JP6972433B2 - Ｔｒｌ校正装置及びｔｒｌ検査方法 - Google Patents

Description

この発明は、ＴＲＬ校正装置及びＴＲＬ検査方法に関するものである。

半導体素子の保護、又は、実装性を向上等の目的のために、半導体パッケージが使われている。半導体パッケージの電気特性の検査において、先端が摺動するプローブ（以下「検査プローブ」という。）を複数本並べた半導体検査用のソケット（以下「検査用ソケット」という。）が用いられる場合がある。半導体パッケージの電気特性の検査は、半導体パッケージを、検査プローブに半導体パッケージの入出力端子を押し当てるように検査用ソケットに装着した状態で、半導体パッケージと検査装置との間で検査用ソケットを介して検査信号を送受信させることにより行う。検査用ソケットを用いることにより、検査の際の半導体パッケージの取り扱いが容易になる。

しかしながら、検査用ソケットを用いて、高周波で動作する半導体パッケージの電気特性の検査を行う場合、検査プローブにおける寄生成分、又は、検査用装置と検査プローブとの間の検査信号が伝送される線路（以下「信号線路」という。）における電気長若しくは寄生成分等が見えるため、正確な半導体パッケージの電気特性の計測を行うことができない場合がある。
具体的には、例えば、高周波で動作する半導体パッケージは、半導体パッケージの入出力端子、又は、半導体パッケージが実装された半導体基板のパッド部分等の入出力部を基準面とするＳパラメータを要求される場合がある。しかしながら、検査用ソケットを用いた検査を行った場合、検査プローブ及び信号線路を通った検査信号の、入出力部を基準面とするＳパラメータしか取得できないという問題点がある。すなわち、検査用ソケットを用いた検査を行った場合、基準面である入出力部において、半導体パッケージの電気特性に加えて、検査プローブ又は信号線路の電気特性が含まれてしまうため、半導体パッケージの電気特性が正確に測定できない場合がある。

上述の問題を解決するために、高周波で動作する半導体パッケージの電気特性の検査に用いられる検査装置は、スルー標準器、リフレクト標準器、及びライン標準器を備えたＴＲＬ校正装置を用いてＴＲＬ校正が行われる。スルー標準器、リフレクト標準器、及びライン標準器を用いて検査装置をＴＲＬ校正することにより、検査装置が計測するＳパラメータは、基準面の位置を任意の位置に校正できる。
従来の一般的なＴＲＬ校正装置が備えるリフレクト標準器１０Ｒ、スルー標準器１０Ｔ、及びライン標準器１０Ｌを図１から図３を参照して説明する。
図１は、従来のリフレクト標準器１０Ｒの構成の一例を示すものである。
図２は、従来のスルー標準器１０Ｔの構成の一例を示すものである。
図３は、従来のライン標準器１０Ｌの構成の一例を示すものである。

図１に示す従来のリフレクト標準器１０Ｒは、基板１１と、いずれも、基板１１の一面上に形成され、一端が開放され、他端が信号端子１２に接続される１対の伝送線路１５と、各信号端子１２の両側に配置された接地端子１３と、基板１１の一面に対向する基板１１の他面に配置された地導体と接地端子１３とを電気的に接続するスルーホール１４とにより構成される。
図２に示す従来のスルー標準器１０Ｔは、従来のリフレクト標準器１０Ｒにおいて、基板１１の一面上に形成された１対の伝送線路１５の他端同士が、電気的に接続されたものである。
図３に示すライン標準器１０Ｌは、従来のリフレクト標準器１０Ｒにおいて、基板１１の一面上に形成された１対の伝送線路１５の他端同士が、任意の電気長を有する伝送線路１５ａを介して電気的に接続されたものである。一般に、従来のライン標準器１０Ｌにおいて、任意の電気長を有する伝送線路１５ａは、電気長が９０度であるものが用いられる。

図１から図３に示す従来のスルー標準器１０Ｔ、リフレクト標準器１０Ｒ、及びライン標準器１０Ｌを用いて検査装置（不図示）を校正することにより、従来のリフレクト標準器１０Ｒの伝送線路１５の開放端同士を基準面とするＳパラメータを取得することが可能になる。
検査装置は、リフレクト標準器１０Ｒの伝送線路１５の開放端同士を基準面とするＳパラメータを用いて、校正される。

図４は、被検査対象物である高周波回路パッケージ２０の一例を示す図である。
図４に示す高周波回路パッケージ２０は、図１に示す従来のリフレクト標準器１０Ｒの１対の伝送線路１５の開放端同士を、高周波回路２１を介して接続したものである。
例えば、図４に示す高周波回路パッケージ２０の電気特性を測定する場合、検査装置は、伝送線路１５の開放端と高周波回路２１との接続部２２，２３を基準面とするＳパラメータを取得できる。

しかしながら、従来のリフレクト標準器１０Ｒとスルー標準器１０Ｔとは、リフレクト標準器１０Ｒの信号端子１２の位置と、スルー標準器１０Ｔの信号端子１２の位置とが異なるため、検査プローブの位置が固定される検査用ソケットを用いてＴＲＬ校正を行うことは困難である。

この問題を解決するために、例えば、特許文献１には、スルー標準器と、リフレクト標準器と、ライン標準器とを備え、スルー標準器、リフレクト標準器、及びライン標準器のそれぞれは、一方面から他方面を貫通するように２つの貫通孔が設けられた保持部材と、両端のそれぞれにプローブと電気的に接触するための外部端子が設けられた同軸ケーブルとを含み、同軸ケーブルの外部端子のそれぞれは保持部材の一方面側から２つの貫通孔のそれぞれに挿入されており、スルー標準器、リフレクト標準器及びライン標準器のそれぞれにおいて、２つの貫通孔のそれぞれに挿入された外部端子同士は同じ間隔となるように配置されたＴＲＬ校正装置が開示されている。

特開２０１１−２４７７２０

例えば特許文献１に示される従来のＴＲＬ校正装置は、スルー標準器の伝送線路の長さと、リフレクト標準器の伝送線路の長さとを揃えるために、リフレクト標準器における１対の伝送線路の開放端同士が近接するように構成されたものである。リフレクト標準器における１対の伝送線路の開放端同士が近接するように構成した場合、当該開放端同士が電磁界結合することにより、校正精度が劣化してしまう。また、仮に、当該開放端同士の電磁界結合を緩和するために、特許文献１に示される従来のＴＲＬ校正装置において、当該開放端同士が離れるように構成した場合、スルー標準器の伝送線路の電気長と、リフレクト標準器の伝送線路の電気長とが異なる値となるため、校正精度が劣化してしまう。また、特許文献１に示される従来のＴＲＬ校正装置は、リフレクト標準器の伝送線路の屈曲位置と、ライン標準器の伝送線路の屈曲位置とが異なるため、校正精度が劣化してしまう。

この発明は、上述の問題点を解決するためのもので、スルー標準器、リフレクト標準器、及びライン標準器のそれぞれの外部端子の位置を同じ位置に配置しつつ、校正精度を向上させることができるＴＲＬ校正装置を提供することを目的とする。

この発明に係るＴＲＬ校正装置は、パッケージに収納され、Ｒ用基板と、Ｒ用基板に形成されたＲ用第１接続端子及びＲ用第２接続端子と、Ｒ用基板に形成され、一端がＲ用第１接続端子と電気的に接続され、他端が開放端であるＲ用第１伝送線路と、Ｒ用基板に形成され、一端がＲ用第２接続端子と電気的に接続され、他端が開放端であり、一端から他端までの距離と、Ｒ用第１伝送線路の一端からＲ用第１伝送線路の他端までの距離との和が、Ｒ用第１接続端子からＲ用第２接続端子までの距離に相当するＲ用第２伝送線路と、Ｒ用第１外部端子と、Ｒ用第２外部端子と、Ｒ用第１接続端子とＲ用第１外部端子とを電気的に接続するＲ用第１接続手段と、Ｒ用第２接続端子とＲ用第２外部端子とを電気的に接続するＲ用第２接続手段と、を有するリフレクト標準器、パッケージ内に収納され、Ｒ用基板と同一形状のＴ用基板と、Ｒ用第１接続端子及びＲ用第２接続端子が形成されたＲ用基板における位置に相当するＴ用基板における位置に形成されたＴ用第１接続端子及びＴ用第２接続端子と、Ｒ用第１伝送線路と同一形状を有し、Ｔ用基板に形成され、一端がＴ用第１接続端子と電気的に接続されるＴ用第１伝送線路と、Ｒ用第２伝送線路と同一形状を有し、Ｔ用基板に形成され、一端がＴ用第２接続端子と電気的に接続され、他端がＴ用第１伝送線路の他端に接続されるＴ用第２伝送線路と、Ｒ用第１外部端子及びＲ用第２外部端子が配置されたリフレクト標準器における位置に相当する位置に配置されたＴ用第１外部端子及びＴ用第２外部端子と、Ｒ用第１接続手段と同一電気特性を有し、Ｔ用第１接続端子とＴ用第１外部端子とを電気的に接続するＴ用第１接続手段と、Ｒ用第２接続手段と同一電気特性を有し、Ｔ用第２接続端子とＴ用第２外部端子とを電気的に接続するＴ用第２接続手段と、を有するスルー標準器、並びに、パッケージ内に収納され、Ｒ用基板と同一形状のＬ用基板と、Ｒ用第１接続端子及びＲ用第２接続端子が形成されたＲ用基板における位置に相当するＬ用基板における位置に形成されたＬ用第１接続端子及びＬ用第２接続端子と、Ｒ用第１伝送線路と同一形状を有し、Ｒ用第１伝送線路が形成されたＲ用基板における位置に相当するＬ用基板における位置に形成され、一端がＬ用第１接続端子と電気的に接続されるＬ用第１伝送線路と、Ｒ用第２伝送線路と同一形状を有し、Ｒ用第２伝送線路が形成されたＲ用基板における位置に相当するＬ用基板における位置に形成され、一端がＬ用第２接続端子と電気的に接続されるＬ用第２伝送線路と、一端がＬ用第１伝送線路の他端と電気的に接続され、他端がＬ用第２伝送線路の他端と電気的に接続されるＬ用第３伝送線路と、Ｒ用第１外部端子及びＲ用第２外部端子が配置されたリフレクト標準器における位置に相当する位置に配置されたＬ用第１外部端子及びＬ用第２外部端子と、Ｒ用第１接続手段と同一電気特性を有し、Ｌ用第１接続端子とＬ用第１外部端子とを電気的に接続するＬ用第１接続手段と、Ｒ用第１接続手段と同一電気特性を有し、Ｌ用第２接続端子とＬ用第２外部端子とを電気的に接続するＬ用第２接続手段と、を有するライン標準器、を備えた。

この発明によれば、スルー標準器、リフレクト標準器、及びライン標準器のそれぞれの外部端子の位置を同じ位置に配置しつつ、校正精度を向上させることができる。

図１は、従来のリフレクト標準器の構成の一例を示すものである。 図２は、従来のスルー標準器の構成の一例を示すものである。 図３は、従来のライン標準器の構成の一例を示すものである。 図４は、被検査対象物である高周波回路パッケージの一例を示す図である。 図５は、実施の形態１に係る半導体パッケージの要部の構成の一例を示す断面図である。 図６は、実施の形態１に係る検査用ソケットの要部の構成の一例を示す断面図である。 図７は、実施の形態１に係る半導体パッケージが検査用ソケットに装着された状態の一例を示す断面図である。 図８は、実施の形態１に係るＴＲＬ校正装置の要部の構成の一例を示すブロック図である。 図９Ａは、実施の形態１に係るリフレクト標準器の要部の構成の一例を示す断面図である。図９Ｂは、実施の形態１に係るリフレクト標準器におけるＲ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。 図１０は、実施の形態１に係るリフレクト標準器におけるＲ用第１伝送線路及びＲ用第２伝送線路の構成について説明するための構成図である。 図１１Ａは、実施の形態１に係るスルー標準器の要部の構成の一例を示す断面図である。図１１Ｂは、実施の形態１に係るスルー標準器におけるＴ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。 図１２Ａは、実施の形態１に係るライン標準器の要部の構成の一例を示す断面図である。図１２Ｂは、実施の形態１に係るライン標準器におけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。 図１３は、実施の形態１に係るライン標準器におけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。 図１４は、実施の形態１に係るライン標準器におけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。 図１５は、実施の形態１に係るリフレクト標準器におけるＲ用第１伝送線路及びＲ用第２伝送線路のＲ用基板上面における配置の一例を示す図である。 図１６は、実施の形態１に係るライン標準器におけるＬ用第１伝送線路、Ｌ用第２伝送線路、及びＬ用第３伝送線路のＬ用基板上面における配置の一例を示す図である。 図１７は、実施の形態１に係るリフレクト標準器におけるＲ用第１伝送線路及びＲ用第２伝送線路のＲ用基板上面における配置の一例を示す図である。 図１８は、実施の形態１に係るライン標準器におけるＬ用第１伝送線路、Ｌ用第２伝送線路、及びＬ用第３伝送線路のＬ用基板上面における配置の一例を示す図である。 図１９は、実施の形態２に係るＴＲＬ校正装置の要部の構成の一例を示すブロック図である。 図２０Ａは、実施の形態２に係るリフレクト標準器の要部の構成の一例を示す断面図である。図２０Ｂは、実施の形態２に係るリフレクト標準器におけるＲ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。 図２１Ａは、実施の形態２に係るスルー標準器の要部の構成の一例を示す断面図である。図２１Ｂは、実施の形態２に係るスルー標準器におけるＴ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。 図２２Ａは、実施の形態２に係るライン標準器の要部の構成の一例を示す断面図である。図２２Ｂは、実施の形態２に係るライン標準器におけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。 図２３Ａは、実施の形態２に係るリフレクト標準器におけるＲ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。図２３Ｂは、実施の形態２に係るスルー標準器におけるＴ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。図２３Ｃは、実施の形態２に係るライン標準器におけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。 図２４Ａは、実施の形態２に係るリフレクト標準器におけるＲ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。図２４Ｂは、実施の形態２に係るスルー標準器におけるＴ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。図２４Ｃは、実施の形態２に係るライン標準器におけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。 図２５は、実施の形態３に係るＴＲＬ校正装置の要部の構成の一例を示すブロック図である。 図２６Ａは、実施の形態３に係るライン標準器の要部の構成の一例を示す断面図である。図２６Ｂは、実施の形態３に係るライン標準器におけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。 図２７Ａは、実施の形態３に係るライン標準器の要部の構成の一例を示す断面図である。図２７Ｂは、実施の形態３に係るライン標準器におけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。

以下、この発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。

実施の形態１．
図５から図１８を参照して、実施の形態１に係るＴＲＬ校正装置１００について説明する。
図５から図７を参照して、被検査対象物である半導体パッケージ３００、及び、実施の形態１に係る検査用ソケット２００の要部の構成について説明する。
図５は、実施の形態１に係る半導体パッケージ３００の要部の構成の一例を示す断面図である。
図６は、実施の形態１に係る検査用ソケット２００の要部の構成の一例を示す断面図である。
図７は、実施の形態１に係る半導体パッケージ３００が検査用ソケット２００に装着された状態の一例を示す断面図である。

