터를 통해 에어가 상기 케이스 내에 공급되어도 좋다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 연마 유닛, 세정 유닛 및 건조 유닛과, 각 유닛들 사이에서 기판을 반송하는, 상기 기판 반송 기구를 구비하는 기판 처리 장치가 제공된다.
또한, 본 발명의 다른 양태에 따르면, 기판 반송 장치에 결로가 발생하는 것을 억제하는 방법으로서, 기판을 파지하도록 구성된 기판 파지부를 구동시키기 위한 에어를, 상기 기판 반송 장치의 케이스에도 공급하는 것인 결로 억제 방법이 제공된다.
에어를 공급함으로써, 결로 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 일 실시형태에 따른 스윙 트랜스포터(12)의 구조를 나타내는 사시도이다.
도 3은 파지 기구(170)의 상면도이다.
도 4a는 파지 기구(170)의 정면도이다.
도 4b는 파지 기구(170)의 정면도이다.
도 5는 도 4a의 A-A' 단면도이다.
도 6은 개폐 구동 기구(302)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 7은 가동 아암(301)을 이격시키는 경우의 개폐 구동 기구(302)의 작동을 설명하는 도면이다.
도 8은 가동 아암(301)을 근접시키는 경우의 개폐 구동 기구(302)의 작동을 설명하는 도면이다.
도 9a는 기판을 파지할 때의 파지 기구(170)의 작동을 설명하는 도면이다.
도 9b는 기판을 파지할 때의 파지 기구(170)의 작동을 설명하는 도면이다.
도 9c는 기판을 파지할 때의 파지 기구(170)의 작동을 설명하는 도면이다.
이하, 본 발명에 따른 실시형태에 대해서, 도면을 참조하면서 구체적으로 설명한다.
도 1은 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 이 기판 처리 장치는, 대략 직사각형 형상의 하우징(1)을 구비하고 있고, 하우징(1)의 내부는 격벽(1a, 1b)에 의해 로드/언로드부(2)와 연마부(3)와 세정부(4)로 구획되어 있다. 또한, 기판 처리 장치는, 기판 처리 작동을 제어하는 제어부(5)를 가지고 있다.
로드/언로드부(2)는, 다수의 기판(예컨대, 반도체 웨이퍼)을 비축하고 있는 웨이퍼 카세트가 배치되는 프론트 로드부(20)를 구비하고 있다. 이 로드/언로드부(2)에는, 프론트 로드부(20)의 배열을 따라 주행 기구(21)가 부설되어 있고, 이 주행 기구(21) 상에는 웨이퍼 카세트의 배열 방향을 따라 이동 가능한 1대의 반송 로보트(로더)(22)가 마련되어 있다. 반송 로보트(22)는 주행 기구(21) 위를 이동함으로써 프론트 로드부(20)에 탑재된 웨이퍼 카세트에 액세스할 수 있게 되어 있다.
연마부(3)는, 기판의 연마(평탄화)가 행해지는 영역이며, 제1 연마 유닛(3A), 제2 연마 유닛(3B), 제3 연마 유닛(3C), 제4 연마 유닛(3D)을 구비하고 있다.
세정부(4)는, 연마된 기판의 세정 및 건조가 행해지는 영역이며, 기판을 세정하는 제1 세정 유닛(190) 및 제2 세정 유닛(192), 세정 후 기판을 건조하는 건조 유닛(194), 제1 세정 유닛(190)과 제2 세정 유닛(192) 사이에서 기판을 반송하는 제1 반송 유닛(191), 제2 세정 유닛(192)과 건조 유닛(194) 사이에서 기판을 반송하는 제2 반송 유닛(193)을 구비하고 있다.
계속해서, 기판의 반송에 대해서 설명한다. 기판 처리 장치는, 하우징(1)의 길이 방향으로 기판을 반송하는 제1 리니어 트랜스포터(6) 및 제2 리니어 트랜스포터(7), 리프터(11), 기판의 표리(表裏)를 반전하는 기능을 가지며 요동 가능한 스윙 트랜스포터(12)를 구비하고 있다.
