JP6982818B2 - プラズマ処理装置及び方法、並びに電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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線状の開口部と、前記開口部に連通し前記開口部を除いて周囲が囲まれた環状のチャンバとを有する誘電体部材と、
前記チャンバ近傍に設けられたコイルと、
前記コイルに接続されて高周波を前記コイルに印加する高周波電源と、
基材を基材載置面に載置可能な基材載置台と、
前記開口部の長手方向に対して交差する向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構とを備えた誘導結合型プラズマトーチユニットを用いるプラズマ処理装置であって、
前記チャンバを囲む前記誘電体部材のうち、前記基材載置台に相対する面を構成する部位を基材対向部としたとき、前記基材対向部は前記基材載置台の前記基材載置面に平行な平面であり、
前記基材対向部を前記開口部の長手方向に対して垂直な面で切った断面を、前記基材載置台が下方になるような向きに配置したとき、前記基材対向部と前記基材載置台の間の空間に、左右両側からガスをそれぞれ供給する左ガス噴出口及び右ガス噴出口が設けられ、
前記左ガス噴出口及び前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を各々独立に制御する第1及び第2流量制御装置を備え、
前記第1及び第2流量制御装置のうち少なくとも一方の流量制御装置を制御して、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量または前記右ガス噴出口から噴出するガス流量のうち、少なくとも一方を連続的に増減させるプラズマ処理制御装置を備えるとともに、
前記プラズマ処理制御装置は、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量を連続的に増減させるように前記第1流量制御装置を制御し、前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を連続的に増減させるように前記第2流量制御装置を制御するとともに、
前記プラズマ処理制御装置は、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量を増加させる期間は、前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を減少させるように前記第2流量制御装置を制御し、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量を減少させる期間は、前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を増加させるように前記第2流量制御装置を制御し、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量及び前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を同期して増減させることが可能なように前記第1及び第2流量制御装置が制御される。
誘電体部材で囲まれた環状のチャンバ内に第1ガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する線状の開口部から、基材載置台に載置された基材に向けて第1ガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記開口部の長手方向に対して交差する向きに、前記チャンバと前記基材とを移動機構で相対的に移動させつつ前記基材の表面を処理する、誘導結合型プラズマトーチユニットを用いるプラズマ処理方法であって、
前記チャンバを囲む前記誘電体部材のうち、前記基材載置台に相対する面を構成する部位を基材対向部としたとき、前記基材対向部は前記基材載置台の基材載置面に平行な平面であり、
前記基材対向部を前記開口部の長手方向に対して垂直な面で切った断面を、前記基材載置台が下方になるような向きに配置したとき、前記基材対向部と前記基材載置台の間の空間に、左ガス噴出口と右ガス噴出口とからガスを供給するとともに、
前記左ガス噴出口から噴出するガス流量または前記右ガス噴出口から噴出するガス流量のうち、少なくとも一方を連続的に増減させることにより、前記基材対向部と前記基材載置台の間の前記空間において前記プラズマを左右に位置変更させながらプラズマ処理する。
線状の開口部と、前記開口部に連通し前記開口部を除いて周囲が囲まれた環状のチャンバとを有する誘電体部材と、
前記チャンバ近傍に設けられたコイルと、
前記コイルに接続されて高周波を前記コイルに印加する高周波電源と、
基材を基材載置面に載置可能な基材載置台と、
前記開口部の長手方向に対して交差する向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構とを備えた誘導結合型プラズマトーチユニットを用いるプラズマ処理装置であって、
前記チャンバを囲む前記誘電体部材のうち、前記基材載置台に相対する面を構成する部位を基材対向部としたとき、前記基材対向部は前記基材載置台の前記基材載置面に平行な平面であり、
前記基材対向部を前記開口部の長手方向に対して垂直な面で切った断面を、前記基材載置台が下方になるような向きに配置したとき、前記基材対向部と前記基材載置台の間の空間に、左右両側からガスをそれぞれ供給する左ガス噴出口及び右ガス噴出口が設けられ、
前記左ガス噴出口及び前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を各々独立に制御する第1及び第2流量制御装置を備え、
前記第1及び第2流量制御装置のうち少なくとも一方の流量制御装置を制御して、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量または前記右ガス噴出口から噴出するガス流量のうち、少なくとも一方を連続的に増減させるプラズマ処理制御装置を備える。