半導体パッケージ３００は、例えば、リードフレーム、半導体基板３０２、外部端子３０３、伝送線路３０４、金属ワイヤ３０５、及び樹脂モールド３０１により構成される。
半導体基板３０２は、リードフレームの一面上に搭載される。
リードフレームは、半導体基板３０２を搭載することにより、半導体基板３０２を保護し、半導体基板３０２の実装性を向上させる。
伝送線路３０４は、半導体基板３０２の一表面に形成される。
金属ワイヤ３０５は、伝送線路３０４と外部端子３０３とを電気的に接続する。
樹脂モールド３０１は、半導体基板３０２、伝送線路３０４、又は金属ワイヤ３０５等を保護する。

検査用ソケット２００は、例えば、金属筐体２０１、検査プローブ２０２−１，２０２−２，２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６、誘電体基板２０３、信号導体２０４−１，２０４−２、及び同軸コネクタ２０５−１，２０５−２により構成される。
金属筐体２０１は、半導体パッケージ３００を検査用ソケット２００に装着する際に、半導体パッケージ３００の検査用ソケット２００における装着位置を決定する。金属筐体２０１は、接地されているものとして説明する。

検査プローブ２０２−１，２０２−２，２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６は、それぞれ、一端に、検査用ソケット２００に対して半導体パッケージ３００が着脱される方向（以下「着脱方向」という。）に、検査プローブ２０２−１，２０２−２，２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６を摺動するプローブ端子を有する。検査プローブ２０２−１，２０２−２，２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６のそれぞれと、検査プローブ２０２−１，２０２−２，２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６のそれぞれに対応するプローブ端子とは電気的に接続されている。プローブ端子は、半導体パッケージ３００が検査用ソケット２００に装着された際に、半導体パッケージ３００のリードフレーム又は外部端子３０３と電気的に接続される。プローブ端子が着脱方向に摺動することにより、プローブ端子と半導体パッケージ３００のリードフレーム及び外部端子３０３とを確実に電気的に接続させることができる。

半導体パッケージ３００が検査用ソケット２００に装着された際に半導体パッケージ３００の外部端子３０３と接続されるプローブ端子に対応する検査プローブ２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６は、金属筐体２０１に固定され、電気的に接続されている。すなわち、検査プローブ２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６は、接地されている。
導体パッケージが検査用ソケット２００に装着された際に半導体パッケージ３００の外部端子３０３と接続されるプローブ端子に対応する検査プローブ２０２−１，２０２−２は、金属筐体２０１と接することがないように同軸構造等により構成されて配置されている。

信号導体２０４−１，２０４−２は、誘電体基板２０３に配線される。
信号導体２０４−１は、一端が検査プローブ２０２−１と接続され、他端が同軸コネクタ２０５−１と接続される。信号導体２０４−２は、一端が検査プローブ２０２−２と接続され、他端が同軸コネクタ２０５−２と接続される。
同軸コネクタ２０５−１，２０５−２は、同軸コネクタ２０５−１，２０５−２と検査装置との間で検査信号を送受信するための端子である。

例えば、同軸コネクタ２０５−１が、検査装置から出力される検査信号を受ける場合、同軸コネクタ２０５−１が受けた検査信号は、信号導体２０４−１と検査プローブ２０２−１とを介して、半導体パッケージ３００の外部端子３０３に伝送され、半導体パッケージ３００に入力される。半導体パッケージ３００に入力された信号は、伝送線路３０４を介して半導体パッケージ３００の外部端子３０３から出力される。外部端子３０３から出力された信号は、検査プローブ２０２−２と信号導体２０４−２とを介して、同軸コネクタ２０５−２に伝送される。検査装置は、同軸コネクタ２０５−２から出力される検査信号を受けて、当該検査信号に基づいて、半導体パッケージ３００の電気特性を測定する。

ＴＲＬ校正をせずに高周波の検査信号を用いて半導体パッケージ３００の電気特性を測定する場合、検査装置は、例えば、同軸コネクタ２０５−１，２０５−２を基準面とするＳパラメータを取得することになる。そのため、検査プローブ２０２−１，２０２−２、検査プローブ２０２−１，２０２−２に対応するプローブ端子、又は、信号導体２０４−１，２０４−２等の電気特性が見えてしまう。したがって、検査プローブ２０２−１，２０２−２、検査プローブ２０２−１，２０２−２に対応するプローブ端子、又は、信号導体２０４−１，２０４−２等の構造が、波長に対して大きい場合、検査装置は、半導体パッケージ３００の電気特性のみを高精度に検査することが困難となる。

図８を参照して、実施の形態１に係るＴＲＬ校正装置１００の構成について説明する。
図８は、実施の形態１に係るＴＲＬ校正装置１００の要部の構成の一例を示すブロック図である。
実施の形態１に係るＴＲＬ校正装置１００は、リフレクト標準器１００Ｒ、スルー標準器１００Ｔ、及びライン標準器１００Ｌを備える。
ＴＲＬ校正が行われる際、リフレクト標準器１００Ｒ、スルー標準器１００Ｔ、及びライン標準器１００Ｌは、順次、検査用ソケット２００に装着される。
なお、リフレクト標準器１００Ｒ、スルー標準器１００Ｔ、及びライン標準器１００Ｌを用いたＴＲＬ校正方法は、公知であるため説明を省略する。

図９を参照して、実施の形態１に係るリフレクト標準器１００Ｒの構成について説明する。
図９Ａは、実施の形態１に係るリフレクト標準器１００Ｒの要部の構成の一例を示す断面図である。
リフレクト標準器１００Ｒは、半導体基板（以下「Ｒ用基板１０１Ｒ」という。）、２個の接続端子（以下、「Ｒ用第１接続端子１１１Ｒ」及び「Ｒ用第２接続端子１１２Ｒ」という。）、２個の伝送線路（以下、「Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒ」及び「Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒ」という。）、２個の外部端子（以下、「Ｒ用第１外部端子１３１Ｒ」及び「Ｒ用第２外部端子１３２Ｒ」という。）、２個の接続手段（以下、「Ｒ用第１接続手段１４１Ｒ」及び「Ｒ用第２接続手段１４２Ｒ」）、絶縁層（以下「Ｒ用絶縁層１６０Ｒ」という。）、並びに、接地用外部端子（以下「Ｒ用接地用外部端子１５０Ｒ」という。）を有する。

リフレクト標準器１００Ｒは、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ）パッケージ、又は、ファンアウトパッケージ等のパッケージに収納される。実施の形態１では、一例として、ＣＳＰに収納されたリフレクト標準器１００Ｒについて説明する。
具体的には、リフレクト標準器１００Ｒにおいて、Ｒ用基板１０１Ｒ、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒ、Ｒ用第２接続端子１１２Ｒ、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒ、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒ、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒ、及び、Ｒ用第２接続手段１４２Ｒ、及び、Ｒ用絶縁層１６０Ｒは、パッケージの内部に収納される。また、リフレクト標準器１００Ｒにおいて、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒ、Ｒ用第２外部端子１３２Ｒ、及び、Ｒ用接地用外部端子１５０Ｒは、パッケージの表面に形成される。より具体的には、図９に示すリフレクト標準器１００Ｒは、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒ、Ｒ用第２外部端子１３２Ｒ、及び、Ｒ用接地用外部端子１５０Ｒが、パッケージの一表面に形成するＲ用絶縁層１６０Ｒの一表面に形成されている。

より具体的には、図９に示すＲ用絶縁層１６０Ｒは、一例として、Ｒ用絶縁層１６０Ｒａ及びＲ用絶縁層１６０Ｒｂの２つの絶縁層からなり、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒ、Ｒ用第２外部端子１３２Ｒ、及び、Ｒ用接地用外部端子１５０Ｒは、Ｒ用絶縁層１６０Ｒｂの一表面に形成されている。
なお、リフレクト標準器１００Ｒにおいて、Ｒ用絶縁層１６０Ｒｂは、必須の構成ではなく、リフレクト標準器１００Ｒは、Ｒ用絶縁層１６０Ｒｂを有していなくても良い。リフレクト標準器１００ＲがＲ用絶縁層１６０Ｒｂを有していない場合、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒ、Ｒ用第２外部端子１３２Ｒ、及び、Ｒ用接地用外部端子１５０Ｒは、例えば、Ｒ用絶縁層１６０Ｒａの一表面に形成される。

Ｒ用第１接続端子１１１Ｒ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒは、Ｒ用基板１０１Ｒに形成される。例えば、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒは、Ｒ用基板１０１ＲのＲ用絶縁層１６０Ｒ側の面（以下「Ｒ用基板上面」という。）に形成される。

図９Ｂは、実施の形態１に係るリフレクト標準器１００ＲにおけるＲ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。
なお、図９Ａは、図９Ｂに示す直線Ｘ−Ｘ´における断面の一例を示す断面図である。

Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒは、Ｒ用基板１０１Ｒに形成される。例えば、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒは、Ｒ用基板上面に形成される。Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒは、一端がＲ用第１接続端子１１１Ｒと電気的に接続され、他端が開放端である。

Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒは、Ｒ用基板１０１Ｒに形成される。例えば、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒは、Ｒ用基板上面に形成される。Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒは、一端がＲ用第２接続端子１１２Ｒと電気的に接続され、他端が開放端である。Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒは、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒの一端からＲ用第２伝送線路１２２Ｒの他端までの距離と、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒの一端からＲ用第１伝送線路１２１Ｒの他端までの距離との和が、Ｒ用第１接続端子１１１ＲからＲ用第２接続端子１１２Ｒまでの距離に相当するものである。
リフレクト標準器１００Ｒは、Ｒ用基板上面に接地端子１１３Ｒが形成されたものであっても良い。図９において、接地端子１１３Ｒは、Ｒ用基板上面における周囲に複数配置されている。

Ｒ用第１外部端子１３１Ｒ及びＲ用第２外部端子１３２Ｒは、リフレクト標準器１００Ｒが検査用ソケット２００に装着された際に、検査プローブ２０２−１又は検査プローブ２０２−２を摺動するプローブ端子の先端と接続される端子であり、リフレクト標準器１００Ｒと検査装置との間で検査信号を送受信させるための端子である。

Ｒ用第１接続手段１４１Ｒは、Ｒ用第１接続端子１１１ＲとＲ用第１外部端子１３１Ｒとを電気的に接続する。
例えば、図９において、Ｒ用第１接続端子１１１ＲとＲ用第１外部端子１３１Ｒとは、Ｒ用絶縁層１６０ＲにおけるＲ用第１スルーホール１７１Ｒを介して電気的に接続される。すなわち、図９において、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒは、Ｒ用絶縁層１６０ＲａにおけるＲ用第１スルーホール１７１Ｒａと、Ｒ用絶縁層１６０ＲｂにおけるＲ用第１スルーホール１７１Ｒｂとにより構成されている。

Ｒ用第２接続手段１４２Ｒは、Ｒ用第２接続端子１１２ＲとＲ用第２外部端子１３２Ｒとを電気的に接続する。
例えば、図９において、Ｒ用第２接続端子１１２ＲとＲ用第２外部端子１３２Ｒとは、Ｒ用絶縁層１６０ＲにおけるＲ用第２スルーホール１７２Ｒを介して電気的に接続される。すなわち、図９において、Ｒ用第２接続手段１４２Ｒは、Ｒ用絶縁層１６０ＲａにおけるＲ用第２スルーホール１７２Ｒａと、Ｒ用絶縁層１６０ＲｂにおけるＲ用第２スルーホール１７２Ｒｂとにより構成されている。

Ｒ用接地用外部端子１５０Ｒは、リフレクト標準器１００Ｒが検査用ソケット２００に装着された際に、接地された検査プローブ２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６を摺動するプローブ端子の先端と接続される端子である。
Ｒ用基板上面に形成された接地端子１１３Ｒは、スルーホール等の接続手段を介して、Ｒ用接地用外部端子１５０Ｒに接続される。

図１０を参照して、実施の形態１に係るリフレクト標準器１００ＲにおけるＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒの構成について詳細に説明する。
図１０は、実施の形態１に係るリフレクト標準器１００ＲにおけるＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒの構成について説明するための構成図である。
リフレクト標準器１００Ｒが有するＲ用第１伝送線路１２１Ｒは、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒに接続されたＲ用第１伝送線路１２１Ｒの一端を中心として、Ｒ用第１伝送線路１２１ＲをＲ用基板上面に平行な平面に沿って、任意の回転角により回転させて配置することが可能なものである。
図１０において、破線により示される円Ｃ１は、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒの一端を中心として、Ｒ用第１伝送線路１２１ＲをＲ用基板上面に平行な平面に沿って回転させた場合における、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒの他端が示す軌跡を示している。
なお、Ｒ用第１伝送線路１２１ＲがＲ用基板上面に配置された場合、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒの電気特性は、当該回転角によらず同一の電気特性となる。

同様に、リフレクト標準器１００Ｒが有するＲ用第２伝送線路１２２Ｒは、Ｒ用第２接続端子１１２Ｒに接続されたＲ用第２伝送線路１２２Ｒの一端を中心として、Ｒ用第２伝送線路１２２ＲをＲ用基板上面に平行な平面に沿って、任意の回転角により回転させて配置することが可能なものである。
図１０において、破線により示される円Ｃ２は、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒの一端を中心として、Ｒ用第２伝送線路１２２ＲをＲ用基板上面に平行な平面に沿って回転させた場合における、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒの他端が示す軌跡を示している。
なお、Ｒ用第２伝送線路１２２ＲがＲ用基板上面に配置された場合、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒの電気特性は、当該回転角によらず同一の電気特性となる。

上述のとおり、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒは、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒの一端からＲ用第２伝送線路１２２Ｒの他端までの距離と、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒの一端からＲ用第１伝送線路１２１Ｒの他端までの距離との和が、Ｒ用第１接続端子１１１ＲからＲ用第２接続端子１１２Ｒまでの距離に相当するものである。

すなわち、リフレクト標準器１００Ｒが有するＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒは、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒの一端を中心として、Ｒ用第１伝送線路１２１ＲをＲ用基板１０１Ｒ面に平行な平面に沿って回転させ、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒの一端を中心として、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒを当該平面に沿って回転させた場合、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒの他端とＲ用第２伝送線路１２２Ｒの他端とが１点で電気的に接続されるように構成される。
より具体的には、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒは、図１０に示す円Ｃ１と円Ｃ２との接点が、Ｒ用第１接続端子１１１ＲとＲ用第２接続端子１１２Ｒとを結ぶ線分上と重なるように構成されたものである。