리프터(11)는, 후술하는 제1 반송 위치(TP1)에 배치되어, 반송 로보트(22)로부터 기판을 수취한다. 즉, 격벽(1a)에는, 리프터(11)와 반송 로보트(22) 사이에 위치하는 셔터(도시하지 않음)가 마련되어 있고, 기판의 반송 시에는 셔터가 개방되어 반송 로보트(22)로부터 리프터(11)에 기판이 전달되게 되어 있다. 기판은 이 리프터(11)를 통해 반송 로보트(22)로부터 제1 리니어 트랜스포터(6)에 전달된다.
제1 리니어 트랜스포터(6)는 제1 연마 유닛(3A) 및 제2 연마 유닛(3B)에 인접하게 배치되어 있다. 이 제1 리니어 트랜스포터(6)는, 연마 유닛(3A, 3B)이 배열되는 방향을 따른 4개의 반송 위치[제1 반송 위치(TP1), 제2 반송 위치(TP2), 제3 반송 위치(TP3), 제4 반송 위치(TP4)] 사이에서 기판을 반송한다.
즉, 기판은 제1 리니어 트랜스포터(6)에 의해 연마 유닛(3A, 3B)에 반송된다. 보다 구체적으로, 제2 반송 위치(TP2)에 있어서, 제1 리니어 트랜스포터(6)로부터 제1 연마 유닛(3A)에 기판이 전달된다. 또한, 제3 반송 위치(TP3)에 있어서, 제1 리니어 트랜스포터(6)로부터 제2 연마 유닛(3B)에 기판이 전달된다.
스윙 트랜스포터(12)는, 제1 리니어 트랜스포터(6)와, 제2 리니어 트랜스포터(7)와, 세정부(4) 사이에 배치되어 있다. 제1 리니어 트랜스포터(6)로부터 제2 리니어 트랜스포터(7)로의 기판의 전달은, 스윙 트랜스포터(12)에 의해 행해진다.
제2 리니어 트랜스포터(7)는 제3 연마 유닛(3C) 및 제4 연마 유닛(3D)에 인접하게 배치되어 있다. 이 제2 리니어 트랜스포터(7)는, 연마 유닛(3C, 3D)이 배열되는 방향을 따른 3개의 반송 위치[제5 반송 위치(TP5), 제6 반송 위치(TP6), 제7 반송 위치(TP7)] 사이에서 기판을 반송하는 기구이다.
즉, 기판은 제2 리니어 트랜스포터(7)에 의해 연마 유닛(3C, 3D)에 반송된다. 보다 구체적으로, 제6 반송 위치(TP6)에 있어서, 제2 리니어 트랜스포터(7)로부터 제3 연마 유닛(3C)에 기판이 전달된다. 또한, 제7 반송 위치(TP7)에 있어서, 제2 리니어 트랜스포터(7)로부터 제4 연마 유닛(3D)에 기판이 전달된다.
또한, 연마부(3)에서 연마된 기판은 스윙 트랜스포터(12)에 의해 제1 리니어 트랜스포터(6)[또는 제2 리니어 트랜스포터(7)]로부터 가배치대(180)에 전달되고, 제1 반송 유닛(191)을 통해 세정부(4)에 반송된다. 격벽(1b)에는, 가배치대(180)와 제1 반송 유닛(191) 사이에 위치하는 셔터(도시하지 않음)가 마련되어 있고, 기판의 반송 시에는 셔터가 개방되어, 제1 반송 유닛(191)이 가배치대(180)로부터 기판을 수취한다.
도 2는 일 실시형태에 따른 스윙 트랜스포터(12)의 구조를 나타내는 사시도이다. 스윙 트랜스포터(12)는 기판 처리 장치의 프레임(160)에 설치된 기판 반송 기구이며, 연직 방향으로 연장되는 리니어 가이드(161)와, 리니어 가이드(161)에 부착된 스윙 기구(162)와, 스윙 기구(162)를 연직 방향으로 이동시키는 승강 구동 기구(165)를 구비하고 있다. 이 승강 구동 기구(165)로서는, 서보 모터 및 볼 나사를 갖는 로보트 실린더 등을 채용할 수 있다.
스윙 기구(162)에는 스윙 아암(166)을 통해 반전 기구(167)가 연결되어 있다. 또한 반전 기구(167)에는 기판을 파지하는 파지 기구(170)가 연결되어 있다. 스윙 트랜스포터(12)의 측방에는, 프레임(160)에 설치된 가배치대(180)가 배치되어 있다. 이 가배치대(180)는 도 1의 제1 리니어 트랜스포터(6)와 세정부(4) 사이에 위치하고 있다.
