JP3590932B2 - Emiプローブ - Google Patents
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【産業上の利用分野】
本発明は、誘電体層の片面のみに作成した1ターンループコイルの内側と外側を、それぞれコイル幅と同幅あるいは同幅以下の誘電体ギャップを隔てて金属面で囲み、囲んだ金属面の一部に磁界検出用スリットを設けた方形のコイル検出面3面を同軸上に、互いに60度の角度で配置し、3面が捉えた検出波を合成する波形合成基板にあって、一面一対の整合抵抗を3組並列に接続し、この出力対端子とバラン入力対端子を接続し、更に、平衡不平衡変換用のバラン1個と一体化させた構造であり、電界の影響を抑制して、二次元方向の感度特性で放射ノイズを検出できるEMIプローブと、
誘電体層の片面のみに作成した1ターンループコイルの内側と外側を、それぞれコイル幅と同幅あるいは同幅以下の誘電体ギャップを隔てて金属面で囲み、囲んだ金属面の一部に磁界検出用スリットを設けた台形のコイル検出面3面をX軸、Y軸、Z軸上に、互いに60度の角度で配置し、3面が捉えた検出波を合成する波形合成基板にあって、一面一対の整合抵抗を3組並列に接続し、この出力対端子とバラン入力対端子を接続し、更に、平衡不平衡変換用のバラン1個と一体化させた構造であり、電界の影響を抑制して、三次元方向の感度特性で放射ノイズを検出できるEMIプローブに関するものである。
【0002】
【従来技術】
磁界を検出して、放射ノイズを測定するEMIプローブには、1ターンループコイル状の磁界検出EMIプローブが従来から知られている。このEMIブローブは、銅線のような金属導体を1ターンのループコイル状に曲げ加工した構造で、電磁波がループコイル面に対してθ方向から入射した場合に、EMIプローブに誘起される電圧Vmは、次式で表される。
Vm=2πNAEcosθ/λ (V)
ただし、Nは巻数、Aはループコイル面積(m2)、Eは電界強度(V/m)、λは波長(m)である。
すなわち、最大誘起電圧は、電磁波とループコイル面とが直角(θ=90°)の場合に得られる。
【0003】
しかしながら、ループコイルのみの測定では、電界の影響をうけることから、電界の影響を低減できるシールデッド型のEMIループが、放射ノイズ測定には、多く使われている。
【0004】
シールデッド型のEMIループは、図6のような構造で、セミリジッド同軸ケーブル(F)の中心銅線(61)と外部銅パイプ(62)を利用して1ターンのループコイル状に加工されたもので、誘起電圧VmをRFアンプに出力するためのSMA型コネクタ即ち不平衡出力端子(63)、磁界検出用スリット(60)及びループコイル短絡端(64)からなっている。
【0005】
だが、構造が短絡構造のために、不平衡出力端子(63)側から見た特性インピーダンスが図7のようにfL(10MHz)〜fH(1GHz)にわたり不整合となり、反射係数Γがほぼ1の全反射が起きる。この反射波は、放射ノイズレベルを増幅するRFアンプを接続した場合に顕著に現れ、EMIプローブとRFアンプ間に定在波が発生し、測定誤差を与える。そのため、アッテネータをEMIループとRFアンプ間に挿入して反射波の影響を抑制え、誤差を低減しているが、測定した放射ノイズレベルも低下する欠点がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
前記のシールデッド型のEMIプローブは、構造は簡単であるが、測定した放射ノイズを増幅する際に特性インピーダンスの不整合に起因する反射波の影響による誤差が問題であった。
【0007】
本発明は、従来のシールデッド型のEMIプローブが抱えていた特性インピーダンスの不整合による反射波の影響に伴う誤差を低減し、電子機器等からの放射ノイズの放射ノイズ源を迅速に特定し、同時に周波数分布特性も再現性よく測定できるEMIプローブを解決目標とした。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記の目標を達成するために、本発明に係わるEMIプローブの放射ノイズ検出用のコイル検出面は、誘電体層の片面のみに作成した1ターンループコイルの内側と外側を、それぞれコイル幅と同幅か同幅以下の誘電体ギャップを隔てて金属面で囲み、囲んだ金属面の一部に磁界検出用スリットを設けた構成であり、