前記プラズマ処理制御装置は、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量を増加させる期間は、前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を減少させるように前記第2流量制御装置を制御し、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量を減少させる期間は、前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を増加させるように前記第2流量制御装置を制御し、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量及び前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を同期して増減させることが可能なように前記第1及び第2流量制御装置が制御されるようにしてもよい。
誘電体部材で囲まれた環状のチャンバ内に第1ガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する線状の開口部から、基材載置台に載置された基材に向けて第1ガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記開口部の長手方向に対して交差する向きに、前記チャンバと前記基材とを移動機構で相対的に移動させつつ前記基材の表面を処理する、誘導結合型プラズマトーチユニットを用いるプラズマ処理方法であって、
前記チャンバを囲む前記誘電体部材のうち、前記基材載置台に相対する面を構成する部位を基材対向部としたとき、前記基材対向部は前記基材載置台の基材載置面に平行な平面であり、
前記基材対向部を前記開口部の長手方向に対して垂直な面で切った断面を、前記基材載置台が下方になるような向きに配置したとき、前記基材対向部と前記基材載置台の間の空間に、左ガス噴出口と右ガス噴出口とからガスを供給するとともに、
前記左ガス噴出口から噴出するガス流量または前記右ガス噴出口から噴出するガス流量のうち、少なくとも一方を連続的に増減させることにより、前記基材対向部と前記基材載置台の間の前記空間において前記プラズマを左右に位置変更させながらプラズマ処理する。
以下、本発明の実施の形態1について、図1A〜図5を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態2について、図6を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態3について、図7A〜図12Bを参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態4について、図13を参照して説明する。
以下、本発明の実施の形態5について、図14を参照して説明する。
以上述べた前記実施の形態1〜5にかかるプラズマ処理装置及び方法は、本発明の適用範囲のうちの典型例を例示したに過ぎない。
1a・・・基材載置面
2・・・基材
3・・・コイル
3a・・・第1コイル
3b・・・第2コイル
4・・・第1セラミックスブロック
5・・・第2セラミックスブロック
6・・・第3セラミックスブロック
7・・・チャンバ
7a,7c・・・長辺をなす直線部
7d・・・内壁面
7e・・・短辺をなす直線部
8・・・開口部
9・・・第1ガスマニホールド
10・・・第1ガス供給配管
11・・・第1ガス供給穴
12・・・第2ガスマニホールド
13・・・第2ガス供給配管
14・・・第2ガス供給穴
15・・・第3ガスマニホールド
16・・・第3ガス供給配管
17・・・第3ガス供給穴
22・・・第4セラミックスブロック
23・・・第5セラミックスブロック
24・・・第6セラミックスブロック
26・・・冷媒
27・・・Oリング
31・・・第2コイルの第2端部
32・・・シールド筒
32a・・・導体線
32b・・・接続線
33・・・セラミックス管
33a・・・平面状の底面
34・・・シールド筒端部
35・・・セラミックスアダプタ
36・・・第2コイルの第1端部
43・・・リニアスライダ
44・・・第2マスフローコントローラ
45・・・第3マスフローコントローラ
46・・・タイミング制御装置
70・・・空間
71・・・高周波電源
121・・・奥側の第2ガスマニホールド
122・・・中間の第2ガスマニホールド
123・・・手前側の第2ガスマニホールド
126a,126b,126c,126d,126e・・・冷媒流路
141・・・奥側の第2ガス供給穴
141a・・・左側のガス噴出口
142・・・中間の第2ガス供給穴
142a・・・左側のガス噴出口
143・・・手前側の第2ガス供給穴
143a・・・左側のガス噴出口
P・・・プラズマ
T・・・誘導結合型プラズマトーチユニット
Claims (6)
- 線状の開口部と、前記開口部に連通し前記開口部を除いて周囲が囲まれた環状のチャンバとを有する誘電体部材と、
前記チャンバ近傍に設けられたコイルと、
前記コイルに接続されて高周波を前記コイルに印加する高周波電源と、
基材を基材載置面に載置可能な基材載置台と、
前記開口部の長手方向に対して交差する向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構とを備えた誘導結合型プラズマトーチユニットを用いるプラズマ処理装置であって、
前記チャンバを囲む前記誘電体部材のうち、前記基材載置台に相対する面を構成する部位を基材対向部としたとき、前記基材対向部は前記基材載置台の前記基材載置面に平行な平面であり、
前記基材対向部を前記開口部の長手方向に対して垂直な面で切った断面を、前記基材載置台が下方になるような向きに配置したとき、前記基材対向部と前記基材載置台の間の空間に、左右両側からガスをそれぞれ供給する左ガス噴出口及び右ガス噴出口が設けられ、