스윙 아암(166)은, 스윙 기구(162)의 도시하지 않는 모터의 구동에 의해 그 모터의 회전축을 중심으로 하여 선회하게 되어 있다. 이에 의해, 반전 기구(167) 및 파지 기구(170)가 일체적으로 선회 운동하여, 파지 기구(170)는, 제4 반송 위치(TP4), 제5 반송 위치(TP5) 및 가배치대(180) 사이를 이동한다.
도 3 및 도 4a, 도 4b는 각각 파지 기구(170)의 상면도 및 정면도이다. 또한, 도 5는 도 4a의 A-A' 단면도이다. 파지 기구(170)는, 케이스(300)와, 케이스(300)의 측면으로부터 양측으로 연장되는 한 쌍의 가동 아암(301a, 301b)과, 가동 아암(301a, 301b)을 이동시키는 개폐 구동 기구(302)(도 5)와, 가동 아암(301)의 선단에 부착되어 가동 아암(301a, 301b)과 각각 직교하는 방향으로 연장되는 지지 아암(303a, 303b)을 갖는다. 가동 아암(301a, 301b) 및 지지 아암(303a, 303b)은 기판 파지부를 구성한다.
지지 아암(303a, 303b)은 개방된 상태(도 4b)와 폐쇄된 상태(도 4a)를 취할 수 있고, 폐쇄된 상태에 있어서 기판을 파지한다. 지지 아암(303a, 303b)에는, 그 양단으로부터 하방으로 돌출하고 있으며 기판의 둘레 가장자리부를 지지하기 위한 척(304a, 304b)이 마련되어 있다.
가동 아암(301a, 301b)은 에어 척(41)을 갖는 개폐 구동 기구(302)에 의해 구동되고, 서로 근접하는 방향으로(도 4a) 및 서로 이격되는 방향으로(도 4b) 이동한다. 또한, 도 2에 나타내는 승강 구동 기구(165)에 의해 스윙 기구(162)가 연직 방향으로 이동 가능하다. 이에 의해, 반전 기구(167) 및 파지 기구(170)가 일체적으로 승강 운동하고, 파지 기구(170)는, 제4 반송 위치(TP4), 제5 반송 위치(TP5) 및 가배치대(180) 사이를 승강 이동한다.
도 6은 개폐 구동 기구(302)의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 개폐 구동 기구(302)는 에어를 이용하여 지지 아암(303a, 303b)을 개방하거나 폐쇄하거나 하는 것이며, 에어 척(41)과, 배관(42a, 42b)과, 압력 제어부(43)를 구비하고 있다. 에어 척(41)은, 하우징(410)과, 좌우로 슬라이드 가능한 에어 실린더(41a, 41b)를 갖는다. 배관(42a, 42b)은 에어 실린더(41a, 41b)를 각각 슬라이드시킨다.
에어 실린더(41a, 41b)는 케이스(300) 내에 마련된 하우징(410) 내에 마련되며, 에어 실린더에는 각각 가동 아암(301a, 301b)이 부착된다. 즉, 가동 아암(301a)은 케이스(300) 및 하우징(410)을 관통하여, 일단이 에어 실린더(41a)에 부착되고, 타단에 지지 아암(303a)(도 6에는 도시하지 않음)이 부착되어 있다. 또한, 가동 아암(301b)은 케이스(300)를 관통하여, 일단이 에어 실린더(41b)에 부착되고, 타단에 지지 아암(303b)(도 6에는 도시하지 않음)이 부착되어 있다.
도 6에 있어서 점들로 표시된 배관(42a)은, 일단이 압력 제어부(43)에 접속된다. 그리고, 배관(42a)은 하우징(410) 내에서 분기하고 있으며, 한쪽의 선단부(421a)가 에어 실린더(41a)의 좌측면에 접속되고, 다른쪽의 선단부(422a)가 에어 실린더(41b)의 우측면에 접속된다.
도 6에 있어서 사선들로 표시된 배관(42b)은, 일단이 압력 제어부(43)에 접속된다. 그리고, 배관(42b)은 하우징(410) 내에서 분기하고 있으며, 한쪽의 선단부(421b)가 에어 실린더(41b)의 좌측면에 접속되고, 다른쪽의 선단부(422b)가 에어 실린더(41a)의 우측면에 접속된다.