なお、図９Ｂは、リフレクト標準器１００ＲにおけるＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒが、Ｒ用第１接続端子１１１ＲとＲ用第２接続端子１１２Ｒとを結ぶ直線に対して、Ｒ用基板上面の同じ側に、互いに平行になるように配置された例を示すものである。
図９Ｂに示すようにＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒを配置することで、リフレクト標準器１００Ｒが有するＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒは、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒの他端との間の距離をＲ用基板上面において離すことができる。このため、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒの他端との間の寄生成分を低減させることができる。

図１１を参照して、実施の形態１に係るスルー標準器１００Ｔの構成について説明する。
図１１Ａは、実施の形態１に係るスルー標準器１００Ｔの要部の構成の一例を示す断面図である。
スルー標準器１００Ｔは、半導体基板（以下「Ｔ用基板１０１Ｔ」という。）、２個の接続端子（以下、「Ｔ用第１接続端子１１１Ｔ」及び「Ｔ用第２接続端子１１２Ｔ」という。）、２個の伝送線路（以下、「Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔ」及び「Ｔ用第２伝送線路１２２Ｔ」という。）、２個の外部端子（以下、「Ｔ用第１外部端子１３１Ｔ」及び「Ｔ用第２外部端子１３２Ｔ」という。）、２個の接続手段（以下、「Ｔ用第１接続手段１４１Ｔ」及び「Ｔ用第２接続手段１４２Ｔ」）、絶縁層（以下「Ｔ用絶縁層１６０Ｔ」という。）、並びに、接地用外部端子（以下「Ｔ用接地用外部端子１５０Ｔ」という。）を有する。

スルー標準器１００Ｔは、ＣＳＰ、ＱＦＮパッケージ、又は、ファンアウトパッケージ等のパッケージに収納される。実施の形態１では、一例として、ＣＳＰに収納されたスルー標準器１００Ｔについて説明する。
具体的には、スルー標準器１００Ｔにおいて、Ｔ用基板１０１Ｔ、Ｔ用第１接続端子１１１Ｔ、Ｔ用第２接続端子１１２Ｔ、Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔ、Ｔ用第２伝送線路１２２Ｔ、Ｔ用第１接続手段１４１Ｔ、及び、Ｔ用第２接続手段１４２Ｔ、及び、Ｔ用絶縁層１６０Ｔは、パッケージの内部に収納される。また、スルー標準器１００Ｔにおいて、Ｔ用第１外部端子１３１Ｔ、Ｔ用第２外部端子１３２Ｔ、及び、Ｔ用接地用外部端子１５０Ｔは、パッケージの表面に形成される。より具体的には、図１１に示すスルー標準器１００Ｔは、Ｔ用第１外部端子１３１Ｔ、Ｔ用第２外部端子１３２Ｔ、及び、Ｔ用接地用外部端子１５０Ｔが、パッケージの一表面に形成するＴ用絶縁層１６０Ｔの一表面に形成されている。

より具体的には、図１１に示すＴ用絶縁層１６０Ｔは、一例として、Ｔ用絶縁層１６０Ｔａ及びＴ用絶縁層１６０Ｔｂの２つの絶縁層からなり、Ｔ用第１外部端子１３１Ｔ、Ｔ用第２外部端子１３２Ｔ、及び、Ｔ用接地用外部端子１５０Ｔは、Ｔ用絶縁層１６０Ｔｂの一表面に形成されている。
なお、スルー標準器１００Ｔにおいて、Ｔ用絶縁層１６０Ｔｂは、必須の構成ではなく、スルー標準器１００Ｔは、Ｔ用絶縁層１６０Ｔｂを有していなくても良い。スルー標準器１００ＴがＴ用絶縁層１６０Ｔｂを有していない場合、Ｔ用第１外部端子１３１Ｔ、Ｔ用第２外部端子１３２Ｔ、及び、Ｔ用接地用外部端子１５０Ｔは、例えば、Ｔ用絶縁層１６０Ｔａの一表面に形成される。

Ｔ用基板１０１Ｔは、Ｒ用基板１０１Ｒと同一形状の基板である。
Ｔ用第１接続端子１１１Ｔ及びＴ用第２接続端子１１２Ｔは、Ｔ用基板１０１Ｔに形成される。具体的には、Ｔ用第１接続端子１１１Ｔ及びＴ用第２接続端子１１２Ｔは、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒが形成されたＲ用基板１０１Ｒにおける位置に相当するＴ用基板１０１Ｔにおける位置に形成される。例えば、Ｔ用第１接続端子１１１Ｔ及びＴ用第２接続端子１１２Ｔは、Ｔ用基板１０１ＴのＴ用絶縁層１６０Ｔ側の面（以下「Ｔ用基板上面」という。）に形成される。

図１１Ｂは、実施の形態１に係るスルー標準器１００ＴにおけるＴ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。
なお、図１１Ａは、図１１Ｂに示す直線Ｘ−Ｘ´における断面の一例を示す断面図である。

Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔは、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒと同一形状を有する。Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔは、Ｔ用基板１０１Ｔに形成される。例えば、Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔは、Ｔ用基板上面に形成される。Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔは、一端がＴ用第１接続端子１１１Ｔと電気的に接続される。

Ｔ用第２伝送線路１２２Ｔは、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒと同一形状を有する。Ｔ用第２伝送線路１２２Ｔは、Ｔ用基板１０１Ｔに形成される。例えば、Ｔ用第２伝送線路１２２Ｔは、Ｔ用基板上面に形成される。Ｔ用第２伝送線路１２２Ｔは、一端がＴ用第２接続端子１１２Ｔと電気的に接続され、他端がＴ用第１伝送線路１２１Ｔの他端に接続される。
スルー標準器１００Ｔは、Ｔ用基板上面に接地端子１１３Ｔが形成されたものであっても良い。図１１において、接地端子１１３Ｔは、Ｔ用基板上面における周囲に複数配置されている。

Ｔ用第１外部端子１３１Ｔ及びＴ用第２外部端子１３２Ｔは、スルー標準器１００Ｔが検査用ソケット２００に装着された際に、検査プローブ２０２−１又は検査プローブ２０２−２を摺動するプローブ端子の先端と接続される端子であり、スルー標準器１００Ｔと検査装置との間で検査信号を送受信させるための端子である。
検査プローブ２０２−１，２０２−２の位置は、金属筐体２０１に対して予め決められた位置に固定されているため、Ｔ用第１外部端子１３１Ｔ及びＴ用第２外部端子１３２Ｔは、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒ及びＲ用第２外部端子１３２Ｒが配置されたリフレクト標準器１００Ｒにおける位置に相当するスルー標準器１００Ｔにおける位置に配置される。

Ｔ用第１接続手段１４１Ｔは、Ｔ用第１接続端子１１１ＴとＴ用第１外部端子１３１Ｔとを電気的に接続する。Ｔ用第１接続手段１４１Ｔは、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒと同一電気特性を有する。
例えば、図１１において、Ｔ用第１接続端子１１１ＴとＴ用第１外部端子１３１Ｔとは、Ｔ用絶縁層１６０ＴにおけるＴ用第１スルーホール１７１Ｔを介して電気的に接続される。すなわち、図１１において、Ｔ用第１接続手段１４１Ｔは、Ｔ用絶縁層１６０ＴａにおけるＴ用第１スルーホール１７１Ｔａと、Ｔ用絶縁層１６０ＴｂにおけるＴ用第１スルーホール１７１Ｔｂとにより構成されている。

Ｔ用第２接続手段１４２Ｔは、Ｔ用第２接続端子１１２ＴとＴ用第２外部端子１３２Ｔとを電気的に接続する。Ｔ用第２接続手段１４２Ｔは、Ｒ用第２接続手段１４２Ｒと同一電気特性を有する。
例えば、図１１において、Ｔ用第２接続端子１１２ＴとＴ用第２外部端子１３２Ｔとは、Ｔ用絶縁層１６０ＴにおけるＴ用第２スルーホール１７２Ｔを介して電気的に接続される。すなわち、図１１において、Ｔ用第２接続手段１４２Ｔは、Ｔ用絶縁層１６０ＴａにおけるＴ用第２スルーホール１７２Ｔａと、Ｔ用絶縁層１６０ＴｂにおけるＴ用第２スルーホール１７２Ｔｂとにより構成されている。

Ｔ用接地用外部端子１５０Ｔは、スルー標準器１００Ｔが検査用ソケット２００に装着された際に、接地された検査プローブ２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６を摺動するプローブ端子の先端と接続される端子である。
Ｔ用基板上面に形成された接地端子１１３Ｔは、スルーホール等の接続手段を介して、Ｔ用接地用外部端子１５０Ｔに接続される。

図１２を参照して、実施の形態１に係るライン標準器１００Ｌの構成について説明する。
図１２Ａは、実施の形態１に係るライン標準器１００Ｌの要部の構成の一例を示す断面図である。
ライン標準器１００Ｌは、半導体基板（以下「Ｌ用基板１０１Ｌ」という。）、２個の接続端子（以下、「Ｌ用第１接続端子１１１Ｌ」及び「Ｌ用第２接続端子１１２Ｌ」という。）、３個の伝送線路（以下、「Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌ」、「Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌ」、及び「Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌ」という。）、２個の外部端子（以下、「Ｌ用第１外部端子１３１Ｌ」及び「Ｌ用第２外部端子１３２Ｌ」という。）、２個の接続手段（以下、「Ｌ用第１接続手段１４１Ｌ」及び「Ｌ用第２接続手段１４２Ｌ」）、絶縁層（以下「Ｌ用絶縁層１６０Ｌ」という。）、並びに、接地用外部端子（以下「Ｌ用接地用外部端子１５０Ｌ」という。）を有する。

ライン標準器１００Ｌは、ＣＳＰ、ＱＦＮパッケージ、又は、ファンアウトパッケージ等のパッケージに収納される。実施の形態１では、一例として、ＣＳＰに収納されたライン標準器１００Ｌについて説明する。
具体的には、ライン標準器１００Ｌにおいて、Ｌ用基板１０１Ｌ、Ｌ用第１接続端子１１１Ｌ、Ｌ用第２接続端子１１２Ｌ、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌ、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌ、Ｌ用第１接続手段１４１Ｌ、及び、Ｌ用第２接続手段１４２Ｌ、及び、Ｌ用絶縁層１６０Ｌは、パッケージの内部に収納される。また、ライン標準器１００Ｌにおいて、Ｌ用第１外部端子１３１Ｌ、Ｌ用第２外部端子１３２Ｌ、及び、Ｌ用接地用外部端子１５０Ｌは、パッケージの表面に形成される。より具体的には、図１２に示すライン標準器１００Ｌは、Ｌ用第１外部端子１３１Ｌ、Ｌ用第２外部端子１３２Ｌ、及び、Ｌ用接地用外部端子１５０Ｌが、パッケージの一表面に形成するＬ用絶縁層１６０Ｌの一表面に形成されている。

より具体的には、図１２に示すＬ用絶縁層１６０Ｌは、一例として、Ｌ用絶縁層１６０Ｌａ及びＬ用絶縁層１６０Ｌｂの２つの絶縁層からなり、Ｌ用第１外部端子１３１Ｌ、Ｌ用第２外部端子１３２Ｌ、及び、Ｌ用接地用外部端子１５０Ｌは、Ｌ用絶縁層１６０Ｌｂの一表面に形成されている。
なお、ライン標準器１００Ｌにおいて、Ｌ用絶縁層１６０Ｌｂは、必須の構成ではなく、ライン標準器１００Ｌは、Ｌ用絶縁層１６０Ｌｂを有していなくても良い。ライン標準器１００ＬがＬ用絶縁層１６０Ｌｂを有していない場合、Ｌ用第１外部端子１３１Ｌ、Ｌ用第２外部端子１３２Ｌ、及び、Ｌ用接地用外部端子１５０Ｌは、例えば、Ｌ用絶縁層１６０Ｌａの一表面に形成される。

Ｌ用第１接続端子１１１Ｌ及びＬ用第２接続端子１１２Ｌは、Ｌ用基板１０１Ｌに形成される。具体的には、Ｌ用第１接続端子１１１Ｌ及びＬ用第２接続端子１１２Ｌは、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒが形成されたＲ用基板１０１Ｒにおける位置に相当するＬ用基板１０１Ｌにおける位置に形成される。例えば、Ｌ用第１接続端子１１１Ｌ及びＬ用第２接続端子１１２Ｌは、Ｌ用基板１０１ＬのＬ用絶縁層１６０Ｌ側の面（以下「Ｌ用基板上面」という。）に形成される。

図１２Ｂは、実施の形態１に係るライン標準器１００ＬにおけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。
なお、図１２Ａは、図１２Ｂに示す直線Ｘ−Ｘ´における断面の一例を示す断面図である。

Ｌ用基板１０１Ｌは、Ｒ用基板１０１Ｒと同一形状の基板である。
Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌは、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒと同一形状を有する。Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌは、Ｌ用基板１０１Ｌに形成される。具体的には、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌは、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒが形成されたＲ用基板１０１Ｒにおける位置に相当するＬ用基板１０１Ｌにおける位置に形成される。例えば、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌは、Ｌ用基板上面に形成される。Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌは、一端がＬ用第１接続端子１１１Ｌと電気的に接続される。
Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌは、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒと同一形状を有する。Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌは、Ｌ用基板１０１Ｌに形成される。具体的には、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌは、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒが形成されたＲ用基板１０１Ｒにおける位置に相当するＬ用基板１０１Ｌにおける位置に形成される。例えば、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌは、Ｌ用基板上面に形成される。Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌは、一端がＬ用第２接続端子１１２Ｌと電気的に接続される。

Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌは、一端がＬ用第１伝送線路１２１Ｌの他端と電気的に接続され、他端がＬ用第２伝送線路１２２Ｌの他端と電気的に接続される。すなわち、Ｌ用第１伝送線路１２１ＬとＬ用第２伝送線路１２２Ｌとは、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌを介して、電気的に接続される。
Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌは、任意の長さであれば良いが、一例として、検査信号の周波数に対して、電気長が９０度になるように構成されたものを用いる。Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌの電気長は、厳密に９０度である必要はなく、９０度は、略９０度を含むものである。
なお、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌは、電気長が２０度から１６０度の範囲であれば、高精度の測定が可能である。
ライン標準器１００Ｌは、Ｌ用基板上面に接地端子１１３Ｌが形成されたものであっても良い。図１２において、接地端子１１３Ｌは、Ｌ用基板上面における周囲に複数配置されている。

Ｌ用第１外部端子１３１Ｌ及びＬ用第２外部端子１３２Ｌは、ライン標準器１００Ｌが検査用ソケット２００に装着された際に、検査プローブ２０２−１又は検査プローブ２０２−２を摺動するプローブ端子の先端と接続される端子であり、ライン標準器１００Ｌと検査装置との間で検査信号を送受信させるための端子である。
検査プローブ２０２−１，２０２−２の位置は、金属筐体２０１に対して予め決められた位置に固定されているため、Ｌ用第１外部端子１３１Ｌ及びＬ用第２外部端子１３２Ｌは、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒ及びＲ用第２外部端子１３２Ｒが配置されたリフレクト標準器１００Ｒにおける位置に相当するライン標準器１００Ｌにおける位置に配置される。