前記左ガス噴出口及び前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を各々独立に制御する第1及び第2流量制御装置を備え、
前記第1及び第2流量制御装置のうち少なくとも一方の流量制御装置を制御して、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量または前記右ガス噴出口から噴出するガス流量のうち、少なくとも一方を連続的に増減させるプラズマ処理制御装置を備えるとともに、
前記プラズマ処理制御装置は、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量を連続的に増減させるように前記第1流量制御装置を制御し、前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を連続的に増減させるように前記第2流量制御装置を制御するとともに、
前記プラズマ処理制御装置は、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量を増加させる期間は、前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を減少させるように前記第2流量制御装置を制御し、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量を減少させる期間は、前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を増加させるように前記第2流量制御装置を制御し、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量及び前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を同期して増減させることが可能なように前記第1及び第2流量制御装置が制御される、プラズマ処理装置。 - 前記プラズマ処理制御装置は、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量または前記右ガス噴出口から噴出するガス流量のうち、少なくとも一方を連続的に増減させるに際して、前記移動機構の速度を同期して増減させるように前記移動機構を制御する請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 線状の開口部と、前記開口部に連通し前記開口部を除いて周囲が囲まれた環状のチャンバとを有する誘電体部材と、
前記チャンバ近傍に設けられたコイルと、
前記コイルに接続されて高周波を前記コイルに印加する高周波電源と、
基材を基材載置面に載置可能な基材載置台と、
前記開口部の長手方向に対して交差する向きに、前記チャンバと前記基材載置台とを相対的に移動可能とする移動機構とを備えた誘導結合型プラズマトーチユニットを用いるプラズマ処理装置であって、
前記チャンバを囲む前記誘電体部材のうち、前記基材載置台に相対する面を構成する部位を基材対向部としたとき、前記基材対向部は前記基材載置台の前記基材載置面に平行な平面であり、
前記基材対向部を前記開口部の長手方向に対して垂直な面で切った断面を、前記基材載置台が下方になるような向きに配置したとき、前記基材対向部と前記基材載置台の間の空間に、左右両側からガスをそれぞれ供給する左ガス噴出口及び右ガス噴出口が設けられ、
前記左ガス噴出口及び前記右ガス噴出口から噴出するガス流量を各々独立に制御する第1及び第2流量制御装置を備え、
前記第1及び第2流量制御装置のうち少なくとも一方の流量制御装置を制御して、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量または前記右ガス噴出口から噴出するガス流量のうち、少なくとも一方を連続的に増減させるプラズマ処理制御装置を備えるとともに、
前記プラズマ処理制御装置は、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量または前記右ガス噴出口から噴出するガス流量のうち、少なくとも一方を連続的に増減させるに際して、前記移動機構の速度を同期して増減させるように前記移動機構を制御する、プラズマ処理装置。 - 誘電体部材で囲まれた環状のチャンバ内に第1ガスを供給しつつ、前記チャンバに連通する線状の開口部から、基材載置台に載置された基材に向けて第1ガスを噴出すると共に、コイルに高周波電力を供給することで、前記チャンバ内に高周波電磁界を発生させてプラズマを発生させ、前記開口部の長手方向に対して交差する向きに、前記チャンバと前記基材とを移動機構で相対的に移動させつつ前記基材の表面を処理する、誘導結合型プラズマトーチユニットを用いるプラズマ処理方法であって、
前記チャンバを囲む前記誘電体部材のうち、前記基材載置台に相対する面を構成する部位を基材対向部としたとき、前記基材対向部は前記基材載置台の基材載置面に平行な平面であり、
前記基材対向部を前記開口部の長手方向に対して垂直な面で切った断面を、前記基材載置台が下方になるような向きに配置したとき、前記基材対向部と前記基材載置台の間の空間に、左ガス噴出口と右ガス噴出口とからガスを供給するとともに、
前記左ガス噴出口から噴出するガス流量または前記右ガス噴出口から噴出するガス流量のうち、少なくとも一方を連続的に増減させることにより、前記基材対向部と前記基材載置台の間の前記空間において前記プラズマを左右に位置変更させながらプラズマ処理するプラズマ処理方法。 - 前記プラズマと前記基材載置台との相対的な移動速度が一定となるよう、前記左ガス噴出口から噴出するガス流量または前記右ガス噴出口から噴出するガス流量のうち、少なくとも一方を連続的に増減させるに際して、前記移動機構の速度を同期して増減させながら処理する請求項4に記載のプラズマ処理方法。
- 請求項4又は5のプラズマ処理方法を用いて電子デバイスを製造する電子デバイスの製造方法。
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