압력 제어부(43)는, 배관(42a, 42b)에 에어를 공급하여 가압하거나, 배관(42a, 42b)을 배기하거나 한다. 압력 제어부(43)는 케이스(300) 내에 있어도 좋지만, 케이스(300) 밖에 있어도 좋고, 압력 제어부가 케이스 밖에 있는 경우, 배관(42a, 42b)의 일부는 케이스(300)의 밖에 있다.
도 7은 가동 아암(301)을 이격시키는 경우의 개폐 구동 기구(302)의 작동을 설명하는 도면이다. 압력 제어부(43)는 배관(42a)을 배기하고, 배관(42b)을 가압한다. 배관(42a)의 배기는 배관(42a) 내의 에어가 빠지기까지의 일시적인 것이어도 좋으며, 한쪽에서 배관(42b)의 가압(에어 공급)은 계속해서 행해진다. 이에 의해, 배관(42b)의 선단부(421b)가 에어 실린더(41b)를 우측으로 이동시키고, 선단부(422b)가 에어 실린더(41a)를 좌측으로 이동시킨다. 이에 의해, 에어 실린더(41a, 41b)가 이격되어, 이들에 부착된 가동 아암(301a, 301b)이 이격된다. 그 결과, 지지 아암(303a, 303b)은 개방된다. 즉, 배관(42a, 42b)은 지지 아암(303a, 303b)을 구동시키기 위한 에어를 공급할 수 있다.
도 8은 가동 아암(301)을 근접시키는 경우의 개폐 구동 기구(302)의 작동을 설명하는 도면이다. 압력 제어부(43)는 배관(42b)을 배기하고, 배관(42a)을 가압한다. 배관(42b)의 배기는 배관(42b) 내의 에어가 빠지기까지의 일시적인 것이어도 좋으며, 한쪽에서 배관(42a)의 가압(에어 공급)은 계속해서 행해진다. 이에 의해, 배관(42a)의 선단부(421a)가 에어 실린더(41a)를 우측으로 이동시키고, 선단부(422a)가 에어 실린더(41b)를 좌측으로 이동시킨다. 이에 의해, 에어 실린더(41a, 41b)가 근접하게 되어, 이들에 부착된 가동 아암(301a, 301b)이 근접하게 된다. 그 결과, 지지 아암(303a, 303b)은 폐쇄된다.
이상 설명한 스윙 트랜스포터(12)에 의한 기판 반송을 설명한다.
도 4b에 나타내는 바와 같이, 기판을 파지하지 않는 대기 시에는, 가동 아암(301a, 301b)은 서로 이격되어 있다.
도 9a∼도 9c는 기판을 파지할 때의 파지 기구(170)의 작동을 설명하는 도면이다. 제1 리니어 트랜스포터(6)(도시하지 않음)에 의해 반송된 기판(W)이, 제4 반송 위치(TP4)에 있어서 파지 기구(170)에 전달되는 모습을 나타내고 있다.
도 9a에 나타내는 바와 같이, 제1 리니어 트랜스포터(6)에 배치된 기판(W)의 상방으로, 스윙 트랜스포터(12)의 파지 기구(170)가 이동한다. 이때, 가동 아암(301a, 301b)은 서로 이격되어 있으며, 지지 아암(303a, 303b)은 개방되어 있다.
다음에, 도 9b에 나타내는 바와 같이, 승강 구동 기구(165)(도 2)로 구동되어, 척(304a, 304b)이 기판(W)의 측방에 위치하도록 파지 기구(170)가 하강한다.
계속해서, 도 9c에 나타내는 바와 같이, 개폐 구동 기구(302)에 의해 가동 아암(301a, 301b)이 서로 근접하게 되며, 지지 아암(303a, 303b)이 폐쇄된다. 이에 의해 기판(W)의 둘레 가장자리가 척(304a, 304b)에 파지된다. 그 후, 승강 구동 기구(165)로 구동되어 파지 기구(170)가 상승한다.
이러한 스윙 트랜스포터(12)는, 제1 리니어 트랜스포터(6)로부터 제2 리니어 트랜스포터(7)로 기판(W)을 이동시키기 위해, 다음과 같이 하여 제4 반송 위치(TP4)에 배치된 기판(W)을 제5 반송 위치(TP5)로 반송한다.