【0009】
例えば、電界の影響を抑制して、二次元方向の放射ノイズに対する感度特性を得るには、方形のコイル検出面3面を同軸上に、互いに60度の角度で配置した構造に形成させる。
【0010】
また、電界の影響を抑制して、三次元方向の放射ノイズに対する感度特性を得るには、台形のコイル検出面3面をX軸、Y軸、Z軸上に、互いに60度の角度で配置した構造に形成させる。
【0011】
さらに、コイル検出面3面が捉えた検出波を合成し測定するために、1ターンループコイルの対端部分に一対のインピーダンス整合用の整合抵抗を配置させ、波形合成基板上で整合抵抗3組が並列になるよう配線接続して平衡対出力端子を設ける手段か、あるいは波形合成基板上に一面一対のインピーダンス整合用の整合抵抗3組を並列に配し、接続して平衡対出力端子を設ける手段のどちらか一方の手段により設けた、平衡対出力端子をバラン入力対端子と接続すると共に、平衡不平衡変換用のバラン1個と一体化する構造とすることで、放射ノイズ源の特定や放射ノイズの周波数分布特性を測定可能にした。
【0012】
【作用】
本発明のEMIプローブの放射ノイズ検出用のコイル検出面は、誘電体層の片面のみに作成した1ターンループコイルの内側と外側を、それぞれコイル幅と同幅か同幅以下の誘電体ギャップを隔てて金属面で囲み、囲んだ金属面の一部に磁界検出用スリットを設けた構成であり、二次元方向の放射ノイズを測るには、方形のコイル検出面3面を同軸上に、互いに60度の角度で配置したペンシル型構造のEMIプローブに形成すれば、放射ノイズ源を迅速に特定できるばかりか、放射ノイズの周波数分布も同時に測定できる。
【0013】
また、三次元方向の放射ノイズを測るには、台形のコイル金属面3面をX軸、Y軸、Z軸上に、互いに60度の角度で配置したチューリップ型構造のEMIプローブに形成すれば、ペンシル型よりもさらに迅速に、放射ノイズ源を迅速に特定でき、放射ノイズの周波数分布も同時に測定できる。
【0014】
さらに、3面が捉えた検出波を合成する波形合成基板上で、一面一対のインピーダンス整合用の整合抵抗3組を並列接続し、変換比が1:1の平衡不平衡変換用のバラン1個と一体化させ、3組の整合抵抗を最適値に調整すれば、図8のように定在波比(SWR)を2.0以下にできるばかりか、図9のようにfL(10MHz)〜fH(1GHz)の広い周波数範囲にわたり、目標値に近い特性インピーダンス(この例では50Ωが目標値)を実現できる。その結果、反射波の影響を抑えた、再現性のよい放射ノイズ測定を実施できる作用が生まれた。
【0015】
【実施例】
以下添付した図面を参照して、本発明を具体化した実施例につき説明する。なお、この実施例は、本発明を具体化した一例であって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【0016】
図3は本発明の実施例1で、二次元方向の放射ノイズ感度特性を有するEMIプローブの分解図である。この実施例1では、検出面の寸法を幅12mm×長さ27mm×厚み0.8mmの図1のような方形とし、誘電体層(100)すなわちテフロン基板の片面のみに作成した幅1mmの1ターンループコイル(11)の内側と外側を、それぞれ幅1mmの誘電体ギャッブ(101)を隔てて金属面(14)で囲み、囲んだ金属面(14)の一部に磁界検出用スリット(10)を設けた平面形状のコイル検出面(B)3面を同軸上に、互いに60度の角度で配置させる。
【0017】