Ｌ用第１接続手段１４１Ｌは、Ｌ用第１接続端子１１１ＬとＬ用第１外部端子１３１Ｌとを電気的に接続する。Ｌ用第１接続手段１４１Ｌは、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒと同一電気特性を有する。
例えば、図１２において、Ｌ用第１接続端子１１１ＬとＬ用第１外部端子１３１Ｌとは、Ｌ用絶縁層１６０ＬにおけるＬ用第１スルーホール１７１Ｌを介して電気的に接続される。すなわち、図１２において、Ｌ用第１接続手段１４１Ｌは、Ｌ用絶縁層１６０ＬａにおけるＬ用第１スルーホール１７１Ｌａと、Ｌ用絶縁層１６０ＬｂにおけるＬ用第１スルーホール１７１Ｌｂとにより構成されている。

Ｌ用第２接続手段１４２Ｌは、Ｌ用第２接続端子１１２ＬとＬ用第２外部端子１３２Ｌとを電気的に接続する。Ｌ用第２接続手段１４２Ｌは、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒと同一電気特性を有する。
例えば、図１２において、Ｌ用第２接続端子１１２ＬとＬ用第２外部端子１３２Ｌとは、Ｌ用絶縁層１６０ＬにおけるＬ用第２スルーホール１７２Ｌを介して電気的に接続される。すなわち、図１２において、Ｌ用第２接続手段１４２Ｌは、Ｌ用絶縁層１６０ＬａにおけるＬ用第２スルーホール１７２Ｌａと、Ｌ用絶縁層１６０ＬｂにおけるＬ用第２スルーホール１７２Ｌｂとにより構成されている。

Ｌ用接地用外部端子１５０Ｌは、ライン標準器１００Ｌが検査用ソケット２００に装着された際に、接地された検査プローブ２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６を摺動するプローブ端子の先端と接続される端子である。
Ｌ用基板上面に形成された接地端子１１３Ｌは、スルーホール等の接続手段を介して、Ｌ用接地用外部端子１５０Ｌに接続される。

図１３及び図１４を参照して、図１２に示すライン標準器１００Ｌの構成の変形例について説明する。
図１３は、実施の形態１に係るライン標準器１００ＬにおけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。
図１４は、実施の形態１に係るライン標準器１００ＬにおけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。

図１３及び図１４に示すライン標準器１００Ｌは、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌの形状が、図１２に示すライン標準器１００ＬのＬ用第３伝送線路１２３Ｌの形状と異なるものである。
図１３に示すＬ用第３伝送線路１２３Ｌは、図１２に示すＬ用第３伝送線路１２３Ｌの屈曲部における角にあたる部位を直線状に取り除いたものである。Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌの形状を図１３に示すような形状にすることにより、寄生成分による電磁波の反射を抑圧でき、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌの電気特性を向上させることができる。
図１４に示すＬ用第３伝送線路１２３Ｌは、図１２に示すＬ用第３伝送線路１２３Ｌの屈曲部における角にあたる部位を、弧状に取り除いたものである。Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌの形状を図１４に示すような形状にすることにより、寄生成分による電磁波の反射を抑圧でき、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌの電気特性を向上させることができる。

図１５を参照して、図９に示すリフレクト標準器１００ＲにおけるＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒの配置の変形例について説明する。
図１６を参照して、図１２に示すライン標準器１００ＬにおけるＬ用第１伝送線路１２１Ｌ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌ、及びＬ用第３伝送線路１２３Ｌの配置の変形例について説明する。
図１５は、実施の形態１に係るリフレクト標準器１００ＲにおけるＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２ＲのＲ用基板上面における配置の一例を示す図である。
図１６は、実施の形態１に係るライン標準器１００ＬにおけるＬ用第１伝送線路１２１Ｌ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌ、及びＬ用第３伝送線路１２３ＬのＬ用基板上面における配置の一例を示す図である。

図１５に示すＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒは、図９に示すＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒのそれぞれの他端同士が近付くように、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒを任意の回転角だけ回転させるように配置したものである。
図１６に示すライン標準器１００Ｌは、図１５に示すリフレクト標準器１００ＲにＬ用第３伝送線路１２３Ｌを追加して、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌの他端と、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌの他端とが、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌを介して電気的に接続されるように構成されたものである。
Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌ、及びＬ用第３伝送線路１２３Ｌを、図１６に示すように配置することにより、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌの屈曲部の角度が、図１２に示すＬ用第３伝送線路１２３Ｌの屈曲部と比較して緩やかになり、図１２に示すＬ用第３伝送線路１２３Ｌの屈曲部における寄生成分と比較して屈曲部における寄生成分を緩和することができる。

図１７を参照して、図９に示すリフレクト標準器１００ＲにおけるＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒの配置の変形例について説明する。
図１８を参照して、図１２に示すライン標準器１００ＬにおけるＬ用第１伝送線路１２１Ｌ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌ、及びＬ用第３伝送線路１２３Ｌの配置の変形例について説明する。
図１７は、実施の形態１に係るリフレクト標準器１００ＲにおけるＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２ＲのＲ用基板上面における配置の一例を示す図である。
図１８は、実施の形態１に係るライン標準器１００ＬにおけるＬ用第１伝送線路１２１Ｌ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌ、及びＬ用第３伝送線路１２３ＬのＬ用基板上面における配置の一例を示す図である。

図１７に示すＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒは、図９に示すＲ用第１伝送線路１２１Ｒ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒが、Ｒ用第１接続端子１１１ＲとＲ用第２接続端子１１２Ｒとを結ぶ直線に対して基板上面の反対側に、互いに平行になるように配置されたものである。
図１８に示すライン標準器１００Ｌは、図１７に示すリフレクト標準器１００ＲにＬ用第３伝送線路１２３Ｌを追加して、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌの他端と、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌの他端とが、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌを介して電気的に接続されるように構成されたものである。
ライン標準器１００Ｌが有するＬ用第１伝送線路１２１Ｌ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌ、及びＬ用第３伝送線路１２３Ｌを、図１８に示すように配置することにより、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌの長さが、図１２に示すＬ用第３伝送線路１２３Ｌの長さと比較して長くなり、検査信号の周波数が低い場合に高精度の測定が可能となる。

以上のように、ＴＲＬ校正装置１００は、パッケージに収納され、Ｒ用基板１０１Ｒと、Ｒ用基板１０１Ｒに形成されたＲ用第１接続端子１１１Ｒ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒと、Ｒ用基板１０１Ｒに形成され、一端がＲ用第１接続端子１１１Ｒと電気的に接続され、他端が開放端であるＲ用第１伝送線路１２１Ｒと、Ｒ用基板１０１Ｒに形成され、一端がＲ用第２接続端子１１２Ｒと電気的に接続され、他端が開放端であり、当該一端から当該他端までの距離と、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒの一端からＲ用第１伝送線路１２１Ｒの他端までの距離との和が、Ｒ用第１接続端子１１１ＲからＲ用第２接続端子１１２Ｒまでの距離に相当するＲ用第２伝送線路１２２Ｒと、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒと、Ｒ用第２外部端子１３２Ｒと、Ｒ用第１接続端子１１１ＲとＲ用第１外部端子１３１Ｒとを電気的に接続するＲ用第１接続手段１４１Ｒと、Ｒ用第２接続端子１１２ＲとＲ用第２外部端子１３２Ｒとを電気的に接続するＲ用第２接続手段１４２Ｒと、を有するリフレクト標準器１００Ｒ、パッケージ内に収納され、Ｒ用基板１０１Ｒと同一形状のＴ用基板１０１Ｔと、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒが形成されたＲ用基板１０１Ｒにおける位置に相当するＴ用基板１０１Ｔにおける位置に形成されたＴ用第１接続端子１１１Ｔ及びＴ用第２接続端子１１２Ｔと、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒと同一形状を有し、Ｔ用基板１０１Ｔに形成され、一端がＴ用第１接続端子１１１Ｔと電気的に接続されるＴ用第１伝送線路１２１Ｔと、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒと同一形状を有し、Ｔ用基板１０１Ｔに形成され、一端がＴ用第２接続端子１１２Ｔと電気的に接続され、他端がＴ用第１伝送線路１２１Ｔの他端に接続されるＴ用第２伝送線路１２２Ｔと、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒ及びＲ用第２外部端子１３２Ｒが配置されたリフレクト標準器１００Ｒにおける位置に相当する位置に配置されたＴ用第１外部端子１３１Ｔ及びＴ用第２外部端子１３２Ｔと、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒと同一電気特性を有し、Ｔ用第１接続端子１１１ＴとＴ用第１外部端子１３１Ｔとを電気的に接続するＴ用第１接続手段１４１Ｔと、Ｒ用第２接続手段１４２Ｒと同一電気特性を有し、Ｔ用第２接続端子１１２ＴとＴ用第２外部端子１３２Ｔとを電気的に接続するＴ用第２接続手段１４２Ｔと、を有するスルー標準器１００Ｔ、並びに、パッケージ内に収納され、Ｒ用基板１０１Ｒと同一形状のＬ用基板１０１Ｌと、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒが形成されたＲ用基板１０１Ｒにおける位置に相当するＬ用基板１０１Ｌにおける位置に形成されたＬ用第１接続端子１１１Ｌ及びＬ用第２接続端子１１２Ｌと、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒと同一形状を有し、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒが形成されたＲ用基板１０１Ｒにおける位置に相当するＬ用基板１０１Ｌにおける位置に形成され、一端がＬ用第１接続端子１１１Ｌと電気的に接続されるＬ用第１伝送線路１２１Ｌと、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒと同一形状を有し、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒが形成されたＲ用基板１０１Ｒにおける位置に相当するＬ用基板１０１Ｌにおける位置に形成され、一端がＬ用第２接続端子１１２Ｌと電気的に接続されるＬ用第２伝送線路１２２Ｌと、一端がＬ用第１伝送線路１２１Ｌの他端と電気的に接続され、他端がＬ用第２伝送線路１２２Ｌの他端と電気的に接続されるＬ用第３伝送線路１２３Ｌと、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒ及びＲ用第２外部端子１３２Ｒが配置されたリフレクト標準器１００Ｒにおける位置に相当する位置に配置されたＬ用第１外部端子１３１Ｌ及びＬ用第２外部端子１３２Ｌと、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒと同一電気特性を有し、Ｌ用第１接続端子１１１ＬとＬ用第１外部端子１３１Ｌとを電気的に接続するＬ用第１接続手段１４１Ｌと、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒと同一電気特性を有し、Ｌ用第２接続端子１１２ＬとＬ用第２外部端子１３２Ｌとを電気的に接続するＬ用第２接続手段１４２Ｌと、を有するライン標準器１００Ｌ、を備えた。

このように構成することにより、スルー標準器１００Ｔ、リフレクト標準器１００Ｒ、及びライン標準器１００Ｌのそれぞれの外部端子の位置を同じ位置に配置しつつ、校正精度を向上させることができる。
また、このように構成されたスルー標準器１００Ｔ、リフレクト標準器１００Ｒ、及びライン標準器１００Ｌを備えたＴＲＬ校正装置１００を用いてＴＲＬ校正を行うことにより、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒの他端とを基準面とするＳパラメータが高精度で測定可能になる。
また、スルー標準器１００Ｔ、リフレクト標準器１００Ｒ、及びライン標準器１００Ｌを検査用ソケット２００に装着してＴＲＬ校正を行うことにより、プローブ端子は、信号導体２０４−１，２０４−２の電気特性による影響についても同時に高精度で校正することができる。したがって、半導体パッケージ３００の電気特性の検査において、従来の検査よりも高精度な検査を行うことが可能になる。

なお、実施の形態１に係るスルー標準器１００Ｔ、リフレクト標準器１００Ｒ、及びライン標準器１００Ｌは、一例として、ＣＳＰに収納された形態について説明したが、スルー標準器１００Ｔ、リフレクト標準器１００Ｒ、及びライン標準器１００Ｌが収納されるパッケージは、ＣＳＰに限定されるものではない。スルー標準器１００Ｔ、リフレクト標準器１００Ｒ、及びライン標準器１００Ｌは、ＱＦＮパッケージ又はファンアウトパッケージ等のパッケージに収納されたものであっても良い。
また、これまでの説明において、半導体パッケージ３００は、半導体基板３０２を備えるものとして説明したが、これに限るものではない。例えば、半導体パッケージ３００は、半導体基板３０２に替えて、一般的な回路基板を備えたものであっても良い。同様に、スルー標準器１００Ｔ、リフレクト標準器１００Ｒ、及びライン標準器１００Ｌは、それぞれ、半導体基板（Ｔ用基板１０１Ｔ、Ｒ用基板１０１Ｒ、又はＬ用基板１０１Ｌ）をを備えるものとして説明したが、これに限るものではない。例えば、スルー標準器１００Ｔ、リフレクト標準器１００Ｒ、及びライン標準器１００Ｌは、それぞれ、半導体基板に替えて、一般的な回路基板を備えたものであっても良い。

実施の形態２．
図１９から図２４を参照して、実施の形態２に係るＴＲＬ校正装置１００ａについて説明する。
図１９を参照して、実施の形態２に係るＴＲＬ校正装置１００ａの構成について説明する。
図１９は、実施の形態２に係るＴＲＬ校正装置１００ａの要部の構成の一例を示すブロック図である。
実施の形態２に係るＴＲＬ校正装置１００ａは、リフレクト標準器１００Ｒａ、スルー標準器１００Ｔａ、及びライン標準器１００Ｌａを備える。
ＴＲＬ校正が行われる際、リフレクト標準器１００Ｒａ、スルー標準器１００Ｔａ、及びライン標準器１００Ｌａは、順次、検査用ソケット２００に装着される。

図２０を参照して、実施の形態２に係るリフレクト標準器１００Ｒａの構成について説明する。
図２０Ａは、実施の形態２に係るリフレクト標準器１００Ｒａの要部の構成の一例を示す断面図である。
リフレクト標準器１００Ｒａは、Ｒ用基板１０１Ｒａ、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒａ、Ｒ用第２接続端子１１２Ｒａ、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａ、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａ、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒａ、Ｒ用第２外部端子１３２Ｒａ、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒａ、Ｒ用第２接続手段１４２Ｒａ、Ｒ用樹脂モールド１９０Ｒａ、及び、Ｒ用接地用外部端子１５０Ｒａを有する。