먼저, 스윙 트랜스포터(12)는, 지지 아암(303a, 303b)이 개방된 상태로, 제4 반송 위치(TP4)의 상방으로 이동한다(도 9a). 계속해서, 파지 기구(170)가 하강하고(도 9b), 제4 반송 위치(TP4)에 배치된 기판(W)을 지지 아암(303a, 303b)이 파지한다(도 9c). 그 후, 기판(W)을 지지한 채로 파지 기구(170)가 상승하고, 스윙 기구(162)로 구동되어 파지 기구(170)가 요동하여 제5 반송 위치(TP5)의 상방으로 이동한다. 계속해서, 파지 기구(170)가 하강하고, 지지 아암(303a, 303b)이 개방되어 기판(W)을 제5 반송 위치(TP5)에 배치한다.
또한, 스윙 트랜스포터(12)는, 제4 반송 위치(TP4)[또는 제5 반송 위치(TP5)]로부터 세정부(4)에 기판(W)을 이동시키고 또한 반전시키기 위해, 다음과 같이 하여 제5 반송 위치(TP5)에 배치된 기판(W)을 가배치대(180)에 반송한다.
먼저, 스윙 트랜스포터(12)는, 지지 아암(303a, 303b)이 개방된 상태로, 제5 반송 위치(TP5)의 상방으로 이동한다(도 9a). 계속해서, 파지 기구(170)가 하강하고(도 9b), 제5 반송 위치(TP5)에 배치된 기판(W)을 지지 아암(303a, 303b)이 파지한다(도 9c). 그 후, 기판(W)을 지지한 채로 파지 기구(170)가 상승하고, 반전 기구(167)가 기판(W)을 반전시킨다. 계속해서, 스윙 기구(162)로 구동되어 파지 기구(170)가 요동하여 가배치대(180)의 상방으로 이동한다. 그리고, 파지 기구(170)가 하강하고, 지지 아암(303a, 303b)이 개방되어 기판(W)을 가배치대(180)에 배치한다.
여기서, 도 1에 나타내는 기판 처리 장치 내부는 습도가 높기 때문에, 습도가 높은 공기가 케이스(300)에 유입되는 일도 있다. 또한, 기판 처리 장치는, 기판을 보습하기 위해, 기판을 처리하고 있지 않은 대기 중에도 여기저기로부터 린스물이 공급되고 있다. 경우에 따라서는, 스윙 트랜스포터(12)가 린스물을 뒤집어써서, 케이스(300)가 차게 되는 경우도 있다. 만약 스윙 트랜스포터(12)의 케이스(300)의 내부(예컨대 그 천장면)에 결로가 발생하면, 케이스(300) 내의 에어 실린더(41a, 41b)의 작동에 악영향을 주게 되어, 기판 반송에 지장을 초래할지도 모른다.
그래서, 본 실시형태에서는 결로를 억제하는 구조를 마련하고 있다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 파지 기구(170)에 있어서의 개폐 구동 기구(302)는, 케이스(300) 내에 마련된 배관(42b)을 하우징(410)의 외측에서 분기하고, 선단부(423b)로부터 에어를 케이스(300) 내에도 공급하여 순환시킨다. 바람직하게는, 개폐 구동 기구(320)는 오리피스(44)를 구비하고, 에어 실린더(41a, 41b) 등 다른 부재에 영향을 주지 않도록, 조금씩 에어를 케이스(300) 내에 공급한다. 또한, 바람직하게는, 개폐 구동 기구(302)는 필터(45)를 구비하고, 이것을 통해 깨끗한 에어를 케이스(300) 내에 공급한다. 이와 같이 케이스(300)의 내부에 에어를 공급함으로써, 공기 순환이 생겨 온도 변화가 작아져, 결로의 발생이 억제될 수 있다.
또한, 배관(42b)만을 분기하여 에어를 공급하여도 좋고, 배관(42a)만을 분기하여 에어를 공급하여도 좋으며, 배관(42a, 42b)들 양자 모두로부터 케이스(300)에 에어를 공급하여도 좋다. 단, 가동 아암(301)을 이격시킬 때[즉 기판(W)을 유지하고 있지 않을 때]에 가압되는 배관(42b)을 분기하는 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 기판(W)을 유지하고 있지 않을 때에 에어를 케이스(300) 내에 공급할 수 있기 때문이다. 이와 같이, 기판을 유지하고 있지 않을 때에 에어를 케이스 내에 공급할 수 있으면, 웨이퍼에 에어가 가해질 우려를 최소화할 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태에서는, 케이스(300) 내에 에어를 공급하기 때문에, 케이스(300) 내에 결로가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 더구나, 가동 아암(301a, 301b)을 구동시키기 위한 에어를 이용하기 때문에, 추가의 부재를 최소한으로 한정시킬 수 있다.