そして、1ターンループコイル(11)の対端部分に一対の整合抵抗(12)を接続し平衡対出力端子(30)に接続する。平衡対出力端子(30)は、波形合成基板(D)の各入力対端子(31〜33)に、コイル検出面(B)3面の1ターンループコイル(11)が図5の等価回路となるよう配線し、各平衡対出力端子(30)を合成出力対端子(34)に集約するよう接続する。この際、整合抵抗(12)は波形合成基板側に移すことも可能である。更に、コイル検出面(B)の1ターンループコイル(11)で捉えた検出波すなわち平衡信号を合成して不平衡信号へ変換する信号変換基板(E)のバラン(13)1個のバラン入力対端子(35)に接続する。このB+D+Eの波形合成手法により、二次元方向の放射ノイズ感度特性が実現でき、放射ノイズ源を素早く正確に探索できるばかりか、同時に放射ノイズ周波数分布特性も測定可能となった。
【0018】
図4は本発明の実施例2で、三次元方向の放射ノイズ感度特性を有するEMIプローブの分解図である。この実施例2では、X・Y・Z軸上にコイル検出面を正確に配置するために、検出面の寸法を長辺21mm×短辺13mm×高さ10mm×厚み0.8mmの図2のような台形とし、誘電体層(100)すなわちテフロン基板の片面のみに作成した幅1mmの1ターンループコイルの内側と外側を、それぞれ幅1mmの誘電体ギャップ(101)を隔てて金属面(14)で囲み、囲んだ金属面(14)の一部に磁界検出用スリット(10)を設けた平面形状のコイル検出面(C)3面をX軸、Y軸、Z軸上に、互いに60度の角度で配置させる。
【0019】
そして、1ターンループコイル(11)の対端部分に一対の整合抵抗(12)を接続し平衡対出力端子(30)に接続する。各平衡対出力端子(30)は、波形合成基板(D)の各入力対端子(31〜33)に、コイル検出面(C)3面の1ターンループが図5の等価回路となるよう配線し、配線された各平衡対出力端子(30)を合成出力対端子(34)に集約するよう接続する。この際、整合抵抗(12)は波形合成基板側に移すことも可能である。更に、コイル検出面(C)の1ターンループコイル(11)で捉えた検出波すなわち平衡信号を合成して不平衡信号に変換する信号変換基板(E)のバラン(13)1個のバラン入力対端子(35)に接続する。このC+D+Eの波形合成手法により、三次元方向の放射ノイズ感度特性が実現でき、放射ノイズ源を実施例1よりも迅速に正確に探索できるばかりか、同時に放射ノイズ周波数分布特性も測定可能となった。
【0020】
実施例1及び実施例2のコイル検出面(B及びC)である図1及び図2にあって、測定精度を決定する要素が磁界検出用スリット(10)と電界シールド用の金属面(14)で、特に金属面(14)を1ターンループコイル(11)の内側と外側に一定幅の誘電体ギャップ(101)を隔てて設けることで、鋭い単一指向性を実現すると共に、電界の影響を低減できる効果が生じた。その結果、図10のように磁界(H)に対する電界(E)の感度特性の差を約20dBとることができ、電界の影響が抑制できることが明らかになった。
【0021】
さらに、図5の等価回路を実現することで、1ターンループコイル(11)と不平衡出力端子(15)との特性インピーダンスを整合抵抗(12)を調整すことにより整合できる。実施例1及び実施例2では、特性インピーダンスを50Ωに定めた結果、8.2Ωの一対の整合抵抗(12)を3組並列接続させたことで、実施例1及び実施例2の特性インピーダンスは図9のようになり、fL(10MHz)〜fH(1GHz)の広い周波数範囲で、特性インピーダンスが約30Ω〜約85Ωに集中でき、反射波の少ない測定を可能にした。
【0022】
また、コイル検出面(B及びC)からの平衡信号を不平衡信号に変換する働きをする図5のバラン(13)は、フェライトビーズ(B−20F−28:トーキン製)に拠り細線を1ターン巻きした簡単な構造とし、変換比を1:1としたことで、広帯域化を実現した。
【0023】
【発明の効果】
上記のように、本発明に係わるEMIプローブは、誘電体層(100)の片面のみに作成した1ターンループコイル(11)の内側と外側を、それぞれコイル幅と同幅か同幅以下の誘電体ギャップ(101)を隔てて金属面(14)で囲み、囲んだ金属面(14)の一部に磁界検出用スリット(10)を設けた平面形状のコイル検出面(B)3面を同軸上に、図3のように、互いに60度の角度で配置するペンシル型構造と、
【0024】
