JP6980630B2 - 高電圧フィルタおよび電力変換装置 - Google Patents
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Description
本発明による高電圧フィルタは、陽極バスバと、陰極バスバと、前記陽極バスバとグラウンドに接続されるグラウンド接続体との間に接続される第1の容量素子と、前記陰極バスバと前記グラウンド接続体との間に接続される第2の容量素子と、前記陽極バスバと前記陰極バスバとの間に接続される複数の容量素子と、を備え、前記複数の容量素子は、隣り合う二つの容量素子のうち一方の容量素子が前記陽極バスバに接続される陽極端子と、他方の容量素子が前記陰極バスバに接続される陰極端子とが、互いに隣接して配置され、前記複数の容量素子は、前記第1の容量素子および前記第2の容量素子に隣接して配置された第3の容量素子を含み、前記第1の容量素子の陽極端子と前記第3の容量素子の陰極端子とが隣接して配置され、前記第2の容量素子の陰極端子と前記第3の容量素子の陽極端子とが隣接して配置される。
上記した以外の課題、構成および効果は、以下の発明を実施するための形態の説明により明らかにされる。
本実施形態では、本発明に係る高電圧フィルタを、電気自動車やハイブリッド自動車などのモータを駆動するためのインバータからなる電力変換装置に適用した実施形態について、図1から図3を参照して説明する。
本実施形態では、本発明に係る高電圧フィルタを、電気自動車やハイブリッド自動車などのモータを駆動するためのインバータからなる電力変換装置に適用した実施形態について、図4を参照して説明する。なお、図1に示した電力変換装置の構成を示すブロック構成図、図2に示した高電圧フィルタにおいて使用される容量素子の分解図は、第1の実施形態と同様であるのでその説明を省略する。
(1)高電圧フィルタ32は、陽極バスバB5と、陰極バスバB6と、陽極バスバB5とグラウンドに接続されるグラウンド接続体303との間に接続される第1の容量素子320−2と、陰極バスバB6とグラウンド接続体303との間に接続される第2の容量素子320−3と、陽極バスバB5と陰極バスバB6との間に接続される平滑用容量素子320−1と、を備え、第1の容量素子320−2の陽極端子320−2Pと平滑用容量素子320−1の陰極端子320−1Nとが隣接して配置され、第2の容量素子320−3の陰極端子320−3Nと平滑用容量素子320−1の陽極端子320−1Pとが隣接して配置される。これにより、容量素子の容量を増大させずに高電圧フィルタのフィルタ性能を向上させ、高周波ノイズの影響を低減することができる。
21 高電圧陽極ケーブル
22 高電圧陰極ケーブル
30 電力変換装置
31 金属筐体
32、32’ 高電圧フィルタ
33 平滑コンデンサ
34a、34b、34c 半導体モジュール
35 制御部
41、42、43 高電圧交流ケーブル
50 電気モータ
51−U、51−V、51−W コイル
B1〜B6 第1のバスバ〜第6のバスバ
303、304 グラウンド接続体
320 容量素子
320-1、320−4、320−5、320−6 平滑用容量素子
320-2、320−7 第1の容量素子
320−3、320−8 第2の容量素子
321 誘電体材料
322 第1の電極、
323 第2の電極
320P 第1の接続端子
320N 第2の接続端子
324 樹脂材料
325 保護ケース
Claims (7)
- 陽極バスバと、
陰極バスバと、
前記陽極バスバとグラウンドに接続されるグラウンド接続体との間に接続される第1の容量素子と、
前記陰極バスバと前記グラウンド接続体との間に接続される第2の容量素子と、
前記陽極バスバと前記陰極バスバとの間に接続される第3の容量素子と、を備え、
前記第1の容量素子の陽極端子と前記第3の容量素子の陰極端子とが隣接して配置され、
前記第2の容量素子の陰極端子と前記第3の容量素子の陽極端子とが隣接して配置される高電圧フィルタ。 - 請求項1に記載の高電圧フィルタにおいて、
前記第1の容量素子の前記グラウンド接続体に接続されるグラウンド接続端子と前記第2の容量素子の前記グラウンド接続体に接続されるグラウンド接続端子とが隣接して配置される高電圧フィルタ。 - 陽極バスバと、
陰極バスバと、
前記陽極バスバとグラウンドに接続されるグラウンド接続体との間に接続される第1の容量素子と、
前記陰極バスバと前記グラウンド接続体との間に接続される第2の容量素子と、
前記陽極バスバと前記陰極バスバとの間に接続される複数の容量素子と、を備え、
前記複数の容量素子は、隣り合う二つの容量素子のうち一方の容量素子が前記陽極バスバに接続される陽極端子と、他方の容量素子が前記陰極バスバに接続される陰極端子とが、互いに隣接して配置され、
前記複数の容量素子は、前記第1の容量素子および前記第2の容量素子に隣接して配置された第3の容量素子を含み、
前記第1の容量素子の陽極端子と前記第3の容量素子の陰極端子とが隣接して配置され、
前記第2の容量素子の陰極端子と前記第3の容量素子の陽極端子とが隣接して配置される高電圧フィルタ。 - 請求項3に記載の高電圧フィルタにおいて、
前記複数の容量素子は、前記第3の容量素子、第4の容量素子、および第5の容量素子よりなる高電圧フィルタ。 - 請求項3または請求項4に記載の高電圧フィルタにおいて、
前記第1の容量素子の前記グラウンド接続体に接続されるグラウンド接続端子と前記第2の容量素子の前記グラウンド接続体に接続されるグラウンド接続端子とが隣接して配置される高電圧フィルタ。 - 請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の高電圧フィルタと、
インバータを構成する半導体モジュールと、
前記半導体モジュールのスイッチング動作を制御する制御部と、を備える電力変換装置。 - 請求項6に記載の電力変換装置において、
前記高電圧フィルタと前記半導体モジュールと前記制御部とを格納する金属筐体を備え、
前記グラウンド接続体は前記金属筐体に接続される電力変換装置。
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