전술한 실시형태는, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서의 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 실시할 수 있도록 하는 것을 목적으로 하여 기재된 것이다. 상기 실시형태의 여러 가지의 변형예는, 당업자이면 당연히 구현할 수 있는 것이며, 본 발명의 기술적 사상은 다른 실시형태에도 적용될 수 있는 것이다. 따라서, 본 발명은, 기재된 실시형태에 한정되는 일 없이, 특허청구의 범위에 의해 정의되는 기술적 사상에 따른 가장 넓은 범위로 하여야 할 것이다.
3A∼3D 연마 유닛
190, 192 세정 유닛
194 건조 유닛
12 스윙 트랜스포터
170 파지 기구
300 케이스
301a, 301b 가동 아암
302 개폐 구동 기구
303a, 303b 지지 아암
304a, 304b 척
41a, 41b 에어 실린더
42a, 42b 에어 배관
43 압력 제어부
44 오리피스
45 필터

Claims (8)

  1. 기판을 파지하도록 구성된 기판 파지부와,
    케이스와,
    적어도 일부가 상기 케이스 내에 마련되고, 에어(air)를 이용하여 상기 기판 파지부를 구동시키는 구동 기구
    를 구비하고,
    상기 구동 기구는,
    상기 케이스 내에 마련되고, 상기 기판 파지부를 구동시키는 에어 실린더와,
    적어도 일부가 상기 케이스 내에 마련되고, 상기 기판 파지부를 구동시키기 위한 에어를 상기 에어 실린더에 공급하며, 상기 케이스 내에 에어를 공급하는 배관
    을 가지고,
    상기 배관은,
    상기 기판 파지부가 기판을 파지할 때에 가압되는 제1 배관과,
    상기 기판 파지부가 기판을 파지하지 않을 때에 가압되는 제2 배관
    을 포함하고,
    상기 제2 배관으로부터 상기 케이스와 상기 에어 실린더 사이에 에어가 공급되는 것인 기판 반송 장치.
  2. 기판을 파지하도록 구성된 기판 파지부와,
    케이스와,
    적어도 일부가 상기 케이스 내에 마련되고, 에어를 이용하여 상기 기판 파지부를 구동시키는 구동 기구
    를 구비하고,
    상기 구동 기구는 상기 케이스 내에 에어를 공급할 수 있고,
    상기 기판 파지부는 개폐 가능한 1쌍의 지지 아암을 포함하고,
    상기 구동 기구는,
    상기 케이스 내에 마련되고, 상기 1쌍의 지지 아암을 에어에 의해 개폐시키는 에어 실린더와,
    상기 에어 실린더에 에어를 공급하는 배관
    을 가지고,
    상기 배관은,
    상기 기판 파지부가 기판을 파지할 때에 가압되는 제1 배관과,
    상기 기판 파지부가 기판을 파지하지 않을 때에 가압되는 제2 배관
    을 포함하고,
    상기 제2 배관으로부터 상기 케이스와 상기 에어 실린더 사이에 에어가 공급되는 것인 기판 반송 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 배관에 마련된 오리피스
    를 구비하는 기판 반송 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 배관에 마련된 필터
    를 구비하고,
    상기 필터를 통해 에어가 상기 케이스 내에 공급되는 것인 기판 반송 장치.