誘電体層(100)の片面のみに作成した1ターンループコイル(11)の内側と外側を、それぞれコイル幅と同幅か同幅以下の誘電体ギャップ(101)を隔てて金属面(14)で囲み、囲んだ金属面(14)の一部に磁界検出用スリット(10)を設けた平面形状のコイル検出面(C)3面をX軸、Y軸、Z軸上に、図4のように、互いに60度の角度で配置するチューリップ型構造と、
【0025】
3組の一面一対の整合抵抗(12)及び変換比が1:1の平衡不平衡変換用のバラン(13)1個とを組合わせることで、10MHz〜1GHzにわたる広い周波数範囲で、定在波比(SWR)が2.0以下のインビーダンス整合特性が実現できたことで、反射波の影響が低減でき、かつ単純な校正曲線による再現性のよい測定が可能になった。
【0026】
また、図1及び図2のように、電界シールド用の金属面(14)を1ターンループコイル(11)の内側と外側に一定幅の誘電体ギャップ(101)を設け金属面で囲み、更に、囲んだ金属面の一部に磁界検出用スリット(10)を設けることで、鋭い単一指向性を実現できる効果が生まれた。さらに、図10のように磁界(H)に対する電界(E)の感度特性の差を約20dBまでに改善できる効果も生まれた。これらの効果により、電界の影響が少なく、再現性に優れた放射ノイズ測定が可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1の検出面の平面図である。
【図2】実施例2の検出面の平面図である。
【図3】本発明に係わるEMIプローブの実施例1の分解図である。
【図4】本発明に係わるEMIプローブの実施例2の分解図である。
【図5】図3、図4のEMIプローブの等価回路図である。
【図6】従来のEMIプローブの平面図である。
【図7】従来のEMIプローブの特性インピーダンス図である。
【図8】本発明に係わるEMIプローブの定在波比(SWR)図である。
【図9】本発明に係わるEMIプローブの特性インピーダンス図である。
【図10】本は発明に係わるEMIプローブの磁界及び電界に対する感度特性図である。
【符号の説明】
10、60・・・・磁界検出用スリットB、C・・・・コイル検出面
11・・・・1ターンループコイルD・・・・波形合成基板
12・・・・整合抵抗E・・・・信号変換基板
13・・・・バランF・・・・セミリジッド同軸ケーブル
14・・・・金属面 fL・・・・下限周波数
15、63・・・・不平衡出力端子 fH・・・・上限周波数
30・・・・平衡対出力端子 H・・・・磁界
31,32,33・・・・入力対端子 E・・・・電界
34・・・・合成出力対端子
35・・・・バラン入力対端子
61・・・・中心銅線
62・・・・外部銅パイプ
64・・・・ループコイル短絡端
100・・・・誘電体層
101・・・・誘電体ギャップ
Claims (3)
- 誘電体層の片面のみに作成した1ターンループコイルの内側と外側を、それぞれコイル幅と同幅あるいは同幅以下の誘電体ギャップを隔てて金属面で囲み、前記金属面の一部に磁界検出用スリットを設けた構成のコイル検出面3面を配したことを特徴とするEMIプローブ。
- 請求項1記載のEMIプローブであって、前記コイル検出面が方形であり、該コイル検出面3面を同軸上に互いに60度の角度で配置させ、該各面の1ターンループコイルそれぞれに一対の整合抵抗を接続し、該整合抵抗3組が並列接続する波形合成基板と、該波形合成基板の合成出力対端子とバラン入力対端子を接続し、該バラン入力対端子に平衡不平衡変換用のバランを1個接続し、二次元方向の感度特性を有する形状に一体形成したことを特徴とするEMIプローブ。
- 請求項1記載のEMIプローブであって、前記コイル検出面が台形であり、該コイル検出面3面をX軸、Y軸、Z軸上に互いに60度の角度で配置させ、該各面の1ターンループコイルそれぞれに一対の整合抵抗を接続し、該整合抵抗3組が並列接続する波形合成基板と、該波形合成基板のの合成出力対端子とバラン入力対端子を接続し、該バラン入力対端子に平衡不平衡変換用のバランを1個接続し、三次元方向の感度特性を有する形状に一体形成したことを特徴とするEMIプローブ。
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