リフレクト標準器１００Ｒａは、ＣＳＰ、ＱＦＮパッケージ、又は、ファンアウトパッケージ等のパッケージに収納される。実施の形態２では、一例として、ＱＦＮパッケージに収納されたリフレクト標準器１００Ｒａについて説明する。
具体的には、リフレクト標準器１００Ｒａにおいて、Ｒ用基板１０１Ｒａ、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒａ、Ｒ用第２接続端子１１２Ｒａ、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａ、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａ、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒａ、Ｒ用第２接続手段１４２Ｒａ、及び、Ｒ用樹脂モールド１９０Ｒａは、パッケージの内部に収納される。また、リフレクト標準器１００Ｒａにおいて、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒａ、Ｒ用第２外部端子１３２Ｒａ、及び、Ｒ用接地用外部端子１５０Ｒａは、パッケージの表面に形成される。より具体的には、図２０に示すリフレクト標準器１００Ｒａは、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒａ及びＲ用第２外部端子１３２Ｒａが、パッケージの一表面を形成するＲ用樹脂モールド１９０Ｒａの一表面に形成され、Ｒ用接地用外部端子１５０Ｒａが、Ｒ用樹脂モールド１９０Ｒａの一表面、又はパッケージの一表面を形成するＲ用基板１０１Ｒａの一表面（以下「Ｒ用基板下面」）に形成されている。

Ｒ用第１接続端子１１１Ｒａ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒａは、Ｒ用基板１０１Ｒａに形成される。例えば、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒａ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒａは、Ｒ用基板１０１ＲａのＲ用基板下面に対向する他面（以下「Ｒ用基板上面」という。）に形成される。

図２０Ｂは、実施の形態２に係るリフレクト標準器１００ＲａにおけるＲ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。
なお、図２０Ａは、図２０Ｂに示す直線Ｘ−Ｘ´における断面の一例を示す断面図である。

Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａは、Ｒ用基板１０１Ｒａに形成される。例えば、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａは、Ｒ用基板上面に形成される。Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａは、一端がＲ用第１接続端子１１１Ｒａと電気的に接続され、他端が開放端である。

Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａは、Ｒ用基板１０１Ｒａに形成される。例えば、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａは、Ｒ用基板上面に形成される。Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａは、一端がＲ用第２接続端子１１２Ｒａと電気的に接続され、他端が開放端である。Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａは、一端から他端までの距離が、一端からＲ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端までの距離に相当し、且つ、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを結ぶ直線から他端までの距離が、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを結ぶ直線からＲ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端までの距離に相当するものである。
すなわち、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａは、Ｒ用基板上面において、図２０Ｂに示す直線Ｘ−Ｘ´に対して、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａ又はＲ用第２伝送線路１２２Ｒａが、線対称の形状を有し、且つ、線対称の位置になるように配置された場合、Ｒ用第１伝送線路１２１ＲａとＲ用第２伝送線路１２２Ｒａとが両端部を介して電気的に接続されるように構成されたものである。

Ｒ用第１外部端子１３１Ｒａ及びＲ用第２外部端子１３２Ｒａは、リフレクト標準器１００Ｒａが検査用ソケット２００に装着された際に、検査プローブ２０２−１又は検査プローブ２０２−２を摺動するプローブ端子の先端と接続される端子であり、リフレクト標準器１００Ｒａと検査装置との間で検査信号を送受信させるための端子である。

Ｒ用第１接続手段１４１Ｒａは、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第１外部端子１３１Ｒａとを電気的に接続する。
例えば、図２０において、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第１外部端子１３１Ｒａとは、Ｒ用第１ワイヤ１８１Ｒａを介して電気的に接続される。すなわち、図２０において、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒａは、Ｒ用第１ワイヤ１８１Ｒａにより構成されている。

Ｒ用第２接続手段１４２Ｒａは、Ｒ用第２接続端子１１２ＲａとＲ用第２外部端子１３２Ｒａとを電気的に接続する。
例えば、図２０において、Ｒ用第２接続端子１１２ＲａとＲ用第２外部端子１３２Ｒａとは、Ｒ用第２ワイヤ１８２Ｒａを介して電気的に接続される。すなわち、図２０において、Ｒ用第２接続手段１４２Ｒａは、Ｒ用第２ワイヤ１８２Ｒａにより構成されている。

Ｒ用接地用外部端子１５０Ｒａは、リフレクト標準器１００Ｒａが検査用ソケット２００に装着された際に、接地された検査プローブ２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６を摺動するプローブ端子の先端と接続される端子である。
図２０Ｂに示すようにＲ用第１伝送線路１２１Ｒａ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａを配置することで、リフレクト標準器１００Ｒａが有するＲ用第１伝送線路１２１Ｒａ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａは、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの他端との間の距離をＲ用基板上面において離すことができる。このため、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの他端との間の寄生成分を低減させることができる。

図２１を参照して、実施の形態２に係るスルー標準器１００Ｔａの構成について説明する。
図２１Ａは、実施の形態２に係るスルー標準器１００Ｔａの要部の構成の一例を示す断面図である。
スルー標準器１００Ｔａは、Ｔ用基板１０１Ｔａ、Ｔ用第１接続端子１１１Ｔａ、Ｔ用第２接続端子１１２Ｔａ、Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔａ、Ｔ用第２伝送線路１２２Ｔａ、Ｔ用第１外部端子１３１Ｔａ、Ｔ用第２外部端子１３２Ｔａ、Ｔ用第１接続手段１４１Ｔａ、Ｔ用第２接続手段１４２Ｔａ、Ｔ用樹脂モールド１９０Ｔａ、及び、Ｔ用接地用外部端子１５０Ｔａを有する。

スルー標準器１００Ｔａは、ＣＳＰ、ＱＦＮパッケージ、又は、ファンアウトパッケージ等のパッケージに収納される。実施の形態２では、一例として、ＱＦＮパッケージに収納されたスルー標準器１００Ｔａについて説明する。
具体的には、スルー標準器１００Ｔａにおいて、Ｔ用基板１０１Ｔａ、Ｔ用第１接続端子１１１Ｔａ、Ｔ用第２接続端子１１２Ｔａ、Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔａ、Ｔ用第２伝送線路１２２Ｔａ、Ｔ用第１接続手段１４１Ｔａ、Ｔ用第２接続手段１４２Ｔａ、及び、Ｔ用樹脂モールド１９０Ｔａは、パッケージの内部に収納される。また、スルー標準器１００Ｔａにおいて、Ｔ用第１外部端子１３１Ｔａ、Ｔ用第２外部端子１３２Ｔａ、及び、Ｔ用接地用外部端子１５０Ｔａは、パッケージの表面に形成される。より具体的には、図２１に示すスルー標準器１００Ｔａは、Ｔ用第１外部端子１３１Ｔａ及びＴ用第２外部端子１３２Ｔａが、パッケージの一表面を形成するＴ用樹脂モールド１９０Ｔａの一表面に形成され、Ｔ用接地用外部端子１５０Ｔａが、Ｔ用樹脂モールド１９０Ｔａの一表面、又はパッケージの一表面を形成するＴ用基板１０１Ｔａの一表面（以下「Ｔ用基板下面」）に形成されている。

Ｔ用基板１０１Ｔａは、Ｒ用基板１０１Ｒａと同一形状の基板である。
Ｔ用第１接続端子１１１Ｔａ及びＴ用第２接続端子１１２Ｔａは、Ｔ用基板１０１Ｔａに形成される。具体的には、Ｔ用第１接続端子１１１Ｔａ及びＴ用第２接続端子１１２Ｔａは、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒａ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒａが形成されたＲ用基板１０１Ｒａにおける位置に相当するＴ用基板１０１Ｔａにおける位置に形成される。例えば、Ｔ用第１接続端子１１１Ｔａ及びＴ用第２接続端子１１２Ｔａは、Ｔ用基板１０１ＴａのＴ用基板下面に対向する他面（以下「Ｔ用基板上面」という。）に形成される。

図２１Ｂは、実施の形態２に係るスルー標準器１００ＴａにおけるＴ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。
なお、図２１Ａは、図２１Ｂに示す直線Ｘ−Ｘ´における断面の一例を示す断面図である。

Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔａは、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａと同一形状、又は、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを結ぶ直線に対してＲ用第１伝送線路１２１Ｒａと線対称の形状である対称形状を有する。Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔａは、Ｔ用基板１０１Ｔａに形成される。例えば、Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔａは、Ｔ用基板上面に形成される。Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔａは、一端がＴ用第１接続端子１１１Ｔａと電気的に接続される。

Ｔ用第２伝送線路１２２Ｔａは、Ｔ用第１伝送線路１２１ＴａがＲ用第１伝送線路１２１Ｒａと同一形状である場合は、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを結ぶ直線に対してＲ用第２伝送線路１２２Ｒａと線対称の形状である対称形状を有する。また、Ｔ用第２伝送線路１２２Ｔａは、Ｔ用第１伝送線路１２１ＴａがＲ用第１伝送線路１２１Ｒａと対称形状である場合は、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａと同一形状を有する。Ｔ用第２伝送線路１２２Ｔａは、Ｔ用基板１０１Ｔａに形成される。例えば、Ｔ用第２伝送線路１２２Ｔａは、Ｔ用基板上面に形成される。Ｔ用第２伝送線路１２２Ｔａは、一端がＴ用第２接続端子１１２Ｔａと電気的に接続され、他端がＴ用第１伝送線路１２１Ｔａの他端に接続される。

Ｔ用第１外部端子１３１Ｔａ及びＴ用第２外部端子１３２Ｔａは、スルー標準器１００Ｔａが検査用ソケット２００に装着された際に、検査プローブ２０２−１又は検査プローブ２０２−２を摺動するプローブ端子の先端と接続される端子であり、スルー標準器１００Ｔａと検査装置との間で検査信号を送受信させるための端子である。
検査プローブ２０２−１，２０２−２の位置は、金属筐体２０１に対して予め決められた位置に固定されているため、Ｔ用第１外部端子１３１Ｔａ及びＴ用第２外部端子１３２Ｔａは、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒａ及びＲ用第２外部端子１３２Ｒａが配置されたリフレクト標準器１００Ｒａにおける位置に相当するスルー標準器１００Ｔａにおける位置に配置される。

Ｔ用第１接続手段１４１Ｔａは、Ｔ用第１接続端子１１１ＴａとＴ用第１外部端子１３１Ｔａとを電気的に接続する。Ｔ用第１接続手段１４１Ｔａは、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒａと同一電気特性を有する。
例えば、図２１において、Ｔ用第１接続端子１１１ＴａとＴ用第１外部端子１３１Ｔａとは、Ｔ用第１ワイヤ１８１Ｔａを介して電気的に接続される。すなわち、図２１において、Ｔ用第１接続手段１４１Ｔａは、Ｔ用第１ワイヤ１８１Ｔａにより構成されている。

Ｔ用第２接続手段１４２Ｔａは、Ｔ用第２接続端子１１２ＴａとＴ用第２外部端子１３２Ｔａとを電気的に接続する。Ｔ用第２接続手段１４２Ｔａは、Ｒ用第２接続手段１４２Ｒａと同一電気特性を有する。
例えば、図２１において、Ｔ用第２接続端子１１２ＴａとＴ用第２外部端子１３２Ｔａとは、Ｔ用第２ワイヤ１８２Ｔａを介して電気的に接続される。すなわち、図２１において、Ｔ用第２接続手段１４２Ｔａは、Ｔ用第２ワイヤ１８２Ｔａにより構成されている。

Ｔ用接地用外部端子１５０Ｔａは、スルー標準器１００Ｔａが検査用ソケット２００に装着された際に、接地された検査プローブ２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６を摺動するプローブ端子の先端と接続される端子である。

図２２を参照して、実施の形態２に係るライン標準器１００Ｌａの構成について説明する。
図２２Ａは、実施の形態２に係るライン標準器１００Ｌａの要部の構成の一例を示す断面図である。
ライン標準器１００Ｌａは、Ｌ用基板１０１Ｌａ、Ｌ用第１接続端子１１１Ｌａ、Ｌ用第２接続端子１１２Ｌａ、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａ、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ、Ｌ用第１外部端子１３１Ｌａ、Ｌ用第２外部端子１３２Ｌａ、Ｌ用第１接続手段１４１Ｌａ、Ｌ用第２接続手段１４２Ｌａ、Ｌ用樹脂モールド１９０Ｌａ、及び、Ｌ用接地用外部端子１５０Ｌａを有する。

ライン標準器１００Ｌａは、ＣＳＰ、ＱＦＮパッケージ、又は、ファンアウトパッケージ等のパッケージに収納される。実施の形態２では、一例として、ＱＦＮパッケージに収納されたライン標準器１００Ｌａについて説明する。
具体的には、ライン標準器１００Ｌａにおいて、Ｌ用基板１０１Ｌａ、Ｌ用第１接続端子１１１Ｌａ、Ｌ用第２接続端子１１２Ｌａ、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａ、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ、Ｌ用第１接続手段１４１Ｌａ、Ｌ用第２接続手段１４２Ｌａ、及び、Ｌ用樹脂モールド１９０Ｌａは、パッケージの内部に収納される。また、ライン標準器１００Ｌａにおいて、Ｌ用第１外部端子１３１Ｌａ、Ｌ用第２外部端子１３２Ｌａ、及び、Ｌ用接地用外部端子１５０Ｌａは、パッケージの表面に形成される。より具体的には、図２２に示すライン標準器１００Ｌａは、Ｌ用第１外部端子１３１Ｌａ及びＬ用第２外部端子１３２Ｌａが、パッケージの一表面を形成するＬ用樹脂モールド１９０Ｌａの一表面に形成され、Ｌ用接地用外部端子１５０Ｌａが、Ｌ用樹脂モールド１９０Ｌａの一表面、又はパッケージの一表面を形成するＬ用基板１０１Ｌａの一表面（以下「Ｔ用基板下面」）に形成されている。

Ｌ用第１接続端子１１１Ｌａ及びＬ用第２接続端子１１２Ｌａは、Ｌ用基板１０１Ｌａに形成される。具体的には、Ｌ用第１接続端子１１１Ｌａ及びＬ用第２接続端子１１２Ｌａは、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒａ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒａが形成されたＲ用基板１０１Ｒａにおける位置に相当するＬ用基板１０１Ｌａにおける位置に形成される。例えば、Ｌ用第１接続端子１１１Ｌａ及びＬ用第２接続端子１１２Ｌａは、Ｌ用基板１０１ＬａのＬ用基板下面に対向する他面（以下「Ｌ用基板上面」という。）に形成される。

図２２Ｂは、実施の形態２に係るライン標準器１００ＬａにおけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。
なお、図２２Ａは、図２２Ｂに示す直線Ｘ−Ｘ´における断面の一例を示す断面図である。

Ｌ用基板１０１Ｌａは、Ｒ用基板１０１Ｒａと同一形状の基板である。
Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａは、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａと同一形状を有する。Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａは、Ｌ用基板１０１Ｌａに形成される。具体的には、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａは、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａが形成されたＲ用基板１０１Ｒａにおける位置に相当するＬ用基板１０１Ｌａにおける位置に形成される。例えば、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａは、Ｌ用基板上面に形成される。Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａは、一端がＬ用第１接続端子１１１Ｌａと電気的に接続される。
Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａは、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａと同一形状を有する。Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａは、Ｌ用基板１０１Ｌａに形成される。具体的には、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａは、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａが形成されたＲ用基板１０１Ｒａにおける位置に相当するＬ用基板１０１Ｌａにおける位置に形成される。例えば、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａは、Ｌ用基板上面に形成される。Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａは、一端がＬ用第２接続端子１１２Ｌａと電気的に接続される。

Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａは、一端がＬ用第１伝送線路１２１Ｌａの他端と電気的に接続され、他端がＬ用第２伝送線路１２２Ｌａの他端と電気的に接続される。すなわち、Ｌ用第１伝送線路１２１ＬａとＬ用第２伝送線路１２２Ｌａとは、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａを介して、電気的に接続される。
Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａは、任意の長さであれば良いが、一例として、検査信号の周波数に対して、電気長が９０度になるように構成されたものを用いる。Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａの電気長は、厳密に９０度である必要はなく、９０度は、略９０度を含むものである。
なお、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａは、電気長が２０度から１６０度の範囲であれば、高精度の測定が可能である。

Ｌ用第１外部端子１３１Ｌａ及びＬ用第２外部端子１３２Ｌａは、ライン標準器１００Ｌａが検査用ソケット２００に装着された際に、検査プローブ２０２−１又は検査プローブ２０２−２を摺動するプローブ端子の先端と接続される端子であり、ライン標準器１００Ｌａと検査装置との間で検査信号を送受信させるための端子である。
検査プローブ２０２−１，２０２−２の位置は、金属筐体２０１に対して予め決められた位置に固定されているため、Ｌ用第１外部端子１３１Ｌａ及びＬ用第２外部端子１３２Ｌａは、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒａ及びＲ用第２外部端子１３２Ｒａが配置されたリフレクト標準器１００Ｒａにおける位置に相当するライン標準器１００Ｌａにおける位置に配置される。

Ｌ用第１接続手段１４１Ｌａは、Ｌ用第１接続端子１１１ＬａとＬ用第１外部端子１３１Ｌａとを電気的に接続する。Ｌ用第１接続手段１４１Ｌａは、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒａと同一電気特性を有する。
例えば、図２２において、Ｌ用第１接続端子１１１ＬａとＬ用第１外部端子１３１Ｌａとは、Ｌ用第１ワイヤ１８１Ｌａを介して電気的に接続される。すなわち、図２２において、Ｌ用第１接続手段１４１Ｌａは、Ｌ用第１ワイヤ１８１Ｌａにより構成されている。

Ｌ用第２接続手段１４２Ｌａは、Ｌ用第２接続端子１１２ＬａとＬ用第２外部端子１３２Ｌａとを電気的に接続する。Ｌ用第２接続手段１４２Ｌａは、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒａと同一電気特性を有する。
例えば、図２２において、Ｌ用第２接続端子１１２ＬａとＬ用第２外部端子１３２Ｌａとは、Ｌ用第２ワイヤ１８２Ｌａを介して電気的に接続される。すなわち、図２２において、Ｌ用第２接続手段１４２Ｌａは、Ｌ用第２ワイヤ１８２Ｌａにより構成されている。

Ｌ用接地用外部端子１５０Ｌａは、ライン標準器１００Ｌａが検査用ソケット２００に装着された際に、接地された検査プローブ２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６を摺動するプローブ端子の先端と接続される端子である。

図２３及び図２４を参照して、図２０に示すリフレクト標準器１００Ｒａの構成の変形例、図２１に示すスルー標準器１００Ｔａの構成の変形例、及び、図２２に示すライン標準器１００Ｌａの構成の変形例について説明する。
図２３Ａは、実施の形態２に係るリフレクト標準器１００ＲａにおけるＲ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。
図２３Ｂは、実施の形態２に係るスルー標準器１００ＴａにおけるＴ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。
図２３Ｃは、実施の形態２に係るライン標準器１００ＬａにおけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。

図２４Ａは、実施の形態２に係るリフレクト標準器１００ＲａにおけるＲ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。
図２４Ｂは、実施の形態２に係るスルー標準器１００ＴａにおけるＴ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。
図２４Ｃは、実施の形態２に係るライン標準器１００ＬａにおけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。

図２３Ａ及び図２４Ａに示すリフレクト標準器１００Ｒａは、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの形状が、図２０に示すリフレクト標準器１００ＲａのＲ用第１伝送線路１２１Ｒａ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの形状と異なるものである。
図２３Ｂ及び図２４Ｂに示すスルー標準器１００Ｔａは、Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔａ及びＴ用第２伝送線路１２２Ｔａの形状が、図２１に示すスルー標準器１００ＴａのＴ用第１伝送線路１２１Ｔａ及びＴ用第２伝送線路１２２Ｔａの形状と異なるものである。
図２３Ｃ及び図２４Ｃに示すライン標準器１００Ｌａは、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａ、及びＬ用第３伝送線路１２３Ｌａの形状が、図２２に示すライン標準器１００ＬａのＬ用第１伝送線路１２１Ｌａ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａ、及びＬ用第３伝送線路１２３Ｌａの形状と異なるものである。

図２３Ａに示すリフレクト標準器１００Ｒａは、図２０に示すリフレクト標準器１００ＲａのＲ用第１伝送線路１２１Ｒａ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの屈曲部における角にあたる部位を直線状に取り除いたものである。Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの形状を図２３Ａに示すような形状にすることにより、寄生成分による電磁波の反射を抑圧でき、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの電気特性を向上させることができる。

図２３Ｂに示すスルー標準器１００Ｔａは、図２１に示すスルー標準器１００ＴａのＴ用第１伝送線路１２１Ｔａ及びＴ用第２伝送線路１２２Ｔａの屈曲部における角にあたる部位を直線状に取り除いたものである。Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔａ及びＴ用第２伝送線路１２２Ｔａの形状を図２３Ｂに示すような形状にすることにより、寄生成分による電磁波の反射を抑圧でき、Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔａ及びＴ用第２伝送線路１２２Ｔａの電気特性を向上させることができる。

図２３Ｃに示すライン標準器１００Ｌａは、図２２に示すライン標準器１００ＬａのＬ用第１伝送線路１２１Ｌａ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａ、及びＬ用第３伝送線路１２３Ｌａの屈曲部における角にあたる部位を直線状に取り除いたものである。Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａ、及びＬ用第３伝送線路１２３Ｌａの形状を図２３Ｃに示すような形状にすることにより、寄生成分による電磁波の反射を抑圧でき、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａ、及びＬ用第３伝送線路１２３Ｌａの電気特性を向上させることができる。

図２４Ａに示すリフレクト標準器１００Ｒａは、図２０に示すリフレクト標準器１００ＲａのＲ用第１伝送線路１２１Ｒａ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの屈曲部における角にあたる部位を、弧状に取り除いたものである。Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの形状を図２４Ａに示すような形状にすることにより、寄生成分による電磁波の反射を抑圧でき、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの電気特性を向上させることができる。

図２４Ｂに示すスルー標準器１００Ｔａは、図２１に示すスルー標準器１００ＴａのＴ用第１伝送線路１２１Ｔａ及びＴ用第２伝送線路１２２Ｔａの屈曲部における角にあたる部位を、弧状に取り除いたものである。Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔａ及びＴ用第２伝送線路１２２Ｔａの形状を図２４Ｂに示すような形状にすることにより、寄生成分による電磁波の反射を抑圧でき、Ｔ用第１伝送線路１２１Ｔａ及びＴ用第２伝送線路１２２Ｔａの電気特性を向上させることができる。

図２４Ｃに示すライン標準器１００Ｌａは、図２２に示すライン標準器１００ＬａのＬ用第１伝送線路１２１Ｌａ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａ、及びＬ用第３伝送線路１２３Ｌａの屈曲部における角にあたる部位を、弧状に取り除いたものである。Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａ、及びＬ用第３伝送線路１２３Ｌａの形状を図２４Ｃに示すような形状にすることにより、寄生成分による電磁波の反射を抑圧でき、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａ、及びＬ用第３伝送線路１２３Ｌａの電気特性を向上させることができる。

以上のように、ＴＲＬ校正装置１００ａは、パッケージに収納され、Ｒ用基板１０１Ｒａと、Ｒ用基板１０１Ｒａに形成されたＲ用第１接続端子１１１Ｒａ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒａと、Ｒ用基板１０１Ｒａに形成され、一端がＲ用第１接続端子１１１Ｒａと電気的に接続され、他端が開放端であるＲ用第１伝送線路１２１Ｒａと、Ｒ用基板１０１Ｒａに形成され、一端がＲ用第２接続端子１１２Ｒａと電気的に接続され、他端が開放端であり、当該一端から当該他端までの距離、及び、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを結ぶ直線から当該他端までの距離が、当該一端からＲ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端までの距離、及び、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを結ぶ直線からＲ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端までの距離にそれぞれ相当するＲ用第２伝送線路１２２Ｒａと、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒａと、Ｒ用第２外部端子１３２Ｒａと、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第１外部端子１３１Ｒａとを電気的に接続するＲ用第１接続手段１４１Ｒａと、Ｒ用第２接続端子１１２ＲａとＲ用第２外部端子１３２Ｒａとを電気的に接続するＲ用第２接続手段１４２Ｒａと、を有するリフレクト標準器１００Ｒａ、パッケージ内に収納され、Ｒ用基板１０１Ｒａと同一形状のＴ用基板１０１Ｔａと、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒａ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒａが形成されたＲ用基板１０１Ｒａにおける位置に相当するＴ用基板１０１Ｔａにおける位置に形成されたＴ用第１接続端子１１１Ｔａ及びＴ用第２接続端子１１２Ｔａと、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａと同一形状、又は、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを結ぶ直線に対してＲ用第１伝送線路１２１Ｒａと線対称の形状である対称形状を有し、Ｔ用基板１０１Ｔａに形成され、一端がＴ用第１接続端子１１１Ｔａと電気的に接続されるＴ用第１伝送線路１２１Ｔａと、Ｔ用第１伝送線路１２１ＴａがＲ用第１伝送線路１２１Ｒａと同一形状である場合は、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを結ぶ直線に対してＲ用第２伝送線路１２２Ｒａと線対称の形状である対称形状を有し、Ｔ用第１伝送線路１２１ＴａがＲ用第１伝送線路１２１Ｒａと対称形状である場合は、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａと同一形状を有し、Ｔ用基板１０１Ｔａに形成され、一端がＴ用第２接続端子１１２Ｔａと電気的に接続され、他端がＴ用第１伝送線路１２１Ｔａの他端に接続されるＴ用第２伝送線路１２２Ｔａと、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒａ及びＲ用第２外部端子１３２Ｒａが配置されたリフレクト標準器１００Ｒａにおける位置に相当する位置に配置されたＴ用第１外部端子１３１Ｔａ及びＴ用第２外部端子１３２Ｔａと、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒａと同一電気特性を有し、Ｔ用第１接続端子１１１ＴａとＴ用第１外部端子１３１Ｔａとを電気的に接続するＴ用第１接続手段１４１Ｔａと、Ｒ用第２接続手段１４２Ｒａと同一電気特性を有し、Ｔ用第２接続端子１１２ＴａとＴ用第２外部端子１３２Ｔａとを電気的に接続するＴ用第２接続手段１４２Ｔａと、を有するスルー標準器１００Ｔａ、並びに、パッケージ内に収納され、Ｒ用基板１０１Ｒａと同一形状のＬ用基板１０１Ｌａと、Ｒ用第１接続端子１１１Ｒａ及びＲ用第２接続端子１１２Ｒａが形成されたＲ用基板１０１Ｒａにおける位置に相当するＬ用基板１０１Ｌａにおける位置に形成されたＬ用第１接続端子１１１Ｌａ及びＬ用第２接続端子１１２Ｌａと、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａと同一形状を有し、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａが形成されたＲ用基板１０１Ｒａにおける位置に相当するＬ用基板１０１Ｌａにおける位置に形成され、一端がＬ用第１接続端子１１１Ｌａと電気的に接続されるＬ用第１伝送線路１２１Ｌａと、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａと同一形状を有し、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａが形成されたＲ用基板１０１Ｒａにおける位置に相当するＬ用基板１０１Ｌａにおける位置に形成され、一端がＬ用第２接続端子１１２Ｌａと電気的に接続されるＬ用第２伝送線路１２２Ｌａと、一端がＬ用第１伝送線路１２１Ｌａの他端と電気的に接続され、他端がＬ用第２伝送線路１２２Ｌａの他端と電気的に接続されるＬ用第３伝送線路１２３Ｌａと、Ｒ用第１外部端子１３１Ｒａ及びＲ用第２外部端子１３２Ｒａが配置されたリフレクト標準器１００Ｒａにおける位置に相当する位置に配置されたＬ用第１外部端子１３１Ｌａ及びＬ用第２外部端子１３２Ｌａと、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒａと同一電気特性を有し、Ｌ用第１接続端子１１１ＬａとＬ用第１外部端子１３１Ｌａとを電気的に接続するＬ用第１接続手段１４１Ｌａと、Ｒ用第１接続手段１４１Ｒａと同一電気特性を有し、Ｌ用第２接続端子１１２ＬａとＬ用第２外部端子１３２Ｌａとを電気的に接続するＬ用第２接続手段１４２Ｌａと、を有するライン標準器１００Ｌａ、を備えた。

このように構成することにより、スルー標準器１００Ｔａ、リフレクト標準器１００Ｒａ、及びライン標準器１００Ｌａのそれぞれの外部端子の位置を同じ位置に配置しつつ、校正精度を向上させることができる。
また、このように構成されたスルー標準器１００Ｔａ、リフレクト標準器１００Ｒａ、及びライン標準器１００Ｌａを備えたＴＲＬ校正装置１００を用いてＴＲＬ校正を行うことにより、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの他端とを基準面とするＳパラメータが高精度で測定可能になる。
また、スルー標準器１００Ｔａ、リフレクト標準器１００Ｒａ、及びライン標準器１００Ｌａを検査用ソケット２００に装着してＴＲＬ校正を行うことにより、プローブ端子は、信号導体２０４−１，２０４−２の電気特性による影響についても同時に高精度で校正することができる。したがって、半導体パッケージ３００の電気特性の検査において、従来の検査よりも高精度な検査を行うことが可能になる。

なお、実施の形態２に係るスルー標準器１００Ｔａ、リフレクト標準器１００Ｒａ、及びライン標準器１００Ｌａは、一例として、ＱＦＮパッケージに収納された形態について説明したが、スルー標準器１００Ｔａ、リフレクト標準器１００Ｒａ、及びライン標準器１００Ｌａが収納されるパッケージは、ＱＦＮパッケージに限定されるものではない。スルー標準器１００Ｔａ、リフレクト標準器１００Ｒａ、及びライン標準器１００Ｌａは、ＣＳＰ又はファンアウトパッケージ等のパッケージに収納されたものであっても良い。

実施の形態３．
図２５から図２７を参照して、実施の形態３に係るＴＲＬ校正装置１００ｂについて説明する。
図２５を参照して、実施の形態３に係るＴＲＬ校正装置１００ｂの構成について説明する。
図２５は、実施の形態３に係るＴＲＬ校正装置１００ｂの要部の構成の一例を示すブロック図である。
実施の形態３に係るＴＲＬ校正装置１００ｂは、リフレクト標準器１００Ｒａ、スルー標準器１００Ｔａ、及び複数のライン標準器１００Ｌａ，１００Ｌａ１，１００Ｌａ２を備える。
実施の形態３では、一例として、ＴＲＬ校正装置１００ｂは、３個のライン標準器１００Ｌａ，１００Ｌａ１，１００Ｌａ２を備えるものとして説明する。ＴＲＬ校正装置１００ｂが備えるライン標準器１００Ｌの数は３個に限定されるものではなく、２個であっても、４個以上であっても良い。
ＴＲＬ校正が行われる際、リフレクト標準器１００Ｒａ、スルー標準器１００Ｔａ、及び複数のライン標準器１００Ｌａ，１００Ｌａ１，１００Ｌａ２は、順次、検査用ソケット２００に装着される。

リフレクト標準器１００Ｒａは、実施の形態２で説明した図２０に示すリフレクト標準器１００Ｒａに相当するものであるため、説明を省略する。
スルー標準器１００Ｔａは、実施の形態２で説明した図２１に示すスルー標準器１００Ｔａに相当するものであるため、説明を省略する。
ライン標準器１００Ｌａは、実施の形態２で説明した図２２に示すライン標準器１００Ｌａに相当するものであるため、説明を省略する。
図２６及び図２７を参照して、実施の形態３に係るライン標準器１００Ｌａ１，１００Ｌａ２の構成について説明する。
実施の形態３に係るライン標準器１００Ｌａ１，１００Ｌａ２の構成において、実施の形態２に係るライン標準器１００Ｌａと同様の構成については、同じ符号を付して重複した説明を省略する。すなわち、図２２に記載した符号と同じ符号を付した図２６及び図２７の構成については、説明を省略する。

図２６Ａは、実施の形態３に係るライン標準器１００Ｌａ１の要部の構成の一例を示す断面図である。
ライン標準器１００Ｌａ１は、ライン標準器１００Ｌａと同様のＣＳＰ、ＱＦＮパッケージ、又は、ファンアウトパッケージ等のパッケージに収納される。実施の形態３に係るライン標準器１００Ｌａ１は、一例として、ライン標準器１００Ｌａと同様にＱＦＮパッケージに収納されているものとして説明する。
ライン標準器１００Ｌａ１は、Ｌ用基板１０１Ｌａ、Ｌ用第１接続端子１１１Ｌａ、Ｌ用第２接続端子１１２Ｌａ、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａ、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ１、Ｌ用第１外部端子１３１Ｌａ、Ｌ用第２外部端子１３２Ｌａ、Ｌ用第１接続手段１４１Ｌａ、Ｌ用第２接続手段１４２Ｌａ、Ｌ用樹脂モールド１９０Ｌａ、及び、Ｌ用接地用外部端子１５０Ｌａを有する。
すなわち、ライン標準器１００Ｌａ１は、実施の形態２に係るライン標準器１００ＬａのＬ用第３伝送線路１２３ＬａがＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ１に変更されたものである。

図２６Ｂは、実施の形態３に係るライン標準器１００Ｌａ１におけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。
なお、図２６Ａは、図２６Ｂに示す直線Ｘ−Ｘ´における断面の一例を示す断面図である。
Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ１は、一端がＬ用第１伝送線路１２１Ｌａの他端と電気的に接続され、他端がＬ用第２伝送線路１２２Ｌａの他端と電気的に接続される。すなわち、Ｌ用第１伝送線路１２１ＬａとＬ用第２伝送線路１２２Ｌａとは、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ１を介して、電気的に接続される。
Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ１は、任意の長さであれば良いが、電気長がＬ用第３伝送線路１２３Ｌａの電気長と異なるように構成されたものである。図２６に示すＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ１は、一例として、図２２に示すＬ用第３伝送線路１２３Ｌａの電気長より長い電気長を有するものである。

図２７Ａは、実施の形態３に係るライン標準器１００Ｌａ２の要部の構成の一例を示す断面図である。
ライン標準器１００Ｌａ２は、ライン標準器１００Ｌａと同様のＣＳＰ、ＱＦＮパッケージ、又は、ファンアウトパッケージ等のパッケージに収納される。実施の形態３に係るライン標準器１００Ｌａ２は、一例として、ライン標準器１００Ｌａと同様にＱＦＮパッケージに収納されているものとして説明する。
ライン標準器１００Ｌａ２は、Ｌ用基板１０１Ｌａ、Ｌ用第１接続端子１１１Ｌａ、Ｌ用第２接続端子１１２Ｌａ、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａ、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａ、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ２、Ｌ用第１外部端子１３１Ｌａ、Ｌ用第２外部端子１３２Ｌａ、Ｌ用第１接続手段１４１Ｌａ、Ｌ用第２接続手段１４２Ｌａ、Ｌ用樹脂モールド１９０Ｌａ、及び、Ｌ用接地用外部端子１５０Ｌａを有する。
すなわち、ライン標準器１００Ｌａ２は、実施の形態２に係るライン標準器１００ＬａのＬ用第３伝送線路１２３ＬａがＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ２に変更されたものである。

図２７Ｂは、実施の形態３に係るライン標準器１００Ｌａ２におけるＬ用基板上面の要部の構成の一例を示す構成図である。
なお、図２７Ａは、図２７Ｂに示す直線Ｘ−Ｘ´における断面の一例を示す断面図である。
Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ２は、一端がＬ用第１伝送線路１２１Ｌａの他端と電気的に接続され、他端がＬ用第２伝送線路１２２Ｌａの他端と電気的に接続される。すなわち、Ｌ用第１伝送線路１２１ＬａとＬ用第２伝送線路１２２Ｌａとは、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ２を介して、電気的に接続される。
Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ２は、任意の長さであれば良いが、電気長がＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ及びＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の電気長と異なるように構成されたものである。図２７に示すＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ２は、一例として、図２６に示すＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の電気長より更に長い電気長を有するものである。

以上のように、ＴＲＬ校正装置１００ｂは、リフレクト標準器１００Ｒａと、スルー標準器１００Ｔａと、複数のライン標準器１００Ｌａ，１００Ｌａ１，１００Ｌａ２と、備え、複数のライン標準器１００Ｌａ，１００Ｌａ１，１００Ｌａ２のそれぞれが有するＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ，１２３Ｌａ１，１２３Ｌａ２は、電気長が互いに異なるように構成した。

このように構成することにより、より広い周波数帯域における高精度の測定が可能となるため、スルー標準器１００Ｔａ、リフレクト標準器１００Ｒａ、及び、複数のライン標準器１００Ｌａ，１００Ｌａ１，１００Ｌａ２のそれぞれの外部端子の位置を同じ位置に配置しつつ、広い周波数帯域における校正精度を向上させることができる。

実施の形態４．
実施の形態４に係るＴＲＬ検査方法について説明する。
実施の形態４に係るＴＲＬ検査方法は、一例として、実施の形態３に係るＴＲＬ校正装置１００ｂが備えるリフレクト標準器１００Ｒａ、スルー標準器１００Ｔａ、及び３個のライン標準器１００Ｌａ，１００Ｌａ１，１００Ｌａ２のうち、リフレクト標準器１００Ｒａ、スルー標準器１００Ｔａ、及び２個のライン標準器１００Ｌａ，１００Ｌａ１を用いてＴＲＬ校正を行う場合について説明する。

まず、実施の形態２で説明したとおり、図２０に示すリフレクト標準器１００Ｒａ、図２１に示すスルー標準器１００Ｔａ、及び図２２に示すライン標準器１００Ｌａを用いて、公知の検査方法によりＴＲＬ校正を行う。リフレクト標準器１００Ｒａ、スルー標準器１００Ｔａ、及びライン標準器１００Ｌａを用いてＴＲＬ校正を行うことにより、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの他端とを基準面とするＳパラメータが取得できる。
例えば、図５に示す半導体パッケージ３００の電気特性を測定する場合、当該電気特性を正確に測定するためには、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの他端とを基準面とするＳパラメータではなく、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを基準面とするＳパラメータが必要である。
実施の形態４に係るＴＲＬ検査方法は、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを基準面とするＳパラメータを取得するための検査方法である。
具体的には、ＴＲＬ校正装置１００ｂが備えるリフレクト標準器１００Ｒａ、スルー標準器１００Ｔａ、及びライン標準器１００Ｌａを用いてＴＲＬ校正を行う際に使用するライン標準器１００Ｌａが有するＬ用第３伝送線路１２３Ｌａとは物理的な長さが異なる前記Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ１を有するライン標準器１００Ｌａ１の電気特性を用いて、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａの電気長及び伝送損失、並びに、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの電気長及び伝送損失を算出し、算出したＲ用第１伝送線路１２１Ｒａの電気長及び伝送損失、並びに、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの電気長及び伝送損失を用いて、リフレクト標準器１００Ｒａの電気長及び伝送損失を補正することにより、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを基準面とするＳパラメータを取得する。

より具体的には、実施の形態４に係るＴＲＬ検査方法は、以下の手順に従って、リフレクト標準器１００Ｒａの電気長及び伝送損失を補正することにより、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを基準面とするＳパラメータを取得する。
まず、実施の形態４に係るＴＲＬ検査方法は、図２６に示すライン標準器１００Ｌａ１を検査用ソケット２００に装着して、ライン標準器１００Ｌａ１の電気特性を測定する。Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの他端とを基準面とするＳパラメータ、すなわち、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａの他端と、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａの他端とを基準面とするＳパラメータは、既に取得済みであるため、ライン標準器１００Ｌａ１の電気特性を測定することにより、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の電気長及び伝送損失を取得することができる。
次に、実施の形態４に係るＴＲＬ検査方法は、ライン標準器１００Ｌａ１のＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の電気特性を用いて、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の単位長さあたりの電気長、及び、単位長さあたりの伝送損失を算出する。

以下の説明において、図２０に示すリフレクト標準器１００ＲａのＲ用第１伝送線路１２１Ｒａ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの特性インピーダンスが、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の特性インピーダンスと同一であるとする。
次に、実施の形態４に係るＴＲＬ検査方法は、算出したＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の単位長さあたりの電気長、及び、単位長さあたりの伝送損失を用いて、図２０に示すリフレクト標準器１００ＲａのＲ用第１伝送線路１２１Ｒａの電気長及び伝送損失、並びに、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの電気長及び伝送損失を算出する。
次に、実施の形態４に係るＴＲＬ検査方法は、算出したＲ用第１伝送線路１２１Ｒａの電気長及び伝送損失、並びに、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの電気長及び伝送損失を用いて、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａ及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの電気特性を取得する。

次に、実施の形態４に係るＴＲＬ検査方法は、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの他端とを基準面とするＳパラメータから、取得したＲ用第１伝送線路１２１Ｒａの電気特性、及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの電気特性を差し引くことによりリフレクト標準器１００Ｒａの電気長及び伝送損失を補正し、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを基準面とするＳパラメータを取得する。

ところで、図５に示す半導体パッケージ３００が増幅器等である場合、半導体パッケージ３００の電気特性を測定するためには、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを基準面とするＳパラメータが必要でない場合がある。
具体的には、例えば、増幅器等の半導体パッケージ３００の電気特性を測定する場合、リフレクト標準器１００Ｒａの伝送損失が補正されたものであれば良い場合がある。
以下、リフレクト標準器１００Ｒａの伝送損失の検査方法について説明する。

まず、図２６に示すライン標準器１００Ｌａ１を検査用ソケット２００に装着して、ライン標準器１００Ｌａ１の電気特性を測定する。Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの他端とを基準面とするＳパラメータ、すなわち、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａの他端と、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａの他端とを基準面とするＳパラメータは、既に取得済みであるため、ライン標準器１００Ｌａ１の電気特性を測定することにより、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の伝送損失が取得できる。
次に、ライン標準器１００Ｌａ１のＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の伝送損失を用いて、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の単位長さあたりの伝送損失を算出する。

次に、算出したＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の単位長さあたりの伝送損失を用いて、図２０に示すリフレクト標準器１００ＲａのＲ用第１伝送線路１２１Ｒａの伝送損失、及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの伝送損失を算出する。
次に、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの他端とを基準面とするＳパラメータから、取得したＲ用第１伝送線路１２１Ｒａの伝送損失、及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの伝送損失を差し引くことによりリフレクト標準器１００Ｒａの伝送損失を取得する。

また、図５に示す半導体パッケージ３００がアレイアンテナ用の分配回路等である場合においても、半導体パッケージ３００の電気特性を測定するためには、Ｒ用第１接続端子１１１ＲａとＲ用第２接続端子１１２Ｒａとを基準面とするＳパラメータが必要でない場合がある。具体的には、例えば、アレイアンテナ用の分配回路等の半導体パッケージ３００の電気特性を測定する場合、リフレクト標準器１００Ｒａの電気長が補正されたものであれば良い場合がある。

以下、リフレクト標準器１００Ｒａの電気長の検査方法について説明する。
まず、図２６に示すライン標準器１００Ｌａ１を検査用ソケット２００に装着して、ライン標準器１００Ｌａ１の電気特性を測定する。Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの他端とを基準面とするＳパラメータ、すなわち、Ｌ用第１伝送線路１２１Ｌａの他端と、Ｌ用第２伝送線路１２２Ｌａの他端とを基準面とするＳパラメータは、既に取得済みであるため、ライン標準器１００Ｌａ１の電気特性を測定することにより、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の電気長が取得できる。
次に、ライン標準器１００Ｌａ１のＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の電気長を用いて、Ｌ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の単位長さあたりの電気長を算出する。

次に、算出したＬ用第３伝送線路１２３Ｌａ１の単位長さあたりの電気長を用いて、図２０に示すリフレクト標準器１００ＲａのＲ用第１伝送線路１２１Ｒａの電気長、及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの電気長を算出する。
次に、Ｒ用第１伝送線路１２１Ｒａの他端と、Ｒ用第２伝送線路１２２Ｒａの他端とを基準面とするＳパラメータから、取得したＲ用第１伝送線路１２１Ｒａの電気長、及びＲ用第２伝送線路１２２Ｒａの電気長を差し引くことによりリフレクト標準器１００Ｒａの電気長を取得する。

なお、この発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

この発明に係るＴＲＬ校正装置は、半導体パッケージを検査するための検査装置に適用することができる。

１０Ｌ ライン標準器、１０Ｒ リフレクト標準器、１０Ｔ スルー標準器、１１ 基板、１２ 信号端子、１３ 接地端子、１４ スルーホール、１５，１５ａ 伝送線路、２０ 高周波回路パッケージ、２１ 高周波回路、２２，２３ 接続部、１００，１００ａ，１００ｂ ＴＲＬ校正装置、１００Ｌ，１００Ｌａ，１００Ｌａ１，１００Ｌａ２ ライン標準器、１００Ｒ，１００Ｒａ リフレクト標準器、１００Ｔ，１００Ｔａ スルー標準器、１０１Ｌ，１０１Ｌａ Ｌ用基板、１０１Ｒ，１０１Ｒａ Ｒ用基板、１０１Ｔ，１０１Ｔａ Ｔ用基板、１１１Ｌ，１１１Ｌａ Ｌ用第１接続端子、１１１Ｒ，１１１Ｒａ Ｒ用第１接続端子、１１１Ｔ，１１１Ｔａ Ｔ用第１接続端子、１１２Ｌ，１１２Ｌａ Ｌ用第２接続端子、１１２Ｒ，１１２Ｒａ Ｒ用第２接続端子、１１２Ｔ，１１２Ｔａ Ｔ用第２接続端子、１１３Ｌ，１１３Ｒ，１１３Ｔ 接地端子、１２１Ｌ，１２１Ｌａ Ｌ用第１伝送線路、１２１Ｒ，１２１Ｒａ Ｒ用第１伝送線路、１２１Ｔ，１２１Ｔａ Ｔ用第１伝送線路、１２２Ｌ，１２２Ｌａ Ｌ用第２伝送線路、１２２Ｒ，１２２Ｒａ Ｒ用第２伝送線路、１２２Ｔ，１２２Ｔａ Ｔ用第２伝送線路、１２３Ｌ，１２３Ｌａ，１２３Ｌａ１，１２３Ｌａ２ Ｌ用第３伝送線路、１３１Ｌ，１３１Ｌａ Ｌ用第１外部端子、１３１Ｒ，１３１Ｒａ Ｒ用第１外部端子、１３１Ｔ，１３１Ｔａ Ｔ用第１外部端子、１３２Ｌ，１３２Ｌａ Ｌ用第２外部端子、１３２Ｒ，１３２Ｒａ Ｒ用第２外部端子、１３２Ｔ，１３２Ｔａ Ｔ用第２外部端子、１４１Ｌ，１４１Ｌａ Ｌ用第１接続手段、１４１Ｒ，１４１Ｒａ Ｒ用第１接続手段、１４１Ｔ，１４１Ｔａ Ｔ用第１接続手段、１４２Ｌ，１４２Ｌａ Ｌ用第２接続手段、１４２Ｒ，１４２Ｒａ Ｒ用第２接続手段、１４２Ｔ，１４２Ｔａ Ｔ用第２接続手段、１５０Ｌ，１５０Ｌａ Ｌ用接地用外部端子、１５０Ｒ，１５０Ｒａ Ｒ用接地用外部端子、１５０Ｔ，１５０Ｔａ Ｔ用接地用外部端子、１６０Ｒ，１６０Ｒａ，１６０Ｒｂ Ｒ用絶縁層、１６０Ｌ，１６０Ｌａ，１６０Ｌｂ Ｌ用絶縁層、１６０Ｔ，１６０Ｔａ，１６０Ｔｂ Ｔ用絶縁層、１７１Ｌ，１７１Ｌａ，１７１Ｌｂ Ｌ用第１スルーホール、１７１Ｒ，１７１Ｒａ，１７１Ｒｂ Ｒ用第１スルーホール、１７１Ｔ，１７１Ｔａ，１７１Ｔｂ Ｔ用第１スルーホール、１７２Ｌ，１７２Ｌａ，１７２Ｌｂ Ｌ用第２スルーホール、１７２Ｒ，１７２Ｒａ，１７２Ｒｂ Ｒ用第２スルーホール、１７２Ｔ，１７２Ｔａ，１７２Ｔｂ Ｔ用第２スルーホール、１８１Ｌａ Ｌ用第１ワイヤ、１８１Ｒａ Ｒ用第１ワイヤ、１８１Ｔａ Ｔ用第１ワイヤ、１８２Ｌａ Ｌ用第２ワイヤ、１８２Ｒａ Ｒ用第２ワイヤ、１８２Ｔａ Ｔ用第２ワイヤ、１９０Ｌａ Ｌ用樹脂モールド、１９０Ｒａ Ｒ用樹脂モールド、１９０Ｔａ Ｔ用樹脂モールド、２００ 検査用ソケット、２０１ 金属筐体、２０２−１，２０２−２，２０２−３，２０２−４，２０２−５，２０２−６ 検査プローブ、２０３ 誘電体基板、２０４−１，２０４−２ 信号導体、２０５−１，２０５−２ 同軸コネクタ、３００ 半導体パッケージ、３０１ 樹脂モールド、３０２ 半導体基板、３０３ 外部端子、３０４ 伝送線路、３０５ 金属ワイヤ。

Claims (7)

1. パッケージに収納され、Ｒ用基板と、前記Ｒ用基板に形成されたＲ用第１接続端子及びＲ用第２接続端子と、前記Ｒ用基板に形成され、一端が前記Ｒ用第１接続端子と電気的に接続され、他端が開放端であるＲ用第１伝送線路と、前記Ｒ用基板に形成され、一端が前記Ｒ用第２接続端子と電気的に接続され、他端が開放端であり、一端から他端までの距離と、前記Ｒ用第１伝送線路の一端から前記Ｒ用第１伝送線路の他端までの距離との和が、前記Ｒ用第１接続端子から前記Ｒ用第２接続端子までの距離に相当するＲ用第２伝送線路と、Ｒ用第１外部端子と、Ｒ用第２外部端子と、前記Ｒ用第１接続端子と前記Ｒ用第１外部端子とを電気的に接続するＲ用第１接続手段と、前記Ｒ用第２接続端子と前記Ｒ用第２外部端子とを電気的に接続するＲ用第２接続手段と、を有するリフレクト標準器、
   パッケージ内に収納され、前記Ｒ用基板と同一形状のＴ用基板と、前記Ｒ用第１接続端子及び前記Ｒ用第２接続端子が形成された前記Ｒ用基板における位置に相当する前記Ｔ用基板における位置に形成されたＴ用第１接続端子及びＴ用第２接続端子と、前記Ｒ用第１伝送線路と同一形状を有し、前記Ｔ用基板に形成され、一端が前記Ｔ用第１接続端子と電気的に接続されるＴ用第１伝送線路と、前記Ｒ用第２伝送線路と同一形状を有し、前記Ｔ用基板に形成され、一端が前記Ｔ用第２接続端子と電気的に接続され、他端が前記Ｔ用第１伝送線路の他端に接続されるＴ用第２伝送線路と、前記Ｒ用第１外部端子及び前記Ｒ用第２外部端子が配置された前記リフレクト標準器における位置に相当する位置に配置されたＴ用第１外部端子及びＴ用第２外部端子と、前記Ｒ用第１接続手段と同一電気特性を有し、前記Ｔ用第１接続端子と前記Ｔ用第１外部端子とを電気的に接続するＴ用第１接続手段と、前記Ｒ用第２接続手段と同一電気特性を有し、前記Ｔ用第２接続端子と前記Ｔ用第２外部端子とを電気的に接続するＴ用第２接続手段と、を有するスルー標準器、
   並びに、
   パッケージ内に収納され、前記Ｒ用基板と同一形状のＬ用基板と、前記Ｒ用第１接続端子及び前記Ｒ用第２接続端子が形成された前記Ｒ用基板における位置に相当する前記Ｌ用基板における位置に形成されたＬ用第１接続端子及びＬ用第２接続端子と、前記Ｒ用第１伝送線路と同一形状を有し、前記Ｒ用第１伝送線路が形成された前記Ｒ用基板における位置に相当する前記Ｌ用基板における位置に形成され、一端が前記Ｌ用第１接続端子と電気的に接続されるＬ用第１伝送線路と、前記Ｒ用第２伝送線路と同一形状を有し、前記Ｒ用第２伝送線路が形成された前記Ｒ用基板における位置に相当する前記Ｌ用基板における位置に形成され、一端が前記Ｌ用第２接続端子と電気的に接続されるＬ用第２伝送線路と、一端が前記Ｌ用第１伝送線路の他端と電気的に接続され、他端が前記Ｌ用第２伝送線路の他端と電気的に接続されるＬ用第３伝送線路と、前記Ｒ用第１外部端子及び前記Ｒ用第２外部端子が配置された前記リフレクト標準器における位置に相当する位置に配置されたＬ用第１外部端子及びＬ用第２外部端子と、前記Ｒ用第１接続手段と同一電気特性を有し、前記Ｌ用第１接続端子と前記Ｌ用第１外部端子とを電気的に接続するＬ用第１接続手段と、前記Ｒ用第１接続手段と同一電気特性を有し、前記Ｌ用第２接続端子と前記Ｌ用第２外部端子とを電気的に接続するＬ用第２接続手段と、を有するライン標準器、
   を備えたこと
   を特徴とするＴＲＬ校正装置。
2. パッケージに収納され、Ｒ用基板と、前記Ｒ用基板に形成されたＲ用第１接続端子及びＲ用第２接続端子と、前記Ｒ用基板に形成され、一端が前記Ｒ用第１接続端子と電気的に接続され、他端が開放端であるＲ用第１伝送線路と、前記Ｒ用基板に形成され、一端が前記Ｒ用第２接続端子と電気的に接続され、他端が開放端であり、一端から他端までの距離、及び、前記Ｒ用第１接続端子と前記Ｒ用第２接続端子とを結ぶ直線から他端までの距離が、一端から前記Ｒ用第１伝送線路の他端までの距離、及び、前記Ｒ用第１接続端子と前記Ｒ用第２接続端子とを結ぶ直線から前記Ｒ用第１伝送線路の他端までの距離にそれぞれ相当するＲ用第２伝送線路と、Ｒ用第１外部端子と、Ｒ用第２外部端子と、前記Ｒ用第１接続端子と前記Ｒ用第１外部端子とを電気的に接続するＲ用第１接続手段と、前記Ｒ用第２接続端子と前記Ｒ用第２外部端子とを電気的に接続するＲ用第２接続手段と、を有するリフレクト標準器、
   パッケージ内に収納され、前記Ｒ用基板と同一形状のＴ用基板と、前記Ｒ用第１接続端子及び前記Ｒ用第２接続端子が形成された前記Ｒ用基板における位置に相当する前記Ｔ用基板における位置に形成されたＴ用第１接続端子及びＴ用第２接続端子と、前記Ｒ用第１伝送線路と同一形状、又は、前記Ｒ用第１接続端子と前記Ｒ用第２接続端子とを結ぶ直線に対して前記Ｒ用第１伝送線路と線対称の形状である対称形状を有し、前記Ｔ用基板に形成され、一端が前記Ｔ用第１接続端子と電気的に接続されるＴ用第１伝送線路と、前記Ｔ用第１伝送線路が前記Ｒ用第１伝送線路と同一形状である場合は、前記Ｒ用第１接続端子と前記Ｒ用第２接続端子とを結ぶ直線に対して前記Ｒ用第２伝送線路と線対称の形状である対称形状を有し、前記Ｔ用第１伝送線路が前記Ｒ用第１伝送線路と対称形状である場合は、前記Ｒ用第２伝送線路と同一形状を有し、前記Ｔ用基板に形成され、一端が前記Ｔ用第２接続端子と電気的に接続され、他端が前記Ｔ用第１伝送線路の他端に接続されるＴ用第２伝送線路と、前記Ｒ用第１外部端子及び前記Ｒ用第２外部端子が配置された前記リフレクト標準器における位置に相当する位置に配置されたＴ用第１外部端子及びＴ用第２外部端子と、前記Ｒ用第１接続手段と同一電気特性を有し、前記Ｔ用第１接続端子と前記Ｔ用第１外部端子とを電気的に接続するＴ用第１接続手段と、前記Ｒ用第２接続手段と同一電気特性を有し、前記Ｔ用第２接続端子と前記Ｔ用第２外部端子とを電気的に接続するＴ用第２接続手段と、を有するスルー標準器、
   並びに、
   パッケージ内に収納され、前記Ｒ用基板と同一形状のＬ用基板と、前記Ｒ用第１接続端子及び前記Ｒ用第２接続端子が形成された前記Ｒ用基板における位置に相当する前記Ｌ用基板における位置に形成されたＬ用第１接続端子及びＬ用第２接続端子と、前記Ｒ用第１伝送線路と同一形状を有し、前記Ｒ用第１伝送線路が形成された前記Ｒ用基板における位置に相当する前記Ｌ用基板における位置に形成され、一端が前記Ｌ用第１接続端子と電気的に接続されるＬ用第１伝送線路と、前記Ｒ用第２伝送線路と同一形状を有し、前記Ｒ用第２伝送線路が形成された前記Ｒ用基板における位置に相当する前記Ｌ用基板における位置に形成され、一端が前記Ｌ用第２接続端子と電気的に接続されるＬ用第２伝送線路と、一端が前記Ｌ用第１伝送線路の他端と電気的に接続され、他端が前記Ｌ用第２伝送線路の他端と電気的に接続されるＬ用第３伝送線路と、前記Ｒ用第１外部端子及び前記Ｒ用第２外部端子が配置された前記リフレクト標準器における位置に相当する位置に配置されたＬ用第１外部端子及びＬ用第２外部端子と、前記Ｒ用第１接続手段と同一電気特性を有し、前記Ｌ用第１接続端子と前記Ｌ用第１外部端子とを電気的に接続するＬ用第１接続手段と、前記Ｒ用第１接続手段と同一電気特性を有し、前記Ｌ用第２接続端子と前記Ｌ用第２外部端子とを電気的に接続するＬ用第２接続手段と、を有するライン標準器、
   を備えたこと
   を特徴とするＴＲＬ校正装置。
3. 前記ライン標準器が有する前記Ｌ用第３伝送線路は、電気長が９０度であること
   を特長とする請求項１又は請求項２記載のＴＲＬ校正装置。
4. 前記リフレクト標準器と、
   前記スルー標準器と、
   複数の前記ライン標準器と、
   備え、
   複数の前記ライン標準器のそれぞれが有する前記Ｌ用第３伝送線路は、電気長が互いに異なること
   を特長とする請求項１又は請求項２記載のＴＲＬ校正装置。
5. 複数の前記ライン標準器のうち、１つの前記ライン標準器が有する前記Ｌ用第３伝送線路は、電気長が９０度であること
   を特長とする請求項４記載のＴＲＬ校正装置。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１項記載のＴＲＬ校正装置を用いてＴＲＬ校正を行うこと
   を特徴とするＴＲＬ検査方法。
7. 請求項１から請求項５のいずれか１項記載のＴＲＬ校正装置を用いてＴＲＬ校正を行う際に使用する前記ライン標準器が有する前記Ｌ用第３伝送線路とは物理的な長さが異なる前記Ｌ用第３伝送線路を有する前記ライン標準器の電気特性を用いて、前記リフレクト標準器の電気長又は伝送損失のうち少なくともいずれか一方を補正すること
   を特徴とするＴＲＬ検査方法。

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