  5. 연마 유닛, 세정 유닛 및 건조 유닛과,
    각 유닛들 사이에서 기판을 반송하는, 제1항 또는 제2항에 기재된 기판 반송 장치
    를 구비하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 기재된 기판 반송 장치에 결로가 발생하는 것을 억제하는 방법으로서,
    상기 기판 파지부를 구동시키기 위한 에어를, 상기 기판 반송 장치의 케이스에도 공급하는 것인 결로 억제 방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020170040733A 2016-04-04 2017-03-30 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치와 결로 억제 방법 KR102190187B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016075266A JP6604890B2 (ja) 2016-04-04 2016-04-04 基板搬送装置および基板処理装置ならびに結露抑制方法
JPJP-P-2016-075266 2016-04-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170114946A KR20170114946A (ko) 2017-10-16
KR102190187B1 true KR102190187B1 (ko) 2020-12-11

Family

ID=59959279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170040733A KR102190187B1 (ko) 2016-04-04 2017-03-30 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치와 결로 억제 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10816259B2 (ko)
JP (1) JP6604890B2 (ko)
KR (1) KR102190187B1 (ko)
CN (1) CN107275271B (ko)
TW (1) TWI703627B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7137047B2 (ja) * 2018-03-15 2022-09-14 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efem、及び、efemにおけるガス置換方法
TWI759595B (zh) * 2018-05-11 2022-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法
JP7097760B2 (ja) * 2018-06-25 2022-07-08 東京エレクトロン株式会社 搬送装置および搬送方法
JP6877480B2 (ja) * 2019-04-09 2021-05-26 株式会社荏原製作所 搬送装置、ワーク処理装置、搬送装置の制御方法、プログラムを記憶する記録媒体

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100852952B1 (ko) * 2001-04-25 2008-08-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 양면 처리장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3578034A (en) * 1969-03-27 1971-05-11 Fort Wayne Tool & Die Inc Apparatus for automatically winding concentric dynamoelectric machine coils
JP3005373B2 (ja) * 1992-10-23 2000-01-31 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3322146B2 (ja) * 1996-12-27 2002-09-09 三菱電機株式会社 耐環境型産業用ロボット
JP4127346B2 (ja) 1999-08-20 2008-07-30 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び方法
JP2002110609A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置
JP4197103B2 (ja) 2002-04-15 2008-12-17 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
CN102117736B (zh) * 2006-02-22 2013-06-05 株式会社荏原制作所 基板处理装置、基板搬运装置、基板把持装置以及药液处理装置
US8795032B2 (en) 2008-06-04 2014-08-05 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
JP2013086241A (ja) * 2011-10-21 2013-05-13 Ihi Corp チャック装置およびチャック方法
JP2015114966A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 アドバンス電気工業株式会社 流量制御弁及びこれを用いた流量制御装置
JP2017175072A (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 川崎重工業株式会社 基板搬送ハンド及びロボット

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100852952B1 (ko) * 2001-04-25 2008-08-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 양면 처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017188531A (ja) 2017-10-12
TW201737335A (zh) 2017-10-16
TWI703627B (zh) 2020-09-01
CN107275271A (zh) 2017-10-20
KR20170114946A (ko) 2017-10-16
CN107275271B (zh) 2023-04-14
JP6604890B2 (ja) 2019-11-13
US10816259B2 (en) 2020-10-27
US20170284727A1 (en) 2017-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102190187B1 (ko) 기판 반송 장치 및 기판 처리 장치와 결로 억제 방법
JP5212165B2 (ja) 基板処理装置
TWI532114B (zh) Vacuum processing device and operation method of vacuum processing device
KR102296010B1 (ko) 기판 처리 장치
WO2012133218A1 (ja) 基板処理装置
US20140286733A1 (en) Load port and efem
JP5610009B2 (ja) 基板処理装置
JP2007036284A (ja) 半導体装置素子の製造方法
TWI474428B (zh) Vacuum processing device
TWI738160B (zh) 基板處理裝置、載具搬送方法及載具緩衝裝置
JP2011124565A (ja) 半導体被処理基板の真空処理システム及び半導体被処理基板の真空処理方法
JP5926694B2 (ja) 基板中継装置,基板中継方法,基板処理装置
CN113557590B (zh) 基板处理装置
KR102294887B1 (ko) 물품 이송 장치
JP2018170347A (ja) ウェハー搬送装置及びウェハー搬送方法
JP2914949B1 (ja) 基板処理装置
JPH07211679A (ja) 洗浄装置
JP2004319889A (ja) 製造対象物の受け渡し装置および製造対象物の受け渡し方法
JP2008100801A (ja) 基板保管庫
JP2544056Y2 (ja) ウエハの表面処理装置
JP5491579B6 (ja) マルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法
JP2020174171A (ja) 基板処理システム、基板搬送装置及び方法
JP2003051524A (ja) 真空処理装置および試料の真空処理方法
JP2003068828A (ja) 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
JPH0445511A (ja) 半導体ウェハ搬送装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant